專利名稱：具有集成電容器的高效功率轉(zhuǎn)換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及具有集成電容器的高效功率轉(zhuǎn)換器。
背景技術(shù)：
高功率和高頻率開關(guān)電路中的寄生電感可導(dǎo)致效率降低、過大的瞬時振蕩以及過沖，使得電路中的功率器件的應(yīng)力過大。這可能導(dǎo)致功率器件損壞以及故障。發(fā)明_既述在一個實(shí)施方案中，功率轉(zhuǎn)換器裝置包括基板、安裝在基板上的功率晶片以及以疊置構(gòu)造安裝在功率晶片上方的電容器晶片。電容器晶片與功率晶片電耦合。封裝材料用于封裝功率晶片和電容器晶片。


應(yīng)當(dāng)理解的是，附圖僅描述示例性實(shí)施方案并且因此不被視為限制范圍，將通過使用附圖特別且詳細(xì)地描述示例性實(shí)施方案，在附圖中圖IA和IB為根據(jù)一個實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器的截面的平面圖和側(cè)視圖；圖2為可在功率轉(zhuǎn)換器中實(shí)施的根據(jù)一個實(shí)施方案的功率晶片的平面圖；圖3為可在功率轉(zhuǎn)換器中實(shí)施的根據(jù)一個實(shí)施方案的電容器的側(cè)視圖；圖4A和4B為根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器的截面的平面圖和側(cè)視圖；圖5A和5B為根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器的截面的平面圖和側(cè)視圖；圖6A和6B為根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器的截面的平面圖和側(cè)視圖；圖7A和7B為根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器的截面的平面圖和側(cè)視圖；圖8A和8B為根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器的截面的平面圖和側(cè)視圖；圖9為包括具有一個或多個集成電容器的功率轉(zhuǎn)換器的電子系統(tǒng)的框圖；以及圖10A-10C為示出評估集成電容器對電路性能的影響的計算機(jī)模擬的結(jié)果的曲線圖。依據(jù)慣用手段，描述的各個特征不是按比例繪制，而是繪制以用于強(qiáng)調(diào)與示例性實(shí)施方案相關(guān)的特定特征。發(fā)明詳述在下面的詳細(xì)描述中，參照附圖，附圖構(gòu)成了詳細(xì)描述的部分，其中通過示例具體示例性實(shí)施方案來展示附圖。應(yīng)當(dāng)理解的是，可以使用其它實(shí)施方案，并且進(jìn)行機(jī)械變型和電氣變型。因此，下面的詳細(xì)描述不旨在限制。本文公開了具有集成電容器的高效功率轉(zhuǎn)換器。本功率轉(zhuǎn)換器使用具有薄并且與標(biāo)準(zhǔn)封裝輪廓相容的集成電路相容平面結(jié)構(gòu)的芯片電容器。芯片電容器疊置在單個功率晶片的上方。功率晶片包括高側(cè)功率器件和低側(cè)功率器件，這些功率器件整體地集成在單個晶片中，使得相位(開關(guān)輸出)節(jié)點(diǎn)位于晶片的底部。高側(cè)器件的頂部為電壓輸入(Vin)， 而低側(cè)器件的頂部接地。在封裝之前，芯片電容器以疊置構(gòu)造安裝在功率晶片的頂部上方。在一些實(shí)施方案中，電容器可通過倒裝式焊接安裝到功率晶片上，或者通過倒裝式焊接安裝到與功率晶片耦合的金屬板上。在其它實(shí)施方案中，電容器通過絲焊安裝到功率晶片上。功率轉(zhuǎn)換器的部件被封裝在成型封裝材料中，使得電容器不延伸到成型封裝件的外部。電容器可以選定以使功率轉(zhuǎn)換器的功率損耗最小化的電容值來實(shí)施。在本方法中，臨界節(jié)點(diǎn)和電容器之間的距離縮短，使得寄生電感減小至電容器電極與電壓輸入(Vin) 和接地節(jié)點(diǎn)之間的可接受水平。本方法尤其適用于直流(DC)到DC同步功率轉(zhuǎn)換器?？删哂幸粋€或多個集成電容器的本功率轉(zhuǎn)換器可任選地與集成電路(IC)組合在封裝件中以制成“獨(dú)一無二”的功率轉(zhuǎn)換器或調(diào)節(jié)器產(chǎn)品。IC可以為完全特征化的開關(guān)調(diào)制器和轉(zhuǎn)換器，其產(chǎn)生脈寬調(diào)制(PWM)信號，驅(qū)動功率晶片中的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的柵極，具有過電流和過電壓保護(hù)等。IC晶片還可以為柵極驅(qū)動器，其汲取單PWM信號并且驅(qū)動功率晶片中的MOSFET的柵極、開關(guān)調(diào)節(jié)器電路等。在如下描述的實(shí)施方案中，具有集成電容器的功率轉(zhuǎn)換器包括功率晶片以及任選的IC晶片。因此，下面參照附圖描述的功率轉(zhuǎn)換器的各個實(shí)施方案可被實(shí)施為根據(jù)需要具有IC晶片或不具有IC晶片。圖IA和IB圖示了根據(jù)一個實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器100。功率轉(zhuǎn)換器100包括功率晶片102和安裝到基板的任選的IC晶片104，基板可以包括金屬引線框架106的內(nèi)部。 可以借助于一個或多個導(dǎo)電晶片附接焊盤108a來安裝功率晶片102和IC晶片104，所述導(dǎo)電晶片附接焊盤可由易熔焊錫焊盤、導(dǎo)電性粘合材料等形成。一對金屬板110借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤108b與功率晶片102和引線框架106 的外部耦合。金屬板110分別包括與功率晶片102耦合的凸起部111，并且在功率晶片102 和引線框架106之間提供一個或多個導(dǎo)電路徑。金屬板110可以由銅、銅合金、諸如Cu/Mo/ Cu的多層結(jié)構(gòu)等制成。電容器晶片112通過使用導(dǎo)電晶片附接焊盤108c進(jìn)行倒裝式焊接而被安裝在金屬板110上。電容器晶片112附接至功率晶片102上方金屬板110的各個凸起部111。多個焊盤114位于功率晶片102的上表面116上。多個焊盤118位于IC晶片104 的上表面120上。焊盤114通過焊絲122與各個焊盤118電連接，焊絲將來自功率晶片102 的功率信號提供給IC晶片104。其它焊盤118通過焊絲IM與引線框架106的各個外部電連接以便為IC晶片104提供外部連接。諸如聚合物成型化合物的封裝材料1 封裝功率轉(zhuǎn)換器100的各個部件，包括功率晶片102、IC晶片104和電容器晶片112，從而密封部件以與環(huán)境污染隔離。示例性封裝材料包括由各種樹脂形成的成型化合物，各種樹脂包括芳族或多芳族樹脂、酚醛樹脂等，所述成型化合物可以包括諸如硅石的填充材料或其它材料。例如，可通過將作為填充材料的鐵氧體粉添加到樹脂來獲得改良電磁干擾(EMI)屏蔽。在功率晶片的一個實(shí)施方案中，在DC-DC同步功率轉(zhuǎn)換器中需要的高側(cè)裝置和低側(cè)裝置被集成在相同晶片上。功率晶片在晶片的底部配置有開關(guān)節(jié)點(diǎn)(相位節(jié)點(diǎn)或輸出)。圖2描繪了可在本功率轉(zhuǎn)換器中實(shí)施的根據(jù)示例性實(shí)施方案的功率晶片202。功率晶片202包括安裝在基板203上的高側(cè)0B)漏極焊盤204(Vin)以及鄰近漏極焊盤204 安裝的高側(cè)柵極焊盤206。低側(cè)(LQ源極焊盤208(接地)鄰近漏極焊盤204安裝在基板 203上，并且低側(cè)柵極焊盤210鄰近源極焊盤208安裝。高側(cè)漏極焊盤204和低側(cè)源極焊盤 208可基于所使用的電容器晶片連接技術(shù)而定形。在一個實(shí)施方案中，電容器晶片可被實(shí)施為諸如帶溝槽電容器的加紋理電容器。 例如，溝槽-柵極電容器可實(shí)施在疊置電容器的基板中來增大面積。通過使用帶溝槽的電容器，每單位面積的電容可顯著增加，而不會影響額定電壓。在另一實(shí)施方案中，電容器晶片具有大致平面型結(jié)構(gòu)。例如，氮化物層可以沉積在薄的氧化物層上以形成可靠的平面型電容器結(jié)構(gòu)。圖3展示了能夠在電容器晶片中實(shí)施的根據(jù)一個實(shí)施方案的電容器300。電容器 300包括第一金屬電極302以及具有延伸部306和308的第二金屬電極304。電極302的至少部分位于電極延伸部306和308之間。第一介電層310位于電極302和延伸部306之間，并且第二介電層312位于電極302和延伸部308之間。電容器晶片的層可通過各種常規(guī)沉積技術(shù)來形成，諸如原子層沉積(ALD)、低壓化學(xué)氣相沉積(CVD)、金屬有機(jī)CVD、等離子體氣相沉積(PVD)濺射等。電容器晶片的介電層可以由各種介電材料形成，介電材料可以具有超過氧化物的介電常數(shù)阱。例如，可以使用諸如鈦酸鍶鋇(BaSrTiO3)、鈦酸鋯鉛(Pb (ZR1-Ji) O3)、鈦酸鍶 (SrTiO3)或氧化鉭(Ta2O5)的高介電常數(shù)材料。這些材料提供比大約100大的介電常數(shù)。 其它適當(dāng)?shù)慕殡姴牧习ü杷徙x、硅酸鋯、二氧化鋯、氧化鋁等。與功率晶片和電容器相關(guān)的前述細(xì)節(jié)適應(yīng)于如下描述的功率轉(zhuǎn)換器的另外的實(shí)施方案。圖4A和4B展示了根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器400。功率轉(zhuǎn)換器400包括功率晶片402和任選的IC晶片404，功率晶片402和IC晶片404借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤 408a安裝在金屬引線框架406的內(nèi)部上。一對金屬板410借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤408b 與功率晶片402和引線框架406的外部耦合。金屬板410分別包括與功率晶片402耦合的凸起部411，并且提供在功率晶片402和引線框架406之間的一個或多個導(dǎo)電路徑。電容器晶片412通過使用一個或多個焊錫球413進(jìn)行倒裝式焊接而被安裝在金屬板410上。電容器晶片412附接至功率晶片102上方金屬板110的各個凸起部411上。多個焊盤414位于功率晶片402的上表面416上。多個焊盤418位于IC晶片404 的上表面420上。焊盤414通過焊絲422與各個焊盤418電連接，焊絲422將來自功率晶片402的功率信號提供給IC晶片404。其它焊盤418通過焊絲似4與引線框架406的各個外部電連接以便為IC晶片404提供外部連接。諸如聚合物成型化合物的封裝材料4 封裝功率轉(zhuǎn)換器400的各個部件，包括功率晶片402、IC晶片404和電容器晶片412，從而密封部件以與環(huán)境污染隔離。圖5A和5B展示了根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器500。功率轉(zhuǎn)換器500包括功率晶片502和任選的IC晶片504，功率晶片502和IC晶片504借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤 508安裝到金屬引線框架506的內(nèi)部。多個焊絲510耦合在功率晶片502的上表面503和引線框架506的外部之間。焊絲510提供功率晶片502和引線框架506之間的導(dǎo)電路徑。 電容器晶片512通過使用一個或多個焊錫球513進(jìn)行倒裝式焊接而被安裝在功率晶片502 的上表面503上。多個焊盤514安裝在功率晶片502的上表面503上。多個焊盤518位于IC印模 504的上表面520上。焊盤514通過焊絲522與各個焊盤518電連接，焊絲522將來自功率晶片502的功率信號提供給IC晶片504。其它焊盤518通過焊絲5M與引線框架506的各個外部電連接以便為IC晶片504提供外部連接。封裝材料526封裝功率轉(zhuǎn)換器500的各個部件，包括功率晶片502、IC晶片504和電容器晶片512。圖6A和6B展示了根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器600。功率轉(zhuǎn)換器600包括功率晶片602和任選的IC晶片604，功率晶片602和IC晶片604借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤608 安裝到金屬引線框架606的內(nèi)部。多個焊絲610被耦合在功率晶片602的上表面603和引線框架606的外部之間。焊絲610提供功率晶片602和引線框架606之間的導(dǎo)電路徑。電容器晶片612借助于可為環(huán)氧樹脂的絕緣晶片附接焊盤611安裝在功率晶片602的上表面 603上。附接至一對焊盤615的多個焊絲613將電容器晶片612與功率晶片602電連接。多個焊盤614位于功率晶片602的上表面603上。多個焊盤618位于IC晶片604 的上表面620上。通過焊絲622將焊盤614與各個焊盤618電連接，焊絲622將來自功率晶片602的功率信號提供給IC晶片604。通過焊絲6M將其它焊盤618與引線框架606的各個外部電連接以便為IC晶片604提供外部連接。封裝材料6 封裝功率轉(zhuǎn)換器600的各個部件，所述部件包括功率晶片602、IC晶片604和電容器晶片612。圖7A和7B展示了根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器700。功率轉(zhuǎn)換器700包括功率晶片702和任選的IC晶片704，功率晶片702和IC晶片704借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤 707安裝到金屬引線框架706的內(nèi)部。第一金屬板710借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤708與功率晶片702的上表面703和引線框架706的外部耦合。第二金屬板711借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤712與功率晶片702和引線框架706的外部耦合。第一金屬板710具有在功率晶片 702的部分上方延伸的凸起部713。第二金屬板711具有在功率晶片702的部分上方以及凸起部713的部分上方延伸的凸起部714。電容器晶片716安裝在功率晶片702的上方凸起部713和凸起部714之間。電容器晶片716具有上觸頭717和下觸頭718。上觸頭717與凸起部714耦合，并且下觸頭718 與凸起部713耦合。多個焊盤720位于功率晶片702的上表面703上。多個焊盤7 位于IC晶片704 的上表面7 上。焊盤720借助于焊絲7 與各個焊盤724電連接，焊絲7 將來自功率晶片702的功率信號提供給IC晶片704。其它焊盤7M借助于焊絲730與引線框架706的各個外部電連接以便為IC晶片704提供外部連接。諸如聚合物成型化合物的封裝材料732封裝功率轉(zhuǎn)換器700的各個部件，所述部件包括功率晶片702、IC晶片704和電容器晶片716，從而密封部件以與環(huán)境污染隔離。通過封裝材料732將引線框架706的底部709暴露到外部環(huán)境。底部709提供與功率晶片 702的底部的電連接，并且將熱沉引導(dǎo)到外部環(huán)境。圖8A和8B展示了根據(jù)另一實(shí)施方案的功率轉(zhuǎn)換器800。功率轉(zhuǎn)換器800包括功率晶片802和任選的IC晶片804，功率晶片802和IC晶片804借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤807安裝到金屬引線框架806的內(nèi)部。第一金屬板810借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤808與功率晶片802的上表面803和引線框架806的外部耦合。第二金屬板811借助于導(dǎo)電晶片附接焊盤812與功率晶片802和引線框架806的外部耦合。第一金屬板810具有在功率晶片802的部分上方延伸的凸起部813。第二金屬板811具有在功率晶片802的部分上方以及在凸起部813的部分上方延伸的凸起部814。電容器晶片816安裝在功率晶片802的上方凸起部813和凸起部814之間。電容器晶片816具有上觸頭817和下觸頭818。上觸頭817與凸起部814耦合，并且下觸頭818 與凸起部813耦合。多個焊盤820位于功率晶片802的上表面803上。多個焊盤擬4位于IC晶片804 的上表面擬6上。焊盤820借助于焊絲828與各個焊盤824電連接，焊絲828將來自功率晶片802的功率信號提供給IC晶片804。其它焊盤擬4借助于焊絲830與引線框架806的各個外部電連接以便為IC晶片804提供外部連接。封裝材料832封裝功率轉(zhuǎn)換器800的各個部件以密封部件，所述部件包括功率晶片802、IC晶片804和電容器晶片816。通過封裝材料832將引線框架806的底部809暴露到外部環(huán)境。底部809提供與功率晶片802的底部的電連接，并且將熱沉引導(dǎo)到外部環(huán)
^Ml O如圖8B所示，金屬板811的凸起部814包括通過封裝材料832暴露到外部環(huán)境的上段834。上段834提供到板811的直接通路，以用于將熱沉引導(dǎo)到外部環(huán)境。圖9為包括諸如前面的實(shí)施方案中描述的具有一個或多個集成電容器的至少一個功率轉(zhuǎn)換器910的電子系統(tǒng)900的框圖。功率轉(zhuǎn)換器910與至少一個處理器920和至少一個存儲器單元930電耦合。例如，總線940能夠提供功率轉(zhuǎn)換器910、處理器920和存儲器單元930之間的電連接。處理器920和存儲器單元930也彼此電耦合。實(shí)施例1在表1和表2中設(shè)置各個電容器的計算電容。表1列出了具有不同厚度的氧化物 /氮化物平面電容器結(jié)構(gòu)的電容器的計算電容。表2示出了當(dāng)電容器基于與氧化物/氮化物相比具有較高介電常數(shù)的介電材料時大于1微法拉的電容是可行的。表2中的BV和表1 中的BVox為電介質(zhì)或電介質(zhì)堆的估計擊穿電壓。通常，擊穿的最大電場約為9MeV/cm。表 1中的工作電壓欄僅為BVox值的1/3。
權(quán)利要求
1.一種功率轉(zhuǎn)換器裝置，包括基板；功率晶片，其安裝在所述基板上；電容器晶片，其以疊置構(gòu)造安裝在所述功率晶片的上方，所述電容器晶片與所述功率晶片電耦合；以及封裝材料，其封裝所述功率晶片和所述電容器晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述基板包括具有內(nèi)部和外部的金屬引線框架。
3.如權(quán)利要求2所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述功率晶片安裝在所述金屬引線框架的所述內(nèi)部上。
4.如權(quán)利要求2所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，進(jìn)一步包括一對金屬板，所述金屬板與所述功率晶片和所述引線框架的所述外部導(dǎo)電性耦合，使得所述金屬板在所述功率晶片和所述引線框架的所述外部之間提供一個或多個導(dǎo)電路徑。
5.如權(quán)利要求4所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片安裝在所述功率晶片上方所述金屬板上。
6.如權(quán)利要求5所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片通過使用一個或多個導(dǎo)電晶片附接焊盤或一個或多個焊錫球進(jìn)行倒裝式焊接而被安裝在所述金屬板上。
7.如權(quán)利要求2所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，進(jìn)一步包括耦合在所述功率晶片的上表面和所述引線框架的所述外部之間的第一多根焊絲，所述第一多根焊絲提供所述功率晶片和所述引線框架之間的導(dǎo)電路徑。
8.如權(quán)利要求7所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片通過使用一個或多個焊錫球進(jìn)行倒裝式焊接而被安裝在所述功率晶片上。
9.如權(quán)利要求7所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片借助于絕緣晶片附接焊盤安裝在所述功率晶片上，并且所述電容器晶片借助于第二多根焊絲與所述功率晶片電連接。
10.如權(quán)利要求2所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，進(jìn)一步包括第一金屬板，其與所述功率晶片和所述引線框架的所述外部導(dǎo)電性耦合，所述第一金屬板具有在所述功率晶片的部分上方延伸的凸起部；以及第二金屬板，其與所述功率晶片和所述引線框架的所述外部導(dǎo)電性耦合，所述第二金屬板具有在所述功率晶片的部分上方以及在所述第一金屬板的所述凸起部的部分上方延伸的凸起部。
11.如權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片安裝在所述功率晶片的上方所述第一金屬板和所述第二金屬板的所述凸起部之間。
12.如權(quán)利要求11所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片包括與所述第二金屬板的所述凸起部耦合的上觸頭和與所述第一金屬板的所述凸起部耦合的下觸頭。
13.如權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中通過所述封裝材料暴露所述引線框架的底部。
14.如權(quán)利要求13所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述第二金屬板的所述凸起部包括通過所述封裝材料暴露的上段。
15.如權(quán)利要求1所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述功率晶片包括 基板；高側(cè)漏極焊盤，其與所述基板耦合； 高側(cè)柵極焊盤，其鄰近所述高側(cè)漏極焊盤與所述基板耦合； 低側(cè)源極焊盤，其鄰近所述高側(cè)漏極焊盤與所述基板耦合；以及低側(cè)柵極焊盤，其鄰近所述低側(cè)源極焊盤與所述基板耦合。
16.如權(quán)利要求1所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片包括 第一金屬電極；第二金屬電極，其具有至少部分圍繞所述第一金屬電極的第一延伸部和第二延伸部； 第一介電層，其位于所述第一金屬電極和所述第一延伸部之間；以及第二介電層，其位于所述第一金屬電極和所述第二延伸部之間。
17.如權(quán)利要求1所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片包括一個或多個介電層，所述介電層包含鈦酸鍶鋇、鈦酸鋯鉛、鈦酸鍶、氧化鉭、硅酸鉿、硅酸鋯、二氧化鋯或氧化 ρ O
18.—種功率轉(zhuǎn)換器裝置，包括基板，其包括具有內(nèi)部和外部的金屬引線框架； 功率晶片，其安裝在所述引線框架的所述內(nèi)部上；電容器晶片，其以疊置構(gòu)造安裝在所述功率晶片上方，所述電容器晶片與所述功率晶片電耦合；集成電路晶片，其安裝到所述基板并且與所述引線框架的所述外部電耦合；以及封裝材料，其封裝所述功率晶片和所述電容器晶片，其中所述集成電路晶片與所述功率晶片電耦合以接收來自所述功率晶片的功率信號。
19.如權(quán)利要求18所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，進(jìn)一步包括一對金屬板，所述金屬板與所述功率晶片和所述引線框架的所述外部導(dǎo)電性耦合，使得所述金屬板在所述功率晶片和所述引線框架的所述外部之間提供一個或多個導(dǎo)電路徑。
20.如權(quán)利要求19所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片通過使用一個或多個導(dǎo)電晶片附接焊盤或一個或多個焊錫球進(jìn)行倒裝式焊接而被安裝在所述金屬板上。
21.如權(quán)利要求18所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，進(jìn)一步包括在所述功率晶片的上表面和所述引線框架的所述外部之間耦合的第一多根焊絲，所述第一多根焊絲提供所述功率晶片和所述引線框架之間的導(dǎo)電路徑。
22.如權(quán)利要求21所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片通過使用一個或多個焊錫球進(jìn)行倒裝式焊接而被安裝在所述功率晶片上。
23.如權(quán)利要求21所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片借助于絕緣晶片附接焊盤安裝在所述功率晶片上，并且所述電容器晶片借助于第二多根焊絲與所述功率晶片電連接。
24.如權(quán)利要求18所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，進(jìn)一步包括第一金屬板，其與所述功率晶片和所述引線框架的所述外部導(dǎo)電性耦合，所述第一金屬板具有在所述功率晶片的部分上方延伸的凸起部；以及第二金屬板，其與所述功率晶片和所述引線框架的所述外部導(dǎo)電性耦合，所述第二金屬板具有在所述功率晶片的部分上方以及在所述第一金屬板的所述凸起部的部分上方延伸的凸起部。
25.如權(quán)利要求M所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述電容器晶片安裝在所述功率晶片上方所述第一和第二金屬板的所述凸起部之間。
26.如權(quán)利要求M所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中通過所述封裝材料暴露所述引線框架的底部。
27.如權(quán)利要求沈所述的功率轉(zhuǎn)換器裝置，其中所述第二金屬板的所述凸起部包括通過所述封裝材料暴露的上段。
28.一種電子系統(tǒng)，包括 至少一個處理器；至少一個存儲器單元，其與所述處理器可操作地耦合；以及至少一個功率轉(zhuǎn)換器，其與所述處理器和所述存儲器單元電耦合，所述功率轉(zhuǎn)換器包括金屬引線框架，其具有內(nèi)部和外部；功率晶片，其安裝在所述引線框架的所述內(nèi)部上；電容器晶片，其以疊置構(gòu)造安裝在所述功率晶片的上方，所述電容器晶片與所述功率晶片電耦合；以及封裝材料，其封裝所述功率晶片和所述電容器晶片。
29.如權(quán)利要求觀所述的電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括安裝到所述引線框架上的集成電路晶片，所述集成電路與所述功率晶片和所述引線框架的所述外部電耦合。
30.一種制造功率轉(zhuǎn)換器裝置的方法，包括 提供基板；將功率晶片安裝在所述基板上；以疊置構(gòu)造將所述電容器晶片安裝在所述功率晶片的上方； 將所述電容器晶片與所述功率晶片電耦合；以及使用封裝材料來封裝所述功率晶片和所述電容器晶片。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，進(jìn)一步包括 將集成電路晶片安裝在所述基板上；以及將所述集成電路晶片與所述功率晶片電耦合。
全文摘要
提供了一種功率轉(zhuǎn)換器裝置，其包括基板、安裝在所述基板上的功率晶片以及以疊置構(gòu)造安裝在功率晶片上方的電容器晶片。電容器晶片與功率晶片電耦合。封裝材料用于封裝功率晶片和電容器晶片。集成電路晶片也能夠安裝到基板上并且與功率晶片電耦合以接收來自功率晶片的功率信號，封裝材料也封裝集成電路晶片。
文檔編號H01L23/28GK102456679SQ201110337738
公開日2012年5月16日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月22日
發(fā)明者F·希伯特, N·V·凱爾卡, S·佩崔賽克 申請人:英特賽爾美國股份有限公司