專利名稱：顯示面板的薄膜晶體管及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種顯示面板的薄膜晶體管及其制作方法，尤指一種可維持臨界電壓穩(wěn)定性的薄膜晶體管及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的蓬勃發(fā)展，市場對于高解析度(high resolution)、低耗電(low power consumption)與高效能顯示(high performance display)有越來越多的需求，因此薄膜晶體管(Thin Film Transistor ；TFT)在液晶顯示面板上所扮演的角色便日益重要。 然而，以傳統(tǒng)工藝方式所制作出的薄膜晶體管，常會遭遇到可靠度方面的問題，例如臨界電壓穩(wěn)定性(threshold voltage stability ；Vth stability)不佳，請參考圖 1。圖 1 為習(xí)知液晶顯示面板的薄膜晶體管于特定惡化條件后所量到的通道電流(Ids)相對于(versus) 柵極與源極間電壓差(Vgs)的關(guān)系圖。如圖1所示，欲正常關(guān)閉(turn off)薄膜晶體管， 必須讓Ids低于某個臨界值(例如10-9安培)的下。在特定的惡化條件(例如60°C，Vgs =-35V)下，設(shè)定幾組不同的stress時間，的后在漏極與源極間電壓差(Vds)為10V下的情況下，量測Ids與Vgs的關(guān)系。發(fā)現(xiàn)隨著stress時間越久(例如60秒、300秒、600秒， 以及1000秒)，要讓Ids低于某個臨界值(例如10-9安培)的下，所需施加的Vgs絕對值就越大。也就是說，薄膜晶體管經(jīng)過越久的惡化條件后，的后要再讓它關(guān)閉所需跨越的臨界電壓(Vth)絕對值就越高，即愈不容易用正常電壓來關(guān)閉，此即所謂的臨界電壓穩(wěn)定性不佳的問題。造成臨界電壓穩(wěn)定性不佳的原因，多半是由于在半導(dǎo)體通道層(semiconductor channel layer)與柵極絕緣層(gate insulating layer)之間的介面存在著許多缺陷 (defect)或粗糙不平(roughness)，容易累積介面陷阱電荷(interface-trapped charge) 所導(dǎo)致，請參考圖2。圖2為習(xí)知液晶顯示面板的薄膜晶體管的示意圖。如圖2所示，薄膜晶體管100系形成于液晶顯示面板的基板1的上方。薄膜晶體管100包括柵極2位于基板 1上；柵極絕緣層3位于柵極2與基板1上；源極4與漏極5位于柵極絕緣層3上；半導(dǎo)體通道層6，部分位于源極4與漏極5間的柵極絕緣層3上，且部分位于源極4與漏極5上； 以及鈍化層7，位于半導(dǎo)體通道層6、源極4與漏極5上。由圖2可知，因為在圖案化金屬層以形成源極4與漏極5的過程中，會傷害到柵極絕緣層3的表面，而導(dǎo)致半導(dǎo)體通道層6與柵極絕緣層3之間的介面產(chǎn)生許多缺陷或粗糙不平，而這也就是造成介面陷阱電荷累積的主因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的的一在于提供一種顯示面板的薄膜晶體管及其制作方法，以維持薄膜晶體管的臨界電壓穩(wěn)定性。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，形成于基板上。薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、第一保護(hù)圖案、第二保護(hù)圖案、源極、漏極、半導(dǎo)體通道層，以及鈍化層。柵極位于基板上，柵極絕緣層位于柵極與基板上，第一保護(hù)圖案與第二保護(hù)圖案位于柵極上方的柵極絕緣層上，源極位于柵極絕緣層與第一保護(hù)圖案上，且漏極位于柵極絕緣層與第二保護(hù)圖案上。半導(dǎo)體通道層，部分位于源極與漏極間的柵極絕緣層上，且部分位于源極與漏極上。鈍化層，位于半導(dǎo)體通道層、源極與漏極上。其中于源極往漏極的一延伸方向上， 第一保護(hù)圖案的長度小于源極的長度，且第二保護(hù)圖案的長度小于漏極的長度。該第一保護(hù)圖案與該源極的長度比介于0. 1至0. 5之間。該第二保護(hù)圖案與該漏極的長度比介于0. 1至0. 5之間。于該延伸方向的一垂直方向上，該第一保護(hù)圖案的一邊界與該源極的一邊界切齊，且該第二保護(hù)圖案的一邊界與該漏極的一邊界切齊。該第一保護(hù)圖案與該第二保護(hù)圖案的材料包括銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦或氧化鋅。進(jìn)一步包括一第三保護(hù)圖案，位于該半導(dǎo)體通道層與該鈍化層之間，其中該第三保護(hù)圖案與該半導(dǎo)體通道層對應(yīng)設(shè)置。該第三保護(hù)圖案的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氧化釔或氧化鈦。為達(dá)上述目的，本發(fā)明另提供一種制作薄膜晶體管的方法，包括下列步驟。首先提供一基板，基板上形成一柵極。接著于基板上形成一柵極絕緣層并覆蓋柵極。的后于柵極絕緣層上形成一第一保護(hù)圖案、一第二保護(hù)圖案、一源極與一漏極，其中源極形成于第一保護(hù)圖案上，且漏極形成于第二保護(hù)圖案上。隨后于源極與漏極上，以及源極與漏極間的柵極絕緣層上形成一半導(dǎo)體通道層。最后于半導(dǎo)體通道層、源極與漏極上形成一鈍化層。其中于源極往漏極的一延伸方向上，第一保護(hù)圖案的長度小于源極的長度，且第二保護(hù)圖案的長度小于漏極的長度。形成該第一保護(hù)圖案、該第二保護(hù)圖案、該源極以及該漏極的方法包括形成一第一保護(hù)層于該柵極絕緣層上；圖案化該第一保護(hù)層；形成一金屬層于該柵極絕緣層與圖案化后的該第一保護(hù)層上；圖案化該金屬層以形成該源極與該漏極；以及去除未被該源極與該漏極覆蓋的圖案化后的該第一保護(hù)層，以形成該第一保護(hù)圖案與該第二保護(hù)圖案。上述圖案化該金屬層的步驟系以干蝕刻的方式進(jìn)行。上述去除未被該源極與該漏極覆蓋的圖案化后的該第一保護(hù)層的步驟系以濕蝕刻的方式進(jìn)行。該第一保護(hù)圖案與該源極的長度比介于0. 1至0. 5之間。該第二保護(hù)圖案與該漏極的長度比介于0. 1至0. 5之間。于該延伸方向的一垂直方向上，該第一保護(hù)圖案的一邊界與該源極的一邊界大體上切齊，且該第二保護(hù)圖案的一邊界與該漏極的一邊界大體上切齊。該第一保護(hù)圖案與該第二保護(hù)圖案的材料包括銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦或氧化鋅。進(jìn)一步包括于形成該鈍化層的前，先于該半導(dǎo)體通道層上形成一第三保護(hù)圖案， 其中該第三保護(hù)圖案與該半導(dǎo)體通道層對應(yīng)設(shè)置。上述形成該第三保護(hù)圖案系與上述形成該半導(dǎo)體通道層采用同一道掩膜工藝。該第三保護(hù)圖案的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氧化釔或氧化鈦。


圖1為習(xí)知液晶顯示面板的薄膜晶體管于特定惡化條件后所量到的通道電流 (Ids)相對于柵極與源極間電壓差(Vgs)的關(guān)系圖。圖2為習(xí)知液晶顯示面板的薄膜晶體管的示意圖。圖3至圖10為本發(fā)明第一較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。圖11為本發(fā)明的第一較佳實施例的薄膜晶體管的上視圖。圖12至圖14為本發(fā)明第二較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。圖15為本發(fā)明的第一及第二較佳實施例的薄膜晶體管于特定惡化條件后所量到的通道電流(Ids)相對于柵極與源極間電壓差(Vgs)的關(guān)系圖。附圖標(biāo)記說明
330]1基板2柵極3柵極絕緣層4源極5漏極6半導(dǎo)體通道層7鈍化層10基板20柵極30柵極絕緣層40第一保護(hù)層42第一保護(hù)圖案44第二保護(hù)圖案50金屬層52源極54漏極60半導(dǎo)體層62半導(dǎo)體通道層70第二保護(hù)層72第三保護(hù)圖案80鈍化層100薄膜晶體管200薄膜晶體管300薄膜晶體管A-A'半導(dǎo)體通道層的通道方向Ll第一保護(hù)圖案的長度L2第二保護(hù)圖案的長度LS源極的長度LD漏極的長度
具體實施例方式為使本領(lǐng)域技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實施例， 并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。請參考圖3至圖10。圖3至圖10為本發(fā)明第一較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。如圖3所示，首先提供基板10，基板10上形成柵極20。接著于基板10上形成柵極絕緣層30并覆蓋柵極20，以及于柵極絕緣層30上形成第一保護(hù)層40。在本實施例中， 柵極絕緣層30的材料可包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(A12CX3)或氧化釔(Y203)等，而第一保護(hù)層40的材料可包括銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)JB 鋅氧化物(InZnO)、氧化銦αη2(Χ3)或氧化鋅(SiO)等，但不以此為限。接著，如圖4所示， 圖案化第一保護(hù)層40，使圖案化后的第一保護(hù)層40大體上對應(yīng)于柵極20。隨后，如圖5所示，于柵極絕緣層30與圖案化后的第一保護(hù)層40上形成金屬層 50。金屬層50的材料可包括例如鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)或鉬(Mo)，但不以此為限。接著， 如圖6所示，對金屬層50進(jìn)行圖案化以形成源極52與漏極M。圖案化金屬層50的方法可包括干蝕刻(dry etching)的方式，例如利用氟(fluorine)或氯(chlorine)等離子(ion) 將未被光阻層(圖未示)所覆蓋的金屬層50去除，以形成源極52與漏極M。在此過程中， 位于源極52與漏極M間的柵極絕緣層30的表面系由圖案化后的第一保護(hù)層40所覆蓋， 避免其表面受到進(jìn)一步的傷害，因此，并無缺陷或粗糙不平的現(xiàn)象產(chǎn)生。第一保護(hù)層40的所以能提供柵極絕緣層30表面保護(hù)的效果，主要是由于金屬層 50相對于第一保護(hù)層40的蝕刻選擇比(selectivity)較大的緣故。也就是說，在未被光阻層(圖未示)所覆蓋的金屬層50蝕刻的過程中，第一保護(hù)層40并不會被去除，因此覆蓋在第一保護(hù)層40下的柵極絕緣層30的表面便不至于受到傷害。如圖7所示，接著去除未被源極52與漏極M覆蓋的圖案化后的第一保護(hù)層40， 以形成第一保護(hù)圖案42與第二保護(hù)圖案44。其方法可包括以濕蝕刻(wet etching)的方式，例如利用草酸(oxalic acid)去除未被源極52與漏極M覆蓋的圖案化后的第一保護(hù)層40。由于第一保護(hù)層40相對于柵極絕緣層30的蝕刻選擇比較大，所以在去除未被源極 52與漏極討覆蓋的圖案化后的第一保護(hù)層40的過程中，柵極絕緣層30的表面并不會受到傷害。隨后，如圖8所示，于源極52與漏極M上，以及源極52與漏極M間的柵極絕緣層30上形成半導(dǎo)體層60，其中半導(dǎo)體層60的材料可包括例如銦鎵鋅氧化物anfeiaiO)、銦鋅氧化物anSiO)、氧化鋅(SiO)、鋅錫氧化物(SiSnO)、氧化錫(SnO 或SnO2)、并五苯(Pentacene)、并四苯(tetracene)或α，ω -二己基六聯(lián)噻吩(α， ω-Dihexylsexithiophene)等，但不以此為限。接著，如圖9所示，對半導(dǎo)體層60進(jìn)行圖案化以形成半導(dǎo)體通道層62。的后，如圖10所示，于半導(dǎo)體通道層62、源極52與漏極M上形成鈍化層80，便完成本實施例的薄膜晶體管200的制作。請參考圖11，并一并參考圖10。圖11為本發(fā)明的第一較佳實施例的薄膜晶體管的上視圖，而圖10為圖11于Α-Α’方向上的剖面示意圖。如圖11所示，于薄膜晶體管的通道方向Α-Α’上或由源極往漏極延伸的方向上，第一保護(hù)圖案42的長度Ll小于源極52的長度LS，且第二保護(hù)圖案44的長度L2小于漏極M的長度LD。因此，源極52部分與柵極絕緣層30接觸，部分與第一保護(hù)圖案42接觸；漏極M部分與柵極絕緣層30接觸，部分與第二保護(hù)圖案44接觸。由于源極52與柵極絕緣層30間的附著力(adhesion)相較于源極 52與第一保護(hù)圖案42間的附著力佳，因此較不易發(fā)生金屬剝離(metal peeling)的現(xiàn)象。 同理亦然，漏極M與柵極絕緣層30間的附著力相較于漏極M與第二保護(hù)圖案44間的附著力佳，因此也不易發(fā)生金屬剝離的現(xiàn)象。如圖10所示，第一較佳實施例的薄膜晶體管200包括柵極20、柵極絕緣層30、第一保護(hù)圖案42、第二保護(hù)圖案44、源極52、漏極M、半導(dǎo)體通道層62，以及鈍化層80。柵極 20位于基板10上，柵極絕緣層30位于柵極20與基板10上，第一保護(hù)圖案42與第二保護(hù)圖案44，位于柵極20上方的柵極絕緣層30上，源極52位于柵極絕緣層30與第一保護(hù)圖案 42上，漏極M位于柵極絕緣層30與第二保護(hù)圖案44上，半導(dǎo)體通道層62部分位于源極 52與漏極M間的柵極絕緣層30上，且部分位于源極52與漏極M上，鈍化層80位于半導(dǎo)體通道層62、源極52與漏極M上。如圖11所示，于源極52往漏極M延伸的方向上，第一保護(hù)圖案42的長度Ll小于源極52的長度LS，且第二保護(hù)圖案44的長度L2小于漏極M 的長度LD。由上述可知，第一較佳實施例的薄膜晶體管200在半導(dǎo)體通道層62與柵極絕緣層 30之間并無缺陷或粗糙不平的介面。這是因為在對金屬層50進(jìn)行圖案化以形成源極52與漏極M的過程中，位于源極52與漏極M間的柵極絕緣層30的表面系由圖案化后的第一保護(hù)層40所覆蓋，避免了其表面受到進(jìn)一步的傷害。本發(fā)明的薄膜晶體管并不以上述實施例為限，而可具有其他不同的實施型態(tài)。為了簡化說明并易于比較，在下文的本發(fā)明的其他較佳實施例中，對于相同元件沿用相同的符號表示，并僅對各實施例的相異處進(jìn)行詳述。請參考圖12至圖14，并一并參考圖3至圖8。圖3至圖8以及圖12至圖14為本發(fā)明第二較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。接續(xù)前述圖8的后，如圖12所示，于半導(dǎo)體層60上形成第二保護(hù)層70，其中第二保護(hù)層70的材料可包括例如氮化硅(SiNx)、 氧化硅(SiOx)、氧化鋁(A1203)、氧化釔(Y203)或氧化鈦(Ti02)，但不以此為限。如圖13 所示，對第二保護(hù)層70進(jìn)行圖案化以形成第三保護(hù)圖案72，以及對半導(dǎo)體層60進(jìn)行圖案化以形成一半導(dǎo)體通道層62。在本實施例中，第三保護(hù)圖案72與半導(dǎo)體通道層62對應(yīng)設(shè)置， 且可利用同一道掩膜的圖案化工藝定義出圖案。接著，如圖14所示，于第三保護(hù)圖案72、源極52與漏極M上形成鈍化層80，便完成本實施例的薄膜晶體管300的制作。在形成鈍化層80的前先于半導(dǎo)體通道層62上形成對應(yīng)的第三保護(hù)圖案72，其目的在于避免半導(dǎo)體通道層62與光阻層(圖未示)直接接觸，以維持薄膜晶體管300的電性穩(wěn)定性。如同上述第一較佳實施例的薄膜晶體管200，本實施例的薄膜晶體管300于通道方向A-A’上或由源極往漏極延伸的方向上，第一保護(hù)圖案42的長度Ll小于源極52的長度LS，且第二保護(hù)圖案44的長度L2小于漏極M的長度LD。此外，本發(fā)明的第一及第二較佳實施例的薄膜晶體管200，300，可具有以下數(shù)種不同的實施樣態(tài)。例如，第一保護(hù)圖案42 與源極52的長度比(L1/LS)大體上介于0. 1至0. 5之間。例如，第二保護(hù)圖案44與漏極 54的長度比(L2/LD)大體上介于0. 1至0. 5之間。例如，于通道方向A-A’或源極往漏極延伸方向的垂直方向上，第一保護(hù)圖案42的邊界與源極52的邊界大體上切齊，且第二保護(hù)圖案44的邊界與漏極M的邊界大體上切齊。如圖14所示，第二較佳實施例的薄膜晶體管300包括柵極20、柵極絕緣層30、第一保護(hù)圖案42、第二保護(hù)圖案44、源極52、漏極54、半導(dǎo)體通道層62、第三保護(hù)圖案72，以及鈍化層80。柵極20位于基板10上，柵極絕緣層30位于柵極20與基板10上，第一保護(hù)圖案42與第二保護(hù)圖案44，位于柵極20上方的柵極絕緣層30上，源極52位于柵極絕緣層30與第一保護(hù)圖案42上，漏極M位于柵極絕緣層30與第二保護(hù)圖案44上，半導(dǎo)體通道層62，部分位于源極52與漏極M間的柵極絕緣層30上，且部分位于源極52與漏極M 上，第三保護(hù)圖案72位于半導(dǎo)體通道層62與鈍化層80之間，且第三保護(hù)圖案72與半導(dǎo)體通道層62對應(yīng)設(shè)置，鈍化層80位于半導(dǎo)體通道層62、源極52與漏極M上。如圖11所示，于源極52往漏極M延伸的方向上，第一保護(hù)圖案42的長度Ll小于源極52的長度LS，且第二保護(hù)圖案44的長度L2小于漏極M的長度LD。由上述可知，第一及第二較佳實施例的薄膜晶體管200，300在半導(dǎo)體通道層62與柵極絕緣層30之間并無缺陷或粗糙不平的介面，因此介面陷阱電荷不易累積，薄膜晶體管 200，300得以維持臨界電壓穩(wěn)定性。這是因為在對金屬層50進(jìn)行圖案化以形成源極52與漏極M的過程中，位于源極52與漏極M間的柵極絕緣層30的表面系由圖案化后的第一保護(hù)層40所覆蓋，避免了其表面受到進(jìn)一步的傷害，所以薄膜晶體管200，300得以維持臨界電壓穩(wěn)定性。請參考圖15。圖15為本發(fā)明的第一及第二較佳實施例的薄膜晶體管于特定惡化條件后所量到的通道電流(Ids)相對于柵極與源極間電壓差(Vgs)的關(guān)系圖。如圖 15所示，欲正常關(guān)閉薄膜晶體管200，300，必須讓Ids低于某個臨界值(例如10-9安培) 的下。在特定的惡化條件(例如60°C，Vgs = -35V)下，設(shè)定1000秒的stress時間，的后在漏極討與源極52間電壓差(Vds)為IOV下的情況下，量測Ids與Vgs的關(guān)系。以經(jīng)過 1000秒stress與沒有經(jīng)過stress的情況作比較，要讓Ids低于某個臨界值(例如10_9安培)的下，所需施加的Vgs絕對值差異不大。也就是說，薄膜晶體管200，300雖然經(jīng)過長久的惡化條件，的后要再讓它關(guān)閉所需跨越的臨界電壓僅微幅增加，因此臨界電壓穩(wěn)定性便得以維持。綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管系利用保護(hù)層覆蓋位于源極與漏極間的柵極絕緣層的表面，以避免在對金屬層進(jìn)行圖案化以形成源極與漏極的過程中其表面受到傷害，的后在半導(dǎo)體通道層與柵極絕緣層之間便不會有缺陷或粗糙不平的介面。因此介面陷阱電荷不易累積，薄膜晶體管得以維持其臨界電壓穩(wěn)定性。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，系形成于一基板上，該薄膜晶體管包括 一柵極，位于該基板上；一柵極絕緣層，位于該柵極與該基板上；一第一保護(hù)圖案與一第二保護(hù)圖案，位于該柵極上方的該柵極絕緣層上； 一源極，位于該柵極絕緣層與該第一保護(hù)圖案上； 一漏極，位于該柵極絕緣層與該第二保護(hù)圖案上；一半導(dǎo)體通道層，部分位于該源極與該漏極間的該柵極絕緣層上，且部分位于該源極與該漏極上；以及一鈍化層，位于該半導(dǎo)體通道層、該源極與該漏極上；其中于該源極往該漏極的一延伸方向上，該第一保護(hù)圖案的長度小于該源極的長度， 且該第二保護(hù)圖案的長度小于該漏極的長度。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護(hù)圖案與該源極的長度比介于0. 1至0.5之間。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二保護(hù)圖案與該漏極的長度比介于0. 1至0.5之間。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，于該延伸方向的一垂直方向上，該第一保護(hù)圖案的一邊界與該源極的一邊界切齊，且該第二保護(hù)圖案的一邊界與該漏極的一邊界切齊。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護(hù)圖案與該第二保護(hù)圖案的材料包括銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦或氧化鋅。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，進(jìn)一步包括一第三保護(hù)圖案，位于該半導(dǎo)體通道層與該鈍化層之間，其中該第三保護(hù)圖案與該半導(dǎo)體通道層對應(yīng)設(shè)置。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第三保護(hù)圖案的材料包括氮化硅、 氧化硅、氧化鋁、氧化釔或氧化鈦。
8.一種制作薄膜晶體管的方法，包括 提供一基板；形成一柵極于該基板上；形成一柵極絕緣層于該柵極與該基板上；形成一第一保護(hù)圖案、一第二保護(hù)圖案、一源極與一漏極于該柵極絕緣層上，其中該源極系形成于該第一保護(hù)圖案上，且該漏極系形成于該第二保護(hù)圖案上；形成一半導(dǎo)體通道層于該源極與該漏極以及該源極與該漏極間的該柵極絕緣層上；以及形成一鈍化層于該半導(dǎo)體通道層、該源極與該漏極上；其中于該源極往該漏極的一延伸方向上，該第一保護(hù)圖案的長度小于該源極的長度， 且該第二保護(hù)圖案的長度小于該漏極的長度。
9.如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，形成該第一保護(hù)圖案、該第二保護(hù)圖案、該源極以及該漏極的方法包括形成一第一保護(hù)層于該柵極絕緣層上； 圖案化該第一保護(hù)層；形成一金屬層于該柵極絕緣層與圖案化后的該第一保護(hù)層上；圖案化該金屬層以形成該源極與該漏極；以及去除未被該源極與該漏極覆蓋的圖案化后的該第一保護(hù)層，以形成該第一保護(hù)圖案與該第二保護(hù)圖案。
10.如權(quán)利要求9所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，上述圖案化該金屬層的步驟系以干蝕刻的方式進(jìn)行。
11.如權(quán)利要求9所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，上述去除未被該源極與該漏極覆蓋的圖案化后的該第一保護(hù)層的步驟系以濕蝕刻的方式進(jìn)行。
12.如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，該第一保護(hù)圖案與該源極的長度比介于0.1至0.5之間。
13.如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，該第二保護(hù)圖案與該漏極的長度比介于0.1至0.5之間。
14.如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，于該延伸方向的一垂直方向上，該第一保護(hù)圖案的一邊界與該源極的一邊界大體上切齊，且該第二保護(hù)圖案的一邊界與該漏極的一邊界大體上切齊。
15.如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，該第一保護(hù)圖案與該第二保護(hù)圖案的材料包括銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦或氧化鋅。
16.如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括于形成該鈍化層的前，先于該半導(dǎo)體通道層上形成一第三保護(hù)圖案，其中該第三保護(hù)圖案與該半導(dǎo)體通道層對應(yīng)設(shè)置。
17.如權(quán)利要求16所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，上述形成該第三保護(hù)圖案系與上述形成該半導(dǎo)體通道層采用同一道掩膜工藝。
18.如權(quán)利要求16所述的制作薄膜晶體管的方法，其特征在于，該第三保護(hù)圖案的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氧化釔或氧化鈦。
全文摘要
一種薄膜晶體管，形成于一基板上。薄膜晶體管包括一柵極、一柵極絕緣層、一第一保護(hù)圖案、一第二保護(hù)圖案、一源極、一漏極、一半導(dǎo)體通道層，以及一鈍化層。柵極位于基板上，柵極絕緣層位于柵極與基板上，第一保護(hù)圖案與第二保護(hù)圖案位于柵極上方的柵極絕緣層上，源極位于柵極絕緣層與第一保護(hù)圖案上，且漏極位于柵極絕緣層與第二保護(hù)圖案上。半導(dǎo)體通道層位于柵極絕緣層、源極與漏極上。鈍化層位于半導(dǎo)體通道層、源極與漏極上。于源極往漏極的一延伸方向上，第一保護(hù)圖案的長度小于源極的長度，且第二保護(hù)圖案的長度小于漏極的長度。
文檔編號H01L21/336GK102403364SQ20111033509
公開日2012年4月4日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月30日
發(fā)明者林武雄, 陳勃學(xué), 陳崇道 申請人:友達(dá)光電股份有限公司