專利名稱：屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器以及屏蔽式連接器的制造方法。
技術(shù)背景
在計(jì)算機(jī)技術(shù)迅猛發(fā)展的現(xiàn)代社會(huì)，計(jì)算機(jī)中傳輸信號的速度跟頻率越來越高， 其處理的數(shù)據(jù)量也越來越大，為此，計(jì)算機(jī)中電連接器傳遞數(shù)據(jù)的能力也需要相應(yīng)提升，而這一功能通常是通過大幅度增加端子數(shù)量來實(shí)現(xiàn)的。
在端子呈矩陣排列的高密度電連接器如CPU Socket中，由于各端子間排布緊密， 電連接器傳輸頻率成分很高的信號過程中，兩相鄰端子傳輸?shù)男盘栭g發(fā)生電磁耦合，會(huì)影響到彼此的信號大小，亦即端子間容易發(fā)生串音現(xiàn)象，這種信號干擾隨著電連接器的端子布局密度增加而益顯嚴(yán)重。
為解決此問題，通常的做法是在電連接器上設(shè)置金屬屏蔽體于各端子間，如中國專利CN201110008732. 1中公開了一種屏蔽式連接器的制造方法，包括如下步驟射出成型一絕緣本體，使其具多個(gè)收容槽，以及至少二定位結(jié)構(gòu)；向所述收容槽內(nèi)鍍設(shè)導(dǎo)電層形成屏蔽層，以及于所述絕緣本體的底面鍍設(shè)導(dǎo)電層形成相連的導(dǎo)接層和導(dǎo)出層，且所述導(dǎo)接層和所述屏蔽層相連；組裝二擋塊于所述絕緣本體上，所述擋塊具配合結(jié)構(gòu)與所述定位結(jié)構(gòu)配合定位，以及一頭部遮蔽部分所述導(dǎo)電層；向所述屏蔽層和所述導(dǎo)接層噴灑絕緣物質(zhì)，分別于所述屏蔽層和所述導(dǎo)接層上形成隔離層和間隔層；去除所述擋塊，裸露未布設(shè)所述絕緣物質(zhì)的所述導(dǎo)出層；沖壓成型多個(gè)導(dǎo)電端子；組裝所述導(dǎo)電端子于所述收容槽中。該制造方法所制得的電連接器，收容槽的內(nèi)表面形成有屏蔽層，絕緣本體的底面形成有導(dǎo)接層與所述屏蔽層連接，屏蔽層外還形成有隔離層以電性絕緣導(dǎo)電端子和屏蔽層，導(dǎo)接層外還設(shè)有間隔層用以電性絕緣絕緣本體底面與外界。
這種電連接器由于是先向所述收容槽內(nèi)鍍設(shè)導(dǎo)電層形成屏蔽層，以及于所述絕緣本體的底面鍍設(shè)導(dǎo)電層形成相連的導(dǎo)接層和導(dǎo)出層，再向所述屏蔽層和所述導(dǎo)接層噴灑絕緣物質(zhì)，因而需要在絕緣本體底面設(shè)置定位結(jié)構(gòu)與擋塊配合，以遮蔽部分導(dǎo)電層，容易使得定位結(jié)構(gòu)與擋塊配合的尺寸精度難以控制，導(dǎo)致加工工藝復(fù)雜；且由于絕緣本體的底面在設(shè)置了導(dǎo)接層以后還需要噴灑絕緣物質(zhì)形成所述間隔層，因而使得其制造方法中需要進(jìn)行組裝擋塊和去除擋塊兩個(gè)步驟，因而導(dǎo)致加工步驟繁瑣，增加了生產(chǎn)成本。
為此，有必要設(shè)計(jì)一種新的屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器以及屏蔽式連接器的制造方法以解決上述問題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種加工工藝簡單的屏蔽式連接器的制造方法，該方法所制得的屏蔽式連接器具有良好屏蔽效果，可有效改善端子間串音，且結(jié)構(gòu)簡單。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案一種絕緣本體，其具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，包括多個(gè)通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中；一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中；一第二金屬層，覆設(shè)于所述壁面；以及一第二絕緣層，設(shè)置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層。
進(jìn)一步，所述第一絕緣層與所述第二絕緣層連通。
進(jìn)一步，所述第一金屬層與所述第二金屬層連通。
優(yōu)選地，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為二氧化硅層。
所述第一金屬層、所述第二金屬層為銅層或鋁層。
可選地，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為絕緣漆層。
本發(fā)明也可以采用以下技術(shù)方案一種屏蔽式連接器，包括一絕緣本體，其具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，所述絕緣本體包括多個(gè)通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中；一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中；一第二金屬層，覆設(shè)于所述壁面；以及一第二絕緣層，設(shè)置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層；多個(gè)端子，對應(yīng)容設(shè)于多個(gè)所述通孔內(nèi)。
每一所述端子下方對應(yīng)固設(shè)有一焊料。
進(jìn)一步，所述絕緣本體一側(cè)設(shè)有一電路板，所述電路板具有一上表面鄰近所述底面，于所述上表面設(shè)有多個(gè)接觸點(diǎn)與所述焊料相對應(yīng)連接，以及多個(gè)錫塊與所述第一金屬層電性連接。
進(jìn)一步，多個(gè)所述通孔于所述絕緣本體呈矩陣排列，多個(gè)所述接觸點(diǎn)對應(yīng)呈矩陣排列。
進(jìn)一步，于所述上表面間隔幾排所述接觸點(diǎn)設(shè)置有一所述錫塊。
優(yōu)選的是，每一所述接觸點(diǎn)周圍對應(yīng)設(shè)有所述四錫塊，所述四錫塊的連線為一矩形。
進(jìn)一步，所述接觸點(diǎn)位于所述矩形的中心。
本發(fā)明也可以采用以下技術(shù)方案一種屏蔽式連接器的制造方法，包括以下步驟 第一步，射出成型一絕緣本體，所述絕緣本體具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，以及多個(gè)通孔，貫穿所述頂面和所述底面；第二步，自所述底面向所述頂面的方向設(shè)置一層金屬材料， 使得所述底面和所述通孔的壁面均被金屬材料覆蓋；第三步，自所述頂面向所述底面的方向設(shè)置一層絕緣材料，使得所述頂面和所述通孔的壁面均被絕緣材料覆蓋，且所述通孔內(nèi)的金屬材料被絕緣材料遮覆；第四步，將多個(gè)端子對應(yīng)插入多個(gè)所述通孔中。
第五步，將多個(gè)焊料對應(yīng)植入多個(gè)所述通孔中且固設(shè)于所述端子下方。
本發(fā)明屏蔽式連接器或其制造方法通過先自所述底面向所述頂面的方向設(shè)置一層金屬材料，使得所述底面和所述壁面均被金屬材料覆蓋，再自所述頂面向所述底面的方向設(shè)置一層絕緣材料，使得所述頂面和所述壁面均被絕緣材料覆蓋，實(shí)現(xiàn)電連接器的屏蔽功能，且能防止端子與金屬層短路，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需在絕緣本體底面設(shè)置定位結(jié)構(gòu)與擋塊配合，以遮蔽部分金屬層，因而不存在尺寸精度難以控制的問題，且可以省略組裝擋塊和去除擋塊兩個(gè)步驟，因而簡化了加工工藝，降低了生產(chǎn)成本。

圖1為本發(fā)明屏蔽式連接器的絕緣本體設(shè)置金屬材料后的剖視圖； 圖2為本發(fā)明屏蔽式連接器的絕緣本體設(shè)置絕緣材料后的剖視圖； 圖3為本發(fā)明屏蔽式連接器與芯片模塊和電路板連接的剖視圖； 圖4為圖1的局部放大圖； 圖5為電路板的立體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明屏蔽式連接器制造方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
的附圖標(biāo)號說明
權(quán)利要求
1.一種絕緣本體，其具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，其特征在于，包括多個(gè)通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中； 一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中； 一第二金屬層，覆設(shè)于所述壁面；以及一第二絕緣層，設(shè)置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層連ο
3.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于所述第一金屬層與所述第二金屬層連ο
4.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為二氧化硅層。
5.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于所述第一金屬層、所述第二金屬層為銅層或鋁層。
6.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為絕緣漆層。
7.一種屏蔽式連接器，其特征在于，包括一絕緣本體，其具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，所述絕緣本體包括多個(gè)通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中；一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中；一第二金屬層，覆設(shè)于所述壁面；以及一第二絕緣層，設(shè)置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層； 多個(gè)端子，對應(yīng)容設(shè)于多個(gè)所述通孔內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于每一所述端子下方對應(yīng)固設(shè)有一焊料。
9.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述絕緣本體一側(cè)設(shè)有一電路板， 所述電路板具有一上表面鄰近所述底面，于所述上表面設(shè)有多個(gè)接觸點(diǎn)與所述焊料相對應(yīng)連接，以及多個(gè)錫塊與所述第一金屬層電性連接。
10.如權(quán)利要求9所述的屏蔽式連接器，其特征在于多個(gè)所述通孔于所述絕緣本體呈矩陣排列，多個(gè)所述接觸點(diǎn)對應(yīng)呈矩陣排列。
11.如權(quán)利要求9所述的屏蔽式連接器，其特征在于于所述上表面間隔幾排所述接觸點(diǎn)設(shè)置有一所述錫塊。
12.如權(quán)利要求9所述的屏蔽式連接器，其特征在于每一所述接觸點(diǎn)周圍對應(yīng)設(shè)有所述四錫塊，所述四錫塊的連線為一矩形。
13.如權(quán)利要求12所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述接觸點(diǎn)位于所述矩形的中心。
14.一種屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟第一步，射出成型一絕緣本體，所述絕緣本體具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，以及多個(gè)通孔貫穿所述頂面和所述底面；第二步，自所述底面向所述頂面的方向設(shè)置一層金屬材料，使得所述底面和所述通孔的壁面均被所述金屬材料覆蓋；第三步，自所述頂面向所述底面的方向設(shè)置一層絕緣材料，使得所述頂面和所述通孔的壁面均被所述絕緣材料覆蓋，且所述通孔內(nèi)的所述金屬材料被所述絕緣材料遮覆；第四步，將多個(gè)端子對應(yīng)插入多個(gè)所述通孔中。
15.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于第五步，將多個(gè)焊料對應(yīng)植入多個(gè)所述通孔中且固設(shè)于所述端子下方。
16.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于第二步中，所述金屬材料以真空濺鍍的方式設(shè)于相應(yīng)位置。
17.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于第三步中，所述絕緣材料以真空濺鍍的方式設(shè)于相應(yīng)位置。
18.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于第三步中，所述絕緣材料以噴涂的方式設(shè)于相應(yīng)位置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器及其制造方法，通過射出成型一絕緣本體，絕緣本體具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，以及多個(gè)通孔，貫穿頂面和底面；首先自底面向頂面的方向設(shè)置一層金屬材料，使得底面和通孔的壁面均被金屬材料覆蓋；然后自頂面向底面的方向設(shè)置一層絕緣材料，使得頂面和通孔的壁面均被絕緣材料覆蓋，且通孔內(nèi)的金屬材料被絕緣材料遮覆，實(shí)現(xiàn)電連接器的屏蔽功能，且能防止插入通孔內(nèi)的端子與金屬層短路，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需在絕緣本體底面設(shè)置定位結(jié)構(gòu)與擋塊配合，以遮蔽部分金屬層，因而不存在尺寸精度難以控制的問題，且可以省略組裝擋塊和去除擋塊兩個(gè)步驟，因而簡化了加工工藝，降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號H01R13/46GK102509958SQ20111032443
公開日2012年6月20日 申請日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者朱德祥 申請人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司