專利名稱：半導(dǎo)體封裝、基板及基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝、基板及基板制造方法。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)封裝技術(shù)在電子產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色。隨著輕質(zhì)、緊密性及高效率已成為消費(fèi)者電子及通信產(chǎn)品的典型要求，芯片封裝必須提供優(yōu)良電特性、較小總體積及大量I/O埠。芯片封裝所使用的基板通常具有多個(gè)金屬層，而這些金屬層可通過使用線路(traces)及/或通孔(vias)而彼此電連接。隨著芯片封裝尺寸的減小，這些用于連接多個(gè)金屬層的線路及通孔可變得更小且更緊密間隔，而這會(huì)增加集成電路封裝制作工藝的成本及復(fù)雜性。因此，需要開發(fā)出一種基板，其具有薄型外觀，通過較不復(fù)雜的制作工藝來制造，適于大量生產(chǎn)，且可以高生產(chǎn)良率來生產(chǎn)。也需要開發(fā)出包含所述基板的對(duì)應(yīng)封裝， 以及所述基板及所述對(duì)應(yīng)封裝的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝，其基板具有較小的體積。本發(fā)明另一目的在于提供一種基板，其具有較小的體積。本發(fā)明再一目的在于提供一種基板制造方法，其能制成具有較小體積的基板。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體封裝，其包括一基板及一芯片?；灏▋赏鈱印煞篮笇?、多個(gè)內(nèi)層及一中圖案化導(dǎo)電層。外層分別包括一外圖案化導(dǎo)電層。防焊層分別位于外層的表面上，且各防焊層暴露出各外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊。內(nèi)層相互交疊位于兩外層的中間并與其電連接，內(nèi)層分別具有一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層、多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱、一內(nèi)介電層及一中圖案化導(dǎo)電層。內(nèi)導(dǎo)電柱分別位于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上，內(nèi)介電層位于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及內(nèi)導(dǎo)電柱之間且暴露內(nèi)導(dǎo)電柱的上表面。中圖案化導(dǎo)電層位于多個(gè)內(nèi)層的一上表面，與內(nèi)層上方的外層連接。芯片電連接至少部分接觸墊。本發(fā)明是有關(guān)于一種基板，包括兩外層、兩防焊層、多個(gè)內(nèi)層及一中圖案化導(dǎo)電層。外層分別包括一外圖案化導(dǎo)電層。防焊層分別位于外層的表面上，且各防焊層暴露出各外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊。內(nèi)層相互交疊位于兩外層的中間并與其電連接，內(nèi)層分別具有一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層、多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱、一內(nèi)介電層及一中圖案化導(dǎo)電層。內(nèi)導(dǎo)電柱分別位于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上，內(nèi)介電層位于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及內(nèi)導(dǎo)電柱之間且暴露內(nèi)導(dǎo)電柱的上表面。中圖案化導(dǎo)電層位于多個(gè)內(nèi)層的一上表面，與內(nèi)層上方的外層連接。本發(fā)明是有關(guān)于一種基板制造方法，包括提供一承載器，具有一上表面，形成彼此交疊且電連接的多個(gè)內(nèi)層于上表面上。形成各內(nèi)層包括形成一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層形成多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上，形成一內(nèi)介電層于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層與內(nèi)導(dǎo)電柱之間，及移除內(nèi)介電層的上表面以暴露出內(nèi)導(dǎo)電柱的上表面。接著，形成一中圖案化導(dǎo)電層于內(nèi)層的上表面，再移除承載器，以暴露出內(nèi)圖案化導(dǎo)電層。分別形成具有一外圖案化導(dǎo)電層的一外層于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及中圖案化導(dǎo)電層上，最后分別形成一防焊層于兩外層的表面上，且各防焊層暴露出各外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊。基于上述，在本發(fā)明中，介電層中的導(dǎo)電柱可被用以降低封裝尺寸與封裝面積，還可降低成本以及封裝制作工藝的復(fù)雜度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖IU為本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的具有多個(gè)介電層的基板制造方法的剖面示意圖；圖2A為本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖2B為本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖2C為本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。主要元件符號(hào)說明100、100' ,100"基板封裝結(jié)構(gòu)110:承載器IlOa:上表面IlOb:下表面11 la、11 lb、112a、11 內(nèi)圖案化導(dǎo)電層113a、113b 中圖案化導(dǎo)電層114、115 外圖案化導(dǎo)電層121a、121b、122a、12^ 內(nèi)導(dǎo)電柱123、124:外導(dǎo)電柱123' ,124'半導(dǎo)電柱131a、131b、132a、132b 內(nèi)介電層133、134:外介電層141、142:防焊層150、151 第一導(dǎo)電層152:第二導(dǎo)電層153、163:開口190a、190b:纖維200 芯片
具體實(shí)施例方式圖IA至圖IU為本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的具有多個(gè)介電層的基板制造方法的剖面示意圖。首先，請(qǐng)參考圖1A，提供一承載器(carrier) 110，其包括一上表面IlOa以及相對(duì)于上表面IlOa的一下表面110b。在本實(shí)施例中，以下敘述的制作流程皆同時(shí)施作于承載器 110的上表面IlOa及下表面110b，以增加生產(chǎn)效率。請(qǐng)參考圖1B，于承載器110的上表面IlOa形成一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111a。在本實(shí)施例中，另于承載器110的下表面IlOa形成一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111b。內(nèi)圖案化導(dǎo)電層 IllaUllb 可由力口成法(additive process)、半力口成法(semi-additive process)或減成法(subtractive process)所制成，且內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111a、Illb分別包含多個(gè)接觸墊及多條線路，而這些接觸墊及線路可實(shí)質(zhì)上同時(shí)以常見制法來形成。承上述，形成多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱121a于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111a。在本實(shí)施例中，另形成多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱121b于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111b。內(nèi)導(dǎo)電柱121a、121b可與內(nèi)圖案化導(dǎo)電層 IllaUllb以相同的方法制成，例如加成法、半加成法或減成法。此外，內(nèi)導(dǎo)電柱121a、121b 也可以不同的方法制成。請(qǐng)參考圖1C，形成一內(nèi)介電層131a于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illa及內(nèi)導(dǎo)電柱121a之間，使內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illa及內(nèi)導(dǎo)電柱121a被埋置于內(nèi)介電層131a中。在本實(shí)施例中， 另形成一內(nèi)介電層131b于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illb及內(nèi)導(dǎo)電柱121b之間，使內(nèi)圖案化導(dǎo)電層 Illb及內(nèi)導(dǎo)電柱121b被埋置于內(nèi)介電層131b中。在本實(shí)施例中，經(jīng)層壓的內(nèi)介電層131a、 131b的材質(zhì)包括纖維加強(qiáng)型樹脂材料(fiber-reinforced resin material)，例如預(yù)浸材料(pr印regmaterial)，其包括多個(gè)纖維190a、190b以增加內(nèi)介電層131a、131b的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。如圖IC所示，位于內(nèi)導(dǎo)電柱121a周圍的纖維190a受到內(nèi)導(dǎo)電柱121a垂直延伸方向的推擠，使纖維190a的排列方向遠(yuǎn)離內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111a。同理，位于內(nèi)導(dǎo)電柱121b周圍的纖維190b受到內(nèi)導(dǎo)電柱121b垂直延伸方向的推擠，使纖維190b的排列方向遠(yuǎn)離內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111b。接著，請(qǐng)參考圖1D，移除內(nèi)介電層131a上方暴露于外的部分，以暴露內(nèi)導(dǎo)電柱 121a，并移除內(nèi)介電層131b下方暴露于外的部分，以暴露內(nèi)導(dǎo)電柱121b。如此，于承載器 110上下表面上各形成一內(nèi)層。內(nèi)介電層131a、131b暴露于外的部分可通過挖鑿、磨削或其他材料移除技術(shù)去除。如圖ID所示，內(nèi)導(dǎo)電柱121a、121b的暴露面分別與內(nèi)介電層131a、 131b的暴露面實(shí)質(zhì)上共平面。接著，于依上述步驟形成的內(nèi)層上形成另一內(nèi)層。請(qǐng)參考圖1E，首先于內(nèi)介電層 131a及內(nèi)導(dǎo)電柱121a的暴露面上形成一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層112a，并與內(nèi)導(dǎo)電柱121a連接。 在本實(shí)施例中，另于內(nèi)介電層131b及內(nèi)導(dǎo)電柱121b的暴露面上形成一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層 112b，并與內(nèi)導(dǎo)電柱121b連接。內(nèi)圖案化導(dǎo)電層112a、112b可由加成法、半加成法或減成法制成。內(nèi)圖案化導(dǎo)電層112a、112b分別包含多個(gè)接觸墊及多條線路，其接觸墊及線路可以相同的制造方法實(shí)質(zhì)上同時(shí)形成。承上述，形成多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱12 于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層112a，在本實(shí)施例中，另形成多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱122b于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層112b。內(nèi)導(dǎo)電柱122a、122b可與內(nèi)圖案化導(dǎo)電層 112aU12b以相同的方法制成，例如加成法、半加成法或減成法。此外，內(nèi)導(dǎo)電柱122a、122b 也可以不同的方法制成。請(qǐng)參考圖1F，形成一內(nèi)介電層13 于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層11 及內(nèi)導(dǎo)電柱12 之間，使內(nèi)圖案化導(dǎo)電層11 及內(nèi)導(dǎo)電柱12 被埋置于內(nèi)介電層13 中。在本實(shí)施例中， 另形成一內(nèi)介電層132b于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層112b及內(nèi)導(dǎo)電柱122b之間，使內(nèi)圖案化導(dǎo)電層 112b及內(nèi)導(dǎo)電柱122b被埋置于內(nèi)介電層132b中。經(jīng)層壓的內(nèi)介電層13h、132b的材質(zhì)包括纖維加強(qiáng)型樹脂材料，例如預(yù)浸材料，其具有纖維(未繪示)，且位于內(nèi)導(dǎo)電柱12h、122b 周圍的纖維受到內(nèi)導(dǎo)電柱12h、122b垂直延伸方向的推擠，使纖維的排列方向遠(yuǎn)離內(nèi)圖案化導(dǎo)電層112aU12b0接著，請(qǐng)參考圖1G，移除內(nèi)介電層13 上方暴露于外的部分，以暴露內(nèi)導(dǎo)電柱 12加。在本實(shí)施例中，另移除內(nèi)介電層132b下方暴露于外的部分，以暴露內(nèi)導(dǎo)電柱122b。 如此，承載器110的上下兩側(cè)各形成基板的另一內(nèi)層。內(nèi)介電層132a、132b暴露于外的部分可通過挖鑿、磨削或其他材料移除技術(shù)去除。如圖IG所示，內(nèi)導(dǎo)電柱12h、122b的暴露面分別與內(nèi)介電層132a、132b的暴露面實(shí)質(zhì)上共平面。接著，請(qǐng)參考圖1H，于內(nèi)介電層13 及內(nèi)導(dǎo)電柱12 的暴露面上形成中圖案化導(dǎo)電層113a，并與內(nèi)導(dǎo)電柱12 連接。在本實(shí)施例中，另于內(nèi)介電層132b及內(nèi)導(dǎo)電柱122b 的暴露面上形成中圖案化導(dǎo)電層113b，并與內(nèi)導(dǎo)電柱122b連接。中圖案化導(dǎo)電層113a、 11 可由加成法、半加成法或減成法制成。中圖案化導(dǎo)電層113a、li:3b分別包含多個(gè)接觸墊及多條線路，其接觸墊及線路可以相同的制造方法實(shí)質(zhì)上同時(shí)形成。接著，請(qǐng)參考圖11，移除承載器110，或使承載器110與內(nèi)圖案化導(dǎo)電層11 Ia及內(nèi)介電層131a分離，以暴露內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111a。在本實(shí)施例中，也使承載器110與內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illb及內(nèi)介電層131b分離，以暴露內(nèi)圖案化導(dǎo)電層111b，如圖II所示，內(nèi)圖案化導(dǎo)電層IllaUllb的暴露面分別與內(nèi)介電層131a、131b的暴露面實(shí)質(zhì)上共平面。如此， 兩個(gè)具有多個(gè)介電層的基板因此形成，且以下制造方法將以上方敘述的基板為實(shí)施例作敘述。先前說明的圖IA至圖II為具有多個(gè)介電層的基板制造方法的多個(gè)實(shí)施例中的共同步驟。在以下的多個(gè)實(shí)施例中，第一實(shí)施例的制造流程以圖IA至圖IN繪示。第二實(shí)施例的制造流程則以圖IA至圖II以及接下來的圖10至圖IR繪示。第三實(shí)施例的制造流程則以圖IA至圖II以及接下來的圖IS至圖IU繪示。請(qǐng)參考圖1J，在第一實(shí)施例中，形成多個(gè)外導(dǎo)電柱123于中圖案化導(dǎo)電層113a上。 在本實(shí)施例中，另形成多個(gè)外導(dǎo)電柱124于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層11 Ia上。外導(dǎo)電柱123、IM可由加成法、半加成法或減成法制成。接著，請(qǐng)參考圖1K，形成一外介電層133于中圖案化導(dǎo)電層113a及外導(dǎo)電柱123 之間，使中圖案化導(dǎo)電層113a及外導(dǎo)電柱123被埋置于外介電層133中。承上述，形成一外介電層134于圖案化導(dǎo)電層Illa及外導(dǎo)電柱124之間，使圖案化導(dǎo)電層Illa及外導(dǎo)電柱1 被埋置于外介電層134中。外介電層133、134的材質(zhì)包括纖維加強(qiáng)型樹脂材料，例如預(yù)浸材料，其具有纖維(未繪示)，且位于外導(dǎo)電柱123、1M周圍的纖維受到外導(dǎo)電柱123、 124垂直延伸方向的推擠，使纖維的排列方向遠(yuǎn)離內(nèi)圖案化導(dǎo)電層113a、llla。請(qǐng)參考圖1L，移除外介電層133上方暴露于外的部分，以暴露外導(dǎo)電柱123。在本實(shí)施例中，另移除外介電層134下方暴露于外的部分，以暴露外導(dǎo)電柱124。外介電層133、 134暴露于外的部分可通過挖鑿(routing)、磨削(grinding)或其他材料移除技術(shù)去除。如圖IL所示，外導(dǎo)電柱123、124的暴露面分別與外介電層133、134的暴露面實(shí)質(zhì)上共平面。接著，請(qǐng)參考圖1M，于外介電層133及外導(dǎo)電柱123上形成外圖案化導(dǎo)電層114， 且外圖案化導(dǎo)電層114連接外導(dǎo)電柱123。在本實(shí)施例中，另于外介電層134及外導(dǎo)電柱 124上形成外圖案化導(dǎo)電層115，且外圖案化導(dǎo)電層115連接外導(dǎo)電柱124。如此，形成本發(fā)明的基板的第一實(shí)施例的上下兩外層。外圖案化導(dǎo)電層114、115可由加成法、半加成法或減成法制成。外圖案化導(dǎo)電層114、115分別包含多個(gè)接觸墊及多條線路，其接觸墊及線路可以相同的制造方法實(shí)質(zhì)上同時(shí)形成。請(qǐng)參考圖1N，形成一防焊層141于外介電層133及至少部分的外圖案化導(dǎo)電層 114上，未被防焊層141覆蓋的外圖案化導(dǎo)電層114的部分暴露于外，以定義出多個(gè)接觸墊。 在本實(shí)施例中，另形成一防焊層142于外介電層134及至少部分的外圖案化導(dǎo)電層115上， 未被防焊層141覆蓋的外圖案化導(dǎo)電層115的部分暴露于外，以定義出多個(gè)接觸墊。如此， 基板封裝結(jié)構(gòu)100制造完成。在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖10，形成多個(gè)半導(dǎo)電柱123'于中圖案化導(dǎo)電層113a上。在本實(shí)施例中，另形成多個(gè)半導(dǎo)電柱124'于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illa上。除了半導(dǎo)電柱123' ,124'的高度分別低于外導(dǎo)電柱123、124的高度以外，半導(dǎo)電柱123'、 124'與圖IJ中的外導(dǎo)電柱123、124相似。接著，如先前的圖IK所述，形成一外介電層133于中圖案化導(dǎo)電層113a及半導(dǎo)電柱123'之間，使中圖案化導(dǎo)電層113a及半導(dǎo)電柱123'被埋置于外介電層133中。同理，形成一外介電層134于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illa及半導(dǎo)電柱124'之間，使內(nèi)圖案化導(dǎo)電層 Illa及半導(dǎo)電柱124'被埋置于外介電層133中。外介電層133、134的材質(zhì)包括纖維加強(qiáng)型樹脂材料，例如預(yù)浸材料。承上述，設(shè)置一第一導(dǎo)電層150，例如銅箔(copper foil)，于外介電層133上。同樣地，設(shè)置一第一導(dǎo)電層151，例如銅箔，于外介電層134上。請(qǐng)參考圖1P，形成由第一導(dǎo)電層150延伸至外介電層133的多個(gè)開口 153。開口 153暴露至少部分的半導(dǎo)電柱123'表面，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，開口 153可由激光鉆孔而得。接著設(shè)置一金屬材于第一導(dǎo)電層150及半導(dǎo)電柱123'上，以形成一第二導(dǎo)電層152， 例如一種子層。相同的制作工藝也施作于基板的底部，意即于半導(dǎo)電柱124'及外介電層 134 上。請(qǐng)參考圖1Q，形成一外圖案化導(dǎo)電層114于第二導(dǎo)電層152上，且連接于半導(dǎo)電柱 123'。外圖案化導(dǎo)電層114可由加成法、半加成法或減成法制成。外圖案化導(dǎo)電層114包含多個(gè)接觸墊及多條線路，其接觸墊及線路可以相同的制造方法實(shí)質(zhì)上同時(shí)形成。相同的制作工藝也施作于基板的底部，以形成外圖案化導(dǎo)電層115。請(qǐng)參考圖1R，對(duì)應(yīng)外圖案化導(dǎo)電層114的位置移除部分的導(dǎo)電層150、152。此步驟可由減成法達(dá)成。如此，形成本發(fā)明的基板的第二實(shí)施例的上下兩外層。接著，形成一防焊層141于外介電層133及至少部分外圖案化導(dǎo)電層114上。未被防焊層141覆蓋的部分外圖案化導(dǎo)電層114暴露于外，以定義出多個(gè)接觸墊。相同的制作工藝也施作于基板的底部，以由被防焊層141暴露的部分外圖案化導(dǎo)電層114形成多個(gè)接觸墊。如此，基板封裝結(jié)構(gòu)100'制造而成。在第三實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖1S，形成一外介電層133于中圖案化導(dǎo)電層113a之間， 使中圖案化導(dǎo)電層113a被埋置于外介電層133中。在本實(shí)施例中，不同于圖IJ及圖1K，中圖案化導(dǎo)電層113a上并未形成半導(dǎo)電柱123。同樣地，形成一外介電層134于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illa之間，使內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illa被埋置于外介電層133中。外介電層133、134的材質(zhì)包括纖維加強(qiáng)型樹脂材料，例如預(yù)浸材料。接著設(shè)置一第一導(dǎo)電層150，例如銅箔，于外介電層133上。同樣地，設(shè)置一第一導(dǎo)電層151例如銅箔，于外介電層134上。請(qǐng)參考圖1T，形成由第一導(dǎo)電層150延伸至外介電層133的多個(gè)開口 163。開口 163暴露至少部分的中圖案化導(dǎo)電層113a表面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，開口 163可由激光鉆孔而得。接著設(shè)置一金屬材于第一導(dǎo)電層150及中圖案化導(dǎo)電層113a上，以形成一第二導(dǎo)電層152，例如一種子層。相同的制作工藝也施作于基板的底部，意即外介電層133及內(nèi)圖案化導(dǎo)電層Illa上。接著，形成一外圖案化導(dǎo)電層114于第二導(dǎo)電層152上，且電連接于中圖案化導(dǎo)電層113a，外圖案化導(dǎo)電層114可由加成法、半加成法及減成法制成。外圖案化導(dǎo)電層114包含多個(gè)接觸墊及多條線路，其接觸墊及線路可以相同的制造方法實(shí)質(zhì)上同時(shí)形成。相同的制作工藝也施作于基板的底部，以形成外圖案化導(dǎo)電層115。請(qǐng)參考圖1U，對(duì)應(yīng)外圖案化導(dǎo)電層114的位置移除部分的導(dǎo)電層150、152，此步驟可由減成法達(dá)成。接著，形成一防焊層141于外介電層133及至少部分外圖案化導(dǎo)電層114 上。未被防焊層141覆蓋的部分外圖案化導(dǎo)電層114暴露于外，以定義出多個(gè)接觸墊。相同的制作工藝也施作于基板的底部，以由被防焊層141暴露的部分外圖案化導(dǎo)電層115形成多個(gè)接觸墊。如此，基板封裝結(jié)構(gòu)100"制造而成。雖然未繪示于圖IA至圖IU的封裝結(jié)構(gòu)中，可預(yù)期地，介電層中還可包括至少一組子導(dǎo)電柱，例如基板的外層中的外導(dǎo)電柱，以具有不同直徑的導(dǎo)電柱區(qū)段(或更廣義地說， 導(dǎo)電通孔區(qū)段)。圖2A為本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖?；宸庋b結(jié)構(gòu)100 如圖IA至圖IN所示的步驟制造完成后，圖2A所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)也可由此被制成。請(qǐng)參考圖2A，設(shè)置一芯片200于基板封裝結(jié)構(gòu)100的接觸墊上，并以覆晶技術(shù)(或打線接合技術(shù))將芯片200電連接至基板封裝結(jié)構(gòu)100，并設(shè)置多個(gè)焊球(未繪示)于基板封裝結(jié)構(gòu) 100另一側(cè)的接觸墊上。圖2B為本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖?；宸庋b結(jié)構(gòu)100' 如圖IA至圖II及圖10至圖IR所示的步驟制造完成后，圖2B所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)也可由此被制成。請(qǐng)參考圖2B，設(shè)置一芯片200于基板封裝結(jié)構(gòu)100'的接觸墊上，并以覆晶技術(shù)(或打線接合技術(shù))將芯片200電連接至基板封裝結(jié)構(gòu)100'，并設(shè)置多個(gè)焊球(未繪示)于基板封裝結(jié)構(gòu)100'另一側(cè)的接觸墊上。圖2C為本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖?；宸庋b結(jié)構(gòu)100〃 如圖IA至圖II及圖IS至圖IU所示的步驟制造完成后，圖2C所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)也可由此被制成。請(qǐng)參考圖2C，設(shè)置一芯片200于基板封裝結(jié)構(gòu)100"的接觸墊上，并以覆晶技術(shù)(或打線接合技術(shù))將芯片200電連接至基板封裝結(jié)構(gòu)100"，并設(shè)置多個(gè)焊球(未繪示)于基板封裝結(jié)構(gòu)100"另一側(cè)的接觸墊上。綜上所述，在本發(fā)明的基板及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的多個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電柱可被用以降低封裝尺寸與封裝面積，還可降低成本以及封裝制作工藝的復(fù)雜度。在其他實(shí)施例中，多個(gè)介電層可具有多個(gè)內(nèi)埋導(dǎo)電柱以處理多種電性分布以增加結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度與基板的可靠度。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括 基板，包括兩外層，分別包括一外圖案化導(dǎo)電層；兩防焊層，分別位于兩外層的表面上，且各該防焊層暴露出對(duì)應(yīng)的該外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊；多個(gè)內(nèi)層，位于該兩外層的中間并與其電連接，該些內(nèi)層分別具有 內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱，位于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；以及內(nèi)介電層，位于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些內(nèi)導(dǎo)電柱之間且暴露該些內(nèi)導(dǎo)電柱的上表面，該內(nèi)介電層包含纖維加強(qiáng)型樹脂材料，其中位于該些內(nèi)導(dǎo)電柱周圍的纖維受到該些內(nèi)導(dǎo)電柱垂直延伸方向的推擠，使其排列方向遠(yuǎn)離該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；以及中圖案化導(dǎo)電層，位于該些內(nèi)層的一上表面，與該些內(nèi)層上方的該外層連接；以及芯片，電連接至少部分該些接觸墊。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該些外層還包括多個(gè)外導(dǎo)電柱，分別位于該些內(nèi)層的上下表面的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；以及兩外介電層，分別位于該些外導(dǎo)電柱之間且暴露該些外導(dǎo)電柱的上表面，該些外圖案化導(dǎo)電層分別位于各該外介電層及該些外導(dǎo)電柱上，且該些防焊層分別位于各該外介電層及至少部分各該外圖案化導(dǎo)電層上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該些外層還包括多個(gè)半導(dǎo)電柱，分別位于該些內(nèi)層的上下表面的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；兩外介電層，分別覆蓋該中圖案化導(dǎo)電層、該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些半導(dǎo)電柱； 兩第一導(dǎo)電層，分別位于部分該些外介電層上；多個(gè)開口，分別由各該第一導(dǎo)電層延伸至該外介電層，該些開口暴露至少部分的該些半導(dǎo)電柱表面；以及兩第二導(dǎo)電層，分別位于該些第一導(dǎo)電層及該些半導(dǎo)電柱上，該些外圖案化導(dǎo)電層分別位于各該第二導(dǎo)電層上，該些防焊層分別位于各該外介電層及至少部分該外圖案化導(dǎo)電層上。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該些外層還包括 兩外介電層，分別覆蓋該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層； 兩第一導(dǎo)電層，分別位于部分該些外介電層上；多個(gè)開口，分別由各該第一導(dǎo)電層延伸至該外介電層，該些開口暴露至少部分的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；以及兩第二導(dǎo)電層，分別位于該中圖案化導(dǎo)電層、該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些第一導(dǎo)電層上， 該些外圖案化導(dǎo)電層分別位于各該第二導(dǎo)電層上，該些防焊層分別位于各該外介電層及至少部分該外圖案化導(dǎo)電層上。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該芯片覆晶接合于至少部分該些接觸墊。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該芯片打線接合于至少部分該些接觸墊。
7.一種基板，包括兩外層，分別包括一外圖案化導(dǎo)電層；兩防焊層，分別位于該兩外層的表面上，且各該防焊層暴露出對(duì)應(yīng)的該外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊；多個(gè)內(nèi)層，位于該兩外層的中間并與其電連接，該些內(nèi)層分別具有 內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱，位于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；以及內(nèi)介電層，位于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些內(nèi)導(dǎo)電柱之間且暴露該些內(nèi)導(dǎo)電柱的上表面，該內(nèi)介電層包含纖維加強(qiáng)型樹脂材料，其中位于該些內(nèi)導(dǎo)電柱周圍的纖維受到該些內(nèi)導(dǎo)電柱垂直延伸方向的推擠，使其排列方向遠(yuǎn)離該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；以及中圖案化導(dǎo)電層，位于該些內(nèi)層的一上表面，與該些內(nèi)層上方的該外層連接。
8.如權(quán)利要求7所述的基板，其中該些外層還包括多個(gè)外導(dǎo)電柱，分別位于該些內(nèi)層的上下表面的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；以及兩外介電層，分別位于該些外導(dǎo)電柱之間且暴露該些外導(dǎo)電柱的上表面，該些外圖案化導(dǎo)電層分別位于各該外介電層及該些外導(dǎo)電柱上，且該些防焊層分別位于各該外介電層及至少部分各該外圖案化導(dǎo)電層上。
9.如權(quán)利要求7所述的基板，其中該些外層還包括多個(gè)半導(dǎo)電柱，分別位于該些內(nèi)層的上下表面的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；兩外介電層，分別覆蓋該中圖案化導(dǎo)電層、該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些半導(dǎo)電柱； 兩第一導(dǎo)電層，分別位于部分該些外介電層上；多個(gè)開口，分別由各該第一導(dǎo)電層延伸至該外介電層，該些開口暴露至少部分的該些半導(dǎo)電柱表面；以及兩第二導(dǎo)電層，分別位于該些第一導(dǎo)電層及該些半導(dǎo)電柱上，該些外圖案化導(dǎo)電層分別位于各該第二導(dǎo)電層上，該些防焊層分別位于各該外介電層及至少部分該外圖案化導(dǎo)電層上。
10.如權(quán)利要求7所述的基板，其中該些外層還包括 兩外介電層，分別覆蓋該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層； 兩第一導(dǎo)電層，分別位于部分該些外介電層上；多個(gè)開口，分別由各該第一導(dǎo)電層延伸至該外介電層，該些開口暴露至少部分的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；以及兩第二導(dǎo)電層，分別位于該中圖案化導(dǎo)電層、該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些第一導(dǎo)電層上， 該些外圖案化導(dǎo)電層分別位于各該第二導(dǎo)電層上，該些防焊層分別位于各該外介電層及至少部分該外圖案化導(dǎo)電層上。
11.一種基板制造方法，包括 提供一承載器，具有上表面；形成彼此交疊且電連接的多個(gè)內(nèi)層于該上表面上，其中各該內(nèi)層包括 形成一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；形成多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上； 形成一內(nèi)介電層于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層與該些內(nèi)導(dǎo)電柱之間；以及移除該內(nèi)介電層的上表面以暴露出該些內(nèi)導(dǎo)電柱的上表面； 形成一中圖案化導(dǎo)電層于該些內(nèi)層的上表面； 移除該承載器，以暴露出該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；形成具有一外圖案化導(dǎo)電層的兩外層分別于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該中圖案化導(dǎo)電層上；以及形成兩防焊層分別于該兩外層的表面上，且各該防焊層暴露出對(duì)應(yīng)的該外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊。
12.如權(quán)利要求11所述的基板制造方法，還包括另形成彼此交疊且電連接的多個(gè)內(nèi)層于該承載器的一下表面； 另形成一中圖案化導(dǎo)電層于該些內(nèi)層的下表面； 移除該承載器，以暴露出一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；另分別形成具有一外圖案化導(dǎo)電層的一外層于該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該中圖案化導(dǎo)電層上；以及另分別形成兩防焊層于該兩外層的表面上，且各該防焊層暴露出對(duì)應(yīng)的該第一外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊。
13.如權(quán)利要求11所述的基板制造方法，其中形成該些外層還包括形成多個(gè)外導(dǎo)電柱分別于該些內(nèi)層的上下表面的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；形成兩外介電層分別于該些外導(dǎo)電柱之間； 移除該外介電層的上表面以暴露出該些外導(dǎo)電柱的上表面；以及形成兩外圖案化導(dǎo)電層分別于該些外介電層及該些外導(dǎo)電柱上。
14.如權(quán)利要求11所述的基板制造方法，其中形成該些外層還包括形成多個(gè)半導(dǎo)電柱分別于該些內(nèi)層的上下表面的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上；形成兩外介電層分別于該中圖案化導(dǎo)電層、該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些半導(dǎo)電柱之間； 形成兩第一導(dǎo)電層分別于該些外介電層上；形成由各該第一導(dǎo)電層延伸至該外介電層的多個(gè)開口，該些開口暴露至少部分的該些半導(dǎo)電柱表面；形成兩第二導(dǎo)電層分別于該些第一導(dǎo)電層及該些半導(dǎo)電柱上； 形成該些外圖案化導(dǎo)電層分別于該些第二導(dǎo)電層上；以及對(duì)應(yīng)該些外圖案化導(dǎo)電層的位置移除部分的該第一及該第二導(dǎo)電層。
15.如權(quán)利要求11所述的基板制造方法，其中形成該些外層還包括 形成兩外介電層分別于該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層之間； 形成兩第一導(dǎo)電層分別于該些外介電層上；形成由各該第一導(dǎo)電層延伸至該外介電層的多個(gè)開口，該些開口暴露至少部分的該中圖案化導(dǎo)電層及該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層；形成兩第二導(dǎo)電層分別于該中圖案化導(dǎo)電層、該內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及該些第一導(dǎo)電層上；形成該些外圖案化導(dǎo)電層分別于各該第二導(dǎo)電層上；以及對(duì)應(yīng)該些外圖案化導(dǎo)電層的位置移除部分的該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體封裝，基板及基板制造方法。半導(dǎo)體封裝包括基板及芯片?；灏▋赏鈱?、兩防焊層、多個(gè)內(nèi)層及一中圖案化導(dǎo)電層。防焊層分別位于外層的表面上，且暴露出外圖案化導(dǎo)電層的一部分以定義出多個(gè)接觸墊。內(nèi)層位于兩外層的中間并與其電連接，其分別具有一內(nèi)圖案化導(dǎo)電層、多個(gè)內(nèi)導(dǎo)電柱、一內(nèi)介電層。內(nèi)導(dǎo)電柱位于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層上，內(nèi)介電層位于內(nèi)圖案化導(dǎo)電層及內(nèi)導(dǎo)電柱之間且暴露內(nèi)導(dǎo)電柱的上表面。中圖案化導(dǎo)電層位于內(nèi)層的一上表面并與外層連接。芯片電連接接觸墊。
文檔編號(hào)H01L23/522GK102361024SQ20111030946
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月13日
發(fā)明者李明錦, 蘇洹漳, 陳嘉成, 黃士輔 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司