專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有圍繞芯片區(qū)域周圍形成的密封環(huán)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般來說，半導(dǎo)體裝置是通過例如在硅等半導(dǎo)體晶片上將由多個(gè)元件構(gòu)成且具有規(guī)定功能的多個(gè)集成電路(IC)電路配置成矩陣狀而成的。并且，在晶片上所配置的多個(gè)芯片區(qū)域之間是由設(shè)置為格子狀的切割區(qū)域(切割線)劃分的。經(jīng)由半導(dǎo)體制造工序，在一個(gè)晶片上形成多個(gè)芯片區(qū)域之后，再沿著切割區(qū)域?qū)⒃摼懈畛蓡蝹€(gè)芯片，來形成半導(dǎo)體裝置。但是，在將晶片切割成單個(gè)芯片時(shí)，有時(shí)位于切割線周邊的芯片區(qū)域會受到機(jī)械的沖擊，而造成在分割開的芯片上即半導(dǎo)體裝置的切割剖面上產(chǎn)生局部的裂紋和碎片。針對于此，在專利文獻(xiàn)1中，提出了通過在芯片區(qū)域周圍設(shè)置環(huán)狀防御壁即密封環(huán)，來防止裂紋在切割時(shí)傳播到芯片區(qū)域內(nèi)的技術(shù)。圖22表示具有以往的密封環(huán)的半導(dǎo)體裝置(晶片中的半導(dǎo)體裝置)的剖面結(jié)構(gòu)。如圖22所示，在由晶片構(gòu)成的基板1上設(shè)置有由切割區(qū)域3劃分的芯片區(qū)域2。 在基板1上形成有多個(gè)層間絕緣膜5 10的疊層結(jié)構(gòu)。在基板1中的芯片區(qū)域2形成有構(gòu)成元件的活性層20。在層間絕緣膜5形成有與活性層20連接的柱塞(plug)21，在層間絕緣膜6形成有與柱塞21連接的布線22，在層間絕緣膜7形成有與布線22連接的柱塞23， 在層間絕緣膜8形成有與柱塞23連接的布線M，在層間絕緣膜9形成有與布線M連接的柱塞25，在層間絕緣膜10形成有與柱塞25連接的布線26。并且，如圖22所示，在芯片區(qū)域2的周緣部的多個(gè)層間絕緣膜5 10的疊層結(jié)構(gòu)中形成有貫通該疊層結(jié)構(gòu)且連續(xù)圍繞芯片區(qū)域2的密封環(huán)4。例如，如專利文獻(xiàn)1所示，密封環(huán)4是交替使用布線形成用掩模(mask)和柱塞形成用掩模形成的。具體地說，密封環(huán)4 是由形成在基板1的導(dǎo)電層30、形成在層間絕緣膜5中且與導(dǎo)電層30連接的密封柱塞31、 形成在層間絕緣膜6中且與密封柱塞(seal via) 31連接的密封布線32、形成在層間絕緣膜 7中且與密封布線32連接的密封柱塞33、形成在層間絕緣膜8中且與密封柱塞33連接的密封布線34、形成在層間絕緣膜9中且與密封布線34連接的密封柱塞35、和形成在層間絕緣膜10中且與密封柱塞35連接的密封布線36構(gòu)成的。另外，在本案中，將密封環(huán)中的由布線形成用掩模形成的部分稱為密封布線，將密封環(huán)中的由柱塞形成用掩模形成的部分稱為密封柱塞。并且，如圖22所示，在設(shè)置有布線(22、24、洸)、柱塞(21,23,25)和密封環(huán)4的多個(gè)層間絕緣膜5 10的疊層結(jié)構(gòu)上設(shè)置有鈍化膜11。鈍化膜11在布線沈上具有開口部且在該開口部形成有與布線26連接的襯墊(pad) 27。鈍化膜11在密封布線36上具有其它開口部且在該其它開口部形成有與密封布線36連接的蓋層57。專利文獻(xiàn)1日本特開2005-167198號公報(bào)不過，在以往的半導(dǎo)體裝置中存在有這樣的問題或者因切割晶片時(shí)的沖擊而造成在鈍化膜產(chǎn)生脫落，或者該沖擊經(jīng)由鈍化膜而傳播到芯片區(qū)域內(nèi)部。具體地說，如專利文獻(xiàn)1所示的半導(dǎo)體裝置那樣，雖然在密封環(huán)上的鈍化膜設(shè)置有開口且在該開口部設(shè)置有蓋層的結(jié)構(gòu)中，鈍化膜在密封環(huán)上即芯片區(qū)域內(nèi)外分離開，但是該分離開的鈍化膜夾著用以防止密封環(huán)腐蝕的蓋層而處于在物理上連接在一起的狀態(tài)。 因此，在使用了比用在層間絕緣膜等中的TEOS(tetraethylorthosilicate)等更硬、更脆的材料(例如，SiN)的鈍化膜中，不能充分地防止沖擊和裂紋等從芯片區(qū)域外側(cè)傳播到內(nèi)側(cè)的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
如上所鑒，本發(fā)明的目的在于通過防止因?qū)⒕懈畛蓡蝹€(gè)芯片時(shí)而在芯片 (半導(dǎo)體裝置)側(cè)面產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，來防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置，包括形成在基板上的層間絕緣膜；形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中的布線；形成在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中且連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)；以及形成在設(shè)置有上述布線和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上的第一保護(hù)膜。在從上述芯片區(qū)域來看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜設(shè)置有第一開口部，上述層間絕緣膜在該第一開口部中露出。使用本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置，由于例如鈍化膜等第一保護(hù)膜在密封環(huán)外側(cè)(芯片區(qū)域的周緣部附近)被第一開口部分開，因此即使因切割晶片時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域外的第一保護(hù)膜產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜。并且，由于為底層的層間絕緣膜處于在芯片區(qū)域內(nèi)外將第一保護(hù)膜分開的第一開口部中露出的狀態(tài)，因此與將蓋層等埋入該第一開口部的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防止第一保護(hù)膜在芯片區(qū)域外側(cè)所受到的沖擊經(jīng)由該第一保護(hù)膜而傳播到芯片區(qū)域的內(nèi)部。故而，能夠通過防止因?qū)⒕指畛蓡蝹€(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，來防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。另外，本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置(后述本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置也是一樣)是以切割后的芯片為對象的裝置，但是該芯片除了包括芯片區(qū)域之外，還包括晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域中的切割剩余部分(芯片區(qū)域鄰接部分)。因此，設(shè)置在第一保護(hù)膜的第一開口部不僅形成在密封環(huán)外側(cè)的芯片區(qū)域端部上，還形成在切割區(qū)域中的切割殘余部分上。也可以通過不在晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域中形成第一保護(hù)膜來設(shè)置第一開口部。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置(后述本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置也是一樣)中，由于密封環(huán)被第一保護(hù)膜或后述蓋層(形成在其它開口部或第一開口部的一部分中)中的至少其中之一覆蓋著，因此沒有在密封環(huán)上產(chǎn)生腐蝕的現(xiàn)象。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，在上述層間絕緣膜的露出部分中形成有槽。這樣一來，由于能夠通過在層間絕緣膜的露出部分中設(shè)置槽，來遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，將上述第一開口部設(shè)置到上述密封環(huán)上，在位于上述密封環(huán)上的上述第一開口部形成有與上述密封環(huán)連接的蓋層。這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，此時(shí)，上述蓋層與上述層間絕緣膜的露出部分也可以相互鄰接。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，在位于上述密封環(huán)上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有第二開口部，在上述第二開口部形成有與上述密封環(huán)連接的蓋層。這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，此時(shí)，由于當(dāng)在位于上述第一開口部與上述第二開口部之間的上述第一保護(hù)膜的上述第一開口部一側(cè)的側(cè)面，形成有由與上述蓋層的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物時(shí)，能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜的第一開口部的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象。此時(shí)，上述側(cè)壁隔離物的下表面也可以位于比上述第一保護(hù)膜的下表面靠下方的位置。并且，當(dāng)上述層間絕緣膜的露出部分的表面位于比上述側(cè)壁隔離物的下表面靠下方的位置時(shí)，換句話說，當(dāng)在層間絕緣膜的露出部分中形成有槽時(shí)，由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，形成有覆蓋從上述第一開口部來看位于上述芯片區(qū)域一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部的蓋層。這樣一來，由于能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜的第一開口部一側(cè)的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象。此時(shí)，若密封環(huán)被第一保護(hù)膜覆蓋著的話，也可以剝離蓋層。并且，形成有覆蓋從上述第一開口部來看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部的其它蓋層。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，也可以在位于上述布線上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有襯墊用開口部，在該襯墊用開口部形成有與上述布線連接的襯墊。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，也可以在位于上述布線上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有最上層布線用開口部，在該最上層布線用開口部形成有與上述布線連接的最上層布線。此時(shí)，也可以在上述第一保護(hù)膜上形成有覆蓋上述最上層布線的第二保護(hù)膜，在位于上述第一開口部上的上述第二保護(hù)膜中設(shè)置有第三開口部。另外，在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，當(dāng)形成有覆蓋最上層布線的第二保護(hù)膜時(shí)， 為了使對厚度均勻且平滑形成的第二保護(hù)膜所進(jìn)行的蝕刻加工較容易，最好使從上述第一開口部來看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部、和從上述第三開口部來看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第二保護(hù)膜的端部錯(cuò)開。此時(shí)，既可以是從上述第三開口部來看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第二保護(hù)膜的端部，位于從上述第一開口部來看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的上側(cè)，或者也可以是從上述第一開口部來看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部，位于從上述第三開口部來看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第二保護(hù)膜的下側(cè)。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置，包括形成在基板上的層間絕緣膜、形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中的布線、形成在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中且連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)、以及形成在設(shè)置有上述布線和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上的第一保護(hù)膜。從上述芯片區(qū)域來看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜被薄膜化，且該薄膜化部分露出在外。使用本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置，由于將例如鈍化膜等第一保護(hù)膜在密封環(huán)外側(cè) (芯片區(qū)域的周緣部附近)薄膜化，因此即使因切割晶片時(shí)的沖擊而在芯片區(qū)域外的第一保護(hù)膜產(chǎn)生脫落，也能夠讓該脫落在第一保護(hù)膜的薄膜化部分停止，能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜。并且，能夠通過在密封環(huán)外側(cè)將作為切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑的第一保護(hù)膜薄膜化，來用該薄膜化部分遮斷沖擊和應(yīng)力等的傳播。所以，能夠通過防止因?qū)⒕指顬閱蝹€(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，來防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。另外，最好在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，為了確實(shí)地保護(hù)芯片區(qū)域，而使上述第一保護(hù)膜的厚度為150nm以上。并且，在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，密封環(huán)也可以由例如鎢(W)、鋁(Al) 及銅(Cu)中的至少一種構(gòu)成。并且，在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，第一保護(hù)膜也可以由例如氮化硅 (SiN)構(gòu)成。并且，在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，當(dāng)在密封環(huán)上等設(shè)置有蓋層，且該蓋層例如由鋁(Al)構(gòu)成時(shí)，能夠確實(shí)地防止密封環(huán)(特別是由銅(Cu)構(gòu)成的密封環(huán))的腐蝕。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在基板上形成層間絕緣膜的工序a ；在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中形成布線且在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中形成連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)的工序b ；在設(shè)置有上述布線和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上形成第一保護(hù)膜的工序c ；以及在從上述芯片區(qū)域來看位于上述密封環(huán)外側(cè)的第一保護(hù)膜中形成第一開口部，讓上述層間絕緣膜在該第一開口部中露出的工序d。S卩，由于本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法是用以制造上述本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的方法，因此能夠獲得與上述本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置一樣的效果。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述工序d包括在上述層間絕緣膜的露出部分中形成槽的工序。這樣一來，由于能夠通過在層間絕緣膜的露出部分中設(shè)置槽，來遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述工序d包括將上述第一開口部形成到上述密封環(huán)上的工序。在上述工序d之后，還包括在位于上述密封環(huán)上的上述第一開口部形成與上述密封環(huán)連接的蓋層的工序e。
這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述工序d包括在位于上述密封環(huán)上的上述第一保護(hù)膜中形成第二開口部的工序。在上述工序d之后，還包括在上述第二開口部形成與上述密封環(huán)連接的蓋層的工序e。這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，此時(shí)，由于當(dāng)上述工序e包括在位于上述第一開口部與上述第二開口部之間的上述第一保護(hù)膜的上述第一開口部一側(cè)的側(cè)面，形成由與上述蓋層的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物的工序時(shí)，能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊而產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜的第一開口部一側(cè)的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，當(dāng)還包括形成蓋層的工序e時(shí)，也可以在上述工序e之后，包括在上述第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù)膜的工序f、和在位于上述第一開口部上的上述第二保護(hù)膜中形成第三開口部的工序g。這里，由于當(dāng)上述工序g包括在上述層間絕緣膜的露出部分形成槽的工序時(shí)，能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在上述工序c與上述工序d之間， 還包括在位于上述密封環(huán)上的上述第一保護(hù)膜中形成第二開口部之后，再在上述第二開口部形成與上述密封環(huán)連接的蓋層，接著，在上述第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù)膜的工序。上述工序d包括在從上述芯片區(qū)域來看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第二保護(hù)膜中形成第三開口部之后，再在位于該第三開口部下側(cè)的上述第一保護(hù)膜中形成上述第一開口部的工序。這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在基板上形成層間絕緣膜的工序；在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中形成布線且在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中形成連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)的工序；在設(shè)置有上述布線和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上形成第一保護(hù)膜的工序；以及將從上述芯片區(qū)域來看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜薄膜化的工序。S卩，由于本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法是用以制造上述本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置的方法，因此能夠獲得與上述本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置一樣的效果。(發(fā)明的效果)使用本發(fā)明，由于能夠防止因?qū)⒕懈畛蓡蝹€(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，因此能夠防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。附圖的簡單說明

圖1為表示設(shè)置有本發(fā)明的第一 第三實(shí)施例(包括變形例)所涉及的半導(dǎo)體裝
7置的一部分晶片的平面圖。圖2(a)為將圖1的區(qū)域Rl (被虛線包圍的區(qū)域)放大之后的平面圖，圖2 (b)為本發(fā)明的第一 第三實(shí)施例(包括變形例)所涉及的半導(dǎo)體裝置中位于芯片區(qū)域內(nèi)部的襯墊形成區(qū)域的剖面圖，圖2(c)為本發(fā)明的第一 第三實(shí)施例(包括變形例)所涉及的半導(dǎo)體裝置中位于芯片區(qū)域內(nèi)部的最上層布線形成區(qū)域的剖面圖。圖3為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖4(a) 圖4(c)為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖5(a)及圖5(b)為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖6(a)及圖6(b)為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖7為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖8為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖9為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖10為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖11為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖12(a)及圖12(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖13(a)及圖13(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖14為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖15(a)及圖15(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖16(a)及圖16(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖17為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖18為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖19(a)及圖19(b)為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖20(a)及圖20(b)為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖21為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖22為以往的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。(符號的說明)60-活性層；61-柱塞(plug) ；62-布線；63-柱塞；64-布線；70-活性層；71-柱塞；72-布線；73-柱塞；74-布線；75-最上層布線；90-襯墊；101-基板；102-芯片區(qū)域；103-切割區(qū)域；104-密封環(huán)；105-第一層間絕緣膜；105a-槽狀凹部；105c_布線槽； 107-第二層間絕緣膜；107a-槽狀凹部；107c-布線槽；109-第一鈍化膜；110-活性層(或?qū)щ妼?；111-第一密封柱塞(seal via) ；112-第一密封布線；113-第二密封柱塞；114-第二密封布線；121-第一密封柱塞；122-第一密封布線；123-第二密封柱塞；124-第二密封布線；125-蓋層；1 -蓋層；127-蓋層；131-開口部；132-開口部；133-薄膜化部分； 136-蓋層；142-側(cè)壁隔離物；145-槽；150-第二鈍化膜；161-開口部；201-晶片。
具體實(shí)施例方式(各實(shí)施例的共通事項(xiàng))圖1為表示設(shè)置有下述本發(fā)明的各實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(例如，具有將芯片區(qū)域圍繞一圈的密封環(huán)的半導(dǎo)體裝置)的晶片的一部分的平面圖。圖2(a)為將圖1的區(qū)域Rl (被虛線圍繞的區(qū)域)放大之后的平面圖，圖2(b)為位于芯片區(qū)域內(nèi)部的襯墊形成區(qū)域的剖面圖(圖1及圖2 (a)所示的襯墊90附近的區(qū)域的剖面圖)，圖2(c)為位于芯片區(qū)域內(nèi)部的最上層布線形成區(qū)域的剖面圖(在圖1及圖2(a)中對最上層布線的圖示加以了省略)。如圖1及圖2(a)所示，例如，在成為以硅基板等為代表的半導(dǎo)體基板的晶片201 上配置有均成為半導(dǎo)體裝置的多個(gè)芯片區(qū)域102。在各芯片區(qū)域102設(shè)置有由多個(gè)元件構(gòu)成且具有規(guī)定功能的IC(integrated circuit)電路。各芯片區(qū)域102被設(shè)置為格子狀的切割區(qū)域103劃分。即，切割前的半導(dǎo)體裝置由芯片區(qū)域102和切割區(qū)域103構(gòu)成。這里， 一個(gè)半導(dǎo)體裝置(也就是，一個(gè)半導(dǎo)體芯片)由芯片區(qū)域102和密封環(huán)104構(gòu)成，其中，在該芯片區(qū)域102中配置有由多個(gè)元件構(gòu)成且具有規(guī)定功能的IC電路，該密封環(huán)104被設(shè)置在芯片區(qū)域102的周緣部且圍繞該芯片區(qū)域102。S卩，密封環(huán)104被設(shè)置在芯片區(qū)域102中與切割區(qū)域103交界的附近。并且，在芯片區(qū)域102內(nèi)部例如沿著密封環(huán)104配置有多個(gè)襯墊90。如圖2(b)所示，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，在由晶片201構(gòu)成的基板101 上依次疊層有第一層間絕緣膜105及第二層間絕緣膜107。在基板101中形成有構(gòu)成元件的活性層60，在第一層間絕緣膜105的下部形成有與活性層60連接的柱塞61，在第一層間絕緣膜105的上部形成有與柱塞61連接的布線62，在第二層間絕緣膜107的下部形成有與布線62連接的柱塞63，在第二層間絕緣膜107的上部形成有與柱塞63連接的布線64。 柱塞61和布線62、及柱塞63和布線64分別構(gòu)成雙道金屬鑲嵌(dual damascene)布線。 在第二層間絕緣膜107上形成有在布線64上具有開口的第一鈍化膜109，在該開口設(shè)置有與布線64連接的襯墊90，在第一鈍化膜109上形成有在襯墊90上具有開口的第二鈍化膜 150。如圖2(c)所示，在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，在由晶片201構(gòu)成的
9基板101上依次疊層有第一層間絕緣膜105及第二層間絕緣膜107。在基板101中形成有構(gòu)成元件的活性層70，在第一層間絕緣膜105的下部形成有與活性層70連接的柱塞71，在第一層間絕緣膜105的上部形成有與柱塞71連接的布線72，在第二層間絕緣膜107的下部形成有與布線72連接的柱塞73，在第二層間絕緣膜107的上部形成有與柱塞73連接的布線74。柱塞71和布線72、及柱塞73和布線74分別構(gòu)成雙道金屬鑲嵌(dual damascene) 布線。在第二層間絕緣膜107上形成有在布線74上具有開口的第一鈍化膜109，在該開口設(shè)置有與布線74連接的最上層布線75，在第一鈍化膜109上形成有覆蓋最上層布線75的第二鈍化膜150。另外，第一鈍化膜109由比第二層間絕緣膜107更硬、更脆的材料構(gòu)成，例如，由氮化硅膜(SiN膜)構(gòu)成。上述形成有多個(gè)半導(dǎo)體裝置的晶片201在完成各芯片之后，被沿著切割區(qū)域103 分割成單個(gè)半導(dǎo)體裝置。此時(shí)，各個(gè)半導(dǎo)體裝置除了包括芯片區(qū)域102之外，還包括晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域103中的切割剩余部分(芯片區(qū)域鄰接部分)。以下，在對切割后的各個(gè)半導(dǎo)體裝置加以說明時(shí)，將切割區(qū)域103中的切割剩余部分僅稱為“切割區(qū)域103”。(第一實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖3表示第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(具有位于芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖3 為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。如圖3所示，在基板101上設(shè)置有與切割區(qū)域103鄰接的芯片區(qū)域102。在基板 101上依次疊層有第一層間絕緣膜105及第二層間絕緣膜107。在層間絕緣膜105及107 的疊層結(jié)構(gòu)中形成有貫穿該疊層結(jié)構(gòu)且連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的密封環(huán)104。這里，密封環(huán) 104由形成在基板101中的活性層(或?qū)щ妼?110、形成在第一層間絕緣膜105的下部且與活性層(或?qū)щ妼?110連接的第一密封柱塞111及121、形成在第一層間絕緣膜105的上部且分別與第一密封柱塞111及121連接的第一密封布線112及122、形成在第二層間絕緣膜107的下部且分別與第一密封布線112及122連接的第二密封柱塞113及123、和形成在第二層間絕緣膜107的上部且分別與第二密封柱塞113及123連接的第二密封布線114 及1 構(gòu)成。本實(shí)施例的特征在于在第二層間絕緣膜107上形成有從芯片區(qū)域102來看在密封環(huán)104外側(cè)具有開口部131的第一鈍化膜109。即，第一鈍化膜109被開口部131劃分為位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的部分、和位于切割區(qū)域103 —側(cè)的部分。另外，開口部131被設(shè)置到密封環(huán)104上，在位于密封環(huán)104上的開口部131形成有與密封環(huán)104連接的蓋層125。 這里，蓋層125形成為覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部。第二層間絕緣膜107的表面在沒有形成蓋層125的開口部131中露出。并且，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上具有開口部161的第二鈍化膜150。以下，參照圖4(a) 圖4(c)、圖5(a)、圖5(b)及圖6(a)、圖6(b)的工序剖面圖對用以制造具有圖3所示的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。
首先，如圖4(a)所示，在由晶片(例如，圖1所示的晶片201)構(gòu)成的基板101中的位于芯片區(qū)域102內(nèi)的部分形成活性層(或?qū)щ妼?110?；钚詫?或?qū)щ妼?110也可以構(gòu)成晶體管等元件。此時(shí)，既可以在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在基板101中形成構(gòu)成元件的活性層60，也可以在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在基板101中形成構(gòu)成元件的活性層70。其次，如圖4(a)所示，在基板101上沉積第一層間絕緣膜105之后，再利用光刻法及干蝕刻法，在芯片區(qū)域102中的位于密封環(huán)形成區(qū)域的第一層間絕緣膜105形成到達(dá)活性層(或?qū)щ妼?110的、用以形成第一密封柱塞111及121 (參照圖4(b))的兩個(gè)槽狀凹部10fe。另外，密封柱塞是構(gòu)成密封環(huán)的部件(part)，是通過將導(dǎo)電材料埋入槽狀凹部中形成的。即，密封柱塞是與在芯片區(qū)域內(nèi)用以連接上下布線之間而形成的柱塞具有相同寬度的線狀結(jié)構(gòu)。另外，在本實(shí)施例中，最好密封柱塞的縱橫比(也就是說，埋入了密封柱塞的槽狀凹部中深度對寬度的比)在1以上。接著，如圖4(a)所示，利用光刻法在第一層間絕緣膜105上形成用以形成埋入第一密封布線112及122(參照圖4(b))的布線槽的抗蝕劑圖案(省略圖示)之后，以該抗蝕劑圖案為掩模，利用干蝕刻法，在芯片區(qū)域102中位于密封環(huán)形成區(qū)域的第一層間絕緣膜105的上部形成分別與兩個(gè)槽狀凹部10 連接的兩條布線槽105c，然后，通過煅燒 (ashing)除去殘存的抗蝕劑圖案。另外，槽狀凹部10 及布線槽105c是通過連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102形成的。其次，如圖4(b)所示，例如用CVD(chemical vapor exposition)法，在形成在第一層間絕緣膜105的槽狀凹部10 及布線槽105c中埋入例如由鎢(W)構(gòu)成的導(dǎo)電膜，然后，例如用CMP (化學(xué)機(jī)械研磨法)除去從布線槽105c露出的多余的導(dǎo)電膜，藉此方法，形成與活性層(或?qū)щ妼?110連接的第一密封柱塞111及121、和分別與第一密封柱塞111 及121連接的第一密封布線112及122。這里，密封柱塞111及密封布線112、和密封柱塞 121及密封布線122分別構(gòu)成雙道金屬鑲嵌布線。此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在第一層間絕緣膜105中形成與活性層60連接的柱塞61、和與柱塞61 連接的布線62，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在第一層間絕緣膜105中形成與活性層70連接的柱塞71、和與柱塞71連接的布線72。其次，如圖4(c)所示，在第一層間絕緣膜105上沉積第二層間絕緣膜107之后，利用光刻法及干蝕刻法，在位于芯片區(qū)域102的第二層間絕緣膜107形成分別到達(dá)第一密封布線112及122的、用以形成第二密封柱塞113及123 (參照圖5 (a))的兩個(gè)槽狀凹部107a。接著，如圖4(c)所示，利用光刻法在第二層間絕緣膜107上形成用以形成埋入第二密封布線114及124(參照圖5 (a))的布線槽的抗蝕劑圖案(省略圖示)之后，以該抗蝕劑圖案為掩模，利用干蝕刻法在位于芯片區(qū)域102的第二層間絕緣膜107的上部形成分別與兩個(gè)槽狀凹部107a連接的兩條布線槽107c，然后，利用煅燒除去殘存的抗蝕劑圖案。另外，槽狀凹部107a及布線槽107c形成為連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102。其次，如圖5(a)所示，在形成在第二層間絕緣膜107的槽狀凹部107a及布線槽 107c中埋入例如由銅(Cu)構(gòu)成的導(dǎo)電膜。然后，用例如CMP法除去從布線槽107c中露出的導(dǎo)電膜(位于比第二層間絕緣膜107靠上側(cè)的導(dǎo)電膜)。藉此方法，在位于芯片區(qū)域102的第二層間絕緣膜107中形成分別與第一密封布線112及122連接的第二密封柱塞113及 123、和分別與第二密封柱塞113及123連接的第二密封布線114及124。這里，密封柱塞 113及密封布線114、和密封柱塞123及密封布線IM分別構(gòu)成雙道金屬鑲嵌布線。此時(shí)， 在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在第二層間絕緣膜107中形成與布線 62連接的柱塞63、和與柱塞63連接的布線64，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2 (c)所示，在第二層間絕緣膜107中形成與布線72連接的柱塞73、和與柱塞73 連接的布線74。另外，一般將上述那樣的通過在凹部埋入導(dǎo)電膜來同時(shí)形成柱塞和布線的方法稱為雙道金屬鑲嵌法。并且，由通過上述方法形成的活性層(或?qū)щ妼?110、第一密封柱塞111及121、 第一密封布線112及122、第二密封柱塞113及123、和第二密封布線114及IM構(gòu)成密封環(huán) 104。然后，如圖5(b)所示，在為最上層層間絕緣膜的第二層間絕緣膜107上沉積成為密封布線114及124、和布線64及74 (參照圖2 (b)及圖2 (c))的保護(hù)膜的第一鈍化膜109。 例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或TEOS膜(下層)與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)到密封環(huán)104(具體地說，密封布線124)上的第一鈍化膜109形成開口部131。另外，開口部131 具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀。并且，此時(shí)，也可以在從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán) 104外側(cè)的開口部131的下側(cè)，在第二層間絕緣膜107中形成槽。即，也可以通過在第一鈍化膜109的蝕刻中將密封布線IM用作阻止物(stopper)，對從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的第二層間絕緣膜107的上部進(jìn)行蝕刻，來僅在第二層間絕緣膜107中形成槽。然后，例如，利用濺射法在包括開口部131的整個(gè)第一鈍化膜109上沉積例如鋁 (Al)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定的形狀。具體地說，除去在位于密封布線IM上的開口部131及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。藉此方法，如圖6(a)所示，來在位于密封布線IM上的開口部131形成與密封布線IM連接的蓋層125。也就是說，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由第一鈍化膜109覆蓋密封環(huán)104最上部中的芯片區(qū)域102內(nèi)部一側(cè)的第二密封布線114，由第一鈍化膜109和蓋層 125覆蓋密封環(huán)104最上部中的切割區(qū)域103—側(cè)的第二密封布線124。此時(shí)，將蓋層125 形成為覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部，同時(shí)，與從芯片區(qū)域102來看位于密封布線IM外側(cè)的開口部131中的第二層間絕緣膜107的露出部分鄰接。換句話說，不是使從開口部131來看位于切割區(qū)域103 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部被蓋層125覆蓋，而是使其與蓋層125分開。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成與布線64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成與布線74連接的最上層布線75。也就是說，在本實(shí)施例中，在芯片區(qū)域102的布線 襯墊形成工序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線124連接的蓋層125。 這樣一來，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM連接的蓋層125。然后，如圖6(b)所示，在包括開口部131的第一鈍化膜109上及蓋層125上，即整
12個(gè)基板101上沉積成為蓋層125、襯墊90 (參照圖2 (b))及最上層布線75 (參照圖2 (c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150 形成開口部161。這里，第二鈍化膜150的開口部161與第一鈍化膜109的開口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2 (b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線75被第二鈍化膜150覆蓋著。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外側(cè)(芯片區(qū)域102 的周緣部附近)被開口部131及161分開，因此即使因切割晶片時(shí)的沖擊造成在芯片區(qū)域 102外側(cè)(S卩，切割區(qū)域103)的鈍化膜109及150產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜109及150。并且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域102的內(nèi)外將鈍化膜109及150分開的開口部131及161中露出的狀態(tài)，因此與將蓋層等埋入整個(gè)該開口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防止鈍化膜109及150在芯片區(qū)域102外側(cè)所受到的沖擊經(jīng)由該鈍化膜109及150傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣一來，由于能夠通過防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域 102內(nèi)，來防止水分和可動離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入到裝置內(nèi)部，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，在本實(shí)施例中，將鈍化膜109的開口部131 —直設(shè)置到密封環(huán)104(具體地說，密封布線124)上，在位于該密封布線IM上的開口部131形成有與該密封布線124連接的蓋層125。這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層125及密封環(huán)104來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜109及150脫落的現(xiàn)象，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，在本實(shí)施例中，由于形成有覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域102—側(cè)的第一鈍化膜109端部的蓋層125，因此能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊而產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109的開口部131 —側(cè)的側(cè)面。從而，能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109脫落的現(xiàn)象。另 外，在本實(shí)施例中，設(shè)置在鈍化膜109的開口部131并不一定要形成在密封環(huán) 104外側(cè)的芯片區(qū)域102的端部之上，也可以形成在切割區(qū)域103中的切割剩余部分之上。 并且，也可以通過不在晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域103中形成鈍化膜109來設(shè)置開口部131。并且，在本實(shí)施例中，由于密封環(huán)104(具體地說，密封布線114及124)被鈍化膜 109及蓋層125覆蓋著，因此沒有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，也可以在位于切割區(qū)域103的層間絕緣膜105及107中設(shè)置布線結(jié)構(gòu)。并且，在本實(shí)施例中，使用了對于例如第二密封布線IM等一個(gè)密封布線的底面， 連接有例如第二密封柱塞123等一個(gè)密封柱塞的結(jié)構(gòu)，也可以代替它，使用將多個(gè)密封柱塞連接在一個(gè)密封布線的底面上的結(jié)構(gòu)。并且，在本實(shí)施例中，當(dāng)在開口部131的層間絕緣膜107的露出部分形成有槽時(shí)， 由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。并且，在本實(shí)施例中，為了確實(shí)地保護(hù)密封布線114及124、和布線64及74，最好使第一鈍化膜109的厚度為150nm以上。并且，在本實(shí)施例中，對構(gòu)成密封環(huán)104的各密封布線及各密封柱塞的材料并不作特別限定，可以使用例如鎢(W)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少一種。并且，在本實(shí)施例中，雖然對構(gòu)成與密封環(huán)104連接的蓋層125的材料并不作特別限定，但是若由鋁(Al)來構(gòu)成蓋層125的話，能夠確實(shí)地防止密封環(huán)104(特別是由銅(Cu) 構(gòu)成的密封環(huán)104)腐蝕的現(xiàn)象。(第一實(shí)施例的第一變形例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖7表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖7為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖7中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處如下。即，在第一實(shí)施例中，如圖3所示，將開口部131配置為從芯片區(qū)域102來看的密封環(huán)104外側(cè)到密封環(huán)104上，其中，該開口部131 將第一鈍化膜109劃分為位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的部分、和位于切割區(qū)域103 —側(cè)的部分。 而在本變形例中，如圖7所示，不在密封環(huán)104上配置開口部131，而將開口部131僅配置在從芯片區(qū)域102來看的密封環(huán)104的外側(cè)。并且，在第一實(shí)施例中，如圖3所示，在位于成為密封環(huán)104的第二密封布線IM上的開口部131形成有與成為密封環(huán)104的第二密封布線IM連接的蓋層125，而在本變形例中，如圖7所示，形成有覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部的蓋層126，該蓋層1 沒有與密封環(huán)104連接， 而是與露出開口部131的第二層間絕緣膜107局部接觸。即，在本變形例中，如圖7所示， 密封環(huán)104(具體地說，密封布線114及124)僅被第一鈍化膜109覆蓋著。另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖7所示，第二層間絕緣膜107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上及蓋層1 上具有開口部 161的第二鈍化膜150。以下，對用以制造具有圖7所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，進(jìn)行圖4 (a) 圖5 (a)所示的第一實(shí)施例的各工序。然后，如圖7所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積密封布線114及124、和布線64及74(參照圖2(b)及圖2(c))的保護(hù)膜的第一鈍化膜109。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS 膜(下層)與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜109形成開口部131。另外， 雖然開口部131具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀，但是在密封環(huán)104(具體地說，密封布線124)上沒有配置開口部131。并且，也可以在開口部131的下側(cè)，在第二層間絕緣膜107 中形成槽。然后，例如，利用濺射法在包括開口部131的整個(gè)第一鈍化膜109上沉積例如鋁(Al)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定的形狀。具體地說，除去在從開口部131來看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。藉此方法，如圖7所示，形成覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域 102—側(cè)的第一鈍化膜109端部(但是，不與密封環(huán)104接觸)的蓋層126。也就是說，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由蓋層1 夾著第一鈍化膜109覆蓋密封環(huán)104 的最上部即第二密封布線124。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b) 所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成與布線64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102 的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成與布線74 連接的最上層布線75。即，在本變形例中，在芯片區(qū)域102的布線 襯墊形成工序中同時(shí)形成不與密封環(huán)104連接的蓋層126。這樣一來，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下， 在密封環(huán)104上方形成蓋層126。然后，如圖7所示，在包括開口部131的第一鈍化膜109上及蓋層1 上，即整個(gè)基板101上沉積成為蓋層126、襯墊90 (參照圖2 (b))及最上層布線75 (參照圖2 (c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開口部131上及蓋層1 上的第二鈍化膜150形成開口部161。這里，第二鈍化膜150的開口部161與第一鈍化膜109的開口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖 2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線75被第二鈍化膜150覆蓋著。如上所述，根據(jù)本變形例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外側(cè)(芯片區(qū)域 102的周緣部附近)被開口部131及161分開，因此即使因切割晶片時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域102外側(cè)的鈍化膜109及150產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜109及150。并且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域102內(nèi)外將鈍化膜109及150分開的開口部131及161中露出的狀態(tài)，因此與將蓋層等埋入整個(gè)該開口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防止鈍化膜109及150在芯片區(qū)域102外側(cè)所受到的沖擊經(jīng)由該鈍化膜109及150而傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣一來，由于能夠通過防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來防止水分和可動離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入到裝置內(nèi)部，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，根據(jù)本變形例，由于形成有覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109端部的蓋層126，因此能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109的開口部131 —側(cè)的側(cè)面。從而，能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109脫落的現(xiàn)象。并且，在本變形例中，由于密封環(huán)104被第一鈍化膜109覆蓋著，因此即使蓋層1 因切割晶片時(shí)的沖擊和應(yīng)力等而產(chǎn)生脫落，也沒有關(guān)系。另外，在本變形例中，由于密封環(huán)104(具體地說，密封布線114及124)被鈍化膜 109覆蓋著，因此沒有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本變形例中，當(dāng)在開口部131的層間絕緣膜107的露出部分形成有槽時(shí)， 由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。(第一實(shí)施例的第二變形例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖8表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖8為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖8中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖8所示，除了形成有與密封環(huán)104連接的蓋層125之外，還形成有覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109端部的蓋層136。并且，在本變形例中，如圖8所示， 從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜 109除了被蓋層136覆蓋之外，還被位于同一側(cè)的第二鈍化膜150覆蓋。另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖8所示，第二層間絕緣膜107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上具有開口部161的第二鈍化膜150。以下，對用以制造具有圖8所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行圖4(a) 圖5(b)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，例如，利用濺射法在包括開口部131的整個(gè)第一鈍化膜109上沉積例如鋁(Al)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定的形狀。具體地說，除去在位于密封布線IM上的開口部131 及其附近、和從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109的端部及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。藉此方法，如圖 8所示，在位于密封布線IM上的開口部131形成與密封布線IM連接的蓋層125，同時(shí)形成覆蓋從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109端部的蓋層136。另外，將蓋層125形成為覆蓋密封環(huán)104的最上部、和從開口部131來看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102 的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成有與布線64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成有與布線74連接的最上層布線75。即，在本變形例中，在芯片區(qū)域 102的布線 襯墊形成工序中同時(shí)形成蓋層125及136。這樣一來，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成蓋層125及136。然后，如圖8所示，在包括開口部131的第一鈍化膜109上、和蓋層125及136上， 即整個(gè)基板101上沉積成為蓋層125及136、襯墊90 (參照圖2 (b))及最上層布線75 (參照圖2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。 接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150形成開口部161。不過，在本變形例中，以從開口部131來看位于芯片區(qū)域102 的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109不僅被蓋層136覆蓋，還被位于同一側(cè)的第二鈍化膜150覆蓋的方式來形成開口部161。這里，第二鈍化膜150的開口部161
16與第一鈍化膜109的開口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)， 在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線75被
第二鈍化膜150覆蓋著。使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第一實(shí)施例一樣的效果之外，還能夠獲得下述效果。即，由于從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 一側(cè))的第一鈍化膜109的端部、和從開口部161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即， 切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部錯(cuò)開著，因此能夠使對于為了覆蓋最上層布線75(參照圖2(c))而厚度均勻且平滑形成的第二鈍化膜150所進(jìn)行的蝕刻加工較容易。另外，在本變形例中，當(dāng)在開口部131的層間絕緣膜107的露出部分形成有槽時(shí)， 由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。并且，在本變形例中，將從開口部161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(S卩，切割區(qū)域103—側(cè))的第二鈍化膜150形成為覆蓋位于同一側(cè)的第一鈍化膜109和蓋層136。 但是，也可以代替它，既可以使從開口部161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(S卩，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部位于例如蓋層136上，或者也可以使其位于存在于同一側(cè)的第一鈍化膜109上。(第一實(shí)施例的第三變形例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖9表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖9為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖9中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖9所示，從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109的端部、與從開口部161 來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部錯(cuò)開著。具體地說，如圖9所示，從開口部161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部，位于處于同一側(cè)的第一鈍化膜109的上側(cè)。另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖9所示，第二層間絕緣膜107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上具有開口部161的第二鈍化膜150。以下，對用以制造具有圖9所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行圖4(a) 圖6(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如圖9所示，在包括開口部131的第一鈍化膜109上及蓋層125上即在整個(gè)基板101上沉積成為蓋層125、 襯墊90(參照圖2(b))和最上層布線75(參照圖2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如， 將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150形成開口部161。不過，在本變形例中，以從開口部161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第二鈍化膜150的端部位于處于同一側(cè)的第一鈍化膜109上側(cè)的方式來形成開口部161。這里，第二鈍化膜150的開口部161與第一鈍化膜109的開口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖 2(c)所示，最上層布線75被第二鈍化膜150覆蓋著。使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第一實(shí)施例一樣的效果之外，還能夠獲得下述效果。即，由于從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 一側(cè))的第一鈍化膜109的端部、和從開口部161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即， 切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部錯(cuò)開著，因此能夠使對于為了覆蓋最上層布線75(參照圖2(c))而厚度均勻且平滑形成的第二鈍化膜150所進(jìn)行的蝕刻加工較容易。另外，在本變形例中，當(dāng)在開口部131的層間絕緣膜107的露出部分形成有槽時(shí)， 由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。(第一實(shí)施例的第四變形例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖10表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖10為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖10中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖10所示，從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109的端部、與從開口部 161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部錯(cuò)開著。具體地說，從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 一側(cè))的第一鈍化膜109的端部，位于處于同一側(cè)的第二鈍化膜150的下側(cè)。換句話說，從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(S卩，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109 被位于同一側(cè)的第二鈍化膜150覆蓋著。另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖10所示，第二層間絕緣膜107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上具有開口部161的第二鈍化膜150。以下，對用以制造具有圖10所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4 (a) 圖6 (a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如圖10所示， 在包括開口部131的第一鈍化膜109上及蓋層125上即在整個(gè)基板101上沉積成為蓋層 125、襯墊90(參照圖2(b))和最上層布線75 (參照圖2 (C))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。 例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150形成開口部161。不過，在本變形例中，以從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第
18一鈍化膜109的端部，被位于同一側(cè)的第二鈍化膜150覆蓋的方式來形成開口部161。這里，第二鈍化膜150的開口部161與第一鈍化膜109的開口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中， 如圖2(c)所示，最上層布線75被第二鈍化膜150覆蓋著。使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第一實(shí)施例一樣的效果之外，還能夠獲得下述效果。即，由于從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域 103 一側(cè))的第一鈍化膜109的端部、和從開口部161來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè) (即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部錯(cuò)開著，因此能夠使對于為了覆蓋最上層布線75(參照圖2(c))等而厚度均勻且平滑形成的第二鈍化膜150所進(jìn)行的蝕刻加工較各易ο另外，在本變形例中，當(dāng)在開口部131的層間絕緣膜107的露出部分形成有槽時(shí)， 由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。(第二實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖11表示第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。 另外，圖11為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖11中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖11所示，第一鈍化膜109除了具有從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的開口部131之外，還具有位于密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM上的開口部132，在該開口部132形成有與密封環(huán)104 (具體地說， 密封布線124)連接的蓋層127。另外，在本實(shí)施例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖11所示，第二層間絕緣膜107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上及蓋層127上具有開口部161的第二鈍化膜150。并且，在本實(shí)施例中，如圖11所示，在開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分形成有槽。以下，參照圖12 (a)、圖12(b)及圖13 (a)、圖13(b)的工序剖面圖，對用以制造具有圖11所示的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4(a) 圖5(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如圖12(a)所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積成為第二密封布線114及124、和布線64及74(參照圖2(b)及圖2(c))的保護(hù)膜的第一鈍化膜109。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS膜(下層)與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在第一鈍化膜109形成從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的開口部131、和僅位于密封環(huán)104的第二密封布線IM上的開口部132。此時(shí)，通過調(diào)整對第一鈍化膜109進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對露出開口部131(在本實(shí)施例中，位于切割區(qū)域103)的第二層間絕緣膜107進(jìn)行蝕刻，來形成槽。另外，開口部131與密封環(huán)104(具體地說，第二密封布線124)分開，第一鈍化膜109的一部分介于開口部131與開口部132之間，開口部 131及132具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀。然后，例如，利用濺射法在包括開口部131及132的整個(gè)第一鈍化膜109上沉積例如鋁(Al)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定的形狀。具體地說，除去在第二密封布線IM上的開口部132及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。這樣一來，如圖12(b)所示，在第二密封布線IM上的開口部132形成有與第二密封布線IM 連接的蓋層127。即，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由第一鈍化膜109覆蓋密封環(huán)104的最上部中的芯片區(qū)域102內(nèi)部一側(cè)的第二密封布線114，由第一鈍化膜109和蓋層127覆蓋密封環(huán)104的最上部中的切割區(qū)域103 —側(cè)的第二密封布線124。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成有與布線64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c) 所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成有與布線74連接的最上層布線75。即，在本實(shí)施例中，在芯片區(qū)域102的布線·襯墊形成工序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM連接的蓋層127。因此，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM連接的蓋層127。然后，如圖13(a)所示，在包括開口部131的第一鈍化膜109上及蓋層127上即在整個(gè)基板101上沉積成為蓋層127、襯墊90 (參照圖2 (b))和最上層布線75 (參照圖2 (c)) 的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，如圖 13(b)所示，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開口部131上到蓋層127上的第二鈍化膜150形成開口部161。這里，第二鈍化膜150的開口部161與第一鈍化膜109 的開口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2 (b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線75被第二鈍化膜150覆
主差皿有。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外側(cè)(芯片區(qū)域 102的周緣部附近)被開口部131及161分開，因此即使因切割晶片時(shí)的沖擊造成在芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域10 的鈍化膜109及150產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜109及150。并且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域102的內(nèi)外將鈍化膜109及150分開的開口部131及161中露出的狀態(tài)，因此與將蓋層等埋入整個(gè)該開口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防止鈍化膜109及150在芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)所受到的沖擊經(jīng)由該鈍化膜109及150而傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣一來，由于能夠通過防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來防止水分和可動離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入到裝置內(nèi)部，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，根據(jù)本實(shí)施例，在位于密封環(huán)104的第二密封布線124上的第一鈍化膜109 設(shè)置有開口部132，在開口部132形成有與第二密封布線1 連接的蓋層127。這樣一來， 由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層127及密封環(huán)104來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜109及150脫落的現(xiàn)象，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，根據(jù)本實(shí)施例，在第二層間絕緣膜107形成有槽，該第二層間絕緣膜107在設(shè)置在位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜109的開口部131中露出。換句話說，該槽的底面位于較軟的第二層間絕緣膜107中。這樣一來，能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑。結(jié)果是能夠通過抑制切割晶片時(shí)在鈍化膜109及150產(chǎn)生裂紋等，來防止芯片區(qū)域102內(nèi)部的鈍化膜109 及150的脫落。從而，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。另外，在本實(shí)施例中，設(shè)置在鈍化膜109的開口部131并不一定要形成在切割區(qū)域 103中的切割剩余部分之上，也可以形成在密封環(huán)104外側(cè)的芯片區(qū)域102的端部之上。并且，也可以通過不在晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域103形成鈍化膜109來設(shè)置開口部131。并且，在本實(shí)施例中，由于密封環(huán)104(具體地說，第二密封布線114及124)被鈍化膜109及蓋層127覆蓋著，因此沒有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，也可以在位于切割區(qū)域103的層間絕緣膜105及107中設(shè)置布線結(jié)構(gòu)。并且，在本實(shí)施例中，為了確實(shí)地保護(hù)第二密封布線114及124、和布線64及74， 最好使第一鈍化膜109的厚度在150nm以上。并且，在本實(shí)施例中，對構(gòu)成密封環(huán)104的各密封布線及各密封柱塞的材料并不作特別限定，也可以使用例如鎢(W)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少一種。并且，在本實(shí)施例中，雖然對構(gòu)成與密封環(huán)104的第二密封布線IM連接的蓋層 127的材料并不作特別限定，但是若例如由鋁(Al)來構(gòu)成蓋層127的話，能夠確實(shí)地防止密封環(huán)104(特別是由銅(Cu)構(gòu)成的密封環(huán)104)腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，在開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分形成了槽， 也可以代替它，不形成該槽。即，也可以使第一鈍化膜109的下表面、與開口部131中的第二層間絕緣膜107的露出部分的表面位于同一高度。(第二實(shí)施例的第一變形例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖14表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖14為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖14中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例或圖11所示的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本變形例與圖11所示的第二實(shí)施例的不同之處在于如圖14所示，在位于開口部 131與開口部132之間的第一鈍化膜109的開口部131 —側(cè)的側(cè)面，形成有由與蓋層127的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物142。另外，在本變形例中，在從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109的開口部131 —側(cè)的側(cè)面也形成有側(cè)壁隔離物142。并且，在本變形例中，如圖14所示，在開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分形成有槽，側(cè)壁隔離物142的下表面位于比第一鈍化膜109的下表面靠下方的位置。另外，在本變形例中，也與第一及第二實(shí)施例一樣，如圖14所示，第二層間絕緣膜 107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上及蓋層127上具有開口部161的第二鈍化膜150。并且，在本變形例中，也與第二實(shí)施例一樣，如圖14所示，第一鈍化膜109除了具有從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的開口部131之外，還具有位于密封環(huán)104的第二密封布線IM上的開口部132，在該開口部132形成有與第二密封布線IM連接的蓋層 127。以下，參照圖15 (a)、圖15(b)及圖16 (a)、圖16(b)的工序剖面圖，對用以制造具有圖14所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4(a) 圖5(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如圖15(a)所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積成為第二密封布線114及124、和布線64及74(參照圖2(b)及圖2(c))的保護(hù)膜的第一鈍化膜109。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS膜(下層)與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在第一鈍化膜109形成從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的開口部131、和位于密封環(huán)104(具體地說，第二密封布線124)上的開口部132。此時(shí)，通過調(diào)整對第一鈍化膜109進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對露出于開口部131(在本實(shí)施例中，位于切割區(qū)域10 的第二層間絕緣膜107進(jìn)行蝕刻，來形成槽。另外，開口部131與密封環(huán)104(具體地說，第二密封布線124)分開，第一鈍化膜109的一部分介于開口部131與開口部132之間，開口部131及132具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀。然后，例如，利用濺射法在包括開口部131及132的整個(gè)第一鈍化膜109上沉積例如鋁膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定的形狀。具體地說，除去在第二密封布線IM上的開口部132及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。這樣一來，如圖15(b)所示，在第二密封布線IM上的開口部132形成有與第二密封布線IM連接的蓋層127。即，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由蓋層127覆蓋在形成在第一鈍化膜109中的開口部132內(nèi)露出的密封環(huán)104的最上部(具體地說，第二密封布線 124)。這里，在本變形例中，通過調(diào)整對成為蓋層127的鋁(Al)膜進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，來在位于開口部131與開口部132之間的第一鈍化膜109中的開口部131 —側(cè)的側(cè)面形成由與蓋層127的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物142。此時(shí)，在從開口部131來看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109中的開口部131 —側(cè)的側(cè)面也形成側(cè)壁隔離物142。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口中形成與布線64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102 的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口中形成與布線 74連接的最上層布線75。即，在本實(shí)施例中，在芯片區(qū)域102的布線·襯墊形成工序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM連接的蓋層127。這樣一來，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM連接的蓋層 127。
然后，如圖16(a)所示，在包括側(cè)壁隔離物142及開口部131的第一鈍化膜109上及蓋層127上，即整個(gè)基板101上沉積成為蓋層127、襯墊90 (參照圖2 (b))及最上層布線 75(參照圖2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜 150。接著，如圖16(b)所示，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開口部131 上到蓋層127上的第二鈍化膜150形成開口部161。這里，第二鈍化膜150的開口部161與第一鈍化膜109的開口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線75被第二鈍化膜150覆蓋著。使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第二實(shí)施例一樣的效果之外，還能夠獲得下述效果。即，在位于開口部131與開口部132之間的第一鈍化膜109中的開口部131 一側(cè)的側(cè)面，形成有由與蓋層127的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物142。這樣一來，由于能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109中的開口部131 —側(cè)的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109脫落的現(xiàn)象。另外，在本變形例中，在開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分形成了槽， 也可以代替它，不形成該槽。即，也可以使第一鈍化膜109的下表面、與開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分的表面位于同一高度。換句話說，也可以使第一鈍化膜109的下表面與側(cè)壁隔離物142的下表面位于同一高度。(第二實(shí)施例的第二變形例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖17表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖17為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖17中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例、圖11或圖14所示的第二實(shí)施例、其第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本變形例與圖14所示的第二實(shí)施例的第一變形例的不同之處在于如圖17所示， 在被第一鈍化膜109的開口部131的側(cè)壁隔離物142圍繞的區(qū)域中露出的第二層間絕緣膜 107形成有槽145。因此，在本變形例中，如圖17所示，槽145的底面即第二層間絕緣膜107 的露出部分的表面位于比側(cè)壁隔離物142的下表面靠下方的位置。另外，在本變形例中，也與第二實(shí)施例的第一變形例一樣，如圖17所示，側(cè)壁隔離物142的下表面位于比第一鈍化膜109的下表面靠下方的位置。S卩，具有圖17所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置是通過在第二實(shí)施例的第一變形例的圖15(a)所示的工序中，調(diào)整對第一鈍化膜109進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對在開口部 131中露出的第二層間絕緣膜107進(jìn)行蝕刻來形成槽的，通過在第二實(shí)施例的第一變形例的圖16(b)所示的工序中，調(diào)整對第二鈍化膜150進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對在開口部131的被側(cè)壁隔離物142圍繞的區(qū)域中露出的第二層間絕緣膜107進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻來形成槽145 的。這里，第二鈍化膜150的開口部161、第一鈍化膜109的開口部131和第二層間絕緣膜107的槽145成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。另外，在本變形例中，也與第一及第二實(shí)施例一樣，如圖17所示，第二層間絕緣膜 107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上及蓋層127上具有開口部161的第二鈍化膜150。并且，在本變形例中，也與第二實(shí)施例一樣，如圖17所示，第一鈍化膜109除了具有從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的開口部131之外，還具有位于密封環(huán)104的第二密封布線1 上的開口部132，在該開口部132形成有與密封環(huán)104 (具體地說，密封布線124)連接的蓋層127。使用上述本變形例，除了能夠獲得與第二實(shí)施例或其第一變形例一樣的效果之外，還能夠獲得下述效果。即，在第一鈍化膜109的開口部131的被側(cè)壁隔離物142圍繞的區(qū)域中露出的第二層間絕緣膜107形成有槽145。換句話說，槽145的底面位于較軟的第二層間絕緣膜107中。因此，能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103) 朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑。從而，能夠通過抑制切割晶片時(shí)在鈍化膜109及150產(chǎn)生裂紋等，來防止芯片區(qū)域102內(nèi)部的鈍化膜109及150的脫落。因此， 能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。另外，在本變形例中，是通過在第二實(shí)施例的第一變形例的圖15(a)所示的工序中，調(diào)整對第一鈍化膜109進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對在開口部131中露出的第二層間絕緣膜 107進(jìn)行蝕刻來形成槽的，也可以代替它，不在該工序中形成槽。即，也可以使第一鈍化膜 109的下表面與側(cè)壁隔離物142的下表面位于同一高度。(第三實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖18表示第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。 另外，圖18為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖18中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖18所示，第一鈍化膜109除了具有從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的開口部131之外，還具有位于密封環(huán)104的第二密封布線1 上的開口部132，在該開口部132形成有與密封環(huán)104 (具體地說，密封布線 124)連接的蓋層127。另外，在本實(shí)施例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖18所示，第二層間絕緣膜107的表面露出開口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開口部131上及蓋層127上具有開口部161的第二鈍化膜150。并且，在本實(shí)施例中，如圖18所示，在開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分形成有槽145。以下，參照圖19 (a)、圖19(b)及圖20 (a)、圖20 (b)的工序剖面圖，對用以制造具有圖18所示的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4(a) 圖5(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如圖19(a)所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積成為第二密封布線114及124、和布線64及74(參照圖2(b)及圖2(c))的保護(hù)膜的第一鈍化膜109。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS膜(下層)與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在第一鈍化膜109中僅形成位于密封環(huán)104的第二密封布線IM上的開口部132。換句話說，此時(shí)，不形成從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的開口部 131。另外，開口部132具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀。然后，例如，利用濺射法在包括開口部132的整個(gè)第一鈍化膜109上沉積例如鋁 (Al)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定的形狀。具體地說，除去在第二密封布線IM上的開口部132及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。這樣一來，如圖19(b)所示，在第二密封布線IM上的開口部132形成有與第二密封布線IM連接的蓋層127。即，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由蓋層127覆蓋在設(shè)置在第一鈍化膜109中的開口部132內(nèi)露出的密封環(huán)104的最上部(具體地說，第二密封布線 124)。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成有與布線64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開口形成有與布線74連接的最上層布線 75。即，在本實(shí)施例中，在芯片區(qū)域102的布線 襯墊形成工序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM連接的蓋層127。因此，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線IM連接的蓋層127。然后，如圖20(a)所示，在第一鈍化膜109上及蓋層127上，即在整個(gè)基板101上沉積成為蓋層127、襯墊90(參照圖2(b))和最上層布線75(參照圖2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，如圖20(b)所示，利用光刻法及干蝕刻法，在從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)到蓋層127上的第二鈍化膜150中形成開口部161。此時(shí)，通過調(diào)整對第二鈍化膜150進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，來對從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)(沒有形成蓋層127的開口部161的下側(cè))的第一鈍化膜109及第二層間絕緣膜107依次進(jìn)行蝕刻。因此，在從芯片區(qū)域102來看的密封環(huán)104 的外側(cè)，在第一鈍化膜109形成有開口部131，同時(shí)，在開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分形成有槽145。這里，第二鈍化膜150的開口部161、第一鈍化膜109的開口部131 和第二層間絕緣膜107的槽145成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)， 在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線形成區(qū)域中，如圖2 (c)所示，最上層布線75被第二鈍化膜150覆蓋看。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外側(cè)(芯片區(qū)域102 的周緣部附近)被開口部131及161分開，因此即使因切割晶片時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域102外側(cè)(S卩，切割區(qū)域10 的鈍化膜109及150產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜109及150。并且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域102的內(nèi)外將鈍化膜109及150分開的開口部131及161中露出的狀態(tài)，因此與將蓋層等埋入整個(gè)該開口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防止鈍化膜109及150在芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)所受到的沖擊經(jīng)由該鈍化膜109及150而傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣一來，由于能夠通過防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來防止水分和可動離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入到裝置內(nèi)部，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，根據(jù)本實(shí)施例，在位于密封環(huán)104上的第一鈍化膜109設(shè)置有開口部132，在開口部132形成有與密封環(huán)104連接的蓋層127。這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層127及密封環(huán)104來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜 109及150的脫落，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，根據(jù)本實(shí)施例，在第二層間絕緣膜107形成有槽145，該第二層間絕緣膜107 在設(shè)置在位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜109的開口部131中露出。換句話說，該槽145 的底面位于較軟的第二層間絕緣膜107中。這樣一來，能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102 外側(cè)(即，切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑。結(jié)果是能夠通過抑制切割晶片時(shí)在鈍化膜109及150產(chǎn)生裂紋等，來防止芯片區(qū)域102內(nèi)部的鈍化膜 109及150的脫落。故而，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。另外，在本實(shí)施例中，設(shè)置在鈍化膜109中的開口部131并不一定要形成在密封環(huán) 104外側(cè)的芯片區(qū)域102的端部之上，也可以形成在切割區(qū)域103中的切割剩余部分之上。 并且，也可以通過在晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域103中不形成鈍化膜109來設(shè)置開口部131。并且，在本實(shí)施例中，由于密封環(huán)104(具體地說，第二密封布線114及124)被鈍化膜109及蓋層127覆蓋著，因此沒有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，也可以在位于切割區(qū)域103的層間絕緣膜105及107中設(shè)置布線結(jié)構(gòu)。并且，在本實(shí)施例中，為了確實(shí)地保護(hù)第二密封布線114及124、和布線64及74， 最好使第一鈍化膜109的厚度在150nm以上。并且，在本實(shí)施例中，對構(gòu)成密封環(huán)104的各密封布線及各密封柱塞的材料并不作特別限定，也可以使用例如鎢(W)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少一種。并且，在本實(shí)施例中，雖然對構(gòu)成與密封環(huán)104連接的蓋層127的材料并不作特別限定，但是若由鋁(Al)來構(gòu)成蓋層127的話，能夠確實(shí)地防止密封環(huán)104(特別是由銅(Cu) 構(gòu)成的密封環(huán)104)腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，在開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分中形成有槽 145，也可以代替它，不形成槽145。即，也可以使第一鈍化膜109的下表面與開口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分的表面位于同一高度。(第三實(shí)施例的變形例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第三實(shí)施例的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法加以說明。圖21表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說，切割后的芯片)端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖21為圖2(a)的A-A’線的剖面圖。并且，在圖21中，由于對與圖3所示的第一實(shí)施例或圖18所示的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，因此對其說明加以省略。本變形例與圖18所示的第三實(shí)施例的不同之處在于即，在第三實(shí)施例中，如圖
2618所示，在從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜109形成有開口部131。 而在本變形例中，如圖21所示，沒有形成開口部131，從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104 外側(cè)的第一鈍化膜109被薄膜化，該薄膜化部分133露出在外。S卩，具有圖21所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置是通過在第三實(shí)施例的圖 20(b)所示的工序中，調(diào)整對第二鈍化膜150進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對從芯片區(qū)域102來看位于密封環(huán)104外側(cè)的(沒有形成蓋層127的開口部161的下側(cè))第一鈍化膜109蝕刻到中途，來形成薄膜化部分133的。這里，第二鈍化膜150的開口部161和第一鈍化膜109的薄膜化部分133成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。如上所述，根據(jù)本變形例，鈍化膜150在密封環(huán)104外側(cè)(芯片區(qū)域102的周緣部附近)被開口部161分開，同時(shí)，在密封環(huán)104的外側(cè)(芯片區(qū)域102的周緣部附近)，即在開口部161的下側(cè)，鈍化膜109被薄膜化。這樣一來，由于即使因切割晶片時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域102外側(cè)的鈍化膜109及150產(chǎn)生脫落，也能夠使該脫落在鈍化膜109的薄膜化部分133停止，因此能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜109及150。并且，能夠通過使鈍化膜109在密封環(huán)104的外側(cè)薄膜化，來用該薄膜化部分133遮斷沖擊和應(yīng)力等的傳播，其中，該鈍化膜109是切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑。這樣一來，由于能夠通過防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來防止水分和可動離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入到裝置內(nèi)部的，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，根據(jù)本變形例，在位于密封環(huán)104上的第一鈍化膜109設(shè)置有開口部132，在開口部132形成有與密封環(huán)104連接的蓋層127。這樣一來，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層127及密封環(huán)104來阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜109及150的脫落，來進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。另外，在本變形例中，設(shè)置在鈍化膜109的薄膜化部分133并不一定要形成在密封環(huán)104外側(cè)的芯片區(qū)域102的端部之上，還可以形成在切割區(qū)域103中的切割剩余部分之上。(工業(yè)上的利用可能性)如上所述，本發(fā)明涉及具有圍繞芯片區(qū)域形成的密封環(huán)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，使用本發(fā)明，能夠獲得可防止將晶片分割為單個(gè)芯片時(shí)在芯片(半導(dǎo)體裝置)側(cè)面所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)的效果，非常有用。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括 形成在基板上的層間絕緣膜；形成在位于芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中且圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)； 形成在設(shè)置有上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上的第一保護(hù)膜；和形成在上述第一保護(hù)膜上的第二保護(hù)膜，在從上述芯片區(qū)域來看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有第一開口部， 上述層間絕緣膜在上述第一開口部中包括槽， 上述第一保護(hù)膜在位于上述密封環(huán)上的部分設(shè)置有第二開口部， 在上述第二開口部中形成有與上述密封環(huán)連接在一起的蓋層， 上述第二保護(hù)膜在上述第一開口部及上述蓋層之上包括第三開口部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述第一保護(hù)膜中的上述第一開口部側(cè)的側(cè)面，形成有由與上述蓋層的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述側(cè)壁隔離物的下表面位于比上述第一保護(hù)膜的下表面更靠下方的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成在上述第一開口部中的上述槽的底面位于比上述側(cè)壁隔離物的下表面更靠下方的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中的布線，在位于上述布線上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有襯墊用開口部，在該襯墊用開口部形成有與上述布線連接在一起的襯墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中的布線，在位于上述布線上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有最上層布線用開口部，在該最上層布線用開口部形成有與上述布線連接在一起的最上層布線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述最上層布線被上述第二保護(hù)膜覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第一保護(hù)膜的厚度為150nm以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述密封環(huán)的構(gòu)成材料是W、Al及Cu中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述蓋層由Al構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。其目的在于通過防止因切割晶片時(shí)在芯片側(cè)面所產(chǎn)生的碎片和破損等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，來防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。在形成在基板(101)上的層間絕緣膜(105)及(107)形成有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域(102)的密封環(huán)(104)。在層間絕緣膜(107)上形成有從芯片區(qū)域(102)來看在密封環(huán)(104)外側(cè)具有開口部(131)的第一鈍化膜(109)。
文檔編號H01L23/58GK102324419SQ201110302929
公開日2012年1月18日 申請日期2008年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月19日
發(fā)明者伊藤豐, 佐野光, 小池功二, 平野博茂, 竹村康司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社