專利名稱：一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種有效提高芯片散熱性能的芯片封裝方法，屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
芯片封裝技術(shù)就是將芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對(duì)芯片的損害的一種工藝技術(shù)?？諝庵械碾s質(zhì)和不良?xì)怏w，乃至水蒸氣都會(huì)腐蝕芯片上的精密電路， 進(jìn)而造成電學(xué)性能下降。不同的封裝技術(shù)在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對(duì)內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關(guān)重要的作用。隨著光電、微電制造工藝技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發(fā)展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進(jìn)?，F(xiàn)有的芯片封裝結(jié)構(gòu)中，芯片大多被包裹在注塑體中，主要通過與芯片連接的金屬與外界進(jìn)行熱傳遞，散熱能力有限，影響芯片運(yùn)行的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述需求，本發(fā)明提供了一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，該封裝方法實(shí)施過程中對(duì)芯片采用了兩次封裝工藝，在確保封裝性能的同時(shí)有效提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能，且封裝過程中無需添設(shè)外置輔助裝置，封裝成本低，芯片運(yùn)行狀況良好。本發(fā)明是一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，該芯片封裝方法主要包括如下步驟a)安接基板，b)安接芯片，c)性能檢測(cè)，d)封膠封裝，e)涂覆散熱層，f)成品檢測(cè)。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，所述的步驟a)中，首先，在基板與電路板之間涂覆熱固型粘膠，粘膠層厚度控制在10-20um;然后，使用金線，采用焊接工藝將基板和電路板上的焊點(diǎn)電性連接。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，所述的步驟b)中，芯片采用錫焊工藝與基板電性連接。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，所述的步驟d)中，在實(shí)施封裝時(shí)，部分芯片裸露封裝體外，其裸露部分的高度為芯片厚度的10%-20%。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，所述的封膠封裝工藝中所使用的設(shè)備有注膠機(jī)和封膠熱固化機(jī)。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，所述的步驟e)中，散熱層材料選用散熱型硅膠，實(shí)施過程中采用噴涂工藝。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，所述的噴涂工藝為噴槍噴淋工藝，其噴淋溫度控制在 80°c -IOO0C ；噴淋完畢，在60°C -70°c條件下固化2小時(shí)；所得的散熱層厚度為10-30um。本發(fā)明揭示了一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，該封裝方法實(shí)施過程中對(duì)芯片采用了兩次封裝工藝，在確保良好封裝性能的同時(shí)能有效提高芯片的散熱性能，確保了芯片的高效運(yùn)行；同時(shí)，該芯片封裝方法實(shí)施過程中無需添加外置散熱輔助裝置，降低了封裝成本低，封裝工藝易于實(shí)施，實(shí)用性能優(yōu)良。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明 圖1是本發(fā)明實(shí)施例散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法的工序步驟圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。圖1是本發(fā)明實(shí)施例散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法的工序步驟圖；該芯片封裝方法主要包括如下步驟a)安接基板，b)安接芯片，c)性能檢測(cè)，d)封膠封裝，e)涂覆散熱層，f)成品檢測(cè)。具體實(shí)施步驟如下
a)安接基板，首先，在基板與電路板之間涂覆熱固型粘膠，粘膠層厚度控制在10-20um； 然后，使用金線，采用焊接工藝將基板和電路板上的焊點(diǎn)電性連接；
b)安接芯片，芯片采用錫焊工藝與基板電性連接；
c)性能檢測(cè)，檢驗(yàn)芯片與電路板之間的電連接性能，降低廢品率；
d)封膠封裝，在實(shí)施封裝時(shí)，部分芯片裸露封裝體外，其裸露部分的高度為芯片厚度的 10%-20%，該裸露部分將涂覆散熱性能更加優(yōu)良的涂層材料，在確保封裝性能的同時(shí)有效提高芯片的散熱性能，且節(jié)約封裝成本，工藝實(shí)施簡(jiǎn)便；在進(jìn)行的封膠封裝工藝中所使用的設(shè)備主要有注膠機(jī)和封膠熱固化機(jī)；
e)涂覆散熱層，散熱層材料選用散熱型硅膠，實(shí)施過程中采用噴涂工藝。噴涂工藝為噴槍噴淋工藝，其噴淋溫度控制在85°C ；噴淋完畢，在60°C條件下固化2小時(shí)；所得的散熱層厚度為12um ；
f)成品檢測(cè)，對(duì)成品進(jìn)行電氣性能檢測(cè)。本發(fā)明揭示了一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，其特點(diǎn)是該封裝方法實(shí)施過程中對(duì)芯片采用了兩次封裝工藝，在確保良好封裝性能的同時(shí)能有效提高芯片的散熱性能，確保了芯片的高效運(yùn)行；同時(shí)，該芯片封裝方法實(shí)施過程中無需添加外置散熱輔助裝置，降低了封裝成本低，封裝工藝易于實(shí)施，實(shí)用性能優(yōu)良。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，該芯片封裝方法主要包括如下步驟a)安接基板，b)安接芯片，c)性能檢測(cè)，d)封膠封裝，e)涂覆散熱層，f)成品檢測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟a) 中，首先，在基板與電路板之間涂覆熱固型粘膠，粘膠層厚度控制在10-20um;然后，使用金線，采用焊接工藝將基板和電路板上的焊點(diǎn)電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟b) 中，芯片采用錫焊工藝與基板電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟d) 中，在實(shí)施封裝時(shí)，部分芯片裸露封裝體外，其裸露部分的高度為芯片厚度的10%-20%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，其特征在于，所述的封膠封裝工藝中所使用的設(shè)備有注膠機(jī)和封膠熱固化機(jī)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟e) 中，散熱層材料選用散熱型硅膠，實(shí)施過程中采用噴涂工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，其特征在于，所述的噴涂工藝為噴槍噴淋工藝，其噴淋溫度控制在80°C -IOO0C ；噴淋完畢，在60°C _70°C條件下固化2 小時(shí)；所得的散熱層厚度為10-30um。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，該芯片封裝方法主要包括如下步驟a)安接基板，b)安接芯片，c)性能檢測(cè)，d)封膠封裝，e)涂覆散熱層，f)成品檢測(cè)。本發(fā)明揭示了一種散熱性能優(yōu)良的芯片封裝方法，該封裝方法實(shí)施過程中對(duì)芯片采用了兩次封裝工藝，在確保良好封裝性能的同時(shí)能有效提高芯片的散熱性能，確保了芯片的高效運(yùn)行；同時(shí)，該芯片封裝方法實(shí)施過程中無需添加外置散熱輔助裝置，降低了封裝成本低，封裝工藝易于實(shí)施，實(shí)用性能優(yōu)良。
文檔編號(hào)H01L21/56GK102347246SQ20111029190
公開日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者徐子旸 申請(qǐng)人:常熟市廣大電器有限公司