專利名稱：：半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本公開在此涉及一種半導(dǎo)體封裝件和一種制造該半導(dǎo)體封裝件的方法。
背景技術(shù)：
：隨著電子裝置中使用的半導(dǎo)體集成電路變得更密集化和高度集成化，半導(dǎo)體芯片中的電極端子朝著多引腳(Pin)和窄節(jié)距的趨勢愈演愈烈。此外，在將半導(dǎo)體芯片安裝在電路基板(或者布線基板)上時，廣泛地使用倒裝芯片鍵合安裝(flipchipbondingmounting)來減小布線延遲(wiringdelay)。對與半導(dǎo)體封裝件的制造方法相關(guān)的更可靠和更簡單的倒裝芯片鍵合安裝方法進行了各種研究。
發(fā)明內(nèi)容本公開提供一種可靠的半導(dǎo)體封裝件。本公開還提供一種半導(dǎo)體封裝件的可靠的制造方法。根據(jù)示例實施例，一種半導(dǎo)體封裝件可以包括電路基板和在電路基板上的半導(dǎo)體芯片。在示例實施例中，電路基板可以包括基礎(chǔ)基板、在基礎(chǔ)基板上的基板連接端子和在基礎(chǔ)基板上的基板絕緣層。在示例實施例中，基板絕緣層可暴露基板連接端子。在示例實施例中，半導(dǎo)體芯片可包括芯片連接端子和芯片絕緣層，芯片絕緣層可暴露芯片連接端子。半導(dǎo)體封裝件還可以包括在基板連接端子和芯片連接端子之間的內(nèi)部焊球。在示例實施例中，內(nèi)部焊球可將基板連接端子電連接至芯片連接端子。半導(dǎo)體封裝件還可包括在虛設(shè)開口中的虛設(shè)焊料，虛設(shè)開口可以在基板絕緣層和芯片絕緣層的至少一個層中。在示例實施例中，虛設(shè)焊料可不將半導(dǎo)體芯片電連接至電路基板。根據(jù)示例實施例，一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法可包括下述步驟形成電路基板，該電路基板包括基礎(chǔ)基板、在基礎(chǔ)基板上的基板連接端子和覆蓋基礎(chǔ)基板并暴露基板連接端子的基板絕緣層；在電路基板上形成混合物層，該混合物層包括粘結(jié)樹脂和多個焊料顆粒；在混合物層上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片包括芯片連接端子和暴露芯片連接端子的芯片絕緣層；在基板連接端子和芯片連接端子之間形成內(nèi)部焊球；在虛設(shè)開口中形成虛設(shè)焊料，虛設(shè)開口在基板絕緣層和芯片絕緣層中的一個層中。根據(jù)示例實施例，一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法可包括下述步驟在半導(dǎo)體芯片的絕緣層和基板的絕緣層中的至少一個層中形成至少一個虛設(shè)開口；在基板和半導(dǎo)體芯片之間形成內(nèi)部焊球，內(nèi)部焊球?qū)雽?dǎo)體芯片的芯片連接端子電連接至基板的基板連接端子；在至少一個虛設(shè)開口中形成虛設(shè)焊料，虛設(shè)焊料不將基板電連接至半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例提供半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括電路基板，包括基礎(chǔ)基板、在基礎(chǔ)基板上的基板連接端子和覆蓋基礎(chǔ)基板并暴露基板連接端子的基板絕緣層；半導(dǎo)體芯片，包括芯片連接端子和暴露芯片連接端子的芯片絕緣層，半導(dǎo)體芯片安裝在電路基板上；內(nèi)部焊球，設(shè)置在基板連接端子和芯片連接端子之間，內(nèi)部焊球?qū)⑿酒B接端子電連接到基板連接端子；虛設(shè)焊料，填充虛設(shè)開口，虛設(shè)開口形成在基板絕緣層和芯片絕緣層中的至少一個層中，其中，虛設(shè)焊料不將半導(dǎo)體芯片與基板電連接。在一些示例實施例中，電路基板還可以包括穿過電路基板的通孔和覆蓋通孔的內(nèi)側(cè)壁的金屬圖案；形成在基板絕緣層中的虛設(shè)開口暴露通孔金屬圖案；虛設(shè)焊料接觸通孔金屬圖案并填充通孔。在其他的示例實施例中，電路基板還可包括電連接至基板連接端子的電路金屬圖案；形成在基板絕緣層中的虛設(shè)開口暴露電路金屬圖案；虛設(shè)焊料接觸電路金屬圖案。在另一些其他的示例實施例中，虛設(shè)開口的寬度可以較電路金屬圖案的寬度寬。在又一些其他的示例實施例中，電路基板還可以包括基板虛設(shè)金屬圖案；形成在基板絕緣層中的虛設(shè)開口可以暴露基板虛設(shè)金屬圖案；虛設(shè)焊料可以接觸虛設(shè)金屬圖案。在再一些其他的示例實施例中，虛設(shè)開口的寬度可以比基板虛設(shè)金屬圖案的寬度覓ο在進一步的示例實施例中，電路基板還可以包括凹進區(qū)域和覆蓋凹進區(qū)域的側(cè)壁和底部的凹進金屬圖案；形成在基板絕緣層中的虛設(shè)開口暴露虛設(shè)金屬圖案；虛設(shè)焊料接觸凹進金屬圖案并填充凹進區(qū)域。在更進一步的示例實施例中，半導(dǎo)體芯片還可以包括芯片虛設(shè)金屬圖案；形成在芯片絕緣層中的虛設(shè)開口暴露芯片虛設(shè)金屬圖案；虛設(shè)焊料接觸芯片虛設(shè)金屬圖案。在再進一步的示例實施例中，半導(dǎo)體芯片還可以包括接觸芯片連接端子的突起；內(nèi)部焊球可以覆蓋突起的至少一個側(cè)面。在又進一步的示例實施例中，半導(dǎo)體芯片還可以包括穿過半導(dǎo)體芯片的過孔。在又進一步的示例實施例中，半導(dǎo)體封裝件還可以包括安裝在半導(dǎo)體芯片上并電連接到過孔的上部半導(dǎo)體芯片。在本發(fā)明構(gòu)思的其他的示例實施例中，制造半導(dǎo)體封裝件的方法包括下述步驟形成電路基板，該電路基板包括基礎(chǔ)基板、在基礎(chǔ)基板上的基板連接端子和覆蓋基礎(chǔ)基板并暴露基板連接端子的基板絕緣層；形成混合物層，混合物層設(shè)置在電路基板上，并包含粘結(jié)樹脂和多個焊料顆粒；在混合物層上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片包括芯片連接端子和暴露芯片連接端子的芯片絕緣層；在基板連接端子和芯片連接端子之間形成內(nèi)部焊球，其中，將基板絕緣層和芯片絕緣層中的至少一個層形成為包括虛設(shè)開口；形成內(nèi)部焊球的步驟包括形成填充虛設(shè)開口的虛設(shè)焊料。在一些示例實施例中，形成混合物層的步驟可以包括涂覆包含粘結(jié)樹脂和分散在粘結(jié)樹脂中的焊料顆粒的混合物。在其他的示例實施例中，形成混合物層的步驟可以包括設(shè)置混合多層，該混合多層包括由粘結(jié)樹脂形成的粘結(jié)樹脂層和由焊料顆粒形成的焊料顆粒層。在另一些其他的示例實施例中，形成內(nèi)部焊球的步驟可以包括以高于焊料顆粒熔點的溫度執(zhí)行加熱工藝。在又一些其他的示例實施例中，形成電路基板的步驟可以包括準(zhǔn)備基礎(chǔ)基板；在基礎(chǔ)基板上形成基板連接端子；形成覆蓋基礎(chǔ)基板并暴露基板連接端子的基板絕緣層。在再一些其他的示例實施例中，該方法還包括在基礎(chǔ)基板上形成電路金屬圖案，其中，基板絕緣層包括暴露電路金屬圖案的虛設(shè)開口。在進一步的示例實施例中，暴露電路金屬圖案的虛設(shè)開口的寬度可形成為比電路金屬圖案的寬度寬。在另外進一步的示例實施例中，所述方法還可包括通過圖案化基礎(chǔ)基板形成通孔；形成覆蓋通孔的側(cè)壁的通孔金屬圖案，其中，基板絕緣層包括暴露通孔金屬圖案的虛設(shè)開口。在更進一步的示例實施例中，所述方法還可包括在基礎(chǔ)基板上形成凹進區(qū)域，形成覆蓋凹進區(qū)域的側(cè)壁和底部的凹進金屬圖案，其中，基板絕緣層形成為具有暴露凹進金屬圖案的虛設(shè)開口。在再進一步的示例實施例，所述方法還可包括在基礎(chǔ)基板上形成基板虛設(shè)金屬圖案，其中，基板絕緣層形成有暴露基板虛設(shè)金屬圖案的虛設(shè)開口。在再進一步的示例實施例中，暴露基板虛設(shè)金屬圖案的虛設(shè)開口可以形成為具有比基板虛設(shè)金屬圖案的寬度寬的寬度。在再進一步的示例實施例中，所述方法還可包括在半導(dǎo)體芯片上形成上部混合層；提供上部半導(dǎo)體芯片，該上部半導(dǎo)體芯片配置在上部混合層上，并包括上部芯片連接端子和暴露上述芯片連接端子的上部芯片絕緣層；在芯片連接端子和上部芯片連接端子之間形成上部內(nèi)部焊球；在再進一步的示例實施例中，可同時執(zhí)行形成內(nèi)部焊球的步驟和形成上部內(nèi)部焊球的步驟。包括附圖以提供對本發(fā)明構(gòu)思的進一步理解，且附圖被納入并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一示例實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖；圖2是沿圖1的11-11’線截取的剖視圖；圖3到圖8、圖9A、圖IOA和圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的具有圖2的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖；圖9B是圖9A的A部分的放大透視圖；圖IOB是圖IOA的B部分的放大剖視圖；圖IlA是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的具有圖2的剖面的半導(dǎo)體封裝件的制造剖視圖；圖IlB是圖IlA的C部分的放大剖視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第二示例實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖；圖14A是沿圖13的XIVA-XIVA’線截取的剖視圖；圖14B是沿圖13的XIVB-XIVB，線截取的剖視圖；圖15A到圖19A是示出具有14A的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖15B到圖19B是示出具有14B的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖；圖18C是圖18A的D部分的放大透視圖；圖20是根據(jù)第三示例實施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第四示例實施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；圖22是根據(jù)第五示例實施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；圖23到圖沈是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的具有圖22的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖；圖27是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的具有圖22的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖；圖觀是示出包括應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的封裝件模塊的示例的示圖；圖四是示出包括應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的電子裝置的示例的框圖；圖30是示出具有應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的存儲系統(tǒng)的框圖。具體實施例方式在下文中，將參照附圖更充分地描述示例實施例，在附圖中示出了示例實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實施，且不應(yīng)被解釋為局限于這里闡述的實施例。相反，提供這些示例實施例使得該公開將是徹底和完整的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，可夸大層和區(qū)域的大小和相對大小。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀被颉斑B接到”另一元件或?qū)踊颉敖Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到另一元件或?qū)踊蛑苯咏Y(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”另一元件或?qū)踊颉爸苯咏Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)?。相同的?biāo)號始終指示相同的元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包含一個或者多個相關(guān)所列項目的任何和所有的組合。應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可以在此用來描述多種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、一個組件、一個區(qū)域、一個層或一個部分與另一區(qū)域、另一層或另一部分分開。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，在下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可被稱作第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。為了描述方便，例如“在......下”、“在......下方”、“下面的”、“在......上方”和“上面的”等的空間相關(guān)術(shù)語，可在此用來描述如圖所示的一個元件或者特征與其他的元件或者特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，除了附圖中描述的方位以外，空間相關(guān)術(shù)語還旨在包括所述裝置在使用或者操作中的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件或特征“下方”或“在”其他元件或特征“下”的元件將被定位為“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在......下方”可以包括在......上方和在......下方的兩個方位。裝置可以被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其他方位)，并相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對描述符。在此使用的術(shù)語僅是為了描述示例實施例的目的，且不是意在限制本發(fā)明。如在此使用的，除非上下文另有明確表示，否則單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)在說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，明確了存在所述特征、整體、步驟、操作、元件，和/或組件，但不排除存在或者增加一個或者更多其他的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。這里參照作為理想化的示例實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述示例實施例。如此，預(yù)計會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的示出的形狀的變化。因此，示例實施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是應(yīng)該包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的變形。例如，所示為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊緣通常具有圓形或者彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，通過注入形成的埋置區(qū)域可導(dǎo)致在埋置區(qū)域和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中出現(xiàn)一定程度的注入。因此，在圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。除非另有定義，否則在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還應(yīng)該理解的是，除非這里明確定義，否則諸如在通用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)被解釋為意思與他們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的意思是一致，且不應(yīng)理想化或過于正式地解釋它們。以下將參照附圖更加詳細地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例。本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式來實施，且不應(yīng)被解釋為局限于這里闡述的示例實施例。相反，提供這些示例實施例使得該公開將是徹底和完整的，并將把本發(fā)明構(gòu)思的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的大小。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層(或膜)被稱為“在”另一層或基板“上”時，它可以直接在另一層或基板上，或者也可以存在中間層。此外，應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱為“在”另一層“之下”時，它可以直接位于之下，或者也可以存在一個或者多個中間層。此外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱為“在”兩層“之間”時，它可以是在所述兩層之間的唯一的層，或者也可以是存在一個或多個中間層。相同的標(biāo)號始終指示相同的元件。<實施例1>圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一示例實施例(實施例1)的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。圖2是沿圖1的11-11’線截取的剖視圖。參照圖1和圖2，實施例1的半導(dǎo)體封裝件300包括電路基板100和安裝在電路基板100上的半導(dǎo)體芯片200。電路基板100包括基礎(chǔ)基板1?；A(chǔ)基板1可以由雙馬來酰亞胺三嗪樹月旨(Bismaleimidetriazineresin)、氧化招基陶瓷(aluminabasedceramic)、玻璃基陶瓷(glassbasedceramic)、或者娃(silicon)形成?；A(chǔ)基板1包括第一側(cè)面加和與第一側(cè)面加面對的第二側(cè)面2b?；A(chǔ)基板1包括穿過第一側(cè)面加和第二側(cè)面2b的通孔5。金屬板3設(shè)置于第一側(cè)面加和第二側(cè)面2b上，種子層7設(shè)置在金屬板3和通孔5上。金屬板3可以是銅板。例如，種子層7可以由非電鍍圖案形成。電鍍圖案9a、9b、9c和9d設(shè)置在種子層7上。電鍍圖案9a、9b、9c和9c!可以包括基板連接端子9a，通孔金屬圖案％，電路金屬圖案9c和球連接盤(ballland)9d。基板連接端子9a設(shè)置在第一側(cè)面加上并電連接至半導(dǎo)體芯片200的芯片連接端子122。通孔金屬圖案％設(shè)置為覆蓋通孔5的內(nèi)側(cè)壁。電路金屬圖案9c設(shè)置在第一側(cè)面加上并和基板連接端子9a電連接，以傳遞信號。球連接盤9d設(shè)置在第二側(cè)面2b上，外部焊球40附著在球連接盤9d上。種子層7和電鍍圖案9a、9b、9c和9d可以包含銅。第一基板絕緣層13設(shè)置在第一側(cè)面加上，第二基板絕緣層17設(shè)置在第二側(cè)面2b上。第一基板絕緣層13和第二基板絕緣層17可以對應(yīng)于阻焊層，且可以由光敏的光致抗蝕劑層形成。第一基板絕緣層13包括暴露基板連接端子9a的基板連接端子開口15a。第一基板絕緣層13還可以包括虛設(shè)基板開口(dummysubstrateopening)15b禾口15c。虛設(shè)基板開口1禾口15c可包括通孔虛設(shè)開口1和電路虛設(shè)開口15c，通孔虛設(shè)開口1暴露通孔金屬圖案9b的預(yù)定部分，電路虛設(shè)開口15c暴露電路金屬圖案9c的預(yù)定部分。本示例實施例的電路虛設(shè)開口15c具有在平面上的矩形線形式，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此，因此，電路虛設(shè)開口15c可以具有沿著電路金屬圖案9c的多種平面形式。第二基板絕緣層17可以包括暴露球連接盤9d的球連接盤開口19。虛設(shè)基板開口1和15c填充有虛設(shè)焊料132b和132c。虛設(shè)焊料132b和132c包括通孔虛設(shè)焊料132b和電路虛設(shè)焊料132c。通孔虛設(shè)焊料132b填充通孔虛設(shè)開口15b，電路虛設(shè)焊料132c填充電路虛設(shè)開口15c。在電路基板100上設(shè)置半導(dǎo)體芯片200。在半導(dǎo)體芯片200的底表面處設(shè)置芯片連接端子122。在半導(dǎo)體芯片200的底表面處安裝具有暴露芯片連接端子122的芯片連接端子開口13的芯片絕緣層124。芯片連接端子122設(shè)置在與基板連接端子9a重疊的部分。在芯片連接端子122與基板連接端子9a之間設(shè)置內(nèi)部焊球133以便于內(nèi)部焊球133將芯片連接端子122電連接至基板連接端子9a。虛設(shè)焊料132b和132c可由與內(nèi)部焊球133相同的材料形成，所述相同的材料可以是金屬，例如Pb、Sn、In、Bi、Sb、Ag或者它們的混合物。樹脂層131設(shè)置在芯片絕緣層IM和第一基板絕緣層13之間，以保護內(nèi)部焊球133。在芯片絕緣層124中在與虛設(shè)焊料132b和132c疊置的位置沒有設(shè)置開口。成型層42可以覆蓋在電路基板100上的半導(dǎo)體芯片200。圖3到圖8、圖9A、10A和圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的具有圖2的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖。參照圖3，準(zhǔn)備具有第一側(cè)面加和與第一側(cè)面加面對的第二側(cè)面2b的基礎(chǔ)基板1。將金屬板3堆疊在基礎(chǔ)基板1的第一側(cè)面加和第二側(cè)面2b上?？梢酝ㄟ^結(jié)合和/或壓緊的方法將金屬板3固定在基礎(chǔ)基板1上。金屬板3可以是銅板。可以執(zhí)行半蝕刻工藝以減小金屬板3的厚度。參照圖4，通過蝕刻和鉆孔工藝形成穿過金屬板3和基礎(chǔ)基板1的通孔5。參照圖5，在具有通孔5的基礎(chǔ)基板1上形成種子層7?？梢酝ㄟ^非電鍍方法形成種子層7。種子層7可以含有銅。將種子層7形成為覆蓋在第一側(cè)面加和第二側(cè)面2b上的金屬板3以及通孔5的內(nèi)側(cè)壁上。參照圖6，在種子層7上形成電鍍層9?？赏ㄟ^電鍍覆方法形成電鍍層9。電鍍層9可以包含銅。在種子層7上形成電鍍層9，從而在通孔5的內(nèi)側(cè)壁上也形成電鍍層9。參照圖7，在電鍍層9上覆蓋干膜，在干膜上執(zhí)行曝光和顯影工藝，以形成干膜掩模11。干膜掩模11可以形成為覆蓋通孔5。參照圖8，通過利用干膜掩模11作為蝕刻膜并蝕刻在干膜掩模11下的電鍍層9，從而形成基板連接端子9a，通孔金屬圖案9b，電路金屬圖案9c，和球連接盤9d。同時蝕刻在電鍍層9下的種子層7和金屬板3，從而暴露基礎(chǔ)基板1的表面。而后，去除干膜掩模11。可以通過濕蝕刻方法去除干膜掩模11。圖9B是圖9A的A部分的放大透視圖。參照圖9A和圖9B，在基礎(chǔ)基板1的第一側(cè)面加上形成第一基板絕緣層13，在第二側(cè)面2b上形成第二基板絕緣層17。作為阻焊層的基板絕緣層13和基板絕緣層17可以由光敏的光致抗蝕劑形成，且也可以通過光刻工藝(photolithographyprocess)形成。將第一基板絕緣層13形成為具有暴露基板連接端子9a的基板連接端子開口15a。將第一基板絕緣層13形成為包括虛設(shè)基板開口1和15c。虛設(shè)基板開口1和15c可以包括分別暴露通孔金屬圖案9b的預(yù)定部分和電路金屬圖案9c的預(yù)定部分的通孔虛設(shè)開口1和電路虛設(shè)開口15c?？梢詫㈦娐诽撛O(shè)開口15c形成為具有比電路金屬圖案9c的寬度W2寬的寬度W1，如圖9B所示。因此，通過電路虛設(shè)開口15c可以暴露基礎(chǔ)基板1的與電路金屬圖案9c的兩個側(cè)壁相鄰的表面。此外，可以暴露電路金屬圖案9c的兩個側(cè)面?？梢栽诘诙褰^緣層17中形成暴露球連接盤9d的球連接盤開口19。因此，可以完成電路基板100。圖IOB是圖IOA的B部分的放大剖視圖。參照圖10A、圖IOB和圖12，在電路基板100上涂覆包括焊料顆粒132和粘結(jié)樹脂130的混合物134。在混合物134中，可以以體積比約19到約55混合焊料顆粒132和粘結(jié)樹脂130。例如，焊料顆粒132的直徑可以為約0.1μm到約100μm。焊料顆粒132可以是諸如Cu、Pb、Sn、In、Bi、Sb、Ag以及它們的混合物的金屬的顆粒。粘結(jié)樹脂130可以具有焊劑的功能(fluxfunction)0一旦加熱粘結(jié)樹脂130，粘結(jié)樹脂130可以具有去除在焊料顆粒132的表面上的氧化層的功能。粘結(jié)樹脂130可以具有粘結(jié)功能。例如，粘結(jié)樹脂130可以是環(huán)氧基樹脂，作為更詳細的示例，粘結(jié)樹脂130可以包含雙酚A(bisphenolΑ)和3-氯-1，2-環(huán)氫氧丙烷(印ichlorohydrin)等。混合物134還可以包含還原劑、形變齊IJ、溶劑和/或硬化劑。硬化劑可以是硅類、酚類、酸酐類和胺類?；旌衔?34還可包含熱凝劑、熱塑劑和/或UV硬化材料。和上面相同，在涂覆混合物134之后，在混合物134上設(shè)置半導(dǎo)體芯片200。而后，加熱電路基板100。此時，按照高于焊料顆粒132的熔點的溫度加熱電路基板100。加熱后的粘結(jié)樹脂130可以去除焊料顆粒132的表面上的氧化層。此外，混合物134可以包含形變劑，形變劑可以抑制在混合物134中產(chǎn)生氣體，從而形變劑有助于焊料顆粒132在金屬表面上展現(xiàn)浸潤特性。粘結(jié)樹脂130在粘結(jié)樹脂130的溶劑因加熱工藝而蒸發(fā)之后硬化，從而可以形成樹脂層131。此外，如圖10Β所示，在粘結(jié)樹脂130中沿虛線箭頭流動的焊料顆粒132移動至并附著到分別暴露于開口15a、15b和15c的金屬圖案(即，基板連接端子9a的表面、通孔金屬圖案9b的表面、電路金屬圖案9c的表面和芯片連接端子122的表面)。因此，在芯片連接端子122和基板連接端子9a之間形成內(nèi)部焊球133。同時，沒有變成將基板連接端子9a與芯片連接端子122連接的內(nèi)部焊球133且余留在外圍區(qū)域上的焊料顆粒132變成分別填充通孔虛設(shè)開口1和電路虛設(shè)開口15c的通孔虛設(shè)焊料132b和電路虛設(shè)焊料132c。由于如圖9B所示地以比電路金屬圖案9c的寬度W2寬的寬度Wl來形成電路虛設(shè)開口15c，所以焊料顆粒132附著到暴露的電路金屬圖案9c的頂表面和兩個側(cè)壁。相應(yīng)地，因為將電路虛設(shè)開口15c形成為具有比電路金屬圖案9c的寬度W2寬的寬度W1，所以焊料顆粒132附著到電路金屬圖案9c上的面積擴大。因此，可以解決諸如因余留的焊料顆粒導(dǎo)致的電短路和漏電流的限制，從而提供可靠的半導(dǎo)體封裝件。此外，因為在虛設(shè)開口15b和15c中形成虛設(shè)焊料132b和132c來填充虛設(shè)開口1和15c，所以它們沒有過量地突出到第一基板絕緣層13的頂表面。因此，與在基板絕緣層上設(shè)置虛設(shè)焊料而沒有虛設(shè)開口的情況相比，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思，虛設(shè)焊料132b和132c的頂表面變得遠離半導(dǎo)體芯片200。結(jié)果，可減輕諸如因耦合效應(yīng)引起的信號干擾的影響。因此，可以實現(xiàn)可靠的半導(dǎo)體封裝件。接著，可以通過成型工藝形成成型層42。圖IlA是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的具有圖2的剖面的半導(dǎo)體封裝件的制造剖視圖。圖IlB是圖IlA的C部分的放大剖視圖。參照圖11A，圖IlB和圖12，混合多層134a(混合多層13可以被稱為焊料箔)設(shè)置在圖9A的電路基板100上?；旌隙鄬?3包括焊料顆粒層13和粘結(jié)樹脂層130a，焊料顆粒層13由焊料顆粒132(將參照圖IOA來描述)形成，粘結(jié)樹脂層130a由設(shè)置在焊料顆粒層13的兩側(cè)面上的粘結(jié)樹脂130(將參照圖IOA來描述)形成。此外，在混合多層13上設(shè)置半導(dǎo)體芯片200。加熱電路基板100。粘結(jié)樹脂層130a在其溶劑通過加熱工藝而蒸發(fā)之后硬化，從而可形成樹脂層131。此外，如圖IlB所示，在粘結(jié)樹脂層130a中沿虛線箭頭流動的焊料顆粒層13移動至并附著到暴露于開口1如、1恥和15c的金屬圖案(即，基板連接端子9a的表面、通孔金屬圖案9b的表面、電路金屬圖案9c的表面和芯片連接端子122的表面)。因此，在芯片連接端子122和基板連接端子9a之間形成內(nèi)部焊球133。同時，沒有變成將基板連接端子9a與芯片連接端子122連接的內(nèi)部焊球133且余留在外圍區(qū)域上的焊料顆粒層13變成分別填充通孔虛設(shè)開口1和電路虛設(shè)開口15c的通孔虛設(shè)焊料132b和電路虛設(shè)焊料132c。因此，可以解決諸如因余留的焊料顆粒導(dǎo)致的電短路和漏電流的限制，從而可以提供可靠的半導(dǎo)體封裝件。此外，可以使用混合多層13來執(zhí)行用于更簡單的倒裝芯片鍵合的自組裝焊料鍵合工藝(self-assemblysolderbondingprocess)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，因為電路虛設(shè)開口15c形成用于暴露電路金屬圖案的預(yù)定部分(即，信號傳輸路徑)，所以可以不需要專門形成虛設(shè)金屬圖案。因此，可以不需要改變電路基板的信號布線設(shè)計。因此，在不改變電路基板的信號布線設(shè)計的情況下，僅在期望的位置形成基板絕緣層的電路虛設(shè)開口，就可以實現(xiàn)可靠的半導(dǎo)體封裝件。<實施例2>圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第二示例實施例(實施例2)的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。圖14A是沿圖13的XIVA-XIVA，線截取的剖視圖。圖14B是沿圖13的XIVB-XIVB，線截取的剖視圖。參照圖13、圖14A和圖14B，在根據(jù)實施例2的半導(dǎo)體封裝件301中，在電路基板101的第一側(cè)面加上另外設(shè)置基板虛設(shè)金屬圖案9f和凹進金屬圖案9e?；逄撛O(shè)金屬圖案9f可以設(shè)置在兩個相鄰的基板連接端子9a之間。凹進區(qū)域如形成在電路基板101的基礎(chǔ)基板1中，凹進金屬圖案9e設(shè)置在凹進區(qū)域fe中，從而填充凹進區(qū)域fe。凹進金屬圖案9e可以設(shè)置在兩個相鄰的基板連接端子9a之間和兩個相鄰的基板虛設(shè)金屬圖案9f之間?；逄撛O(shè)金屬圖案9f和凹進金屬圖案9e的位置不限于此，且可以進行改變。第一基板絕緣層13設(shè)置在第一側(cè)面加上?；暹B接端子開口1和虛設(shè)開口15b、15c、lk*15fB成在第一基板絕緣層13中。虛設(shè)開口Mb、15C、lk和15f可以包括通孔虛設(shè)開口15b，電路虛設(shè)開口15c，凹進虛設(shè)開口1和基板虛設(shè)開口15f，其中，通孔虛設(shè)開口1暴露通孔金屬圖案9b的預(yù)定部分，電路虛設(shè)開口15c暴露電路金屬圖案9c的預(yù)定部分，凹進虛設(shè)開口1暴露凹進金屬圖案9e的預(yù)定部分，基板虛設(shè)開口15f暴露基板虛設(shè)金屬圖案9f的預(yù)定部分。虛設(shè)開口Mb、15C、lk和15f可以分別填充有通孔虛設(shè)焊料132b，電路虛設(shè)焊料132c，凹進虛設(shè)焊料132e，基板虛設(shè)焊料132f。除此之外的構(gòu)造與實施例1的構(gòu)造相同/相似。圖15A到圖19A是示出具有圖14A的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖。圖15B到圖19B是示出具有圖14B的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖。參照圖15A和圖15B，準(zhǔn)備包括第一側(cè)面加和與第一側(cè)面加面對的第二側(cè)面2b的基礎(chǔ)基板1?？梢栽诨A(chǔ)基板1的第一側(cè)面加和第二側(cè)面2b上堆疊金屬板3。金屬板3可以是銅板?？梢詧?zhí)行半蝕刻工藝來減小金屬板3的厚度。通過蝕刻和鉆孔工藝形成穿過金屬板3和基礎(chǔ)基板1的通孔5。此時，通過去除金屬板3和基礎(chǔ)基板1的預(yù)定部分形成凹進區(qū)域如?？梢酝瑫r或分別形成通孔5和凹進區(qū)域fe。參照圖16A和圖16B，在具有通孔5和凹進區(qū)域fe的基礎(chǔ)基板1上形成種子層7?？梢酝ㄟ^非電鍍方法形成種子層7。種子層7可以包括銅。將種子層7形成為覆蓋第一側(cè)面加和第二側(cè)面2b、通孔5的內(nèi)側(cè)壁、凹進區(qū)域fe的內(nèi)側(cè)壁和底部上的金屬板3。在種子層7上形成電鍍層9?？赏ㄟ^電鍍方法形成電鍍層9。電鍍層9可以包含銅。因為在種子層7上形成電鍍層9，所以在通孔5的內(nèi)側(cè)壁和凹進區(qū)域fe的內(nèi)側(cè)壁和底部上形成電鍍層9。參照圖17A和圖17B，通過利用干膜掩模作為蝕刻掩模蝕刻電鍍層9形成基板連接端子9a、通孔金屬圖案％、電路金屬圖案9c、球連接盤9d、凹進金屬圖案9e和基板虛設(shè)金屬圖案9f。同時蝕刻在電鍍層9下的種子層7和金屬板3，從而暴露基礎(chǔ)基板1的表面。而后，去除干膜掩模。圖18C是圖18A的D部分的放大透視圖。參照圖18A、圖18B和圖18C，在基礎(chǔ)基板1的第一側(cè)面加上形成第一基板絕緣層13，在基礎(chǔ)基板1的第二側(cè)面2b上形成第二基板絕緣層17。作為阻焊層的基板絕緣層13和17可以由光敏的光致抗蝕劑形成，且也可以通過光刻工藝形成。將第一基板絕緣層13形成為具有暴露基板連接端子9a的基板連接端子開口15a。將第一基板絕緣層13形成為具有包括虛設(shè)基板開口15b、15c、Me和15f。虛設(shè)基板開口15b、15c、Me和15f可以包括分別暴露通孔金屬圖案9b的預(yù)定部分、電路金屬圖案9c的預(yù)定部分、凹進金屬圖案9e的預(yù)定部分和基板虛設(shè)金屬圖案9f的預(yù)定部分的通孔虛設(shè)開口15b、電路虛設(shè)開口15c、凹進虛設(shè)開口1和基板虛設(shè)開口15f。如圖18C所示，可以將基板虛設(shè)開口15f形成為具有比基板虛設(shè)金屬圖案9f的寬度W4寬的寬度W3。因此，可以通過基板虛設(shè)開口15f來暴露基礎(chǔ)基板1的與基板虛設(shè)金屬圖案9f的兩側(cè)壁相鄰的表面。此外，可以暴露基板虛設(shè)金屬圖案9f的三個側(cè)面?？梢栽诘诙褰^緣層17中形成暴露球連接盤9d的球連接盤開口19。至此，可以完成電路基板101。參照圖19A和圖19B，在電路基板101上涂覆包括焊料顆粒132和粘結(jié)樹脂130的混合物134。在涂覆混合物134之后，在混合物134上設(shè)置半導(dǎo)體芯片200。而后，加熱電路基板101。此時，按照高于焊料顆粒132的熔點的溫度加熱電路基板101。因此，參照圖14A和圖14B，粘結(jié)樹脂130在粘結(jié)樹脂130的溶劑通過加熱工藝而蒸發(fā)之后硬化，從而可以形成樹脂層131。此外，在粘結(jié)樹脂130中流動的焊料顆粒132移動至并附著到暴露于開口15a、15b、15c、15e和15f的金屬圖案(即，基板連接端子9a的表面、通孔金屬圖案9b的表面、電路金屬圖案9c的表面、凹進金屬圖案9e的表面、虛設(shè)金屬圖案9f的表面和芯片連接端子122的表面)。因此，在芯片連接端子122和基板連接端子9a之間形成內(nèi)部焊球133。同時，沒有變成將基板連接端子9a與芯片連接端子122連接的內(nèi)部焊球133且仍然留在周圍區(qū)域上的焊料顆粒132變成分別填充虛設(shè)開口15b、15c、15e、和15f的通孔虛設(shè)焊料132b、電路虛設(shè)焊料132c、凹進虛設(shè)焊料13和基板虛設(shè)焊料132f。如參照圖IlA所描述的，可以使用混合多層來執(zhí)行自組裝焊料鍵合工藝。其形成工藝可以與實施例1的形成工藝相同/類似。在本示例實施例中，根據(jù)基板虛設(shè)金屬圖案和凹進金屬圖案的添加，電路基板的信號布線設(shè)計發(fā)生了改變。然而，根據(jù)本示例實施例，因為虛設(shè)開口形成在第一基板絕緣層中以允許虛設(shè)焊料填充虛設(shè)開口，所以可以實現(xiàn)在實施例1中描述的可靠的半導(dǎo)體封裝件。<實施例3>圖20是根據(jù)第三示例實施例(實施例3)的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。參照圖20，關(guān)于根據(jù)實施例3的半導(dǎo)體封裝件302，芯片連接端子122和芯片虛設(shè)金屬圖案1設(shè)置在安裝于電路基板102上的半導(dǎo)體芯片200的底表面處。而后，包括暴露芯片連接端子122的芯片連接端子開口13和暴露芯片虛設(shè)金屬圖案126的芯片虛設(shè)開口135g的芯片絕緣層IM設(shè)置在半導(dǎo)體芯片200的底表面處。芯片虛設(shè)開口135g填充有芯片虛設(shè)焊料132g。這可以是本示例實施例的特征。選擇性地，具有基板虛設(shè)金屬圖案132f和暴露基板虛設(shè)金屬圖案132f的基板虛設(shè)開口15f的第一基板絕緣層13可以設(shè)置在電路基板102上。芯片虛設(shè)開口135g和基板虛設(shè)開口15f的位置可以不相互疊置。第一基板絕緣層13不會暴露電路金屬圖案9c和通孔金屬圖案％。與實施例2(實施例2中的通孔5填充有通孔虛設(shè)焊料132b)不同，跟據(jù)本示例實施例，通孔5可以填充有導(dǎo)電膠21。本示例實施例的電路基板102可以被實施例1的電路基板100替代。除此之外的構(gòu)造和生產(chǎn)方法可以與實施例1的構(gòu)造和生產(chǎn)方法相同/相似?！磳嵤├?>圖21是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第四示例實施例(實施例4)的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。參照圖21，關(guān)于根據(jù)本示例實施例的半導(dǎo)體封裝件303，突起(bump)128附著在芯片連接端子122上，芯片連接端子122設(shè)置在半導(dǎo)體芯片200的底表面處，半導(dǎo)體芯片200安裝在電路基板103上。將基板連接端子9a和芯片連接端子122電連接的內(nèi)部焊球133形成為覆蓋突起128的至少一個側(cè)面。內(nèi)部焊球133可以覆蓋突起128的底部。在半導(dǎo)體封裝件303的形成工藝中的自組裝焊料鍵合工藝期間，暴露突起128的側(cè)面和底部，從而焊料顆粒附著的面積增加。因此，可以改善內(nèi)部焊球133和突起1之間的粘結(jié)性。此外，因突起128的高度而可以均勻地保持半導(dǎo)體芯片200和電路基板103之間的間隔。因此，可以實現(xiàn)可靠的半導(dǎo)體封裝件。在本示例實施例中，電路基板103可以與實施例2的電路基板101相同。除此之外的構(gòu)造和制造方法可以與實施例1到實施例3的構(gòu)造和制造方法相同/相似?！磳嵤├?>圖22是根據(jù)第五示例實施例(實施例幻的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。參照圖22，關(guān)于實施例5的半導(dǎo)體封裝件304，兩個以上的半導(dǎo)體芯片200和201堆疊和安裝在電路基板104上。即，下部半導(dǎo)體芯片201堆疊在電路基板104上，而上部半導(dǎo)體芯片202堆疊在下部半導(dǎo)體芯片201上。穿過內(nèi)部的過孔142可形成于下部半導(dǎo)體芯片201中。接觸過孔142的底部的第一下部芯片連接端子146和暴露第一下部芯片連接端子146的第一下部芯片絕緣層148設(shè)置在下部半導(dǎo)體芯片201的底表面處。接觸過孔142的頂部的第二下部芯片連接端子144和暴露第二下部芯片連接端子144的第二下部芯片絕緣層149設(shè)置在下部半導(dǎo)體芯片201的頂表面上。上部芯片連接端子122和上部芯片虛設(shè)金屬圖案1設(shè)置在上部半導(dǎo)體芯片202的底部處。此外，暴露上部芯片連接端子122和上部芯片虛設(shè)金屬圖案126的上部芯片絕緣層IM設(shè)置在上部半導(dǎo)體芯片202的底部處。上部芯片虛設(shè)焊料152g附著至上部芯片虛設(shè)金屬圖案126。第一內(nèi)部焊球133設(shè)置在電路基板104的基板連接端子9a和第一下部芯片連接端子146之間。第二內(nèi)部焊球15設(shè)置在上部芯片連接端子122和第二下部芯片連接端子144之間。本示例實施例的電路基板104可以與如圖14所示的電路基板101相同/相似。此夕卜，芯片虛設(shè)金屬圖案1設(shè)置在半導(dǎo)體芯片202的底表面上，但是可以設(shè)置在下部半導(dǎo)體芯片201的頂表面或底表面處。當(dāng)芯片虛設(shè)金屬圖案1設(shè)置在下部半導(dǎo)體芯片201的底表面處時，它可以設(shè)置在不與電路基板104的虛設(shè)開口15a、15b、15c和15f疊置的位置處。圖23到圖沈是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的具有圖22的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖。參照圖23，在電路基板104上設(shè)置第一混合多層13乜。第一混合多層13包括由圖IOA中的焊料顆粒132形成的第一焊料顆粒層13和設(shè)置在第一焊料顆粒層13的兩側(cè)處并由圖IOA中的粘結(jié)樹脂130形成的第一粘結(jié)樹脂層130a。此外，在第一混合多層134a上設(shè)置下部半導(dǎo)體芯片201。參照圖M，加熱電路基板104。第一粘結(jié)樹脂層130a在第一粘結(jié)樹脂層130a的溶劑因加熱工藝而蒸發(fā)之后硬化，從而可以形成第一樹脂層131。第一焊料顆粒層13移動到且附著至暴露于粘結(jié)樹脂層130a中的開口1、巧b、15c和15f的金屬圖案(S卩，基板連接端子9a的表面、通孔金屬圖案9b的表面、電路金屬圖案9c的表面、基板虛設(shè)金屬圖案9f的表面和第一下部芯片連接端子146的表面)。因此，在第一下部芯片連接端子146和基板連接端子9a之間形成第一內(nèi)部焊球133。同時，沒有變成將基板連接端子9a與第一下部芯片連接端子146連接的第一內(nèi)部焊球133且余留在外圍區(qū)域上的焊料顆粒層13變成分別填充虛設(shè)開口15b、15c、和15f的通孔虛設(shè)焊料132b、電路虛設(shè)焊料132c和基板虛設(shè)焊料132f。參照圖25，在下部半導(dǎo)體芯片201上設(shè)置第二混合多層154。第二混合多層154包括第二焊料顆粒層152，由圖IOA的焊料顆粒132形成；第二粘結(jié)樹脂層150，設(shè)置在第二焊料顆粒層152的兩側(cè)處，并由圖IOA的粘結(jié)樹脂130形成。此外，在第二混合多層154上設(shè)置上部半導(dǎo)體芯片202。參照圖沈，加熱電路基板104。第二粘結(jié)樹脂層150在第二粘結(jié)樹脂層150的溶劑通過加熱工藝而蒸發(fā)之后硬化，從而可以形成第二樹脂層151。第二焊料顆粒層152移動到并附著至金屬圖案(即，第二下部芯片連接端子144的表面、上部芯片連接端子122的表面和上部芯片虛設(shè)金屬圖案1的表面)。因此，在第二下部芯片連接端子144和上部芯片連接端子122之間形成第二內(nèi)部焊球152a，在上部芯片虛設(shè)金屬圖案126中形成上部芯片虛設(shè)焊料152g。接下來，在附著外部焊球40和形成成型層42之后，可以完成具有圖22的剖面的半導(dǎo)體封裝件304。圖27是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的具有圖22的剖面的半導(dǎo)體封裝件的順序制造過程的制造剖視圖。參照圖27，在電路基板104上順序疊置第一混合多層134a、下部半導(dǎo)體芯片201、第二混合多層巧4和上部半導(dǎo)體芯片202。之后，加熱電路板104，從而可以更簡單地生產(chǎn)具有圖26的剖面的結(jié)構(gòu)。參照圖10A、圖IOB和圖12所描述的，雖然在本示例實施例的制造方法中使用混合多層，但是可以為了接下來的工藝而應(yīng)用混合物134。當(dāng)利用混合物134將下部半導(dǎo)體芯片201連接到上部半導(dǎo)體芯片202時，可以通過使混合物134硬化而使溶劑揮發(fā)時同時疊置下部半導(dǎo)體芯片201和上部半導(dǎo)體芯片202。在實施例1到實施例5中的半導(dǎo)體封裝件中，雖然在電路基板上安裝半導(dǎo)體芯片，外部焊球40附著到電路基板，但是電路基板本身可以相當(dāng)于母板，因而可以不附著外部焊球40。半導(dǎo)體封裝件技術(shù)可以應(yīng)用于多種半導(dǎo)體裝置和包括半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體模塊。圖觀是示出包括應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的封裝件模塊的示例的示圖。參照圖28，封裝件模塊1200可以包括半導(dǎo)體集成電路芯片1220和應(yīng)用半導(dǎo)體集成電路芯片的四面扁平封裝件(QFP)1230。當(dāng)在基板1210上安裝應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的半導(dǎo)體封裝件技術(shù)的半導(dǎo)體裝置1220和半導(dǎo)體裝置1230時，可以形成封裝件模塊1200。封裝件模塊1200可以通過在基板1210的一側(cè)處的外部連接端子1240連接到外部電子裝置。上面的半導(dǎo)體封裝件技術(shù)可以應(yīng)用于電子系統(tǒng)。圖四是示出包括應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的電子裝置的示例的框圖。參照圖四，電子系統(tǒng)1300可以包括控制器1310、如鍵區(qū)、鍵盤和顯示器的輸入/輸出裝置(或I/O)1320和存儲裝置1330?？梢酝ㄟ^總線1350結(jié)合控制器1310，輸入/輸出裝置1320和存儲裝置1330?？偩€1350是數(shù)據(jù)傳輸所通過的路徑。例如，控制器1310可以包括微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器、或者與它們相似的其他處理器中的至少一種。控制器1310和存儲裝置1330可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的半導(dǎo)體封裝件。輸入/輸出裝置1320可以包括鍵盤、鍵區(qū)或者顯示裝置。存儲裝置1330存儲數(shù)據(jù)。存儲裝置1330可以存儲由控制器1310執(zhí)行的數(shù)據(jù)和/或命令。存儲裝置1330可以包括易失性存儲裝置和/或非易失性存儲裝置?；蛘?，存儲裝置1330可以由閃速存儲器形成。例如，應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的閃速存儲器可以安裝在諸如移動裝置或臺式計算機的信息處理系統(tǒng)上。這樣的閃速存儲器可以包括半導(dǎo)體盤裝置(SSD)。在這種情況下，電子系統(tǒng)1300可以在閃速存儲器系統(tǒng)中穩(wěn)定地存儲大量數(shù)據(jù)。電子系統(tǒng)1300還可以包括用于將數(shù)據(jù)發(fā)送至網(wǎng)絡(luò)或從網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)的接口1340。接口1340可以是有線形式/無線形式。例如，接口1340可以包括天線或有線/無線收發(fā)器。雖然在附圖中未示出，但是對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，電子系統(tǒng)1300還可以包括應(yīng)用芯片組(applicationchipset)、相機圖像處理器(CIS)以及輸入/輸出裝置?？梢砸砸苿酉到y(tǒng)、個人計算機、工業(yè)計算機或執(zhí)行多種功能的系統(tǒng)來實現(xiàn)電子系統(tǒng)1300。例如移動系統(tǒng)可以是個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機、網(wǎng)絡(luò)平板機(webtablet)、移動電話、無線電話、膝上計算機、存儲卡、數(shù)字音樂系統(tǒng)或信息發(fā)送/接收系統(tǒng)。如果電子系統(tǒng)1300是用于無線通信的裝置，則電子系統(tǒng)1300可以使用第三代通信系統(tǒng)的通信界面協(xié)議，例如碼分多址(CDMA)、全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、增強時分多址(E-TDMA)、寬帶碼分多址(W-CDMA)和CDMA1000?？梢砸源鎯ǖ男问絹碓O(shè)置應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的半導(dǎo)體裝置。圖30是示出具有應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的存儲系統(tǒng)的框圖。參照圖30，存儲卡1400包括非易失性存儲裝置1410和存儲控制器1420。非易失性存儲裝置1410和存儲控制器1420可以存儲數(shù)據(jù)或讀取存儲的數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置1410可以包括至少一個應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)的非易失性存儲裝置。響應(yīng)于來自主機的讀/寫請求，存儲控制器1420可以控制閃速存儲器裝置1410讀取已存儲的數(shù)據(jù)或存儲數(shù)據(jù)。存儲卡1400可以與主機1430接口連接，主機1430可以利用存儲卡1400來存儲或取回數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，基板絕緣層和芯片絕緣層中的至少一個層包括虛設(shè)開口。在用于倒裝芯片鍵合的自組裝焊料鍵合工藝期間，通過利用沒有變成內(nèi)部焊球且因此余留在外圍區(qū)域上的焊料顆粒填充虛設(shè)開口來形成虛設(shè)焊料。因此，與在基板絕緣層上設(shè)置虛設(shè)焊料而沒有虛設(shè)開口的情況相比，根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，虛設(shè)焊料的頂表面沒有過量地突出，從而虛設(shè)焊料的頂表面變得遠離半導(dǎo)體芯片。結(jié)果，可以減小諸如因耦合效應(yīng)導(dǎo)致的信號干擾的影響。因此，可以解決例如因余留的焊料顆粒引起的電短路和泄露電流的限制，從而可以提供可靠的半導(dǎo)體封裝件。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，因為電路虛設(shè)開口形成為暴露電路金屬圖案的預(yù)定部分(即，信號傳輸路徑)，所以可以不需要專門形成虛設(shè)金屬圖案。因此，可以不需要改變電路基板的信號布線設(shè)計。因此，在不改變電路基板的信號線設(shè)計的情況下，僅在期望的位置上形成基板絕緣層的虛設(shè)開口，從而可以實現(xiàn)可靠的半導(dǎo)體封裝件。上面公開的主題應(yīng)該被認為是示意性的而非限制性的，并且權(quán)利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明構(gòu)思的真正的精神和范圍內(nèi)的所有這樣的修改、增強和其他的示例實施例。因此，在法律允許的最大程度上，本發(fā)明構(gòu)思的范圍是由權(quán)利要求及其等同物的最廣泛的可允許的解釋來確定的，而不應(yīng)被限制或受限于上述的詳細描述。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括電路基板，包括基礎(chǔ)基板、在基礎(chǔ)基板上的基板連接端子和在基礎(chǔ)基板上的基板絕緣層，基板絕緣層暴露基板連接端子；第一半導(dǎo)體芯片，位于電路基板上，第一半導(dǎo)體芯片包括芯片連接端子和芯片絕緣層，芯片絕緣層暴露芯片連接端子；內(nèi)部焊球，在基板連接端子和芯片連接端子之間，內(nèi)部焊球?qū)⒒暹B接端子電連接到芯片連接端子；虛設(shè)焊料，在虛設(shè)開口中，虛設(shè)開口在基板絕緣層和芯片絕緣層中的至少一個層中，虛設(shè)焊料不將第一半導(dǎo)體芯片電連接到電路基板。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，電路基板還包括通孔金屬圖案，通孔金屬圖案在穿透電路基板的通孔的內(nèi)側(cè)壁上，虛設(shè)開口在基板絕緣層中，虛設(shè)開口暴露通孔金屬圖案，虛設(shè)焊料接觸通孔金屬圖案，虛設(shè)焊料至少部分地填充通孔。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，電路基板還包括電路金屬圖案，電路金屬圖案電連接到基板連接端子，基板絕緣層包括虛設(shè)開口，虛設(shè)開口暴露電路金屬圖案。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，虛設(shè)開口的寬度寬于電路金屬圖案的寬度。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，電路基板還包括基板虛設(shè)金屬圖案，基板絕緣層包括虛設(shè)開口，虛設(shè)開口暴露基板虛設(shè)金屬圖案，虛設(shè)焊料接觸所述基板虛設(shè)金屬圖案。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，虛設(shè)開口的寬度寬于基板虛設(shè)金屬圖案的寬度。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，電路基板還包括凹進金屬圖案，凹進金屬圖案在電路基板的凹進區(qū)域的側(cè)壁和底部上，基板絕緣層包括虛設(shè)開口，虛設(shè)開口暴露凹進金屬圖案，虛設(shè)焊料接觸凹進金屬圖案，虛設(shè)焊料至少部分地填充凹進區(qū)域。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一半導(dǎo)體芯片還包括芯片虛設(shè)金屬圖案，虛設(shè)開口在芯片絕緣層中，虛設(shè)開口暴露芯片虛設(shè)金屬圖案，虛設(shè)焊料接觸芯片虛設(shè)金屬圖案。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一半導(dǎo)體芯片還包括突起，突起位于芯片連接端子上，所述內(nèi)部焊球覆蓋突起的至少一個側(cè)面。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一半導(dǎo)體芯片還包括穿透第一半導(dǎo)體芯片的過孔。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括第二半導(dǎo)體芯片，位于第一半導(dǎo)體芯片上，其中，第二半導(dǎo)體芯片電連接到過孔。12.一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法，該方法包括下述步驟形成包括基礎(chǔ)基板、在基礎(chǔ)基板上的基板連接端子和覆蓋基礎(chǔ)基板并暴露基板連接端子的基板絕緣層的電路基板；在電路基板上形成混合物層，混合物層包含粘結(jié)樹脂和多個焊料顆粒；在混合物層上設(shè)置第一半導(dǎo)體芯片，第一半導(dǎo)體芯片包括芯片連接端子和暴露芯片連接端子的芯片絕緣層；在基板連接端子和芯片連接端子之間形成內(nèi)部焊球；在虛設(shè)開口中形成虛設(shè)焊料，虛設(shè)開口在基板絕緣層和芯片絕緣層中的一個層中。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，焊料顆粒分散在粘結(jié)樹脂中。14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成混合物層的步驟包括設(shè)置包括由粘結(jié)樹脂形成的粘結(jié)樹脂層和由焊接顆粒形成的焊接顆粒層的混合多層。15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成內(nèi)部焊球的步驟包括將混合物層加熱到高于焊料顆粒的熔點的溫度。16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成電路基板的步驟包括準(zhǔn)備基礎(chǔ)基板；在基礎(chǔ)基板上形成基板連接端子；在基礎(chǔ)基板上形成基板絕緣層，將基板絕緣層形成為暴露基板連接端子。17.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括下述步驟在基礎(chǔ)基板上形成電路金屬圖案，其中，基板絕緣層包括虛設(shè)開口，虛設(shè)開口暴露電路金屬圖案。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，虛設(shè)開口的寬度比電路金屬圖案的寬度寬。19.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括下述步驟通過圖案化基礎(chǔ)基板來形成通孔；在通孔的側(cè)壁上形成通孔金屬圖案，其中，基板絕緣層包括虛設(shè)開口，虛設(shè)開口暴露通孔金屬圖案。20.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括下述步驟在基礎(chǔ)基板中形成凹進區(qū)域；形成覆蓋凹進區(qū)域的側(cè)壁和底部的凹進金屬圖案，其中，將基板絕緣層形成為具有暴露凹進金屬圖案的虛設(shè)開口。21.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括下述步驟在基礎(chǔ)基板上形成基板虛設(shè)金屬圖案，其中，將基板絕緣層形成為具有虛設(shè)開口，并將虛設(shè)開口形成為暴露基板虛設(shè)金屬圖案。22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，將虛設(shè)開口形成為具有比基板虛設(shè)金屬圖案的寬度寬的寬度。23.如權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括下述步驟在第一半導(dǎo)體芯片上形成上部混合物層；在上部混合物層上設(shè)置第二半導(dǎo)體芯片，第二半導(dǎo)體芯片包括上部芯片連接端子和暴露上部芯片連接端子的上部芯片絕緣層；在芯片連接端子和上部芯片連接端子之間形成上部內(nèi)部焊球。24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，同時執(zhí)行形成內(nèi)部焊球的步驟和形成上部內(nèi)部焊球的步驟。25.一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法，該方法包括下述步驟在半導(dǎo)體芯片的絕緣層和基板的絕緣層中的至少一個層中形成至少一個虛設(shè)開口；在基板和半導(dǎo)體芯片之間形成內(nèi)部焊球，內(nèi)部焊球?qū)雽?dǎo)體芯片的芯片連接端子電連接到基板的基板連接端子；在所述至少一個虛設(shè)開口中形成虛設(shè)焊料，虛設(shè)焊料不將基板電連接至半導(dǎo)體芯片。26.如權(quán)利要求25所述的方法，所述方法還包括下述步驟在基板上形成電路金屬圖案、通孔金屬圖案以及虛設(shè)基板金屬圖案中的至少一種圖案，其中，將所述至少一個虛設(shè)開口形成為暴露電路金屬圖案、通孔金屬圖案和虛設(shè)基板金屬圖案中的至少一種圖案。27.如權(quán)利要求25所述的方法，所述方法還包括下述步驟在基板上形成電路金屬圖案、通孔金屬圖案和虛設(shè)基板金屬圖案，其中，所述至少一個虛設(shè)開口是形成為暴露電路金屬圖案、通孔金屬圖案和虛設(shè)基板金屬圖案的多個虛設(shè)開口。28.如權(quán)利要求25所述的方法，所述方法還包括下述步驟在基板上形成混合物層，混合物層包含粘結(jié)樹脂和多個焊料顆粒，其中，通過加熱混合物層來同時形成內(nèi)部焊球和虛設(shè)焊料。29.如權(quán)利要求觀所述的方法，其中，焊料顆粒分散在粘結(jié)樹脂中。30.如權(quán)利要求觀所述的方法，其中，形成混合物層的步驟包括設(shè)置包括由粘結(jié)樹脂形成的粘結(jié)樹脂層和由焊料顆粒形成的焊料顆粒層的混合多層。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。該半導(dǎo)體封裝件包括電路基板、在電路基板上的半導(dǎo)體芯片、在電路基板和半導(dǎo)體芯片之間的內(nèi)部焊球以及填充電路基板的基板絕緣層和芯片絕緣層中的至少一個層中的虛設(shè)開口的虛設(shè)焊料。虛設(shè)焊料不將半導(dǎo)體芯片與基板電連接。電路基板可以包括基礎(chǔ)基板、在基礎(chǔ)基板上的基板連接端子和覆蓋基礎(chǔ)基板的基板絕緣層。半導(dǎo)體芯片可以包括芯片連接端子和暴露芯片連接端子的芯片絕緣層。內(nèi)部焊球可以設(shè)置在基板連接端子和芯片連接端子之間，以將電路基板電連接到半導(dǎo)體芯片。文檔編號H01L21/56GK102456658SQ20111029078公開日2012年5月16日申請日期2011年9月22日優(yōu)先權(quán)日2010年10月20日發(fā)明者金沅槿申請人:三星電子株式會社