專利名稱：陣列基板及其制作方法、使用該陣列基板的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、使用該陣列基板的顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器由于其具有功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛取代CRT顯示器，成為當(dāng)今主流顯示器。眾所周知，液晶顯示器主要包括彩膜基板、液晶層、陣列基板。彩膜基板與陣列基板相對(duì)設(shè)置，液晶層設(shè)置于彩膜基板與陣列基板之間。陣列基板中包括多個(gè)包括玻璃基板、 柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、柵極絕緣層、鈍化層、有機(jī)層、像素電極層等。所述液晶顯示器的制作過程如下先于玻璃基板上制作柵極線及薄膜晶體管的柵極，在柵極線和柵極上制作柵極絕緣層，在柵極和柵極絕緣層上制作有源層，然后在有源層上制作薄膜晶體管的源極、漏極以及數(shù)據(jù)線，再制作鈍化層和有機(jī)層，最后制作所述電極層，該電極層通過設(shè)置于鈍化層和有機(jī)層中的通孔與薄膜晶體管的漏極電性連接。上述液晶顯示器中，薄膜晶體管的源極和漏極設(shè)置于有源層上，源極的一端連接數(shù)據(jù)線、漏極的一端連接像素電極，而該有源層又設(shè)置于柵極上，因此，薄膜晶體管的源極和漏極中，連接數(shù)據(jù)線和像素電極的部分與設(shè)置于有源層上的部分之間具有較大的段差， 即所述薄膜晶體管形成一個(gè)“島”結(jié)構(gòu)。因此，設(shè)置于有源層上的部分源極與設(shè)置于柵極絕緣層上用于與數(shù)據(jù)線相連的部分源極之間很容易出現(xiàn)斷線風(fēng)險(xiǎn)，同理，設(shè)置于有源層上的部分漏極與設(shè)置于柵極絕緣層上用于與電極層相連的部分漏極之間也很容易出現(xiàn)斷線風(fēng)險(xiǎn)，造成單個(gè)像素的功能缺失，使所述液晶顯示器出現(xiàn)“黑點(diǎn)”。同時(shí)，數(shù)據(jù)線和柵極線在所述玻璃基板上多處交叉，在交叉點(diǎn)處，柵極線位于數(shù)據(jù)線下，柵極線與數(shù)據(jù)線通過柵極絕緣層絕緣開。設(shè)置于柵極和柵極絕緣層上的部分?jǐn)?shù)據(jù)線與僅設(shè)置于柵極絕緣層上的部分?jǐn)?shù)據(jù)線之間也具有段差，該段差的存在，也很容易造成數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷線風(fēng)險(xiǎn)，使單一數(shù)據(jù)線出現(xiàn)功能缺失，造成所述液晶顯示器出現(xiàn)“暗線”。另外，液晶顯示器中，需要設(shè)置有機(jī)層，以防止電極層與數(shù)據(jù)線或柵極線發(fā)生短接，該有機(jī)層是在制作完所述鈍化層之后，通過額外的工藝制作完成，其工藝繁瑣，生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可有效減少斷線、簡化制作工藝、降低生產(chǎn)成本、提高開口率及提升良品率的陣列基板。此外，還有必要提供一種上述陣列基板的制作方法。另外，還有必要提供一種使用上述陣列基板的顯示面板。一種陣列基板包括具有形成多個(gè)收容空間的第三表面的第二透明襯底和形成于第二透明襯底上的多個(gè)薄膜晶體管、多條數(shù)據(jù)線；該薄膜晶體管包括源極和漏極，位于同一列的多個(gè)薄膜晶體管的源極與同一數(shù)據(jù)線相連，并與該多個(gè)薄膜晶體管的漏極一并收容于該收容空間內(nèi)。本發(fā)明提供的陣列基板中，薄膜晶體管還包括有源層、柵極絕緣層、柵極，有源層設(shè)置于源極、漏極及第三表面上，并至少覆蓋源極、源極和漏極之間的第三表面、漏極的一部分；柵極絕緣層和柵極依次重疊設(shè)置柵極絕緣層上。本發(fā)明提供的陣列基板中，陣列基板還包括多條柵極線、絕緣層，位于同一行的多個(gè)薄膜晶體管的柵極連接至同一條柵極線；該薄膜晶體管的源極和漏極沿平行于該柵極線的延伸方向間隔設(shè)置于第三表面上；該多條柵極線分別與多條數(shù)據(jù)線相互交叉定義出多個(gè)第二間隔區(qū)域，并在交叉處通過絕緣層絕緣開；絕緣層至少覆蓋于該多條數(shù)據(jù)線上。本發(fā)明提供的陣列基板中，第二透明襯底還具有第二表面，絕緣層和柵極絕緣層收容于收容空間內(nèi)，絕緣層的表面和柵極絕緣層的表面均與第二表面在同一平面內(nèi)。本發(fā)明提供的陣列基板中，像素電極形成于絕緣層和第二表面上，并覆蓋第二間隔區(qū)域；柵極線設(shè)置于第二表面和絕緣層上。本發(fā)明提供的陣列基板中，多個(gè)像素電極、多條柵極線、多個(gè)柵極由同種透明導(dǎo)電材料在同一制程中一并制成；絕緣層、柵極絕緣層采用與第二透明襯底具有相同或相似光學(xué)性能的材料在同一制程中一并制成；有源層和柵極絕緣層完全覆蓋源極和漏極、以及位于源極和漏極之間的第三表面；柵極絕緣層和有源層上設(shè)置有通孔，該通孔與漏極遠(yuǎn)離源極的一端對(duì)應(yīng)，該像素電極通過該通孔與漏極遠(yuǎn)離源極的一端電性連接。本發(fā)明提供的陣列基板中，第二表面為一平整且光滑的平面，多個(gè)第三表面均與第二表面鄰接；多個(gè)像素電極、多條柵極線、多個(gè)柵極由同種透明導(dǎo)電材料在同一制程中一并制成，其表面位于一與第二表面平行的平面內(nèi)；絕緣層、柵極絕緣層采用與第二透明襯底具有相同或相似光學(xué)性能的材料在同一制程中一并制成；漏極的一端延伸至第二表面，其端面與第二表面位于同一平面上；多個(gè)像素電極通過該端面與漏極電性連接；像素電極在第二表面上的投影與數(shù)據(jù)線在第二表面上的投影具有部分重合；多條柵極線之間相互平行，且任意兩條柵極線之間具有相同的間距；多條數(shù)據(jù)線之間相互平行，且任意兩條數(shù)據(jù)線之間具有相同的間距。一種使用如上所述陣列基板的顯示面板包括彩膜基板、陣列基板、功能層，彩膜基板與陣列基板相對(duì)設(shè)置，且兩者之間具有一間隔，用于收容該功能層；彩膜基板包括具有第一表面的第一透明襯底、形成于第一表面上的黑色矩陣、彩色膜層、公共電極層，第一表面與第二表面平行間隔設(shè)置，黑色矩陣在第一表面上定義出多個(gè)第一間隔區(qū)域，多個(gè)第一間隔區(qū)域分別與多個(gè)第二間隔區(qū)域一一對(duì)應(yīng)，彩色膜層形成于第一間隔區(qū)域所在的第一表面上，公共電極層覆蓋于彩色膜層和黑色矩陣上。一種陣列基板的制作方法包括下列步驟提供一具有形成多個(gè)收容空間的第三表面的第二透明襯底；在該第三表面上形成多個(gè)薄膜晶體管的源極、漏極以及多條數(shù)據(jù)線，并使該多個(gè)薄膜晶體管的源極、漏極以及多條數(shù)據(jù)線收容于該收容空間內(nèi)。本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，還包括以下步驟在第三表面、多個(gè)源極及多個(gè)漏極上形成有源層，并使該有源層至少覆蓋該源極、源極和漏極之間的第三表面、以及該漏極的一部分；在有源層上形成柵極絕緣層，并同時(shí)在數(shù)據(jù)線上形成絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵極，并同時(shí)在絕緣層上和第二表面上形成像素電極和柵極線。
本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，還包括以下步驟在該柵極絕緣層、有源層上設(shè)置通孔，并使該通孔與所述漏極遠(yuǎn)離所述源極的一端對(duì)應(yīng)，該像素電極通過該通孔與漏極電性連接；該通孔被經(jīng)過與柵極線平行且與第二表面垂直的平面所截的圖形為等腰梯形。本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，形成多個(gè)收容空間的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第二表面上涂布一第一光刻膠層；利用一第一掩膜對(duì)第一光刻膠層進(jìn)行曝光處理； 對(duì)曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案；利用刻蝕液在規(guī)定時(shí)間內(nèi)對(duì)未覆蓋第一光刻膠層的第二透明襯底進(jìn)行刻蝕，得到多個(gè)收容空間，形成多個(gè)收容空間的第二透明襯底的表面為第二表面；去掉第一光刻膠層中剩余的光刻膠。本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，形成該數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極、多個(gè)漏極的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第二透明襯底的第三表面上形成一第一導(dǎo)電層；在第一透明導(dǎo)電層上涂布一第二光刻膠層；利用上述第二掩膜對(duì)第二光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第二掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第二光刻膠層的第一導(dǎo)電膜層部分；去掉第二光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極和漏極。本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，形成該有源層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟 在第三表面、多個(gè)源極、多個(gè)漏極上形成一半導(dǎo)體層；在該半導(dǎo)體層上涂布一第三光刻膠層；利用一第三掩膜對(duì)第三光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第三光刻膠層進(jìn)行顯影處理， 得到與第三掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第三光刻膠層的半導(dǎo)體層部分；去掉第三光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成有源層。本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，形成該柵極絕緣層和絕緣層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在數(shù)據(jù)線、有源層、第二表面形成一第一絕緣層；在該第一絕緣層上涂布一第四光刻膠層；利用上述第一掩膜對(duì)第四光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第四光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第四光刻膠層的第一絕緣層部分；去掉第四光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成絕緣層和柵極絕緣層。本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，形成像素電極、柵極、柵極線的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在柵極絕緣層、絕緣層、第二表面上形成一第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上涂布一第六光刻膠層；利用一第六掩膜對(duì)第六光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第六光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第六掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第六光刻膠層的第二導(dǎo)電層部分；去掉第六光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成多條柵極線、多個(gè)柵極及多個(gè)像素電極。本發(fā)明提供的陣列基板制作方法中，漏極遠(yuǎn)離源極的一端延伸至第二表面，其具有一與第二表面位于同一平面內(nèi)的端面；像素電極通過該端面與漏極電性連接。本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法、以及使用該陣列基板的顯示面板中，絕緣層設(shè)置于數(shù)據(jù)線之上，且其表面與第二表面位于同一平面內(nèi)，使設(shè)置于其上的柵極線的一部分和像素電極的一部分與設(shè)置于第二表面上的柵極線的另一部分和像素電極的另一部分之間沒有段差，因此，可以防止像素電極出現(xiàn)斷層、柵極線出現(xiàn)斷線，防止顯示面板出現(xiàn)顯示缺陷，提高良品率。另外，由于不需要制作現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)層和鈍化層，因此可以簡化工藝，節(jié)省成本，同時(shí)提高良品率。同時(shí)，柵極、柵極線、像素電極采用同種材料在同一制成中制作而成， 且該三者的表面在同一平面內(nèi)，不僅可簡化制作工藝，還可使顯示面板具有均一的盒厚，獲得良好的顯示效果。所述絕緣層與柵極絕緣層采用同種材料在同一工藝中制成，可消除所述絕緣層和柵極絕緣層與第二透明襯底之間的光學(xué)差異，獲得良好的外觀。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中圖1為本發(fā)明提供的一較佳實(shí)施方式的顯示面板的示意圖。圖2為圖1所示顯示面板的彩膜基板的示意圖。圖3為圖1所示顯示面板中陣列基板的第一較佳實(shí)施方式的局部示意圖。圖4為圖3所示陣列基板沿A-A方向的一較佳實(shí)施方式截面示意圖。圖5為圖3所示陣列基板沿B-B方向的一較佳實(shí)施方式截面示意圖。圖6為圖1所示顯示面板中陣列基板的第二較佳實(shí)施方式的局部示意圖。圖7為圖3所示陣列基板沿C-C方向的一較佳實(shí)施方式截面示意圖。圖8為圖3所示陣列基板沿D-D方向的一較佳實(shí)施方式截面示意圖。圖9為圖3所示陣列基板的一較佳實(shí)施方式的制作方法流程圖。圖10為圖6所示陣列基板的一較佳實(shí)施方式的制作方法流程圖。
具體實(shí)施例方式為說明本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法、使用該陣列基板的顯示面板，以下結(jié)合說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)闡述。請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明提供的一較佳實(shí)施方式的顯示面板的示意圖及其截面示意圖。顯示面板100包括彩膜基板110、功能層120、陣列基板130。彩膜基板110與陣列基板130相對(duì)設(shè)置，且彩膜基板110與陣列基板130之間具有一間隔，用于收容該功能層120。 在本實(shí)施方式中，功能層120為液晶層。所述彩膜基板110包括具有第一表面210的第一透明襯底111，所述陣列基板130包括具有第二表面220的第二透明襯底131，該第一表面 210與第二表面220正對(duì)且間隔平行設(shè)置。在本實(shí)施方式中，第一表面210和第二表面220 均為平整且光滑的平面。在其他實(shí)施方式中，第一表面210和第二表面220還可以是曲面， 但從第一表面210上的任意一點(diǎn)到第二表面220的距離均相同。請(qǐng)參閱圖2，其為圖1所示的顯示面板的彩膜基板的示意圖。彩膜基板110還包括形成于第一表面210上的黑色矩陣113、彩色膜層115、公共電極層117。該黑色矩陣113 在第一表面210上定義出多個(gè)第一間隔區(qū)域。彩色膜層115形成于該第一間隔區(qū)域內(nèi)，并覆蓋第一間隔區(qū)域。公共電極層117設(shè)置于黑色矩陣113和彩色膜層115之上，并完全覆蓋黑色矩陣113和彩色膜層115。請(qǐng)同時(shí)參閱圖3、圖4、圖5，其為圖1所示顯示面板的陣列基板的第一較佳實(shí)施方式的局部示意圖、陣列基板沿A-A和B-B方向的一較佳實(shí)施方式截面示意圖。陣列基板130 還包括形成于第二透明襯底131上的多個(gè)收容空間230、多個(gè)薄膜晶體管133、多條數(shù)據(jù)線 135、絕緣層136、多條柵極線137、多個(gè)像素電極139。第二透明襯底131還具有形成多個(gè)收容空間230的多個(gè)第三表面M0，且該多個(gè)第三表面240均與第二表面220鄰接。多個(gè)收容空間230呈陣列分布，多個(gè)第三表面240亦呈陣列分布。多條柵極線137之間相互平行， 且任意兩柵極線137之間的間距相同；多條數(shù)據(jù)線135之間相互平行，且任意兩數(shù)據(jù)線135 之間的間距相同。多條柵極線137分別與多條數(shù)據(jù)線135相互交叉定義出多個(gè)第二間隔區(qū)域，并在交叉處通過絕緣層136進(jìn)行絕緣。數(shù)據(jù)線135在柵極線137延伸方向的寬度等于柵極線137在數(shù)據(jù)線135延伸方向上的跨度，在垂直于第二表面220的方向上，數(shù)據(jù)線135 與柵極線137具有相同的厚度。多個(gè)第二間隔區(qū)域與多個(gè)第一間隔區(qū)域一一對(duì)應(yīng)，多條數(shù)據(jù)線135和多條柵極線137分別與黑色矩陣113對(duì)應(yīng)，其在第二表面220上的投影被黑色矩陣113在第二表面220上的投影所覆蓋。多個(gè)薄膜晶體管133設(shè)置于數(shù)據(jù)線135與柵極線137相交叉處，并分別與數(shù)據(jù)線135和柵極線137連接。多個(gè)像素電極139設(shè)置于第二表面220和絕緣層136之上，并每一像素電極139與一薄膜晶體管133電性連接。多個(gè)薄膜晶體管133呈陣列分布于第三表面240上，其包括柵極31、柵極絕緣層 32、有源層33、源極35、漏極36。位于同一列的多個(gè)薄膜晶體管133的源極35均連接至同一數(shù)據(jù)線135，位于同一行的多個(gè)漏極35均連接至同一柵極線137，且數(shù)據(jù)線135與多個(gè)源極35、以及與多個(gè)源極35分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)漏極36均收容于收容空間230內(nèi)。該收容空間 230用于收容該數(shù)據(jù)線135的部分在垂直于第二表面220方向的深度小于等于用于收容該源極35和漏極36的部分在該方向上的深度。源極35和漏極36沿平行于柵極線137的延伸方向間隔設(shè)置于第三表面240上，且其在數(shù)據(jù)線135延伸方向的跨度大于等于有源層33在該方向上的跨度，尤為優(yōu)選地是，源極35、漏極36、有源層33及柵極31在數(shù)據(jù)線135延伸方向上具有相同的跨度，使源極35、 漏極36與有源層33、柵極31具有最大的正對(duì)面積，有利于減小源極35和漏極36的導(dǎo)通電阻。在本實(shí)施方式中，源極35、漏極36及數(shù)據(jù)線135由同種導(dǎo)電材料如銀、鋁、氧化銦錫等在同一制程中形成；在其他實(shí)施方式中，也可由不同的導(dǎo)電材料在不同的工藝中形成。有源層33設(shè)置于源極35、漏極36以及第三表面240上，并完全覆蓋源極35、漏極 36。柵極絕緣層32設(shè)置于有源層33上，并完全覆蓋有源層33，且其表面與第二表面220位于同一平面內(nèi)。絕緣層136設(shè)置于數(shù)據(jù)線135之上，其表面與第二表面136位于同一平面內(nèi)。柵極絕緣層32與絕緣層136由與第二透明襯底131具有相同或相似光學(xué)性能的絕緣材料在同一制程中一并形成，因此，可消除絕緣層136、柵極絕緣層32與第二襯底131之間的光學(xué)差異，獲得良好的外觀效果。柵極絕緣層32和有源層33上設(shè)有通孔250。該通孔 250與漏極36遠(yuǎn)離源極35的一端相對(duì)，用于露出漏極36的該一端。通孔250被經(jīng)過平行于所述柵極線137且垂直于所述第二表面220的平面所截的圖形為一等腰梯形，且該等腰梯形的短底邊位于漏極36上。柵極31設(shè)置于該柵極絕緣層32上，像素電極139設(shè)置于第二表面220與絕緣層136之上，并限定于第二間隔區(qū)域內(nèi)，其通過通孔250與漏極36的一端電性連接。由于有絕緣層136的絕緣，像素電極139可與數(shù)據(jù)線135的部分重合，即像素電極139和數(shù)據(jù)線135的部分在第二表面220上的投影重合，因此，可以在不設(shè)置有機(jī)層的情況下，極大地提高像素的開口率。柵極35、柵極線137、像素電極139采用同種透明導(dǎo)電材料在同一制程中制作而成，在其他實(shí)施方式中，像素電極139采用透明導(dǎo)電材料制成，柵極35與柵極線137可以采用不透明導(dǎo)電材料制成。在上述陣列基板130中，絕緣層136設(shè)置于數(shù)據(jù)線135之上，且其表面與第二表面 220位于同一平面內(nèi)，使設(shè)置于其上的柵極線137的一部分和像素電極139的一部分與設(shè)置于第二表面220上的柵極線137的另一部分和像素電極139的另一部分之間沒有段差，因此，可以防止像素電極139出現(xiàn)斷層、柵極線137出現(xiàn)斷線，防止顯示面板100出現(xiàn)顯示缺陷，提高良品率。同時(shí)，由于通孔250設(shè)置于截面為等腰梯形，使像素電極139可沿著該等腰梯形的腰與漏極36的一端電性連接，進(jìn)而防止像素電極139與漏極36連接時(shí)出現(xiàn)斷線風(fēng)險(xiǎn)。另外，由于不需要制作現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)層和鈍化層，因此可以簡化工藝，節(jié)省成本，同時(shí)提高良品率。同時(shí)，柵極35、柵極線137、像素電極139采用同種材料在同一制成中制作而成，且該三者的表面在同一平面內(nèi)，不僅可簡化制作工藝，還可使顯示面板100具有均一的盒厚，獲得良好的顯示效果。請(qǐng)同時(shí)參閱圖6、圖7、圖8，其分別為圖1所示的陣列基板的第二較佳實(shí)施方式的局部示意圖、陣列基板沿C-C方向的一較佳實(shí)施方式截面示意圖。陣列基板330包括第二透明襯底331、形成于第二透明襯底331上的多個(gè)收容空間430、多個(gè)薄膜晶體管333、多條數(shù)據(jù)線335、多條柵極線337、絕緣層336、多個(gè)像素電極339。第二透明襯底331具有第二表面420和形成多個(gè)收容空間430的多個(gè)第三表面440，且多個(gè)第三表面440均與第二表面420鄰接。多個(gè)收容空間430呈陣列分布，多個(gè)第三表面440亦呈陣列分布。多條柵極線337之間相互平行，且任意兩柵極線337之間的間距相同；多條數(shù)據(jù)線335之間相互平行，且任意兩數(shù)據(jù)線335之間的間距相同。多條柵極線337分別與多條數(shù)據(jù)線335相互交叉定義出多個(gè)第二間隔區(qū)域，并交叉處通過絕緣層336絕緣。多個(gè)第二間隔區(qū)域分別與多個(gè)第一間隔區(qū)域一一對(duì)應(yīng)，多條數(shù)據(jù)線335和多條柵極線337分別與黑色矩陣113對(duì)應(yīng)，其在第二表面420上的投影被黑色矩陣113在第二表面420上的投影所覆蓋。多個(gè)薄膜晶體管333設(shè)置于數(shù)據(jù)線335與柵極線337相交叉處，并分別與數(shù)據(jù)線335和柵極線337連接。 多個(gè)像素電極339分別形成于所述多個(gè)第二間隔區(qū)域內(nèi)，且每一像素電極339與一薄膜晶體管333電性連接。每一數(shù)據(jù)線335在柵極線337延伸方向的寬度等于每一柵極線337在數(shù)據(jù)線335延伸方向上的跨度，在垂直于第二表面420的方向上，數(shù)據(jù)線335與柵極線337 具有相同的厚度。多個(gè)薄膜晶體管333呈陣列分布于第三表面440上，其包括柵極41、柵極絕緣層 42、有源層43、源極45、漏極46。位于同一列的多個(gè)薄膜晶體管333的源極45均連接至同一數(shù)據(jù)線335，位于同一行的多個(gè)漏極45均連接至同一柵極線337，且數(shù)據(jù)線335與多個(gè)源極45、以及與多個(gè)源極45分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)漏極46均收容于收容空間430內(nèi)。該收容空間 430用于收容該數(shù)據(jù)線335的部分在垂直于第二表面420方向的深度小于等于用于收容該源極45和漏極46的部分在該方向上的深度。源極45和漏極46沿平行于柵極線337的延伸方向間隔設(shè)置于第三表面440上， 在數(shù)據(jù)線335延伸方向的跨度大于等于有源層43在該方向上的跨度，尤為優(yōu)選地是，源極 45、漏極46、有源層43及柵極41在數(shù)據(jù)線335延伸方向上具有相同的跨度，使源極45、漏極46與有源層43、柵極41具有最大的正對(duì)面積，有利于減小源極45和漏極46的導(dǎo)通電阻。在本實(shí)施方式中，源極45、漏極46及數(shù)據(jù)線335由同種導(dǎo)電材料如銀、鋁、氧化銦錫等在同一制程中形成；在其他實(shí)施方式中，也可由不同的導(dǎo)電材料在不同的工藝中形成。漏極 46設(shè)置于收容空間430后，其遠(yuǎn)離源極45的一端延伸至第二表面420，其端面450與第二表面420位于同一平面內(nèi)。
有源層43設(shè)置于源極45、漏極46以及第三表面440上，并完全覆蓋源極45、漏極 46的一部分，且其完全收容于所述收容空間430內(nèi)，并其表面位于第二表面420所在的平面與第三表面440所在的平面之間。柵極絕緣層42設(shè)置于有源層43上，并完全覆蓋有源層 43。該柵極絕緣層42收容于收容空間430內(nèi)，且其表面與第二表面420以及漏極46的端面450位于同一平面內(nèi)。絕緣層336設(shè)置于數(shù)據(jù)線335之上，其表面與第二表面336位于同一平面內(nèi)。柵極絕緣層42與絕緣層336由與第二透明襯底331具有相同或相似光學(xué)性能的絕緣材料在同一制程中一并形成，因此，可消除絕緣層336和柵極絕緣層42與第二襯底331之間的光學(xué)差異，獲得良好的外觀效果。柵極41設(shè)置于該柵極絕緣層42上。像素電極339設(shè)置于第二表面420與絕緣層 336之上，并限定于第二間隔區(qū)域內(nèi)，其通過漏極46的端面450與漏極46電性連接。由于有絕緣層336的絕緣，像素電極339可與數(shù)據(jù)線335的部分重合，即像素電極339和數(shù)據(jù)線 335的部分在第二表面420上的投影重合，因此，可以在不設(shè)置有機(jī)層的情況下，極大地提高像素的開口率。柵極45、柵極線337、像素電極339采用同種透明導(dǎo)電材料在同一制程中制作而成，在其他實(shí)施方式中，像素電極339采用透明導(dǎo)電材料制成，柵極45與柵極線337 可以采用不透明導(dǎo)電材料制成。在上述陣列基板330中，絕緣層336設(shè)置于數(shù)據(jù)線335之上，且其表面與第二表面 420位于同一平面內(nèi)，使設(shè)置于其上的柵極線337的一部分和像素電極339的一部分與設(shè)置于第二表面320上的柵極線337的另一部分和像素電極339的另一部分之間沒有段差，因此，可以防止像素電極339出現(xiàn)斷層、柵極線337出現(xiàn)斷線，防止出現(xiàn)顯示面板100出現(xiàn)顯示缺陷，提高良品率。同時(shí)，由于漏極46具有一與第二表面420位于同一平面的端面450， 并通過該端面450與像素電極339電性連接，可省去上述制作通孔250的步驟，簡化制作工藝，提高良品率。另外，由于不需要制作現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)層和鈍化層、以及用于實(shí)現(xiàn)像素電極和漏極連接的通孔，簡化了制作工藝，節(jié)省成本，同時(shí)提高良品率。柵極45、柵極線337、像素電極339采用同種材料在同一制成中制作而成，且其表面在同一平面內(nèi)，不僅可簡化制作工藝，還可使顯示面板100具有均一的盒厚，獲得良好的顯示效果。請(qǐng)參閱圖9，其為圖3所示陣列基板的一較佳實(shí)施方式的制作方法流程圖。陣列基板的制作方法包括如下步驟步驟S501 提供一具有第二表面的第二透明襯底，并在所述第二透明襯底上形成多個(gè)收容空間，且該多個(gè)收容空間呈陣列分布于第二透明襯底上，第二透明襯底還具有形成多個(gè)收容空間的第三表面，且該多個(gè)第三表面分別與第二表面鄰接。形成多個(gè)收容空間的步驟進(jìn)一步包括如下步驟在第二表面上涂布一第一光刻膠層；利用一第一掩膜對(duì)第一光刻膠層進(jìn)行曝光處理；對(duì)曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案；利用刻蝕液在規(guī)定時(shí)間內(nèi)對(duì)未覆蓋第一光刻膠層的第二透明襯底進(jìn)行刻蝕，得到多個(gè)收容空間，形成多個(gè)收容空間的第二透明襯底的表面為第二表面；去掉第一光刻膠層中剩余的光刻膠。在本實(shí)施方式中，多個(gè)所述收容空間具有相同的大小和相似的形狀。
步驟S503 在每一收容空間內(nèi)形成一數(shù)據(jù)線、與該數(shù)據(jù)線相連的多個(gè)源極、與該多個(gè)源極對(duì)應(yīng)的多個(gè)漏極，該源極和與其對(duì)應(yīng)的漏極沿平行于柵極線的方向設(shè)置于第三表面上。形成該數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極、多個(gè)漏極的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第二透明襯底的第三表面上形成一第一導(dǎo)電層；在第一透明導(dǎo)電層上涂布一第二光刻膠層；利用上述第二掩膜對(duì)第二光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第二掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第二光刻膠層的第一導(dǎo)電膜層部分；去掉第二光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極、多個(gè)漏極。在該實(shí)施方式中，該第一導(dǎo)電層采用導(dǎo)電材料銀、鋁、氧化銦錫等制成。步驟S505 在第三表面、多個(gè)源極及多個(gè)漏極上形成有源層，該有源層覆蓋該第三表面、多個(gè)源極及多個(gè)漏極。形成該有源層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第三表面、多個(gè)源極、多個(gè)漏極上形成一半導(dǎo)體層；在該半導(dǎo)體層上涂布一第三光刻膠層；利用一第三掩膜對(duì)第三光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第三光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第三掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第三光刻膠層的半導(dǎo)體層部分；去掉第三光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成有源層。步驟S507 在有源層上形成柵極絕緣層，在數(shù)據(jù)線上形成絕緣層。形成該柵極絕緣層和絕緣層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在數(shù)據(jù)線、有源層、第二表面形成一第一絕緣層；在該第一絕緣層上涂布一第四光刻膠層；利用上述第一掩膜對(duì)第四光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第四光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第四光刻膠層的第一絕緣層部分；去掉第四光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成絕緣層和柵極絕緣層。步驟S509 在柵極絕緣層、有源層上形成通孔，該通孔與所述漏極遠(yuǎn)離所述源極的一端對(duì)應(yīng)。形成該通孔的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在柵極絕緣層、絕緣層、第二表面上形成涂布一第五光刻膠層；利用一第五掩膜對(duì)該第五光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第五光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第五掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第五光刻膠層的第一絕緣層部分；去掉第五光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成所述通孔。步驟S511 在柵極絕緣層上形成柵極，同時(shí)在絕緣層上和第二表面上形成像素電極和柵極線。形成像素電極、柵極、柵極線的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在柵極絕緣層、絕緣層、第二表面上形成一第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上涂布一第六光刻膠層；利用一第六掩膜對(duì)第六光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第六光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第六掩膜相同的圖案；
利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第六光刻膠層的第二導(dǎo)電層部分；去掉第六光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成多條柵極線、多個(gè)柵極及多個(gè)像素電極。在本實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電層由透明導(dǎo)電材料制成，如氧化銦錫。上述陣列基板的制作方法中，由于有源層制作于數(shù)據(jù)線上、絕緣層下，并不影響陣列基板的性能，因此，在制作過程中，可以利用所述絕緣層和柵極絕緣層為掩膜，來制作有源層，即在上述步驟505和步驟507中，可以僅僅需要一次涂布光刻膠和一次曝光，節(jié)省一次曝光工藝和一次涂膠工藝，達(dá)到簡化工藝，節(jié)省成本的目的。另外，所述通孔與可在制作所述有源層、柵極絕緣層的過程中一并制成，不用通過單獨(dú)工藝制作該通孔，因此，可以進(jìn)一步節(jié)省工藝。請(qǐng)參閱圖10，其為圖6所示陣列基板的一較佳實(shí)施方式的制作方法流程圖。陣列基板的制作方法包括如下步驟步驟S601 提供一具有第二表面的第二透明襯底，并在所述第二透明襯底上形成多個(gè)收容空間，且該多個(gè)收容空間呈陣列分布于第二透明襯底上，第二透明襯底還具有形成多個(gè)收容空間的第三表面，且該多個(gè)第三表面分別與第二表面鄰接。形成多個(gè)收容空間的步驟進(jìn)一步包括如下步驟在第二表面上涂布一第一光刻膠層；利用一第一掩膜對(duì)第一光刻膠層進(jìn)行曝光處理；對(duì)曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案；利用刻蝕液在規(guī)定時(shí)間內(nèi)對(duì)未覆蓋第一光刻膠層的第二透明襯底進(jìn)行刻蝕，得到多個(gè)收容空間，形成多個(gè)收容空間的第二透明襯底的表面為第二表面；去掉第一光刻膠層中剩余的光刻膠。在本實(shí)施方式中，多個(gè)所述收容空間具有相同的大小和相似的形狀。步驟S603 在每一收容空間內(nèi)形成一數(shù)據(jù)線、與該數(shù)據(jù)線相連的多個(gè)源極、與該多個(gè)源極對(duì)應(yīng)的多個(gè)漏極，該源極和與其對(duì)應(yīng)的漏極沿平行于柵極線的方向設(shè)置于第三表面上，該漏極遠(yuǎn)離源極的一端具有一端面，該端面與第二表面位于同一平面內(nèi)。形成該數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極、多個(gè)漏極的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第二透明襯底的第三表面上形成一第一導(dǎo)電層；在第一透明導(dǎo)電層上涂布一第二光刻膠層；利用上述第二掩膜對(duì)第二光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第二掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第二光刻膠層的第一導(dǎo)電膜層部分；去掉第二光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極、多個(gè)漏極。在該實(shí)施方式中，該第一導(dǎo)電層采用導(dǎo)電材料銀、鋁、氧化銦錫等制成。步驟S605 在第三表面、多個(gè)源極及多個(gè)漏極上形成有源層。該有源層覆蓋該第三表面、多個(gè)源極及多個(gè)漏極。形成該有源層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第三表面、多個(gè)源極、多個(gè)漏極上形成一半導(dǎo)體層；在該半導(dǎo)體層上涂布一第三光刻膠層；利用一第三掩膜對(duì)第三光刻膠層進(jìn)行曝光；
對(duì)曝光后的第三光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第三掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第三光刻膠層的半導(dǎo)體層部分；去掉第三光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成有源層。步驟S607 在有源層上形成柵極絕緣層，在數(shù)據(jù)線上形成絕緣層。形成該柵極絕緣層和絕緣層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在數(shù)據(jù)線、有源層、第二表面形成一第一絕緣層；在該第一絕緣層上涂布一第四光刻膠層；利用上述第一掩膜對(duì)第四光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第四光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第四光刻膠層的第一絕緣層部分；去掉第四光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成絕緣層和柵極絕緣層。步驟S609 在柵極絕緣層上形成柵極，同時(shí)在絕緣層上和第二表面上形成像素電極和柵極線，該像素電極通過上述端面與漏極電性連接。形成像素電極、柵極、柵極線的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在柵極絕緣層、絕緣層、第二表面上形成一第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上涂布一第六光刻膠層；利用一第六掩膜對(duì)第六光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第六光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第六掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第六光刻膠層的第二導(dǎo)電層部分；去掉第六光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成多條柵極線、多個(gè)柵極及多個(gè)像素電極。在本實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電層由透明導(dǎo)電材料制成，如氧化銦錫。以上為本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法、使用該陣列基板的顯示面板的較佳實(shí)施方式，并不能理解為對(duì)本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍的限制，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知曉，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可做多種改進(jìn)或替換，所有的該等改進(jìn)或替換都應(yīng)該在本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍內(nèi)，即本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括具有形成多個(gè)收容空間的第三表面的第二透明襯底和形成于第二透明襯底上的多個(gè)薄膜晶體管、多條數(shù)據(jù)線；該薄膜晶體管包括源極和漏極，位于同一列的多個(gè)薄膜晶體管的源極與同一數(shù)據(jù)線相連，并與該多個(gè)薄膜晶體管的漏極一并收容于該收容空間內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述薄膜晶體管還包括有源層、柵極絕緣層、柵極，該有源層設(shè)置于源極、漏極以及第三表面上，并至少覆蓋源極、源極和漏極之間的第三表面、漏極的一部分；柵極絕緣層設(shè)置于有源層上，柵極設(shè)置柵極絕緣層上。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于所述陣列基板還包括多條柵極線、絕緣層，位于同一行的多個(gè)薄膜晶體管的柵極連接至同一條柵極線；該薄膜晶體管的源極和漏極沿平行于該柵極線的延伸方向間隔設(shè)置于第三表面上；該多條柵極線分別與多條數(shù)據(jù)線相互交叉定義出多個(gè)第二間隔區(qū)域，并在交叉處通過絕緣層絕緣開；絕緣層至少覆蓋于該多條數(shù)據(jù)線上。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于所述第二透明襯底還具有第二表面，絕緣層和柵極絕緣層收容于收容空間內(nèi)，絕緣層的表面和柵極絕緣層的表面均與第二表面在同一平面內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于所述陣列基板還包括多個(gè)像素電極，像素電極形成于絕緣層和第二表面上，并覆蓋第二間隔區(qū)域；柵極線設(shè)置于第二表面和絕緣層上。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于多個(gè)像素電極、多條柵極線、多個(gè)柵極由同種透明導(dǎo)電材料在同一制程中一并制成；絕緣層、柵極絕緣層采用與第二透明襯底具有相同或相似光學(xué)性能的材料在同一制程中一并制成；有源層和柵極絕緣層完全覆蓋源極和漏極、以及位于源極和漏極之間的第三表面；柵極絕緣層和有源層上設(shè)置有通孔，該通孔與漏極遠(yuǎn)離源極的一端對(duì)應(yīng)，其被經(jīng)過與柵極線平行且與第二表面垂直的平面所截的圖形為等腰梯形；該像素電極通過該通孔與漏極遠(yuǎn)離源極的一端電性連接。
7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于所述第二表面為一平整且光滑的平面， 多個(gè)第三表面均與第二表面鄰接；多個(gè)像素電極、多條柵極線、多個(gè)柵極由同種透明導(dǎo)電材料在同一制程中一并制成，其表面位于一與第二表面平行的平面內(nèi)；絕緣層、柵極絕緣層采用與第二透明襯底具有相同或相似光學(xué)性能的材料在同一制程中一并制成；漏極的一端延伸至第二表面，其端面與第二表面位于同一平面上；多個(gè)像素電極通過該端面與漏極電性連接；像素電極在第二表面上的投影與數(shù)據(jù)線在第二表面上的投影具有部分重合；多條柵極線之間相互平行，且任意兩條柵極線之間具有相同的間距；多條數(shù)據(jù)線之間相互平行，且任意兩條數(shù)據(jù)線之間具有相同的間距。
8.一種使用如權(quán)利要求4至7中任意一種所述陣列基板的顯示面板，其包括彩膜基板、 陣列基板、功能層，彩膜基板與陣列基板相對(duì)設(shè)置，且兩者之間具有一間隔，用于收容該功能層；彩膜基板包括具有第一表面的第一透明襯底、形成于第一表面上的黑色矩陣、彩色膜層、公共電極層，第一表面與第二表面平行間隔設(shè)置，黑色矩陣在第一表面上定義出多個(gè)第一間隔區(qū)域，多個(gè)第一間隔區(qū)域分別與多個(gè)第二間隔區(qū)域一一對(duì)應(yīng)，彩色膜層形成于第一間隔區(qū)域所在的第一表面上，公共電極層覆蓋于彩色膜層和黑色矩陣上。
9.一種陣列基板的制作方法，其包括下列步驟提供一具有形成多個(gè)收容空間的第三表面的第二透明襯底；在該第三表面上形成多個(gè)薄膜晶體管的源極、漏極以及多條數(shù)據(jù)線，并使該多個(gè)薄膜晶體管的源極、漏極以及多條數(shù)據(jù)線收容于該收容空間內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于所述陣列基板的制作方法還包括以下步驟在第三表面、多個(gè)源極及多個(gè)漏極上形成有源層，并使該有源層至少覆蓋該源極、源極和漏極之間的第三表面、以及該漏極的一部分；在有源層上形成柵極絕緣層，并同時(shí)在數(shù)據(jù)線上形成絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵極，并同時(shí)在絕緣層上和第二表面上形成像素電極和柵極線。
11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于該陣列基板的制作方法還包括以下步驟在該柵極絕緣層、有源層上設(shè)置通孔，并使該通孔與所述漏極遠(yuǎn)離所述源極的一端對(duì)應(yīng)，該像素電極通過該通孔與漏極電性連接；該通孔被經(jīng)過與柵極線平行且與第二表面垂直的平面所截的圖形為等腰梯形。
12.如權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于形成多個(gè)收容空間的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第二表面上涂布一第一光刻膠層； 利用一第一掩膜對(duì)第一光刻膠層進(jìn)行曝光處理； 對(duì)曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案； 利用刻蝕液在規(guī)定時(shí)間內(nèi)對(duì)未覆蓋第一光刻膠層的第二透明襯底進(jìn)行刻蝕，得到多個(gè)收容空間，形成多個(gè)收容空間的第二透明襯底的表面為第二表面； 去掉第一光刻膠層中剩余的光刻膠。
13.如權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于形成該數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極、多個(gè)漏極的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第二透明襯底的第三表面上形成一第一導(dǎo)電層；在第一透明導(dǎo)電層上涂布一第二光刻膠層；利用上述第二掩膜對(duì)第二光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第二掩膜相同的圖案；利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第二光刻膠層的第一導(dǎo)電膜層部分；去掉第二光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成數(shù)據(jù)線及多個(gè)源極和漏極。
14.如權(quán)利要求13所述的陣列基板的制作方法，其特征在于形成該有源層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在第三表面、多個(gè)源極、多個(gè)漏極上形成一半導(dǎo)體層； 在該半導(dǎo)體層上涂布一第三光刻膠層； 利用一第三掩膜對(duì)第三光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第三光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第三掩膜相同的圖案； 利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第三光刻膠層的半導(dǎo)體層部分； 去掉第三光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成有源層。
15.如權(quán)利要求14所述的陣列基板的制作方法，其特征在于形成該柵極絕緣層和絕緣層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在數(shù)據(jù)線、有源層、第二表面形成一第一絕緣層； 在該第一絕緣層上涂布一第四光刻膠層； 利用上述第一掩膜對(duì)第四光刻膠層進(jìn)行曝光； 對(duì)曝光后的第四光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第一掩膜相同的圖案； 利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第四光刻膠層的第一絕緣層部分； 去掉第四光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成絕緣層和柵極絕緣層。
16.如權(quán)利要求15所述的陣列基板的制作方法，其特征在于形成像素電極、柵極、柵極線的步驟進(jìn)一步包括以下步驟在柵極絕緣層、絕緣層、第二表面上形成一第二導(dǎo)電層； 在第二導(dǎo)電層上涂布一第六光刻膠層； 利用一第六掩膜對(duì)第六光刻膠層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的第六光刻膠層進(jìn)行顯影處理，得到與第六掩膜相同的圖案； 利用刻蝕液刻蝕掉未覆蓋第六光刻膠層的第二導(dǎo)電層部分；去掉第六光刻膠層中剩余的部分光刻膠，形成多條柵極線、多個(gè)柵極及多個(gè)像素電極。
17.如權(quán)利要求12至16中任意一種所述陣列基板的制作方法，其特征在于該漏極遠(yuǎn)離源極的一端延伸至第二表面，其具有一與第二表面位于同一平面內(nèi)的端面；該像素電極通過上述端面與漏極電性連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板，其包括具有形成多個(gè)收容空間的第三表面的第二透明襯底和形成于第二透明襯底上的多個(gè)薄膜晶體管、多條數(shù)據(jù)線；該薄膜晶體管包括源極和漏極，位于同一列的多個(gè)薄膜晶體管的源極與同一數(shù)據(jù)線相連，并與該多個(gè)薄膜晶體管的漏極一并收容于該收容空間內(nèi)。此外，本發(fā)明還提供一種上述陣列基板的制作方法以及一種使用該陣列基板的顯示面板。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102315214SQ20111027860
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月19日
發(fā)明者商陸平, 朱澤力, 李紹宗, 王士敏 申請(qǐng)人:深圳萊寶高科技股份有限公司