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主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板的制作方法

文檔序號(hào):7159567閱讀:102來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板,且特別是有關(guān)于一種具有阻抗補(bǔ)償組件的主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板。
背景技術(shù)
平面顯示面板(flat display panels)具有低消耗功率、空間利用效率佳、無(wú)輻射、高畫質(zhì)等優(yōu)越特性,因此已成為現(xiàn)今市場(chǎng)的主流。隨著顯示科技的進(jìn)步,消費(fèi)大眾除了對(duì)平面顯示面板的光學(xué)特性,如視角(viewing angle)、對(duì)比(contrast ratio)與反應(yīng)時(shí)間 (response time)等有所要求外,隨著經(jīng)濟(jì)的蓬勃發(fā)展,消費(fèi)大眾對(duì)大尺寸顯示面板的需求也日漸增加。隨著顯示面板尺寸的大型化,顯示面板的顯示區(qū)內(nèi)的掃描線長(zhǎng)度也相對(duì)地越來(lái)越長(zhǎng)。此外,消費(fèi)大眾對(duì)顯示器分辨率的需求也日益提高(例如各國(guó)數(shù)字電視系統(tǒng)均采用Full HD規(guī)格,其分辨率為1920*1080 PPI)。在不變動(dòng)顯示面板外型尺寸的情況下,設(shè)計(jì)者必須盡量縮減掃描線的線寬以騰出空間來(lái)容納增加的畫素以達(dá)到新系統(tǒng)(例如Full HD)畫素?cái)?shù)量的要求。上述的兩因素均會(huì)造成掃描線阻抗升高,進(jìn)而導(dǎo)致掃描訊號(hào)在掃描在線傳遞時(shí)逐漸失真,而引起顯示質(zhì)量劣化,例如畫素充電時(shí)間不足、輝度低下、色度飄移以及畫面閃爍等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種主動(dòng)組件數(shù)組基板,其可改善習(xí)知技術(shù)中因掃描線阻抗升高而導(dǎo)致的顯示質(zhì)量劣化的問(wèn)題;還提供一種顯示面板,其亦可改善習(xí)知技術(shù)中因掃描線阻抗升高而導(dǎo)致的顯示質(zhì)量劣化的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是一種主動(dòng)組件數(shù)組基板,包括基板、多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)以及多個(gè)阻抗補(bǔ)償組件;基板具有顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)的一側(cè)的掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū);畫素結(jié)構(gòu)位于基板的顯示區(qū);每一畫素結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、主動(dòng)組件以及畫素電極;數(shù)據(jù)線與掃描線交錯(cuò)配置;主動(dòng)組件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接;畫素電極與主動(dòng)組件電性連接;每一阻抗補(bǔ)償組件與對(duì)應(yīng)的一個(gè)畫素結(jié)構(gòu)的掃描線并聯(lián);阻抗補(bǔ)償組件的阻值從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處逐漸降低。本發(fā)明還提供一種顯示面板,包括上述的主動(dòng)組件數(shù)組基板、對(duì)向基板以及顯示介質(zhì)。對(duì)向基板相對(duì)于主動(dòng)組件數(shù)組基板。顯示介質(zhì)位于主動(dòng)組件數(shù)組基板與對(duì)向基板之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的每一阻抗補(bǔ)償組件包括導(dǎo)電線段以及多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)。多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)電性連接導(dǎo)電線段與對(duì)應(yīng)的一畫素結(jié)構(gòu)的掃描線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的阻抗補(bǔ)償組件位于掃描線的上方。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的阻抗補(bǔ)償組件與掃描線重迭。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的導(dǎo)電線段的長(zhǎng)度從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處逐漸增加。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的與對(duì)應(yīng)的畫素結(jié)構(gòu)的掃描線并聯(lián)的每一畫素結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括絕緣層以及保護(hù)層。絕緣層位于掃描線與導(dǎo)電線段之間。保護(hù)層覆蓋導(dǎo)電線段。保護(hù)層具有開(kāi)口,以暴露出導(dǎo)電線段。接觸結(jié)構(gòu)貫穿絕緣層以及保護(hù)層,而與對(duì)應(yīng)的畫素結(jié)構(gòu)的掃描線電性接觸。接觸結(jié)構(gòu)透過(guò)開(kāi)口與導(dǎo)電線段電性接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的接觸結(jié)構(gòu)與畫素電極的材質(zhì)相同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的導(dǎo)電線段與數(shù)據(jù)線的材質(zhì)相同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的畫素結(jié)構(gòu)排列成多行以及多列,且位于同一行的畫素結(jié)構(gòu)的阻抗補(bǔ)償組件的阻值實(shí)質(zhì)上相同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在最靠近上述的掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)的一行的畫素結(jié)構(gòu)未設(shè)置阻抗補(bǔ)償組件。本發(fā)明的主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板藉由從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處阻值逐漸降低的阻抗補(bǔ)償組件,使得每一畫素結(jié)構(gòu)的掃描線與補(bǔ)償組件并聯(lián)所形成的阻抗隨著遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)而逐漸減少,進(jìn)而改善了在習(xí)知技術(shù)中因掃描線的阻抗隨著遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)逐漸升高而導(dǎo)致的掃描訊號(hào)逐漸失真的問(wèn)題。同時(shí), 顯示質(zhì)量劣化的問(wèn)題亦獲得改善。


圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)組件數(shù)組基板的上視示意圖。圖2為對(duì)應(yīng)圖1的剖線AA’所繪的剖面示意圖。圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明
10001 顯示面板100主動(dòng)組件數(shù)組基板110基板112顯示區(qū)114掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)120畫素結(jié)構(gòu)122掃描線123絕緣層124資料線125保護(hù)層125a.開(kāi)口126主動(dòng)組件128畫素電極130阻抗補(bǔ)償組件132導(dǎo)電線段134、134’ 接觸結(jié)構(gòu)200對(duì)向基板
4300 顯示介質(zhì) CH 通道層 D 汲極 D1、D2 方向 G 閘極 L:長(zhǎng)度 S 源極。
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)組件數(shù)組基板的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1,本實(shí)施例的主動(dòng)組件數(shù)組基板100包括基板110、多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)120以及多個(gè)阻抗補(bǔ)償組件130。本實(shí)施例的基板110具有顯示區(qū)112以及位于顯示區(qū)112 —側(cè)的掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114。舉例而言,顯示區(qū)112可為矩形區(qū)域,而掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114可為位于顯示區(qū)112左側(cè)的另一面積較小的矩形區(qū)域。需特別說(shuō)明的是,本實(shí)施例的掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114適于設(shè)置掃描訊號(hào)源,例如掃描訊號(hào)芯片。此掃描訊號(hào)源可透過(guò)每一畫素結(jié)構(gòu)120的掃描線122給予畫素結(jié)構(gòu)120掃描訊號(hào)。在本實(shí)施例中,基板110的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、不透光/反射材料(如導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷等)或是其它合適的材料。本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)120位于基板110的顯示區(qū)112,而每一畫素結(jié)構(gòu)120包括掃描線122、數(shù)據(jù)線124、主動(dòng)組件126以及畫素電極128。在本實(shí)施例中,掃描線122與數(shù)據(jù)線124交錯(cuò)配置。舉例而言,掃描線122可延著列(row)方向Dl延伸,而數(shù)據(jù)線124可延著行(column)方向D2延伸。本實(shí)施例的掃描線122與數(shù)據(jù)線124是屬不同膜層。更進(jìn)一步的說(shuō),本實(shí)施例的資料線124可屬于掃描線122上方的膜層。在本實(shí)施例中,掃描線122 的材料與數(shù)據(jù)線124的材料一般是金屬材料。但本發(fā)明不限于此,在其它實(shí)施例中,掃描線 122的材料與資料線124的材料也可以使用其它導(dǎo)電材料,如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆棧層。本實(shí)施例的主動(dòng)組件126與掃描線122以及數(shù)據(jù)線124電性連接。舉例而言,本實(shí)施例的主動(dòng)組件126可為薄膜晶體管(Thin film transistor,TFT) 0更進(jìn)一步地說(shuō),本實(shí)施例的主動(dòng)組件126可為底部閘極(bottom gate)型薄膜晶體管。詳言之,本實(shí)施例的主動(dòng)組件126包括閘極G、位于閘極G上的通道層CH、分別覆蓋通道層CH的兩側(cè)的源極S 與汲極D,其中主動(dòng)組件126的閘極G與同屬于一膜層的掃描線122電性連接,而主動(dòng)組件 126的源極S與同屬于另一膜層的數(shù)據(jù)線124電性連接。換言之,源極S、汲極D可和資料線124屬于同一膜層。然而,本發(fā)明不以上述為限,在其它實(shí)施例中,主動(dòng)組件126亦可為頂部閘極(top gate)型薄膜晶體管或其它適當(dāng)型式的主動(dòng)組件。本實(shí)施例的畫素電極128與主動(dòng)組件126電性連接。詳言之,本實(shí)施例的畫素電極 128與主動(dòng)組件126的汲極D電性連接。在本實(shí)施例中,畫素電極128例如是透明導(dǎo)電層, 其包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層。
圖2為對(duì)應(yīng)圖1的剖線AA’所繪的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2,本實(shí)施例的每一阻抗補(bǔ)償組件130與對(duì)應(yīng)的一個(gè)畫素結(jié)構(gòu)120的掃描線122并聯(lián)。更進(jìn)一步地說(shuō),本實(shí)施例的阻抗補(bǔ)償組件130包括導(dǎo)電線段132以及多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)134、134’,其中接觸結(jié)構(gòu) 134、134’分別電性連接導(dǎo)電線段132與對(duì)應(yīng)的一條掃描線122,而使阻抗補(bǔ)償組件130與掃描線122并聯(lián)。詳細(xì)而言,每一畫素結(jié)構(gòu)120可進(jìn)一步包括絕緣層123以及保護(hù)層125。 絕緣層123位于掃描線122與導(dǎo)電線段132之間。保護(hù)層125覆蓋導(dǎo)電線段132 (已修改圖示),其中保護(hù)層125具有開(kāi)口 125a,開(kāi)口 125a暴露出導(dǎo)電線段132。接觸結(jié)構(gòu)134的其中一端與接觸結(jié)構(gòu)134’的其中一端分別貫穿絕緣層123以及保護(hù)層125,而與對(duì)應(yīng)的一條掃描線122電性接觸。接觸結(jié)構(gòu)134的另一端與接觸結(jié)構(gòu)134’的另一端分別透過(guò)開(kāi)口 125a與導(dǎo)電線段132電性接觸。換言之,阻抗補(bǔ)償組件130的導(dǎo)電線段132透過(guò)接觸結(jié)構(gòu) 134,134'與掃描線122并聯(lián)。值得一提的是,在本實(shí)施例中,阻抗補(bǔ)償組件130的導(dǎo)電線段132與數(shù)據(jù)線124的材質(zhì)相同,而接觸結(jié)構(gòu)134、134’與畫素電極128的材質(zhì)相同。換言之,阻抗補(bǔ)償組件130 的導(dǎo)電線段132與數(shù)據(jù)線124可同屬一膜層且可于同一道制程中與數(shù)據(jù)線124—起制作完成,而接觸結(jié)構(gòu)134、134’與畫素電極128亦然。意即,本實(shí)施例的阻抗補(bǔ)償組件130的制程與現(xiàn)行的制程兼容,而不會(huì)增加主動(dòng)組件數(shù)組基板100的制作成本。在本實(shí)施例中,導(dǎo)電線段132與數(shù)據(jù)線124的材質(zhì)包括金屬材料,然而,本發(fā)明不限于此,根據(jù)其它實(shí)施例,導(dǎo)電線段132與資料線124也可以使用其它導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆棧層。本實(shí)施例的接觸結(jié)構(gòu)134、134’與畫素電極128的材質(zhì)包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、 鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層。另外,本實(shí)施例的阻抗補(bǔ)償組件130是位于掃描線122上方,并且與掃描線122重迭。如此一來(lái),本實(shí)施例的阻抗補(bǔ)償組件130便不會(huì)造成額外的主動(dòng)組件基板100的開(kāi)口率(aperture ratio)的損失,進(jìn)而使得采用本實(shí)施例的主動(dòng)組件基板100的顯示面板顯示特性佳。值得特別注意的是,本實(shí)施例的每一阻抗補(bǔ)償組件130除了與對(duì)應(yīng)的一個(gè)畫素結(jié)構(gòu)120的掃描線122并聯(lián)外,阻抗補(bǔ)償組件130的阻值還從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸降低。舉例而言,在本實(shí)施例中,每一阻抗補(bǔ)償組件130 的接觸結(jié)構(gòu)134、134’的阻值均相等,而阻抗補(bǔ)償組件130的導(dǎo)電線段132的長(zhǎng)度L從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸增加。換言之,本實(shí)施例的主動(dòng)組件基板100藉由將導(dǎo)電線段132的長(zhǎng)度L從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸拉長(zhǎng),而使阻抗補(bǔ)償組件130的阻值從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114 之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸降低。然而,本發(fā)明不限于上述,設(shè)計(jì)者亦可采用其它適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)方式使得阻抗補(bǔ)償組件130的阻值從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸降低。本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)120可排列成多行以及多列,且位于同一行的畫素結(jié)構(gòu)120的阻抗補(bǔ)償組件130的阻值實(shí)質(zhì)上可相同。并且,在本實(shí)施例中,位于最靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114的一行的畫素結(jié)構(gòu)120可無(wú)設(shè)置阻抗補(bǔ)償組件130。需特別說(shuō)明的是,當(dāng)本實(shí)施例的每一阻抗補(bǔ)償組件130與對(duì)應(yīng)的一個(gè)畫素結(jié)構(gòu)120的掃描線122并聯(lián),且阻抗補(bǔ)償組件130的阻值是從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸降低時(shí),習(xí)知技術(shù)中因掃描線阻抗過(guò)度升高而導(dǎo)致顯示質(zhì)量劣化的問(wèn)題便可獲得改善。詳言之,每一畫素結(jié)構(gòu)120的掃描線122可與阻抗補(bǔ)償組件130并聯(lián),而使掃描線122與阻抗補(bǔ)償組件130所形成的阻抗和較掃描線122本身的阻抗小。并且,因阻抗補(bǔ)償組件130的阻值從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸降低,畫素結(jié)構(gòu)120的掃描線122與阻抗補(bǔ)償組件130并聯(lián)所形成的阻抗和亦從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114之處逐漸降低。如此一來(lái),相較于習(xí)知技術(shù),總掃描線(由位于同一列的畫素結(jié)構(gòu)120的掃描線122連結(jié)而成) 的阻抗隨著其末端遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)114而增加的趨勢(shì)便可明顯減緩,進(jìn)而使得習(xí)知技術(shù)中因掃描線(類似上述的總掃描線)的阻抗過(guò)度升高而導(dǎo)致顯示質(zhì)量劣化的問(wèn)題獲得改
口 ο圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖3,本實(shí)施例的顯示面板1000包括上述的主動(dòng)組件基板100、相對(duì)于主動(dòng)組件數(shù)組基板100的對(duì)向基板200以及位于主動(dòng)組件數(shù)組基板100與對(duì)向基板200之間的顯示介質(zhì)300。在本實(shí)施例中,對(duì)向基板 200例如為彩色濾光片(color filter)基板,而顯示介質(zhì)300可為液晶、有機(jī)電致發(fā)光層、 電泳顯示介質(zhì)等,但本發(fā)明不以上述為限。本實(shí)施例的顯示面板1000具有與上述的主動(dòng)組件數(shù)組基板100類似的功效及優(yōu)點(diǎn),于此便不再重述。綜上所述,本發(fā)明的主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板藉由從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處阻值逐漸降低的阻抗補(bǔ)償組件,使得每一畫素結(jié)構(gòu)的掃描線與補(bǔ)償組件并聯(lián)所形成的阻抗隨著遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)而逐漸減少,進(jìn)而改善習(xí)知技術(shù)中因掃描線的阻抗隨著遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)過(guò)度升高而導(dǎo)致的顯示質(zhì)量劣化的問(wèn)題。本發(fā)明的主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板在形成資料線時(shí)同時(shí)形成阻抗補(bǔ)償組件的導(dǎo)電線段,并利用與畫素電極同一膜層的多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)將每一阻抗補(bǔ)償組件的導(dǎo)電線段與對(duì)應(yīng)畫素結(jié)構(gòu)的掃描線并聯(lián)。因此,本發(fā)明的主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板的設(shè)計(jì)可與現(xiàn)行的制程兼容而不易增加主動(dòng)組件數(shù)組基板制作成本。此外,在本發(fā)明的主動(dòng)組件數(shù)組基板及顯示面板中,將阻抗補(bǔ)償組件設(shè)置于對(duì)應(yīng)畫素結(jié)構(gòu)的掃描在線,而使得阻抗補(bǔ)償組件的設(shè)計(jì)不易造成主動(dòng)組件數(shù)組基板的開(kāi)口率下降。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾,故本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,包括一基板,具有一顯示區(qū)以及位于該顯示區(qū)一側(cè)的一掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū);多個(gè)畫素結(jié)構(gòu),位于該基板的該顯示區(qū),而每一畫素結(jié)構(gòu)包括一掃描線;一數(shù)據(jù)線, 與該掃描線交錯(cuò)配置;一主動(dòng)組件,與該掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接;一畫素電極,與該主動(dòng)組件電性連接;以及多個(gè)阻抗補(bǔ)償組件,其中該些阻抗補(bǔ)償組件的阻值從靠近該掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處往遠(yuǎn)離該掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處逐漸降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,每一阻抗補(bǔ)償組件包括一導(dǎo)電線段;以及多個(gè)接觸結(jié)構(gòu),電性連接該導(dǎo)電線段與對(duì)應(yīng)的一畫素結(jié)構(gòu)的掃描線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,該阻抗補(bǔ)償組件位于該掃描線的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,該阻抗補(bǔ)償組件與該掃描線重迭。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,該導(dǎo)電線段的長(zhǎng)度從靠近該掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處往遠(yuǎn)離該掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處逐漸增加。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,與對(duì)應(yīng)的該畫素結(jié)構(gòu)的該掃描線并聯(lián)的每一畫素結(jié)構(gòu)更包括一絕緣層,位于該掃描線與該導(dǎo)電線段之間;以及一保護(hù)層,覆蓋該導(dǎo)電線段,其中該保護(hù)層具有一開(kāi)口,以暴露出該導(dǎo)電線段,且該些接觸結(jié)構(gòu)貫穿該絕緣層以及該保護(hù)層,而與對(duì)應(yīng)的該畫素結(jié)構(gòu)的該掃描線電性接觸,且該些接觸結(jié)構(gòu)透過(guò)該開(kāi)口而與該導(dǎo)電線段電性接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,該接觸結(jié)構(gòu)與該畫素電極的材質(zhì)相同,每一該阻抗補(bǔ)償組件的該導(dǎo)電線段與該些數(shù)據(jù)線的材質(zhì)相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,該些畫素結(jié)構(gòu)排列成多行以及多列,且位于同一行的該些畫素結(jié)構(gòu)的阻抗補(bǔ)償組件的阻值實(shí)質(zhì)上相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求9所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,其特征在于,在最靠近該掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)的一行的該些畫素結(jié)構(gòu)未設(shè)置該些阻抗補(bǔ)償組件。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括對(duì)向基板、顯示介質(zhì)以及如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)組件數(shù)組基板,該對(duì)向基板相對(duì)于該主動(dòng)組件數(shù)組基板,該顯示介質(zhì)位于該主動(dòng)組件數(shù)組基板與該對(duì)向基板之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種主動(dòng)組件數(shù)組基板,包括基板、多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)以及多個(gè)阻抗補(bǔ)償組件;基板具有顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)的一側(cè)的掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū);畫素結(jié)構(gòu)位于基板的顯示區(qū);每一畫素結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、主動(dòng)組件以及畫素電極;數(shù)據(jù)線與掃描線交錯(cuò)配置;主動(dòng)組件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接;畫素電極與主動(dòng)組件電性連接;每一阻抗補(bǔ)償組件與對(duì)應(yīng)的一個(gè)畫素結(jié)構(gòu)的掃描線并聯(lián);阻抗補(bǔ)償組件的阻值從靠近掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處往遠(yuǎn)離掃描訊號(hào)輸入?yún)^(qū)之處逐漸降低。同時(shí),本發(fā)明還涉及一種包含上述的主動(dòng)組件數(shù)組基板的顯示面板。
文檔編號(hào)H01L23/58GK102332455SQ201110276859
公開(kāi)日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月19日
發(fā)明者連致和, 郭柏宏 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 福建華映顯示科技有限公司
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