專利名稱：調(diào)控背電極從優(yōu)取向達到高效率銅銦鎵硒的技術的制作方法
調(diào)控背電極從優(yōu)取向達到高效率銅銦鎵砸的技術技術領域
本發(fā)明關于一種可提升銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法，藉由調(diào)整背電極Mo的從優(yōu)取向，而調(diào)整吸收層的縱向結(jié)構，并改善介面性質(zhì)，達到高效率的目標。
背景技術：
目前由于石化能源的漸漸耗盡，核能發(fā)電的危險性，火力發(fā)電的污染性，使得新興能源的發(fā)展逐漸獲得人們的關注，以太陽電池種類分類的話，可分為(I)單、多晶硅，因發(fā)展較早，目前市占率約80%;⑵新興的薄膜太陽電池約占市場10%，包括非晶硅、微晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒等；(3)其余材料，如染料敏化太陽電池等，則因大面積生產(chǎn)與衰竭問題尚待解決，故量非常少。而本發(fā)明技術背景為針對銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池的整體轉(zhuǎn)換效率做提高的方法，一般的銅銦鎵硒皆為(112)從優(yōu)取向的成長，此乃因為薄膜表層的銅空位缺陷所造成，而高效的銅銦鎵硒則應為(220/204)取向，這可仰賴底層的背電極的結(jié)構來做調(diào)整。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為一種可改善銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池填充因子與電流密度的方法，藉由調(diào)整底層的背電極從優(yōu)取向為來成長銅銦鎵硒吸收層，主要是經(jīng)由調(diào)整背電極Mo的成長壓力來形成所需的(110)從優(yōu)取向強度，如此可增強銅銦鎵硒的(220/204)取向，而提升銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。
具體實施方式
茲將本發(fā)明銅銦鎵硒(CIGS)組件結(jié)構說明如附圖
(一)，詳細說明如下首先我們利用濺射法來 成長背電極Mo薄膜，主要控制成長的壓力于2Pa 3Pa，如此可獲得晶格較大且較致密的Mo薄膜如圖(二)以及較強的(110)從優(yōu)取向強度。此將大幅的增強后續(xù)成長的銅銦鎵硒的(220/204)取向，如附圖(三)所示的XRD繞射圖。接著利用化學水浴法 (CBD)制備硫化鎘(CdS)形成PN結(jié),并形成一窗口層,然后以派射法(sputter)制備本徵型氧化鋅(1-ZnO)與參雜鋁的氧化鋅薄膜形成銅銦鎵硒太陽能電池組件。其中于本發(fā)明最關鍵的技術在于調(diào)控背電極Mo的制程壓力于2Pa 3Pa的范圍內(nèi)，并藉由等離子強度的控制， 達到高導電性與高附著性的背電極并具有(110)從優(yōu)取向，以利于高轉(zhuǎn)換效率銅銦鎵硒的吸收層成長。
主要組件符號說明 I…浮板玻璃2 ...Mo背電極 3…銅銦鎵硒(CIGS)吸收層 4…硫化鎘(CdS)5…本徵氧化鋅(1-ZnO)緩沖層 6…氧化鋅參雜鋁(ZnO = Al)前電極
權利要求
1.本發(fā)明關于一種可提升銅銦鎵硒太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法，藉由調(diào)整背電極 Mo的從優(yōu)取向，進而調(diào)整吸收層的縱向結(jié)構，并改善介面性質(zhì)，達到銅銦鎵硒組件聞效率的目標。
2.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的背電極為Mo。
3.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的吸收層為銅銦鎵硒(CIGS)。
4.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的N結(jié)為硫化鎘(CdS)。
5.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的前電極為本徵層氧化鋅(1-ZnO)和參雜鋁 的氧化鋅(ZnO = Al)。
6.據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的背電極Mo制作壓力為2Pa 3Pa。
全文摘要
本發(fā)明關于一種可提升銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法，藉由調(diào)整背電極Mo的從優(yōu)取向，而調(diào)整吸收層的縱向結(jié)構，并改善介面性質(zhì)，達到高效率的目標。本發(fā)明為一種可改善銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池填充因子與電流密度的方法，藉由調(diào)整底層的背電極從優(yōu)取向為來成長銅銦鎵硒吸收層，主要是經(jīng)由調(diào)整背電極Mo的成長壓力來形成所需的(110)從優(yōu)取向強度，如此可增強銅銦鎵硒的(220/204)取向，而提升銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H01L31/18GK103000750SQ20111027045
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權日2011年9月14日
發(fā)明者鄭佳仁, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司