專利名稱:發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
該發(fā)明涉及發(fā)光裝置,尤其涉及具有保護(hù)元件的發(fā)光裝置。
背景技術(shù):
一般而言,在使用發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置中,根據(jù)使用用途在各種形態(tài)的封裝件上安裝發(fā)光二極管芯片而形成。作為具有保護(hù)元件的發(fā)光裝置,具有日本特開2007-280983號公報(專利文獻(xiàn)1) 公開的發(fā)光裝置。圖14是上述專利文獻(xiàn)1所公開的以往的發(fā)光裝置的立體圖。在圖14中,封裝件1在一側(cè)面設(shè)置有發(fā)光元件2用的開口部3和保護(hù)元件用的開口部4。此外,在形成開口部3的凹部5搭載有發(fā)光元件2。另外,在形成開口部4的凹部 6搭載有上述保護(hù)元件(未圖示)。上述開口部4與搭載有發(fā)光元件2的凹部5的開口部3獨(dú)立地形成。即,封裝件1 具有為劃分保護(hù)元件搭載區(qū)域而包圍開口部4的壁的作用。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),由于能夠?qū)l(fā)光元件2和上述保護(hù)元件可靠地分離,因此能夠避免上述保護(hù)元件暴露于從發(fā)光元件2射出的光。其結(jié)果是,能夠抑制發(fā)光效率的下降,能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出的發(fā)光裝置。另外,作為具有保護(hù)元件的發(fā)光裝置,具有W02007/069399號公報(專利文獻(xiàn)2) 所公開的發(fā)光裝置。圖15是上述專利文獻(xiàn)2所公開的以往的發(fā)光裝置的俯視圖。在圖15中,發(fā)光裝置11在散熱構(gòu)件12上搭載發(fā)光二極管13,在上表面比散熱構(gòu)件12低的金屬引板14上搭載有保護(hù)元件(齊納二極管)15。由此,能夠在保護(hù)元件15不遮擋來自發(fā)光二極管13的光的情況下抑制發(fā)光二極管13的發(fā)光效率的下降。而且,上述發(fā)光二極管13的一方的電極和第一的內(nèi)部引線16電連接,發(fā)光二極管 13的另一方的電極和第二內(nèi)部引線17電連接。另外,保護(hù)元件15的上表面的電極和第一內(nèi)部引線16電連接,保護(hù)元件15的下表面的電極和金屬引板14電連接。然而,在上述以往的具有保護(hù)元件的發(fā)光裝置,存在以下的問題。在上述專利文獻(xiàn)1所記載的以往的發(fā)光裝置中,在由樹脂構(gòu)成的封裝件1的長度方向上,與發(fā)光元件2用的開口部3獨(dú)立地設(shè)置保護(hù)元件用的開口部4。因此,存在封裝件 1的長度方向的長度變長的問題。而且,由于在封裝件1上設(shè)置有多個開口部3、4,所以封裝件1的制造變得復(fù)雜,從而也存在發(fā)光元件封裝件的制造成本上升的問題。另外,根據(jù)圖14可知,上述封裝件1的中心不一定成為發(fā)光元件2用的開口部3 的中心,所以存在產(chǎn)生發(fā)光軸錯位的問題。另外,在上述專利文獻(xiàn)2所記載的發(fā)光裝置中,形成有上表面比搭載發(fā)光二極管 13的散熱構(gòu)件12低的保護(hù)元件15搭載用的金屬引板14。此外,為了使保護(hù)元件15的下表面的電極與第二內(nèi)部引線17電連接而使發(fā)光二極管13與保護(hù)元件15并列連接,利用導(dǎo)線連接金屬引板14和第二內(nèi)部引線17。這樣,由于設(shè)置上述金屬引板14且利用導(dǎo)線連接金屬引板14和第二內(nèi)部引線17, 導(dǎo)致封裝件的制造變得復(fù)雜,從而存在發(fā)光裝置的制造成本上升的問題。
專利文獻(xiàn)1日本特開2007-280983號公報專利文獻(xiàn)2W02007/069399號公報
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的課題在于提供一種可抑制因保護(hù)元件的存在而導(dǎo)致發(fā)光元件的亮度降低的、廉價且可靠性高的發(fā)光裝置。為了解決上述課題,本發(fā)明的一方面的發(fā)光裝置的特征在于,具備至少一個發(fā)光元件;保護(hù)元件,其具有電極;第一引線端子,其具有第一端部及第二端部,并搭載上述保護(hù)元件;第二引線端子,其與上述第一引線端子配置在大致同一面上,具有與上述第一引線端子的上述第二端部對置的第一端部,并搭載上述發(fā)光元件;樹脂部,其以使上述第一引線端子的上述第一端部和上述第二引線端子的第二端部露出的方式覆蓋上述第一引線端子和上述第二引線端子,并且形成有使上述第一引線端子的上述保護(hù)元件的搭載面及上述第二引線端子的上述發(fā)光元件的搭載面露出的腔體,在上述第二引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述發(fā)光元件的搭載面上形成有凹部, 上述發(fā)光元件安裝在上述凹部的底部,在上述第一引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述保護(hù)元件的搭載面上安裝上述保護(hù)元件,上述保護(hù)元件的電極與上述第二引線端子通過接合線(bonding wire)電連接。根據(jù)上述構(gòu)成,搭載發(fā)光元件的第二引線端子與搭載保護(hù)元件的第一引線端子配置在大致同一面上。此外,上述發(fā)光元件安裝在形成于上述第二引線端子的上述發(fā)光元件的搭載面上的凹部的底部。相對于此,上述保護(hù)元件安裝在上述第一引線端子的上述保護(hù)元件的搭載面上。因此,上述保護(hù)元件配置得比上述發(fā)光元件靠上部。需要說明的是,在該說明書中,“上部”是指上述樹脂部的腔體開口側(cè)即接近腔體開口的方向。另一方面,從上述發(fā)光元件射出的光被上述凹部的側(cè)壁向射出方向反射。因此,上述側(cè)壁的反射光難以到達(dá)配置在上述第一引線端子上的從上述第二引線端子的上述側(cè)壁離開的位置上的上述保護(hù)元件。因此,可抑制來自上述發(fā)光元件的光被上述保護(hù)元件吸收,能夠防止從本發(fā)光裝置射出的光的亮度降低。而且,在位于上述第二引線端子的上述腔體內(nèi)的上述凹部的底部安裝上述發(fā)光元件,在上述第一引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述搭載面上安裝上述保護(hù)元件。于是,通過在設(shè)于上述樹脂部上的一個上述腔體內(nèi)配置上述發(fā)光元件和上述保護(hù)元件,能夠?qū)⒈景l(fā)光裝置的長度方向尺寸抑制得小,并能夠使結(jié)構(gòu)簡單。而且,能夠容易地將發(fā)光元件用的開口部即上述腔體的中心設(shè)定成封裝件的中心,將本發(fā)光裝置設(shè)置成不產(chǎn)生發(fā)光軸錯位。S卩,根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種可抑制因上述保護(hù)元件的存在導(dǎo)致上述發(fā)光元件的亮度降低的、廉價且可靠性高的發(fā)光裝置。本發(fā)明的另一方面的發(fā)光裝置的特征在于,具備第一引線端子,其具有搭載面;
第二引線端子,其具有搭載面,且從上述第一引線端子分離而與該第一引線端子對置;保護(hù)元件,其搭載在上述第一引線端子的搭載面上;至少一個發(fā)光元件,其搭載在上述第二引線端子的搭載面上;樹脂部,其具有使上述第一引線端子的搭載面及第二引線端子的搭載面露出的腔體,且覆蓋上述第一引線端子和上述第二引線端子,上述第一引線端子及上述第二引線端子中的至少上述第二引線端子在位于上述腔體內(nèi)的搭載面上具有凹部,上述至少一個發(fā)光元件安裝在上述第二引線端子的上述凹部的底部,確定上述凹部的壁面用作反射來自上述發(fā)光元件的射出光的反射面,上述保護(hù)元件搭載在位于上述腔體內(nèi)的上述第一引線端子的搭載面部分,該搭載面部分位于比上述凹部的底部靠腔體開口側(cè)的位置。根據(jù)上述結(jié)構(gòu),上述保護(hù)元件比上述發(fā)光元件靠上部配置。另一方面,從上述發(fā)光元件射出的光被確定上述凹部的壁面向射出方向反射。因此,上述壁面的反射光難以到達(dá)配置在上述第一引線端子上的從上述第二引線端子的上述側(cè)壁離開的位置的上述保護(hù)元件。因此,可抑制來自上述發(fā)光元件的光被上述保護(hù)元件吸收,能夠防止從本發(fā)光裝置射出的光的亮度降低。而且,在上述第二引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述凹部的底部安裝上述發(fā)光元件,在上述第一引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述搭載面上安裝上述保護(hù)元件。于是,通過在設(shè)于上述樹脂部上的一個上述腔體內(nèi)配置上述發(fā)光元件和上述保護(hù)元件,能夠?qū)⒈景l(fā)光裝置的長度方向的尺寸抑制得小,且能夠使結(jié)構(gòu)簡單。而且,能夠容易將發(fā)光元件用的開口部即上述腔體的中心設(shè)定成封裝件的中心,能夠?qū)⒈景l(fā)光裝置設(shè)置成不產(chǎn)生發(fā)光軸錯位。另外,在一實施方式的發(fā)光裝置中,上述發(fā)光元件為多個,該多個上述發(fā)光元件相互平行地排列且并聯(lián)電連接,上述保護(hù)元件的電極通過接合線與上述第二引線端子的上述凹部的底部電連接。根據(jù)該實施方式,上述多個發(fā)光元件相互平行地排列,從而在上述第二引線端子的安裝有上述發(fā)光元件的上述凹部的底部產(chǎn)生空出區(qū)域。因此,通過在上述凹部的底部的空出區(qū)域進(jìn)行引線接合,能夠?qū)崿F(xiàn)接合時的識別性的提高及導(dǎo)線剝離的降低。另外,在一實施方式的發(fā)光裝置中,在上述第二引線端子上形成的上述凹部具有矩形的形狀,上述多個發(fā)光元件配置成上述各發(fā)光元件的長邊與矩形的上述凹部的短邊大致平行。根據(jù)該實施方式,由于上述發(fā)光元件的長邊與上述第二引線端子的上述凹部的短邊大致平行,所以能夠沿著上述凹部的長邊方向大致等間隔且平行地排列上述發(fā)光元件。 因此,在上述凹部內(nèi)平行排列的上述發(fā)光元件的長邊彼此之間設(shè)置廣闊的間隔,能夠抑制對來自上述發(fā)光元件的射出光的光吸收。而且,在上述發(fā)光元件的長邊與上述凹部的短邊之間設(shè)置廣闊的間隔,能夠充分得到利用上述凹部的側(cè)壁的上述發(fā)光元件的射出光的反射效果。即,能夠抑制光輸出的降低。
另外,該發(fā)明的又一發(fā)明的發(fā)光裝置的特征在于,具備至少一個發(fā)光元件;保護(hù)元件,其具有電極;第一引線端子,其具有第一端部及第二端部,并搭載上述保護(hù)元件;第二引線端子,其與上述第一引線端子配置在大致同一面上,具有與上述第一引線端子的上述第二端部對置的第一端部,并搭載上述發(fā)光元件;樹脂部,其以使上述第一引線端子的上述第一端部和上述第二引線端子的第二端部露出的方式覆蓋上述第一引線端子和上述第二引線端子,并且形成有使上述第一引線端子的上述保護(hù)元件的搭載面及上述第二引線端子的上述發(fā)光元件的搭載面露出的腔體,在上述第一引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述第二端部形成有第一凹部,該第一凹部呈矩形,并且在該矩形的三邊具有壁面,上述矩形的剩下的一邊在上述第二端部的前端開放,上述保護(hù)元件安裝在上述第一凹部外,在上述第二引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述第一端部形成有第二凹部,該第二凹部呈矩形,并且在該矩形的三邊具有壁面,上述矩形的剩下的一邊在上述第一端部的前端開放,上述發(fā)光元件安裝在上述第二凹部的底部,相互對置的上述第一引線端子的上述第二端部與上述第二引線端子的上述第一端部之間被上述樹脂部填埋,上述第一凹部和上述第二凹部經(jīng)由上述樹脂部形成一個凹部,上述保護(hù)元件的電極與上述第二引線端子通過接合線電連接。根據(jù)上述構(gòu)成,搭載發(fā)光元件的第二引線端子與搭載保護(hù)元件的第一引線端子配置在大致同一面上。并且,上述發(fā)光元件安裝在上述第二引線端子的形成于上述發(fā)光元件的搭載面上的第二凹部的底部。相對于此,上述保護(hù)元件安裝在上述第一引線端子的形成于上述保護(hù)元件的搭載面上的上述第一凹部外。因此,上述保護(hù)元件比上述發(fā)光元件靠上部配置。另一方面,從上述發(fā)光元件射出的光被由上述第一凹部和上述第二凹部形成的一個凹部的側(cè)壁向射出方向反射。因此,上述側(cè)壁的反射光難以到達(dá)配置在上述第一引線端子上的從上述第二引線端子的上述側(cè)壁離開的位置的上述保護(hù)元件。因此,可抑制來自上述發(fā)光元件的光被上述保護(hù)元件吸收,能夠防止從本發(fā)光裝置射出的光的亮度降低。而且,在上述第二引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述凹部的底部安裝上述發(fā)光元件,在上述第一引線端子的位于上述腔體內(nèi)的上述凹部外安裝上述保護(hù)元件。于是,通過在設(shè)于上述樹脂部上的一個上述腔體內(nèi)配置上述發(fā)光元件和上述保護(hù)元件,能夠?qū)⒈景l(fā)光裝置的長度方向的尺寸抑制得小,并且能夠使結(jié)構(gòu)簡單。而且,可容易地將發(fā)光元件用的開口部即上述腔體的中心設(shè)定成封裝件的中心,能夠?qū)⒈景l(fā)光裝置設(shè)置成不產(chǎn)生發(fā)光軸錯位。即,根據(jù)本實施方式,能夠提供可抑制因上述保護(hù)元件的存在導(dǎo)致上述發(fā)光元件的亮度降低的、廉價且可靠性高的發(fā)光裝置。另外,在一實施方式的發(fā)光裝置中,上述保護(hù)元件的電極通過接合線與上述第二引線端子的上述凹部外電連接。根據(jù)該實施方式,上述保護(hù)元件的電極通過接合線與上述第二引線端子的上述凹部外電連接。因此,通過將上述電連接部位設(shè)定成使上述接合線的長度成為最短,從而能夠抑制上述保護(hù)元件用的接合線導(dǎo)致的遮光和光吸收。另外,在一實施方式的發(fā)光裝置中,上述保護(hù)元件安裝在位于比安裝在上述第二引線端子的上述凹部的底部上的上述發(fā)光元件高的位置的上述第一引線端子的面上。根據(jù)該實施方式,上述保護(hù)元件安裝得比上述發(fā)光元件靠上部。因此,從上述發(fā)光元件射出而被由上述第一凹部和上述第二凹部所形成的一個凹部的側(cè)壁反射的光難以到達(dá)安裝在上述第一引線端子上的從上述第二引線端子的上述側(cè)壁離開的位置的上述保護(hù)元件。另外,在一實施方式的發(fā)光裝置中,搭載有上述保護(hù)元件的上述第一引線端子在形成于上述樹脂部上的上述腔體內(nèi)露出的面積比上述第二引線端子在上述腔體內(nèi)露出的面積小。根據(jù)該實施方式,在上述腔體內(nèi)露出的面積較小的上述第一引線端子上搭載上述保護(hù)元件。因此,在上述腔體內(nèi)露出的面積較大的上述第二引線端子上形成有較大的上述第一凹部,能夠容易地在該較大的第一凹部內(nèi)搭載多個上述發(fā)光元件。發(fā)明效果根據(jù)以上可以明確的是,在該發(fā)明的發(fā)光裝置中,通過將上述發(fā)光元件安裝在形成于上述第二引線端子上的凹部的底部,并將上述保護(hù)元件配置成比上述發(fā)光元件靠上部,從而能夠使從上述發(fā)光元件射出而被上述凹部的側(cè)壁向射出方向反射的光難以到達(dá)配置在上述第一引線端子上的從上述第二引線端子的上述側(cè)壁離開的位置的上述保護(hù)元件。因此,可抑制來自上述發(fā)光元件的光被上述保護(hù)元件吸收,能夠防止從本發(fā)光裝置射出的光的亮度降低。而且,由于在上述第二引線端子的上述腔體內(nèi)安裝上述發(fā)光元件,并且在上述第一引線端子的上述腔體內(nèi)安裝上述保護(hù)元件,所以能夠在設(shè)于上述樹脂部上的一個上述腔體內(nèi)配置上述發(fā)光元件和上述保護(hù)元件。因此,能夠?qū)⒈景l(fā)光裝置的長度方向的尺寸抑制得小,并且能夠使結(jié)構(gòu)簡單。而且,可容易將發(fā)光元件用的開口部即上述腔體的中心設(shè)定成封裝件的中心,能夠?qū)⒈景l(fā)光裝置設(shè)置成不產(chǎn)生發(fā)光軸錯位。S卩,根據(jù)該發(fā)明,能夠提高可抑制因上述保護(hù)元件的存在導(dǎo)致上述發(fā)光元件的亮度下降的、廉價且可靠性高的發(fā)光裝置。
根據(jù)以下詳細(xì)的說明和附圖可充分理解本發(fā)明。附圖僅用于說明,并不對本發(fā)明構(gòu)成限制。在以下的附圖中,圖1是該發(fā)明的發(fā)光裝置的立體圖。圖2是圖1所示的發(fā)光裝置的俯視圖。圖3是圖2的A-A'向視剖視圖。圖4是圖2的B-B'向視剖視圖。圖5是與圖1不同的發(fā)光裝置的俯視圖。圖6是使圖5的發(fā)光二極管芯片的長邊與凹部的長邊大致平行的情況下的說明圖。
圖7是與圖1及圖5不同的發(fā)光裝置的俯視圖。
圖8是圖7的C-C'向視剖視圖。
圖9是圖7的D-D'向視剖視圖。
圖10是與圖1、圖5及圖7不同的發(fā)光裝置的俯視圖。
圖11是圖10的E-E'向視剖視圖。
圖12是圖10的F-F'向視剖視圖。
圖13是將圖1所示的發(fā)光裝置用作液晶顯示裝置的背
圖14是以往的發(fā)光裝置的立體圖。
圖15是與圖14不同的以往的發(fā)光裝置的俯視圖。
符號說明
21,41>51,71...發(fā)光裝置
22,23、42、43、52 ~ 54...發(fā)光二極管芯片
24,44>55...齊納二極管
25. · ·樹脂部
26 28、45、56 59,60,73. · ·接合線
29,61...第一引線端子
29a,61a...第一端子部
30,62...第二引線端子
30a,62a...第二端子部
31...腔體
32,69...凹部
33...第一引線端子的內(nèi)部引線
34...凹部的凸緣部
35...凹部的底部
36...凹部的側(cè)壁
63...第二凹部
64...第一凹部
66...第二凹部的底部
67...第二凹部的側(cè)壁
65...第一凹部的延長底部
68...第一凹部的延長側(cè)壁
70...第一凹部的凸緣部
72...第二凹部的凸緣部
81...導(dǎo)光板
光光源的一例的圖(
具體實施例方式以下,根據(jù)圖示的實施方式詳細(xì)地說明本發(fā)明。第一實施方式
圖1是本實施方式的發(fā)光裝置的立體圖。另外,圖2是圖1所示的發(fā)光裝置的俯視圖。如圖1及圖2所示,本發(fā)光裝置21包括作為發(fā)光元件的兩個發(fā)光二極管芯片22、 23 ;作為保護(hù)元件的齊納二極管M ;樹脂部25 ;發(fā)光二極管芯片用的接合線沈、27 ;齊納二極管用的接合線觀;第一引線端子四;第二引線端子30。第一引線端子四及第二引線端子30分別具有第一端部及第二端部。圖3是圖2的A-A'向視剖視圖。根據(jù)圖3可知,第一引線端子四及第二引線端子30配置成第一引線端子四的上表面與第二引線端子30的上表面大致在同一平面上,并且彼此的一端部(第一引線端子四的第二端部和第二引線端子30的第一端部)相對置。上述樹脂部25以使第一引線端子四的第一端部(作為后述的第一端子部29a發(fā)揮功能)和第二引線端子30的第二端部(作為后述的第二端子部30a發(fā)揮功能)露出的方式覆蓋第一引線端子四和第二引線端子30。此外,在樹脂部25的比第一引線端子四及第二引線端子30靠上側(cè)的部位形成腔體31,第一引線端子四及第二引線端子30的上表面的大部分在腔體31內(nèi)露出。齊納二極管24及發(fā)光二極管芯片22、23在腔體31內(nèi)搭載在第一引線端子四及第二引線端子30上。S卩,上述第一引線端子四的上表面構(gòu)成上述保護(hù)元件(齊納二極管的搭載面。另一方面,第二引線端子30的上表面構(gòu)成上述發(fā)光元件(發(fā)光二極管芯片22、23)的搭載面。上述發(fā)光二極管芯片22、23收容安裝于第二引線端子30的形成在腔體31內(nèi)的上表面的凹部32的內(nèi)側(cè),且通過接合線沈、27在腔體31內(nèi)與第一引線端子四及第二引線端子30分別連接。需要說明的是,作為發(fā)光二極管芯片22、23,使用寬度為0. 3mm而長度為
0. 6mm的GaN系藍(lán)色發(fā)光二極管芯片。在此,如圖2所示,凹部32具有在俯視下為矩形的開□。上述齊納二極管M通過導(dǎo)電性粘結(jié)劑(在本實施方式中為銀焊劑)固定在第一引線端子四上,并且,頂面的電極通過接合線觀與第二引線端子30的凹部32的周圍部 (凸緣部)電連接。如圖3所示,上述齊納二極管M位于腔體31的內(nèi)部,且搭載在第一引線端子四上。即,齊納二極管M搭載在第一引線端子四的腔體31內(nèi)的區(qū)域(內(nèi)部引線)33的上表面上。另外,兩個發(fā)光二極管芯片22、23配置在腔體31的內(nèi)部且配置在第二引線端子30 的凹部32的內(nèi)側(cè)。這樣,齊納二極管M比配置在第二引線端子30的凹部32內(nèi)的發(fā)光二極管芯片22、23靠上側(cè)配置。上述齊納二極管M的頂面的電極從第二引線端子30的凹部32朝向第一引線端子四側(cè)延伸,并且通過接合線觀與位于第一引線端子四大致相同高度的延伸部(凹部32 的凸緣部)34連接。圖4為圖2的B-B'向視剖視圖。其中,在圖4中,省略包括接合線沈、27、觀的接合線。在圖1 圖4中,上述發(fā)光二極管芯片22、23配置在第二引線端子30的凹部32的內(nèi)側(cè),在圖4中可知,在比發(fā)光二極管芯片22靠里側(cè)搭載有齊納二極管M,齊納二極管M 搭載在比第二引線端子30的凹部32內(nèi)的發(fā)光二極管芯片22、23靠上部側(cè)。如上所述,齊納二極管M通過導(dǎo)電性粘結(jié)劑(銀焊劑)固定在上述第一引線端子29上,齊納二極管M的頂面的電極和第二引線端子30的凹部32的凸緣部34 (高度與第一引線端子四的上表面相同)通過接合線觀電連接。在上述第二引線端子30的凹部32形成有成為發(fā)光二極管芯片22、23的安裝區(qū)域的平坦的底部35。另外,在第二引線端子30的凹部32形成有與底部35相連的側(cè)壁36。 即,通過底部35及側(cè)壁36構(gòu)成凹部32。上述凹部32的側(cè)壁36以隨著朝向第二引線端子30的上表面而凹部32的開口擴(kuò)大的方式相對于在底部35的面豎立的垂線稍稍傾斜地形成。此外,側(cè)壁36的壁面作為從發(fā)光二極管芯片22、23射出的光的反射面而發(fā)揮功能。因此,從發(fā)光二極管芯片22、23射出而被側(cè)壁36反射的光是通過樹脂部25的腔體31而從發(fā)光裝置21射出的光。在本實施方式中,關(guān)于上述凹部32的尺寸,短邊的長度為0. 4mm,長邊的長度為 1. 6mm,深度為0. 2mm。另外,關(guān)于腔體31的尺寸,短邊的長度為0. 6mm,長邊的長度為2. 4mm, 深度為0. 3mm。如上述那樣,上述齊納二極管M搭載在樹脂部25的腔體31內(nèi)的第一引線端子四上。即,齊納二極管M比發(fā)光二極管芯片22、23靠上部搭載,所述發(fā)光二極管芯片22、23 搭載在第二引線端子30的凹部32的底部35。此外,從發(fā)光二極管芯片22、23射出的光被凹部32的側(cè)壁36向發(fā)光裝置21的射出方向反射,因此,側(cè)壁36的反射光難以到達(dá)搭載在第一引線端子四上的從第二引線端子30的側(cè)壁36離開的位置的齊納二極管M。因此,可抑制來自發(fā)光二極管芯片22、23的光被齊納二極管M吸收,可防止從發(fā)光裝置21射出的光的亮度降低。而且,對于排列在直線上的上述發(fā)光二極管芯片22、23的發(fā)光二極管芯片22而言,在發(fā)光二極管芯片23的相反方向上設(shè)置齊納二極管M,齊納二極管M與發(fā)光二極管芯片22并列連接,因此,可保護(hù)發(fā)光二極管芯片22、23使其不產(chǎn)生靜電導(dǎo)致的絕緣破損。上述由GaN系藍(lán)色發(fā)光二極管芯片構(gòu)成的發(fā)光二極管芯片22、23的靜電破損耐受量比較小,若被施加高沖擊電壓,則存在產(chǎn)生破損的情況。因此,出于靜電保護(hù)的目的,將齊納二極管M等保護(hù)元件與發(fā)光二極管芯片22、23 —同搭載。在上述第一引線端子四上形成有向樹脂部25的外部呈平板狀地延伸出的第一端子部^a。在該第一端子部29a上未實施彎曲加工。同樣,在第二引線端子30上形成有向樹脂部25的外部呈平板狀延伸出的第二端子部30a。在該第二端子部30a上未實施彎曲加工。另外,在上述第二引線端子30的凹部32內(nèi)填充有硅樹脂(未圖示),凹部32內(nèi)的發(fā)光二極管芯片22、23被樹脂密封。需要說明的是,上述硅樹脂的硬化條件為,硬化時間為1小時,硬化溫度為80°C。另外,在樹脂部25的腔體31內(nèi)填充有透光性模制構(gòu)件(未圖示),將腔體31內(nèi)的齊納二極管對及接合線沈、27、觀密封。需要說明的是,上述透光性模制構(gòu)件的硬化條件為,硬化時間為5小時,硬化溫度為150°C。如上述那樣,在本實施方式中,作為保護(hù)元件的齊納二極管M搭載于在設(shè)于樹脂部25上的腔體31內(nèi)露出第一引線端子四(內(nèi)部引線33)上。另外,作為發(fā)光元件的發(fā)光二極管芯片22、23在腔體31內(nèi)露出,并且搭載在設(shè)置于第二引線端子30上的凹部32的底部35,所述第二引線端子30配置在與第一引線端子四大致相同的面內(nèi)。于是,通過將齊納二極管M配置得比發(fā)光二極管芯片22、23靠上側(cè),可使從發(fā)光二極管芯片22、23射出而利用凹部32的側(cè)壁36向射出方向反射的光難以到達(dá)齊納二極管22。因此,可抑制從上述發(fā)光二極管芯片22、23射出的光被齊納二極管M吸收,可防止從發(fā)光裝置21射出的光的亮度下降。另外,在上述第一引線端子四的在樹脂部25的腔體31內(nèi)露出而成的內(nèi)部引線33 上搭載齊納二極管24,并且,在第二引線端子30的在腔體31內(nèi)露出而設(shè)置的凹部32內(nèi)搭載發(fā)光二極管芯片22、23。于是,通過在設(shè)于樹脂部25上的一個腔體31內(nèi)配置發(fā)光二極管芯片22、23及齊納二極管M,從而能夠?qū)l(fā)光裝置21的長度方向的尺寸抑制得小。并且,可容易地將作為發(fā)光元件用的開口部的腔體31的中心設(shè)定成封裝件的中心,且可將本發(fā)光裝置21設(shè)置成不產(chǎn)生發(fā)光軸錯位。如上所述,根據(jù)本實施方式,設(shè)于上述樹脂部25的腔體為一個腔體31,所以封裝件的制造簡單,從而能夠抑制發(fā)光裝置21的制造成本的上升。即,可提供因保護(hù)元件的存在導(dǎo)致的發(fā)光元件的亮度降低的、廉價且可靠性高的發(fā)光裝置。需要說明的是,為了進(jìn)行比較,制成在上述第二引線端子30的凹部32內(nèi)搭載有齊納二極管和發(fā)光二極管芯片22、23的發(fā)光裝置。在該比較例中,在與本實施方式的發(fā)光裝置21進(jìn)行比較的情況下,可知光輸出降低4% 5%。圖1 4所示的發(fā)光裝置具備兩個發(fā)光元件,但是發(fā)光元件的個數(shù)不限于此,可以是一個,另外也可以具備三個以上。變形例以下,描述第一實施方式的變形例。圖5是本變形例的發(fā)光裝置41的俯視圖。在圖5中,對于與上述第一實施方式的情況相同的構(gòu)件賦予相同的符號,而省略詳細(xì)的說明。在本變形例中,在第二引線端子30的凹部32內(nèi)平行配置有兩個發(fā)光二極管芯片 42、43,并且將彼此電并列連接。齊納二極管44搭載在第一引線端子四的在樹脂部25的腔體31內(nèi)露出的區(qū)域 (內(nèi)部引線)33上。另外,兩個發(fā)光二極管芯片42、43配置在與第一引線端子四大致相同的面內(nèi)的第二引線端子30的凹部32內(nèi)。這樣,齊納二極管44配置得比發(fā)光二極管芯片 42、43靠上側(cè)。上述齊納二極管44的頂面的電極從第二引線端子30的凹部32朝向第一引線端子四側(cè)延伸,且通過接合線45和位于與第一引線端子四大致相同高度的延伸部(凹部32 的凸緣部)34連接。在本變形例中,以上述發(fā)光二極管芯片42、43的長邊與凹部32的短邊大致平行的方式載置發(fā)光二極管芯片42、43。于是,通過使發(fā)光二極管芯片42、43的長邊與凹部32的短邊大致平行,從而發(fā)光二極管芯片42、43大致等間隔且平行地排列在凹部32的長邊方向上。因此,能夠在凹部32內(nèi)平行排列的發(fā)光二極管芯片42、43的長邊彼此之間設(shè)置廣闊的間隔,從而能夠抑制對來自發(fā)光二極管芯片42、43的射出光的光吸收。而且,能夠在發(fā)光二極管芯片42的長邊與凹部32的短邊之間、以及在發(fā)光二極管芯片43的長邊與凹部32的短邊之間設(shè)置廣闊的間隔,從而能夠利用凹部32的側(cè)壁36充分地獲得來自發(fā)光二極管芯片42、43的射出光的反射效果。因此,能夠抑制光輸出的降低。相對于此,如圖6所示,在以平行配列的兩個發(fā)光二極管芯片46、47的長邊與凹部 32的長邊大致平行的方式載置發(fā)光二極管芯片46、47的情況下,發(fā)光二極管芯片46、47大致等間隔且平行地排列在凹部32的短邊方向上。因此,在凹部32內(nèi)平行地排列的發(fā)光二極管芯片46、47的長邊彼此之間變窄,對來自發(fā)光二極管芯片46、47的射出光產(chǎn)生光吸收。 而且,發(fā)光二極管芯片46的長邊與凹部32的長邊之間、以及發(fā)光二極管芯片47的長邊與凹部32的長邊之間變窄,從而無法利用凹部32的側(cè)壁36充分地獲得來自發(fā)光二極管芯片 46、47的射出光的反射效果。因此,造成光輸出的下降。而且,需要四根接合線,使得對第一引線端子四的內(nèi)部引線33的接合變得困難。如上所述,作為保護(hù)元件的齊納二極管44搭載于在設(shè)于樹脂部25上的腔體31內(nèi)露出的第一引線端子四上。另外,作為發(fā)光元件的發(fā)光二極管芯片42、43在腔體31內(nèi)露出,并且搭載在第二引線端子30的凹部32的底部35,所述第二引線端子30與第一引線端子四配置在大致同一面上。這樣,通過將齊納二極管44配置得比發(fā)光二極管芯片42、43 靠上側(cè),可使從發(fā)光二極管芯片42、43射出而被凹部32的側(cè)壁36向射出方向反射的光難以到達(dá)齊納二極管44。因此,可抑制從上述發(fā)光二極管芯片42、43射出的光被齊納二極管44吸收,可防止從發(fā)光裝置41射出的光的亮度下降。另外,在上述第一引線端子四的在樹脂部25的腔體31內(nèi)露出的內(nèi)部引線33上搭載齊納二極管44,并且,在第二引線端子30的在腔體31內(nèi)露出而設(shè)置的凹部32內(nèi)搭載發(fā)光二極管芯片42、43。這樣,通過在樹脂部25上設(shè)置的一個腔體31內(nèi)配置發(fā)光二極管芯片42、43及齊納二極管44,能夠?qū)l(fā)光裝置41的長度方向的尺寸抑制得小。而且,可容易地設(shè)定成腔體31的中心成為封裝件的中心。而且,上述發(fā)光二極管芯片42、43的長邊與第二引線端子30的凹部32的短邊大致平行,從而能夠抑制光輸出的降低。在該變形例中,上述齊納二極管44的頂面的電極與第二引線端子30的凹部32的凸緣部34引線接合。然而,也可以在第二引線端子30的凹部32的底部35上連接接合線 45。在本變形例中,由于發(fā)光二極管芯片42、43的長邊與凹部32的短邊大致平行,所以與上述第一實施方式的情況相比,在凹部32的底部35產(chǎn)生空出區(qū)域。因此,通過在凹部32 的底部35的空出區(qū)域進(jìn)行引線接合,有利于提高接合性(即,提高接合時的識別性并減少導(dǎo)線剝離)。需要說明的是,將上述發(fā)光二極管芯片42、43相對于凹部32的短邊傾斜且相互平行地搭載在凹部32內(nèi),也能夠在第二引線端子30的凹部32的底部35設(shè)置空出區(qū)域。因此,在這種情況下能夠?qū)崿F(xiàn)上述接合性的提高。另外,在本變形例中,雖然是兩個發(fā)光二極管芯片42、43并列連接,但是也可以是三個以上的發(fā)光二極管芯片并列連接。第二實施方式圖7是本實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。在圖7中,第一引線端子及第二引線端子和與它們關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)以外的結(jié)構(gòu)與上述第一實施方式的情況同樣,賦予與上述第一實施方式的情況符號相同的符號,而省略詳細(xì)的說明。如圖7所示,本發(fā)光裝置51包括作為發(fā)光元件的三個發(fā)光二極管芯片52、53、 討、作為保護(hù)元件的齊納二極管陽、樹脂部25、發(fā)光二極管芯片用的接合線56 59、齊納二極管用的接合線60、第一引線端子61、第二引線端子62。第一引線端子61及第二引線端子
1362各自具有第一端部及第二端部。圖8是圖7的C-C'向視剖視圖。另外,圖9是圖7的D-D'向視剖視圖。其中, 在圖9中,省略包括接合線56 60的接合線。在圖7 圖9中,在上述第二引線端子62上形成有成為發(fā)光二極管芯片52、53、M 的安裝區(qū)域的凹部63。在此,在第二引線端子62的第一端部即該凹部63的第一引線端子 61側(cè)的一端部未形成有位于與由第一引線端子61的第一端部構(gòu)成的第一端子部61a大致相同高度的凸緣部。即,凹部63在第二引線端子62的第一端部的前端開放。在本實施方式中,在第一引線端子61上也形成有凹部64。在此,在第一引線端子61的第二端部即該凹部64的第二引線端子62側(cè)的一端部未形成有下述凸緣部,該凸緣部位于與由第二引線端子62的第二端部構(gòu)成的第二端子部6 大致相同高度。即,凹部64在第一引線端子62 的第二端部的前端開放。此外,通過第二引線端子62的凹部63和第一引線端子61的凹部 64構(gòu)成與上述第一實施方式的凹部32同樣的一個凹部。以下,將第一引線端子61的凹部 64稱為第一凹部64,將第二引線端子62的凹部63稱為第二凹部63。需要說明的是,上述第一引線端子61的第一凹部64的深度與第二引線端子62的第二凹部63的深度大致相同。另外,在第一引線端子61的上述第二端部與第二引線端子 62的上述第一端部之間設(shè)置有間隙,該間隙被樹脂部25從下側(cè)填埋。在上述第二引線端子62的第二凹部63形成有與底部66相連的側(cè)壁67。該第二凹部63的側(cè)壁67以隨著朝向第二引線端子62的上表面而第二凹部63的開口擴(kuò)大的方式相對于在底部66的面上豎立的垂線稍稍傾斜地形成。此外,側(cè)壁67的壁面作為反射從發(fā)光二極管芯片52、53、M射出的光的反射面而發(fā)揮功能。因此,從發(fā)光二極管芯片52、53、54 射出而被側(cè)壁67反射的光是通過樹脂部25的腔體31而從發(fā)光裝置51射出的光。在上述第一引線端子61的第一凹部64形成有如第二引線端子62的第二凹部63 的底部66延長了的底部65。以下,將該第一引線端子61的第一凹部64的底部65稱為延長底部65。此外,第一凹部64的延長底部65、第二凹部63的底部66、將第一引線端子61 和第二引線端子62的間隙填埋的樹脂部25的表面形成一個平面。另外,在第一引線端子 61的第一凹部64上形成有側(cè)壁68,該側(cè)壁68如從第二引線端子62的第二凹部63的側(cè)壁 67延長且與延長底部65相連。以下,將該第一引線端子61的第一凹部64的側(cè)壁68稱為延長側(cè)壁68。上述第一引線端子61的第一凹部64的延長側(cè)壁68以隨著朝向第一引線端子61 的上表面而第一凹部64的開口擴(kuò)大的方式相對于在延長底部65的面豎立的垂線稍稍傾斜地形成。此外,第一凹部64的延長側(cè)壁68的壁面作為從發(fā)光二極管芯片52、53、M射出的光的反射面而發(fā)揮功能。因此,從發(fā)光二極管芯片52、5354射出而被延長側(cè)壁68反射的光是通過樹脂部25的腔體31而從發(fā)光裝置51射出的光。利用上述第一引線端子61的第一凹部64、第二引線端子62的第二凹部63、將第一凹部64與第二凹部63的間隙填埋的樹脂部25的表面形成一個凹部69。該凹部69的尺寸為,短邊的長度為0. 7mm,長邊的長度為2. 5mm,深度為0. 2mm。另外,腔體31的形狀為,短邊的長度為0. 9mm,長邊的長度為4. 5mm,深度為0. 3mm。上述齊納二極管55通過銀焊劑粘結(jié)而搭載在腔體31內(nèi)的第一引線端子61(內(nèi)部引線)上的第一凹部64的凸緣部70 ( S卩,凹部69的凸緣部70)。此外,齊納二極管55的頂面的電極通過接合線60與第二引線端子62的第二凹部63的底部66連接。因此,上述齊納二極管55搭載得比發(fā)光二極管芯片52、53、M靠上部,所述發(fā)光二極管芯片52、53、M搭載在第二引線端子62的第二凹部63的底部66上。此外,由于從發(fā)光二極管芯片52、5354射出的光被凹部69的側(cè)壁67、68向發(fā)光裝置51的射出方向反射, 所以利用凹部69的側(cè)壁67、68的反射光難以到達(dá)搭載在第一引線端子61上的凹部69的凸緣部70上的齊納二極管55。因此,可抑制來自發(fā)光二極管芯片52、53、M的光被齊納二極管陽光吸收,可防止從發(fā)光裝置51射出的光的亮度下降。而且,對于排列在直線上的上述發(fā)光二極管芯片52、53、M的發(fā)光二極管芯片52 而言,通過在發(fā)光二極管芯片53、54的相反的方向上設(shè)置齊納二極管55,齊納二極管55與發(fā)光二極管芯片52并列連接,由此,可保護(hù)發(fā)光二極管芯片52、53、M而使其不產(chǎn)生因靜電造成的絕緣破損。在上述第一引線端子61上形成有第一端子部61a,該第一端子部61a向樹脂部25 的外部呈平板狀地延伸出。在該第一端子部61a上未施加彎曲加工。同樣,在第二引線端子62上形成有第二端子部62a,該第二端子部62a向樹脂部25的外部呈平板狀地延伸出。 在該第二端子部6 上未施加有彎曲加工。如上述那樣,在本實施方式中,利用上述第一引線端子61的第一凹部64和第二引線端子62的第二凹部63構(gòu)成一個凹部69,該凹部69配置在一個腔體31內(nèi)。此外,在多個發(fā)光二極管芯片52、53、M搭載在第二引線端子62的第二凹部63的底部66的情況下,將齊納二極管陽搭載在第一引線端子61的內(nèi)部引線上的第一凹部64的凸緣部70上。這樣, 通過在設(shè)于樹脂部25的一個腔體31內(nèi)配置發(fā)光二極管芯片52、53、M及齊納二極管55,能夠?qū)l(fā)光裝置51的長度方向的尺寸抑制得小。而且,發(fā)光元件用的開口部即腔體31的中心容易設(shè)定為成為封裝件的中心,從而可設(shè)置成使本發(fā)光裝置51不產(chǎn)生發(fā)光軸錯位。另外,在上述第一引線端子61與第二引線端子62中的、在設(shè)于樹脂部25上的腔體31內(nèi)露出的面積大的第二引線端子62上搭載多個發(fā)光二極管芯片52、53、54,而在腔體 31內(nèi)露出的面積小的第一引線端子61上搭載齊納二極管55。于是,在腔體31內(nèi)露出的面積大的第二引線端子62上可形成大的第二凹部63,可以在第二凹部63內(nèi)搭載多個發(fā)光二極管芯片52,53,54ο需要說明的是,這種情況與包括上述第一實施方式的其他實施方式的情況同樣。第三實施方式圖10是本實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。另外,圖11是圖10的E-E'向視剖視圖。另外,圖12為圖10的F-F'向視剖視圖。其中,在圖12中省略接合線。在圖10 圖12中,在本發(fā)光裝置71中,齊納二極管的頂面的電極的引線接合方法以外的構(gòu)成與上述第二實施方式的情況同樣,賦予與上述第二實施方式的情況相同的符號,而省略詳細(xì)的說明。在本實施方式中,齊納二極管55的頂面的電極通過接合線73與第二引線端子62 的第二凹部63以外的區(qū)域(具體而言,第二凹部63的凸緣部7 連接。在這種情況下,連接部位更優(yōu)選設(shè)定為使接合線73的長度成為最短。如上所述,在本實施方式中,上述齊納二極管55的頂面的電極通過接合線73與第二引線端子62的第二凹部63以外的區(qū)域連接。因此,通過將連接部位設(shè)定成使接合線73的長度變得最短,從而能夠進(jìn)一步抑制接合線73導(dǎo)致的遮光和光吸收。需要說明的是,雖然在上述第一實施方式的變形例及上述第二、第三實施方式進(jìn)行了省略,但是,與上述第一實施方式的情況同樣,在凹部32、69內(nèi)填充有上述硅樹脂,將凹部32、69內(nèi)的發(fā)光二極管芯片42、43、52 M樹脂密封。另外,在樹脂部25的腔體31 內(nèi)填充有上述透光性模制構(gòu)件,將腔體31內(nèi)的齊納二極管44、55及接合線45、56 60、73 密封。上述各實施方式所示的各發(fā)光裝置作為各種光源被使用。圖13表示將上述第一實施方式所示的發(fā)光裝置21用作液晶顯示裝置的背光光源的情況的一例。這種情況下的光源為單邊邊緣光源(edge light)型背光,構(gòu)成為多個發(fā)光裝置21沿著液晶顯示裝置的畫面內(nèi)的導(dǎo)光板81的上邊橫向排列成一列。此外,從各發(fā)光裝置21朝向下方射出的光從導(dǎo)光板81的上端面被引導(dǎo)向?qū)Ч獍?1的內(nèi)部,從導(dǎo)光板81 的表面朝向液晶畫面(未圖示)的各像素而向與導(dǎo)光板81的表面垂直的方向放射。在此,上述導(dǎo)光板81是為了向上述液晶畫面均勻地照射光而傳播從光源(發(fā)光裝置21)射出的光的板狀構(gòu)件,通常使用在丙烯樹脂表面印刷有用于使光散射的光點圖形的結(jié)構(gòu)。在此,作為液晶顯示裝置的背光光源使用的光源除了發(fā)光裝置21之外,當(dāng)然也可以使用發(fā)光裝置41、51、71。需要說明的是,在上述第一實施方式至上述第三實施方式中,作為第一引線端子 29,61及第二引線端子30、62,使用對由銅合金構(gòu)成的厚度為0. 4mm的金屬板加工而制成的引線框。而且,為了提高側(cè)壁36、67及延長側(cè)壁68的光的反射率,在上述第一引線端子四、 61及第二引線端子30、62上實施了 5 μ m膜厚的銀鍍層。作為用于鍍層的金屬,使用Cu、Ni、 Au、Al合金、Mg合金或Al和Mg的合金等。在上述各實施方式的發(fā)光裝置21、41、51、71中,在凹部32、69的內(nèi)部填充轉(zhuǎn)換從發(fā)光二極管芯片22、23、42、43、52 M射出的光的波長的波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件(未圖示)也沒有問題。作為上述波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件,使用作為綠熒光體含有(SiAl)6(0 ·Ν)8:Ειι、作為紅熒光體含有CaAlSiN3 = Eu的硅樹脂。或者,可以在樹脂部25的腔體31內(nèi)填充與上述波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件使用的樹脂相同的透光性硅樹脂來作為上述透光性模制構(gòu)件。這樣,在上述腔體31的開口附近,從發(fā)光二極管芯片22、23、42、43、52 討或上述熒光體放出的光在空氣與上述波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件之間折射,從而能夠減少朝向齊納二極管 24、44、55 一方的光。然而,在上述腔體31內(nèi)填充的上述透光性硅樹脂的表面,利用與空氣層間的折射率差而將一部分光反射,關(guān)入在填充在腔體31內(nèi)的上述透光性硅樹脂內(nèi)的光可能成為朝向齊納二極管Μ、44、55 —方的光。因此,在齊納二極管Μ、44、55的光損的減輕效果不充分。因此,若不在上述腔體31整體內(nèi)填充作為上述透光性模制構(gòu)件的透光性硅樹脂, 而是通過灌封(potting)利用上述透光性硅樹脂僅密封齊納二極管對、44、55,則能夠消除上述的不良狀況。也可以向該僅密封齊納二極管對、44、55的上述透光性硅樹脂添加光反射性構(gòu)件。
作為上述樹脂部25使用聚鄰苯二甲酰胺樹脂。該聚鄰苯二甲酰胺樹脂為白色的樹脂,其具有反射光的性質(zhì)。需要說明的是,上述實施方式在各個點進(jìn)行了例示,但是并不作為限定性解釋的根據(jù)。因此,本申請的技術(shù)范圍并非僅通過上述的實施方式解釋,而是根據(jù)權(quán)利要求書的記載來確定。另外,包括在具有與權(quán)利要求書均等的含義及范圍內(nèi)的所有的變更。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置,其特征在于,具備 至少一個發(fā)光元件;保護(hù)元件,其具有電極;第一引線端子,其具有第一端部及第二端部,并搭載所述保護(hù)元件; 第二引線端子,其與所述第一引線端子配置在大致同一面上,具有與所述第一引線端子的所述第二端部對置的第一端部,并搭載所述發(fā)光元件;樹脂部,其以使所述第一引線端子的所述第一端部和所述第二引線端子的第二端部露出的方式覆蓋所述第一引線端子和所述第二引線端子,并且形成有使所述第一引線端子的所述保護(hù)元件的搭載面及所述第二引線端子的所述發(fā)光元件的搭載面露出的腔體,在所述第二引線端子的位于所述腔體內(nèi)的所述發(fā)光元件的搭載面上形成有凹部,所述發(fā)光元件安裝在所述凹部的底部,在所述第一引線端子的位于所述腔體內(nèi)的所述保護(hù)元件的搭載面上安裝所述保護(hù)元件,所述保護(hù)元件的電極與所述第二引線端子通過接合線電連接。
2.一種發(fā)光裝置,其特征在于,具備 第一引線端子,其具有搭載面;第二引線端子,其具有搭載面,且從所述第一引線端子分離而與該第一引線端子對置;保護(hù)元件,其搭載在所述第一引線端子的搭載面上; 至少一個發(fā)光元件,其搭載在所述第二引線端子的搭載面上; 樹脂部,其具有使所述第一引線端子的搭載面及第二引線端子的搭載面露出的腔體, 且覆蓋所述第一引線端子和所述第二引線端子,所述第一引線端子及所述第二引線端子中的至少所述第二引線端子在位于所述腔體內(nèi)的搭載面上具有凹部,所述至少一個發(fā)光元件安裝在所述第二引線端子的所述凹部的底部,確定所述凹部的壁面用作反射來自所述發(fā)光元件的射出光的反射面,所述保護(hù)元件搭載在位于所述腔體內(nèi)的所述第一引線端子的搭載面部分,該搭載面部分位于比所述凹部的底部靠腔體開口側(cè)的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述發(fā)光元件為多個,該多個所述發(fā)光元件相互平行地排列且并聯(lián)電連接, 所述保護(hù)元件的電極通過接合線與所述第二引線端子的所述凹部的底部電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置,其特征在于,在所述第二引線端子上形成的所述凹部具有矩形的形狀,所述多個發(fā)光元件配置成所述各發(fā)光元件的長邊與矩形的所述凹部的短邊大致平行。
5.一種發(fā)光裝置,其具備 至少一個發(fā)光元件; 保護(hù)元件,其具有電極;第一引線端子,其具有第一端部及第二端部,并搭載所述保護(hù)元件; 第二引線端子,其與所述第一引線端子配置在大致同一面上,具有與所述第一引線端子的所述第二端部對置的第一端部,并搭載所述發(fā)光元件;樹脂部,其以使所述第一引線端子的所述第一端部和所述第二引線端子的第二端部露出的方式覆蓋所述第一引線端子和所述第二引線端子,并且形成有使所述第一引線端子的所述保護(hù)元件的搭載面及所述第二引線端子的所述發(fā)光元件的搭載面露出的腔體,在所述第一引線端子的位于所述腔體內(nèi)的所述第二端部形成有第一凹部,該第一凹部呈矩形,并且在該矩形的三邊具有壁面,所述矩形的剩下的一邊在所述第二端部的前端開放,所述保護(hù)元件安裝在所述第一凹部外,在所述第二引線端子的位于所述腔體內(nèi)的所述第一端部形成有第二凹部,該第二凹部呈矩形,并且在該矩形的三邊具有壁面,所述矩形的剩下的一邊在所述第一端部的前端開放,所述發(fā)光元件安裝在所述第二凹部的底部,相互對置的所述第一引線端子的所述第二端部與所述第二引線端子的所述第一端部之間被所述樹脂部填埋,所述第一凹部和所述第二凹部經(jīng)由所述樹脂部形成一個凹部,所述保護(hù)元件的電極與所述第二引線端子通過接合線電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述保護(hù)元件的電極通過接合線與所述第二引線端子的所述凹部外電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、3至6中任意一項所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述保護(hù)元件安裝在位于比安裝在所述第二引線端子的所述凹部的底部上的所述發(fā)光元件高的位置的所述第一引線端子的面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的發(fā)光裝置,其特征在于,搭載有所述保護(hù)元件的所述第一引線端子在形成于所述樹脂部上的所述腔體內(nèi)露出的面積比所述第二引線端子在所述腔體內(nèi)露出的面積小。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可抑制因保護(hù)元件的存在而導(dǎo)致發(fā)光元件的亮度降低的、廉價且可靠性高的發(fā)光裝置,保護(hù)元件(24)搭載于在樹脂部(25)的腔體(31)內(nèi)露出的第一引線端子(29)上。發(fā)光元件(22、23)搭載于在腔體(31)內(nèi)露出的第二引線端子(30)的凹部(32)的底部(35)上。由此,保護(hù)元件(24)比發(fā)光元件(22、23)配置得靠上側(cè)。
文檔編號H01L33/62GK102386309SQ201110243978
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月27日
發(fā)明者幡俊雄, 根本隆弘 申請人:夏普株式會社