專利名稱：涂敷顯影裝置、涂敷顯影方法和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上涂敷抗蝕劑，進(jìn)行顯影的涂敷顯影裝置、涂敷顯影方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在作為半導(dǎo)體制造工序的一個(gè)的光敏蝕刻工序中，半導(dǎo)體晶片(以下，稱為晶片) 的表面涂敷抗蝕劑，在規(guī)定圖案曝光該抗蝕劑之后，進(jìn)行顯影，形成抗蝕劑圖案。形成上述抗蝕劑圖案用的涂敷顯影裝置中，設(shè)置具備在晶片上進(jìn)行各種處理用的處理模塊的處理塊。處理塊，例如專利文獻(xiàn)1所記載，通過相互層疊形成抗蝕劑膜等的各種涂敷膜的單位塊和進(jìn)行顯影處理的單位塊構(gòu)成。各單位塊上設(shè)置晶片的搬送機(jī)構(gòu)，通過該搬送機(jī)構(gòu)， 晶片依次交接到各單位塊上設(shè)置的處理模塊接收處理。在此，為了形成更細(xì)微的圖案，進(jìn)一步降低成品率，上述處理塊上設(shè)置的處理模塊需要多樣化。例如，在晶片上涂敷抗蝕劑的抗蝕劑膜形成模塊和供給顯影液的顯影模塊之外，還有設(shè)置對(duì)涂敷了抗蝕劑的晶片的背面進(jìn)行清潔的背面清潔模塊、向抗蝕劑的上層供給藥液進(jìn)一步形成膜的上層用的液處理塊等的情況。此外，有涂敷顯影裝置構(gòu)成為能夠制造多種多樣的半導(dǎo)體制品的要求。具體來說， 研究上述抗蝕劑膜形成塊，構(gòu)成為向晶片供給正抗蝕劑、負(fù)抗蝕劑中的一個(gè)抗蝕劑，設(shè)置對(duì)應(yīng)于各個(gè)抗蝕劑的顯影模塊。研究這樣的各種處理模塊搭載在處理塊上，如何抑制涂敷顯影裝置的占地面積。上述層疊單位塊的結(jié)構(gòu)，用于抑制上述占地面積很有效，但是晶片依次向各單位塊搬送，因此，1個(gè)處理模塊或單位塊發(fā)生異常，進(jìn)行維修時(shí)，就不得不停止涂敷顯影裝置的整個(gè)處理。如此，會(huì)有裝置的生產(chǎn)率降低的問題。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開2007-11583
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是在上述事實(shí)下做出的，其提供一種在單位塊發(fā)生異常進(jìn)行維修時(shí)，能夠抑制涂敷顯影裝置的生產(chǎn)率降低并且抑制處理塊的設(shè)置面積的技術(shù)。本發(fā)明的涂敷顯影裝置，將通過載體搬入到載體塊的基板交接至處理塊，該基板在該處理塊中形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜之后，通過相對(duì)于上述處理塊位于與載體塊相反側(cè)的接口塊(即接口快位于處理塊與載體塊之間)搬送到曝光裝置，對(duì)通過上述接口塊返回的曝光后的基板在上述處理塊中進(jìn)行顯影處理，并將其交接到上述載體塊，該涂敷顯影裝置的特征在于，包括a)上述處理塊，上述處理塊包括上下層疊多個(gè)前段處理用的單位塊形成的部件，上述前段處理用的單位塊具備 用于在基板下形成下層側(cè)的防反射膜而供給藥液的下層用的液處理模塊；用于在上述防反射膜上形成抗蝕劑膜而供給抗蝕劑液的涂敷模塊；對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)；多個(gè)后段處理用的單位塊，該后段處理用的單位塊包括在多個(gè)前段處理用的單位塊的接口塊側(cè)與該前段處理用的單位塊相鄰地分別設(shè)置的、用于在形成有抗蝕劑膜的基板上形成上層側(cè)的膜而供給藥液的上層用的液處理模塊；對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊；用于對(duì)曝光前的基板進(jìn)行清潔的清潔模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)；在前段處理用的單位塊和對(duì)應(yīng)的后段處理用的單位塊之間分別設(shè)置的、用于在兩單位塊的搬送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接的涂敷處理用的交接部；上下層疊多個(gè)具備向基板供給顯影液的液處理模塊、對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊、和在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)的顯影處理用的單位塊而形成，相對(duì)于上下層疊多個(gè)上述前段處理用的單位塊形成的部件在上下方向?qū)盈B形成的第一顯影處理用的層疊塊；上下層疊多個(gè)向基板供給顯影液的液處理模塊、對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊、和在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)的顯影處理用的單位塊而形成，相對(duì)于上下層疊多個(gè)上述后段處理用的單位塊形成的部件在上下方向?qū)盈B而形成的第二顯影處理用的層疊塊；在第一顯影處理用的層疊塊的單位塊、和與該單位塊相對(duì)應(yīng)的第二顯影處理用的層疊塊的單位塊之間分別設(shè)置的、用于在兩單位塊的搬送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接的顯影處理用的交接部；和用于在各段的涂敷處理用的交接部之間以及各段的顯影處理用的交接部之間進(jìn)行基板的搬送的、能夠自由升降而設(shè)置的輔助移載機(jī)構(gòu)，b)針對(duì)各單位塊在載體塊側(cè)設(shè)置的、在各單位塊的搬送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接的搬入搬出用的交接部，c)從載體向與前段處理用的各單位塊對(duì)應(yīng)的搬入搬出用的上述交接部分配基板進(jìn)行交接，同時(shí)，從與顯影處理用的各單位塊對(duì)應(yīng)的搬入搬出用的交接部使得基板返回載體用的第一交接機(jī)構(gòu)；d)用于接收上述處理塊處理過的曝光前的基板，將曝光后的基板分配并交接給顯影處理用的單位塊的第二交接機(jī)構(gòu)。該涂敷顯影裝置的具體形態(tài)，例如如下所述。(1)上述清潔模塊具備用于對(duì)形成有抗蝕劑膜的基板的背面?zhèn)冗M(jìn)行清潔的機(jī)構(gòu)。(2)上述第一顯影處理用的層疊塊由進(jìn)行正型顯影的單位塊組構(gòu)成。上述第二顯影處理用的層疊塊由進(jìn)行負(fù)型顯影的單位塊組構(gòu)成。(3)上述第一顯影處理用的層疊塊包括進(jìn)行正型顯影的單位塊和進(jìn)行負(fù)型顯影的單位塊，上述第二顯影處理用的層疊塊包括進(jìn)行正型顯影的單位塊和進(jìn)行負(fù)型顯影的單位塊。(4)還具備控制部，該控制部在前段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)，執(zhí)行包括下述步驟的模式不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟；和該步驟之后，通過輔助移載機(jī)構(gòu)將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的步驟。(5)還具備控制部，該控制部在后段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)， 執(zhí)行包括下述步驟的模式不使用該單位塊，通過不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟，和該步驟之后，通過輔助移載機(jī)構(gòu)將該基板搬送到其它階層的后段處理用的單位塊的步驟。(6)本發(fā)明第一方面 第六方面任一方面所述的涂敷顯影裝置，其特征在于，前段處理用的單位塊的層疊數(shù)和后段處理用的單位塊的各個(gè)的層疊數(shù)為3層。(7)第一顯影處理用的層疊塊和第二顯影處理用的層疊塊的各個(gè)的單位塊的層疊數(shù)為3層。(8)上述輔助搬送機(jī)構(gòu)具備進(jìn)行各段的涂敷處理用的交接部之間搬送用的第一輔助移載機(jī)構(gòu)和進(jìn)行各段的顯影處理用的交接部之間的搬送用的第二輔助移載機(jī)構(gòu)。本發(fā)明的涂敷顯影方法，使用上述涂敷顯影裝置，實(shí)施在前段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)，不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機(jī)構(gòu)，將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的工序；和之后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，進(jìn)行形成上層側(cè)的膜的工序和對(duì)基板進(jìn)行清潔的工序。再者，其它的本發(fā)明的涂敷顯影方法，使用上述的涂敷顯影裝置，實(shí)施在后段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)，不使用該單位塊，通過不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊，在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機(jī)構(gòu)，將該基板搬送到其它階層的后段處理用的單位塊的工序；和之后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，形成上層側(cè)的膜的工序和對(duì)基板進(jìn)行清潔的工序。本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)，是存儲(chǔ)有涂敷顯影裝置中使用的計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述計(jì)算機(jī)程序，用于實(shí)施上述的涂敷顯影方法。在本發(fā)明中，層疊多個(gè)用于在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的前段處理用的單位塊，層疊多個(gè)用于在抗蝕劑膜上形成上層側(cè)的膜的后段處理用的單位塊，前后連接這些層疊體，并且，通過在前段處理用的單位塊和對(duì)應(yīng)的后段處理用的單位塊之間進(jìn)行基板的交接的交接部和在各層的交接部之間的輔助移載機(jī)構(gòu)能夠進(jìn)行基板的交接。因此，即使不能使用前段處理用的單位塊和后段處理用的單位塊中的任一個(gè)，利用輔助搬送機(jī)構(gòu)，也能夠通過其它的單位塊進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)防止生產(chǎn)率的降低。此外，在前段處理用的單位塊的層疊體和后段處理用的單位塊的層疊體上層疊多個(gè)用于進(jìn)行顯影處理的單位塊， 能夠抑制裝置的設(shè)置面積，抑制裝置的進(jìn)深尺寸(沿著連接載體塊和接口塊方向的長度尺寸)。


圖1為本發(fā)明的涂敷顯影裝置的平面圖。
圖2為上述涂敷顯影裝置的立體圖。
圖3為上述涂敷顯影裝置的縱截側(cè)面圖。
圖4為上述涂敷顯影裝置的液處理模塊的縱截側(cè)面圖。
圖5為接口塊的縱截側(cè)面圖。
圖6為上述涂敷顯影裝置的控制部的結(jié)構(gòu)圖。
圖7為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖8為表示晶片W的曝光的樣子的說明圖。
圖9為表示晶片W的曝光的樣子的說明圖。
圖10為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖11為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖12為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖13為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖14為表示上述涂敷顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
圖15為其它的處理塊的結(jié)構(gòu)圖。
圖16為其它的處理塊的結(jié)構(gòu)圖。
圖17為接口塊的縱截正面圖。
圖18為其它的處理塊的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式說明本發(fā)明的涂敷顯影裝置1。圖1表示本發(fā)明的涂敷顯影裝置1適用于抗蝕劑圖案形成裝置的情況的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖，圖2為同概略立體圖，圖3為同概略側(cè)面圖。該涂敷顯影裝置1，直線狀排列用于搬入搬出例如密閉收納25枚作為基板的晶片W的載體C的載體塊Si、對(duì)晶片W進(jìn)行處理用的處理塊S20、接口塊S4而構(gòu)成。接口塊S4上連接進(jìn)行液浸曝光的曝光裝置S5。上述載體塊Sl上設(shè)置載置上述載體C的載置臺(tái)11、從該載置臺(tái)11看設(shè)置在前方壁面的開閉部12、通過開閉部12從載體C取出晶片W用的交接臂13。交接臂13在上下方向具備5個(gè)晶片保持部14，能夠自由進(jìn)退、自由升降、圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)、在載體C的排列方向自由移動(dòng)而構(gòu)成。后述的控制部51，分配給載體C的晶片序號(hào)，交接臂13從序號(hào)小的開始每5個(gè)依次將晶片W —起交接到處理塊S20的交接模塊BUl。能夠載置晶片W的位置記載為模塊，該模塊中對(duì)晶片W進(jìn)行加熱、液處理、氣體供給或周邊曝光等的處理的模塊稱為處理模塊。此外，處理模塊中，向晶片W供給藥液或清潔液的模塊稱為液處理模塊。處理塊S20，由在載體塊Sl側(cè)設(shè)置的前段側(cè)處理塊S2和接口塊S4側(cè)設(shè)置的后方側(cè)處理塊S3構(gòu)成。參照前方側(cè)處理塊S2和后方側(cè)處理塊S3的概略縱截側(cè)面圖的圖4繼續(xù)說明。前方側(cè)處理塊S2，從下依次層疊向晶片W進(jìn)行液處理的第一 第六的前方側(cè)單位塊Bl B6而構(gòu)成。這些前方側(cè)單位塊Bl B6，具備液處理模塊、加熱模塊、作為單位塊用的搬送單元的主臂A、上述主臂A移動(dòng)的搬送區(qū)域Rl，各前方側(cè)單位塊B與這些的配置平面圖同樣構(gòu)成。各前方側(cè)單位塊B，由主臂A相互獨(dú)立的搬送晶片W，進(jìn)行處理。圖1中，表示第一前方側(cè)單位塊Bi，以下，作為代表，說明第一前方側(cè)單位塊Bi。該第一前方側(cè)單位塊Bl的中央形成從載體塊Sl向著后方側(cè)處理塊S3的上述搬送區(qū)域R1。 該搬送區(qū)域R1，在從載體塊Sl向著第二處理塊S3側(cè)看的左右分別配置液處理單元21、架單元Ul U6。液處理單元21上設(shè)置防反射膜形成模塊BCT1、抗蝕劑膜形成模塊COT1，從載體塊 Sl向著第二處理塊S3側(cè)，BCT1、C0T1依次排列。防反射膜形成模塊BCTl沿著搬送區(qū)域Rl 的形成方向具備2個(gè)旋轉(zhuǎn)夾具22，旋轉(zhuǎn)夾具22吸附保持晶片W的背面中央部，并且圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)。圖中23為處理罩，上側(cè)開口。處理罩23包圍旋轉(zhuǎn)夾具22的周圍，抑制藥液飛散。處理晶片W時(shí)，該處理罩23內(nèi)收容晶片W，晶片W的背面中央部保持在旋轉(zhuǎn)夾具 22上。此外，防反射膜形成模塊BCTl上設(shè)置各處理罩23共用的噴嘴M。圖中25為支撐噴嘴M的臂，圖中沈?yàn)轵?qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沈通過臂25在各處理罩23的排列方向移動(dòng)噴嘴24，并且通過臂25使得噴嘴M升降。通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沈，噴嘴M在防反射膜形成模塊BCTl的各處理罩23之間移動(dòng)，向交接到各旋轉(zhuǎn)夾具22上的晶片W的中心噴出防反射膜形成用的藥液。被供給的藥液，通過由上述旋轉(zhuǎn)噴嘴22在鉛直軸周圍旋轉(zhuǎn)的晶片W的離心力，向晶片W周圍擴(kuò)散，形成防反射膜。此外，圖中雖然省略，但是防反射膜形成模塊BCT1， 具備向晶片W的周端部供給溶劑，除去該周端部不需要的膜的噴嘴?？刮g劑膜形成模塊COTl與防反射膜形成模塊BCTl同樣結(jié)構(gòu)。即，抗蝕劑膜形成模塊COTl每2個(gè)具備處理各個(gè)晶片W用的處理罩23和旋轉(zhuǎn)夾具22，2個(gè)處理罩23和旋轉(zhuǎn)夾具22共有噴嘴。但是，從該噴嘴噴出抗蝕劑代替防反射膜形成用藥液。此外，該噴嘴，由供給正型抗蝕劑的噴嘴27和供給負(fù)型抗蝕劑的噴嘴觀構(gòu)成。架單元Ul TO從載體塊Sl側(cè)向著接口塊S3側(cè)排列。各架單元Ul TO構(gòu)成為 進(jìn)行晶片W的加熱處理的加熱模塊例如層疊為2段。因此，前方側(cè)單位塊Bl具備12個(gè)加熱模塊27。上述搬送區(qū)域Rl上設(shè)置上述主臂Al。該主臂Al構(gòu)成為能夠自由進(jìn)退、自由升降、在鉛直軸周圍自由旋轉(zhuǎn)、從載體塊Sl側(cè)到后方側(cè)處理塊S3側(cè)自由移動(dòng)，能夠在前方側(cè)單位塊Bl的全部的模塊之間進(jìn)行晶片W的交接。第二前方側(cè)單位塊B2和第三前方側(cè)單位塊B3，與已述的第一前方側(cè)單位塊Bl同樣結(jié)構(gòu)。如圖4所示，第二前方側(cè)單位塊B2上設(shè)置的防反射膜形成模塊為BCT2、2個(gè)抗蝕劑膜形成模塊為C0T2。此外，第三前方側(cè)單位塊B3上設(shè)置的防反射膜形成模塊為BCT3、抗蝕劑膜形成模塊為C0T3。前方側(cè)單位塊Bl B3構(gòu)成前段處理用的單位塊。接著，說明構(gòu)成第一顯影處理用的層疊塊的前方側(cè)單位塊B4 B6。第四前方側(cè)單位塊B4與第一前方側(cè)單位塊Bl的差異是具備顯影模塊DEVI、DEV2代替防反射膜形成模塊 BCTl和抗蝕劑膜形成模塊COT。第五前方側(cè)單位塊B5和第六前方側(cè)單位塊B6與第四前方側(cè)單位塊B4同樣結(jié)構(gòu)，各個(gè)具備2個(gè)顯影模塊DEV。第五前方側(cè)單位塊B5上設(shè)置的顯影模塊為DEV3、DEV4。第六前方測(cè)單位模塊B6上設(shè)置的顯影模塊為DEV5、DEV6。顯影模塊DEV 與抗蝕劑膜形成模塊COT同樣結(jié)構(gòu)。但是，向晶片W供給對(duì)正型抗蝕劑進(jìn)行顯影的顯影液代替抗蝕劑，進(jìn)行顯影處理(正顯影)。在各層的搬送區(qū)域Rl的載體塊Sl側(cè)，如圖1和圖3所示，橫跨各單位塊Bl B6設(shè)置架單元U7。架單元U7由相互層疊的多個(gè)模塊構(gòu)成，這些各模塊以下進(jìn)行說明。第一前方側(cè)單位塊Bl的高度位置上設(shè)置疏水化處理模塊ADH1、ADH2和交接模塊CPL11、CPL12。 第二前方側(cè)單位塊B2的高度位置上設(shè)置疏水化處理模塊ADH3、ADH4和交接模塊CPL13、 CPL14。第三前方側(cè)單位塊B3的高度位置上設(shè)置疏水化處理模塊ADH5、ADH6和交接模塊 CPL15、CPL16。在第四前方側(cè)單位塊B4的高度位置設(shè)置交接模塊CPL21和交接模塊BU11。第五前方側(cè)單位塊B5的高度位置設(shè)置交接模塊CPL22和交接模塊BU12。第六前方側(cè)單位塊B6 的高度位置設(shè)置交接模塊CPL23和交接模塊BU13。說明中，記載為CPL的交接模塊具備對(duì)載置的晶片W進(jìn)行冷卻的冷卻臺(tái)。記載為BU的交接模塊收容多枚晶片W，能夠滯留。此外，疏水化處理塊ADHl ADH6向包括晶片W的斜角部的表面供給處理氣體，提高疏水性。由此，即使在各液處理模塊除去該周端部的膜的晶片W的表面剝離的狀態(tài)下，該表面具有防水作用，抑制液浸曝光時(shí)從該周端部剝離各膜。此外，架單元U7中，在載體塊Sl的交接臂13盡可能高的位置設(shè)置構(gòu)成搬入搬出用交接部的交接模塊BUI、CPLlO0交接模塊BUl為了一起接收從已述的交接臂13搬送的晶片W，在上下方向具備5個(gè)晶片W的保持部。搬送到交接模塊BUl的晶片W，由控制部51 分配的序號(hào)小的開始依次分配到各單位塊。交接模塊CPLlO用于將晶片W返回載體C。架單元U7上設(shè)置檢查模塊31。檢查模塊31檢查顯影處理后的晶片W，檢查圖像倒置、線寬異常、抗試劑溶劑不好等的各種檢查項(xiàng)目有無異常。從前方側(cè)單位塊B4 B6搬出晶片W時(shí)，搬入檢查模塊31的晶片W，例如搬送到交接模塊BUll BU13。沒有搬送到檢查模塊31的晶片W從交接模塊CPL不通過交接模塊BUll BU13，返回載體C。如此分別使用交接模塊，控制晶片W的搬送，使得依照上述序號(hào)小的順序，即從載體C的搬出順序，晶片W返回載體C。此外，前方側(cè)處理塊B2中，在架單元U7附近，設(shè)置作為能夠自由升降、自由進(jìn)退的第一交接機(jī)構(gòu)的交接臂30。該交接臂30在架單元U7的各模塊之間搬送晶片W。接著，說明后方側(cè)處理塊S3。該后方側(cè)處理塊S3，由對(duì)晶片W進(jìn)行液處理的第一 第六的后方側(cè)單位塊Dl D6層疊而構(gòu)成。后方側(cè)單位塊Dl D6，位于各個(gè)前方側(cè)單位塊Bl B6相同的高度。這些后方側(cè)單位塊Dl D6以與前方測(cè)單位塊大致相同的布局構(gòu)成，具備對(duì)應(yīng)于液處理單元21的液處理單元32、加熱模塊、與作為單位塊用的搬送單元的主臂A對(duì)應(yīng)的主臂E、與上述搬送區(qū)域Rl對(duì)應(yīng)的搬送區(qū)域R2。各單位塊D由主臂E相互獨(dú)立的搬送晶片W，進(jìn)行處理。以下，參照?qǐng)D1，作為代表，對(duì)第一后方側(cè)單位塊Dl進(jìn)行說明。該后方側(cè)單位塊Dl的液處理單元32上，向著接口塊S4依次設(shè)置保護(hù)膜形成模塊 TCT1、背面清潔模塊BST1。保護(hù)膜形成模塊TCT1，除了向晶片W供給形成防水性保護(hù)膜用的藥液之外，與防反射膜形成模塊BCTl相同結(jié)構(gòu)。即，保護(hù)膜形成模塊TCTl每2個(gè)具備用于分別處理晶片W的處理罩23和旋轉(zhuǎn)夾具22，2個(gè)處理罩23和旋轉(zhuǎn)夾具22共有噴嘴M。背面清潔模塊BST與防反射膜形成模塊BCT相同結(jié)構(gòu)，指示在每個(gè)處理罩23上設(shè)置向晶片W的背面和斜角部供給清潔液進(jìn)行清潔的未圖示的噴嘴代替噴嘴M。此外，背面清潔模塊BST，也可以構(gòu)成為向背面或斜角部的一個(gè)供給清潔液。此外，以與液處理單元32 相對(duì)的方式設(shè)置各架單元U8 U12，各架單元，由2個(gè)加熱模塊33構(gòu)成。后方側(cè)單位塊D2與已述的第一后方側(cè)單位塊Dl相同結(jié)構(gòu)。第二后方側(cè)單位塊D2上設(shè)置的保護(hù)膜形成模塊為TCT2、背面?zhèn)惹鍧嵞K為BST2。第三后方測(cè)單位模塊D3上設(shè)置的保護(hù)膜形成模塊為TCT3、背面?zhèn)惹鍧嵞K為BST3。第四后方側(cè)單位塊D4與第一后方側(cè)單位塊Dl的不同在于，代替保護(hù)膜形成模塊 TCTl和背面清潔模塊BSTl，具備負(fù)極顯影模塊NTDl、NTD2。該負(fù)極顯影模塊NTD向晶片W 供給對(duì)負(fù)型抗蝕劑顯影的顯影液，進(jìn)行顯影處理(負(fù)顯影)。除去顯影液的種類不同，負(fù)極顯影模塊NTDl與顯影模塊DEV同樣構(gòu)成。第五后方側(cè)單位塊D5，作為負(fù)極顯影模塊具備 NTD3、NTD4,第六后方側(cè)單位塊D6，作為負(fù)極顯影模塊具備NTD5、NTD6。負(fù)極顯影模塊NTD使用的顯影液、防反射膜形成模塊BCT使用的藥液和抗蝕劑膜形成模塊COT使用的抗蝕劑，包括有機(jī)溶劑。負(fù)極顯影模塊NTD的處理罩23、防反射膜形成模塊BCT和抗蝕劑膜形成模塊COT的處理罩23上連接對(duì)使用完成的藥液和顯影液進(jìn)行排液的排液路徑，這些排液路徑的下游側(cè)相互合流。這些NTD、BCT和COT連接的排液路徑，與其它液處理模塊連接的排液路徑分開設(shè)置，將有機(jī)溶劑與來自其它的液處理模塊的排放液區(qū)別排液。各層的搬送區(qū)域R2的前方側(cè)處理塊S2側(cè)，如圖1和圖3所示，架單元U13橫跨各后方側(cè)單位塊Dl D6設(shè)置。對(duì)該架單元U13的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。架單元U13，由相互層疊的多個(gè)模塊構(gòu)成。在第一后方側(cè)單位塊Dl的高度位置設(shè)置交接模塊CPL31、CPL32。在第二后方側(cè)單位塊D2的高度位置設(shè)置交接模塊CPL33、CPL34。在第三后方側(cè)單位模塊D3的高度位置設(shè)置交接模塊CPL35、CPL36。此外，在第四后方側(cè)單位模塊D4的高度位置設(shè)置交接模塊CPL41、CPL42。在第五后方側(cè)單位模塊D5的高度位置設(shè)置交接模塊CPL43、CPL44。 在第六后方側(cè)單位模塊D6的高度位置設(shè)置交接模塊CPL45、CPL46。構(gòu)成架單元U13的模塊上，在與該模塊相同的高度位置能夠存在某后方側(cè)單位塊 D的主臂E和前方側(cè)單位塊B的主臂A。此外，后方側(cè)處理塊S3，在架單元U13的附近設(shè)置交接臂40，構(gòu)成為自由升降，相對(duì)于架單元U13進(jìn)退自由。交接臂40，在位于架單元U13的單位塊Bl B6的高度位置的各模塊之間搬送晶片W。接著，參照?qǐng)D5說明接口塊S4的結(jié)構(gòu)。接口塊S4上，在各后段側(cè)單位塊的主臂 El E6能夠存在的位置設(shè)置架單元Ull。架單元U11，在后方側(cè)單位塊D4、D5、D6的高度位置分別具備TRS1、TRS2、TRS3。單位塊D1、D2、D3的高度位置分別具備CPL51、CPL52、CPL53。 此外，架單元Ull具備交接模塊BU21 BU23、CPL54。這些模塊相互層疊而設(shè)置。此外，接口塊S4上，層疊設(shè)置例如4個(gè)曝光后清潔模塊PIRl PIR4。各曝光后清潔模塊PIR與抗蝕劑膜形成模塊COT同樣結(jié)構(gòu)，向晶片W表面供給保護(hù)膜去除或清潔用的處理液代替抗蝕劑。此外，接口塊S4上設(shè)置2個(gè)接口臂35、36。接口臂35、36構(gòu)成為能夠自由升降和自由進(jìn)退，接口臂35構(gòu)成為在水平方向自由移動(dòng)。接口臂35存在于曝光裝置S5、交接模塊 BU21、CPL54，在這些之間交接晶片W。接口臂36存在于構(gòu)成架單元Ull的各模塊和曝光后清潔模塊PIRl PIR4，在這些模塊之間交接晶片W。接著，參照?qǐng)D6說明涂敷顯影裝置1上設(shè)置的控制部51。圖中的52為總線，圖中的53為CPU，M為程序。該程序M上編入了向涂敷顯影裝置1的各部輸出控制信號(hào)，如后所述在模塊之間搬送晶片W，對(duì)各晶片W進(jìn)行藥液、清潔液的供給、加熱等的處理的命令(各步驟)。該程序M，例如存儲(chǔ)在軟磁盤、光盤、硬盤、MO (光磁盤)存儲(chǔ)卡等的存儲(chǔ)介質(zhì)，安裝在控制部51上。此外，總線52與存儲(chǔ)器55連接。例如，存儲(chǔ)器55具備寫入處理溫度、處理時(shí)間、 各藥液的供給量或電力值等的處理參數(shù)的值的區(qū)域，CPU53執(zhí)行程序M的各命令時(shí)，讀出這些的處理參數(shù)，對(duì)應(yīng)于該參數(shù)值的控制信號(hào)輸入該涂敷顯影裝置1的各部位。此外，存儲(chǔ)器55上設(shè)置搬送時(shí)間存儲(chǔ)區(qū)域56。該存儲(chǔ)區(qū)域56存儲(chǔ)與晶片W的ID、 該晶片W的搬送目的地的模塊、被搬送的模塊的順序相互對(duì)應(yīng)的搬送時(shí)間。此外，該搬送時(shí)間表中存儲(chǔ)各液處理模塊中2個(gè)處理罩23中，搬入哪個(gè)。該搬送時(shí)間表，在晶片W處理前預(yù)先設(shè)定，但是如后所述，決定向單位塊或模塊的搬送停止時(shí)，與搬送停止的單位塊或模塊對(duì)應(yīng)變更，以變更的時(shí)間表進(jìn)行搬送。此外，在總線52上連接設(shè)定部57。設(shè)定部57例如由鍵盤、鼠標(biāo)、觸摸屏等構(gòu)成， 用戶能夠選擇晶片W的搬送模式。全部的單位塊能夠動(dòng)作的狀態(tài)的搬送模式為通常搬送模式，該通常搬送模式中，能夠選擇抗蝕劑膜形成模塊COT中進(jìn)行負(fù)型抗蝕劑的涂敷、后段側(cè)單位塊D4 D6中進(jìn)行顯影處理的第一通常搬送模式Fl ；抗蝕劑膜形成模塊COT中進(jìn)行正型抗蝕劑的涂敷、前段側(cè)單位塊B4 B6中進(jìn)行顯影處理的第二通常搬送模式G1，相當(dāng)于用戶能夠從設(shè)定部57選擇執(zhí)行的通常搬送模式。此外，用戶在通常搬送模式Fl或Gl的執(zhí)行中，能夠?qū)?yīng)于進(jìn)行維修的單位塊將搬送模式替換為后述的F2 F3或者G2 G3。此外，該搬送模式的替換，也有后述那樣的自動(dòng)替換的情況。搬送模式進(jìn)行切換，對(duì)應(yīng)于切換的搬送模式搬送時(shí)間表變化，向各主臂A、 E、交接臂13、30、40、接口臂35、36輸送控制信號(hào)，切換晶片W的搬送目的地。此外，用戶能夠從設(shè)定部57指定晶片W的ID，在檢查模塊31進(jìn)行檢查設(shè)定晶片W。主臂A、E，向控制部51輸出例如對(duì)應(yīng)于其位置的位置信號(hào)，基于該位置信號(hào)，控制部51判定主臂A、E的動(dòng)作有無異常。此外，各處理模塊對(duì)應(yīng)于其動(dòng)作向控制部51輸出信號(hào)，基于該信號(hào)，控制部51判定各處理模塊的動(dòng)作有無異常。如此，控制部51判定主臂A、 E、各單位塊的處理模塊動(dòng)作有異常的情況下，進(jìn)行上述搬送模式的變更。(通常搬送模式Fl)接著，對(duì)執(zhí)行通常搬送模式Fl時(shí)的涂敷顯影裝置1中的晶片W的搬送路徑進(jìn)行說明。圖10為表示該搬送路徑的概略的圖，從載體C取出到緩沖模塊BUl的晶片W，分配到第一 第三的前方側(cè)單位塊Bl B3，分別接收處理，之后，以第一前方側(cè)單位塊Bl —第一后方側(cè)單位塊D1、第二前方側(cè)單位塊B2 —第二后方側(cè)單位塊D2、第三前方側(cè)單位塊B3 —第三后方側(cè)單位塊D3的路徑分別搬送。在第一 第三后方側(cè)單位塊Dl D3接收處理的晶片W，搬入曝光裝置S5，分配到第四 第六后方側(cè)單位塊D4 D6，接收顯影處理。在該例中，分配到后方側(cè)單位塊D1、D2、D3的晶片W，分別分配到后方側(cè)單位塊D4、 D5、D6，之后，分別通過前方側(cè)單位塊B4、B5、B6，返回載體C。此外，晶片W，從控制部51分配的序號(hào)小的開始依次，例如以單位塊B1、B2、B3、B1、B2、B3、B1……的順序，循環(huán)著分配到單位塊Bl B3。晶片W的搬送路徑，以模塊單位詳細(xì)說明，以從交接模塊BUl分配到第一前方側(cè)單位塊Bl的方式設(shè)定的晶片W，以交接臂30 —疏水化處理模塊ADH1、ADH2的順序被搬送， 進(jìn)行疏水化處理。之后，主臂Al，以交接模塊CPLll —防反射膜形成模塊BCTl —加熱模塊 27 —交接模塊CPL12 —抗蝕劑膜形成模塊COTl —加熱模塊27 —交接模塊CPL31的順序搬送上述晶片W，在晶片W上依次形成防反射膜、負(fù)型抗蝕劑膜。上述晶片W，由主臂El搬入第一后方側(cè)單位塊D1，依次搬送到保護(hù)膜形成模塊 TCTl —加熱模塊33 —交接模塊CPL32，形成保護(hù)膜，接著，搬送到背面清潔模塊BST1，接收背面清潔處理。其后，晶片W以主臂El —交接模塊CPL41的順序被搬送，并被搬入到接口塊S4。其后，以接口臂36 —交接模塊BU22、BU23 —接口臂36 —交接模塊CPLM —接口臂 35 —曝光裝置S5的順序搬送晶片W，進(jìn)行液浸曝光。圖8、圖9表示在該曝光裝置S5的處理的樣子。圖中61為載置被曝光的晶片W的工作臺(tái)，圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)。N為晶片W的凹口。63為曝光頭，一邊對(duì)晶片W進(jìn)行曝光一邊移動(dòng)。曝光頭63，一邊如點(diǎn)化線的箭頭所示向晶片W照射光，一邊在晶片W的一邊側(cè)和另一邊側(cè)之間移動(dòng)，每當(dāng)進(jìn)行該移動(dòng)時(shí)以與移動(dòng)方向正交的方式錯(cuò)開。由此，在晶片W上形成網(wǎng)狀的曝光區(qū)域64。圖中曝光區(qū)域64上附有多個(gè)點(diǎn)。之后，90度旋轉(zhuǎn)晶片W，曝光頭63在此在晶片W上同樣動(dòng)作，在晶片W上曝光為井字形。圖中65為非曝光區(qū)域。液浸曝光后的晶片W，以接口臂35 —交接模塊BU21 —接口臂36 —曝光后清潔模塊PIRl PIR4 —接口臂36 —交接模塊TRSl的順序被搬送。然后，上述晶片W，由主臂E4， 以加熱模塊33 —交接模塊CPL41 —負(fù)極顯影模塊NTDl NTD2的順序被搬送到第四后方側(cè)單位塊D4，非曝光區(qū)域65溶解在顯影液中，形成排列成格子狀的孔的圖案。其中，上述孔， 例如在接觸孔的形成中被利用。顯影后，晶片W以主臂E4 —加熱模塊33 —交接模塊CPL42 的順序被搬送。主臂A4將上述晶片W以交接模塊CPL21 —交接臂30 —交接模塊BUll —交接臂 30 —檢查模塊31的順序搬送，檢查后，以交接臂30 —交接模塊CPLlO —交接臂13的順序搬送，交接臂13使得該晶片W返回載體C。其中，不是檢查對(duì)象的晶片W，在顯影、加熱處理后，以交接模塊CPL21 —交接臂30 —交接模塊CPLlO —交接臂13 —載體C的順序被搬送。分配給第二前方側(cè)單位塊B2的晶片W，以與分配給第一前方側(cè)單位塊Bl的晶片 W同樣的順序，在模塊之間被搬送，接收同樣的處理。以下，簡(jiǎn)單說明分配給第二前方側(cè)單位塊B2的晶片W的搬送路徑。該晶片W，以交接模塊BUl —交接臂30 —疏水化處理模塊 ADH3、ADH4的順序被搬送，之后，主臂A2將該晶片W以交接模塊CPL13 —防反射膜形成模塊BCT2 —加熱模塊27 —交接模塊CPL14 —抗蝕劑膜形成模塊C0T2 —加熱模塊27 —交接模塊CPL33的順序搬送，形成負(fù)型抗蝕劑膜。其后，通過主臂E2，上述晶片W，以保護(hù)膜形成模塊TCT2 —加熱模塊33 —交接模塊CPL34 —背面?zhèn)惹鍧嵞KBST2 —交接模塊CPL52的順序被搬送，交接到接口臂36之后， 以與分配到第一前方側(cè)單位塊Bl的晶片W同樣的路徑，依次向曝光裝置S5、曝光后清潔模塊P^搬送。其后，上述晶片W，以上述曝光后清潔模塊P^ —接口臂36 —交接模塊TRS2 — 主臂E5 —加熱模塊33 —交接模塊CPL43 —負(fù)極顯影模塊NTD3 NTD4的順序被搬送。其后，晶片W以主臂E5 —加熱模塊33 —交接模塊CPL44 —主臂A5 —交接模塊 CPL22 —交接臂30 —交接模塊BU12 —交接臂30 —檢查模塊31 —交接臂30 —交接臂30 — 交接模塊CPLlO —交接臂13—載體C的順序被搬送。不是檢查對(duì)象的晶片W，在顯影、加熱處理后，從交接模塊CPL22，通過上述路徑，返回載體C。分配給第三前方側(cè)單位塊B3的晶片W，在模塊間被搬送，使得也與分配給第一前方側(cè)單位塊Bl的晶片W同樣的順序接收處理。以下，簡(jiǎn)單說明搬送路徑。以交接模塊BU1 —交接臂30 —疏水化處理模塊ADH5、ADH6的順序被搬送后，主臂A3將該晶片W按照交接模塊CPL15 —防反射膜形成模塊BCT3 —加熱模塊27 —交接模塊CPL16 —抗蝕劑膜形成模塊 C0T3 —加熱模塊27 —交接模塊CPL35的順序被搬送，形成負(fù)型抗蝕劑膜。其后，晶片W，以主臂E3 —保護(hù)膜形成模塊TCT3 —主臂E3 —加熱模塊33 —主臂 E3 —交接模塊CPL36 —背面?zhèn)惹鍧嵞KBST3 —交接模塊CPL53 —接口臂36的順序被搬送。 以下，晶片W從上述路徑被搬送到接口塊S4，接收曝光、曝光清潔處理，接口臂36 —交接模塊TRS3交接后，由主臂E6以加熱模塊33 —交接模塊CPL43 —負(fù)極顯影模塊NTD5、NTD6的順序搬送，進(jìn)行顯影處理。其后，晶片W，以主臂E6 —加熱模塊33 —交接模塊CPL44 —主臂A5 —交接模塊 CPL23 —交接臂30 —交接模塊BU13 —交接臂30 —檢查模塊31 —交接臂30 —交接模塊 CPLlO —交接臂13 —載體C的順序被搬送。不是檢查對(duì)象的晶片W，經(jīng)過顯影、加熱處理后， 從交接模塊CPL23，通過上述路徑，返回載體C。(通常搬送模式Gl)接著，以與搬送模式Fl的差異為中心，參照?qǐng)D10對(duì)通常搬送模式Gl的搬送路徑進(jìn)行說明。與通常搬送模式Fl執(zhí)行時(shí)同樣，將晶片W，搬送到前方側(cè)單位塊Bl B3、后方側(cè)單位塊Dl D3和接口塊S4、曝光裝置S5。只是，各抗蝕劑膜形成模塊C0T，向晶片W供給正型抗蝕劑。曝光后，分配給前方側(cè)單位塊B1、B2、B3的晶片W，分別搬入接口塊S4的交接模塊 TRS1、TRS2、TRS3。搬入交接模塊TRSl的晶片W，以主臂E4 —交接模塊CPL41 —主臂A4的順序被傳遞，搬入前方側(cè)單位塊B4，主臂A4，將該晶片W，傳遞到加熱模塊27 —交接模塊CPL42 —顯影模塊DEVI、DEV2 —加熱模塊27 —交接模塊CPL21。搬入交接模塊TRS2的晶片W，以主臂E5 —交接模塊CPL43 —主臂A5的順序被傳遞，搬入前方側(cè)單位塊B4。主臂A5，將該晶片W，傳遞到加熱模塊27 —交接模塊CPL44 —顯影模塊DEV3、DEV4 —加熱模塊27 —交接模塊CPL22。交接模塊TRS3的晶片W，以主臂E6 —交接模塊CPL45 —主臂A6的順序被傳遞，搬入前方側(cè)單位塊B6，主臂A6，將該晶片W，傳遞到加熱模塊27 —交接模塊CPL46 —顯影模塊 DEV5、DEV6 —加熱模塊27 —交接模塊CPL23。如此搬送到交接模塊CPL21 CPL23的晶片 W，與通常搬送模式Fl執(zhí)行時(shí)同樣，搬送到載體C。例如，該通常搬送模式G1，如圖9所示， 對(duì)晶片W整體進(jìn)行1次曝光后，工作臺(tái)61旋轉(zhuǎn)，不進(jìn)行曝光頭63的再移動(dòng)和再曝光，形成與通常搬送模式Fl不同形狀的抗蝕劑圖案。(搬送模式F2)接著，對(duì)執(zhí)行搬送模式F2的情況進(jìn)行說明。該搬送模式F2，是在搬送模式Fl執(zhí)行時(shí)，前方側(cè)單位塊Bl B3中，任一單位塊不進(jìn)行處理的情況下執(zhí)行的搬送模式，在能夠處理的前方側(cè)單位塊Bl B3進(jìn)行處理后，晶片W分配到單位塊Dl D3進(jìn)行搬送。以下，參照?qǐng)D11，對(duì)例如控制部51檢測(cè)出搬送臂Al異常的情況進(jìn)行說明。檢測(cè)出上述異常，控制部 51停止搬送臂Al的動(dòng)作和前方側(cè)單位塊Bl的各處理模塊的動(dòng)作。通過交接臂30，后續(xù)的晶片W在第二、第三前方側(cè)單位塊B2、B3交替搬送，在已述的搬送路徑，各晶片W搬送到各前方側(cè)單位塊B2、B3，接收處理，然后，搬送到架單元U13的交接模塊CPL33、CPL35。搬送到交接模塊CPL33、CPL35的晶片W中，例如在通常搬送模式Fl執(zhí)行時(shí)預(yù)定在前方側(cè)單位塊Bl被處理的晶片W，通過交接臂40搬送到交接模塊CPL31，通過主臂El搬入后方側(cè)單位塊Dl。其它的晶片W，從交接模塊CPL32、CPL33通過主臂E2、E3分別搬入后方側(cè)單位塊D2、D3。以下，與通常搬送模式Fl執(zhí)行時(shí)同樣，各晶片W被搬送，接收處理。晶片 W的搬送停止的第一前方側(cè)單位塊Bi，用戶能夠進(jìn)行在故障時(shí)的休息、定期檢查、調(diào)整確認(rèn)等的維修。前方側(cè)單位塊B2、B3中，不進(jìn)行晶片W的處理的情況，也與該例相同，通過能夠使用的前方側(cè)單位塊B進(jìn)行處理，然后，通過交接臂40，將晶片W分配給將晶片W搬入各后方側(cè)單位塊B4 B6用的交接模塊CPL。(搬送模式F3)接著，對(duì)執(zhí)行搬送模式F3的情況進(jìn)行說明。該搬送模式F3，是在搬送模式Fl執(zhí)行時(shí)，后方側(cè)單位塊D1、D2、D3中的任一不進(jìn)行處理的情況下執(zhí)行的搬送模式。在前方側(cè)單位塊Bl B3接收處理的晶片W，分配到上述Dl D3的后方側(cè)單位塊中能夠處理的后方側(cè)單位塊。以下，參照?qǐng)D12，對(duì)例如主臂El檢測(cè)出異常的情況進(jìn)行說明。控制部51停止主臂El的動(dòng)作和后方側(cè)單位塊Dl的各處理模塊的動(dòng)作。將在前方側(cè)單位塊Dl處理過的晶片W搬送到交接模塊CPL31，該晶片W，通過交接臂40，交替分配到架單元U13的交接模塊 CPL33、CPL35，從交接模塊CPL33、CPL35搬入后方側(cè)單位塊D2、D3，接收處理。曝光后，這些晶片W，通過接口臂37分配到后方側(cè)單位塊B4 B6，接收處理，與通常搬送模式Fl執(zhí)行時(shí)同樣，返回載體C。晶片W的搬送停止的第一后方側(cè)單位塊D1，用戶能夠進(jìn)行已述的維修。在后方側(cè)單位塊D2、D3，不進(jìn)行晶片W的處理的情況下也與該例同樣，通過交接臂40，將晶片W分配給Dl D3中的能夠使用的后方側(cè)單位塊D，晶片W在該單位塊D處理后，分配到各后方側(cè)單位塊D4 D6。(搬送模式G2)接著，對(duì)搬送模式G2進(jìn)行說明。該搬送模式G2，是搬送模式Gl在執(zhí)行時(shí)，前方側(cè)單位塊B1、B2、B3中，任一個(gè)不能進(jìn)行處理的情況下執(zhí)行的搬送模式。在能夠處理的前方側(cè)單位塊Bl B3進(jìn)行處理后，將晶片W分配到單位塊Dl D3，進(jìn)行搬送的模式。圖13表示與圖11同樣在前方側(cè)單位塊Bl不進(jìn)行處理的情況下的搬送路徑。除去在前方側(cè)單位塊 B4 B6進(jìn)行顯影處理代替后方側(cè)單位塊D4 D6，與搬送模式F2同樣搬送晶片W。(搬送模式G3)接著，對(duì)搬送模式G3進(jìn)行說明。該搬送模式G3，是在搬送模式Gl執(zhí)行時(shí)，在后方側(cè)單位塊D1、D2、D3中的任一個(gè)不進(jìn)行處理時(shí)執(zhí)行的搬送模式，將在前方側(cè)單位塊Bl B3 接收處理的晶片W分配到上述Dl D3的后方側(cè)單位塊中能夠處理的后方側(cè)單位塊。圖13 表示與圖11同樣的在后方側(cè)單位塊Dl不進(jìn)行處理的情況下的搬送路徑。除了在前方側(cè)單位塊B4 B6進(jìn)行顯影處理代替后方側(cè)單位塊D4 D6之外，與搬送模式F3同樣搬送晶片 I表示了晶片W的處理中，搬送模式自動(dòng)從Fl和Gl切換的例子，但是，用戶能夠例如從設(shè)定部57選擇停止晶片W的搬送的單位塊，指示向搬送模式F2、F3、G2和G3的切換。 用戶能夠以已述的方式對(duì)停止搬送的單位塊進(jìn)行維修。上述例子中，三次都以停止向相同結(jié)構(gòu)的單位塊中的1個(gè)的晶片W的搬送為例進(jìn)行說明，但是，也可以停止向相同結(jié)構(gòu)的單位塊中的2個(gè)晶片W的搬送。此外，搬送模式F2、 F3相互組合實(shí)施也可以，搬送模式G2、G3相互組合實(shí)施也可以。因此，可以同時(shí)停止向前方側(cè)單位塊Bl B3中的1個(gè)或2個(gè)，后方側(cè)單位塊Dl D3中的一個(gè)或2個(gè)的晶片W的搬送。此外，涂敷顯影裝置1，依據(jù)在檢查模塊31檢查晶片W的結(jié)果，能夠停止向單位塊的晶片W的搬送。具體說明如下在晶片W檢查出異常時(shí)，控制部51將異常的檢查項(xiàng)目、該晶片W的ID、搬送路徑相互對(duì)應(yīng)起來，作為檢查履歷存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器55中?？刂撇?1，基于到此為止存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器55中的過去的檢查履歷，判斷通過相同單位塊的規(guī)定的枚數(shù)的晶片W，對(duì)于相同的檢查項(xiàng)目，是否檢查異常。在判定為檢查出異常的枚數(shù)比規(guī)定的枚數(shù)少的情況下，繼續(xù)進(jìn)行處理。在判定檢查出異常的枚數(shù)在規(guī)定的枚數(shù)以上的情況下，決定停止向該單位塊的晶片W的搬送。進(jìn)行了如此決定，控制部51控制各交接臂和接口臂的動(dòng)作，使得晶片W分配到?jīng)]有停止搬送的單位塊，使用這些單位塊繼續(xù)進(jìn)行晶片W的處理。此外，控制部51，停止決定停止搬送的單位塊中的各處理模塊的動(dòng)作和主臂的動(dòng)作。由此，用戶能夠?qū)υ搯挝粔K進(jìn)行已述的維修。根據(jù)如此檢查結(jié)果，停止單位塊的搬送的情況下，與上述搬送模式F2、G2等的執(zhí)行時(shí)不同，例如對(duì)通過發(fā)生異常的晶片W全部的單位塊，停止搬送。S卩，單位塊Bl B3和 Dl D3之外，單位塊B4 B6和D4 D6也一樣，向通過異常發(fā)生的晶片W的單位塊的搬送停止。此外，涂敷顯影裝置1，能夠停止向每個(gè)處理模塊的晶片W的搬送。具體說明如下 控制部51檢查出晶片W異常時(shí)，存儲(chǔ)已述的檢查的履歷。接著，參照過去的檢查的履歷，通過相同處理模塊的晶片W中，規(guī)定枚數(shù)的晶片W針對(duì)相同的檢查項(xiàng)目判定檢測(cè)出異常的情況下，控制部51停止向該處理模塊的晶片W的搬送。即，單位塊中，晶片W搬送到停止搬送的處理模塊以外的同種處理模塊，在單位塊繼續(xù)晶片W的搬送。但是，對(duì)于BCT、C0T、TCT和 BST，各單位塊每個(gè)只設(shè)置1個(gè)，因此決定停止對(duì)這些液處理模塊的搬送的情況下，例如停止向包括該液處理模塊的單位塊的晶片W的搬送。用戶能夠從設(shè)定部57設(shè)定，是對(duì)每個(gè)這樣的單位塊停止晶片W的搬送，還是停止處理模塊單位的晶片W的搬送。根據(jù)該涂敷顯影裝置，層疊用于在晶片W上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的前方側(cè)單位塊Bl B3、層疊用于在抗蝕劑膜上形成上層側(cè)的膜的后方側(cè)單位塊Dl D3， 前后連接這些層疊體，并且，在前方側(cè)單位塊Bl B3和對(duì)應(yīng)的后段處理用的后方側(cè)單位塊 Dl D3之間的各層設(shè)置交接模塊，通過交接臂40，在各交接模塊之間能夠進(jìn)行晶片W的交接。因此，即使前方側(cè)單位塊Bl B3的任一個(gè)進(jìn)行故障或維修等不能使用，在能夠使用的前方側(cè)單位塊Bl B3進(jìn)行處理后，也能夠?qū)⒕琖分配到后方側(cè)單位塊Dl D3的各層。 此外，即使后方側(cè)單位塊Dl D3中的任一個(gè)，由于故障和維修不能使用，在前方側(cè)單位塊 Bl B3進(jìn)行處理后，也能夠?qū)⒕琖分配到后方側(cè)單位塊Dl D3中的能夠使用的各層。 由此，能夠?qū)崿F(xiàn)避免生產(chǎn)效率的降低。此外，在前方側(cè)單位塊Bl B3的層疊體上，在后方側(cè)單位塊Dl D3的層疊體上，分別層疊用于進(jìn)行顯影處理的前方側(cè)單位塊B4 B6，后方側(cè)單位塊D4 D6，能夠抑制裝置的設(shè)置面積，抑制從裝置的載體塊Sl向著接口塊S4的長度尺寸。此外，該涂敷、顯顯影裝置1中，能夠選擇負(fù)顯影、正顯影，因此與多個(gè)設(shè)置分別進(jìn)行這樣的顯影處理的涂敷顯影裝置的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)成本的降低和工廠內(nèi)的裝置的設(shè)置面積的減少。此外，圖8、圖9所示的搬送模式Fl F3的曝光圖案是一個(gè)例子，不限于上述那樣晶片W的旋轉(zhuǎn)前后進(jìn)行曝光，曝光頭63只在晶片W上掃描一次進(jìn)行曝光也可以。涂敷顯影裝置1中，后方側(cè)單位塊Bl B3的各架單元U8 U12，除了加熱模塊 33，也可以具備在抗蝕劑涂敷后的晶片W上進(jìn)行周邊曝光的周邊曝光模塊TOE和檢查模塊。 這種情況下，搬入后方側(cè)單位塊Bl B3的晶片W，例如以周邊曝光模塊TOE —檢查模塊一保護(hù)膜形成模塊TCT的順序被搬送。上述檢查模塊，例如檢查抗蝕劑膜的表面的異物有無和抗蝕劑的膜厚。在晶片W 檢查出異常的情況下，控制部51基于搬送時(shí)間表進(jìn)行已述的判定，對(duì)檢查出異常的晶片W 通過的處理模塊、單位塊，停止后續(xù)的晶片W的搬送。此外，在后方側(cè)單位塊Bl B3，以保護(hù)膜形成模塊TCT —加熱模塊33 —檢查模塊的順序搬送晶片W，對(duì)保護(hù)膜形成后的晶片W 檢查異物和各膜的膜厚也可以。這種情況下，在晶片W檢查出異常，同樣對(duì)通過晶片W的處理模塊、單位塊，停止后續(xù)的晶片W的搬送。此外，通過各檢查模塊的檢查結(jié)果，停止向各處理模塊的搬送，對(duì)于液處理模塊 BCT、C0T、TCT、BST和DEV，例如能夠控制向各處理罩每個(gè)的晶片W的搬送的停止。S卩，這些各處理模塊中，向處理發(fā)生異常的晶片W的處理罩23的晶片W的搬送停止，而能夠繼續(xù)進(jìn)行與該處理罩23共有噴嘴M的處理罩23的晶片W的搬送。如此，向處理罩23停止搬送晶片W的情況下，在裝置內(nèi)，為了調(diào)整晶片W的處理枚數(shù)，例如不使用1個(gè)BCT的處理罩23 的情況下，設(shè)定為不使用相同單位塊的1個(gè)COT處理罩23。同樣，例如不使用1個(gè)COT處理罩23的情況下，也不使用相同的單位塊的1個(gè)BCT。即使是與如此向COT和BCT的處理罩23的搬送停止的單位塊相同結(jié)構(gòu)的單位塊，停止向COT的1個(gè)處理罩23和BCT的1個(gè)處理罩23的搬送，調(diào)整晶片W的處理枚數(shù)也可以。此外，上述涂敷顯影裝置1中，TCT不是保護(hù)膜形成模塊，而是在抗蝕劑膜的上層形成防反射膜的模塊也可以。此外，在疏水化處理模塊ADH的疏水化處理，代替在防反射膜形成模塊BCT中形成防反射膜之前進(jìn)行，在上述防反射膜形成后、抗蝕劑涂敷前形成也可以，在抗蝕劑涂敷后、向單位塊B3、B4搬送晶片W之前進(jìn)行也可以。在各液處理單元21、22中，向晶片W供給的藥液，例如向涂敷顯影裝置1的下方側(cè)設(shè)置的未圖示的排液路徑排出。在防反射膜形成模塊BCT、抗蝕劑膜形成模塊COT和保護(hù)膜形成模塊TCT向晶片W供給的藥液的粘度，比在顯影模塊DEV和NTD供給的顯影液的粘度高，因此，該實(shí)施方式中，將顯影模塊DEV、NTD配置為上側(cè)的單位塊，其它的液處理模塊配置為下側(cè)的單位塊，各藥液能夠迅速排出。作為其結(jié)果，各處理模塊中，能夠防止藥液的揮發(fā)，能夠防止液處理單元21內(nèi)的處理環(huán)境發(fā)生變化。但是，包括顯影模塊DEV和負(fù)極顯影模塊NTD的單位塊，也可以位于包括防反射膜形成模塊BCT、抗蝕劑膜形成模塊COT和保護(hù)膜形成模塊TCT的單位塊的下方。此外，如圖15所示，在前方側(cè)單位塊B4 B6配置顯影模塊DEV，在后方側(cè)單位塊 D4 D6配置負(fù)極顯影模塊NTD也可以。如圖16所示，前方側(cè)單位塊B4 B6和后方側(cè)單位塊D4 D6也可以包括顯影模塊DEV和NTD。此外，單位塊B4 B6和D4 D6的液處理模塊也可以全部由DEV或NTD構(gòu)成。圖17表示其它的接口塊S4的結(jié)構(gòu)。作為與已述的接口塊S4的差異，可以舉出層疊曝光前清潔模塊RDl RD4設(shè)置和設(shè)置接口臂37。曝光前清潔模塊RDl RD4，向曝光前的晶片W的表面供給清潔液，對(duì)該晶片W的表面溶出物進(jìn)行清洗。在后方側(cè)單位塊Bl B3進(jìn)行處理，分別搬入交接模塊CPL51 CPL53的晶片W， 以接口臂36 —交接模塊BU22 —曝光前清潔模塊RDl RD4的順序被搬送，由曝光前清潔模塊RDl RD4清潔。其后，晶片W以接口臂37 —交接模塊BU23 —接口臂36 —交接模塊 CPL54 —曝光處理S5的順序被搬送。此外，上述涂敷顯影裝置1，也可以具備避開后方側(cè)單位塊D4 D6中不能使用的單位塊進(jìn)行搬送的搬送模式H。該搬送模式H，停止向接口塊S4的架單元U14中，不能使用的上述單位塊交接晶片W用的交接模塊的搬送。通過能夠使用的單位塊D4 D6，向架單元 U13搬送的晶片W，由交接臂40分配到各前方側(cè)單位塊B4 B6。例如，后方側(cè)單位塊D4的搬送臂E4故障，接口臂36，停止向?qū)?yīng)于該后方側(cè)單位塊D4的交接模塊TRSl的訪問。接口臂36，將曝光后的晶片W分配到與后方側(cè)單位塊D5、 D6分別對(duì)應(yīng)的交接模塊TRS2、TRS3。交接模塊TRS2、TRS3的晶片W，分別通過單位塊D5、 D6，分別搬送到架單元U13的交接模塊CPL43、CPL45。交接到上述交接模塊CPL43、CPL45的晶片W中，設(shè)定為通過第四前方側(cè)單位塊B4 的晶片W，通過交接臂40分配到交接模塊CPL41，搬入該單位塊B4。對(duì)于其它晶片W，從交接模塊43、45搬入前方側(cè)單位塊B5、B6。通過已述的路徑，返回載體C。各單位塊搬送中， 與已述的各模式同樣，晶片W接收負(fù)顯影或正顯影。此外，上述涂敷顯影裝置1也可以具備避開前方側(cè)單位塊B4 B6中不能使用的單位塊進(jìn)行搬送的搬送模式I。該搬送模式I，接收曝光處理，向后方側(cè)單位塊的架單元U13 的交接模塊CPL41、CPL43、CPL45搬送的晶片W中，將交接到與不能使用的上述單位塊對(duì)應(yīng)的交接模塊CPL的晶片W，通過交接臂40搬送到其它的交接模塊CPL。由此，通過前方側(cè)單位塊B4 B6中能夠使用的單位塊。例如，前方側(cè)單位塊B4的搬送臂A4故障，交接臂40，將接收曝光處理搬送到交接模塊CPL41的晶片W，交替搬送到例如交接模塊CPL43、CPL45，從CPL43、CPL45搬入前方側(cè)單位塊B5、B6。各單位塊搬送中，與已述的各模式同樣，晶片W接收負(fù)顯影或正顯影。搬送模式H、I或其它的搬送模式同樣，用戶能夠任意從通常搬送模式F1、G1切換執(zhí)行。此外，也能夠與其它的搬送模式F2、F3、G1、G2同時(shí)執(zhí)行。此外，如圖18所示，例如也可以代替交接臂40，在架單元U13向與單位塊Bl B3 對(duì)應(yīng)的各交接模塊搬送晶片W的第一交接臂41和例如向與單位塊B4 B6對(duì)應(yīng)的各交接模塊搬送晶片W的第二交接臂42。這些第一和第二交接臂41、42相互分別構(gòu)成，獨(dú)立搬送晶片W，能夠抑制各臂的搬送負(fù)荷，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提高。符號(hào)說明Al A6 主臂BCT防反射形成模塊Bl B6前方側(cè)單位塊COT抗蝕劑膜形成模塊DEV顯影模塊Dl D6后方側(cè)單位塊
TCT保護(hù)膜形成模塊
Sl載體塊
S2前方側(cè)處理塊
S3后方側(cè)處理塊
S4接口塊
W晶片
1涂敷顯影裝置
27、33加熱模塊
30、40交接臂
51控制部
權(quán)利要求
1.一種涂敷顯影裝置，將通過載體搬入到載體塊的基板交接至處理塊，該基板在該處理塊中形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜后，通過相對(duì)于所述處理塊位于與載體塊相反側(cè)的接口塊被搬送到曝光裝置，對(duì)通過所述接口塊返回的曝光后的基板在所述處理塊中進(jìn)行顯影處理，并將其交接至所述載體塊，該涂敷顯影裝置的特征在于，包括a)所述處理塊，該處理塊包括上下層疊多個(gè)前段處理用的單位塊形成的部件，所述前段處理用的單位塊具備用于在基板上形成下層側(cè)的防反射膜而供給藥液的下層用的液處理模塊；用于在所述防反射膜上形成抗蝕劑膜而供給抗蝕劑液的涂敷模塊；對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)；多個(gè)后段處理用的單位塊，該后段處理用的單位塊包括在多個(gè)前段處理用的單位塊的接口塊側(cè)與該前段處理用的單位塊相鄰地分別設(shè)置的、用于在形成有抗蝕劑膜的基板上形成上層側(cè)的膜而供給藥液的上層用的液處理模塊；對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊；用于對(duì)曝光前的基板進(jìn)行清潔的清潔模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板，在從載體塊側(cè)到接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)；在前段處理用的單位塊和對(duì)應(yīng)的后段處理用的單位塊之間分別設(shè)置的、用于在兩單位塊的搬送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接的涂敷處理用的交接部；上下層疊多個(gè)具備向基板供給顯影液的液處理模塊、對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊、和在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)的顯影處理用的單位塊而形成，相對(duì)于上下層疊多個(gè)所述前段處理用的單位塊形成的部件在上下方向?qū)盈B形成的第一顯影處理用的層疊塊；上下層疊多個(gè)具備向基板供給顯影液的液處理模塊、對(duì)基板進(jìn)行加熱的加熱模塊、和在從載體塊側(cè)向接口塊側(cè)延伸的直線搬送路徑上移動(dòng)的單位塊用的搬送機(jī)構(gòu)的顯影處理用的單位塊而形成，相對(duì)于上下層疊多個(gè)所述后段處理用的單位塊形成的部件在上下方向?qū)盈B而形成的第二顯影處理用的層疊塊；在第一顯影處理用的層疊塊的單位塊、和與該單位塊對(duì)應(yīng)的第二顯影處理用的層疊塊的單位塊之間分別設(shè)置的、用于在兩單位塊的搬送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接的顯影處理用的交接部；和用于在各段的涂敷處理用的交接部之間以及各段的顯影處理用的交接部之間進(jìn)行基板的搬送的、能夠自由升降而設(shè)置的輔助移載機(jī)構(gòu)，b)針對(duì)各單位塊在載體塊側(cè)設(shè)置的、在各單位塊的搬送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接的搬入搬出用的交接部，c)用于從載體向與前段處理用的各單位塊對(duì)應(yīng)的搬入搬出用的所述交接部分配基板并進(jìn)行交接，且從與顯影處理用的各單位塊對(duì)應(yīng)的搬入搬出用的交接部使基板返回載體的第一交接機(jī)構(gòu)；d)用于接收由所述處理塊處理過的曝光前的基板，將曝光后的基板分配并交接給顯影處理用的單位塊的第二交接機(jī)構(gòu)。
2.權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述清潔模塊具備用于對(duì)形成有抗蝕劑膜的基板的背面?zhèn)冗M(jìn)行清潔的機(jī)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述第一顯影處理用的層疊塊由進(jìn)行正型顯影的單位塊組構(gòu)成， 所述第二顯影處理用的層疊塊由進(jìn)行負(fù)型顯影的單位塊組構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1或2所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述第一顯影處理用的層疊塊包括進(jìn)行正型顯影的單位塊和進(jìn)行負(fù)型顯影的單位塊，所述第二顯影處理用的層疊塊包括進(jìn)行正型顯影的單位塊和進(jìn)行負(fù)型顯影的單位塊。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于該涂敷顯影裝置還具備控制部，該控制部在前段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)，執(zhí)行包括下述步驟的模式不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟；和該步驟之后，通過輔助移載機(jī)構(gòu)將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的步驟。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)說書的涂敷顯影裝置，其特征在于還具備控制部，該控制部在后段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)，執(zhí)行包括下述步驟的模式不使用該單位塊，通過不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的步驟；和該步驟之后，通過所述輔助移載機(jī)構(gòu)將該基板搬送到其它階層的后段處理用的單位塊的步驟。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于前段處理用的單位塊的層疊數(shù)和后段處理用的單位塊的各個(gè)的層疊數(shù)為3層。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于第一顯影處理用的層疊塊和第二顯影處理用的層疊塊的各個(gè)的單位塊的層疊數(shù)為3層。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述輔助搬送機(jī)構(gòu)具備用于進(jìn)行各段的涂敷處理用的交接部之間搬送的第一輔助移載機(jī)構(gòu)；和用于進(jìn)行各段的顯影處理用的交接部之間的搬送的第二輔助移載機(jī)構(gòu)。
10.一種涂敷顯影方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，實(shí)施在前段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)，不使用該單位塊，通過其它的前段處理用的單位塊在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機(jī)構(gòu)，將該基板搬送到不使用的單位塊的接口塊側(cè)的后段處理用的單位塊的工序；和之后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，進(jìn)行形成上層側(cè)的膜的工序和對(duì)基板進(jìn)行清潔的工序。
11.一種涂敷顯影方法，其特征在于 使用權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，實(shí)施在后段處理用的單位塊發(fā)生故障時(shí)或者進(jìn)行維修時(shí)，不使用該單位塊，通過不使用的單位塊的載體塊側(cè)的前段處理用的單位塊，在基板上形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的工序；接著，通過輔助移載機(jī)構(gòu)，將該基板搬送到其它階層的后段處理用的單位塊的工序；和之后，通過該后段處理用的單位塊內(nèi)的模塊，形成上層側(cè)的膜的工序和對(duì)基板進(jìn)行清潔的工序。
12. —種存儲(chǔ)介質(zhì)，其是存儲(chǔ)有涂敷顯影裝置中使用的計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于所述計(jì)算機(jī)程序用于實(shí)施權(quán)利要求10或11所述的涂敷顯影方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種涂敷顯影裝置、涂敷顯影方法和存儲(chǔ)介質(zhì)，在單位塊發(fā)生異常、進(jìn)行維修時(shí)，抑制涂敷顯影裝置的生產(chǎn)率降低且抑制處理塊的設(shè)置面積。該涂敷顯影裝置具備在層疊的前段處理用單位塊和分別對(duì)應(yīng)的層疊的后段處理用的單位塊之間設(shè)置的、在兩單位塊的搬送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接用的涂敷處理用的交接部；在各段的涂敷處理用的交接部之間進(jìn)行基板的搬送用的能夠升降自由的設(shè)置的輔助移載機(jī)構(gòu)；和分別在所述前段處理用的單位塊、后段處理用的單位塊上層疊的顯影處理用的單位塊。在各層間，交接基板，因此能夠避免不能使用的單位塊搬送基板。此外，顯影用的單位塊層疊在前段處理用的單位塊和后段處理用的單位塊上，因此抑制設(shè)置面積。
文檔編號(hào)H01L21/677GK102338984SQ20111020638
公開日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者宮田亮, 松岡伸明, 林伸一, 榎木田卓 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社