專利名稱：提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管生產(chǎn)工藝，更具體的說是一種提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片及其封裝方法。
背景技術(shù)：
隨著我國工業(yè)的發(fā)展，發(fā)光二極管照明燈具的技術(shù)越來越成熟，由于發(fā)光二極管照明燈具的亮度較高，且功率較小，因此在工業(yè)以及日常生活中的應(yīng)用也越來越普遍，其中又以白色的發(fā)光二極管照明燈具的應(yīng)用最多，而目前發(fā)光二極管封裝工藝流程是在封裝階段將配比好的熒光粉與膠水混合后點涂在發(fā)光二極管燈具的支架杯體內(nèi)側(cè)，在熒光粉的作用下使發(fā)光芯片的發(fā)光顏色得到合理的調(diào)配，但是此種封裝工藝由于是將點涂的熒光粉和膠水直接覆蓋在發(fā)光芯片上，在一定程度上降低了發(fā)光芯片的透光率，無法使發(fā)光二極管產(chǎn)品的光照度發(fā)揮到最佳狀態(tài)，有必要提出進(jìn)一步的改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決上述不足，提供一種提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片及其封裝方法。為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案本發(fā)明一方面提供了一種提高發(fā)光二極管亮度發(fā)光芯片的封裝方法，所述的方法為將透明陶瓷制作成納米結(jié)構(gòu)和一定比例的熒光粉以及膠水混合，均勻涂抹在芯片本體的外表面上，待其干燥后完成封裝上述更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的納米結(jié)構(gòu)的透明陶瓷、熒光粉與膠水之間的比例為0.5 2 15 24 75 85。上述更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的透明陶瓷是氧化鋁或氮化鋁。上述更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的膠水是A/B膠水。本發(fā)明還提供了一種提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片，包括發(fā)光芯片本體，所述的芯片本體的外表面設(shè)置有透明陶瓷制作成納米結(jié)構(gòu)和一定比例的熒光粉以及膠水的混合成。
上述更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的透明陶瓷是氧化鋁或氮化鋁。上述更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的膠水是A/B膠水。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是通過在制成納米結(jié)構(gòu)的透明陶瓷中混合熒光粉和膠水涂抹在發(fā)光芯片的外表面，利用透明陶瓷的高透光性，且其本身具有散光的特性，通過多次的反射，有效的提高了發(fā)光二極管產(chǎn)品器件的亮度，同時透明陶瓷的導(dǎo)熱性能優(yōu)異，可幫助發(fā)光芯片在工作過程中散發(fā)熱量，延長其使用壽命，且本發(fā)明可應(yīng)用于各種規(guī)格的發(fā)光二極管中，易于推廣。


圖1為本發(fā)明實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步闡述。實施例一本發(fā)明提供的一種提高發(fā)光二極管亮度發(fā)光芯片的封裝方法，所述的方法按照如下的步驟進(jìn)行操作步驟一、將透明陶瓷制作成納米結(jié)構(gòu)和一定比例的熒光粉以及膠水混合攪拌均勻后，納米結(jié)構(gòu)的透明陶瓷、熒光粉與膠水之間的配比優(yōu)選為1 19 80，而透明陶瓷則可在氧化鋁或氮化鋁當(dāng)中任意選擇，膠水則最好采用A/B膠水，所述的A/B膠水則采用硅膠作為主劑，配以催化劑攪拌制成；步驟二、將按照步驟一中配比混合完成的膠液均勻的涂抹在發(fā)光芯片的外表面， 也可以直接將膠液灌注進(jìn)芯片本體所安裝的杯體中，然后在40攝氏度的溫度下放置2小時，此時由于透明陶瓷的質(zhì)量大于熒光粉，因此灌注或涂抹后透明陶瓷在A/B膠水中的沉降速度快，放置時間結(jié)束后透明陶瓷會在A/B膠水固化前先沉降在熒光粉的下方；步驟三、對膠液略微干燥的發(fā)光二極管芯片進(jìn)行烘烤，依次在80攝氏度下烘烤2 小時，再在120攝氏度下烘烤30分鐘，此時芯片本體外表面或其安裝的杯體中的膠液完全干燥，即完成整個發(fā)光二極管的封裝。實施例二如圖1所示，本發(fā)明所提供的一種提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片，包括發(fā)光芯片本體1，所述的芯片本體1的外表面設(shè)置有透明陶瓷制作成納米結(jié)構(gòu)和一定比例的熒光粉以及膠水的混合層2，最好將混合層2膠液灌注在芯片本體1所安裝的杯體3中，使混合層置于芯片本體1的外表面上?；旌蠈?中的透明陶瓷優(yōu)選氧化鋁或氮化鋁，而膠水則最好采用A/B膠水，所述的A/B膠水依然采用硅膠作為主劑，配以催化劑攪拌制成。本發(fā)明的提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片在實際使用過程中，利用透明陶瓷的高透光性，且其本身具有散光的特性，通過多次的反射，增強(qiáng)發(fā)光芯片的亮度，熒光粉可改變光線的顏色，該結(jié)構(gòu)尤其適合制作白光發(fā)光二極管。
權(quán)利要求
1.一種提高發(fā)光二極管亮度發(fā)光芯片的封裝方法，其特征在于所述的方法為將透明陶瓷制作成納米結(jié)構(gòu)和一定比例的熒光粉以及膠水混合，均勻涂抹在芯片本體的外表面上或者灌注在芯片本體所安裝的杯體中，待其完全干燥后完成封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高發(fā)光二極管亮度芯片的封裝方法，其特征在于所述的納米結(jié)構(gòu)的透明陶瓷、熒光粉與膠水之間的比例為0.5 2 15 M 75 85。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高發(fā)光二極管亮度芯片的封裝方法，其特征在于所述的透明陶瓷是氧化鋁或氮化鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高發(fā)光二極管亮度芯片的封裝方法，其特征在于所述的膠水是A/B膠水。
5.一種提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片，包括發(fā)光芯片本體，其特征在于所述的芯片本體的外表面設(shè)置有透明陶瓷制作成納米結(jié)構(gòu)和一定比例的熒光粉以及膠水的混合層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高發(fā)光二極管亮度芯片的封裝方法，其特征在于所述的透明陶瓷是氧化鋁或氮化鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高發(fā)光二極管亮度芯片的封裝方法，其特征在于所述的膠水是A/B膠水。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高發(fā)光二極管亮度的發(fā)光芯片及其封裝方法，所述的方法為將透明陶瓷制作成納米結(jié)構(gòu)和一定比例的熒光粉以及膠水混合，均勻涂抹在芯片本體的外表面上或者灌注在芯片本體所安裝的杯體中，待其完全干燥后完成封裝。通過在制成納米結(jié)構(gòu)的透明陶瓷中吻合熒光粉和膠水涂抹在發(fā)光芯片的外表面，利用透明陶瓷的高透光性，且其本身具有散光的特性，通過多次的反射，有效的提高了發(fā)光二極管產(chǎn)品器件的亮度，同時透明陶瓷的導(dǎo)熱性能優(yōu)異，可幫助發(fā)光芯片在工作過程中散發(fā)熱量，延長其使用壽命，且本發(fā)明可應(yīng)用于各種規(guī)格的發(fā)光二極管中，易于推廣。
文檔編號H01L33/56GK102263193SQ20111020208
公開日2011年11月30日 申請日期2011年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者任恒 申請人:四川九洲光電科技股份有限公司