專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
當(dāng)前實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光裝置的方法。
背景技術(shù)：
在包括陽極、陰極以及位于陽極和陰極之間的有機(jī)層的有機(jī)發(fā)光裝置中，當(dāng)前廣泛地使用鎂(Mg)和銀(Ag)的混合物來制造陰極，尤其是頂部發(fā)射發(fā)光裝置的陰極。具有低逸出功且能夠良好地在電子注入層(EIL)上形成薄膜鎂在電子注入和裝置穩(wěn)定性方面是有利的。Ag具有良好的反射特性，并且在用于形成陰極時(shí)可以與反射陽極一起形成微腔，由此提高裝置的效率。然而，由Mg和Ag制成的陰極具有非常高的電阻，因此不適合在前面板上實(shí)現(xiàn)質(zhì)量均一的圖像，并且在這方面需要額外的補(bǔ)償電路。即使在由Mg和Ag制成的陰極上進(jìn)一步沉積由具有高折射率的氧化物或有機(jī)材料構(gòu)成的覆層(CPL)，有機(jī)發(fā)光裝置中產(chǎn)生的光仍會(huì)具有低透射率。此外，與由其它金屬構(gòu)成的薄膜型陰極相比，具有這樣的薄膜的Mg-Ag陰極吸收更大量的光，因此會(huì)降低有機(jī)發(fā)光裝置的效率。為了解決這些缺陷，已經(jīng)提出了 Mg和Ag的組成比不同的薄膜陰極。Ag的百分比越高，薄膜型陰極的光吸收越低，光反射越高，電阻特性越好。然而，較高百分比的Ag會(huì)阻礙電子的注入，并導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電壓較高且效率較低。另外，Mg的百分比越高， Mg導(dǎo)致的光吸收越高，有機(jī)發(fā)光裝置的效率越低，且電阻越高。為了改善傳統(tǒng)的Mg-Ag薄膜型陰極的電阻和透射特性，已經(jīng)提出了包括僅由Ag構(gòu)成的薄膜陰極的頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光裝置。在這方面，為提高外部發(fā)射效率而限定的頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光裝置的覆蓋區(qū)域僅由氧化物構(gòu)成，并且用于電子注入層的材料局限于LIF/A1、 Mg、Ag、鐿(Yb)、銣(Rb)、銫(Cs)、鋇(Ba)、鈣(Ca)-鋁(Al)、Mg-Al、Li/Al、Li20/Al 和它們的混合物。然而，考慮到氧化物的性質(zhì)，高溫沉積或?yàn)R射對于這樣的有機(jī)發(fā)光裝置來說是必要的，這會(huì)損壞薄膜Ag陰極，且會(huì)限制可用于電子注入層的材料。因此，需要一種在合理的電阻下提供良好的光學(xué)特性且有助于電子注入的有機(jī)發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
當(dāng)前實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，在該有機(jī)發(fā)光裝置中，改善了電阻和光學(xué)特性，從而提高了該有機(jī)發(fā)光裝置的效率。當(dāng)前實(shí)施例提供了一種制造該有機(jī)發(fā)光裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；第一電極，設(shè)置在所述基底上；第二電極，設(shè)置在所述基底上并包括銀(Ag)；發(fā)射層，位于所述第一電極和所述第二電極之間；電子注入層，位于所述發(fā)射層和所述第二電極之間并包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；以及覆層，設(shè)置在所述第二電極上。所述含堿金屬的化合物可以包括從由LiF、LiQ、CsF、NaF、NaQ和Li2O組成的組中選擇的至少一種材料。所述第一金屬可以包括從由鐿(Yb)、鋱(Tb)、鈥(Ho)、釤(Sm)、銪(Eu)、鐠(Pr)、 鈰(Ce)、鋁(Al)和鎂(Mg)組成的組中選擇的至少一種金屬。所述含堿金屬的化合物與所述第一金屬的重量比可以為大約1 9至大約9 1。所述含堿金屬的化合物可以包括LiQ，所述第一金屬可以包括％，LiQ與％的重量比可以為大約1 1。所述電子注入層的厚度可以為大約0. Inm至大約30nm。所述第二電極還可以包括從由鋁(Al)、鉬(Pt)、鐿( )、釹(Nd)和鎂(Mg)組成的組中選擇的至少一種第二金屬，并且基于100重量份的Ag，所述第二金屬的量為大約0. 01 重量份至大約20重量份。所述第二電極的厚度可以為大約Inm至大約30nm。所述覆層可以包括有機(jī)材料、無機(jī)材料或它們的混合物。所述覆層的折射率可以為大約1. 2至大約5. 0。所述覆層可以包括無機(jī)材料，所述無機(jī)材料包括從由ΙΤΟ、IZO、SiO2, SiNx, Y203> WO3> MoO3和Al2O3組成的組中選擇的至少一種。所述覆層可以包括有機(jī)材料，所述有機(jī)材料包括從由三胺衍生物、亞芳基二胺衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)和4，4’_ 二咔唑基聯(lián)苯(CBP)組成的組中選擇的至少一種。所述覆層的厚度可以為大約Inm至大約200nm。所述有機(jī)發(fā)光裝置還可以包括位于所述第一電極和所述發(fā)射層之間的空穴注入層、空穴傳輸層或空穴注入和傳輸層。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的另一方面，提供了一種底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光裝置，所述底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；第一電極，設(shè)置在所述基底上；第二電極，設(shè)置在所述基底上并包括銀(Ag)；發(fā)射層，位于所述第一電極和所述第二電極之間；電子注入層，位于所述發(fā)射層和所述第二電極之間并包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；以及覆層，設(shè)置在所述第二電極的背對所述發(fā)射層的表面上。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法，所述方法包括準(zhǔn)備基底；在所述基底上形成第一電極；在所述第一電極上形成空穴注入和傳輸層；在所述空穴注入和傳輸層上形成發(fā)射層；在所述發(fā)射層上形成電子注入層，電子注入層包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；在所述電子注入層上形成包括銀(Ag)的第二電極；以及在所述第二電極上形成覆層。


通過參照附圖詳細(xì)地描述當(dāng)前實(shí)施例的示例性實(shí)施例，當(dāng)前實(shí)施例的以上和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，在附圖中
圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2是示出根據(jù)實(shí)施例的包括電子注入層、第二電極和覆層的有機(jī)發(fā)光裝置的局部結(jié)構(gòu)的放大剖視圖；圖3是示出根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖4是在藍(lán)色波長范圍內(nèi)在示例1和對比示例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的電流密度相對于電壓的曲線圖；圖5是在藍(lán)色波長范圍內(nèi)在示例1和對比示例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光效率相對于亮度的曲線圖；圖6是在綠色波長范圍內(nèi)在示例1和對比示例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的電流密度相對于電壓的曲線圖；圖7是在綠色波長范圍內(nèi)在示例1和對比示例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光效率相對于亮度的曲線圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考多個(gè)實(shí)施例，在附圖中示出了這些實(shí)施例的示例，以使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)這些實(shí)施例的示例。在這方面，當(dāng)前實(shí)施例可以具有不同的形式，且不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于在此提出的描述。因此，下面僅通過參照附圖描述實(shí)施例，以解釋本說明書的多個(gè)方面。在附圖中，為了清楚起見，會(huì)夸大層和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號始終指示相同的元件。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或板的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在另一元件上，或者可以存在中間元件。根據(jù)實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；第一電極，設(shè)置在基底上；第二電極，設(shè)置在基底上并包括銀(Ag)；發(fā)射層，位于第一電極和第二電極之間；電子注入層，位于發(fā)射層和第二電極之間，電子注入層包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；以及覆層，設(shè)置在第二電極上。圖1是根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置100的剖視圖。參照圖1，有機(jī)發(fā)光裝置100包括基底10和設(shè)置在基底10上的第一電極20?；?0可以是傳統(tǒng)上在有機(jī)發(fā)光裝置中使用的任何基底。基底10可以包括具有良好的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平整性、處理便利性和耐水性的材料。例如，基底 10可以是玻璃基底、金屬薄膜或塑料基底。盡管在圖1中未示出，但是如果需要，則還可以在基底10和第一電極20之間設(shè)置平坦化層或絕緣層。第一電極20可以構(gòu)成陽極或陰極。第一電極20可以具有與紅色(R)子像素、綠色(G)子像素和藍(lán)色(B)子像素對應(yīng)的圖案。第一電極20可以包括具有良好的導(dǎo)電率的材料。第一電極20可以包括適合于形成第一電極20的任何材料。用于第一電極20的材料的非限制性示例包括Li、Mg、Al、Ag、Al-Li、Ca、Mg-In, Mg-Ag, Ca-Al、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)和A1-IT0。第一電極20可以是透明電極、半透明電極或反射電極。第一電極20可以具有包括使用至少兩種材料的至少兩個(gè)層的結(jié)構(gòu)。然而，第一電極 20可以具有各種結(jié)構(gòu)中的任何結(jié)構(gòu)。有機(jī)發(fā)光裝置100包括位于基底10上的第二電極60。
第二電極60可以包括具有良好的導(dǎo)電率的Ag。Ag具有低逸出功和高反射率。第二電極60可以以各種方式，例如作為透明電極或反射電極，來實(shí)現(xiàn)?；?00重量份的Ag，第二電極60還可以包括量為大約0. 01重量份至大約20重量份的從由Al、Pt、Yb, Nd和Mg組成的組中選擇的至少一種第二金屬。第二電極60可以包括Ag和第二金屬的混合物，以改善第二電極60的薄膜特性，例如透明度。當(dāng)?shù)诙饘俚牧吭谠摲秶鷥?nèi)時(shí)，有機(jī)發(fā)光裝置可以具有適當(dāng)?shù)墓馕蘸碗娮瓒鴽]有增大驅(qū)動(dòng)電壓。第二電極60的厚度可以為大約Inm至大約30nm。當(dāng)?shù)诙姌O60的厚度在該范圍內(nèi)時(shí)，有機(jī)發(fā)光裝置可以具有能夠容易地控制透射率和反射率且使光吸收低的良好的光學(xué)特性，并可具有良好的導(dǎo)電率。第一電極20和第二電極60可以分別用作陽極和陰極，但反之亦然。有機(jī)發(fā)光裝置100可以包括位于第一電極20和第二電極60之間的有機(jī)層。有機(jī)層可以包括發(fā)射層(EML)30和電子注入層(EIL)50。例如，有機(jī)層可以包括空穴注入層 (HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子阻擋層(EBL)、EML 30、空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL) 和EIL 50。代替HIL和HTL，可以使用能夠起到HIL和HTL這兩層的作用的空穴注入和傳輸層25?？梢允÷訣BL、HBL和ETL中的至少一個(gè)。有機(jī)發(fā)光裝置100可以包括位于第一電極20和第二電極60之間的EML30。EML 30可以包括各種發(fā)光材料中的任何發(fā)光材料。發(fā)光材料的示例包括藍(lán)色摻雜劑，例如噁二唑二聚物染料(Bis-DAPOXP)、螺化合物(Spiro-DPVBi (螺DPVBi)、 Spiro-6P(螺6P))、三芳胺化合物、二(苯乙烯基)胺(DSA)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯撐)-1，1'-聯(lián)苯(BCzVBi)、茈、2，5，8，11-四叔丁基茈(TPBe)、3，3' _(1，4_ 亞苯基-二-2，1-乙烯-二基)雙[9-乙基-9H-咔唑](BCzVB)、4，4'-雙二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、4-( 二對甲苯基氨基)-4' -[(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]芪(DPAVB)、4. 4'-雙[4-( 二苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(BDAVBi)和雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基)-(2-羧基吡啶基)銥Ill(FlrPic)；綠色摻雜劑，例如3-(2-苯并噻唑基)-7-( 二乙基氨基)香豆素(Coumarin 6 (香豆素6))、2，3，6，7-四氫-1，1，7，7，-四甲基-1Η，5Η，11Η-10-(2-苯并噻唑基)喹嗪并-[9，9a，Igh]香豆素(C545T),N,N' -二甲基-喹吖啶酮(DMQA)和三O-苯基吡啶)銥(III) (IHppy)3)；紅色摻雜劑，例如四笨基并四苯(Rubrene (紅熒烯))、三(1_苯基-異喹啉)銥(IH) (Ir(piq)3)、雙(2_苯并[b] 噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮化)銥(III) (Ir(btp)2(acac))、三(二苯甲酰甲烷)菲咯啉銪(III) (Eu (dbm) 3 (phen))、三[4,4' -二叔丁基-O，2')-聯(lián)吡啶]釕(III)配合物 (Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)), DCMU DCM2、銪(噻吩甲酰三氟丙酮)3 (Eu (TTA) 3)和丁基 _6_(1， 1，7，7_四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(CJTB)。然而，可以使用任何發(fā)光材料。發(fā)光材料可以包括發(fā)光聚合物。發(fā)光聚合物的示例包括芳族聚合物，例如聚苯撐、聚苯撐乙烯撐、聚噻吩、聚芴和螺芴。在一些實(shí)施例中，EML 30可以包括發(fā)射主體和發(fā)射摻雜劑。發(fā)射摻雜利可以包括上面列出的發(fā)光材料中的任何發(fā)光材料。發(fā)射主體可以包括熒光主體或磷光主體。熒光主體的示例包括三(8-羥基-喹啉)鋁(Alq3)、9，10-二(萘-2-基)蒽(AND)、3_叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4'-雙(2，2-二苯基-乙烯-1-基)聯(lián)苯 (DPVBi),4,4'-雙[2，2-二 (4-甲基苯基)-乙烯-1-基]聯(lián)苯(p-DMDP VBi)、三(9，9-二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9'-螺二芴-2-基)-9，9'-螺二芴(BSDF)、2，7-雙(9，9 ‘-螺二芴-2-基)-9，9'-螺二芴(TSDF)、雙(9，9-二芳基芴)(BDAF)、4，4' -二 [2_(4_ 叔丁基-苯-4-基)-乙烯-1-基]聯(lián)苯(p-TDPVBi)等。磷光主體的示例包括1，3_雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、l，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4，4'，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4'-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、4，4'-雙(9-咔唑基)-2，2 ‘ -二甲基-聯(lián)苯(CBDP)、4，4'-雙(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4，4'-雙(咔唑-9-基)-9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4，4'-雙(咔唑-9-基)-9，9-二甲苯基-芴(DPFL-CBP)、9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。有機(jī)發(fā)光裝置100可以包括位于EML 30和第二電極60之間的EIL 50。EIL 50可以包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物。含堿金屬的化合物可以包括從由LiF、LiQ (8-羥基喹啉鋰)、CsF, NaF, NaQ (8-羥基喹啉鈉)和Li2O組成的組中選擇的至少一種材料。第一金屬可以包括從由鐿(Yb)、鋱(Tb)、鈥(Ho)、釤(Sm)、銪(Eu)、 鐠(Pr)、鈰(Ce)、鋁(Al)和鎂(Mg)組成的組中選擇的至少一種材料。在含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物中，如果含堿金屬的化合物和第一金屬相對于混合物的總重量的重量比分別用X和Y表示，則可以滿足下面的關(guān)系10彡χ彡90，10彡y彡90，并且x+y = 100。當(dāng)含堿金屬的化合物和第一金屬的重量比在這些范圍內(nèi)時(shí)，可以有助于電子的注入， 并且包括Ag的第二電極60可以具有改善的薄膜特性，因此可以有利地吸收較少的光。例如，EIL 50可以包括例如重量比為1 1的LiQ和Yb的混合物。EIL 50的厚度可以為大約0. Inm至大約30nm。當(dāng)EIL 50的厚度在該范圍內(nèi)時(shí)， EIL 50可以具有良好的電子注入特性而沒有顯著增大驅(qū)動(dòng)電壓。雖然未示出，但是有機(jī)發(fā)光裝置100還可以包括位于EML 30和EIL 50之間的 ETL。ETL可以包括具有良好的電子傳輸能力的材料。例如，ETL可以包括任何已知的電子傳輸材料。電子傳輸材料的示例包括三-(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、雙(8-羥基-2-甲基喹啉)_(4-苯基苯氧基)鋁(Balq)、3-(4-聯(lián)苯基)-4_苯基-5-(4_叔丁基苯基)_1，2， 4-三唑(TAZ)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(Bebq2)和它們的衍生物。電子傳輸材料還可以包括金屬氧化物。例如，金屬氧化物可以是堿金屬、堿土金屬或過渡金屬的氧化物。有機(jī)發(fā)光裝置100還可以包括位于EML 30和第一電極20之間的HIL和HTL中的至少一個(gè)。可選地，有機(jī)發(fā)光裝置100還可以包括位于EML 30和第一電極20之間的起到 HIL和HTL兩者的作用的空穴注入和傳輸層25。接觸第一電極20且與第一電極20形成界面的有機(jī)層可以是HIL，或者如果有機(jī)發(fā)光裝置不包括HIL，則所述有機(jī)層可以是HTL。在一些實(shí)施例中，有機(jī)層可以是起到HIL和 HTL兩者的作用的空穴注入和傳輸層25。HIL可以包括任何已知的空穴注入材料。空穴注入材料的示例包括酞菁化合物， 例如銅酞菁(CuPc)等；星型胺衍生物，例如4，4'，4〃 -三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)和 4,4'，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)；可溶性聚合物，例如聚苯胺/ 十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4_乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/ PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)。然而， 可以使用任何空穴注入材料。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；第一電極，設(shè)置在所述基底上；第二電極，設(shè)置在所述基底上并包括銀；發(fā)射層，位于所述第一電極和所述第二電極之間；電子注入層，位于所述發(fā)射層和所述第二電極之間并包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；以及覆層，設(shè)置在所述第二電極上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述含堿金屬的化合物包括從由LiF、 8-羥基喹啉鋰、CsF, NaF,8-羥基喹啉鈉和Li2O組成的組中選擇的至少一種材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第一金屬包括從由鐿、鋱、鈥、釤、 銪、鐠、鈰、鋁和鎂組成的組中選擇的至少一種金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述含堿金屬的化合物與所述第一金屬的重量比為1 9至9 1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述含堿金屬的化合物包括8-羥基喹啉鋰，所述第一金屬包括Yb，8-羥基喹啉鋰與Yb的重量比為1 1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述電子注入層的厚度為0.Inm至 30nmo
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第二電極還包括從由鋁、鉬、鐿、釹和鎂組成的組中選擇的至少一種第二金屬，并且基于100重量份的Ag，所述第二金屬的量為0. 01重量份至20重量份。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第二電極的厚度為Inm至30nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述覆層包括有機(jī)材料、無機(jī)材料或它們的混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述覆層的折射率為1.2至5. 0。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述覆層包括無機(jī)材料，所述無機(jī)材料包括從由ΙΤΟ、ΙΖ0、SiO2、氮化硅、Y2O3、WO3、MoO3和Al2O3組成的組中選擇的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述覆層包括有機(jī)材料，所述有機(jī)材料包括從由三胺衍生物、亞芳基二胺衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁和4，4’_ 二咔唑基聯(lián)苯組成的組中選擇的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述覆層的厚度為Inm至200nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置還包括位于所述第一電極和所述發(fā)射層之間的空穴注入層、空穴傳輸層或空穴注入和傳輸層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述電子注入層包括重量比為1 1 的8-羥基喹啉鋰和Yb的混合物，所述第二電極包括銀，所述覆層包括三胺衍生物。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述電子注入層包括重量比為1 1 的8-羥基喹啉鋰和Yb的混合物，所述第二電極包括重量比為17 3的Ag和Yb的混合物， 所述覆層包括三胺衍生物。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述電子注入層包括重量比為1 1的LiF和％的混合物，所述第二電極包括銀，所述覆層包括三胺衍生物。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述電子注入層包括重量比為1 1 的LiF和％的混合物，所述第二電極包括重量比為17 3的Ag和％的混合物，所述覆層包括三胺衍生物。
19.一種底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光裝置，所述底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光裝置包括 基底；第一電極，設(shè)置在所述基底上；第二電極，設(shè)置在所述基底上并包括銀；發(fā)射層，位于所述第一電極和所述第二電極之間；電子注入層，位于所述發(fā)射層和所述第二電極之間并包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；以及覆層，設(shè)置在所述第二電極的背對所述發(fā)射層的表面上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第二電極的厚度為Inm 至 200nm。
21.一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法，所述方法包括 準(zhǔn)備基底；在所述基底上形成第一電極；在所述第一電極上形成空穴注入和傳輸層；在所述空穴注入和傳輸層上形成發(fā)射層；在所述發(fā)射層上形成電子注入層，所述電子注入層包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；在所述電子注入層上形成包括銀的第二電極；以及在所述第二電極上形成覆層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，形成所述電子注入層的步驟包括在所述發(fā)射層上共沉積所述含堿金屬的化合物和所述第一金屬；或在所述發(fā)射層上沉積所述含堿金屬的化合物和所述第一金屬的所述混合物，其中，通過熱沉積、真空沉積、化學(xué)氣相沉積、濺射、旋涂或旋鑄執(zhí)行所述沉積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法。一種有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；第一電極，設(shè)置在所述基底上；第二電極，設(shè)置在所述基底上并包括銀(Ag)；發(fā)射層，位于所述第一電極和所述第二電極之間；電子注入層，位于所述發(fā)射層和所述第二電極之間并包括含堿金屬的化合物和第一金屬的混合物；以及覆層，設(shè)置在所述第二電極上。
文檔編號H01L51/54GK102290531SQ201110171480
公開日2011年12月21日 申請日期2011年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月16日
發(fā)明者吳一洙, 宋泂俊, 尹振瑛, 尹錫奎, 李昌浩, 李鐘赫, 趙世珍, 金元鐘, 金容鐸, 高熙周, 黃圭煥 申請人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社