專利名稱：封裝基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種基板及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種封裝基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，各式電子產(chǎn)品不斷推陳出新。其中電子產(chǎn)品中最重要的就屬半導(dǎo)體芯片、主動(dòng)組件或被動(dòng)組件等封裝結(jié)構(gòu)。一般而言，在封裝工藝中，裸芯片、主動(dòng)組件或被動(dòng)組件經(jīng)過(guò)打線接合步驟或覆晶接合步驟將其電性連接并設(shè)置于封裝基板上。然后，再經(jīng)過(guò)封膠步驟將裸芯片、主動(dòng)組件或被動(dòng)組件予以保護(hù)。在技術(shù)提升的情況下，裸芯片、主動(dòng)組件或被動(dòng)組件的線路越來(lái)越密集。因此，目前封裝產(chǎn)業(yè)均致力于研究如何在有限的厚度下，提升封裝基板的精密度，以符合技術(shù)要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種封裝基板及其制造方法，其利用半蝕刻的內(nèi)埋金屬層，并于其上覆蓋另一金屬層的方式完成跳線結(jié)構(gòu)，使得跳線結(jié)構(gòu)可以在極小的厚度的封裝基板內(nèi)完成，以提升封裝基板的精密度。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種封裝基板。封裝基板包括一第一介電層、一第一金屬層、一第二金屬層、一第三金屬層、一第二介電層及一第四金屬層。第一介電層具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之間。第一金屬層內(nèi)埋于第一凹槽內(nèi)。第二金屬層內(nèi)埋于第二凹槽內(nèi)。第三金屬層內(nèi)埋于第三凹槽內(nèi)。第三金屬層的上表面低于第一介電層的上表面。第二介電層設(shè)置于第二凹槽內(nèi)，并覆蓋至少部份的第三金屬層。第四金屬層覆蓋部份的第一介電層及第二介電層，并電性連接第一金屬層及第二金屬層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種封裝基板的制造方法。封裝基板的制造方法包括以下步驟。提供一第一介電層。形成一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽于第一介電層的上表面。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之間。內(nèi)埋一第一金屬層于第一凹槽內(nèi)。 內(nèi)埋一第二金屬層于第二凹槽內(nèi)。內(nèi)埋一第三金屬層于第三凹槽內(nèi)。半蝕刻第三金屬層， 以使第三金屬層的上表面低于第一介電層的上表面。設(shè)置一第二介電層于第二凹槽內(nèi)，以覆蓋至少部份的第三金屬層。覆蓋一第四金屬層于部份的第一介電層及第二介電層，以電性連接第一金屬層及第二金屬層。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1繪示一實(shí)施例的封裝基板的示意圖。圖2A 2F繪示一實(shí)施例的封裝基板的制造方法的流程圖。
圖3繪示對(duì)第一金屬層及第二金屬層進(jìn)行半蝕刻的封裝基板的示意圖。
圖4A 4E繪示對(duì)第一金屬層及第二金屬層進(jìn)行半蝕刻的封裝基板的制造方法的
圖5繪示雙層跳線結(jié)構(gòu)的封裝基板的示意圖。 圖6A 6F繪示雙層跳線結(jié)構(gòu)的封裝基板的制造方法的流程圖。 圖7繪示對(duì)第一金屬層、第二金屬層、第五金屬層及第六金屬層進(jìn)行半蝕刻工藝裝基板的示意圖。
圖8A 8F繪示對(duì)第一金屬層、第二金屬層、第五金屬層及第六金屬層進(jìn)行半蝕刻的封裝基板的制造方法的流程圖。 主要組件符號(hào)說(shuō)明 100 封裝基板 171 第一介電層 171a:第一凹槽 171b 第二凹槽 171c 第三凹槽 171d:第四凹槽 171e 第五凹槽 171m:第一介電層的上表面 171η:第一介電層的下表面 172:第二介電層 17 !第二介電層的上表面 173:第三介電層 174:第四介電層
191第一金屬層 191m:第一金屬層的上表面
192第二金屬層 19 !第二金屬層的上表面
193第三金屬層 19 !!:第三金屬層的上表面 194:第四金屬層 194η:第四金屬層的下表面
195第五金屬層 195m:第五金屬層的上表面
196第六金屬層 196m:第六金屬層的上表面
197第七金屬層
具體實(shí)施方式
以下提出各種實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其利用半蝕刻的內(nèi)埋金屬層，并于其上覆蓋另一金屬層的方式完成跳線結(jié)構(gòu)，使得跳線結(jié)構(gòu)可以在極小的厚度的封裝基板內(nèi)完成，以提升封裝基板的精密度。然而，實(shí)施例僅用以作為范例說(shuō)明，并不會(huì)限縮本發(fā)明欲保護(hù)的范圍。實(shí)施例中的圖式省略部份組件，以清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示一實(shí)施例的封裝基板100的示意圖。在一實(shí)施例中，封裝基板 100包括一第一介電層171、一第二介電層172、一第三介電層173、一第一金屬層191、一第二金屬層192、一第三金屬層193及一第四金屬層194。第一介電層171、第二介電層172及第三介電層173的材質(zhì)可以相同或者不相同。第一金屬層191、第二金屬層192、第三金屬層193及第四金屬層194的材質(zhì)可以相同或不相同。第一介電層171具有一第一凹槽171a、一第二凹槽171b及一第三凹槽171c。第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c皆由第一介電層171的上表面171m向內(nèi)蝕刻而成。第三凹槽171c位于第一凹槽171a及第二凹槽171b之間。第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193分別內(nèi)埋于第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c內(nèi)。所以，第三金屬層193位于第一金屬層191及第二金屬層192之間。由于第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c皆由第一介電層171的上表面171m向內(nèi)蝕刻而成，所以第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193實(shí)質(zhì)上皆位于第一介電層171的上表面171m與下表面171η之間，而沒(méi)有向上凸出于第一介電層171的上表面171m，也沒(méi)有向下凸出于第一介電層171的下表面171η，更不是分別設(shè)置于不同層的介電層。其中第三金屬層193的上表面19 !低于第一介電層171的上表面171m。第三金屬層193經(jīng)由半蝕刻工藝而形成。第二介電層172則設(shè)置于第二凹槽171b內(nèi)，并覆蓋至少部份的第三金屬層193。 第二介電層172實(shí)質(zhì)上填充于第三金屬層193未填滿的部分。所以第二介電層172的上表面17 !與第一介電層171的上表面171m實(shí)質(zhì)上位于同一平面。第四金屬層194則覆蓋部份的第一介電層171及第二介電層172，并電性連接第一金屬層191及第二金屬層192。第一金屬層191的上表面191m、第二金屬層192的上表面 192m、第二介電層172的上表面17 !及第一介電層171的上表面171m實(shí)質(zhì)上位于同一平面，所以第四金屬層194的下表面19 平貼于第一金屬層191的上表面191m、第二金屬層 192的上表面192m、第二介電層172的上表面17 !及第一介電層171的上表面171m，而其剖面形成直線狀結(jié)構(gòu)。第三介電層173則覆蓋第四金屬層194，以保護(hù)第四金屬層194。第三介電層173 為封裝基板100最外層的保護(hù)層，故第三介電層173全面性平鋪于封裝基板100的外表。上述設(shè)計(jì)利用半蝕刻的第三金屬層193并于其上覆蓋第四金屬層194的方式完成跳線結(jié)構(gòu)，使得跳線結(jié)構(gòu)可以在極小厚度的封裝基板100內(nèi)完成。至于上述設(shè)計(jì)的封裝基板100的制造方法則說(shuō)明如后。請(qǐng)參照?qǐng)D2A 2F，其繪示一實(shí)施例的封裝基板100的制造方法的流程圖。如圖 2A所示，提供第一介電層171，第一介電層171具有上表面171m及下表面171η。如圖2Α所示，形成第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c于第一介電層 171的上表面171m，并分別內(nèi)埋第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193于第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c內(nèi)。第三凹槽171c位于第一凹槽171a及第二凹槽171b之間。在此步驟中，可以形成第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193于一載板上，并將第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193壓合于第一介電層171 內(nèi)。移除載板之后，即形成第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193內(nèi)埋于第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c內(nèi)的情況。在一實(shí)施例中，亦可采用濕蝕刻、干蝕刻、激光雕刻等方式在第一介電層171上形成第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c，并分別將第一金屬層191、第二金屬層 192及第三金屬層193電鍍或?yàn)R鍍于第一凹槽171a、第二凹槽171b及第三凹槽171c內(nèi)。。在此步驟中，第一凹槽171a、第二凹槽171b、第三凹槽171c、第一金屬層191、第二金屬層192、第三金屬層193可以依序形成或者同形成，其形成順序的多種組合均屬于本發(fā)明所屬技術(shù)范圍。如圖2B所示，半蝕刻第三金屬層193，以使第三金屬層193的上表面19 !低于第一介電層171的上表面171m，而露出部份的第三凹槽171c。如圖2C所示，以整面印刷的方式將第二介電層172印刷于第三凹槽171c及第一介電層171的上表面171m上，以覆蓋至少部份的第三金屬層193。如圖2D所示，研磨第二介電層172，直到暴露出第一介電層171的上表面171m、第一金屬層191的上表面191m及第二金屬層192的上表面192m，以使第二介電層172僅殘留于第三凹槽171c內(nèi)。如此一來(lái)，第二介電層172可以完整填入第三凹槽171c內(nèi)，且第二介電層172的上表面17 !可以與第一介電層171的上表面171m齊平。如圖2E所示，覆蓋第四金屬層194于部份的第一介電層171及第二介電層172，以電性連接第一金屬層191及第二金屬層192。由于在前一步驟已經(jīng)過(guò)研磨處理，所以第四金屬層194的下表面19 可以平整地平貼于第一介電層171的上表面171m。由于第三凹槽171c內(nèi)已填充第二介電層172，所以第四金屬層194不會(huì)電性連接第三金屬層193。如此一來(lái)，第四金屬層194扮演者橋接第三金屬層193兩側(cè)的第一金屬層191及第二金屬層 192的角色。如圖2F所示，覆蓋第三介電層173于第四金屬層194上。第三介電層173全面性平鋪于封裝基板100的外側(cè)。如此一來(lái)，即完成封裝基板100的跳線結(jié)構(gòu)。除了僅對(duì)第三金屬層193進(jìn)行半蝕刻工藝以外，亦可以對(duì)第一金屬層191與第二金屬層192進(jìn)行半蝕刻工藝。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示對(duì)第一金屬層191及第二金屬層192進(jìn)行半蝕刻的封裝基板100的示意圖，經(jīng)過(guò)半蝕刻工藝的第一金屬層191的上表面191m低于第一介電層171的上表面171m，經(jīng)過(guò)半蝕刻工藝的第二金屬層192的上表面19 !也低于第一介電層171的上表面171m，并且部份的第四金屬層194設(shè)置于第一凹槽171a及第二凹槽 171b 內(nèi)。請(qǐng)參照?qǐng)D4A 4E，其繪示對(duì)第一金屬層191及第二金屬層192進(jìn)行半蝕刻的封裝基板100的制造方法的流程圖。如圖4A所示，內(nèi)埋第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193于第一介電層171內(nèi)。如圖4B所示，半蝕刻第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193，以使第一金屬層191的上表面191m、第二金屬層192的上表面19 !及第三金屬層193的上表面 193m皆低于第一介電層171的上表面171m。其中半蝕刻第一金屬層191、第二金屬層192及第三金屬層193的步驟可同時(shí)完成或者依序完成，其執(zhí)行的步驟順序的多種組合均屬于本發(fā)明所屬技術(shù)范圍。如圖4C所示，設(shè)置第二介電層172于第三凹槽171c內(nèi)，以覆蓋至少部份的第三金屬層193。如圖4D所示，覆蓋第四金屬層194于部份的第一介電層171及第二介電層172，以電性連接第一金屬層191及第二金屬層192，其中部份的第四金屬層194設(shè)置于第一凹槽 171a及第二凹槽171b內(nèi)。如圖4E所示，覆蓋第三介電層173于第四金屬層194上。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，上述設(shè)計(jì)所完成的單層跳線結(jié)構(gòu)更可進(jìn)一步向上堆棧成多層跳線結(jié)構(gòu)。以雙層跳線結(jié)構(gòu)為例，請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5繪示雙層跳線結(jié)構(gòu)的封裝基板100的示意圖。 第一介電層171更具有第四凹槽171d及第五凹槽171e。封裝基板100更包括第五金屬層 195、第六金屬層196及第七金屬層197。第五金屬層195及第六金屬層196分別內(nèi)埋于第四凹槽171d及第五凹槽191e內(nèi)。第七金屬層197覆蓋第三介電層173，并電性連接第五金屬層195及第六金屬層196。第一金屬層191的上表面191m、第二金屬層192的上表面 192m、第五金屬層195的上表面195m、第六金屬層196的上表面196m、第二介電層172的上表面17 !及第一介電層171的上表面171m實(shí)質(zhì)上位于同一平面。并且，第三介電層173僅覆蓋第四金屬層194。第七金屬層197覆蓋于第三介電層 173。第四介電層174則覆蓋第七金屬層197，以保護(hù)第七金屬層197。第四介電層174為封裝基板100最外層的保護(hù)層，故第四介電層174全面性平鋪于封裝基板100的外側(cè)。請(qǐng)參照?qǐng)D6A 6F，其繪示雙層跳線結(jié)構(gòu)的封裝基板100的制造方法的流程圖。如圖6A所示，形成第一凹槽171a、第二凹槽171b、第三凹槽171c、第四凹槽171d及第五凹槽 171e于第一介電層171的上表面171m。并且分別內(nèi)埋第一金屬層191、第二金屬層192、第三金屬層193、第五金屬層195及第六金屬層196于第一凹槽171a、第二凹槽171b、第三凹槽171c、第四凹槽171d及第五凹槽171e內(nèi)。在此步驟中，第一凹槽171a、第二凹槽171b、 第三凹槽171c、第四凹槽171d、第五凹槽171e、第一金屬層191、第二金屬層192、第三金屬層193、第五金屬層195、第六金屬層196可以依序形成或者同形成，其形成順序的多種組合均屬于本發(fā)明所屬技術(shù)范圍。如圖6B所示，半蝕刻第三金屬層193，并設(shè)置第二介電層172于第三凹槽171c內(nèi)， 以覆蓋至少部份的第三金屬層193。如圖6C所示，覆蓋第四金屬層194于部份的第一介電層171及第二介電層172，以電性連接第一金屬層191及第二金屬層192。如圖6D所示，覆蓋第三介電層173于第四金屬層194，其中第三介電層173僅覆蓋第四金屬層194，而不是整面覆蓋于第一介電層171上。如圖6E所示，覆蓋第七金屬層197于第三介電層173，以電性連接第五金屬層195 及第六金屬層196。由于第四金屬層194已被第三介電層173所隔離，所以第七金屬層197 不會(huì)電性連接第四金屬層194。如此一來(lái)，第七金屬層197則扮演者橋接第三金屬層193兩側(cè)的第五金屬層195及第六金屬層196的角色。如圖6F所示，覆蓋第四介電層174于第七金屬層197上。第四介電層174全面性平鋪于封裝基板100的外表。如此一來(lái)，即完成封裝基板100的雙層跳線結(jié)構(gòu)。
除了僅對(duì)第三金屬層193進(jìn)行半蝕刻工藝以外，亦可以對(duì)第一金屬層191、第二金屬層192、第五金屬層195及第六金屬層196進(jìn)行半蝕刻工藝。請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示對(duì)第一金屬層191、第二金屬層192、第五金屬層195及第六金屬層196進(jìn)行半蝕刻工藝的封裝基板100的示意圖。經(jīng)過(guò)半蝕刻工藝的第一金屬層191的上表面191m、經(jīng)過(guò)半蝕刻工藝的第二金屬層192的上表面19^1、經(jīng)過(guò)半蝕刻工藝的第五金屬層195的上表面195m及經(jīng)過(guò)半蝕刻工藝的第六金屬層196的上表面196m低于第一介電層171的上表面171m。并且部份的第四金屬層194設(shè)置于第一凹槽171a及第二凹槽171b內(nèi)，部份的第七金屬層197設(shè)置于第四凹槽171d及第五凹槽171e內(nèi)。請(qǐng)參照?qǐng)D8A 8F，其繪示繪示對(duì)第一金屬層191、第二金屬層192、第五金屬層 195及第六金屬層196進(jìn)行半蝕刻工藝的封裝基板100的制造方法的流程圖。如圖8A所示，內(nèi)埋第一金屬層191、第二金屬層192、第三金屬層193、第五金屬層195及第六金屬層 196于第一介電層171內(nèi)。如圖8B所示，半蝕刻第一金屬層191、第二金屬層192、第三金屬層193、第五金屬層195及第六金屬層196，以使第一金屬層191的上表面191m、第二金屬層192的上表面 19^1、第三金屬層193的上表面19 !、第五金屬層195的上表面195m及第六金屬層196的上表面196m皆低于第一介電層171的上表面171m。并且設(shè)置第二介電層172于第三凹槽 171c內(nèi)，以覆蓋至少部份的第三金屬層193。其中半蝕刻第一金屬層191、第二金屬層192、 第三金屬層193、第五金屬層195及第六金屬層196的步驟可同時(shí)完成或者依序完成，其執(zhí)行的步驟順序的多種組合均屬于本發(fā)明所屬技術(shù)范圍。如圖8C所示，覆蓋第四金屬層194于部份的第一介電層171及第二介電層172，其中部份的第四金屬層194設(shè)置于第一凹槽171a及第二凹槽171b內(nèi)。如圖8D所示，覆蓋第三介電層173于第四金屬層194上。如圖8E所示，覆蓋第七金屬層197于第三介電層173，以電性連接第五金屬層195 及第六金屬層196。其中部份的第七金屬層197設(shè)置于第四凹槽171d及第五凹槽171e內(nèi)。如圖8F所示，覆蓋第三介電層174于第七金屬層197上。上述實(shí)施例所揭露的封裝基板100及其制造方法利用半蝕刻的內(nèi)埋金屬層，并于其上覆蓋另一金屬層的方式完成跳線結(jié)構(gòu)，使得跳線結(jié)構(gòu)可以在極小的厚度的封裝基板內(nèi)完成，以提升封裝基板的精密度。綜上所述，雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板，包括一第一介電層，具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽，該第三凹槽位于該第一凹槽及該第二凹槽之間；一第一金屬層，內(nèi)埋于該第一凹槽內(nèi)； 一第二金屬層，內(nèi)埋于該第二凹槽內(nèi)；一第三金屬層，內(nèi)埋于該第三凹槽內(nèi)，該第三金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面；一第二介電層，設(shè)置于該第三凹槽內(nèi)，并覆蓋至少部份的該第三金屬層；以及一第四金屬層，覆蓋部份的該第一介電層及該第二介電層，并電性連接該第一金屬層及該第二金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中該第一金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面，該第二金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝基板，其中部份的該第四金屬層設(shè)置于該第一凹槽及該第二凹槽內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中該第一金屬層的上表面、該第二金屬層的上表面及該第一介電層的上表面實(shí)質(zhì)上位于同一平面。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，更包括 一第三介電層，覆蓋該第四金屬層。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝基板，其中該第一介電層更具有一第四凹槽及一第五凹槽，該封裝基板更包括一第五金屬層，內(nèi)埋于該第四凹槽內(nèi)； 一第六金屬層，內(nèi)埋于該第五凹槽內(nèi)；以及一第七金屬層，覆蓋該第三介電層，并電性連接該第五金屬層及該第六金屬層。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝基板，其中該第五金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面，該第六金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝基板，其中部份的該第七金屬層設(shè)置于該第四凹槽及該五凹槽內(nèi)。
9.如權(quán)利要求6所述的封裝基板，其中該第五金屬層的上表面、該第六金屬層的上表面及該第一介電層的上表面實(shí)質(zhì)上位于同一平面。
10.如權(quán)利要求6所述的封裝基板，更包括 一第四介電層，覆蓋該第七金屬層。
11.一種封裝基板的制造方法，包括 提供一第一介電層；形成一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽于該第一介電層的上表面，該第三凹槽位于該第一凹槽及該第二凹槽之間；內(nèi)埋一第一金屬層于該第一凹槽內(nèi)； 內(nèi)埋一第二金屬層于該第二凹槽內(nèi)； 內(nèi)埋一第三金屬層于該第三凹槽內(nèi)；半蝕刻該第三金屬層，以使該第三金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面；設(shè)置一第二介電層于該第三凹槽內(nèi)，以覆蓋至少部份的該第三金屬層；以及覆蓋一第四金屬層于部份的該第一介電層及該第二介電層，以電性連接該第一金屬層及該第二金屬層。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝基板的制造方法，更包括半蝕刻該第一金屬層，以使該第一金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面；以及半蝕刻該第二金屬層，以使該第二金屬層的上表面低于該第一介電層的上表面。
13.如權(quán)利要求11所述的封裝基板的制造方法，其中在內(nèi)埋該第一金屬層的該步驟及內(nèi)埋該第二金屬層的該步驟中，該第一金屬層的上表面、該第二金屬層的上表面及該第一介電層的上表面實(shí)質(zhì)上位于同一平面。
14.如權(quán)利要求11所述的封裝基板的制造方法，更包括 覆蓋一第三介電層于該第四金屬層。
15.如權(quán)利要求14所述的封裝基板的制造方法，更包括 形成一第四凹槽及一第五凹槽于該第一介電層的上表面； 內(nèi)埋一第五金屬層于該第四凹槽內(nèi)；內(nèi)埋一第六金屬層于該第五凹槽內(nèi)；以及覆蓋一第七金屬層于該第三介電層，以電性連接該第五金屬層及該第六金屬層。
全文摘要
一種封裝基板及其制造方法。封裝基板包括一第一介電層、一第一金屬層、一第二金屬層、一第三金屬層、一第二介電層及一第四金屬層。第一介電層具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之間。第一金屬層內(nèi)埋于第一凹槽內(nèi)。第二金屬層內(nèi)埋于第二凹槽內(nèi)。第三金屬層內(nèi)埋于第三凹槽內(nèi)。第三金屬層的上表面低于第一介電層的上表面。第二介電層設(shè)置于第二凹槽內(nèi)，并覆蓋至少部份的第三金屬層。第四金屬層覆蓋部份的第一介電層及第二介電層，并電性連接第一金屬層及第二金屬層。
文檔編號(hào)H01L23/488GK102244060SQ20111016155
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者樸珠炫, 洪榮文, 金錫奉 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司