專利名稱：斷路開(kāi)關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及斷路開(kāi)關(guān)。
背景技術(shù)：
斷路開(kāi)關(guān)用于使電源與電系統(tǒng)斷離。例如，在直流(DC)系統(tǒng)中，光伏斷路開(kāi)關(guān)可用于使多個(gè)DC電源與由一或多個(gè)光伏模塊中的光伏電池供電的電系統(tǒng)斷離。用于光伏斷路開(kāi)關(guān)認(rèn)證的Underwriters Laboratory (UL)標(biāo)準(zhǔn)的要求是裝置以開(kāi)關(guān)額定電流200% 的過(guò)載來(lái)操作，并通過(guò)額定電流下的耐久測(cè)試。然而，在DC負(fù)載下，斷路開(kāi)關(guān)的接觸部的開(kāi)路，在開(kāi)關(guān)的靜止接觸部(例如，線路側(cè))與可動(dòng)接觸部(例如，負(fù)載側(cè))之間形成電弧。當(dāng)前業(yè)界的裝置試圖通過(guò)將三極斷路開(kāi)關(guān)中的兩極串聯(lián)連接和通過(guò)使用電弧格柵(例如，去電離板)抑制電弧，從而抑制這種電弧。 這種串聯(lián)連接當(dāng)開(kāi)關(guān)開(kāi)路時(shí)在電路中形成額外斷點(diǎn)，這使電路總電阻增大，由此使電弧快速消除。此外，電弧格柵在一些情況下將電弧破壞為更小的電弧并冷卻所述電弧，這使電弧電壓升高并有助于消除所述電弧。然而，當(dāng)前裝置僅允許通過(guò)三極斷路開(kāi)關(guān)進(jìn)行布線從而具有一種線路/負(fù)載組合。當(dāng)以三種(3)線路/負(fù)載構(gòu)造對(duì)當(dāng)前裝置布線并且沒(méi)有額外串聯(lián)連接時(shí)，其不能滿足如UL評(píng)價(jià)體系所要求那樣的在過(guò)載和耐久條件下的必需的操作數(shù)量。此外，電弧格柵僅當(dāng)其保持相對(duì)較冷時(shí)獨(dú)立工作。電弧通常在自然對(duì)流的情況下出現(xiàn)于電弧格柵中。當(dāng)電弧格柵的溫度在耐久過(guò)程中增高時(shí)，格柵的熱量開(kāi)始排斥電弧。這種排斥用于限制和縮短電弧的路徑。在斷路開(kāi)關(guān)完全開(kāi)路之后，電弧電壓的增大未實(shí)現(xiàn)，從而電弧保持激活。對(duì)快速消滅電弧的該失效導(dǎo)致了額外熱量累積在系統(tǒng)中，并最終使斷路開(kāi)關(guān)熔化，這是因?yàn)殡娀”旧砜商幱?0000開(kāi)爾文度的溫度下。因此，提供一種不使用電弧格柵來(lái)消滅電弧的斷路開(kāi)關(guān)將會(huì)是有益的。

發(fā)明內(nèi)容
公開(kāi)了一種斷路開(kāi)關(guān)。該斷路開(kāi)關(guān)包括殼體，具有可動(dòng)接觸部、靜止接觸部和多個(gè)磁體。可動(dòng)接觸部適于從第一閉合位置移動(dòng)到第二開(kāi)路位置，在第一閉合位置中可動(dòng)接觸部與靜止接觸部處于物理接觸中。磁體關(guān)于可動(dòng)接觸部的運(yùn)動(dòng)軸線以預(yù)定位置和預(yù)定取向定位，由此當(dāng)可動(dòng)接觸部從第一位置移動(dòng)到第二開(kāi)路位置時(shí)，由可動(dòng)接觸部產(chǎn)生的電弧被消滅。


圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的斷路開(kāi)關(guān)的分解立體圖； 圖2是圖1的斷路開(kāi)關(guān)的平面圖3是圖2的斷路開(kāi)關(guān)沿線3 - 3所見(jiàn)的側(cè)視圖； 圖4是根據(jù)可替代實(shí)施例的斷路開(kāi)關(guān)的平面圖；和圖5是是圖4的斷路開(kāi)關(guān)沿線5 - 5所見(jiàn)的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式通過(guò)利用磁體組合消滅電弧，而不是利用電弧格柵，使空間開(kāi)闊，用于使電弧伸長(zhǎng)和冷卻?，F(xiàn)在參見(jiàn)附圖，其中，在各圖中相同的附圖標(biāo)記表示相似的部件，圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的斷路開(kāi)關(guān)100的分解立體圖。斷路開(kāi)關(guān)100包括蓋110和底部120。在底部120 內(nèi)設(shè)置有可動(dòng)接觸部130和靜止接觸部140。為了例示目的，示出了三極開(kāi)關(guān)100，其可具有30安培的額定電流。相應(yīng)地，圖示出三個(gè)可動(dòng)接觸部130以及三組靜止接觸部140。不過(guò)，應(yīng)理解，可采用更多數(shù)量的接觸部130和140，或者采用更少的接觸部，這取決于所希望的應(yīng)用。此外應(yīng)注意，雖然斷路開(kāi)關(guān)100被圖示為“雙斷”開(kāi)關(guān)(其中，可動(dòng)接觸部130在兩個(gè)物理位置處與兩個(gè)相應(yīng)的靜止接觸部140實(shí)現(xiàn)接觸/斷開(kāi)接觸)，不過(guò)斷路開(kāi)關(guān)也可為 “單斷”開(kāi)關(guān)(其中，在可動(dòng)接觸部130與一個(gè)相應(yīng)的靜止接觸部140之間僅存在一個(gè)物理連接)。在蓋110內(nèi)設(shè)置有磁體150(表示為15(ν 502、1503)。此外，蓋110包括通氣口以釋放熱量。仍為了例示，顯示出三個(gè)磁體150，不過(guò)應(yīng)注意，可包括更多或更少數(shù)量的磁體， 這取決于所希望的應(yīng)用。圖2是圖1的斷路開(kāi)關(guān)100的平面圖，圖3是圖2的斷路開(kāi)關(guān)100沿線3 — 3所見(jiàn)的側(cè)視圖?，F(xiàn)在共同參見(jiàn)圖2和圖3，其顯示出斷路開(kāi)關(guān)100在開(kāi)關(guān)開(kāi)路過(guò)程中的操作。磁體150顯示為相對(duì)于可動(dòng)接觸部130的路徑和軸線處于特定取向中。例如，如圖所示，磁體 ISO1被設(shè)置為大致平行于可動(dòng)接觸部130的路徑的軸線，在圖2的視圖中，磁體KO1的北極面向斷路開(kāi)關(guān)100的中心且其南極面向斷路開(kāi)關(guān)100的外壁。磁體1502被設(shè)置為大致平行于可動(dòng)接觸部130的路徑的軸線，在圖2的視圖中，磁體1502的北極面向左方且其南極面向右方。磁體1503被設(shè)置為相對(duì)于可動(dòng)接觸部130的路徑和軸線呈一角度取向(例如， 45度)，磁體1503的南極大致面向斷路開(kāi)關(guān)100的中心且其北極面向斷路開(kāi)關(guān)100的外側(cè)。 每個(gè)磁體150產(chǎn)生從磁體北極到磁體南極行進(jìn)的磁場(chǎng)Mm。隨著每個(gè)可動(dòng)接觸部130繞其軸線從第一位置(其中，可動(dòng)接觸部130與其相應(yīng)靜止接觸部140處于物理接觸)旋轉(zhuǎn)到第二開(kāi)路位置，沿可動(dòng)接觸部130在斷開(kāi)其與相應(yīng)靜止接觸部140的物理接觸時(shí)的路徑形成電弧“A”。磁場(chǎng)Ma由每個(gè)電弧的電流產(chǎn)生。隨著電弧A沿其路徑行進(jìn)，該電弧首先被磁體150產(chǎn)生的磁場(chǎng)Mm吸引，使得電弧路徑由于作用在該電弧上的磁場(chǎng)而伸展和伸長(zhǎng)。也就是說(shuō)，磁體15(ν 502、1503的磁場(chǎng)Mm首先吸引電弧Α， 使得電弧路徑由于作用在該電弧上的磁場(chǎng)而伸展和伸長(zhǎng)。隨著可動(dòng)接觸部130移動(dòng)經(jīng)過(guò)磁體ISO1USO3，電弧A被排斥。對(duì)電弧A的吸引和排斥相結(jié)合，使該電弧的電壓增加到高于系統(tǒng)電壓，(例如，600 V或更高)，這有助于消滅電弧。此外，磁體的磁場(chǎng)使電弧等離子體偏轉(zhuǎn)，這導(dǎo)致電弧電壓中的額外增大。這種效應(yīng)可被稱為“霍爾”效應(yīng)。由于離子可比電子重許多倍，(例如，重10000倍)，隨著電子被推到等離子體流之外，等離子體流停止作為良好導(dǎo)體并且消滅。電弧還通過(guò)蓋110的通氣口利用對(duì)流來(lái)冷卻。圖4是根據(jù)可替代實(shí)施例的斷路開(kāi)關(guān)1000的平面圖，圖5是圖4的斷路開(kāi)關(guān)1000 沿線5 — 5所見(jiàn)的側(cè)視圖。斷路開(kāi)關(guān)1000包括蓋1010和底部1020。在底部1020內(nèi)設(shè)置有可動(dòng)接觸部1030和靜止接觸部1040。為了例示目的，顯示出三極開(kāi)關(guān)1000，其可具有60 或100安培的額定電流。相應(yīng)地，圖示出三個(gè)可動(dòng)接觸部1030以及三組靜止接觸部1040。 不過(guò)，應(yīng)理解，可采用更多數(shù)量的接觸部1030和1040、或者采用更少的接觸部，這取決于所希望的應(yīng)用。此外，應(yīng)注意，雖然斷路開(kāi)關(guān)1000被圖示為“雙斷”開(kāi)關(guān)(其中，可動(dòng)接觸部 1030在兩個(gè)物理位置處與兩個(gè)相應(yīng)的靜止接觸部1040實(shí)現(xiàn)接觸/斷開(kāi)接觸)，不過(guò)斷路開(kāi)關(guān)也可為“單斷”開(kāi)關(guān)(其中，在可動(dòng)接觸部1030與一個(gè)相應(yīng)的靜止接觸部1040之間僅存在一個(gè)物理連接)。在此實(shí)施例中，在底部1020內(nèi)設(shè)置有三個(gè)磁體(Ioso1UOSO2UOSO3),而在蓋ιοιο 內(nèi)設(shè)置有五個(gè)磁體(10504、10505、10506、10507、10508)。此外，蓋1010包括通氣口以釋放熱量。同樣地，仍為了例示，顯示出八個(gè)磁體1050，不過(guò)應(yīng)注意，可包括更多或更少數(shù)量的磁體，這取決于所希望的應(yīng)用。現(xiàn)在共同參見(jiàn)圖4和圖5，其顯示出斷路開(kāi)關(guān)1000在開(kāi)關(guān)開(kāi)路過(guò)程中的操作。磁體1050顯示為相對(duì)于可動(dòng)接觸部1030的路徑和軸線處于特定取向。例如，如圖所示，磁體 IOSO1UOSO2UOSO3被設(shè)置為大致平行于可動(dòng)接觸部1030的路徑的軸線，在圖4的視圖中， 磁體Ioso1UOSO2UOSO3的北極面向斷路開(kāi)關(guān)ιοοο的左方且其南極面向斷路開(kāi)關(guān)ιοοο的右方。此外，磁體IOSO1UOSO2UOSO3相對(duì)于底部1020的底面成一角度(例如，45度)取向。在蓋1010內(nèi)設(shè)置有磁體10504、10505、10506、10507、10508，這些磁體大致平行于可動(dòng)接觸部1030的路徑的軸線。在圖4的視圖中，磁體10505、10508中的每個(gè)使其北極面向左方并使其南極面向右方。在圖4的視圖中，磁體10504、10506、10507中的每個(gè)使其北極面向右方并使其南極面向左方(即，與磁體10505、10508的極取向相反)。每個(gè)磁體1050均產(chǎn)生從磁體北極到磁體南極行進(jìn)的磁場(chǎng)Mm。隨著每個(gè)可動(dòng)接觸部1030繞其軸線從第一位置(其中，可動(dòng)接觸部1030與其相應(yīng)靜止接觸部1040處于物理接觸)旋轉(zhuǎn)到第二開(kāi)路位置，沿可動(dòng)接觸部1030在斷開(kāi)其與相應(yīng)靜止接觸部1040的物理接觸時(shí)的路徑形成電弧“A”。磁場(chǎng)Ma由每個(gè)電弧的電流產(chǎn)生。 隨著電弧A沿其路徑行進(jìn)，由于磁體的位置接近靜止接觸部1040，因此，一旦由磁體10505、 10508產(chǎn)生的磁場(chǎng)Mm形成，則該電弧被立刻吸引，從而使得電弧路徑由于作 用在該電弧上的磁場(chǎng)而伸展和伸長(zhǎng)。而且，隨著電弧A沿其路徑行進(jìn)，該電弧首先被由磁體ΙΟδΟρΙΟδΟ^ΙΟδΟ^ΙΟδΟρ 10506、10507產(chǎn)生的磁場(chǎng)Mm吸引，使得電弧路徑由于作用在該電弧上的磁場(chǎng)而伸展和伸長(zhǎng)， 然后隨著可動(dòng)接觸部1030移動(dòng)經(jīng)過(guò)磁體IOSO1UOSO2UOSO3UOSO4UOSO6UOSO7該電弧接著被其磁場(chǎng)排斥。對(duì)電弧α的吸引和排斥相結(jié)合，使該電弧的電壓增加到高于系統(tǒng)電壓， (例如，600 ν或更高)，這有助于消滅電弧。此外，磁體的磁場(chǎng)使電弧的等離子體偏轉(zhuǎn)，這導(dǎo)致電弧電壓的額外增大。這種效應(yīng)可被稱為“霍爾”效應(yīng)。同樣地，由于離子可比電子重許多倍，因此隨著電子被 推出到等離子體流之外，等離子體流停止作為良好導(dǎo)體并且消滅。電弧還通過(guò)蓋1010的通氣口利用對(duì)流來(lái)冷卻。此外，磁體1050^10502,10503> 10504,10506, 10507扭曲所述電弧以進(jìn)一步協(xié)助消滅所述電弧。以上實(shí)施例提供了一種斷路開(kāi)關(guān)，例如光伏斷路開(kāi)關(guān)，其快速伸展、吸引、排斥和扭曲在開(kāi)關(guān)的可動(dòng)接觸部與靜止接觸部之間的接觸的斷開(kāi)過(guò)程中所產(chǎn)生的電弧，從而消滅所述電弧。因此，電弧在接觸部完全開(kāi)路之前就被消滅，以允許斷路開(kāi)關(guān)以較高電壓(例如 600 V或更高)和在此電壓下的高于額定電流(例如兩倍于額定電流)的斷開(kāi)電流(break current)而操作。此外，上述實(shí)施例提供了在單一斷路開(kāi)關(guān)中多個(gè)獨(dú)立源的斷開(kāi)。雖然斷路開(kāi)關(guān)100和1000被描述為包括分立的蓋和底部部分，不過(guò)應(yīng)注意，開(kāi)關(guān)100和1000可形成為單一的殼體單元。此外，示例的磁體150可由諸如35級(jí)釹鐵硼(NdFeB)之類的材料形成，具有根據(jù)美國(guó)檢測(cè)和材料協(xié)會(huì)(ASTM)標(biāo)準(zhǔn)B689-97的涂層，不過(guò)也可使用其它類型的磁體。前述實(shí)施例已經(jīng)被顯示和描述，從而用于例示各實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和功能原理、以及例示出采用各實(shí)施例的方法的目的，在不背離這樣的原理的情況下可進(jìn)行變化。因此，對(duì)各實(shí)施例的所有修改均被涵蓋在所附權(quán)利要求書的精神之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種斷路開(kāi)關(guān)，包括 殼體；設(shè)置在所述殼體內(nèi)的可動(dòng)接觸部，所述可動(dòng)接觸部適于從第一閉合位置移動(dòng)到第二開(kāi)路位置；設(shè)置在所述殼體內(nèi)的靜止接觸部，所述可動(dòng)接觸部當(dāng)處于所述第一位置時(shí)與所述靜止接觸部物理接觸；和設(shè)置在所述殼體內(nèi)的多個(gè)磁體，所述磁體關(guān)于所述可動(dòng)接觸部的運(yùn)動(dòng)軸線以預(yù)定的位置和取向設(shè)置，由此當(dāng)所述可動(dòng)接觸部從所述第一位置移動(dòng)到所述第二開(kāi)路位置時(shí)，由所述可動(dòng)接觸部形成的電流電弧被消滅。
2.如權(quán)利要求1所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述多個(gè)磁體包括第一、第二、和第三磁體，并且其中所述第一磁體設(shè)置在所述殼體內(nèi)、處于所述可動(dòng)接觸部的第一側(cè)上、并大致平行于所述可動(dòng)接觸部當(dāng)從所述第一位置轉(zhuǎn)變到所述第二位置時(shí)的路徑的軸線，所述第二磁體設(shè)置在所述殼體內(nèi)、并大致平行于和沿著所述可動(dòng)接觸部的路徑的軸線，所述第三磁體設(shè)置成接近所述可動(dòng)接觸部的第二側(cè)并相對(duì)于所述可動(dòng)接觸部的路徑的軸線以預(yù)定角度取向。
3.如權(quán)利要求2所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，相對(duì)于所述可動(dòng)接觸部的路徑的軸線的所述預(yù)定角度是45度。
4.如權(quán)利要求3所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述第一磁體的北極沿所述可動(dòng)接觸部的路徑的軸線的方向，所述第二磁體與所述第一磁體的極性相反地取向，并且所述第三磁體的南極大致沿所述可動(dòng)接觸部的路徑的軸線的方向。
5.如權(quán)利要求1所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述殼體進(jìn)一步包括 蓋；和底部；其中，所述可動(dòng)接觸部和靜止接觸部設(shè)置在所述底部?jī)?nèi)，而所述多個(gè)磁體設(shè)置在所述蓋內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述蓋進(jìn)一步包括至少一個(gè)通氣開(kāi)口。
7.如權(quán)利要求1所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述電弧被吸引到所述磁體中的至少一個(gè)，并且被所述磁體中的至少一個(gè)排斥，從而使所述電弧伸長(zhǎng)。
8.如權(quán)利要求1所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述多個(gè)磁體使得所述電弧等離子體偏轉(zhuǎn)。
9.如權(quán)利要求1所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述多個(gè)磁體包括第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、和第Λ磁體，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、和第Λ磁體均設(shè)置在所述殼體內(nèi)、并大致平行于所述可動(dòng)接觸部當(dāng)從所述第一位置轉(zhuǎn)變到所述第二位置時(shí)的路徑的軸線，其中，所述第一、第二、第三、第五、和第八磁體的極性沿第一方向，而所述第四、第六、和第七磁體的極性沿反向于所述第一方向的第二方向，所述第一、第二、和第三磁體進(jìn)一步相對(duì)于所述殼體的底面以預(yù)定角度取向。
10.如權(quán)利要求9所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，相對(duì)于所述殼體的底面的所述預(yù)定角度是45度。
11.如權(quán)利要求9所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，當(dāng)所述可動(dòng)接觸部斷開(kāi)與所述靜止接觸部在所述第一位置中的物理接觸時(shí)，由所述可動(dòng)接觸部產(chǎn)生的電弧被所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、和第八磁體吸引，然后被第一、第二、第三、第四、第六、和第七磁體排斥，從而使所述電弧伸長(zhǎng)。
12.如權(quán)利要求11所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述第一、第二、第三、第四、第六、和第七磁體使得所述電弧等離子體偏轉(zhuǎn)。
13.如權(quán)利要求12所述的斷路開(kāi)關(guān)，其中，所述第一、第二、第三、第四、第六、和第七磁體吸弓丨、排斥和扭曲所述電弧，以增大所述電弧的電壓。
14.一種斷路開(kāi)關(guān)，包括殼體，其包括蓋和底部，所述蓋具有多個(gè)通氣口，并且所述蓋被可移除地安裝到所述底部；設(shè)置在所述底部中的第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部，適于從第一閉合位置移動(dòng)到第二開(kāi)路位置；設(shè)置在所述底部中的第一、第二、和第三靜止接觸部，每個(gè)靜止接觸部與相應(yīng)的可動(dòng)接觸部相關(guān)聯(lián)，由此當(dāng)所述可動(dòng)接觸部處于所述第一位置時(shí)所述相應(yīng)的可動(dòng)接觸部物理連接到所述靜止接觸部；第一磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)、并且在所述第一可動(dòng)接觸部的與面向所述第二可動(dòng)接觸部的側(cè)相反的一側(cè)接近于所述第一可動(dòng)接觸部，所述第一磁體取向成大致平行于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部當(dāng)從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)的行程的軸線，所述第一磁體的北極面向所述第一可動(dòng)接觸部；第二磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)并且接近于和平行于所述第二可動(dòng)接觸部的行程的軸線，所述第二磁體位于所述第二和第三可動(dòng)接觸部之間并遠(yuǎn)離所述第一磁體，所述第二磁體的北極面向所述第二可動(dòng)接觸部，且所述第二磁體的南極面向所述第三可動(dòng)接觸部；和第三磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)并且處于所述第二和第三可動(dòng)接觸部之間，所述第三磁體相對(duì)于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部的行程的軸線以45度角度取向，所述第三磁體的南極大致面向所述第二可動(dòng)接觸部，且所述第三磁體的北極大致面向所述第三可動(dòng)接觸部；和其中，對(duì)于由所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部中的每一個(gè)在從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)產(chǎn)生的電弧，所述電弧通過(guò)所述第二磁體的磁場(chǎng)以及所述第一和第三磁體的磁場(chǎng)被消滅，其中，所述第二磁體的磁場(chǎng)吸引所述電弧以使所述電弧伸長(zhǎng)并使其電壓增大，而所述第一和第三磁體的磁場(chǎng)吸引和排斥所述電弧以使所述電弧伸長(zhǎng)并使其電壓增大。
15.一種斷路開(kāi)關(guān)，包括殼體，其包括蓋和底部，所述蓋具有多個(gè)通氣口，并且所述蓋被可移除地安裝到所述底部；設(shè)置在所述底部中的第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部，適于從第一閉合位置移動(dòng)到第二開(kāi)路位置；設(shè)置在所述底部中的第一、第二、和第三靜止接觸部，每個(gè)靜止接觸部與相應(yīng)的可動(dòng)接觸部相關(guān)聯(lián)，由此當(dāng)所述可動(dòng)接觸部處于所述第一位置時(shí)所述相應(yīng)的可動(dòng)接觸部物理連接到所述靜止接觸部；第一磁體，其設(shè)置在所述底部?jī)?nèi)，取向成大致平行于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部當(dāng)從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)的行程的軸線，所述第一磁體進(jìn)一步相對(duì)于所述底部的底面以45度角度取向，所述第一磁體的南極大致面向所述第一可動(dòng)接觸部的行程的軸線；第二磁體，其設(shè)置在所述底部?jī)?nèi)，取向成大致平行于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部當(dāng)從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)的行程的軸線，所述第二磁體進(jìn)一步相對(duì)于所述底部的底面以45度角度取向，所述第二磁體的南極大致面向所述第二可動(dòng)接觸部的行程的軸線；第三磁體，其設(shè)置在所述底部?jī)?nèi)，取向成大致平行于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部當(dāng)從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)的行程的軸線，所述第三磁體進(jìn)一步相對(duì)于所述底部的底面以45度角度取向，所述第三磁體的南極大致面向所述第三可動(dòng)接觸部的行程的軸線；第四磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)、并且在所述第一可動(dòng)接觸部的與面向所述第二可動(dòng)接觸部的側(cè)相反的一側(cè)接近于所述第一可動(dòng)接觸部，所述第四磁體取向成大致平行于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部當(dāng)從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)的行程的軸線并大致沿與所述第一磁體相同的線，所述第四磁體的北極面向所述第一可動(dòng)接觸部；第五磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)，大致沿所述第一可動(dòng)接觸部的行程的軸線，并遠(yuǎn)離所述第一、第二、和第三磁體定位，所述第五磁體的南極沿所述第二可動(dòng)接觸部的行程的軸線的方向取向；第六磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)并處于所述第一和第二可動(dòng)接觸部之間，所述第六磁體取向成大致平行于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部當(dāng)從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)的行程的軸線并大致沿與所述第二磁體相同的線，所述第六磁體的北極面向所述第二可動(dòng)接觸部；第七磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)并處于所述第二和第三可動(dòng)接觸部之間，所述第七磁體取向成大致平行于所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部當(dāng)從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)的行程的軸線并大致沿與所述第三磁體相同的線，所述第七磁體的北極面向所述第三可動(dòng)接觸部；和第八磁體，其設(shè)置在所述底部的蓋內(nèi)，大致沿所述第三可動(dòng)接觸部的行程的軸線，并遠(yuǎn)離所述第一、第二、和第三磁體定位，所述第八磁體的北極沿所述第二可動(dòng)接觸部的行程的軸線的方向取向；和其中，對(duì)于由所述第一、第二、和第三可動(dòng)接觸部中的每一個(gè)在從其相應(yīng)第一位置轉(zhuǎn)變到其相應(yīng)第二位置時(shí)產(chǎn)生的電弧，所述電弧通過(guò)所述第五和第八磁體的磁場(chǎng)并通過(guò)所述第一、第二、第三、第四、第六、和第七磁體的磁場(chǎng)被消滅，其中，所述第五和第八磁體的磁場(chǎng)吸引所述電弧以使所述電弧伸長(zhǎng)并使其電壓增大，而所述第一、第二、第三、第四、第六、和第七磁體的磁場(chǎng)吸引、排斥和扭曲所述電弧以使所述電弧伸長(zhǎng)并使其電壓增大。
全文摘要
一種斷路開(kāi)關(guān)，包括殼體，其具有可動(dòng)接觸部、靜止接觸部和多個(gè)磁體。可動(dòng)接觸部適于從第一閉合位置移動(dòng)到第二開(kāi)路位置，在第一閉合位置中可動(dòng)接觸部與靜止接觸部物理接觸。磁體關(guān)于可動(dòng)接觸部的運(yùn)動(dòng)軸線以預(yù)定位置和預(yù)定取向定位，由此當(dāng)可動(dòng)接觸部從第一位置移動(dòng)到第二開(kāi)路位置時(shí)，由可動(dòng)接觸部形成的電流電弧被消滅。
文檔編號(hào)H01H73/18GK102262986SQ201110138388
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者A. 費(fèi)希爾 D., J. 霍蘭 M. 申請(qǐng)人:西門子工業(yè)公司