專利名稱：薄膜晶體管、薄膜晶體管制造方法和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有有機(jī)半導(dǎo)體圖形的薄膜晶體管、該薄膜晶體管的制造方法以及使用該薄膜晶體管的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來，包括由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的溝道層的薄膜晶體管(下文稱作“TFT”)， 即有機(jī)薄膜晶體管已經(jīng)引起了關(guān)注。可通過涂敷或印刷方法來形成包括溝道層在內(nèi)的全部層，從而能夠?qū)崿F(xiàn)低成本制造過程。另外，由于該溝道層可在比例如蒸發(fā)方法等方法更低的溫度下形成，由此可將有機(jī)TFT安裝在具有柔性和低耐熱性的塑料膜上。如同包括由無機(jī)半導(dǎo)體材料制成的溝道層的無機(jī)TFT —樣，已經(jīng)對有機(jī)TFT作為諸如顯示裝置等電子裝置的切換元件的用途進(jìn)行了研究。有機(jī)TFT包括用于形成溝道層的有機(jī)半導(dǎo)體圖形；以及與該有機(jī)半導(dǎo)體圖形連接的源極電極和漏極電極。當(dāng)制造有機(jī)TFT時，為了減小斷態(tài)電流(OFF state current)，希望有這樣的工序步驟在該工序步驟中，形成有機(jī)半導(dǎo)體層，然后選擇性地除去(圖形化)該有機(jī)半導(dǎo)體層以形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形。通常將該工序稱作元件隔離。在有機(jī)TFT的制造工序中，與無機(jī) TFT的制造工序不同的是，有機(jī)半導(dǎo)體圖形易于溶解在有機(jī)溶劑中，這樣就難以通過使用有機(jī)溶劑的光刻方法進(jìn)行上述元件隔離。已經(jīng)提出了用于元件隔離的一些方法。下面具體說明這些方法。用YAG激光器等照射一部分有機(jī)半導(dǎo)體層從而使不需要的部分升華(例如，見日本專利申請公開公報(bào)第 2005-079225號)。在源極電極和漏極電極的每一者上分別形成圖形化的絕緣層(諸如氮化硅)，然后形成有機(jī)半導(dǎo)體層。在此情況下，利用在形成有圖形化的絕緣層的區(qū)域與未形成有圖形化的絕緣層的區(qū)域之間的高度差(臺階差)，將有機(jī)半導(dǎo)體層隔離開(例如，見日本專利申請公開公報(bào)第2000-269504號)。在有機(jī)半導(dǎo)體層上形成圖形化的層(諸如聚乙烯醇)，然后利用該圖形化的層作為蝕刻掩模對有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻(例如，見日本專利申請公開公報(bào)第2006-261312號)。在源極電極及漏極電極上依次形成有機(jī)半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，然后利用激光燒蝕方法同時對有機(jī)半導(dǎo)體層和柵極絕緣層進(jìn)行圖形化(例如，見日本專利第4137915號)。在源極電極及漏極電極上依次形成有機(jī)半導(dǎo)體層和保護(hù)層(諸如氧化硅)，然后利用激光燒蝕方法同時對有機(jī)半導(dǎo)體層和保護(hù)層進(jìn)行圖形化(例如，見日本專利申請公開公報(bào)第2006-332661號)。在源極電極及漏極電極上形成有機(jī)半導(dǎo)體層， 然后用激光束照射除了形成有該源極電極及漏極電極的區(qū)域以外的其他區(qū)域，從而對有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化(例如，見日本專利申請公開公報(bào)第2008-5M839號(PCT申請的譯文))。在源極電極及漏極電極上依次形成保護(hù)層(諸如銦錫氧化物(ITO))和有機(jī)半導(dǎo)體層，然后用激光束照射形成有保護(hù)層的區(qū)域，從而對有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化(例如，見日本專利申請公開公報(bào)第2007-165834號)。與無機(jī)TFT的情況一樣，根據(jù)有機(jī)半導(dǎo)體圖形與源極電極之間的位置關(guān)系以及有機(jī)半導(dǎo)體圖形與漏極電極之間的位置關(guān)系而將有機(jī)TFT分成了頂接觸型或底接觸型。特別地，頂接觸型有機(jī)TFT被認(rèn)為是大有前途的，在該頂接觸型有機(jī)TFT中，源極電極及漏極電極以重疊在有機(jī)半導(dǎo)體圖形的上側(cè)的方式與該有機(jī)半導(dǎo)體圖形接觸。這樣做的一個原因是有機(jī)半導(dǎo)體圖形與源極電極間的接觸電阻以及有機(jī)半導(dǎo)體圖形與漏極電極之間的接觸電阻有所減小，并且耐熱性有所提高。然而，對于頂接觸型有機(jī)TFT的實(shí)用性制造方法還沒有具體的提議，因此期望能夠建立頂接觸型有機(jī)TFT的實(shí)用性制造方法。在此情況下，為了保證具有有機(jī)TFT的電子裝置的性能和產(chǎn)率，期望不僅能夠制造頂接觸型有機(jī)TFT，還能夠容易地制造具有高性能的有機(jī)TFT。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是期望提供能夠?qū)崿F(xiàn)更高性能且更易于制造的薄膜晶體管及其制造方法，還期望提供一種電子裝置。本發(fā)明一個實(shí)施方案的薄膜晶體管制造方法包括在基板上形成柵極電極；在所述柵極電極上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層；利用激光燒蝕方法選擇性地除去所述有機(jī)半導(dǎo)體層的一部分，形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形；以及在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上形成源極電極和漏極電極。本發(fā)明另一個實(shí)施方案的薄膜晶體管包括基板；柵極電極，所述柵極電極形成在所述基板上；柵極絕緣層，所述柵極絕緣層形成在所述柵極電極上；有機(jī)半導(dǎo)體圖形，所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形是利用激光燒蝕方法而被形成在所述柵極絕緣層上；以及源極電極和漏極電極，所述源極電極和所述漏極電極形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上。本發(fā)明又一個實(shí)施方案的電子裝置包括薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括 基板；柵極電極，所述柵極電極形成在所述基板上；柵極絕緣層，所述柵極絕緣層形成在所述柵極電極上；有機(jī)半導(dǎo)體圖形，所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形是利用激光燒蝕方法而被形成在所述柵極絕緣層上；以及源極電極和漏極電極，所述源極電極和所述漏極電極形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的薄膜晶體管制造方法、薄膜晶體管和電子裝置，利用激光燒蝕方法選擇性地除去所述有機(jī)半導(dǎo)體層的一部分來形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形，并在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上形成源極電極和漏極電極。因此，能夠容易且穩(wěn)定地制造出低電阻的頂接觸型薄膜晶體管。于是，能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜晶體管的高性能化和易制造化。應(yīng)理解的是，上面的總體說明和下面的詳細(xì)說明都是示例性的，并且旨在為隨附權(quán)利要求的技術(shù)方案提供進(jìn)一步的解釋。


這里所包含的附圖提供了對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，這些附圖被并入本說明書中并且構(gòu)成本說明書的一部分。這些附示了各實(shí)施方案，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出了本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是示出了用于薄膜晶體管制造方法的激光束加工裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖3是用于說明薄膜晶體管制造方法的截面圖。圖4是圖示了跟在圖3所示工序步驟之后的工序步驟的截面圖。圖5是圖示了跟在圖4所示工序步驟之后的工序步驟的截面圖。圖6是對薄膜晶體管制造方法進(jìn)行補(bǔ)充說明的截面圖。圖7是圖示了跟在圖6所示工序步驟之后的工序步驟的截面圖。圖8是圖示了跟在圖6所示工序步驟之后的另一工序步驟的截面圖。圖9是用于說明薄膜晶體管制造方法的變形例的截面圖。圖10是圖示了用圖9所示的工序步驟制造出來的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖11圖示了液晶顯示裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)的截面圖，該液晶顯示裝置是薄膜晶體管的應(yīng)用例。圖12圖示了圖11所示的液晶顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。對實(shí)施例進(jìn)行說明時的順序如下1.薄膜晶體管1-1.薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)1-2.薄膜晶體管制造方法2.薄膜晶體管的應(yīng)用例(電子裝置)1.薄膜晶體管1-1.薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)圖1示出了作為本發(fā)明實(shí)施例薄膜晶體管的有機(jī)TFT的截面結(jié)構(gòu)。該有機(jī)TFT具有如下結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)中，在支撐基板1上依次形成有柵極電極2、柵極絕緣層3、有機(jī)半導(dǎo)體圖形4、源極電極5和漏極電極6。這里所說明的有機(jī)TFT是底柵頂接觸型的，在該底柵頂接觸型中，柵極電極2位于有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的下側(cè)，并且源極電極 5和漏極電極6在有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的上側(cè)與該有機(jī)半導(dǎo)體圖形4重疊。這里所述的“下側(cè)”是指有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的靠近支撐基板1的那一側(cè)，“上側(cè)”是指有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的遠(yuǎn)離支撐基板1的那一側(cè)。支撐基板1由諸如塑料材料、金屬材料和無機(jī)材料等任何一種以上材料制成。塑料材料例如包括聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯苯酚(polyvinylphenol，PVP)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺 (PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚苯硫醚(PPS)或三乙酰纖維素(TAC)等。金屬材料例如包括招(Al)、鎳(Ni) 或不銹鋼等。無機(jī)材料例如包括硅(Si)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化鋁(AlOx)或其他金屬氧化物。氧化硅(SiOx)包括例如玻璃、石英或者旋涂玻璃(spin-on-glass)等。支撐基板1可以是諸如晶片等具有剛性的基板，或者可以是具有柔性的膜或箔。支撐基板1的表面可設(shè)置有具有特定功能的涂敷層。該涂敷層例如可以是用于提供可靠粘附性的緩沖層、用于防止氣體排放的氣體阻擋層。支撐基板1可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)采用多層結(jié)構(gòu)時，可以層疊兩個以上由上述材料制成的層。這樣的說明也適用于柵極電極2、柵極絕緣層3、有機(jī)半導(dǎo)體圖形4、 源極電極5和漏極電極6。柵極電極2由諸如金屬材料、無機(jī)導(dǎo)電材料、有機(jī)導(dǎo)電材料和碳材料等材料中的任何一種或兩種以上制成。金屬材料例如包括鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、 金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鎢(W)、鉭(Ta)或者含有上述金屬的合金等。無機(jī)導(dǎo)電材料例如包括氧化銦(In2O3)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋅(SiO)等。有機(jī)導(dǎo)電材料例如包括聚乙烯二氧噻吩(polyethylene dioxythiophene，PED0T)、聚苯乙烯磺酸酯 (polystyrene sulfonate ；PSS)或聚苯胺(PANI)等。碳材料例如包括石墨等。柵極電極2 可具有包括PED0T/PSS等的多層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣層3由諸如無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料等材料中的任何一種或多種制成。無機(jī)絕緣材料例如包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦(TiO2)、氧化鉿(HfOx)或鈦酸鋇(BaTiO3)等。有機(jī)絕緣材料例如包括聚乙烯苯酚(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰亞胺、 聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene， BCB)、氟碳聚合物、感光性聚酰亞胺、感光性酚醛清漆(novolak)樹脂或聚對二甲苯 (poly-paraxylylene) 0為了能夠在低電壓下驅(qū)動有機(jī)TFT，柵極絕緣層3的厚度優(yōu)選不超過1 μ m,并且柵極絕緣層3優(yōu)選具有盡可能平坦的表面。有機(jī)半導(dǎo)體圖形4由下述有機(jī)半導(dǎo)體材料中的任何一種或多種制成。有機(jī)半導(dǎo)體材料例如包括⑴聚吡咯；⑵聚噻吩；⑶諸如聚異硫茚(polyisothianaphthene)等異硫茚；(4)諸如聚噻吩乙炔等亞噻吩基亞乙烯基 (thienylene vinylene)類物質(zhì)；(5)諸如聚對苯乙炔等亞苯基亞乙烯基(p-phenylene vinylene)類物質(zhì)；(6)聚苯胺；(7)聚乙炔；(8)聚二乙炔(polydiacetylene) ； (9)聚奧 (polyazulene)或者(10)聚芘(polypyrene)。有機(jī)半導(dǎo)體材料例如包括(11)聚咔唑(polycartazole) ； (12)聚硒吩 (polyselenophene) ； (13)聚呋口南(po lyfuran) ； (14)聚對亞苯(Poly (p-phenylene))； (15)聚吲哚(polyindole) ； (16)聚噠嗪(polypyridazine) ； (17)并苯，例如丁省、并五苯、 并六苯、并七苯、二苯并五苯(dibenzopentacene)、四苯并五苯(tetrabenzopentacene)、 芘、二苯并芘、蒽、茈、六苯并苯、聚脂纖維(terylene)、卵苯(ovalene)、夸特銳烯 (quaterrylene)或循環(huán)蒽(circumanthracene)等；(18)用諸如氮(N)、硫(S)和氧(0) 等原子取代一個以上碳原子或者用諸如羰基等官能團(tuán)取代一個以上碳原子而得到的衍生物，該衍生物包括三苯二噁嗪(triphenodioxazine)、三苯二噻嗪(triphenodithiazine) 或并六苯_6，15-苯醌等；(19)諸如聚乙烯咔唑(polyvinylcartazole)、聚苯硫醚 (polyphenylene sulfide)和聚亞乙烯基硫醚(polyvinylene sulfide)等聚合材料和多環(huán)稠合體；或者00)具有與上述聚合材料的重復(fù)單元相同的重復(fù)單元的低聚物。有機(jī)半導(dǎo)體材料例如包括(21)諸如銅酞菁等金屬酞菁(metallicphthalocyanine) ； (22)四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene) ； (23)四硫并環(huán)戊二烯 (tetrathiapentalene) ； (24)萘-1，4，5，8_ 四羧基二酰亞胺(tetracarboxylic acid diimide),N,N'-雙(4-三氟甲基苯甲基)萘-1，4，5，8-四羧基二酰亞胺，N，N'-雙(1H， IH-全氟辛基)萘-1，4，5，8-四羧基二酰亞胺、N，N'-雙(1H，IH-全氟丁基)萘_1，4，5， 8-四羧基二酰亞胺以及N，N' -二辛基萘-1，4，5，8-四羧基二酰亞胺衍生物^2 諸如萘-2，3，6，7-四羧基二酰亞胺等萘四羧酸二酰亞胺(naphthalenetetracarboxylic acid diimide) ； (26)以諸如蒽_2，3，6，7-四羧基二酰亞胺等以蒽四羧基二酰亞胺基團(tuán)為特點(diǎn)的稠環(huán)四羧基二酰亞胺；(27)諸如C60, C70, C76, C78或C84等富勒烯；(28)諸如單壁碳納米管 (single-wall carbon nanotube, SffNT)等碳納米管；(29)諸如部花青顏料和半花青顏料等顏料；或者(30)諸如 2，9-二萘基-迫咕噸并咕噸 Q，9-dinanphthyl-peri-xantheno-xan thene)等迫咕噸并咕噸化合物。有機(jī)半導(dǎo)體材料也可以是上述一系列材料的衍生物。該衍生物是指一種以上取代基團(tuán)被引入至上述材料而得到的材料，并且可以使用任意種類的取代基團(tuán)，而且可將取代基團(tuán)引入至材料的任意位置。特別地，利用激光燒蝕方法來形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4。更具體地，如下面的具體說明(參照圖幻，利用激光燒蝕方法對形成在柵極絕緣層3上的有機(jī)半導(dǎo)體層7進(jìn)行圖形化， 從而形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4。下面能夠證實(shí)在完成的有機(jī)TFT中是通過激光燒蝕方法形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的這一事實(shí)。對于通過減法來圖形化有機(jī)半導(dǎo)體層的方法來說，除了激光燒蝕方法之外也可以使用干式蝕刻方法。當(dāng)采用干式蝕刻方法時，在諸如氧氣(O2)、氬氣(Ar)、氮?dú)?N2)和氫氣(H2)等氣體氛圍下對有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化。因此，在有機(jī)半導(dǎo)體層的表面上會沉積 (附著)有作為副產(chǎn)物而生成的反應(yīng)產(chǎn)物。通過使用有機(jī)溶劑的清洗處理能夠除去該反應(yīng)產(chǎn)物，但是有機(jī)溶劑也會輕易地溶解大部分有機(jī)半導(dǎo)體層。因此，當(dāng)采用干式蝕刻方法來圖形化有機(jī)半導(dǎo)體層時，也許不能進(jìn)行利用有機(jī)溶劑的清洗處理。即使進(jìn)行該清洗處理，也很難持續(xù)該清洗處理直到將反應(yīng)產(chǎn)物完全除去，因此在有機(jī)半導(dǎo)體層的表面上殘留有反應(yīng)產(chǎn)物。相反地，當(dāng)采用激光燒蝕方法時，不會生成反應(yīng)產(chǎn)物，從而不會在有機(jī)半導(dǎo)體層的表面上沉積反應(yīng)產(chǎn)物。因此，可通過檢測在有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的表面上是否沉積有反應(yīng)產(chǎn)物，來證實(shí)有機(jī)半導(dǎo)體圖形4是否是通過激光燒蝕方法形成的。源極電極5和漏極電極6優(yōu)選由與構(gòu)成柵極電極2的材料相同的材料制成，并且優(yōu)選與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4歐姆接觸。源極電極5和漏極電極6的形成區(qū)域不受限制，只要源極電極5和漏極電極6各自的一端在有機(jī)半導(dǎo)體圖形4上與該有機(jī)半導(dǎo)體圖形4重疊即可。特別地，源極電極5和漏極電極6各自的另一端優(yōu)選延伸至柵極絕緣層3上的部分，因?yàn)檫@會使得源極電極5及漏極電極6與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的上部和側(cè)面都接觸，從而使源極電極5及漏極電極6與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的接觸面積變大。1-2.薄膜晶體管制造方法下面說明上述有機(jī)TFT的制造方法。圖2示出了用于有機(jī)TFT制造方法的激光束加工裝置的結(jié)構(gòu)。圖3至圖8是用于說明有機(jī)TFT制造方法的說明性圖，其中每幅圖示出了對應(yīng)于圖1的截面結(jié)構(gòu)。上面已經(jīng)說明了構(gòu)成有機(jī)TFT的各元件的材料，下文不再贅述。下面，首先說明激光束加工裝置的結(jié)構(gòu)，然后說明有機(jī)TFT的制造方法。對于制造有機(jī)TFT，可以單獨(dú)制造單個有機(jī)TFT或者可以共同制造(并行加工)多個有機(jī)TFT。激光束加工裝置的結(jié)構(gòu)激光束加工裝置被用于使用激光燒蝕方法進(jìn)行的加工處理(圖形化)。如圖2所示，激光束加工裝置例如包括光源11、將從光源11出射的激光束L光學(xué)投影成預(yù)定圖形的光學(xué)系統(tǒng)12、碎片回收系統(tǒng)13和平臺14。碎片回收系統(tǒng)13在激光束L的入射側(cè)具有透過窗19，并且該碎片回收系統(tǒng)13與排氣泵20以及氣體引入部件21和22連接。光源11的種類例如是但不限于準(zhǔn)分子激光器。準(zhǔn)分子激光器的激光媒體(出射波長)有好幾種類型，其示例包括 XeF(351nm)、XeCl (308nm)、KrF (248nm)、ArF(193nm)和 F2(157nm)。光源11的種類也可以是固體激光器(第二至第四諧波)。光學(xué)系統(tǒng)12包括沿激光束L的光路依次放置的光束成形單元15、光罩16 (或可變光圈16)、投影透鏡17和反射鏡18。光束成形單元15使激光束L成形并使激光束L的強(qiáng)度均一化。光罩16具有與激光束L的照射形狀相對應(yīng)的形狀的開口。光罩16例如包括由金屬材料制成的帶有孔的掩模、由玻璃或金屬薄膜制成的光掩模、或者由介電體材料制成的介電體掩模。投影透鏡17 用于以預(yù)定放大倍率將激光束L投影到平臺14的表面上。反射鏡18反射激光束L并調(diào)整激光束L的照射方向。平臺14支撐著待加工物體。平臺14被定位成使得由投影透鏡17投影過來的激光束L聚焦到待加工物體的表面上(加工面)。平臺14在與激光束L的光軸垂直的平面內(nèi)是可移動的，從而使激光束L能夠掃描待加工物體的表面。根據(jù)需要，可將激光束加工裝置安裝在壓力可調(diào)室中。當(dāng)進(jìn)行激光加工時，壓力例如是但不限于KT2Pa IOPa。薄膜晶體管制造方法當(dāng)制造有機(jī)TFT時，如圖3所示，首先提供支撐基板1，接著在支撐基板1上圖形化地形成柵極電極2。為了形成柵極電極2，例如先形成覆蓋支撐基板1的表面的金屬材料層，之后圖形化該金屬材料層。金屬材料層的形成方法的示例包括濺射方法、真空沉積方法、鍍覆法以及使用納米粒子的涂敷方法。金屬材料層的圖形化方法的示例包括光刻方法和蝕刻方法。 在此情況下，利用光刻方法在金屬材料層上形成抗蝕劑圖形(未圖示)，接著利用該抗蝕劑圖形作為掩模對該金屬材料層進(jìn)行蝕刻。這里的蝕刻方法例如包括濕式蝕刻方法和干式蝕刻方法。這里，可調(diào)整蝕刻條件，使得柵極電極2的寬度隨著該柵極電極2越來越靠近支撐基板1而逐漸增大。在形成柵極電極2之后，例如使用采用濕式處理的溶解清洗除去方法， 或者使用灰化方法，將上述抗蝕劑圖形除去?？刮g劑圖形的形成方法例如也可以是印刷方法或激光繪圖方法。印刷方法的示例包括噴墨印刷法、柔版印刷法(flexographic printing method)、凹版印刷法、凹版膠印法和膠印法。另外，可采用噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法、微接觸印刷法、柔版印刷法、凹版印刷法、凹版膠印法或者膠印法，來直接圖形化地形成金屬納米油墨。在形成柵極電極2時，期望在后面的工序步驟中形成與柵極電極2充分絕緣的有機(jī)半導(dǎo)體圖形4。因此，柵極電極2優(yōu)選盡可能薄以便獲得良好的絕緣性。更具體地，柵極電極2的厚度優(yōu)選為200nm以下。這樣做的一個原因是由于柵極電極2的厚度而產(chǎn)生的高度差(臺階)變小了，這樣在后面的工序步驟中易于形成平坦的柵極絕緣層3。然后，形成覆蓋著柵極電極2及柵極電極2周圍的支撐基板1的柵極絕緣層3。為了形成柵極絕緣層3，例如可將有機(jī)絕緣材料溶解于諸如有機(jī)溶劑等溶劑中以制備溶液，接著利用涂敷方法涂敷該溶液，然后使其干燥。之后，根據(jù)需要可進(jìn)行熱處理。涂敷方法的示例包括凹版式涂敷方法、輥式涂敷方法、吻合式涂敷方法、刀式涂敷方法、模壓涂敷方法、狹縫涂敷方法、刮刀涂敷方法、旋轉(zhuǎn)涂敷方法和噴墨方法?；蛘?，可利用濺射方法或者化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)方法來沉積無機(jī)絕緣材料，由此形成柵極絕緣層3。然后，在柵極絕緣層3上形成有機(jī)半導(dǎo)體層7。有機(jī)半導(dǎo)體層7是用于形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的準(zhǔn)備層，并且有機(jī)半導(dǎo)體層7的形成材料與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的形成材料相同。為了形成有機(jī)半導(dǎo)體層7，例如使用真空蒸發(fā)方法等方法沉積有機(jī)半導(dǎo)體材料。取決于有機(jī)半導(dǎo)體材料的種類，可以使用耐加熱蒸發(fā)方法或?yàn)R射方法等方法沉積該有機(jī)半導(dǎo)體材料。也可以采用諸如旋轉(zhuǎn)涂敷方法等涂敷方法來涂敷其中溶解有該有機(jī)半導(dǎo)體材料的溶液。涂敷方法的示例包括凹版式涂敷方法、輥式涂敷方法、吻合式涂敷方法、刀式涂敷方法、模壓涂敷方法、狹縫涂敷方法、刮刀涂敷方法、旋轉(zhuǎn)涂敷方法和噴墨方法。接著，使用圖2所示的激光束加工裝置，利用激光燒蝕方法對有機(jī)半導(dǎo)體層7進(jìn)行圖形化。為了圖形化有機(jī)半導(dǎo)體層7，將上面形成有有機(jī)半導(dǎo)體層7的支撐基板1固定至平臺14上，之后將從光源11出射的激光束L照射至有機(jī)半導(dǎo)體層7上。這里，移動平臺14 使得有機(jī)半導(dǎo)體層7被激光束L掃描。光源11的種類(出射波長)和激光束L的加工條件是可任意選擇的。加工條件是指例如激光束L的強(qiáng)度(能量密度)和成形條件等。通過激光束的加工處理，在激光束L的照射(掃描)區(qū)域內(nèi)的有機(jī)半導(dǎo)體層7被分解且被除去，從而形成了圖4所示的有機(jī)半導(dǎo)體圖形4。由此完成了元件隔離。在此情況下，例如，優(yōu)選對激光束L的照射條件(強(qiáng)度等)進(jìn)行調(diào)整，使得有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的在靠近柵極絕緣層3的一側(cè)的寬度比遠(yuǎn)離柵極絕緣層3的一側(cè)的寬度寬。這樣做的一個原因是當(dāng)在后面的工序步驟中形成源極電極5和漏極電極6時，這能使源極電極5和漏極電極6易于與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4接觸。因此，在有機(jī)半導(dǎo)體圖形4與源極電極 5之間以及有機(jī)半導(dǎo)體圖形4與漏極電極6之間幾乎不會產(chǎn)生間隙(非接觸部分)，從而確保了它們之間的電連通性。有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的寬度隨著該有機(jī)半導(dǎo)體圖形4越來越靠近柵極絕緣層3可以按照階梯方式增大、可以逐漸增大、或者可以先是均一的而稍后才增大。特別地，優(yōu)選有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的寬度是逐漸增大的，因?yàn)檫@樣就使得有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的側(cè)面是傾斜的，從而使源極電極5和漏極電極6易于與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的側(cè)面接觸。當(dāng)使用激光燒蝕方法對有機(jī)半導(dǎo)體層7進(jìn)行圖形化時，根據(jù)需要，可預(yù)先在有機(jī)半導(dǎo)體層7上形成保護(hù)層(未圖示)，并且可讓該保護(hù)層與有機(jī)半導(dǎo)體層7同時被圖形化。 該保護(hù)層例如用于防止在激光束L的照射區(qū)域以外的其他區(qū)域中有機(jī)半導(dǎo)體層7被無意中損壞，即用于防止有機(jī)半導(dǎo)體層7被激光束L損壞。保護(hù)層的形成材料的示例包括樹脂材料、金屬材料和無機(jī)絕緣材料。作為示例，樹脂材料包括抗蝕劑等，金屬材料包括金、銅或鋁等，而無機(jī)絕緣材料包括氧化硅、氮化硅或氧化鋁等。應(yīng)注意的是，在形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形 4之后，優(yōu)選采用不會損壞有機(jī)半導(dǎo)體層7的方法除去上述保護(hù)層。下面給出對利用激光燒蝕方法形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的工序步驟的補(bǔ)充說明。為了共同制造出多個有機(jī)TFT而多次進(jìn)行利用激光燒蝕方法使有機(jī)半導(dǎo)體層7圖形化的工序步驟時，可考慮下面的兩種方法。如圖6所示，除了以陣列方式布置多個柵極電極2之外，仍進(jìn)行上面參照圖3所述的工序來完成直至有機(jī)半導(dǎo)體層7的形成過程。然后，將激光束L照射至圖7和圖8所示的照射區(qū)域Rl和R2，從而形成多個有機(jī)半導(dǎo)體圖形4。應(yīng)注意的是，在圖7和圖8中，為了簡化圖示，將相鄰柵極電極2之間的間隔顯示得很窄。在此情況下，例如如圖7所示，照射區(qū)域Rl和R2可以部分地彼此重疊。在照射區(qū)域Rl和R2彼此重疊的區(qū)域R3中，激光束L雙重照射，這使得在除去有機(jī)半導(dǎo)體層7之后使柵極絕緣層3被挖陷下去。結(jié)果在柵極絕緣層3上形成了凹陷3K。因此，在完成的有機(jī) TFT中在柵極絕緣層3上形成有凹陷: 的這一事實(shí)證明了是使用激光燒蝕方法進(jìn)行圖形化從而形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的。凹陷;3K的寬度WK不受具體限制，但為了增大支撐基板1 的表面的有效使用面積，該寬度WK優(yōu)選為盡可能窄。作為示例，凹陷3Κ的寬度WK優(yōu)選為 20 μ m以下，并且更優(yōu)選為5 μ m以下。或者，例如如圖8所示，照射區(qū)域Rl和R2可以不是彼此重疊的。激光束L沒有照射到位于照射區(qū)域Rl與照射區(qū)域R2之間的區(qū)域R4上，這樣有機(jī)半導(dǎo)體層7在此處就沒有被分解和除去，而是保留下來。因此，在柵極絕緣層3上形成了由與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的材料相同的材料制成的多余圖形4P。因此，在完成的有機(jī)TFT中除了形成有有機(jī)半導(dǎo)體圖形4 之外還形成有多余圖形4P這一事實(shí)證明了使用的是激光燒蝕方法來形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形 4。多余圖形4P與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4顯然不同，因?yàn)槎嘤鄨D形4P不與柵極電極2隔著柵極絕緣層3相互面對，并且多余圖形4P不與源極電極5及漏極電極6連接。多余圖形4P的寬度WP例如但不限于與圖7所示的凹陷: 的寬度WK相同。應(yīng)注意的是，當(dāng)存在照射區(qū)域Rl和R2彼此重疊的多個區(qū)域R3時，也應(yīng)當(dāng)形成有多個凹陷3K。對于多余圖形4P的數(shù)量亦是如此。上面完成了對利用激光燒蝕方法形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的工序步驟的補(bǔ)充說明。在形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之后，如圖5所示，形成電極層8，該電極層8覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體圖形4及位于該有機(jī)半導(dǎo)體圖形4周圍的柵極絕緣層3。電極層8是用于形成源極電極5和漏極電極6的準(zhǔn)備層，并且電極層8的形成材料與源極電極5的形成材料及漏極電極6的形成材料相同。電極層8的形成方法例如與柵極電極2的形成方法類似。優(yōu)選使用不會損壞有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的方法，例如優(yōu)選濺射方法。最后，如圖1所示，對電極層8進(jìn)行圖形化從而形成源極電極5和漏極電極6。優(yōu)選的是，電極層8的圖形化方法例如是諸如濕式蝕刻等不會損壞有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的方法。在此情況下，例如，利用光刻方法在電極層8上形成抗蝕劑圖形(未圖示)，接著使用該抗蝕劑圖形作為掩模對電極層8進(jìn)行濕式蝕刻。該抗蝕劑圖形的形成方法和除去方法例如與形成柵極電極2時的那些方法相類似。濕式蝕刻方法所使用的蝕刻溶液的種類例如是但不限于酸溶液、鹽溶液、或它們的混合溶液等。酸的示例包括硝酸、硫酸、鹽酸、醋酸、草酸、含氟酸(fluorinated acid) 和過氧化氫溶液等。鹽的示例包括氟化銨、碘化鉀、高錳酸鹽和重鉻酸鹽等。當(dāng)使用酸溶液時，為了抑制對有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的損壞，蝕刻溶液中酸的濃度優(yōu)選為20%以下。為了保證穩(wěn)定的蝕刻速率，蝕刻溶液中可包含有諸如有機(jī)含氮化合物等添加劑。這樣，源極電極5和漏極電極6連接至有機(jī)半導(dǎo)體圖形4，從而完成了有機(jī)TFT。薄膜晶體管及其制造方法的作用和效果在上述有機(jī)TFT及其制造方法中，是使用激光燒蝕方法對有機(jī)半導(dǎo)體層7進(jìn)行圖形化從而形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4，接著在有機(jī)半導(dǎo)體圖形4上形成源極電極5和漏極電極 6。也就是說，使用了激光燒蝕方法來制造頂接觸型有機(jī)TFT。在此情況下，得到了下面的有益效果。第一種有益效果是因?yàn)椴捎眉す鉄g方法作為有機(jī)半導(dǎo)體層7的圖形化方法， 所以與使用光刻方法和蝕刻方法的情況相比，能夠在短時間內(nèi)對有機(jī)半導(dǎo)體層7進(jìn)行高精度的圖形化。此外，消除了單獨(dú)形成圖形化用掩模(諸如抗蝕劑圖形等)的必要。第二種有益效果是在形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之后才形成源極電極5和漏極電極 6。因此，激光燒蝕方法不會損壞源極電極5和漏極電極6。一個原因是如果在形成源極電極5和漏極電極6之后再形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的情況下(底接觸型)，激光燒蝕方法可能會無意中將源極電極5和漏極電極6分解并除去，但頂接觸型不會發(fā)生這種無意的分解和去除。第三種有益效果是由于源極電極5與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之間的位置關(guān)系以及漏極電極6與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之間的位置關(guān)系建立了頂接觸型，因此與底接觸型相比，有機(jī)半導(dǎo)體圖形4與源極電極5之間的接觸電阻以及有機(jī)半導(dǎo)體圖形4與漏極電極6之間的接觸電阻有所減小，并且耐熱性有所提高。于是，因?yàn)槟軌蛉菀浊曳€(wěn)定地制造低電阻的頂接觸型有機(jī)TFT，所以能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī) TFT的高性能化和易制造化。特別地，在制造具有底柵型有機(jī)TFT的電子裝置(例如反射型顯示器)的背板時， 底柵型有機(jī)TFT使得能夠?qū)崿F(xiàn)高開口率。其一個原因是形成有場屏蔽(field-shielded) 像素結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中，有機(jī)TFT的漏極電極6與像素電極通過層間絕緣層而連接起來。另外， 還能夠增大在有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的形成材料方面的自由度。其一個原因是在頂柵型中期望有機(jī)半導(dǎo)體圖形4具有良好的表面平坦性，因此使頂柵型中的形成材料受到了限制。另外，在形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的過程中，當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的寬度隨著它越來越靠近柵極絕緣層3而逐漸增大時，確保了源極電極5與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之間以及漏極電極6與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之間的電連通性。此外，當(dāng)采用濕式蝕刻方法作為電極層8的圖形化方法時，與使用干式蝕刻方法的情況不同的是，能夠抑制蝕刻過程對有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的損壞。變形例當(dāng)使用激光燒蝕方法對有機(jī)半導(dǎo)體層7進(jìn)行圖形化時(圖3)，例如如圖9所示，可利用有機(jī)半導(dǎo)體圖形4作為掩模，使用激光燒蝕方法選擇性地將柵極絕緣層3向下挖直至某一深度。接著，形成源極電極5和漏極電極6，于是制造出了圖10所示的有機(jī)TFT。該變形例也能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī)TFT的高性能化和易制造化。此外，該變形例使源極電極5和漏極電極6更易于與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4的側(cè)面接觸，由此能夠進(jìn)一步提高源極電極5與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之間以及漏極電極6與有機(jī)半導(dǎo)體圖形4之間的電連通性。應(yīng)注意的是，當(dāng)柵極絕緣層3還兼用作用于輔助電容的絕緣層時，為了抑制漏電流，柵極絕緣層3的厚度(柵極絕緣層3在未形成有柵極電極2的區(qū)域中的厚度)優(yōu)選為200 μ m以上。2.薄膜晶體管的應(yīng)用例(電子裝置)下面，將說明上述有機(jī)TFT的應(yīng)用例。有機(jī)TFT可應(yīng)用于各種電子裝置。電子裝置的種類不受特別限制，例如可將有機(jī)TFT應(yīng)用于作為顯示裝置的液晶顯示裝置。圖11和圖12分別示出了液晶顯示裝置的主要部分的截面結(jié)構(gòu)和電路結(jié)構(gòu)。應(yīng)注意，下面說明的裝置結(jié)構(gòu)和電路結(jié)構(gòu)是示例性的，并且可以對它們進(jìn)行適當(dāng)變形。電子裝置的結(jié)構(gòu)這里所述的液晶顯示裝置例如是使用了有機(jī)TFT的有源矩陣驅(qū)動方式的透射型液晶顯示裝置。有機(jī)TFT用作切換(像素選擇)元件。如圖11所示，該液晶顯示裝置具有將液晶層51密封在驅(qū)動基板30與對置基板40之間的結(jié)構(gòu)。該液晶顯示裝置可以是透射型和反射型的任何一種。驅(qū)動基板30具有這樣的結(jié)構(gòu)在該結(jié)構(gòu)中，例如，在支撐基板31的一側(cè)上依次形成有有機(jī)TFT 32、平坦化絕緣層33和像素電極34，并且有機(jī)TFT 32和像素電極34均以矩陣形式布置著。支撐基板31例如由諸如玻璃材料和塑料材料等透光性材料形成。有機(jī)TFT 32具有與前述有機(jī)TFT類似的結(jié)構(gòu)。塑料材料的種類例如與上述有機(jī)TFT的材料種類類似。平坦化絕緣層33例如由諸如聚酰亞胺等絕緣樹脂材料形成。像素電極34例如由諸如ITO(銦錫氧化物)等透光性導(dǎo)電材料形成。像素電極34通過設(shè)在平坦化絕緣層33中的接觸孔 (未圖示)與有機(jī)TFT 32連接。對置基板40具有將對置電極42形成在支撐基板41的整個一側(cè)表面上的結(jié)構(gòu)。 支撐基板41例如由諸如玻璃材料和塑料材料等透光性材料形成。對置電極42例如由諸如 ITO等透光性導(dǎo)電材料形成。塑料材料的種類例如與上述有機(jī)TFT的材料種類類似。通過密封材料50將驅(qū)動基板30與對置基板40相互粘合在一起，使得像素電極34 與對置電極42彼此相對布置著，且在像素電極34與對置電極42之間夾有液晶層51。液晶層51中所包含的液晶分子的種類可任意選擇。除此之外，液晶顯示裝置例如還可包括諸如相位延遲板(retardation plate)、偏光板、取向膜和背光單元等其他元件(均未圖示)。如圖12所示，用于驅(qū)動該液晶顯示裝置的電路例如包括有機(jī)TFT 32、液晶顯示元件M (像素電極34、對置電極42和液晶層51)以及電容器55。在該電路中，多條信號線52 在行方向上排列著，且多條掃描線53在列方向上排列著。有機(jī)TFT 32、液晶顯示元件M以及電容器陽被布置在信號線與掃描線相互交叉的位置處。信號線52和掃描線53分別連接至信號線驅(qū)動電路(數(shù)據(jù)驅(qū)動器)和掃描線驅(qū)動電路(掃描驅(qū)動器)。值得注意的是，有機(jī)TFT 32中的源極電極、柵極電極和漏極電極每一者的連接對象不限于如圖12所示的示例。電子裝置的操作在液晶顯示裝置中，由有機(jī)TFT 32來選擇像素電極34。當(dāng)向像素電極34與對置電極42之間施加電場時，液晶層51(液晶分子)的取向狀態(tài)根據(jù)該電場的強(qiáng)度而變化。因此，根據(jù)液晶分子的取向狀態(tài)來控制透光量(透過率)，由此顯示出灰度圖像。電子裝置的作用和效果根據(jù)該電子裝置，有機(jī)TFT 32具有與上述有機(jī)TFT相同的結(jié)構(gòu)。因此，能夠穩(wěn)定且容易地制造出具有低電阻的頂接觸型有機(jī)TFT 32。于是，能夠?qū)崿F(xiàn)電子裝置的高性能化和易制造化。特別地，有機(jī)TFT 32的支撐基板使用了諸如塑料材料等柔性材料，這使得能夠?qū)崿F(xiàn)柔性的(可彎曲的)液晶顯示裝置。實(shí)例下面將詳細(xì)說明本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)施例的實(shí)例。實(shí)驗(yàn)例1基于下面說明的工序來制造底柵頂接觸型有機(jī)TFT。利用真空沉積方法在支撐基板(PES基板)上形成金屬材料層(金)，接著利用濕式蝕刻方法對該金屬材料層進(jìn)行蝕刻從而形成柵極電極。然后，在丙二醇甲醚醋酸酯 (PGMEA)中溶解無機(jī)絕緣材料(PVP)和交聯(lián)劑(聚(三聚氰胺-聯(lián)-甲醛))以制備溶液，接著涂敷該溶液，然后對該溶液進(jìn)行加熱(在180攝氏度下加熱1小時)，由此形成柵極絕緣層。之后，利用真空沉積方法形成50nm厚度的有機(jī)半導(dǎo)體層(并五苯)。然后，為了進(jìn)行元件隔離，使用圖2所示的激光加工裝置通過激光燒蝕方法對該有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化。 由此，在柵極絕緣層上形成了有機(jī)半導(dǎo)體圖形。在此情況下，使用KrF(出射波長為M8nm) 作為光源(準(zhǔn)分子激光)。此外，樣品表面上的激光束的強(qiáng)度(能量密度)在lOOmJ/cm2 1000mJ/cm2的范圍內(nèi)。將激光束的成形條件設(shè)定成能夠得到具有25X25mm尺寸的大致矩形形狀的激光束。最后，利用真空沉積方法形成金屬材料層(金)，接著利用濕式蝕刻方法 (蝕刻溶液碘化鉀溶液)對該金屬材料層進(jìn)行蝕刻，從而形成源極電極和漏極電極。實(shí)驗(yàn)例2除了進(jìn)行光刻方法和干式蝕刻方法以作為用于元件隔離的方法以外，可基于與實(shí)驗(yàn)例1中類似的工序來制造有機(jī)TFT。實(shí)驗(yàn)例3除了不進(jìn)行元件隔離以外，通過與實(shí)驗(yàn)例1中類似的工序來制造有機(jī)TFT。在本實(shí)例中，在有機(jī)半導(dǎo)體層上形成了源極電極和漏極電極，而沒有形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形。檢測了常溫環(huán)境(23攝氏度)下的各個有機(jī)TFT的性能(遷移率、開關(guān)比(ON/OFF ratio)和閾值電壓)。結(jié)果如表1所示。這里，閾值電壓是對電壓Vg(V)與電流IcKA)之間的關(guān)聯(lián)性進(jìn)行檢測之時的上升電壓。[表1]
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管制造方法，所述方法包括如下步驟 在基板上形成柵極電極；在所述柵極電極上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層；利用激光燒蝕方法選擇性地除去所述有機(jī)半導(dǎo)體層的一部分，形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形；以及在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上形成源極電極和漏極電極。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其中，在形成所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形時，使所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形的寬度隨著所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形越來越靠近所述柵極絕緣層而增大。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其中，在形成所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形時，使用所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形作為掩模，利用激光燒蝕方法將所述柵極絕緣層選擇性地向下挖直至達(dá)到所述柵極絕緣層的某一深度。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管制造方法，其中，在形成所述源極電極和所述漏極電極時，在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上形成電極層，然后利用濕式蝕刻方法選擇性地除去所述電極層的一部分。
5.一種薄膜晶體管，其包括 基板；柵極電極，所述柵極電極形成在所述基板上； 柵極絕緣層，所述柵極絕緣層形成在所述柵極電極上；有機(jī)半導(dǎo)體圖形，所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形是利用激光燒蝕方法而被形成在所述柵極絕緣層上；以及源極電極和漏極電極，所述源極電極和所述漏極電極形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上。
6.一種電子裝置，其包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括 基板；柵極電極，所述柵極電極形成在所述基板上； 柵極絕緣層，所述柵極絕緣層形成在所述柵極電極上；有機(jī)半導(dǎo)體圖形，所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形是利用激光燒蝕方法而被形成在所述柵極絕緣層上；以及源極電極和漏極電極，所述源極電極和所述漏極電極形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上。
全文摘要
本發(fā)明公開了薄膜晶體管制造方法、薄膜晶體管和電子裝置。所述制造方法包括如下步驟在基板上形成柵極電極；在所述柵極電極上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層；利用激光燒蝕方法選擇性地除去所述有機(jī)半導(dǎo)體層的一部分，形成有機(jī)半導(dǎo)體圖形；以及在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上形成源極電極和漏極電極。所述薄膜晶體管包括基板；形成在所述基板上的柵極電極；形成在所述柵極電極上的柵極絕緣層；利用激光燒蝕方法在所述柵極絕緣層上形成的有機(jī)半導(dǎo)體圖形；以及形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體圖形上的源極電極和漏極電極。本發(fā)明能夠容易且穩(wěn)定地制造出低電阻的頂接觸型薄膜晶體管，能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜晶體管的高性能化和易制造化。
文檔編號H01L51/10GK102263202SQ20111012781
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者川島紀(jì)之, 村瀬英壽, 勝原真央 申請人:索尼公司