專利名稱：半導(dǎo)體激光器裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在DVD驅(qū)動(dòng)器、CD驅(qū)動(dòng)器或者激光器TV等中所使用的半導(dǎo)體激光器裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為制造成本低的半導(dǎo)體激光器裝置，使用利用模塑樹脂成型所制造出的模塑封裝(例如，參照專利文件1 )。在以往的模塑封裝中，利用模塑樹脂將導(dǎo)線固定在框架上，利用 Ag膏或者環(huán)氧樹脂將副固定件(Submoimt)接合到框架上，利用AuSn或者SniVg焊料將半導(dǎo)體激光器芯片接合到副固定件上。對(duì)以往的模塑封裝的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，利用焊料將半導(dǎo)體激光器芯片接合到副固定件上。然后，利用Ag膏將接合有該半導(dǎo)體激光器的副固定件粘接在框架上，利用烘烤使Ag膏的溶劑蒸發(fā)而固化。然后，為了除去該蒸發(fā)后的溶劑所導(dǎo)致的封裝表面污染，進(jìn)行O2等離子體處理。之后，進(jìn)行引線接合，從排列有多個(gè)裝置的框架上將半導(dǎo)體激光器裝置單片化，并且送到檢查工序。專利文件1日本特開2003-31885號(hào)公報(bào)。專利文件2日本特開2007-19470號(hào)公報(bào)。由于以往的制造工序復(fù)雜，所以，必須使用幾種制造裝置，還需要必要人員進(jìn)行各制造裝置之間的載物盒移動(dòng)。雖然能夠使盒移動(dòng)自動(dòng)化，但是，設(shè)備費(fèi)用龐大。此外^g膏或者環(huán)氧樹脂與焊料相比，熱傳導(dǎo)較差，所以，還存在元件的高溫特性惡化這一問(wèn)題。此外，作為CAN封裝的制造方法，公知如下方法在副固定件的上表面和下表面附著焊料，在框架上依次放置副固定件和半導(dǎo)體激光器芯片，對(duì)封裝整體進(jìn)行加熱，使焊料熔融，同時(shí)將彼此接合(例如，參照專利文件2)。對(duì)于玻璃密封的CAN封裝來(lái)說(shuō)，耐熱溫度為 400°C以上，所以，采用這樣的制造方法。但是，對(duì)于模塑封裝來(lái)說(shuō)，存在樹脂部分，所以，耐熱溫度非常低。因此，不能采用對(duì)封裝整體進(jìn)行加熱的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到能夠低價(jià)且簡(jiǎn)單地制造的在高溫特性方面優(yōu)良的半導(dǎo)體激光器裝置及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器裝置的特征在于，具有框架；導(dǎo)線，利用模塑樹脂固定在所述框架上；副固定件，利用第一焊料接合在所述框架上；半導(dǎo)體激光器芯片，利用第二焊料接合在所述副固定件上，其中所述模塑樹脂的耐熱溫度比所述第一以及第二焊料的熔點(diǎn)
尚ο根據(jù)本發(fā)明，能夠得到可低價(jià)且簡(jiǎn)單地制造的在高溫特性方面優(yōu)良的半導(dǎo)體激光器裝置及其制造方法。


圖1是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的平面圖。圖2是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的剖面圖。圖3是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的平面圖。圖4是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的剖面圖。圖5是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的平面圖。圖6是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的平面圖。圖7是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的剖面圖。圖8是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的平面圖。圖9是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的平面圖。圖10是表示比較例的半導(dǎo)體激光器裝置的剖面圖。圖11是將實(shí)施方式3的半導(dǎo)體激光器裝置放大后的剖面圖。圖12是表示試制實(shí)施方式3的半導(dǎo)體激光器裝置并實(shí)施了可靠性試驗(yàn)的結(jié)果的圖。圖13是表示試制實(shí)施方式3的半導(dǎo)體激光器裝置并實(shí)施了可靠性試驗(yàn)的結(jié)果的圖。圖14是將實(shí)施方式4的半導(dǎo)體激光器裝置放大后的剖面圖。其中附圖標(biāo)記說(shuō)明如下 1框架
2模塑樹脂 3導(dǎo)線
4焊料(第一焊料) 5副固定件 6焊料(第二焊料) 7半導(dǎo)體激光器芯片
11Au鍍層
13Pt層(第一 Pt層)
14Ti層(高熔點(diǎn)金屬層)
15Pt 層(第二 Pt 層)。
具體實(shí)施例方式參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器裝置及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，有時(shí)省略重復(fù)說(shuō)明。實(shí)施方式1
圖1是示出實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的平面圖，圖2是其剖面圖。利用模塑樹脂2將導(dǎo)線3固定在框架1上。利用焊料4 (第一焊料)將副固定件 5接合在框架1上。利用焊料6 (第二焊料)將半導(dǎo)體激光器芯片7接合在副固定件5上。 利用引線8將半導(dǎo)體激光器芯片7的上表面和框架1連接，利用引線9將導(dǎo)線3和副固定件5上的布線連接。該副固定件5的布線連接到半導(dǎo)體激光器芯片7的下表面。模塑樹脂2是熱硬化性樹脂。對(duì)于熱硬化性樹脂的耐熱溫度來(lái)說(shuō)，若選擇種類，則可高達(dá)400°C。在保持為該溫度的狀態(tài)下，即使對(duì)模塑樹脂2施加負(fù)荷也幾乎不發(fā)生變形。焊料4、6是在半導(dǎo)體激光器裝置中通常使用的AuSn類焊料。Au組成比為80%的 AuSn焊料的熔點(diǎn)是^0°C。因此，模塑樹脂2的耐熱溫度比焊料4、6的熔點(diǎn)高。接著，對(duì)實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3、5、6、8、9是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法的平面圖，圖4、7是其剖面圖。首先，對(duì)框架1進(jìn)行沖壓工序，如圖3以及圖4所示，在框架1上形成沖切圖形(抜爸"夕一 >)，設(shè)置下安裝件。然后，如圖5所示，利用模塑樹脂2將導(dǎo)線3固定在框架1上。模塑樹脂2是熱硬化性樹脂。對(duì)于熱硬化性樹脂來(lái)說(shuō)，成型時(shí)的粘度較低，所以，能夠在框架1上形成較薄的毛刺的情況較多，為了除去該較薄的毛刺，在成型后，進(jìn)行噴射(blast)處理。此時(shí)，在鍍層上也有損傷，導(dǎo)致組裝時(shí)的引線接合未接不良。因此，為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的引線接合性，在模塑樹脂2的成型后，進(jìn)行框架1以及導(dǎo)線3的電鍍。之后，將模塑封裝單片化。然后，將封裝移動(dòng)到副固定件搭載臺(tái)。并且，如圖6以及圖7所示，對(duì)在上表面和下表面分別附著有焊料4和焊料6的副固定件5進(jìn)行對(duì)位，放置在框架1上。然后，將封裝移動(dòng)到芯片焊接臺(tái)。并且，如圖8所示，對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片7進(jìn)行對(duì)位，放置在副固定件5上。之后，提高芯片焊接臺(tái)的溫度，對(duì)所裝載的框架1、副固定件5以及半導(dǎo)體激光器芯片7進(jìn)行加熱，使焊料4、6熔融。由此，利用焊料4將副固定件5接合到框架1上，利用焊料6將半導(dǎo)體激光器芯片7接合到副固定件5上。然后，使封裝移動(dòng)到弓I線接合上。并且，如圖9所示，利用引線8對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片7和導(dǎo)線3進(jìn)行連接。將通過(guò)以上工序所制造的半導(dǎo)體激光器裝置容納在容納托盤中。與比較例進(jìn)行比較，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器裝置的效果進(jìn)行說(shuō)明。圖10是示出比較例的半導(dǎo)體激光器裝置的剖面圖。在比較例中，利用Ag膏10將框架1和副固定件5接合在一起。此外，也存在使用環(huán)氧樹脂來(lái)代替Ag膏10的情況。以下的表1中示出接合材料的熱導(dǎo)率的一覽。表1
接合材料熱導(dǎo)率(W/m · K)AuSn焊料57. 0SnAg焊料33. 0Ag膏2. 0環(huán)氧樹脂0. 2
Ag膏或環(huán)氧樹脂與焊料相比，熱傳導(dǎo)不好，所以，在比較例中，元件的高溫特性惡化。另一方面，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器裝置中，利用焊料4接合框架1和副固定件5。由此，與比較例相比，能夠大幅度地改善散熱性。通過(guò)發(fā)明者的模擬可知，在實(shí)際的安裝形態(tài)及使用狀態(tài)下，將半導(dǎo)體激光器裝置的Ag膏變更為SnAg或AuSn焊料，由此，能夠?qū)⒏邷靥匦愿纳?°C以上至數(shù)。C左右。因此，實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器裝置在高溫特性方面優(yōu)良ο此外，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器裝置中，采用耐熱溫度比焊料4、6的熔點(diǎn)高的模塑樹脂2。因此，對(duì)裝載的框架1、副固定件5以及半導(dǎo)體激光器芯片7進(jìn)行加熱，使焊料4、6熔融，能夠同時(shí)將框架1、副固定件5以及半導(dǎo)體激光器芯片7彼此接合。并且，由于在粘接中未使用^Vg膏或環(huán)氧樹脂，所以，不需要烘烤爐。并且，也不需要用于除去溶劑污染的A離子體處理。因此，能夠簡(jiǎn)單地制造本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器裝置。此外，能夠以在目前的CAN封裝產(chǎn)品的生產(chǎn)中成為主流的芯片焊接-引線接合總制造裝置實(shí)施上述圖6 圖9的工序。即，改變現(xiàn)有的CAN封裝用的制造裝置的支架部或輸送系統(tǒng)，由此，模塑封裝能夠與CAN封裝同樣地組裝。此外，與CAN相比，模塑封裝能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行芯片焊接。此外，在CAN封裝的情況下，對(duì)孔眼的外周部進(jìn)行加熱，利用熱傳導(dǎo)對(duì)帶有元件的面進(jìn)行加熱。但是，為了確保間隙，需要將加熱器外徑加工得比孔眼外徑大一些，所以，僅孔眼的上表面和下表面與加熱器接觸，孔眼的側(cè)面幾乎不接觸。若封裝尺寸小，則幾乎不能夠確保其接觸面積，得不到穩(wěn)定的芯片焊接溫度。另一方面，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器裝置的情況下，對(duì)框架的下部的平坦的較寬的部分進(jìn)行加熱即可，所以，加熱器形狀變得簡(jiǎn)單，能夠容易且穩(wěn)定性好地進(jìn)行加熱。此外，將現(xiàn)有的模塑封裝的制造裝置和本實(shí)施方式的模塑封裝的制造裝置進(jìn)行比較時(shí)，在生產(chǎn)數(shù)量少的情況下，本實(shí)施方式對(duì)制造裝置的投資費(fèi)用低廉。生產(chǎn)數(shù)量越增加， 兩者的差異越小。但是，本發(fā)明的應(yīng)用產(chǎn)品是少量定制規(guī)格的產(chǎn)品。此外，在改變產(chǎn)品形狀的情況下，需要在現(xiàn)有的模塑封裝的制造裝置中變更所有的支架部，定做對(duì)應(yīng)較為困難并且也花費(fèi)成本。另一方面，在本實(shí)施方式中，可以僅改變一個(gè)組裝裝置的支架形狀。因此， 本實(shí)施方式能夠使對(duì)制造裝置的投資費(fèi)用變低。實(shí)施方式2
在實(shí)施方式2中，與實(shí)施方式1不同，模塑樹脂2是熱可塑性樹脂。焊料4、6是SnAg 焊料。在框架1以及導(dǎo)線3的表面形成鍍層之后，利用沖壓，在框架1上形成下安裝件。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。在使用LCP樹脂(液晶聚合物樹脂)作為熱可塑性樹脂的情況下，軟化溫度為 280°C左右，開始變形的溫度為350°C左右。因此，需要做成在組裝時(shí)不對(duì)模塑樹脂2施加負(fù)荷的加熱器結(jié)構(gòu)。熱可塑性樹脂與熱硬化性樹脂相比，材料價(jià)格便宜。熱可塑性樹脂的模塑成型時(shí)所需要的時(shí)間(20秒)與熱硬化性樹脂的模塑成型時(shí)所需要的時(shí)間(2分鐘)相比，非常地短。因此，樹脂單價(jià)便宜并且處理能力也高，所以，能夠降低裝置單價(jià)。Ag的組成比為3%的SMg焊料的熔點(diǎn)是221°C。因此，模塑樹脂2的軟化溫度比焊料4、6的熔點(diǎn)高，所以，組裝非常容易。例如，在將框架封裝小型化的情況下，由于沒(méi)有組裝時(shí)的焊條夾持部分，所以，夾具接觸到模塑樹脂2。與此相對(duì)，使用低熔點(diǎn)的SMg焊料，從而能夠降低組裝溫度，所以，能夠防止與夾具接觸相伴的模塑樹脂2的變形。此外，若使用SMg焊料，則與使用含有高價(jià)的Au的AuSn焊料的情況相比，能夠大幅削減成本。在以環(huán)帶(hoop)狀態(tài)對(duì)形成有下安裝件的框架1進(jìn)行電鍍的情況下，必須使電鍍送入用的輥形狀成為避開下安裝件的結(jié)構(gòu)。并且，在環(huán)帶卷曲時(shí)必須放入層間紙不使下安裝件變形。因此，在框架1以及導(dǎo)線3的表面形成鍍層之后，利用沖壓在框架1上形成下安裝件。由此，由于框架1是平板，所以，電鍍送入輥可以是任意的形狀，能夠高精度地控制鍍層的膜厚。此外，部分電鍍也能夠容易進(jìn)行，能夠削減電鍍材料的貴金屬的使用量。
實(shí)施方式3
圖11是將實(shí)施方式3的半導(dǎo)體激光器裝置放大后的剖面圖。副固定件5和半導(dǎo)體激光器芯片7的接合部以外的結(jié)構(gòu)都與實(shí)施方式1相同。在半導(dǎo)體激光器芯片7的表面的焊接部形成有Au鍍層11。在副固定件5的表面形成有阻擋金屬12。利用SMg焊料6以結(jié)向下(Junction Down)的方式將半導(dǎo)體激光器芯片7接合到副固定件5上。此處，在SnAg焊料6與Au鍍層11直接接觸的情況下，當(dāng)將SnAg焊料加熱至熔點(diǎn)溫度(在Ag組成比為3%的情況下為221 °C )時(shí)，SnAg和Au鍍層瞬時(shí)彼此擴(kuò)散，在0. 1秒左右熔點(diǎn)溫度上升至^(TC以上，并進(jìn)行再凝固。因此，不能夠保持充分的熔融時(shí)間，所以， 產(chǎn)生焊料潤(rùn)濕不良等問(wèn)題。此外，當(dāng)加熱溫度為280°C以上時(shí)，焊料再次熔融，但是，此次超過(guò)了熱可塑性模塑樹脂的軟化溫度280°C，模塑封裝發(fā)生變形。此外，組裝時(shí)的熔點(diǎn)溫度越高，半導(dǎo)體激光器工作溫度的焊料中的殘留應(yīng)力越大，元件的光學(xué)特性惡化，特別是偏光特性惡化。因此，在本實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體激光器芯片7的Au鍍層11和副固定件5的焊料 4之間設(shè)置有高熔點(diǎn)的Pt層13 (第一 Pt層)。由此，能夠防止Au和SMg的彼此擴(kuò)散。因此，不會(huì)發(fā)生熔點(diǎn)上升，所以，能夠容易地將SMg焊料6的熔點(diǎn)為221°C的保持時(shí)間確保為 1秒以上。由此，能夠在半導(dǎo)體激光器芯片7的整個(gè)接合面得到非常好的焊料接合。此處，在Pt層13的厚度不充分的情況下，SnAg焊料和Au彼此擴(kuò)散，熔點(diǎn)瞬間變成觀01以上，不能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的芯片焊接。另一方面，Pt層13越厚，形成時(shí)的材料的使用量越增加，并且，處理時(shí)間變長(zhǎng)，所以，帶來(lái)成本上升的問(wèn)題。此外，由于Pt層13的硬度高， 所以，Pt層13自身成為應(yīng)力原因，使元件的可靠性下降。因此，使Pt層13的厚度為150nm 以上且350nm以下。對(duì)于該數(shù)值范圍，以下詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。圖12以及圖13是表示試制實(shí)施方式3的半導(dǎo)體激光器裝置并實(shí)施了可靠性試驗(yàn)的結(jié)果的圖。圖12表示針對(duì)熱處理過(guò)程的DVD部的偏振角(PA)的變化率，圖13表示針對(duì)熱處理過(guò)程的CD部的偏振角的變化率。首先，在組裝之后馬上測(cè)量偏振角。然后，在以180°C高溫保存2小時(shí)之后測(cè)量偏振角。然后，進(jìn)行一 40°C +125°C的熱循環(huán)(HC)，在第50次和第200次時(shí)測(cè)量偏振角。此外，對(duì)Pt層13的厚度為100nm、200nm、300nm的情況分別進(jìn)行測(cè)量。由測(cè)量的結(jié)果可知，與Pt層13的厚度無(wú)關(guān)，偏振角在高溫保存下惡化，在熱循環(huán)下會(huì)改善。對(duì)于Pt層13的厚度為IOOnm的元件來(lái)說(shuō)，高溫保存以及HC引起的變動(dòng)非常大。 Pt層13的厚度為200nm的元件和Pt層13的厚度為300nm的元件示出幾乎相同的變化趨勢(shì)。利用SEM觀察Pt層13的剖面的結(jié)果是，能夠確認(rèn)在Pt層13的厚度為IOOnm的元件中Pt層13部分地發(fā)生潰決。對(duì)于Pt層13的厚度為200nm的元件和Pt層13的厚度為300nm的元件來(lái)說(shuō)，未確認(rèn)Pt層13的潰決。當(dāng)考慮這些結(jié)果和Pt層13的厚度的測(cè)量精度時(shí)，使Pt層13的厚度為150nm以上，由此，能夠充分防止彼此擴(kuò)散。并且，使Pt層13的厚度為350nm以下，從而能夠防止Pt 層13的應(yīng)力所引起的對(duì)光學(xué)特性以及可靠性的不良影響。實(shí)施方式4圖14是將實(shí)施方式4的半導(dǎo)體激光器裝置放大后的剖面圖。副固定件5以外的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式2相同。在副固定件5的表面形成有Ti層14 (高熔點(diǎn)金屬層)。在Ti層14上形成有Pt 層15 (第二 Pt層)。焊料4、6是SniVg焊料。Pt層15與焊料4、6接觸。通常，為了降低成本，存在將貴金屬的Pt層變更為Ni層的情況。在焊料為AuSn 焊料的情況下，即使將Pt層13、15變更為M層，焊料的熔融時(shí)間也不會(huì)極端長(zhǎng)。但是，在使用了 SMg焊料的情況下，焊料熔融的同時(shí)Ni層進(jìn)行擴(kuò)散，熔點(diǎn)下降一些，但是，Ti層也進(jìn)行擴(kuò)散，熔點(diǎn)瞬時(shí)上升。該擴(kuò)散的速度非?？?，不能夠確保用于得到正常的焊接的熔融保持時(shí)間為1秒以上。因此，在使用SMg焊料的情況下，需要采用Pt層15作為Ti層14的阻擋層。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，具有 框架；導(dǎo)線，利用模塑樹脂固定在所述框架上； 副固定件，利用第一焊料接合在所述框架上；以及半導(dǎo)體激光器芯片，利用第二焊料接合在所述副固定件上， 所述模塑樹脂的耐熱溫度比所述第一以及第二焊料的熔點(diǎn)高。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于， 所述模塑樹脂是熱硬化性樹脂或者熱可塑性樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于， 所述模塑樹脂是熱可塑性樹脂，所述第一以及第二焊料是SnAg焊料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體激光器芯片具有Au鍍層，所述第一焊料是SMg焊料，在所述半導(dǎo)體激光器芯片的所述Au鍍層和所述副固定件的所述第一焊料之間設(shè)置有第一 Pt層。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于， 所述第一 Pt層的厚度為150nm以上且350nm以下。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于， 所述第一以及第二焊料是SnAg焊料，在所述副固定件的表面形成有高熔點(diǎn)金屬層， 在所述高熔點(diǎn)金屬層上形成有第二 Pt層， 所述第二 Pt層與所述第一以及第二焊料相接觸。
7.一種半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法，其特征在于，具有 利用模塑樹脂將導(dǎo)線固定在框架上的工序；將在上表面和下表面分別附著有第一焊料和第二焊料的副固定件放置在所述框架上的工序；將半導(dǎo)體激光器芯片放置在所述框架上的工序；以及對(duì)所裝載的所述框架、所述副固定件以及所述半導(dǎo)體激光器芯片進(jìn)行加熱，使所述第一以及第二焊料熔融，利用所述第一焊料將所述副固定件接合到所述框架上，利用所述第二焊料將所述半導(dǎo)體激光器芯片接合到所述副固定件上，所述模塑樹脂的耐熱溫度比所述第一以及第二焊料的熔點(diǎn)高。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法，其特征在于，在利用所述模塑樹脂將所述導(dǎo)線固定在所述框架上之后，還具有在所述框架以及所述導(dǎo)線的表面形成鍍層的工序，所述模塑樹脂是熱硬化性樹脂。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器裝置的制造方法，其特征在于，還具有 在所述框架以及所述導(dǎo)線的表面形成鍍層的工序；以及在形成所述鍍層之后，利用沖壓在所述框架上形成下安裝件的工序。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于得到能夠低價(jià)且簡(jiǎn)單地制造的在高溫特性方面優(yōu)良的半導(dǎo)體激光器裝置及其制造方法。利用模塑樹脂(2)將導(dǎo)線(3)固定在框架(1)上。利用焊料(4)將副固定件(5)接合在框架(1)上，利用焊料(6)將半導(dǎo)體激光器芯片(7)接合在副固定件(5)上。這樣，利用焊料(4)將框架(1)和副固定件(5)連接，所以能夠改善散熱性。并且，采用耐熱溫度比焊料(4、6)的熔點(diǎn)高的模塑樹脂(2)。因此，將裝載的框架(1)、副固定件(5)及半導(dǎo)體激光器芯片(7)加熱，使焊料(4、6)熔融，能夠使框架(1)、副固定件(5)及半導(dǎo)體激光器芯片(7)彼此同時(shí)接合。
文檔編號(hào)H01S5/022GK102214894SQ20111008341
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月6日
發(fā)明者久義浩, 八代正和, 幸長(zhǎng)則善, 田中秀幸 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社