專利名稱：電路元器件內(nèi)置模塊及電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路元器件內(nèi)置模塊及電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著近年來電子設(shè)備的小型化和薄型化、多功能化，對于安裝于印刷基板上的電子元器件實現(xiàn)高密度安裝、及安裝有電子元器件的電路基板提高功能的要求日益增加。在這種情況下，開發(fā)出將電子元器件嵌入基板中的元器件內(nèi)置基板(例如，參照專利文獻1)。元器件內(nèi)置基板中，由于通常將安裝于印刷基板的表面的主動元器件(例如，半導體元件)和被動元器件(例如，電容器)嵌入基板中，因此可減小基板的面積。另外，與表面安裝的情況相比，可提高配置電子元器件的自由度，因此還可有望通過優(yōu)化電子元器件間的布線從而改善高頻特性等。目前，盡管在陶瓷基板的領(lǐng)域中，內(nèi)置有電子元器件的LTCC(low temperature cofired ceramics)基板已實用化，但由于其容易發(fā)生嚴重的破裂，因此難以適用于大型基板，而且由于需要高溫處理，因此無法內(nèi)置LSI那樣的半導體元件等，其限制較大。因此，最近受人關(guān)注的是將元器件內(nèi)置于使用樹脂的印刷基板的元器件內(nèi)置基板，其與LTCC基板不同，對于基板大小的限制較小，還具有也可內(nèi)置LSI的優(yōu)點。接著，參照圖9，說明專利文獻1所披露的元器件內(nèi)置基板(電路元器件內(nèi)置模塊)。圖9所示的電路元器件內(nèi)置模塊400包括層疊有絕緣性基板401a、401b及401c的基板401 ；形成在基板401的主面及內(nèi)部的布線圖案4(^a、402b、402c及402d ；以及與配置在基板401的內(nèi)部的布線圖案連接的電路元器件403a、403b。布線圖案4(^a、402b、402c及 402d利用內(nèi)部過孔404進行電連接，而且，絕緣性基板401a、401b及401c由包含無機填料和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成。利用內(nèi)部過孔連接法進行的電連接由于可在所希望的位置進行層間連接，因此對于縮短布線是有效的結(jié)構(gòu)。在使用內(nèi)部過孔連接法的情況下，披露了利用絲網(wǎng)印刷法向內(nèi)部過孔填充導電性樹脂組成物的工藝(例如，參照專利文獻幻。此時，披露了如下工藝通過使用多孔質(zhì)基材以作為構(gòu)成絕緣基板的材料，從而利用加壓加熱工序擠壓所述多孔質(zhì)基材的空孔，提高厚度方向(Z方向)的壓縮率，提高導電性樹脂組成物的導電率。另外，為了利用絲網(wǎng)印刷法向內(nèi)部過孔填充導電性樹脂組成物，披露了使用將覆蓋膜粘貼于絕緣基板的工序、進行孔加工的工序、填充導電性樹脂組成物的工序、剝離覆蓋膜的工序。專利文獻1 日本專利特開平11-220262號公報專利文獻2 日本專利特開平6468345號公報然而，以往，內(nèi)部過孔連接法中使用的基板由于由多孔質(zhì)基材即樹脂類的材料構(gòu)成，因此存在熱導率較低的問題。電路元器件內(nèi)置模塊中，電路元器件的安裝密度越高，則越是需要使元器件所產(chǎn)生的熱量散熱，但是由于現(xiàn)有的基板不能充分地散熱，因此電路元器件內(nèi)置模塊的可靠性降低。
另一方面，若為了提高熱導率而將陶瓷粉等高密度地填充到基板的材料中，則由于Z方向的壓縮率變低，因此產(chǎn)生如下問題導電性樹脂組成物的導電率變低，層間的電連接的可靠性降低。特別是電路元器件內(nèi)置模塊與通常的印刷基板相比，由于為了內(nèi)置元器件而使絕緣樹脂層變厚，因此Z方向的壓縮率變低，這成為較大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮了上述現(xiàn)有的電路元器件內(nèi)置模塊的問題，其目的在于，提供一種散熱性及電連接的可靠性進一步提高的電路元器件內(nèi)置模塊及其制造方法。為了達到上述目的，本發(fā)明的第1發(fā)明為，一種電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，使用導電性組成物來進行電氣上的層間連接，其中，包括內(nèi)部過孔形成工序，該內(nèi)部過孔形成工序中，在絕緣基板的原材料的厚度方向上設(shè)置貫通孔，形成1個或多個用于進行電氣上的層間連接的內(nèi)部過孔；填充工序，該填充工序中，向所述內(nèi)部過孔填充導電性組成物；加熱工序，該加熱工序中，進行加熱使得所述內(nèi)部過孔的中央部的直徑與開口部的直徑相比要小；層疊工序，該層疊工序中，在所述絕緣基板的原材料的兩個表面分別配置、并層疊構(gòu)件；及加壓加熱工序，該加壓加熱工序中，對層疊后的所述絕緣基板的原材料及所述構(gòu)件進行加壓及加熱。 另外，本發(fā)明的第2發(fā)明為，在本發(fā)明的第1發(fā)明的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法中，還包括粘貼工序，該粘貼工序中，將覆蓋膜粘貼于所述絕緣基板的原材料；及剝離工序，該剝離工序中，在所述加熱工序之后，從所述絕緣基板的原材料上剝離所述覆蓋膜，所述內(nèi)部過孔形成工序是在所述覆蓋膜以及所述絕緣基板的原材料中設(shè)置所述貫通孔的工序，所述填充工序是利用絲網(wǎng)印刷法向所述內(nèi)部過孔填充所述導電性組成物的工序。另外，本發(fā)明的第3發(fā)明為，在本發(fā)明的第1發(fā)明的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法中，所述內(nèi)部過孔形成工序是利用沖孔加工設(shè)置所述貫通孔的工序。另外，本發(fā)明的第4發(fā)明為，在本發(fā)明的第2發(fā)明的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法中，所述內(nèi)部過孔形成工序是利用沖孔加工設(shè)置所述貫通孔的工序。另外，本發(fā)明的第5發(fā)明為，一種電路元器件內(nèi)置模塊，是利用本發(fā)明的第1至第4發(fā)明的任一項的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法來制造的，其中，所述內(nèi)部過孔為如下形狀所述中央部的直徑與所述開口部的直徑相比要小 10% 50%。
另外，本發(fā)明的第6發(fā)明為，在本發(fā)明的第5發(fā)明的電路元器件內(nèi)置模塊中，所述絕緣基板是利用包含無機填料和樹脂組分的材料來形成的，所述材料中包含70 95重量％的所述無機填料，所述樹脂組分中包含熱固化樹脂和橡膠組分，所述橡膠組分為分子量5萬以上、且在所述樹脂中包含70重量％ 95重量％。另外，本發(fā)明的第7發(fā)明為，在本發(fā)明的第5發(fā)明的電路元器件內(nèi)置模塊中，在全部或一部分所述內(nèi)部過孔中配置有電路元器件。另外，本發(fā)明的第8發(fā)明為，在本發(fā)明的第1發(fā)明的電路元器件內(nèi)置模塊中，包括元器件插入工序，該元器件插入工序中，將電路元器件插入全部或一部分所述內(nèi)部過孔；及夾持工序，該夾持工序中，進行加熱使得所述內(nèi)部過孔的中央部的直徑與開口部的直徑相比要小，以夾持所插入的所述電路元器件，所述填充工序是向插入有所述元器件的所述內(nèi)部過孔也填充所述導電性組成物的工序。根據(jù)本發(fā)明，可提供一種散熱性及電連接的可靠性進一步提高的電路元器件內(nèi)置模塊及其制造方法。


圖1是本發(fā)明的實施方式1中的電路元器件內(nèi)置模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖2(a) (g)是用于說明本發(fā)明的實施方式1中的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法的各工序的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖3是本發(fā)明的實施方式1的變形例中的電路元器件內(nèi)置模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖4是本發(fā)明的實施方式1的變形例中的電路元器件內(nèi)置模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖5是本發(fā)明的實施方式2中的電路元器件內(nèi)置模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖6是表示本發(fā)明的實施方式2中的電路元器件內(nèi)置模塊的局部放大剖視的電子顯微鏡照片。圖7(a) (h)是用于說明本發(fā)明的實施方式2中的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法的各工序的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖8是用于說明實施例1的樣品的結(jié)構(gòu)的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖9是表示現(xiàn)有的電路元器件內(nèi)置模塊的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實施例方式下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式的一個示例進行說明。(實施方式1)下面，說明本發(fā)明的實施方式1中的電路元器件內(nèi)置模塊。圖1是本實施方式1的電路元器件內(nèi)置模塊的剖視結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，該實施方式的電路元器件內(nèi)置模塊100設(shè)有第1基板101、第2基板108、以及夾在第1基板101 和第2基板108之間的元器件內(nèi)置層110。在第1基板101及第2基板108的元器件內(nèi)置層Iio —側(cè)的主面，分別形成有基板電極102。而且，元器件內(nèi)置層110具有作為本發(fā)明的絕緣基板的一個示例的電絕緣性基板 104、配置在其內(nèi)部的半導體芯片105及片狀元器件106、以及將第1基板101的基板電極 102和第2基板108的基板電極102進行電連接的內(nèi)部過孔103。此外，半導體芯片105及片狀元器件106安裝于第1基板101的基板電極102上，半導體芯片105是使用引線接合進行安裝的。另外，半導體芯片105被密封樹脂109覆蓋。而且，內(nèi)部過孔103中，電絕緣性基板104的厚度方向(圖中Z方向)上的中央部 103a的寬度與開口部10 相比要窄。接著，說明本實施方式1的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法。圖2(a) (g)是表示電路元器件內(nèi)置模塊100的制造方法的一個實施方式的剖視圖。此外，圖2(a) (g)中，省略了圖1所示的半導體芯片105及片狀元器件106。首先，如圖2(a)所示，通過對包含無機填料、和作為樹脂組分的熱固化樹脂、固化劑及橡膠組分在內(nèi)的混合物進行加工，從而形成板狀的電絕緣性基板原材料202。通過將無機填料和未固化狀態(tài)的熱固化樹脂等進行混合以作為糊料狀混練物，并將該糊料狀混練物進行成型為一定厚度，從而可以形成電絕緣性基板原材料202。該電絕緣性基板原材料202 在后述的圖2(g)所示的加壓加熱工序結(jié)束后，通過對熱固化樹脂進行熱固化，從而形成圖 1所示的電絕緣性基板104。另外，電絕緣性基板原材料202相當于本發(fā)明的絕緣基板的原材料的一個示例。在該板狀的電絕緣性基板原材料202的兩個表面，配置覆蓋膜201，制作板狀構(gòu)件 210。對于覆蓋膜201，例如可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚苯硫醚的薄膜。這樣將覆蓋膜201粘貼于電絕緣性基板原材料202的工序相當于本發(fā)明的粘貼工序的一個示例。之后，如圖2 (b)所示，通過在板狀構(gòu)件210的所希望位置形成貫通孔，從而制作形成有內(nèi)部過孔103的板狀構(gòu)件211。內(nèi)部過孔103例如可通過激光加工、利用鉆頭的加工或利用沖孔機的金屬模具加工來形成。此外，形成該貫通孔的工序相當于本發(fā)明的內(nèi)部過孔形成工序的一個示例。作為形成內(nèi)部過孔103的加工，由于利用沖孔機的沖孔加工具有如下效果在電絕緣性基板原材料202中累積形變，利用之后的加熱工序使內(nèi)部過孔直徑減小，因此優(yōu)選。 在利用沖孔加工形成內(nèi)部過孔103的情況下，如圖2(b)所示，雖然加工后的形狀為與沖孔加工的金屬模具沖針大致相同直徑的筆直形狀來加工過孔，但由于沖孔加工是向材料施加壓縮應(yīng)力來進行加工的加工方法，因此成為在材料中累積形變的狀態(tài)。因此，通過利用后述的加熱工序來緩和形變，從而可將內(nèi)部過孔103的形狀形成為如下形狀Z方向中央部 103a(參照圖2(d))的直徑與開口部10 相比要小。但是，在包含較多的橡膠組分的電絕緣性基板的情況下，有時通過在剛加工之后就使形變釋放，從而縮小過孔直徑。之后，如圖2 (c)所示，向內(nèi)部過孔103填充導電性樹脂組成物111’，來制作板狀構(gòu)件212。在填充導電性樹脂組成物111’時，將具有內(nèi)部過孔103的電絕緣性基板原材料202 設(shè)置在印刷機(未圖示)的工作臺上，直接從覆蓋膜201上印刷導電性樹脂組成物111’。 此時，上表面的覆蓋膜201起到印刷掩模的作用、以及防止電絕緣性基板原材料202的表面污染的作用。此外，向內(nèi)部過孔103填充該導電性樹脂組成物111’的工序相當于本發(fā)明的填充工序的一個示例。另外，導電性樹脂組成物111’在后述的圖2(g)所示的加壓加熱工序結(jié)束之后，通過對所含有的熱固化樹脂進行熱固化，從而形成圖1所示的導電性樹脂組成物111。此時，關(guān)于導電性樹脂組成物111’的表面形狀，其印刷面?zhèn)?圖2(c)中，參照表面220)因?qū)щ娦詷渲M成物的粘性而成為凹陷成凹狀的形狀，相反面?zhèn)?圖2(c)中，參照表面221)因按壓至印刷機的工作臺表面而成為平坦的形狀。之后，如圖2(d)所示，通過對板狀構(gòu)件212進行加熱處理，從而來制作板狀構(gòu)件 213，該板狀構(gòu)件213中，內(nèi)部過孔103的Z方向的中央部103a的孔的直徑與開口部10 相比要產(chǎn)生收縮，導電性樹脂組成物111’從表面213a、21!3b突出。這里，若該加熱處理工序中的加熱溫度、時間過長，則B階段狀態(tài)的電絕緣性基板原材料202進一步固化，由于之后的圖2(g)所示的加壓加熱工序中的粘接強度下降，因此優(yōu)選抑制成不過于進一步固化的程度。加熱處理工序中，由于通過使電絕緣性基板原材料202中的形變釋放，從而使內(nèi)部過孔103的中央部103a的孔的直徑減小，因此該加熱處理工序優(yōu)選以高溫、且在短時間內(nèi)進行。這樣，通過在向內(nèi)部過孔103填充導電性樹脂組成物111’之后進行加熱，從而成為如下形狀內(nèi)部過孔103的中央部103a的直徑變小，所填充的導電性樹脂組成物111’被擠出而從內(nèi)部過孔103的開口部10 溢出。該加熱的工序相當于本發(fā)明的加熱工序的一個示例。之后，如圖2 (e)所示，從電絕緣性基板原材料202上對覆蓋膜201進行剝離，制作導電性樹脂組成物111’從電絕緣性基板原材料202突出的板狀構(gòu)件214。此外，將導電性樹脂組成物111’的突出的部分表示作為溢出部分205。剝離該覆蓋膜201的工序相當于本發(fā)明的剝離工序的一個示例。這里，以往，在對覆蓋膜201進行剝離時，有時內(nèi)部過孔103中的導電性樹脂組成物111’會掛在覆蓋膜201上而脫落，但本實施方式中，由于內(nèi)部過孔103的形狀為其中央部103a比開口部10 要窄的形狀，因此導電性樹脂組成物111，和內(nèi)部過孔103之間的摩擦變大，所以可抑制導電性樹脂組成物111’的脫落。該圖2(e)所示的、導電性樹脂組成物111’的溢出部分205對于內(nèi)部過孔103中的電連接的可靠性帶來較大的影響。如圖2(g)所示，由于最終成為嵌入了基板電極102的形狀，因此導電性樹脂組成物111’被壓縮了相應(yīng)于導電性樹脂組成物111’的溢出部分205 和基板電極102的厚度的大小。基本上，由于壓縮量越大，則導電性樹脂組成物111’中的導電填料和基板電極102的接觸面積、及導電填料之間的接觸面積越大，因此電阻值變低， 可得到高導電率，內(nèi)部過孔的質(zhì)量提高。這里，雖然考慮通過加厚基板電極102的厚度，從而增大導電性樹脂組成物111’ 的溢出部分205，但若加厚基板電極102，則無法較好地形成基板的圖案，因此存在限制。另外，在基板電極102較厚的情況下，將基板電極102嵌入電絕緣性基板原材料202中時，若電絕緣性基板原材料202的樹脂的流動不充分，則在基板電極102和電絕緣性基板原材料 202之間會產(chǎn)生空隙，其成為絕緣劣化等的原因。另外，雖然還考慮通過加厚覆蓋膜201從而增大導電性樹脂組成物111’的溢出部分205，但在剝離覆蓋膜201時，覆蓋膜201和導電性樹脂組成物111’的摩擦增大，容易發(fā)生上述的導電性樹脂組成物111’的脫落。
因此，本實施方式中，通過減小內(nèi)部過孔103的中央部103a的直徑，從而起到如下效果可增大導電性樹脂組成物111’的溢出部分205，解決了上述問題，可使壓縮率提高相應(yīng)于突出的大小，可得到高導電率。之后，如圖2(f)、(g)所示，通過對第1基板101、第2基板108及板狀構(gòu)件214進行位置對準以進行重疊后對其進行加壓，從而形成埋設(shè)有電路元器件的板狀體，之后通過對該板狀體進行加熱，從而電絕緣性基板原材料202中的熱固化樹脂進行固化，形成電絕緣性基板104，導電性樹脂組成物111’中的熱固化樹脂也進行固化，來制作內(nèi)置有電路元器件的電路元器件內(nèi)置模塊。此外，上述圖2中，雖然省略了圖1所示的半導體芯片105及片狀元器件106，但只要在圖2 (f)的第2基板108的基板電極102上安裝有半導體芯片105 及片狀元器件106的狀態(tài)下，對第1基板101、板狀構(gòu)件214、及第2基板108進行加壓即可。 此外，在加壓時，半導體芯片105優(yōu)選使用密封樹脂109(參照圖1)進行覆蓋以進行保護。 如上述圖2 (f)所示，對第1基板101、第2基板108及板狀構(gòu)件214進行位置對準以進行重疊的工序相當于本發(fā)明的層疊工序的一個示例。另外，對重疊后的構(gòu)件進行加壓、加熱的工序相當于本發(fā)明的加壓加熱工序的一個示例。另外，第1基板101及第2基板108相當于本發(fā)明的構(gòu)件的一個示例。另外，加熱是在電絕緣性基板原材料202及導電性樹脂組成物111’中的熱固化樹脂進行固化的溫度以上的溫度(例如150°C 260°C )下進行的。通過該加熱，使基板電極 102、電路元器件(半導體芯片105、片狀元器件106)、和電絕緣性基板104在機械上牢固地進行粘接。另外，利用內(nèi)部過孔103中的導電性樹脂組成物111，將第1基板101的基板電極102和第2基板108的基板電極102進行電連接。此外，在利用加熱使電絕緣性基板原材料202及導電性樹脂組成物111’中的熱固化樹脂進行固化時，通過一邊加熱一邊以IOkg/ cm2 200kg/cm2的壓力進行加壓，從而可提高電路元器件模塊的機械強度(下面的實施方式中相同)。本實施方式1所示的電路元器件內(nèi)置模塊100中，由于可利用電絕緣性基板104 中包含的無機填料得到高熱導率，因此由電路元器件(半導體芯片10 產(chǎn)生的熱量迅速傳導。因而，可得到可靠性高的電路元器件內(nèi)置模塊。另外，電路元器件內(nèi)置模塊100中，作為對電絕緣性基板104進行層間連接的內(nèi)部過孔103，具有其形狀被加工成使得電絕緣性基板104的厚度方向中央部103的直徑與開口部10 的直徑相比要小的內(nèi)部過孔。這樣，由于通過使內(nèi)部過孔103的中央部103a變小，從而形成導電性樹脂組成物 111’的溢出部分205，因此加壓加熱工序中導電性樹脂組成物111’的Z方向(厚度方向) 的壓縮率變大，可得到高導電性。另外，通過使內(nèi)部過孔103的中央部103a變小，從而內(nèi)部過孔103的壁面和導電性樹脂組成物111’的摩擦變大，在熱沖擊試驗等長期可靠性試驗下，通過維持內(nèi)部過孔 103的壁面和導電性樹脂組成物111’的緊貼強度，從而可抑制裂紋的產(chǎn)生，可改善內(nèi)部過孔的可靠性。而且，通過在形成電絕緣性基板104的材料中添加橡膠組分，從而具有如下效果 可增大利用沖孔加工而累積的形變，可進一步減小內(nèi)部過孔103的中央部103a的直徑，可增大導電性樹脂組成物111’從內(nèi)部過孔開口部10 的溢出量。因而，由于可提高圖2(g)所示的加壓加熱工序時的導電性樹脂組成物的壓縮率，因此可提高導電率。另外，該實施方式1所示的電路元器件內(nèi)置模塊100中，上下的基板電極102利用填充在電絕緣性基板104的內(nèi)部過孔103中的導電性樹脂組成物111進行連接，散熱性也好。因而，電路元器件內(nèi)置模塊100中，可高密度地安裝電路元器件。接著，說明上述的本實施方式1的電路元器件內(nèi)置模塊100的結(jié)構(gòu)及制造方法的詳細情況。如上所述，電絕緣性基板104由包含無機填料和樹脂組分的混合物形成，作為樹脂組分，包含熱固化樹脂、固化劑、及橡膠組分。而且，優(yōu)選為，該混合物中包含70重量％ 95重量％的無機填料。而且，進一步優(yōu)選為，樹脂組分(將樹脂組分設(shè)為100)中，分子量5 萬以上的橡膠組分含20重量％ 60重量％。另外，作為本發(fā)明中使用的熱固化樹脂，雖然沒有特別限制，但優(yōu)選為環(huán)氧樹脂， 優(yōu)選將常溫下為液體狀的樹脂和常溫下為固體狀的樹脂進行混合來使用。作為液體狀樹脂，可舉出EPIK0TE828、EPIK0TE815(日本環(huán)氧樹脂(株式會社)生產(chǎn))、EPICL0N850、 EPICL0N840(大日本油墨化學(株式會社)生產(chǎn))、TO_2025(日本朋諾株式會社生產(chǎn))等。 另外，作為固體狀的樹脂，可舉出1001、1002、1003(日本環(huán)氧樹脂(株式會社)生產(chǎn))等。在常溫下為液體狀的樹脂和常溫下為固體狀的樹脂中，在電絕緣性基板的B階段狀態(tài)下，彈性率有較大差異。例如，在僅使用液體狀的樹脂來形成絕緣基板的情況下，由于在B階段狀態(tài)下彈性率過大，因此有時在用于形成內(nèi)部過孔的沖孔加工時無法保持孔徑。 另外，在僅使用固體狀的樹脂來形成絕緣基板的情況下，由于在B階段狀態(tài)下彈性率較小， 因此沖孔加工時的形變不大，由沖孔加工后的加熱工序(參照圖2(d))所產(chǎn)生的孔徑的縮小效果較小。另外，作為固化劑，從材料的保存穩(wěn)定性方面來看優(yōu)選使用潛伏性固化劑。作為潛伏性固化劑，可舉出雙氰胺以作為代表性的潛伏性固化劑，可舉出2200 2227(三鍵公司
生產(chǎn))等。另外，之所以添加分子量5萬以上的橡膠組分以作為樹脂組分，是由于若僅利用液體狀環(huán)氧樹脂，則有時無法確保孔直徑在加熱時能有效地縮小的彈性率。若樹脂組分中的橡膠組分的量不足20重量％，則有時無法發(fā)揮使彈性率提高的效果，若超過60重量％， 則有時彈性率過高，在沖孔加工時無法保持孔徑。因此，樹脂組分中的橡膠組分的量優(yōu)選為20重量％以上、60重量％以下。另外，該橡膠組分優(yōu)選為含有1 10摩爾％的環(huán)氧基的丙烯酸類橡膠。橡膠組分的末端環(huán)氧基參與固化，防止因添加橡膠組分而進行固化時的 Tg(玻璃化轉(zhuǎn)變點)急劇下降，進一步提高與環(huán)氧的相容性。作為這種橡膠組分，可舉出 HTR-860P-3(帝國化學產(chǎn)業(yè)(株式會社)生產(chǎn))等。作為使電絕緣性基板104的散熱性提高的無機填料，優(yōu)選包含選自Al203、Mg0、BN、 AlN及SiO2的至少一種無機填料。通過使用這些無機填料，從而可得到散熱性優(yōu)異的電絕緣性基板。另外，在使用MgO以作為無機填料的情況下，可增大電絕緣性基板的線膨脹系數(shù)。 另外，在使用S i02(特別是非晶態(tài)SiO2)以作為無機填料的情況下，可減小電絕緣性基板的介電常數(shù)。另外，在使用BN以作為無機填料的情況下，可降低線膨脹系數(shù)。無機填料優(yōu)選為，相對于形成電絕緣性基板104的混合物，包含70%重量％至95 重量％。無機填料的形狀優(yōu)選為球形，平均粒子直徑優(yōu)選為0. Ιμπι以上、ΙΟΟμπι以下。
在形成電絕緣性基板的混合物中的無機填料的量為70重量％以下的情況下，在加壓加熱時樹脂混合物的流動性較大，有時B階段狀態(tài)下的膜厚容易變得不均勻。另一方面，若超過95重量％，則有時難以粘貼覆蓋膜等。而且，有時B階段狀態(tài)下的柔軟性會變小， 容易在處理時產(chǎn)生破裂等。另外，在無機填料的平均粒子直徑為0. 1 μ m的情況下，難以將無機填料添加成使得在混合物中包含70重量％。在無機填料的平均粒子直徑為100 μ m以上的情況下，有時會損害沖孔加工的加工性。另外，作為無機填料的粒子直徑分布，優(yōu)選使小直徑填料和大直徑填料進行混合的雙峰分布。通過采用雙峰分布，從而可兼顧對填料進行高填充、以及B 階段狀態(tài)下的樹脂混合物的流動性。此外，分布并不局限于雙峰，也可是雙峰以上。作為這種無機填充劑，可舉出AS-20、AS-50(昭和電工(株式會社)生產(chǎn))等。另外，為了無機填料的表面改性，提高分散性，優(yōu)選添加硅烷偶聯(lián)劑。作為硅烷偶聯(lián)劑，可舉出A-187、A-189、 A-1100、A-1160(日本尤尼卡(unicar)(株式會社)生產(chǎn))等。此外，也可在形成絕緣基板的混合物中進一步包含分散劑、著色劑、脫模劑?；咫姌O102由具有電學導電性的物質(zhì)構(gòu)成，例如由銅箔和導電性樹脂組成物形成。在使用銅箔以作為基板電極102的情況下，例如可使用利用電鍍制作的厚度為18 μ m 35 μ m左右的銅箔。為了提高銅箔與電絕緣性基板104的粘接性，優(yōu)選對銅箔與電絕緣性基板104接觸的表面進行粗糙化處理。另外，對于銅箔為了提高粘接性及抗氧化性，也可使用對銅箔表面進行偶聯(lián)處理后的銅箔、以及在銅箔表面鍍覆錫、鋅或鎳后的銅箔。另外，也可對基板電極102使用利用蝕刻法或沖裁法形成的金屬板的引線框。本實施方式中，雖然在電絕緣性基板104中內(nèi)置有作為主動元器件的半導體芯片 105及作為被動元器件的片狀元器件106以作為電路元器件，但也可內(nèi)置有主動元器件或被動元器件中的僅僅某一種元器件。此外，作為主動元器件，例如使用晶體管、IC、LSI等半導體元件。半導體元件也可為半導體裸芯片。另外，作為被動元器件，使用片狀的電阻、片狀的電容或片狀電感等。本實施方式1中，半導體芯片105雖然是通過引線接合安裝于基板電極102上的， 但并不局限于此，例如也可通過倒裝芯片接合來安裝。另外，雖然使用了導電性樹脂組成物111以作為填充在內(nèi)部過孔103中的導電性物質(zhì)，但只要是熱固化性的導電性物質(zhì)即可(以下的實施方式中也相同)。作為熱固化性的導電性物質(zhì)，例如可使用將金屬粒子和熱固化樹脂進行混合后的導電性樹脂組成物。作為金屬粒子，可使用金、銀、銅或鎳等。金、銀、銅或鎳由于導電性好，因此優(yōu)選，銅由于導電性好且遷移較少，因此特別優(yōu)選。作為熱固化樹脂，例如可使用環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂或氰酸酯樹脂。環(huán)氧樹脂由于耐熱性好，因此特別優(yōu)選。另外，本實施方式中，內(nèi)部過孔103的中央部103a的直徑比開口部10 的直徑窄，若與內(nèi)部過孔的形狀是筆直的情況進行比較，則由于導電性樹脂組成物111’更突出，因此導電率提高，但采用ζ方向中央部103a的直徑比開口部10 的直徑要小10% 50%的形狀，可進一步提高內(nèi)部過孔103的可靠性。例如，若為10%以下，則Z方向的壓縮率的提高較小，有時看不到導電率的提高。另外若要小50%以上，則有時難以填充導電性樹脂組成物 111，。此外，上述實施方式中，雖然利用沖孔加工形成內(nèi)部過孔103，但也可利用其它加工法(例如，激光加工、鉆孔加工等)來形成。但是，為了對電絕緣性基板原材料202施加更大的壓縮應(yīng)力，產(chǎn)生更大的形變，更優(yōu)選利用沖孔加工來形成。另外，上述實施方式中，雖然使用絲網(wǎng)印刷法向內(nèi)部過孔填充導電性樹脂組成物， 但并不局限于該方法，例如，也可通過噴射導電性樹脂，從而一個一個地向內(nèi)部過孔填充。另外，本實施方式1中在圖1所示的電路元器件內(nèi)置模塊100中，雖然示出了基板電極102形成在作為本發(fā)明的構(gòu)件的一個示例的第1基板101及第2基板108上的情況， 但也可沒有第1基板101及第2基板108。圖3是表示這種未設(shè)有第1基板101及第2基板108的電路元器件內(nèi)置模塊250的圖。在制造圖3所示的電路元器件內(nèi)置模塊250的情況下，配置設(shè)有基板電極102的脫模構(gòu)件，以取代圖2(f)所示的第1基板101及第2基板 108。然后，在進行圖2(g)所示的加壓加熱工序之后，通過將脫模構(gòu)件從電絕緣性基板104 剝離，從而制作電路元器件內(nèi)置模塊250。在這種情況下，脫模構(gòu)件相當于本發(fā)明的構(gòu)件的一個示例。另外，雖然圖1中夾在基板電極之間形成了 1層元器件內(nèi)置層110，但可進一步在外側(cè)形成元器件內(nèi)置層，將元器件內(nèi)置層設(shè)為多層結(jié)構(gòu)(下面的實施方式中相同)。圖4是表示這種多層結(jié)構(gòu)的電路元器件內(nèi)置模塊沈0的圖。圖4所示的電路元器件內(nèi)置模塊260 中，在第1基板101和第2基板108之間，設(shè)有3層元器件內(nèi)置層110J61J62。另外，圖1所示的電路元器件內(nèi)置模塊100中，雖然示出了在第1基板101及第2 基板108的電絕緣性基板104的相反面?zhèn)任窗惭b電路元器件的情況，但也可安裝電路元器件。圖4的電路元器件內(nèi)置模塊沈0也相同。另外，圖3所示的電路元器件內(nèi)置模塊250 中，雖然示出了在基板電極102的與電絕緣性基板104相反的表面?zhèn)任窗惭b電路元器件的情況下，但也可安裝電路元器件。由此，可進一步高密度地安裝電路元器件。(實施方式2)下面，說明本發(fā)明所涉及的實施方式2的電路元器件內(nèi)置模塊。本實施方式2的電路元器件內(nèi)置模塊的結(jié)構(gòu)與實施方式1基本相同，但在內(nèi)部過孔中內(nèi)置有電路元器件這一點上有所不同。因此，本實施方式2中，以與實施方式1的不同點為中心進行說明。此外， 對于與實施方式1相同的結(jié)構(gòu)，標注相同的標號。圖5是本實施方式2的電路元器件內(nèi)置模塊300的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖6是配置在內(nèi)部過孔103中的片狀元器件107的放大剖視照片。如圖5所示，該實施方式的電路元器件內(nèi)置模塊300中，設(shè)有第1基板101、第2基板108、以及形成在第1基板101和第2基板108之間的元器件內(nèi)置層110。而且，元器件內(nèi)置層110中，設(shè)有電絕緣性基板104、設(shè)置在第1基板101及第2基板108的電絕緣性基板104 —側(cè)的基板電極102、配置在電絕緣性基板104的內(nèi)部的半導體芯片105及片狀元器件106、以及用于將第1基板101和第2基板108的基板電極102之間加以連接而形成的內(nèi)部過孔103。而且，如圖5及圖6所示，本實施方式2的電路元器件內(nèi)置模塊300中，在內(nèi)部過孔103內(nèi)設(shè)有片狀元器件107。另外，在片狀元器件107的上下設(shè)有片狀元器件107的電極 107a，利用填充在內(nèi)部過孔103中的導電性樹脂組成物111與基板電極102進行電連接。此外，電絕緣性基板、導電性樹脂組成物等材料與實施方式1中所說明的相同。另外，在圖5所示的電路元器件內(nèi)置模塊300中，雖然示出了基板電極102形成在第1基板101及第2基板108上的情況，但也可沒有第1基板101及第2基板108。接著，說明本實施方式2的電路元器件內(nèi)置模塊300的制造方法。圖7(a) (h) 是用于說明本實施方式2的電路元器件內(nèi)置模塊300的制造方法的剖視結(jié)構(gòu)圖。此外，圖 7(a) (h)中，省略了圖5中所說明的半導體芯片105及片狀元器件106等。首先，如圖7(a)所示，通過對包含無機填料和熱固化樹脂、固化劑、橡膠組分在內(nèi)的混合物進行加工，從而形成板狀的電絕緣性基板原材料202。通過將無機填料和未固化狀態(tài)的熱固化樹脂等進行混合以作為糊料狀混練物，并將該糊料狀混練物進行成型為一定厚度，從而可以形成電絕緣性基板原材料202。在該板狀的電絕緣性基板原材料202的兩個表面，配置覆蓋膜201，制作板狀構(gòu)件 210。對于覆蓋膜201，例如可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚苯硫醚的薄膜。在該電絕緣性基板原材料202的兩個表面配置覆蓋膜201的工序相當于本發(fā)明的粘貼工序的一個示例。之后，如圖7 (b)所示，通過在板狀構(gòu)件210的所希望位置形成貫通孔，從而制作形成有內(nèi)部過孔103的板狀構(gòu)件211。形成該貫通孔的工序相當于本發(fā)明的內(nèi)部過孔形成工序的一個示例。之后，如圖7(c)所示，向所希望的內(nèi)部過孔103插入作為本發(fā)明的電子元器件的一個示例的片狀元器件107，制作插入有片狀元器件107的板狀構(gòu)件312。此外，內(nèi)部過孔 103的孔的直徑優(yōu)選比所插入的電子元器件的大小要大。若孔的直徑較小，則在插入電子元器件時，由于會切削內(nèi)部過孔103的壁面，因此有時切削渣料會積聚在元器件電極周邊，有時會阻礙電子元器件和導電性樹脂組成物的連接。這樣，將片狀元器件107插入內(nèi)部過孔 103的工序相當于本發(fā)明的元器件插入工序的一個示例。之后，如圖7 (d)所示，對插入有片狀元器件107的板狀構(gòu)件312進行加熱處理，制作板狀構(gòu)件313。利用該加熱處理，使內(nèi)部過孔103的中央部103a的直徑收縮，從而片狀元器件107被內(nèi)部過孔103的壁面夾持，將片狀元器件107固定在內(nèi)部過孔103內(nèi)。此外， 若該加熱處理工序中的加熱溫度、時間較長，則由于在之后的工序中無法利用再次的加熱處理使直徑收縮，因此優(yōu)選抑制成可固定片狀元器件107的程度的收縮。這樣利用加熱處理、以內(nèi)部過孔103的壁面夾持片狀元器件107的工序相當于本發(fā)明的夾持工序的一個示例。之后，如圖7 (e)所示，通過向內(nèi)部過孔103填充導電性樹脂組成物111’，從而制作板狀構(gòu)件314。導電性樹脂組成物111’的填充是從板狀構(gòu)件313的兩個表面進行，以用于將內(nèi)部過孔103中的片狀元器件107和基板電極102進行電連接。使用印刷機從板狀構(gòu)件313 (參照圖7 (d))的單面填充導電性樹脂組成物111’之后，再次利用印刷從相反面填充導電性樹脂組成物111’。此時，在片狀元器件107和內(nèi)部過孔103的壁面之間有空隙的情況下，導電性樹脂組成物111’會流出，會引起短路。因此，在圖7(d)所示的加熱處理工序中，需要預先消除空隙。填充該導電性樹脂組成物111’的工序相當于本發(fā)明的填充工序的一個示例。之后，如圖7(f)所示，通過再次進行加熱處理，從而內(nèi)部過孔103的中央部103a 的直徑進一步收縮，制作導電性樹脂組成物111’突出的板狀構(gòu)件315。若該加熱處理工序中的加熱溫度、時間過長，則由于B階段狀態(tài)的電絕緣性基板原材料202進一步固化，之后的加壓加熱工序中的粘接強度下降，因此優(yōu)選抑制成不過于進一步固化的程度。該第2次的加熱處理工序優(yōu)選以比圖7(d)所示的第1次的加熱處理工序要高的溫度進行。該加熱處理工序相當于本發(fā)明的加熱工序的一個示例。之后，如圖7(g)所示，從圖7(f)所示的板狀構(gòu)件315對覆蓋膜201進行剝離，制作板狀構(gòu)件316。以往，在對覆蓋膜201進行剝離時，有時內(nèi)部過孔103中的導電性樹脂組成物111’會掛在覆蓋膜201上而脫落，本實施方式中，雖然片狀元器件107也有可能脫落， 但由于內(nèi)部過孔103的中央部103a的直徑比開口部10 要窄，因此壁面與導電性樹脂組成物111’及片狀元器件107之間的摩擦變大，可抑制脫落。剝離該覆蓋膜201的工序相當于本發(fā)明的剝離工序的一個示例。之后，如圖7(h)所示，對第1基板101和第2基板108和板狀構(gòu)件316進行位置對準以進行重疊，并對重疊后的構(gòu)件進行加壓，從而形成埋設(shè)有電路元器件的板狀體，之后對其進行加熱，使電絕緣性基板原材料202及導電性樹脂組成物111’中的熱固化樹脂進行固化，來制作埋設(shè)有電路元器件的電路元器件內(nèi)置模塊300。此外，這樣對第1基板101和第2基板108和板狀構(gòu)件316進行位置對準以進行重疊的工序相當于本發(fā)明的層疊工序的一個示例。另外，對重疊后的構(gòu)件進行加壓、加熱的工序相當于本發(fā)明的加壓加熱工序的一個示例。如上所述，本實施方式2的電路元器件內(nèi)置模塊中，由于利用因加熱處理而產(chǎn)生的內(nèi)部過孔的Z方向中央部的收縮，將電子元器件夾持在內(nèi)部過孔中，因此可簡單地在內(nèi)部過孔中內(nèi)置電子元器件。另外，由于通過進行如圖7(f)所示的第2次的加熱處理工序，從而進一步使內(nèi)部過孔收縮，可提高在電子元器件的上下填充的導電性樹脂組成物的壓縮率，因此可提高導電率。另外，由于在將電子元器件插入內(nèi)部過孔中之后，通過進行加熱處理從而中央部變小，因此內(nèi)部過孔的壁面與所插入的元器件之間的摩擦變大，在剝離覆蓋膜的工序中，一旦插入內(nèi)部過孔中之后的元器件脫落的可能性減小。而且，由于在將電子元器件插入內(nèi)部過孔中之后，通過使內(nèi)部過孔的中央部變小， 從而所插入的電子元器件與內(nèi)部過孔的壁面之間緊貼，因此利用絲網(wǎng)印刷法進行填充后的導電性樹脂組成物進入電子元器件和內(nèi)部過孔之間的間隙、短路的可能減小。這樣，本實施方式中的內(nèi)部過孔非常適合作為內(nèi)置電子元器件的結(jié)構(gòu)。[實施例]下面，說明本發(fā)明的具體實施例。(實施例1)實施例1是利用實施方式1中說明的方法來制作電路元器件內(nèi)置模塊的一個示例。該實施例中，對于液體狀環(huán)氧樹脂，使用日本環(huán)氧樹脂(株式會社)生產(chǎn)的環(huán)氧樹脂(EPIK0TE828)。對于固體狀的樹脂，使用日本環(huán)氧樹脂(株式會社)生產(chǎn)的環(huán)氧樹脂 (1001)。作為潛伏性固化劑，使用三鍵公司生產(chǎn)的潛伏性固化劑O200)。作為橡膠組分，使用帝國化學產(chǎn)業(yè)(株式會社)生產(chǎn)的丙烯酸改性樹脂(HTR-860P-3)。另外，作為無機填料，使用將Al2O3 (將昭和電工(株式會社)生產(chǎn)AS-20和AS-40進行等量混合)以85重量％、液體狀環(huán)氧樹脂以2重量％、固體環(huán)氧樹脂以6重量％、橡膠組分以6重量％、固化劑以0.3重量％、偶聯(lián)劑(味之素(株式會社)生產(chǎn)、酞酸酯類、46B) 以0. 7重量％進行混合后的混合物。接著，說明圖2(a)所示的板狀構(gòu)件210的制作方法。首先，將在溶劑中混合后的糊料狀的混合物以預定量滴注在脫模薄膜上。該糊料狀的混合物是利用球磨機將無機填料和樹脂等混合60分鐘左右來制作的。對于脫模薄膜使用厚度為75 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，對薄膜表面實施利用硅進行的脫模處理。接著，在脫模薄膜上，利用刮刀法涂覆糊料狀的混合物使其厚度成為200 μ m,得到板狀的混合物。接著，按每一脫模薄膜對形成在脫模薄膜上的板狀的混合物進行加熱，在失去板狀的混合物的粘附性的條件下進行熱處理。熱處理中，將80°C的溫度保持30分鐘。利用該熱處理，由于使板狀的混合物的粘附性喪失，因此變得容易剝離脫模薄膜。接著，從板狀的混合物剝離脫模薄膜，重疊4塊板狀的混合物之后，利用覆蓋膜 (PPS 聚苯硫醚、厚度為16 μ m)夾著，通過一邊以lkg/cm2的壓力進行加壓一邊以80°C的溫度進行加熱，從而制作對重疊了 4塊板狀的混合物后的構(gòu)件粘貼覆蓋膜201后的板狀構(gòu)件 210(參照圖 2(a))。由此，可準備厚度約為800 μ m、在兩面形成有覆蓋膜201的電絕緣性基板原材料 202。然后，對每一覆蓋膜201在電絕緣性基板原材料202上，使用沖孔機形成用于進行內(nèi)部過孔連接的貫通孔(直徑為0. 25mm)(參照圖2(b))。接著，利用絲網(wǎng)印刷法向該貫通孔填充導電性樹脂組成物111’(參照圖2(c))。 導電性樹脂組成物111’是對85重量％的球狀的銅粒子、3重量％的雙酚A型環(huán)氧樹脂 (日本環(huán)氧樹脂環(huán)氧制、EPIK0TE^8)、9重量％的縮水甘油酯類環(huán)氧樹脂(東都化成生產(chǎn)、 YD-171)、和3重量％的胺加合物固化劑(味之素生產(chǎn)、MY-24)進行混練而制作的。接著，以120°C對填充有導電性樹脂組成物111’的電絕緣性基板原材料202進行 5分鐘的加熱。利用該工序，在內(nèi)部過孔103的該中央部103a中孔的直徑收縮，成為所填充的導電性樹脂組成物111’突出的形狀(參照圖2(d))。此時，中央部103a的孔的直徑與開口部10 相比成為收縮約15 20%的狀態(tài)。接著，從電絕緣性基板原材料202剝離覆蓋膜201 (參照圖2 (e))，對在所希望的位置形成有基板電極102的第1基板101及第2基板108、和形成有內(nèi)部過孔103的電絕緣性基板原材料202進行層疊(參照圖2(f))，利用熱壓機以加壓溫度180°C、壓力20kg/cm2對該層疊體進行加壓加熱60分鐘。利用該加熱，使電絕緣性基板原材料202中的環(huán)氧樹脂及導電性樹脂組成物111’ 中的環(huán)氧樹脂固化，電絕緣性基板原材料202中的半導體元件(參照圖1的半導體芯片 105)和基板電極102和電絕緣性基板原材料202在機械上牢固地進行連接。另外，利用該加熱，將導電性樹脂組成物111’和基板電極102在電氣上(內(nèi)部過孔連接)、機械上進行連接，制作如圖8所示的電路元器件內(nèi)置模塊270。該電路元器件內(nèi)置模塊270中，將500個填充有導電性樹脂組成物111的內(nèi)部過孔103進行串聯(lián)連接，制作100個這種將500個內(nèi)部過孔103進行串聯(lián)連接后的樣品。為了評估利用本實施例制作的電路元器件內(nèi)置模塊的可靠性，進行了焊料回流試驗及溫度循環(huán)試驗。焊料回流試驗是使用帶式回流試驗機、通過以最高溫度260°C重復10次的10秒的循環(huán)來進行。另外，溫度循環(huán)試驗是通過對在125°C下保持30分鐘之后、 在_60°C的溫度下保持30分鐘的工序重復1000個循環(huán)來進行的。(比較例1)比較例1的電路元器件內(nèi)置模塊的電絕緣性基板，是使用包含85重量％的 A1203 (采用等量的昭和電工(株式會社)生產(chǎn)AS-20和AS-40)以作為無機填料、4重量％ 的液體狀環(huán)氧樹脂、10重量％的固體環(huán)氧樹脂、0. 3重量％的固化劑、0. 7重量％的偶聯(lián)劑 (味之素(株式會社)生產(chǎn)、酞酸酯類、46B)以作為組分的混合物來制作的。即，該比較例1 中使用的混合物與上述實施例1中形成電絕緣性基板的混合物相比，在未包含橡膠組分這一點上有所不同。另外作為制造工序，不進行如圖2(d)所示的使所填充的導電性樹脂組成物突出的加熱工序，作為除此以外的其余的工序，則利用與實施例1相同的工序進行制作。焊料回流試驗及溫度循環(huán)試驗的結(jié)果為，不管是在哪一種試驗中，對于本實施例1 的電路元器件內(nèi)置模塊，利用導電性樹脂組成物進行的內(nèi)部過孔連接的電阻值(除去布線部分，僅內(nèi)部過孔連接的電阻值)在試驗開始前后有10%以內(nèi)的變化率。另外，在試驗后對內(nèi)部過孔部分的截面進行觀察的結(jié)果為，未產(chǎn)生破裂，即使使用超聲波探傷裝置，也未發(fā)現(xiàn)有特別的異常。與此不同的是，比較例1中，內(nèi)部過孔連接的電阻值變化超過10%的樣品超過了 10%，另外在截面觀察中，電阻值變化超過10%的樣品中，存在觀察到產(chǎn)生破裂的樣品。這在比較例1中，認為是因?qū)щ娦詷渲M成物和電絕緣性基板的絕緣材料之間的熱膨脹之差而產(chǎn)生破裂，而在本實施例1中，認為可通過維持內(nèi)部過孔的壁面和導電性樹脂組成物之間的緊貼強度從而抑制破裂的產(chǎn)生。(比較例2)另外，作為比較例2，與實施例1相比，除了不進行使內(nèi)部過孔的中央部的孔的直徑收縮的加熱工序以外，使用與實施例1相同的材料、制造方法來制作樣品，對于所制作的樣品實施了上述焊料回流試驗及溫度循環(huán)試驗。此外，比較例2所制作的樣品中，內(nèi)部過孔的中央部相對于開口部的收縮率為0%。(實施例2)另外，作為實施例2，與實施例1相比，除了在使內(nèi)部過孔的中央部的直徑收縮的工序中、以80°C加熱3分鐘以外，使用與實施例1相同的條件、制造方法來制作樣品，對于所制作的樣品實施了上述焊料回流試驗及溫度循環(huán)試驗。此外，實施例2所制作的樣品中，內(nèi)部過孔的中央部相對于開口部的收縮率約為
3 5%。焊料回流試驗及溫度循環(huán)試驗的結(jié)果為，在比較例2中，內(nèi)部過孔連接的電阻值變化超過10%的樣品約產(chǎn)生了 5%。另一方面，上述實施例2中，內(nèi)部過孔連接的電阻值變化超過10%的樣品約產(chǎn)生了 2%。如上所述，根據(jù)(實施例1)和(比較例2)可知，通過進行使內(nèi)部過孔收縮的加熱處理，從而可得到可靠性高、質(zhì)量好的電路元器件內(nèi)置模塊。
進一步，根據(jù)(實施例1)和(比較例1)可知，通過向形成電絕緣性基板的混合物添加橡膠組分，并進行使內(nèi)部過孔收縮的加熱處理，從而可得到可靠性更高、質(zhì)量更好的電路元器件內(nèi)置模塊。另外，(實施例2)中，與(實施例1)相比，盡管由于加熱處理使得熱收縮率較小， 但與(比較例1)及(比較例2、相比較可知，電路元器件內(nèi)置模塊的可靠性及質(zhì)量提高。(實施例3)實施例3是利用實施方式2中說明的方法來制作電路元器件內(nèi)置模塊的一個示例。該實施例中，使用與實施例1相同的材料來制作電路元器件內(nèi)置模塊。準備厚度約為SOOym的在兩個表面形成有覆蓋膜的電絕緣性基板原材料，使用沖孔機來形成用于進行內(nèi)部過孔連接的貫通孔(直徑0. 25mm)(參照圖7(b))。接著，向所希望的內(nèi)部過孔103插入0603尺寸的片狀元器件107(例如，電阻)(參照圖7(c))。本實施例中，插入0Ω電阻。接著，進行使內(nèi)部過孔103收縮的加熱工序(80°C、10分鐘)(參照圖7(d))。此時，若使其收縮較大，則由于無法再次利用加熱工序進行收縮，因此需要注意。接著，利用絲網(wǎng)印刷法向該貫通孔填充導電性樹脂組成物111’(參照圖7(e))。此時，使用印刷機并利用絲網(wǎng)印刷從單面填充導電性樹脂組成物之后，將其翻轉(zhuǎn)再次從單面填充導電性樹脂組成物。由此，在所插入的片狀元器件107和基板電極102之間配置導電性樹脂組成物111，。接著，以120°C對填充有導電性樹脂組成物111’的電絕緣性基板原材料202進行 5分鐘的加熱。利用該工序，使內(nèi)部過孔103的該中央部103a中的孔的直徑收縮，成為所填充的導電性樹脂組成物突出的形狀(參照圖7(f))。通過以比上次的加熱工序更高的溫度來進行該加熱工序，從而使剩下的剩余應(yīng)力釋放以使內(nèi)部過孔103收縮。接著，從電絕緣性基板原材料202剝離覆蓋膜201 (參照圖7 (g))，對在所希望的位置形成有基板電極102的第1基板101及第2基板108、和形成有內(nèi)部過孔103的電絕緣性基板原材料202進行層疊，并對其利用熱壓機以加壓溫度180°C、壓力20kg/cm2進行加壓加熱60分鐘(參照圖7(h))。利用該加熱，使電絕緣性基板原材料202中的環(huán)氧樹脂及導電性樹脂組成物111’ 中的環(huán)氧樹脂固化，電絕緣性基板原材料202中的半導體元件和作為基板電極102的銅箔和電絕緣性基板原材料202在機械上牢固地進行連接。另外，利用該加熱，使導電性樹脂組成物111和基板電極102、配置在內(nèi)部過孔103中的片狀元器件107的電極和基板電極102 在電氣上(內(nèi)部過孔連接)、機械上進行連接。而且之后，利用在所制作的電路元器件內(nèi)置模塊的外層面安裝元器件時施加的熱量，使插入內(nèi)部過孔103的片狀元器件107的電極107a熔融，與導電性樹脂組成物111’中的金屬填料進行金屬鍵合，從而形成牢固的連接結(jié)構(gòu)。(比較例3)另外，作為比較例3，與實施例3相比，除了在貫通孔中插入電子元器件(片狀元器件107)之后、使內(nèi)部過孔103收縮的加熱工序(圖7(d))以外，使用與實施例3相同的條件、制造方法進行制作。
(比較例4)另外，作為比較例4，與實施例3相比，除了在利用絲網(wǎng)印刷法對貫通孔填充導電性樹脂組成物111’之后、使內(nèi)部過孔103收縮的加熱工序(圖7(f))以外，使用與實施例 3相同的條件、制造方法進行制作。對這些實施例3、比較例3、比較例4中所制作的樣品，與實施方式1相同，進行了焊料回流試驗及溫度循環(huán)。實施例3中，內(nèi)部過孔連接、及內(nèi)置有元器件的過孔的電阻值在試驗開始前后有 10%以內(nèi)的變化率，在試驗后對內(nèi)部過孔部分的截面進行觀察的結(jié)果為，未產(chǎn)生破裂，即使使用超聲波探傷裝置，也未發(fā)現(xiàn)有特別的異常。比較例3中，在插入元器件后的導電性樹脂組成物的填充工序中，發(fā)生了元器件的脫落。另外，盡管元器件未脫落，但在從單側(cè)進行的填充工序中元器件朝相反面?zhèn)绕疲?而在使其翻轉(zhuǎn)再次從單側(cè)填充導電性樹脂組成物的工序中，發(fā)生了無法填充導電性樹脂組成物的不良情況，產(chǎn)生了在電連接上發(fā)生不良情況的樣品。比較例4中，焊料回流試驗及溫度循環(huán)試驗的結(jié)果為，內(nèi)部過孔連接的電阻值變化超過10%的樣品約產(chǎn)生了 5%。另外，插入元器件的內(nèi)部過孔的內(nèi)部過孔連接的電阻值變化超過10%的樣品約產(chǎn)生了 3%。工業(yè)上的實用性本發(fā)明所涉及的電路元器件內(nèi)置模塊及電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，具有具備散熱性及電連接的可靠性的效果，作為電路元器件內(nèi)置模塊等是有用的。
0181]標號說明0182]100,250,260,300電路元器件內(nèi)置模塊0183]101第1基板0184]102基板電極0185]103內(nèi)部過孔0186]104電絕緣性基板0187]105半導體芯片0188]106片狀元器件0189]107片狀元器件0190]108第2基板0191]109密封樹脂0192]110、261、262元器件內(nèi)置層0193]111導電性樹脂組成物0194]201覆蓋膜0195]205溢出部分0196]400電路元器件內(nèi)置模塊0197]401a、401b、401c絕緣性基板0198]402a,402b,402c 布線圖案0199]403a、403b電路元器件0200]404內(nèi)部過孔。
權(quán)利要求
1.一種電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，所述電路元器件內(nèi)置模塊使用導電性組成物來進行電氣上的層間連接，包括內(nèi)部過孔形成工序，該內(nèi)部過孔形成工序中，在絕緣基板的原材料的厚度方向上設(shè)置貫通孔，形成1個或多個用于進行電氣上的層間連接的內(nèi)部過孔； 填充工序，該填充工序中，向所述內(nèi)部過孔填充導電性組成物； 加熱工序，該加熱工序中，進行加熱以使得所述內(nèi)部過孔的中央部的直徑與開口部的直徑相比要小；層疊工序，該層疊工序中，在所述絕緣基板的原材料的兩個表面分別配置并層疊構(gòu)件；及加壓加熱工序，該加壓加熱工序中，對層疊后的所述絕緣基板的原材料及所述構(gòu)件進行加壓及加熱。
2.如權(quán)利要求1所述的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，其特征在于，還包括 粘貼工序，該粘貼工序中，將覆蓋膜粘貼到所述絕緣基板的原材料；及剝離工序，該剝離工序中，在所述加熱工序之后，從所述絕緣基板的原材料上剝離所述覆蓋膜，所述內(nèi)部過孔形成工序是在所述覆蓋膜以及所述絕緣基板的原材料上設(shè)置所述貫通孔的工序，所述填充工序是利用絲網(wǎng)印刷法向所述內(nèi)部過孔填充所述導電性組成物的工序。
3.如權(quán)利要求1所述的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，其特征在于， 所述內(nèi)部過孔形成工序是利用沖孔加工來設(shè)置所述貫通孔的工序。
4.如權(quán)利要求2所述的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，其特征在于， 所述內(nèi)部過孔形成工序是利用沖孔加工來設(shè)置所述貫通孔的工序。
5.一種電路元器件內(nèi)置模塊，是利用如權(quán)利要求1至4中的任一項所述的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法制造而成的，其特征在于，所述內(nèi)部過孔為如下形狀所述中央部的直徑與所述開口部的直徑相比要小10% 50%。
6.如權(quán)利要求5所述的電路元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述絕緣基板是利用包含無機填料和樹脂組分的材料來形成的， 所述材料中包含70 95重量％的所述無機填料， 所述樹脂組分中包含熱固化樹脂和橡膠組分，所述橡膠組分為分子量5萬以上、且在所述樹脂中包含70重量％至95重量％。
7.如權(quán)利要求5所述的電路元器件內(nèi)置模塊，其特征在于， 在全部或一部分所述內(nèi)部過孔中配置有電路元器件。
8.如權(quán)利要求1所述的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，其特征在于，包括元器件插入工序，該元器件插入工序中，將電路元器件插入全部或一部分所述內(nèi)部過孔；及夾持工序，該夾持工序中，進行加熱以使得所述內(nèi)部過孔的中央部的直徑與開口部的直徑相比要小，從而夾持所插入的所述電路元器件，所述填充工序是也向插入有所述元器件的所述內(nèi)部過孔中填充所述導電性組成物的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具備散熱性及電連接的可靠性的電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法。是一種電路元器件內(nèi)置模塊的制造方法，使用導電性組成物來進行電氣上的層間連接，包括在電絕緣性基板的原材料的厚度方向上設(shè)置貫通孔、形成1個或多個用于進行電氣上的層間連接的內(nèi)部過孔的內(nèi)部過孔形成工序；向內(nèi)部過孔填充導電性組成物的填充工序；進行加熱使得內(nèi)部過孔的中央部的直徑與開口部的直徑相比要小的加熱工序；在電絕緣性基板的原材料的兩個表面配置、并層疊第1基板及第2基板的層疊工序；及對層疊后的電絕緣性基板的原材料、第1基板及第2基板進行加壓及加熱的加壓加熱工序。
文檔編號H01L25/065GK102201349SQ201110078358
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者林祥剛, 石丸幸宏 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社