專利名稱：堆棧式雙晶片封裝及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝，更確切地說(shuō)，是關(guān)于多半導(dǎo)體晶片封裝及其制備方法。
背景技術(shù)：
在直流到直流的轉(zhuǎn)換器中，一個(gè)公共封裝中通常電連接數(shù)個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。 一個(gè)直流-直流轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)高端0B)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和一個(gè)低端(LQ場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 其特點(diǎn)是，并列組裝高端場(chǎng)效應(yīng)晶體管和低端場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并利用導(dǎo)線將它們電連接起來(lái)。這種直流到直流的轉(zhuǎn)換器的引腳，大于其他方式設(shè)計(jì)的引腳。因此，十分有必要制備封裝尺寸小于現(xiàn)有設(shè)備的直流到直流的轉(zhuǎn)換器封裝

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種堆棧式雙晶片封裝及其制備方法，它可以制備出封裝尺寸小于現(xiàn)有設(shè)備的直流到直流的轉(zhuǎn)換器封裝。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種半導(dǎo)體晶片堆棧，其特點(diǎn)是，該半導(dǎo)體晶片堆棧包含一個(gè)基礎(chǔ)引線框；一個(gè)通過(guò)倒裝法安裝在所述的基礎(chǔ)引線框上方的第一半導(dǎo)體晶片；一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片，其堆棧在第一半導(dǎo)體晶片上方，即所述的第一半導(dǎo)體晶片與基礎(chǔ)引線框相對(duì)的一側(cè)；以及一個(gè)位于第一和第二半導(dǎo)體晶片之間的夾片結(jié)構(gòu)。其中，所述的第二半導(dǎo)體晶片為一個(gè)P-通道垂直場(chǎng)效應(yīng)管，所述的第一半導(dǎo)體晶片為一個(gè)Π-通道垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述的第二半導(dǎo)體晶片不是通過(guò)倒裝法安裝在第一半導(dǎo)體晶片上。所述的第二半導(dǎo)體晶片通過(guò)倒裝法安裝在第一半導(dǎo)體晶片上方，第一和第二半導(dǎo)體晶片是串聯(lián)的垂直晶體管。所述的第一半導(dǎo)體晶片具有面向第二半導(dǎo)體晶片的第一接頭，所述的第二半導(dǎo)體晶片具有面向第一半導(dǎo)體晶片的第二和第三接頭，其中所述的夾片結(jié)構(gòu)還包括一個(gè)第一導(dǎo)電段，將所述第一半導(dǎo)體晶片的第一接頭連接到所述第二半導(dǎo)體晶片的第二接頭上，以及一個(gè)第二導(dǎo)電段，連接到所述第二半導(dǎo)體晶片的第三接頭上，但與第一半導(dǎo)體晶片絕緣。所述的第二導(dǎo)電段在第一導(dǎo)電段附近，但相互隔開。所述的第二導(dǎo)電段非導(dǎo)電地連接到第一半導(dǎo)體晶片上。該半導(dǎo)體晶片堆棧還包含非導(dǎo)電的水平突出物，位于夾片結(jié)構(gòu)和第一半導(dǎo)體晶片之間，使第一和第二導(dǎo)電段的頂部共面。該半導(dǎo)體晶片堆棧還包括一個(gè)集成電路芯片，與第一半導(dǎo)體晶片一起封裝在基礎(chǔ)引線框上。
所述的第一和第二半導(dǎo)體晶片為垂直場(chǎng)效應(yīng)管，其中集成電路芯片通過(guò)引線框引線，連接到第一和第二半導(dǎo)體晶片的柵極上。所述的第一和第二半導(dǎo)體晶片都是垂直場(chǎng)效應(yīng)管。所述的第一導(dǎo)電段在其頂部具有一個(gè)凹陷部分，其中第二導(dǎo)電段非導(dǎo)電地連接到所述的凹陷部分上。所述的第一導(dǎo)電段具有上部和下部的鋸齒形形狀，下部接觸第一半導(dǎo)體晶片，上部接觸第二半導(dǎo)體晶片，其中所述的凹陷部分對(duì)應(yīng)下部中的一個(gè)。所述的第一導(dǎo)電段所述的凹陷部分為半刻蝕部分。一種堆棧式結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是，該堆棧式結(jié)構(gòu)包含一個(gè)第一半導(dǎo)體晶片和一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片，所述的一個(gè)第一半導(dǎo)體晶片和一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片堆棧在一起，其中所述的第一半導(dǎo)體晶片具有一個(gè)第一晶片第一接頭，對(duì)著第二半導(dǎo)體晶片；所述的第二半導(dǎo)體晶片具有一個(gè)第二晶片第一接頭和第二晶片第二接頭，都對(duì)著第一半導(dǎo)體晶片，其中所述第二晶片第二接頭與所述第一半導(dǎo)體晶片相互重疊，但不與它電接觸，其中所述第二晶片第一接頭與所述第一晶片第一接頭相互重疊，并電接觸。該堆棧式晶片結(jié)構(gòu)還包含—個(gè)位于第一和第二半導(dǎo)體晶片之間的夾片結(jié)構(gòu)，具有第一和第二導(dǎo)電段，其中第一導(dǎo)電段電連接到第一晶片第一接頭和第二晶片第一接頭上，第二導(dǎo)電段電連接到第二晶片第二接頭上，但不連接到第一半導(dǎo)體晶片上。所述的第一和第二導(dǎo)電段與封裝弓I線電接觸。所述夾片的第二導(dǎo)電段與第一導(dǎo)電段電絕緣。所述的第一半導(dǎo)體晶片比第二半導(dǎo)體晶片大。所述的第一和第二半導(dǎo)體晶片為垂直場(chǎng)效應(yīng)管。所述的第一晶片第一接頭是一個(gè)漏極接頭，所述的第二晶片第一接頭是一個(gè)源極接頭，所述的第二晶片第二接頭是一個(gè)柵極接頭。所述的第一半導(dǎo)體晶片背對(duì)著第二半導(dǎo)體晶片，通過(guò)倒裝法安裝，所述的第二半導(dǎo)體晶片朝著第一半導(dǎo)體晶片，通過(guò)倒裝法安裝。一種半導(dǎo)體封裝，其特點(diǎn)是，該半導(dǎo)體封裝包含一個(gè)第一半導(dǎo)體晶片；—個(gè)連接到第一半導(dǎo)體晶片上的夾片結(jié)構(gòu)；以及位于夾片結(jié)構(gòu)和第一半導(dǎo)體晶片之間的數(shù)個(gè)水平突出物，使夾片結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體晶片平行，其中粘合材料位于至少某些水平突出物之間，將夾片結(jié)構(gòu)連接到第一半導(dǎo)體晶片上。所述的水平突出物具有共同的高度。所述的夾片結(jié)構(gòu)與封裝引線電接觸。所述的水平突出物是非導(dǎo)電的。至少某些所述的粘合材料是導(dǎo)電的，位于至少某些水平突出物之間，將至少一部分夾片結(jié)構(gòu)電連接到所述第一半導(dǎo)體晶片上。所述的夾片結(jié)構(gòu)還包含一個(gè)第一導(dǎo)電段和一個(gè)第二導(dǎo)電段。
所述的第一和第二導(dǎo)電段的頂部是共面的。所述的第一導(dǎo)電段導(dǎo)電連接到第一半導(dǎo)體晶片上，所述的第二導(dǎo)電段與第一半導(dǎo)體晶片相互重疊，但與第一半導(dǎo)體晶片電絕緣。該封裝還包含一個(gè)堆棧在夾片結(jié)構(gòu)上的第二半導(dǎo)體芯片，所述的第二半導(dǎo)體芯片在第一半導(dǎo)體晶片的對(duì)面。一種用于制備引線框封裝的方法，其特點(diǎn)是，該方法包含將第一半導(dǎo)體晶片通過(guò)倒裝法安裝在導(dǎo)電的基礎(chǔ)引線框上，即在所述的第一半導(dǎo)體晶片具有數(shù)個(gè)正面電接頭，與所述的基礎(chǔ)引線框電接觸；在所述的第一半導(dǎo)體晶片上方，所述的第一半導(dǎo)體晶片與基礎(chǔ)引線框相對(duì)的一側(cè)，設(shè)置第一夾片結(jié)構(gòu)，其中所述的第一夾片結(jié)構(gòu)包括第一和第二導(dǎo)電段；并且通過(guò)倒裝法將第二半導(dǎo)體晶片安裝到所述的第一夾片結(jié)構(gòu)上，所述的第二半導(dǎo)體晶片具有數(shù)個(gè)正面電接頭，與所述的第一夾片結(jié)構(gòu)電接觸，第二半導(dǎo)體晶片的正面電接頭的第一部分，連接到第一導(dǎo)電段上，并通過(guò)第一夾片結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電段，與第一半導(dǎo)體晶片的背部電接頭電接觸，第二半導(dǎo)體晶片的正面電接頭的第二部分，連接到第一夾片結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電段上，但沒(méi)有與第一半導(dǎo)體晶片電接觸。設(shè)置所述的第一夾片結(jié)構(gòu)還包含，設(shè)置帶有數(shù)個(gè)電絕緣的水平突出物的所述的第一夾片結(jié)構(gòu)，對(duì)著所述的第一半導(dǎo)體晶片，在所述的第一夾片結(jié)構(gòu)和所述的第一半導(dǎo)體晶片之間，構(gòu)成一個(gè)空隙。設(shè)置所述的帶有數(shù)個(gè)電絕緣水平突出物的第一夾片結(jié)構(gòu)還包含，使所述的數(shù)個(gè)絕緣突出物具有一個(gè)共同的高度。


圖1表示依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，一種引線框封裝的透視圖；圖2表示除去密封成型材料后的圖1所示的引線框封裝的透視圖；圖3表示連接在圖2所示器件上的基礎(chǔ)引線框和半導(dǎo)體晶片的透視圖，圖中省去了圖2的其他部件；圖4表示安裝在圖3所示的結(jié)構(gòu)上的第一夾片結(jié)構(gòu)的透視圖；圖5表示圖4所示的夾片結(jié)構(gòu)的倒置視圖；圖6表示沿6-6線，圖5所示的夾片結(jié)構(gòu)的部分剖面圖；圖7表示安裝在圖4所示的第一夾片結(jié)構(gòu)上的第二半導(dǎo)體晶片的透視圖；圖8表示圖2所示的夾片結(jié)構(gòu)的倒置視圖；圖9表示依據(jù)第一可選實(shí)施例，圖2所示的引線框封裝的透視圖；圖IOA和IOB表示兩個(gè)公共半橋式電路的電路示意圖；圖11表示依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，類似于圖4所示的引線框封裝的透視圖；圖12表示第二半導(dǎo)體晶片安裝在圖11所示的引線框封裝的透視圖；圖13表示第二晶片結(jié)構(gòu)安裝在圖12所示的引線框封裝上的透視圖；圖14表示帶有密封成型混料的圖13所示的引線框封裝的透視圖；圖15A和15B分別表示同一個(gè)IC控制芯片一起封裝的本發(fā)明所述的堆棧式結(jié)構(gòu)的俯視圖和剖面圖16A和16B分別表示基于美國(guó)申請(qǐng)案12/7 ，892的圖片的俯視圖和剖面圖；圖17A至171-3表示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例，一個(gè)堆棧式晶片結(jié)構(gòu)的組裝方法俯視圖和剖面圖；圖18A至18C表示依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可選實(shí)施例，一個(gè)堆棧式晶片結(jié)構(gòu)的俯視圖和剖面圖；圖19A至19C表示依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可選實(shí)施例，一個(gè)堆棧式晶片結(jié)構(gòu)的俯視圖和剖面圖。
具體實(shí)施例方式參見圖1和2，引線框封裝10含有數(shù)個(gè)引線11-18、基礎(chǔ)引線框20、第一和第二半導(dǎo)體晶片22和M以及第一和第二夾片結(jié)構(gòu)25和26。第一夾片結(jié)構(gòu)25位于第一和第二半導(dǎo)體晶片22和M之間。第一半導(dǎo)體晶片22位于基礎(chǔ)引線框20和第一夾片結(jié)構(gòu)25之間。 第二半導(dǎo)體晶片M位于第一和第二夾片結(jié)構(gòu)25和沈之間。半導(dǎo)體晶片22和M在電學(xué)領(lǐng)域中眾所周知。在本例中，半導(dǎo)體晶片22和M為功率場(chǎng)效應(yīng)管(FET)或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)等晶體管。參見圖2和3，半導(dǎo)體晶片22具有一個(gè)源極接頭30、一個(gè)柵極接頭31以及一個(gè)漏極接頭32。源極接頭30和柵極接頭31位于半導(dǎo)體晶片22的一個(gè)公共面上，漏極接頭32 設(shè)置在半導(dǎo)體晶片22的另一個(gè)相對(duì)對(duì)面。因此，源極接頭30如圖中虛線所示。更確切地說(shuō)，源極和柵極接頭30和31面對(duì)著基礎(chǔ)引線框20，并與之電接觸。第一半導(dǎo)體晶片22具有一個(gè)與第一夾片結(jié)構(gòu)25相互重疊的區(qū)域?；A(chǔ)引線框20含有第一和第二 33和34導(dǎo)電部分，由金、銅、鋁或它們的合金等任意合適的導(dǎo)電材料構(gòu)成。第一部分33與第二部分34電絕緣。第一和第二部分33和34的相對(duì)尺寸滿足第一半導(dǎo)體晶片22的運(yùn)行和電學(xué)要求。為此，第一部分33與第一半導(dǎo)體晶片22的源極接頭30相互重疊并接觸，第二部分34與第一半導(dǎo)體晶片22的柵極接頭31相互重疊并接觸。由于源極和柵極接頭的特點(diǎn)是位于垂直金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片的正面，因此第一半導(dǎo)體晶片22可以利用倒裝晶片法安裝在基礎(chǔ)引線框上，漏極接頭32 向上突出。參見圖2、3和4，夾片結(jié)構(gòu)25連接在第一半導(dǎo)體晶片22的漏極接頭32上。更確切地說(shuō)，夾片結(jié)構(gòu)25含有數(shù)個(gè)空間分離的導(dǎo)電段40和42。禾丨』用任意已知技術(shù)，導(dǎo)電段40 可以與段42電絕緣。如圖所示，在導(dǎo)電段40和42之間有一個(gè)空洞44。導(dǎo)電段40與漏極接頭32電接觸，并可以利用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂等任意已知技術(shù)，連接到漏極接頭32上。利用非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂等，可以將導(dǎo)電段42非導(dǎo)電地連接到半導(dǎo)體晶片22上，從而與漏極接頭32 絕緣。參見圖5和6，從第一夾片結(jié)構(gòu)25面對(duì)第一半導(dǎo)體晶片的那端開始延伸的是一個(gè)或數(shù)個(gè)由硅樹脂制成的電絕緣突出物47。在將夾片結(jié)構(gòu)25連接到第一半導(dǎo)體晶片22上之前，利用已知技術(shù)將突出物連接到夾片結(jié)構(gòu)25上。在示例中，突出物47從段40和42開始，朝著第一半導(dǎo)體晶片22延伸，并利用任意合適的粘合劑，連接到第一半導(dǎo)體晶片22上。 因此，在第一半導(dǎo)體晶片22和第一夾片結(jié)構(gòu)25之間有一個(gè)空隙49，如圖6中的剖面沿圖5 的線6-6所示?？梢岳煤稿a或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂等導(dǎo)電粘合劑，填充在空隙49中，將段40電
8連接到第一半導(dǎo)體晶片22上。使用突出物47是為了確保在制備封裝10時(shí)，第一夾片結(jié)構(gòu) 25完全水平。因此，所有的突出物47都有一個(gè)公共高度。還可選擇，突出物合適的高度，以校正第一夾片結(jié)構(gòu)25的厚度或外形的非均勻性，從而維持一個(gè)完全水平的表面，在該表面上安裝第二半導(dǎo)體晶片對(duì)。突出物47也有助于使段42與第一半導(dǎo)體晶片22絕緣。參見他4和7，第二半導(dǎo)體晶片M連接在夾片結(jié)構(gòu)25上。半導(dǎo)體晶片M含有柵極、源極和漏極接頭46、48和50。盡管如圖所示，漏極接頭50是作為半導(dǎo)體晶片M背面的一個(gè)子部分，但實(shí)際上，漏極接頭可以構(gòu)成整個(gè)背面。柵極接頭46對(duì)著導(dǎo)電段42，與導(dǎo)電段42相互重疊，并利用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或焊錫等，與導(dǎo)電段42電接觸。漏極接頭50設(shè)置在半導(dǎo)體晶片M的一側(cè)，背對(duì)著夾片結(jié)構(gòu)25。由于柵極和源極接頭46、48是倒裝的，因此第二半導(dǎo)體晶片M可以用倒裝法安裝在第一夾片結(jié)構(gòu)25上。要注意的是，突出物47使第一夾片結(jié)構(gòu)25的段42位于第一半導(dǎo)體晶片22上方，同時(shí)與它電絕緣——因此，第二半導(dǎo)體晶片M的柵極接頭46無(wú)需電連接到第一半導(dǎo)體晶片22上，就可以電連接到導(dǎo)電段42上。 另外，突出物47確保第二半導(dǎo)體晶片M在段40和42上具有一個(gè)平坦的表面，突出物47 將安裝在段40和42上。參見圖2、7和8，利用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或焊錫，將第二夾片結(jié)構(gòu)沈連接到漏極接頭 50上。如圖8所示，第二夾片結(jié)構(gòu)沈也含有數(shù)個(gè)水平突出物51，如圖5和6所示，第二晶夾片結(jié)構(gòu)26以上述第一夾片結(jié)構(gòu)25的方式，朝著第二半導(dǎo)體晶片M延伸。這些突出物有助于在整個(gè)組裝過(guò)程中，使第二夾片結(jié)構(gòu)沈保持水平，并且可以是導(dǎo)電或非導(dǎo)電的。導(dǎo)電粘合劑(例如導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或焊錫)可以用于將第二夾片結(jié)構(gòu)26粘合并電連接到第二半導(dǎo)體晶片對(duì)上。然后，如圖1所示，利用任意合適的成型混料52，將這種堆棧全部或部分密封。如圖所示，成型混料52完全密封了半導(dǎo)體晶片22和M，引線11-18的一部分裸露出來(lái)。如圖所示，每個(gè)引線11-18都同基礎(chǔ)引線框20、第一夾片結(jié)構(gòu)25或第二夾片結(jié)構(gòu) 26的其中之一集成起來(lái)。如圖所示，引線12,17和18同基礎(chǔ)引線框20集成起來(lái)，引線11、 13和14同第一夾片結(jié)構(gòu)25集成起來(lái)。弓丨線15和16同第二夾片結(jié)構(gòu)沈集成起來(lái)。因此， 引線12和17作為引線框封裝10以外的一個(gè)引腳，用于第一半導(dǎo)體晶片22的源極接頭30。 引線18作為第一半導(dǎo)體晶片22的柵極接頭31的引腳外露。引線11作為第二半導(dǎo)體晶片 24的柵極接頭46的引腳外露，引線13和14作為第二半導(dǎo)體晶片M的源極接頭48以及第一半導(dǎo)體晶片22的漏極接頭32的引腳外露。引線15和16作為第二半導(dǎo)體晶片M的漏極接頭50的引腳外露。盡管圖中所示的引線11-18可以同基礎(chǔ)引線框20、第一夾片結(jié)構(gòu)25或第二夾片結(jié)構(gòu)26的其中之一集成起來(lái)，但這并不是必須的。例如，引線11-18中的任何一個(gè)引線，都可以利用與引線接合或帶接合技術(shù)有關(guān)的任意已知技術(shù)(例如利用引線接合或?qū)щ妿)， 與基礎(chǔ)引線框20、第一夾片結(jié)構(gòu)25或第二夾片結(jié)構(gòu)沈的其中之一電接觸，如圖9所示。在這種情況下，第二夾片結(jié)構(gòu)26并不是必須的，第二半導(dǎo)體晶片M的漏極接頭50可以利用引線接合或帶接合技術(shù)，直接接合到引線15和16上。而且，還可選擇將第一和第二夾片結(jié)構(gòu)接觸到基礎(chǔ)引線框的引線上，以代替將引線與第一和第二夾片結(jié)構(gòu)集成起來(lái)。圖IOA表示兩個(gè)串聯(lián)晶體管的半橋式電路。更確切地說(shuō)，圖IOA表示兩個(gè)串聯(lián) η-通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管8的漏極連接到高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管90的源極上。該電路結(jié)構(gòu)尤其適用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其特點(diǎn)在于，低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管80的電流高于高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管90。因此，它需要比高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管90更大的晶片尺寸。此外，在一種典型的垂直金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，其源極和柵極接頭位于上部，漏極接頭位于底部。綜合考慮，這會(huì)帶來(lái)半橋式電路中堆棧金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的問(wèn)題。出于幾何和穩(wěn)定性等原因，較大的晶片(例如低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)應(yīng)位于底部。因此，(圖2所示的)第一半導(dǎo)體晶片22為低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管80，第二半導(dǎo)體晶片M為高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管90。 但是，為了將低端的漏極有效地連接到高端的源極上，這兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管必須采用倒裝法安裝。然而，由于柵極接頭向下朝著低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，因此要連接到高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，目前比較困難。本發(fā)明利用第一夾片結(jié)構(gòu)25的導(dǎo)電段42底部上的非導(dǎo)電突出物47，解決了該難題。這樣一來(lái)就可以連接第二半導(dǎo)體晶片M的柵極接頭46，而無(wú)需將它短接至第一半導(dǎo)體晶片22上。在圖IOB所示的可選電路中，將兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管串聯(lián)起來(lái)， 但是在這種情況下，低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管85為η-通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管95為ρ-通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在該結(jié)構(gòu)中，高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管95的漏極連接到低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管85的漏極上，構(gòu)成一個(gè)如圖11至14所示的較簡(jiǎn)單的堆棧結(jié)構(gòu)。參見圖11和12，依據(jù)圖IOB所示的另一個(gè)實(shí)施例和電路，第一半導(dǎo)體晶片122與圖3類似地倒裝安裝在基礎(chǔ)引線框120上。第一夾片結(jié)構(gòu)125連接到第一半導(dǎo)體晶片122 的漏極上；但是在這種情況下，第一夾片結(jié)構(gòu)125僅由一個(gè)導(dǎo)電段構(gòu)成。安裝第二半導(dǎo)體晶片124，使柵極接頭146和源極接頭148背對(duì)第一半導(dǎo)體晶片122。第二半導(dǎo)體晶片124的漏極接頭150對(duì)著第一夾片結(jié)構(gòu)125。與第一夾片結(jié)構(gòu)25不同，第一夾片結(jié)構(gòu)125具有由單獨(dú)導(dǎo)電元件構(gòu)成的單一結(jié)構(gòu)，并同第二半導(dǎo)體晶片124的漏極接頭150以及第一半導(dǎo)體晶片122的漏極接頭電連接起來(lái)。柵極和源極接頭146和148與第二夾片結(jié)構(gòu)126電接觸。與第一夾片結(jié)構(gòu)25類似，第二夾片結(jié)構(gòu)126含有數(shù)個(gè)空間分離的導(dǎo)電段140和142。利用任意已知技術(shù)，導(dǎo)電段 140與源極接頭148電接觸，并與段142電絕緣。如圖所示，導(dǎo)電段140和142之間，存在一個(gè)空洞144。導(dǎo)電段140與柵極接頭146電接觸，并利用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂等已知技術(shù)，連接到柵極接頭146上。然后，如圖14所示，將該堆棧部分或全部密封在成型混料152中。如圖所示，引線112、117和118與基礎(chǔ)引線框120集成起來(lái)，引線113和114與第一夾片結(jié)構(gòu)125集成起來(lái)。引線111、115和116與第二夾片結(jié)構(gòu)1 集成起來(lái)。因此，引線112和117作為引線框封裝110的引腳外露，用于第一半導(dǎo)體晶片122的源極接頭。引線 118作為第一半導(dǎo)體晶片122的柵極接頭的引腳外露。引線113和114作為第二半導(dǎo)體晶片124的漏極接頭150以及第一半導(dǎo)體晶片122的漏極接頭的引線外露。引線115和116 作為第二半導(dǎo)體晶片124的源極接頭148的引腳外露，引線111作為第二半導(dǎo)體晶片IM 的柵極接頭146的引腳外露。在這種情況下，第一半導(dǎo)體晶片122為低端η-通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管85 (如圖IOB所示)，第二半導(dǎo)體晶片IM為高端ρ-通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管95。
盡管，如圖所示的引腳111-118與基礎(chǔ)引線框120、第一夾片結(jié)構(gòu)125或第二夾片結(jié)構(gòu)126的其中之一集成起來(lái)，但這并不是必須的。例如，引線111-118中的任何一個(gè)引線，都可以集成在基礎(chǔ)引線框的一段上，并利用上述的任意已知技術(shù)，與第一夾片結(jié)構(gòu)125 或第二夾片結(jié)構(gòu)126電接觸。此外，也可以如上所述，用引線接合或帶接合代替第二夾片結(jié)構(gòu)。如上所述的晶片堆棧結(jié)構(gòu)也可以同控制集成電路(IC)芯片一起封裝，以形成如圖15A和15B所示的集成功率IC封裝。圖15B表示圖15A沿線15B的剖面。對(duì)于一個(gè)切5 的QFN(四芯平板無(wú)引線)封裝而言，基礎(chǔ)引線框220含有數(shù)個(gè)引線221。在這種情況下，基礎(chǔ)引線框220的引線221可能在兩個(gè)正交方向上延伸。如上所述，第一半導(dǎo)體晶片222可以利用倒裝法安裝在基礎(chǔ)引線框220上。由導(dǎo)電段240和242構(gòu)成的第一夾片結(jié)構(gòu)225可以連接在第一半導(dǎo)體晶片222上方。非導(dǎo)電的突出物147首先形成在第一夾片結(jié)構(gòu)225的底部，以實(shí)現(xiàn)水平放置，并如上所述，使段242電連接到第一半導(dǎo)體晶片222上。突出物247 之間的導(dǎo)電粘合劑可以將段MO電連接到第一半導(dǎo)體晶片上。第二半導(dǎo)體晶片2M可以安裝在第一夾片結(jié)構(gòu)的段240和242上。第二夾片結(jié)構(gòu)2 可以位于第二半導(dǎo)體晶片2M上方。如圖所示，第一和第二夾片結(jié)構(gòu)225和2 不具有在它們內(nèi)部集成的引線，但卻連接到其他結(jié)構(gòu)上，引線221就形成在這些其他結(jié)構(gòu)上?？刂破鱅C芯片299位于堆棧式半導(dǎo)體晶片222和224附近，一同封裝在基礎(chǔ)引線框220上。例如通過(guò)非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂，可以將控制器IC芯片299非導(dǎo)電地安裝在基礎(chǔ)引線框220上。從而，構(gòu)成一個(gè)集成功率IC封裝。該芯片封裝的結(jié)構(gòu)如圖中虛線2M所示。接合引線231可以將IC芯片299連接到各個(gè)引線 221上，并通過(guò)引線221連接到半導(dǎo)體晶片222和2M的柵極上，以便控制半導(dǎo)體就。例如， IC芯片299可以是一個(gè)功率IC控制芯片，第一和第二半導(dǎo)體晶片222和224可以分別是低端和高端場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，以構(gòu)成一個(gè)集成功率IC封裝。這種非導(dǎo)電突出物也可以用于2010年3月18日存檔的美國(guó)申請(qǐng)案12/7 ，892的延續(xù)部分中。在圖16A和16B(摘自美國(guó)申請(qǐng)案12/7 ，892的圖沈和觀)中，表示了一種堆棧式晶片半導(dǎo)體封裝910。圖16B表示圖16A的剖面觀-28。一個(gè)含有導(dǎo)電段906、907、 908,909,910和911的基礎(chǔ)引線框位于底部。第一半導(dǎo)體晶片900安裝在基礎(chǔ)引線框的段 907上。如圖所示，半導(dǎo)體安裝在器件正面，也就是說(shuō)，沒(méi)有采用倒裝法安裝。含有導(dǎo)電段 912和913的第一夾片結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體晶片900上。第二半導(dǎo)體晶片902位于第一夾片結(jié)構(gòu)段912和913上方。一個(gè)單獨(dú)的非導(dǎo)電突出物947位于夾片結(jié)構(gòu)段913上方，以便防止電連接到第二半導(dǎo)體晶片902上。第二半導(dǎo)體晶片902也安裝在器件正面。最終，含有導(dǎo)電段920和921的第二夾片結(jié)構(gòu)位于第二半導(dǎo)體晶片902上方。封裝910裝入成型混料986中。在這種情況下，第一半導(dǎo)體晶片900為高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 80 (如圖IOA所示)，第二半導(dǎo)體晶片902為低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管90，并具有朝上的源極和柵極接頭(圖中沒(méi)有表示出)，以及朝下的漏極接頭(圖中沒(méi)有表示出)。 在這種情況下，低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片902堆棧在高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片900上方，但至少與高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片900 — 樣大。由于高端柵極夾片913沒(méi)有電連接到低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片902 上，因此低端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片902可以重疊在高端金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片900的柵極接頭(圖中沒(méi)有表示出)上。非導(dǎo)電突出物947有助于確保這兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片之間沒(méi)有電接觸，并當(dāng)安裝在第一夾片結(jié)構(gòu)段 912和913上時(shí)，使第二半導(dǎo)體晶片902水平和穩(wěn)固。堆棧式晶片結(jié)構(gòu)也可以在由兩個(gè)重疊段構(gòu)成的第一夾片結(jié)構(gòu)的可選結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)。 參見圖17A-17C，含有導(dǎo)電段333和334的第一半導(dǎo)體晶片322利用倒裝法，以一種類似于上述的方式安裝在基礎(chǔ)引線框320上。圖17A表示基礎(chǔ)引線框320的俯視圖?；A(chǔ)引線框 320也含有導(dǎo)電引線段335、336和337。圖17A-1為圖17A沿線17A-1的剖面圖，在圖中所示的引線段(例如335)具有升高的末端。作為示例，在連接第一半導(dǎo)體晶片322之前，首先在導(dǎo)電段333和334(圖17B所示)上方使用導(dǎo)電粘合劑307。還可選擇，如圖17A’所示， 基礎(chǔ)引線框320’含有一個(gè)凹槽313，位于其邊緣附近的頂面上。凹槽313可以用于在連接過(guò)程中，容納焊錫等導(dǎo)電粘合劑。圖17A’-1表示凹槽313的剖面圖。半導(dǎo)體晶片322導(dǎo)電連接到基礎(chǔ)引線框段333和334上。晶片322的柵極接頭331面朝下，但其相對(duì)位置如圖 17C中的虛線所示。柵極接頭331接觸基礎(chǔ)引線框320的導(dǎo)電段334，同時(shí)源極接頭(圖中沒(méi)有表示出)接觸基礎(chǔ)引線框320的導(dǎo)電段333。圖17C-1為圖17C沿線17C-1的剖面圖， 該圖表示半導(dǎo)體晶片322安裝在基礎(chǔ)引線框段333和334上方。作為示例，基礎(chǔ)引線框段 335升高部分的頂部，可以與半導(dǎo)體晶片322的頂部共面。參見圖17D-17F，在第一半導(dǎo)體晶片322上合基礎(chǔ)引線框320的引線段335上，使用導(dǎo)電粘合劑308。第一夾片結(jié)構(gòu)325的第一段340連接在第一半導(dǎo)體晶片322上。第一段340的一端也連接到基礎(chǔ)引線框的引線段335上。第一夾片結(jié)構(gòu)325的第二段342非導(dǎo)電地(例如通過(guò)非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂)連接在第一段340上；第二段342也在另一端連接到基礎(chǔ)引線框的引線段336上。還可選擇，利用非導(dǎo)電突出物(圖中沒(méi)有表示出)，在第一段340 和第二段342之間，確保合適的空間和非導(dǎo)電。如圖17E-1沿線17E-1的剖面圖所示，第一段340含有一個(gè)鋸齒形結(jié)構(gòu)。鋸齒形形狀具有彈性，縮小的固定接觸區(qū)使晶片/夾片交界面處的應(yīng)力釋放出來(lái)。鋸齒形結(jié)構(gòu)還使導(dǎo)電粘合劑排氣，從而減少空洞的形成，并改善電學(xué)性能和可靠性。鋸齒形模式含有一系列較低的底面340a，在這些底面上夾片第一段340連接在第一半導(dǎo)體晶片322上。第一段340的頂部應(yīng)含有一個(gè)凹陷的部分340b，第二段342可以連接在該部分上。這使得第二段342的頂部和第一段340的頂部共面，如圖17F-1沿17F 的線17F-1的剖面圖所示。通過(guò)沖壓、彎曲或刻蝕，形成凹陷部分340b。圖17E-2和17E-3 表示第一夾片結(jié)構(gòu)第一段340，和340”的可選形狀。鑒于凹陷部分340b，第二段342的頂部可以與第一段340的頂部共面。然后，如圖17G所示，在第一夾片結(jié)構(gòu)325的第一段340和第二段342上方，設(shè)置導(dǎo)電粘合劑309，在第一夾片結(jié)構(gòu)325的第一和第二段340和342上方，倒裝法安裝第二半導(dǎo)體晶片324。盡管，如圖中虛線所示，第二半導(dǎo)體晶片3M的柵極接頭332的位置面朝下， 但卻與第一夾片結(jié)構(gòu)325的第二段342相接觸。第二半導(dǎo)體晶片324的源極也面朝下，與第一夾片結(jié)構(gòu)325的第一段340相接觸。圖17H-1為圖17H沿線17H-1的剖面圖。由圖可知，段340的下部接觸第一半導(dǎo)體晶片322，段340的上部接觸第二半導(dǎo)體晶片324。第二段342非導(dǎo)電地連接到第一段340的凹陷部分。因此，第一和第二段340和342的上部可以共面，使第二半導(dǎo)體晶片3M堆棧在上方，同時(shí)也使其連接到第二半導(dǎo)體晶片柵極接頭332 上。第二夾片結(jié)構(gòu)3 安裝在第二半導(dǎo)體晶片3M上方，也連接到引線段337上。圖171-1
12至171-3表示第二夾片結(jié)構(gòu)3 的一些可能形狀的側(cè)視圖。作為示例，第一半導(dǎo)體晶片322 可以是一個(gè)低端場(chǎng)效應(yīng)晶體管80 (如圖IOA所示)，第二半導(dǎo)體晶片3M可以是一個(gè)高端場(chǎng)效應(yīng)晶體管90。在一個(gè)實(shí)施例中，第一段340可以彎曲或沖壓成型，以形成凹陷區(qū)，第二段342可以連接到凹陷區(qū)上。在一個(gè)可選實(shí)施例中，如圖18A至18C所示，第一夾片結(jié)構(gòu)425的第一段440具有一個(gè)半刻蝕部分440a，以形成可以連接第二段442的凹陷區(qū)。在圖18B所示的第一段440的側(cè)視圖中，凹陷部分440a的位置如圖中虛線所示。在圖18C所示的第二段 442的側(cè)視圖中，第一段440的輪廓如圖中虛線所示。第一段440也可以具有由半刻蝕工藝形成的鋸齒形結(jié)構(gòu)，構(gòu)成沿第一段440的底部散布的減薄部分440b。在另一個(gè)可選實(shí)施例中，如圖19A至19C所示，可以彎曲除去第一段540的一部分 540a,使第二段542位于該處——然后，與圖4類似，將第二段542非導(dǎo)電地連接到第一半導(dǎo)體晶片322上。應(yīng)理解上述說(shuō)明僅是本發(fā)明的示例，以及其他在本發(fā)明意圖和范圍內(nèi)的修正，不應(yīng)認(rèn)為是本發(fā)明范圍的局限。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求書及其全部等價(jià)內(nèi)容限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，該半導(dǎo)體晶片堆棧包含一個(gè)基礎(chǔ)引線框；一個(gè)通過(guò)倒裝法安裝在所述的基礎(chǔ)引線框上方的第一半導(dǎo)體晶片；一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片，其堆棧在第一半導(dǎo)體晶片上方，即所述的第一半導(dǎo)體晶片與基礎(chǔ)引線框相對(duì)的一側(cè)；以及一個(gè)位于第一和第二半導(dǎo)體晶片之間的夾片結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第二半導(dǎo)體晶片為一個(gè)P-通道垂直場(chǎng)效應(yīng)管，所述的第一半導(dǎo)體晶片為一個(gè)η-通道垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述的第二半導(dǎo)體晶片不是通過(guò)倒裝法安裝在第一半導(dǎo)體晶片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第二半導(dǎo)體晶片通過(guò)倒裝法安裝在第一半導(dǎo)體晶片上方，第一和第二半導(dǎo)體晶片是串聯(lián)的垂直晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第一半導(dǎo)體晶片具有面向第二半導(dǎo)體晶片的第一接頭，所述的第二半導(dǎo)體晶片具有面向第一半導(dǎo)體晶片的第二和第三接頭，其中所述的夾片結(jié)構(gòu)還包括一個(gè)第一導(dǎo)電段，將所述第一半導(dǎo)體晶片的第一接頭連接到所述第二半導(dǎo)體晶片的第二接頭上，以及一個(gè)第二導(dǎo)電段，連接到所述第二半導(dǎo)體晶片的第三接頭上，但與第一半導(dǎo)體晶片絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第二導(dǎo)電段在第一導(dǎo)電段附近，但相互隔開。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第二導(dǎo)電段非導(dǎo)電地連接到第一半導(dǎo)體晶片上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，還包含非導(dǎo)電的水平突出物， 位于夾片結(jié)構(gòu)和第一半導(dǎo)體晶片之間，使第一和第二導(dǎo)電段的頂部共面。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，還包括一個(gè)集成電路芯片，與第一半導(dǎo)體晶片一起封裝在基礎(chǔ)引線框上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第一和第二半導(dǎo)體晶片為垂直場(chǎng)效應(yīng)管，其中集成電路芯片通過(guò)引線框引線，連接到第一和第二半導(dǎo)體晶片的柵極上。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第一和第二半導(dǎo)體晶片都是垂直場(chǎng)效應(yīng)管。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電段在其頂部具有一個(gè)凹陷部分，其中第二導(dǎo)電段非導(dǎo)電地連接到所述的凹陷部分上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電段具有上部和下部的鋸齒形形狀，下部接觸第一半導(dǎo)體晶片，上部接觸第二半導(dǎo)體晶片，其中所述的凹陷部分對(duì)應(yīng)下部中的一個(gè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體晶片堆棧，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電段所述的凹陷部分為半刻蝕部分。
14.一種堆棧式結(jié)構(gòu)，其特征在于，該堆棧式結(jié)構(gòu)包含一個(gè)第一半導(dǎo)體晶片和一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片，所述的一個(gè)第一半導(dǎo)體晶片和一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片堆棧在一起，其中所述的第一半導(dǎo)體晶片具有一個(gè)第一晶片第一接頭，對(duì)著第二半導(dǎo)體晶片；所述的第二半導(dǎo)體晶片具有一個(gè)第二晶片第一接頭和第二晶片第二接頭，都對(duì)著第一半導(dǎo)體晶片，其中所述第二晶片第二接頭與所述第一半導(dǎo)體晶片相互重疊，但不與它電接觸，其中所述第二晶片第一接頭與所述第一晶片第一接頭相互重疊，并電接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的堆棧式晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含 一個(gè)位于第一和第二半導(dǎo)體晶片之間的夾片結(jié)構(gòu)，具有第一和第二導(dǎo)電段，其中第一導(dǎo)電段電連接到第一晶片第一接頭和第二晶片第一接頭上，第二導(dǎo)電段電連接到第二晶片第二接頭上，但不連接到第一半導(dǎo)體晶片上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆棧式晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一和第二導(dǎo)電段與封裝引線電接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆棧式晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述夾片的第二導(dǎo)電段與第一導(dǎo)電段電絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆棧式晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一半導(dǎo)體晶片比第二半導(dǎo)體晶片大。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆棧式晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一和第二半導(dǎo)體晶片為垂直場(chǎng)效應(yīng)管。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的堆棧式晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一晶片第一接頭是一個(gè)漏極接頭，所述的第二晶片第一接頭是一個(gè)源極接頭，所述的第二晶片第二接頭是一個(gè)柵極接頭。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的堆棧式晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一半導(dǎo)體晶片背對(duì)著第二半導(dǎo)體晶片，倒裝法安裝，所述的第二半導(dǎo)體晶片朝著第一半導(dǎo)體晶片，倒裝法安裝。
22.—種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝包含 一個(gè)第一半導(dǎo)體晶片；一個(gè)連接到第一半導(dǎo)體晶片上的夾片結(jié)構(gòu)；以及位于夾片結(jié)構(gòu)和第一半導(dǎo)體晶片之間的數(shù)個(gè)水平突出物，使夾片結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體晶片平行，其中粘合材料位于至少某些水平突出物之間，將夾片結(jié)構(gòu)連接到第一半導(dǎo)體晶片上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的封裝，其特征在于，所述的水平突出物具有共同的高度。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的封裝，其特征在于，所述的夾片結(jié)構(gòu)與封裝引線電接觸。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的封裝，其特征在于，所述的水平突出物是非導(dǎo)電的。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的封裝，其特征在于，至少某些所述的粘合材料是導(dǎo)電的，位于至少某些水平突出物之間，將至少一部分夾片結(jié)構(gòu)電連接到所述第一半導(dǎo)體晶片上。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的封裝，其特征在于，所述的夾片結(jié)構(gòu)還包含一個(gè)第一導(dǎo)電段和一個(gè)第二導(dǎo)電段。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的封裝，其特征在于，所述的第一和第二導(dǎo)電段的頂部是共面的。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的封裝，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電段導(dǎo)電連接到第一半導(dǎo)體晶片上，所述的第二導(dǎo)電段與第一半導(dǎo)體晶片相互重疊，但與第一半導(dǎo)體晶片電絕緣。
30.根據(jù)權(quán)利要求22所述的封裝，其特征在于，還包含一個(gè)堆棧在夾片結(jié)構(gòu)上的第二半導(dǎo)體芯片，所述的第二半導(dǎo)體芯片在第一半導(dǎo)體晶片的對(duì)面。
31.一種用于制備引線框封裝的方法，其特征在于，該方法包含將第一半導(dǎo)體晶片通過(guò)倒裝法安裝在導(dǎo)電的基礎(chǔ)引線框上，所述的第一半導(dǎo)體晶片具有數(shù)個(gè)正面電接頭，與所述的基礎(chǔ)引線框電接觸；在所述的第一半導(dǎo)體晶片上方，即在所述的第一半導(dǎo)體晶片與基礎(chǔ)引線框相對(duì)的一側(cè)，設(shè)置第一夾片結(jié)構(gòu)，其中所述的第一夾片結(jié)構(gòu)包括第一和第二導(dǎo)電段；并且通過(guò)倒裝法將第二半導(dǎo)體晶片安裝到所述的第一夾片結(jié)構(gòu)上，所述的第二半導(dǎo)體晶片具有數(shù)個(gè)正面電接頭，與所述的第一夾片結(jié)構(gòu)電接觸，第二半導(dǎo)體晶片的正面電接頭的第一部分，連接到第一導(dǎo)電段上，并通過(guò)第一夾片結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電段，與第一半導(dǎo)體晶片的背部電接頭電接觸，第二半導(dǎo)體晶片的正面電接頭的第二部分，連接到第一夾片結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電段上，但沒(méi)有與第一半導(dǎo)體晶片電接觸。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述的第一夾片結(jié)構(gòu)還包含，設(shè)置帶有數(shù)個(gè)電絕緣的水平突出物的所述的第一夾片結(jié)構(gòu)，對(duì)著所述的第一半導(dǎo)體晶片，在所述的第一夾片結(jié)構(gòu)和所述的第一半導(dǎo)體晶片之間，構(gòu)成一個(gè)空隙。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述的帶有數(shù)個(gè)電絕緣水平突出物的第一夾片結(jié)構(gòu)還包含，使所述的數(shù)個(gè)絕緣突出物具有一個(gè)共同的高度。
全文摘要
本發(fā)明堆棧式雙晶片封裝及其制備方法涉及一個(gè)引線框，具有一個(gè)帶有中間金屬化的夾片結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片堆棧。水平突出物從夾片結(jié)構(gòu)開始延伸，以便在制備過(guò)程中，確保夾片結(jié)構(gòu)保持水平。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102194806SQ201110071600
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月18日
發(fā)明者何約瑟, 劉凱, 哈姆扎·依瑪茲, 安岳翰, 安荷·叭剌, 張曉天, 薛彥迅, 魯軍 申請(qǐng)人:萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司