專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有容易被加工誤差改變特征的功能部分的半導(dǎo)體器件，以及一種該半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
在垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)中，成對(duì)的多層膜反射器被形成在基板上，且作為發(fā)光區(qū)域的有源層被形成于成對(duì)的多層膜反射器之間。在一個(gè)多層膜反射器中，為了提高注入到有源層的電流效率并降低閾值電流，提供了具有限制電流注入?yún)^(qū)域的結(jié)構(gòu)的電流限制層。而且，柱狀臺(tái)被形成于半導(dǎo)體層中。上部電極被提供于臺(tái)的上面?zhèn)?。下部電極被提供于基板的背面?zhèn)?。用于發(fā)射激光的孔被提供于上部電極中。在VCSEL中，從上部電極和下部電極注入的電流由電流限制層限制，并且之后被注入到發(fā)射光的有源層中。雖然光重復(fù)地被成對(duì)的多層膜反射器反射，但是光作為激光從孔中發(fā)射。前述電流限制層通常通過(guò)自臺(tái)的側(cè)面氧化AlAs層來(lái)形成。過(guò)去，例如，電流限制層通過(guò)由氧化時(shí)間控制氧化限制直徑(作為非氧化區(qū)域的電流注入?yún)^(qū)域直徑)來(lái)形成。另外，如日本公開(kāi)號(hào)為2001-210908未審專(zhuān)利申請(qǐng)中所描述的，電流限制層通過(guò)在一個(gè)晶片中形成用于監(jiān)控的臺(tái)和通過(guò)由與包括在臺(tái)中的AlAs層疊層面中的氧化區(qū)域?qū)?yīng)的反射系數(shù)變化來(lái)控制氧化限制直徑而形成。然而，AlAs層的氧化速度主要依賴(lài)于AlAs層的厚度、雜質(zhì)濃度等，以及基板溫度和反應(yīng)氣體的供應(yīng)流速。因此，大體上，氧化限制直徑的再現(xiàn)性差，且氧化限制直徑即使在一個(gè)晶片面上也會(huì)變化。結(jié)果，即使當(dāng)使用前述方法時(shí)，由這種差的再現(xiàn)性和晶片面中氧化限制直徑變化所導(dǎo)致的氧化限制直徑的誤差通常都大于氧化限制直徑所必須的精確值 (例如士 0.5μπι或更多)，從而導(dǎo)致由一個(gè)晶片獲得的VCSEL數(shù)量(產(chǎn)量)的減少。

發(fā)明內(nèi)容
因此，例如有以下方法。即，如圖43中所示，具有相互不同臺(tái)直徑RlOl至R103的多個(gè)臺(tái)MlOl至Μ103被形成于一個(gè)晶片面中。包括于其中的AlAs層(未示出)被氧化以形成其中形成有相互不同的氧化限制直徑a1(ll至^l3的非氧化區(qū)域115B。因此，在這些臺(tái)中的一個(gè)中，形成具有與給定標(biāo)準(zhǔn)( 士 Δχ)對(duì)應(yīng)的氧化限制直徑的非氧化區(qū)域115Β(參考圖44)。圖43中的虛線示出了在氧化處理之后將晶片分成小的芯片的切片位置。當(dāng)使用前述方法時(shí)，容易形成具有與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的氧化限制直徑的VCSEL。然而，當(dāng)然也設(shè)置了具有不與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的氧化限制直徑的VCSEL。因此，存在的不足在于， 由于臺(tái)直徑的類(lèi)型數(shù)增加了，因此產(chǎn)量降低了。而且，在具有容易被加工誤差改變特征的功能部分的半導(dǎo)體器件中也會(huì)發(fā)生上述不足?？紤]到上述情況，在本發(fā)明中希望提供一種能夠顯著增加產(chǎn)量的半導(dǎo)體器件制造方法以及通過(guò)該方法制造的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種包括具有至少一個(gè)參數(shù)值相互不同的多個(gè)功能部分的半導(dǎo)體器件。在本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，提供了具有至少一個(gè)參數(shù)值相互不同的多個(gè)功能部分。因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整單個(gè)參數(shù)值，在制造步驟中能形成與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分。前述給定標(biāo)準(zhǔn)可以是一個(gè)或多個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種包括下述步驟A至C的半導(dǎo)體器件的第一種制造方法A 第一形成步驟，在基板上形成半導(dǎo)體層，之后對(duì)于每個(gè)單位芯片面積，在半導(dǎo)體層中形成具有至少一個(gè)參數(shù)值相互不同的作為一組的多個(gè)功能部分；B.測(cè)量和評(píng)估步驟，測(cè)量和評(píng)估根據(jù)參數(shù)值而改變的對(duì)象；和C.分割步驟，對(duì)于每個(gè)芯片面積分割基板，從而，作為評(píng)估結(jié)果的與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分不被斷開(kāi)。前述給定標(biāo)準(zhǔn)可以是一個(gè)或多個(gè)。在制造半導(dǎo)體器件的第一種方法中，對(duì)于每個(gè)單元芯片面積，具有相互不同的至少一個(gè)參數(shù)值的多個(gè)功能部分形成于半導(dǎo)體層中。因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整單個(gè)參數(shù)值，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都能形成與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分。例如，當(dāng)制造具有容易被加工誤差改變特征的功能部分的半導(dǎo)體器件時(shí)，通過(guò)考慮到該誤差設(shè)置單個(gè)功能部分的至少一個(gè)參數(shù)值相互不同，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都能必定形成與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分。而且，當(dāng)提供多個(gè)給定標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)考慮到誤差設(shè)置單個(gè)功能部分的至少一個(gè)參數(shù)值相互不同，對(duì)于每一單位芯片面積都能必定形成與至少一個(gè)給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分。當(dāng)對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都存在與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的多個(gè)功能部分時(shí)，例如，根據(jù)目的和用途能同時(shí)選擇或使用多個(gè)功能部分。當(dāng)存在與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分時(shí)，例如可以進(jìn)行以下操作。例如，當(dāng)與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分不會(huì)不利地影響與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分時(shí)，原樣留下與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分。同時(shí)，當(dāng)與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分稍微不利地影響與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分時(shí)，優(yōu)選將不與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分?jǐn)嚅_(kāi)到不會(huì)引起不利作用的程度，或者優(yōu)選地將其去除。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了制造包括以下步驟A至D的半導(dǎo)體器件的第二種制
造方法。A.第一形成步驟，在基板上形成半導(dǎo)體層，之后對(duì)于每個(gè)單位芯片面積，分別在半導(dǎo)體層中形成多個(gè)第一功能部分和多個(gè)第二功能部分，該第一功能部分具有相互共用的每個(gè)參數(shù)值，以及第二功能部分具有相互共用的每個(gè)參數(shù)值，并且至少一個(gè)參數(shù)值與第一功能部分中的參數(shù)值不同；B.第二形成步驟，形成與第一功能部分中的一個(gè)和第二功能部分中的一個(gè)對(duì)應(yīng)的共用電極；C.測(cè)量和評(píng)估步驟，測(cè)量和評(píng)估根據(jù)參數(shù)值而變化的對(duì)象；和
D.分割步驟，分割基板以將在共用電極中作為評(píng)估結(jié)果的與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域與在共用電極中作為評(píng)估結(jié)果的與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域分離開(kāi)。在半導(dǎo)體器件的第二種制造方法中，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積，具有相互共用的每個(gè)參數(shù)值的多個(gè)第一功能部分和其中每個(gè)參數(shù)值相互共用且至少一個(gè)參數(shù)值與第一功能部分的參數(shù)值不同的多個(gè)第二功能部分分別被形成于半導(dǎo)體層中。因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整單個(gè)參數(shù)值，與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分能被形成在半導(dǎo)體層中。而且，在對(duì)應(yīng)于第一功能部分中的一個(gè)和第二功能部分中的一個(gè)形成共用電極之后，分割基板使得在共用電極中與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域和在共用電極中與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域分開(kāi)。因此，在半導(dǎo)體層上形成的電極數(shù)目會(huì)比對(duì)于每個(gè)功能部分形成電極的情況降低很多。在本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，包括至少一個(gè)參數(shù)值相互不同的多個(gè)功能部分。因此，在制造步驟中存在與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分。由此，在制造步驟中， 不會(huì)引起如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分的芯片(半導(dǎo)體器件)的浪費(fèi)，導(dǎo)致很大程度上增加了產(chǎn)量。根據(jù)半導(dǎo)體器件的第一種制造方法，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都形成具有相互不同的至少一個(gè)參數(shù)值的多個(gè)功能部分。因此，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都存在與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分。由此，不會(huì)引起如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分的芯片 (半導(dǎo)體器件)的浪費(fèi)，導(dǎo)致很大程度上增加了產(chǎn)量。根據(jù)半導(dǎo)體器件的第二種制造方法，在半導(dǎo)體層中，對(duì)于每個(gè)單位芯片區(qū)域都分別形成多個(gè)第一功能部分和多個(gè)第二功能部分。因此，在半導(dǎo)體層中存在與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分。由此，不會(huì)引起如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分的整個(gè)晶片的浪費(fèi)，導(dǎo)致很大程度上增加了產(chǎn)量。而且，在對(duì)應(yīng)于第一功能部分中的一個(gè)和第二功能部分中的一個(gè)形成共用電極之后，分割該基板，使得在共用電極中與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域和在共用電極中與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域分開(kāi)。由此，包含與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分并能夠從一個(gè)晶片獲得的芯片的數(shù)量比對(duì)于每一功能部分形成電極的情況增加很多，并且提高了產(chǎn)量。根據(jù)以下描述，可更加全面地理解本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的俯視圖；圖2是示出沿著圖1半導(dǎo)體激光器的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖3是示出沿著圖1半導(dǎo)體激光器的箭頭B-B取得的橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖4是示出圖1半導(dǎo)體激光器的改進(jìn)的俯視圖；圖5是用于說(shuō)明臺(tái)直徑和氧化限制直徑之間關(guān)系的實(shí)例的關(guān)系圖；圖6是用于說(shuō)明臺(tái)直徑和氧化限制直徑之間關(guān)系的另一實(shí)例的關(guān)系圖；圖7是用于說(shuō)明在臺(tái)直徑和氧化限制直徑之間關(guān)系的又一實(shí)例的關(guān)系圖；圖8是用于說(shuō)明圖1半導(dǎo)體激光器的制造工藝的橫截面圖；圖9是說(shuō)明圖8之后步驟的俯視圖10是示出沿著圖9的箭頭C-C取得的橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖IlA和IlB是用于說(shuō)明圖9之后的步驟的橫截面和俯視圖；圖12是用于說(shuō)明圖IlA和IlB之后步驟的俯視圖；圖13是示出沿著圖12的箭頭D-D取得的橫截面結(jié)構(gòu)；圖14是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的俯視圖；圖15是用于說(shuō)明圖14半導(dǎo)體激光器制造工藝的俯視圖；圖16是用于說(shuō)明圖18半導(dǎo)體激光器制造工藝的俯視圖；圖17是用于說(shuō)明圖19半導(dǎo)體激光器制造工藝的的俯視圖；圖18是示出圖14半導(dǎo)體激光器的改進(jìn)的俯視圖；圖19是示出圖14半導(dǎo)體激光器的另一改進(jìn)的俯視圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的俯視圖；圖21是用于說(shuō)明圖20半導(dǎo)體激光器制造工藝的俯視圖；圖22是圖21之后的步驟的俯視圖；圖23是示出圖20半導(dǎo)體激光器的另一改進(jìn)的俯視圖；圖M是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的俯視圖；圖25是用于說(shuō)明圖M半導(dǎo)體激光器的制造工藝的橫截面圖；圖沈是說(shuō)明圖25之后的步驟的俯視圖；圖27是示出圖M半導(dǎo)體激光器的另一改進(jìn)的俯視圖；圖觀是示出圖M半導(dǎo)體激光器的又一改進(jìn)的俯視圖；圖四是示出沿著圖觀的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖30是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的俯視圖；圖31是示出沿著圖30半導(dǎo)體激光器的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖32是用于說(shuō)明圖30半導(dǎo)體激光器制造工藝的橫截面圖；圖33是用于說(shuō)明圖32之后的步驟的橫截面圖；圖34是用于說(shuō)明圖33之后的步驟的截面圖；圖35是圖34晶片的俯視圖；圖36是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的俯視圖；圖37A、37B和37C是示出沿著圖36半導(dǎo)體激光器的箭頭A_A、B-B和C-C取得的橫截面的圖；圖38是用于說(shuō)明圖36半導(dǎo)體激光器的制造步驟的俯視圖；圖39是示出沿著圖38的晶片的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖40A、40B和40C是示出圖36半導(dǎo)體激光器的改進(jìn)的橫截面圖；圖41是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的光檢測(cè)裝置的俯視圖；圖42是示出沿著圖41的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)的圖；圖43是用于說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體激光器的制造步驟的俯視圖；和圖44是用于說(shuō)明臺(tái)直徑和氧化限制直徑之間的關(guān)系又一實(shí)例的關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式參考附圖給出本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)描述。
第一實(shí)施例圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的垂直腔面激光發(fā)射器(VCSEL) 1的俯視圖。圖 2示出了沿著圖1的VCSEL 1的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)。圖3示出了沿著圖1的VCSEL 1的箭頭B-B取得的橫截面結(jié)構(gòu)或者示出了沿著圖2的VCSEL 1的箭頭C-C取得的橫截面結(jié)構(gòu)?；谂_(tái)直徑作為參數(shù)，VCSEL 1包括具有相互不同臺(tái)直徑Rl至R4的四個(gè)臺(tái)Ml至 M4。臺(tái)Ml至M4被形成于與現(xiàn)有VCSEL相同的芯片面積中。芯片面積通常通過(guò)處理芯片中的可使用性來(lái)限定。例如，芯片面積約為具有一側(cè)長(zhǎng)度L為300 μ m的方形面積(300 μ m X 300 μ m)。而且，臺(tái)Ml至M4被設(shè)置在芯片中以至少不通過(guò)切割分割臺(tái)M2，這就足夠了。例如，如圖1中所示，臺(tái)Ml至M4可成排地設(shè)置。另外，如圖4中所示，臺(tái)Ml至M4可設(shè)置成Z字形。為了方便起見(jiàn)，將給出臺(tái)Ml至M4被成排設(shè)置的情況下的描述。VCSEL 1包括在基板10 —側(cè)上的半導(dǎo)體層20。半導(dǎo)體層20具有其中從基板10側(cè)以順序?qū)盈B的下部DBR反射層11、下部覆層12、有源層13、上部覆層14、電流限制層15 (功能部分)、上部DBR反射層16和接觸層17結(jié)構(gòu)。如以下所描述的，在半導(dǎo)體層20中的下部 DBR反射層11、下部覆層12、有源層13、上部覆層14、電流限制層15、上部DBR反射層16和接觸層17中的一部分中，通過(guò)自接觸層側(cè)17至部分下部DBR反射層11選擇性地蝕刻來(lái)分別形成臺(tái)Ml至M4。例如，基板10是η型GaAs基板。在下部DBR反射層11中，層疊多組低折射率層 (未示出)和高折射率層(未示出)。低折射率層例如由具有λ/4(λ是振蕩波長(zhǎng))光學(xué)厚度的η型Alxl(iai_xlAS(0<Xl < 1)制成。高折射率層例如由具有λ/4光學(xué)厚度的η型 Alx2Ga1^x2As (0 < χ2 < 1)制成。作為η型雜質(zhì)，例如有硅(Si)、硒(Se)等。下部覆層12例如由Alx3Gai_x3AS (0 < χ3 < 1)制成。有源層13例如由GaAs材料制成。在有源層13中，面對(duì)形成在臺(tái)Μ2中的非氧化區(qū)域15Β (稍后描述)部分的區(qū)域是光發(fā)射區(qū)域13Α。上部覆層16例如由Alx4(iai_x4AS(0 < x4 < 1)制成。優(yōu)選下部覆層12、有源層13和上部覆層14不含雜質(zhì)，但是可含有ρ型雜質(zhì)或η型雜質(zhì)。作為ρ型雜質(zhì)，例如有鋅 (Si)、鎂(Mg)、鈹(Be)等。電流限制層15具有在臺(tái)Ml至Μ4的每個(gè)外部邊緣區(qū)域上的氧化區(qū)域15Α，和在臺(tái) Ml至Μ4的每個(gè)中心區(qū)域中的非氧化區(qū)域15Β。非氧化區(qū)域15Β例如由ρ型Alx5GiVx5As (0<χ5彡1)制成。如稍后描述的，上部電極22形成于臺(tái)Μ2的頂面上。因此，在臺(tái)Μ2中形成的非氧化區(qū)域15Β部分用作電流注入?yún)^(qū)域，以從上部電極22將電流注入到有源層13。另一方面，如稍后將描述的，臺(tái)Ml、Μ3和 M4被保護(hù)膜21覆蓋。因此，電流不會(huì)流入到在臺(tái)M1、M3和M4中形成的非氧化區(qū)域15B部分中。氧化區(qū)域15A含有Al2O3 (氧化鋁)。如稍后描述的，氧化區(qū)域15A通過(guò)從臺(tái)Ml至 M4的側(cè)面氧化包含在AlGaAs層15D (前體氧化限制層)中的高度集中的Al來(lái)獲得。AlGaAs 層15D由組成半導(dǎo)體層20的各層當(dāng)中能夠非常容易地被氧化的材料制成。在臺(tái)M2中形成的氧化區(qū)域15A部分用作限制注入到有源層13中的電流的電流限制區(qū)域，但是在臺(tái)M1、M3 和M4中形成的氧化區(qū)域15A部分不具有電流限制功能，這是由于電流不流入到上述臺(tái)Ml、M3和M4中。即，在臺(tái)Ml至M4當(dāng)中，僅臺(tái)M2用作激光器，和臺(tái)M1、M3和M4不用作激光器。 然而，臺(tái)M4通過(guò)切割分開(kāi)。因此，臺(tái)M4最初不具有振蕩激光的能力。在上部DBR反射層16中，層疊多組低折射率層(未示出)和高折射率層(未示出)。低折射率層由光學(xué)厚度例如為Y/4的ρ型Alx6(iai_x6AS(0 < x6 < 1)制成。高折射率層由光學(xué)厚度例如為Y/4的ρ型Alx7Gai_x7AS (0 < x7 < 1)制成。接觸層17例如由ρ型 GaAs制成。該實(shí)施例的VCSEL 1還在臺(tái)Ml、M3和M4的頂面和側(cè)面上；在臺(tái)M2的側(cè)面上；和在臺(tái)Ml至M4的周?chē)鷧^(qū)域的表面上形成有保護(hù)膜21。而且，環(huán)形上部電極22形成于臺(tái)M2 的頂面(接觸層17的表面)的外部邊緣區(qū)域上。其中心區(qū)域即對(duì)應(yīng)于前述非氧化區(qū)域15B 的區(qū)域是孔22A。上部電極22電連接到在遠(yuǎn)離臺(tái)Ml至M4的位置處的保護(hù)膜21表面上形成的電極墊23。而且，下部電極M形成于基板10的背面上。保護(hù)膜21由絕緣材料如氧化物和氮化物形成。保護(hù)膜21使電極墊23和下部DBR 反射層11/臺(tái)M2的側(cè)面相絕緣。在上部電極22和電極23中，例如，以下述順序?qū)盈B鈦(Ti) 層、鉬(Pt)層和金(Au)層。上部電極22和電極墊23電連接到接觸層17。下部電極對(duì)具有其中金(Au)和鍺(Ge)的合金層、鎳(Ni)層和金(Au)層從基板10側(cè)順序?qū)盈B并電連接到基板10的結(jié)構(gòu)。在該實(shí)施例的VCSEL 1中，各臺(tái)Ml至M4例如為圓柱形形狀?？紤]到在標(biāo)準(zhǔn)氧化深度b中產(chǎn)生的最大誤差士 Δ y，設(shè)置各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl至R4，其中該標(biāo)準(zhǔn)氧化深度 b通過(guò)用在稍后描述的氧化步驟中氧化各臺(tái)Ml至M4的AlGaAs層15D形成非氧化區(qū)域15B 時(shí)的氧化時(shí)間乘以標(biāo)準(zhǔn)氧化速度(稍后描述)來(lái)獲得?？傊趸拗浦睆奖粐?yán)格地設(shè)置為能獲得對(duì)于給定目的和用途所必須的激光特性的值。氧化限制直徑所必需的精確度根據(jù)目的和用途稍微變化。然而，總之，通常的情況是這種精確度比在氧化步驟中產(chǎn)生的氧化限制直徑的誤差更嚴(yán)格。因此，該實(shí)施例中，假設(shè)氧化深度b具有最大誤差士 Δ y，例如圖5中所示，則各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl至R4被設(shè)置成使得各臺(tái)Ml至M4的至少一個(gè)氧化限制直徑與在給定目的和用途中的氧化限制直徑所必須的容差(a10±Ax10)對(duì)應(yīng)。例如，當(dāng)a10是9· 5μπι，Δ X1。為約0. 5 μ m，和Ay為約2μπι 時(shí)，將臺(tái)Ml的直徑Rl設(shè)置成例如觀μ m( = a10+ Δ x10+b-Ay)，將臺(tái)M2的直徑R2設(shè)置成例如 29 μ m( = Rl+2Ax10)，將臺(tái) M3 的直徑 R3 設(shè)置成例如 30 μ m( = R2+2Ax10 = R4-2Ax10)，和將臺(tái)M4的直徑R4設(shè)置為例如31 μ m ( = a10- Δ x10+b+ Δ y)。由此，當(dāng)氧化深度b為20 μ m士Ay 或更少時(shí)，氧化限制直徑 至 中的至少一個(gè)當(dāng)然與給定標(biāo)準(zhǔn)(a1(l士Axltl)對(duì)應(yīng)。而且，例如，當(dāng)提供相互接近的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，假設(shè)氧化深度b具有最大誤差士 Δ y， 例如圖6中所示，各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl至R4被設(shè)置成使得各臺(tái)Ml至M4的至少一個(gè)氧化限制直徑與給定目的和用途中氧化限制直徑所必須的一個(gè)容差(altl± Δχ1(ι和an 士 Δχη) 相對(duì)應(yīng)。由此，當(dāng)氧化深度b的誤差是士 Ay或更小時(shí)，氧化限制直徑％至&中的至少一個(gè)當(dāng)然與多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)中的一個(gè)(a1Q士 Axltl和ail士 Δχη)相對(duì)應(yīng)。而且，例如，當(dāng)提供多個(gè)互不接近的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，假設(shè)氧化深度b具有最大誤差士 Δ y， 例如圖7中所示，則各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl至R4被設(shè)置成使得各臺(tái)Ml至M4的至少一個(gè)氧化限制直徑與給定目的和用途中氧化限制直徑所必須的容差(a12±AXl2)對(duì)應(yīng)，和各臺(tái)Ml至M4的至少一個(gè)氧化限制直徑與給定目的和用途中氧化限制直徑所必須的容差(a13 士 Δχ13)對(duì)應(yīng)。由此，當(dāng)氧化深度b的誤差是士 Ay或更小時(shí)，氧化限制直徑 至 中的至少一個(gè)當(dāng)然與一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)(a12士 Δχ12)相對(duì)應(yīng)，且氧化限制直徑 至 中的至少一個(gè)當(dāng)然與其他標(biāo)準(zhǔn)(a13±Ax13)對(duì)應(yīng)。盡管稍后詳細(xì)描述，但是在該實(shí)施例的VCSEL 1中，作為在測(cè)量和評(píng)估步驟中將臺(tái)M2選為具有與給定標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)的氧化限制直徑的臺(tái)的結(jié)果，在臺(tái)M2的頂面上形成上部電極22，和電極墊23電連接到上部電極22。在具有前述結(jié)構(gòu)的VCSEL 1中，當(dāng)將給定電壓施加到上部電極22和下部電極M 之間時(shí)，通過(guò)在臺(tái)M2中形成的非氧化區(qū)15B部分將電流注入到有源層13中。由此，由于電子空穴的復(fù)合導(dǎo)致光發(fā)射。這種光被下部DBR反射層11和上部DBR反射層16反射。以給定波長(zhǎng)產(chǎn)生激光振蕩。之后，作為激光束從孔22A向外部發(fā)射該光。例如，如下制造根據(jù)本實(shí)施例的VCSEL 1。圖8至圖13示出了按步驟順序的VCSEL 1的制造方法。圖8示出了制造過(guò)程中部分晶片的橫截面結(jié)構(gòu)。圖9示出了在制造過(guò)程中的部分晶片表面。圖10是沿著圖9的箭頭C-C取得的橫截面結(jié)構(gòu)。圖IlA示出了經(jīng)氧化處理的圖10的晶片的橫截面結(jié)構(gòu)。圖 IlB示出了圖IlA的部分晶片表面。圖12示出了當(dāng)在圖IlB的晶片上形成上部電極22時(shí)的頂面結(jié)構(gòu)。圖13示出了沿著圖12的箭頭D-D取得的橫截面結(jié)構(gòu)。圖12中的虛線示出了將晶片分成小的芯片的切割位置。在此，由GaAs制成的半導(dǎo)體層IOD上的半導(dǎo)體層20D例如由MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法形成。作為III-V族化合物半導(dǎo)體的原料，例如，使用三甲基鋁(TMA)、三甲基鎵(TMG)、三甲基銦(TMIn)或氫化砷(AsH3)。作為施主雜質(zhì)的原料，例如使用硒化氫 (H2Se) 0作為受主雜質(zhì)的原料，例如，使用二甲基鋅(DMZ)。在“基板10D”末尾的符號(hào)“D” 表示形成VCSEL 1的基板10處于過(guò)程中間。在其他元件末尾的符號(hào)“D”具有相同含義。形成步驟首先，在基板IOD上方以順序疊層下部DBR反射層11D、下部覆層12D、有源層13D、 上部覆層14D、AWaAs層15D (前體電流限制層)、上部DBR反射層16D和接觸層17D (圖8)。 之后，選擇性地蝕刻下部DBR反射層IlD的部分、下部覆層12D、有源層13D、上部覆層14D、 AlGaAs層15D、上部DBR反射層16D和接觸層17D，并由此對(duì)于每單位芯片面積形成具有相互不同臺(tái)直徑Rl至R4的四個(gè)臺(tái)Ml至M4(圖9和圖10)。由此，AWaAs層15D暴露在各臺(tái) Ml至M4的端面上。單位芯片面積意味著當(dāng)通過(guò)切割將一個(gè)晶片分成小的芯片時(shí)的一個(gè)芯片所占據(jù)的面積。該實(shí)施例的單位芯片面積是等于現(xiàn)有VCSEL面積的面積，且例如是約 300 μ mX300 μ m的面積。因此，該實(shí)施例中，與對(duì)于每單位芯片面積僅形成一個(gè)臺(tái)的情況相比(參考圖25)，每單位芯片面積的臺(tái)的數(shù)量增加四倍。接下來(lái)，在水蒸氣氣氛中于高溫下進(jìn)行氧化處理，以選擇性地從各臺(tái)Ml至M4的側(cè)面氧化AlGaAs層15D的Al (圖IlA和11B)。由此，AlGaAs層15D中的各臺(tái)Ml至M4的外部邊緣區(qū)是含有Al2O3 (氧化鋁)的氧化區(qū)域15A，和各臺(tái)Ml至M4的中心區(qū)域是非氧化區(qū)域15B。由此，形成了電流限制層15。此時(shí)，基于AKiaAs層15D的標(biāo)準(zhǔn)氧化速度控制氧化時(shí)間，該標(biāo)準(zhǔn)氧化速度通過(guò) AlGaAs層15D的厚度、雜質(zhì)濃度等以及基板IOD的溫度和反應(yīng)氣體的供應(yīng)流速估算。由此，
10盡可能多地降低了各臺(tái)Ml至M4的非氧化區(qū)域15B的直徑(氧化限制直徑) 至&的誤差。測(cè)量和評(píng)估步驟接下來(lái)，例如通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀測(cè)各臺(tái)Ml至M4的頂面。測(cè)量各臺(tái)Ml至M4的氧化限制直徑％至a4，并且評(píng)估％到&當(dāng)中什么樣的氧化限制直徑與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。通過(guò)測(cè)量氧化限制直徑％到&并比較測(cè)量值和給定標(biāo)準(zhǔn)，能間接地評(píng)估各臺(tái)Ml到M4的激光特性。評(píng)估的結(jié)果中，例如可以發(fā)現(xiàn)以下問(wèn)題。S卩，在圖5的情況下，臺(tái)M2的氧化限制直徑 與給定標(biāo)準(zhǔn)(a1(l士 Δχ1(ι)對(duì)應(yīng)。在圖6的情況下，臺(tái)Μ2的氧化限制直徑 與給定標(biāo)準(zhǔn)(altl士 Δ χ10)對(duì)應(yīng)，和臺(tái)Μ3的氧化限制直徑 以及臺(tái)Μ4的氧化限制直徑 與給定標(biāo)準(zhǔn) (an士 Δχη)對(duì)應(yīng)。在圖7的情況下，臺(tái)Μ2的氧化限制直徑 與給定標(biāo)準(zhǔn)(a12± Δχ12)對(duì)應(yīng)，和臺(tái)Μ4的氧化限制直徑 與給定標(biāo)準(zhǔn)(a13士 Δχ13)對(duì)應(yīng)。由此，在圖5的情況下，臺(tái)Μ2 可根據(jù)目的和用途來(lái)選擇。在圖6的情況下，臺(tái)Μ2到Μ4可根據(jù)目的和用途來(lái)選擇。在圖 7的情況下，臺(tái)Μ2到Μ4可根據(jù)目的和用途來(lái)選擇。在此，出于方便起見(jiàn)選擇了臺(tái)Μ2。接下來(lái)，形成在所選臺(tái)Μ2的頂面上的具有孔的保護(hù)膜21。之后，在臺(tái)Μ2的頂面上形成具有孔22Α的上部電極22 (圖12和圖13)。而且，在與臺(tái)Ml到Μ4間隔開(kāi)的位置處的保護(hù)膜21上形成電連接到上部電極22的電極墊23。下部電極M形成于基板10背面?zhèn)壬?。分割步驟最后，通過(guò)例如在圖12的虛線位置處切割將晶片分割成芯片，使得至少不斷開(kāi) (分割)臺(tái)Μ2。如上所述，制造了該實(shí)施例的VCSEL 1。如上所述，通常的情形都是氧化步驟中產(chǎn)生的氧化限制直徑的誤差大于氧化限制直徑所必須的精確度。因此，當(dāng)對(duì)于晶片的每個(gè)單位芯片面積形成具有相同臺(tái)直徑的一個(gè)臺(tái)時(shí)，可能從一個(gè)晶片并不能獲得具有與給定標(biāo)準(zhǔn)相應(yīng)的氧化限制直徑的芯片。因此，列舉以下方法。即，如圖43中所示出的，對(duì)于一個(gè)晶片的每個(gè)單位芯片面積都形成具有相互不同臺(tái)直徑RlOl至R103的多個(gè)臺(tái)MlOl至Μ103中的每一個(gè)，包括在其中的AlAs層(未示出)被氧化以形成具有相互不同的氧化限制直徑alOl至al03的非氧化區(qū)域115B。這種情況下，可能在多個(gè)臺(tái)MlOl至M103中的一個(gè)臺(tái)中，形成了具有與給定標(biāo)準(zhǔn) Oic^Aa)相應(yīng)的氧化限制直徑的非氧化區(qū)域115B(參考圖44)。然而，自然設(shè)置了具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的氧化限制直徑的芯片。因此，臺(tái)直徑類(lèi)型數(shù)量越大，設(shè)置芯片的比率就越大，導(dǎo)致了產(chǎn)量降低。同時(shí)，該實(shí)施例中，各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl至R4分別被設(shè)置成使得各臺(tái)Ml至M4 的至少一個(gè)氧化限制直徑必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。由此，即使當(dāng)氧化步驟中所產(chǎn)生的氧化限制直徑％至&的誤差大于氧化限制直徑所必需的精確度時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積必定也能形成與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)臺(tái)。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致很大地增加產(chǎn)量。第二實(shí)施例在該實(shí)施例的VCSEL 2中，各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl至R4被分別設(shè)置成使得各臺(tái) Ml至M4的至少一個(gè)氧化限制直徑必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。關(guān)于這一點(diǎn)，VCSEL 2具有與前述第一實(shí)施例的VCSEL 1共同的結(jié)構(gòu)。然而，該實(shí)施例的測(cè)量和評(píng)估方法與前述第一實(shí)施例的測(cè)量和評(píng)估方法于以下幾點(diǎn)不同。即，該實(shí)施例中，形成VCSEL 2直到在各臺(tái)Ml至M4 中能進(jìn)行激光振蕩。隨后，電流注入到各臺(tái)Ml至M4中。然后，測(cè)量各臺(tái)Ml至M4的激光特性，并且評(píng)估測(cè)量值是否與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。而且，該實(shí)施例中的標(biāo)準(zhǔn)是針對(duì)一個(gè)或多個(gè)激光特性的容差，并且不同于前述第一實(shí)施例中的標(biāo)準(zhǔn)(氧化限制直徑的容差)。因此，以下將主要給出與前述第一實(shí)施例中不同點(diǎn)的描述。適當(dāng)?shù)厥÷粤伺c前述第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)、操作和效果的描述。圖14示出了該實(shí)施例VCSEL 2的頂面結(jié)構(gòu)。在VCSEL 2中，具有孔22A的上部電極22形成于各臺(tái)Ml至M4的頂面上，和電極墊23對(duì)于各臺(tái)Ml至M4的每個(gè)上部電極22分別地形成。以與前述第一實(shí)施例相同的方式，在等于現(xiàn)有VCSEL的面積的芯片面積中形成四個(gè)臺(tái)Ml至M4。例如，在芯片中以網(wǎng)格形狀設(shè)置各臺(tái)Ml至M4。將臺(tái)M2設(shè)置在例如芯片中心的位置，以使臺(tái)M2不被切割分割。將臺(tái)Ml例如設(shè)置在夾著臺(tái)M2的一對(duì)端面附近，并通過(guò)切割將其分割。將臺(tái)M3例如設(shè)置在四個(gè)拐角附近，并通過(guò)切割將其分割。將臺(tái)M4例如設(shè)置在不同于夾著臺(tái)M2的一對(duì)端面的一對(duì)端面附近，并通過(guò)切割將其分割。因此，臺(tái)Ml 至M4當(dāng)中僅臺(tái)M2用作激光器；和臺(tái)M1、M3和M4不用作激光器。圖15示出了在制造過(guò)程中的部分晶片表面。對(duì)于每個(gè)單位芯片面積形成四個(gè)臺(tái) Ml至M4。具有孔22A的上部電極22形成于各臺(tái)Ml至M4的頂面上，且對(duì)于各臺(tái)Ml至M4 的每個(gè)上部電極22分別形成電極墊23。盡管未示出，但是在基板10的后面?zhèn)壬闲纬上虏侩姌O24。即，在晶片表面中，各臺(tái)Ml至M4能振蕩激光。測(cè)量和評(píng)估步驟在形成晶片以使各臺(tái)Ml至M4能振蕩激光之后，將電壓施加到各臺(tái)Ml至M4的上部電極22和下部電極M之間，以在各臺(tái)Ml至M4中震蕩激光，并從每個(gè)孔22A發(fā)出激光。 此時(shí)，如下列各項(xiàng)測(cè)量各臺(tái)Ml至M4的激光特性。例如，測(cè)量從每個(gè)孔22A發(fā)射出的激光的特性(例如光輸出和NFP)，并測(cè)量各臺(tái)Ml至M4的閾值電流。評(píng)估測(cè)量值是否與根據(jù)給定目的和用途設(shè)置的給定標(biāo)準(zhǔn)組合相對(duì)應(yīng)。即，該實(shí)施例中，不與前述第一實(shí)施例中相同地通過(guò)比較氧化限制直徑的測(cè)量值和給定標(biāo)準(zhǔn)來(lái)間接地評(píng)估各臺(tái)Ml至M4的激光特性。該實(shí)施例中，直接地評(píng)估各臺(tái)Ml至M4的激光特性。由此，以比前述第一實(shí)施例中的評(píng)估方法高的精確度選擇具有與給定目的和用途相匹配的激光特性的臺(tái)。在該實(shí)施例中，評(píng)估的結(jié)果是， 為了方便起見(jiàn)選擇臺(tái)M2。分割步驟最后，通過(guò)例如在圖15的虛線位置處切割將晶片分割成芯片，使得至少不斷開(kāi) (分割)所選臺(tái)M2。如上所述，制造了該實(shí)施例的VCSEL 2。在該實(shí)施例的VCSEL 2中，以與前述實(shí)施例相同的方式，將各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl 至R4分別設(shè)置成使得各臺(tái)Ml至M4的至少一個(gè)氧化限制直徑必定與給定標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)。由此，即使當(dāng)氧化步驟中產(chǎn)生的氧化限制直徑％至&的誤差大于氧化限制直徑所必須的精確度時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積必定能形成與給定標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)臺(tái)。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大增加。第二實(shí)施例的改進(jìn)當(dāng)在氧化步驟中產(chǎn)生的氧化限制直徑的誤差不是很大時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積不必形成很大量的臺(tái)Ml至M4。例如，如圖16中所示，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積在一排上形成兩個(gè)臺(tái)M2和M3。否則，如圖17中所示，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積將兩個(gè)臺(tái)M2和M3形成為之字形。之后，可進(jìn)行與前述測(cè)量和評(píng)估相似的測(cè)量和評(píng)估。當(dāng)在評(píng)估結(jié)果中選擇臺(tái)M2時(shí)， 例如，可以根據(jù)圖16的虛線進(jìn)行切割，并由此形成圖18中示出的半導(dǎo)體激光器，或者可以根據(jù)圖17的虛線進(jìn)行切割，并由此形成圖19中示出的半導(dǎo)體激光器。第三實(shí)施例在該實(shí)施例的VCSEL 4中，與切割相關(guān)的橫截面存在于與具有與給定目的和用途相匹配的激光特性的臺(tái)連接的電極墊25中。同時(shí)，在前述第二實(shí)施例中的VCSEL 2中，這種截面不存在于與具有和給定目的和用途匹配的激光特性的臺(tái)連接的電極墊23中。因此， 該實(shí)施例的VCSEL 4與前述第二實(shí)施例的VCSEL 2主要在于前述點(diǎn)不同。因此，以下將主要給出與前述第二實(shí)施例不同的方面的描述。適當(dāng)省略與前述第二實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)、操作、效果的描述。圖20示出了該實(shí)施例VCSEL 4的頂面結(jié)構(gòu)。VCSEL 4包括4種類(lèi)型的臺(tái)Ml至M4 和電極墊25。各臺(tái)Ml至M4例如圖20中所示地設(shè)置，以能夠用作激光器而不被切割斷開(kāi)。在電極墊25中，例如以順序地在保護(hù)膜21上方層疊Ti層、Pt層和Au層。電極墊25具有墊部分25A和四個(gè)(該數(shù)字等于芯片上的臺(tái)的數(shù)目)連接臂部分25B。墊部分25A是用于引線鍵合的部分和例如具有矩形形狀。各連接臂部分25B例如具有在給定方向上延伸的帶狀。每個(gè)連接臂部分25B的一端連接到墊部分25A。各連接臂部分25B中的一個(gè)的另一端直接連接到四種類(lèi)型臺(tái)Ml至M4中一個(gè)臺(tái)M2的上部電極22。 除了直接連接上部電極22的各連接臂部分25B中的另一端之外的其他端通過(guò)切割來(lái)切斷。 通過(guò)切斷形成的面(截面25C)暴露到芯片的端面上。因此，除了直接連接上部電極22的各連接臂部分25B中的另一端之外的其他端并不連接到臺(tái)Ml至M4的上部電極22。而且，部分電極墊25 (僅圖20中的連接臂部分25B)連接到三個(gè)臺(tái)M1、M3和M4各自的上部電極22，前述連接臂部分25B并不連接到四種類(lèi)型臺(tái)Ml至M4中的這三個(gè)臺(tái)。連接到三個(gè)臺(tái)Ml、M3和M4的各上部電極22的部分電極墊25 (以下稱(chēng)作“微電極墊”)通過(guò)切割切斷。通過(guò)切斷形成的面(每個(gè)截面25D)暴露到芯片的端面上。因此，三個(gè)臺(tái)M1、M3 和M4上的連接到微電極墊的上部電極22與臺(tái)M2上的不連接到微電極墊的上部電極22電分離。而且，連接到臺(tái)M2上的上部電極22的電極墊25具有比連接到臺(tái)Ml、M3和M4上的上部電極22的微電極墊大的面積。即，連接到臺(tái)M2上的上部電極22的電極墊25具有用于引線鍵合的足夠面積。因此，該實(shí)施例中，僅將臺(tái)M2驅(qū)動(dòng)為激光器。圖21示出了制造過(guò)程中的部分晶片表面。對(duì)于每個(gè)單位芯片面積將四種類(lèi)型的臺(tái)Ml至M4形成為一個(gè)組。具有孔22A的上部電極22形成于每組中的臺(tái)Ml至M4的頂面上。盡管未示出，但是在基板10后面?zhèn)壬闲纬上虏侩姌OM。即，在晶片中，各臺(tái)Ml至M4能振蕩激光。電極墊形成步驟在形成晶片以使各臺(tái)Ml至M4能振蕩激光之后，具有氧化限制直徑相互不同的一個(gè)臺(tái)選自多個(gè)相互相鄰的組當(dāng)中的每一組。例如，具有相互不同氧化限制直徑的四種類(lèi)型的臺(tái)Ml至M4中的每一個(gè)選自相互相鄰的四組中的每一組。之后，形成將所選各臺(tái)Ml至M4 相互連接的電極墊25 (圖22)。即，在該實(shí)施例中，并不對(duì)于各臺(tái)Ml至M4形成電極墊25，而是對(duì)于多個(gè)臺(tái)共同形成電極墊25。而且，不是對(duì)于具有相互相同的氧化限制直徑的多個(gè)臺(tái)共同地形成電極墊 25，而是對(duì)具有相互不同的氧化限制直徑的多個(gè)臺(tái)共同地形成電極墊25，且優(yōu)選對(duì)于具有相互不同的氧化限制直徑的各臺(tái)Ml至M4共同地形成電極墊25。而且，不是對(duì)于一個(gè)組中的多個(gè)臺(tái)共同地形成電極墊25，而是對(duì)于屬于相互不同組的多個(gè)臺(tái)共同地形成電極墊25。而且，對(duì)于晶片上的給定組，對(duì)于每個(gè)臺(tái)Ml至M4形成一個(gè)電極墊23而非電極墊 25 (未示出)。電極墊23是當(dāng)在下述測(cè)量和評(píng)估步驟中評(píng)估各個(gè)臺(tái)Ml至M4特性時(shí)用于測(cè)試的電極墊。然而，當(dāng)從共用電極墊25將電流提供到臺(tái)Ml至M4，將各臺(tái)Ml至M4驅(qū)動(dòng)為激光器，且由此評(píng)估各臺(tái)Ml至M4的特性時(shí)，則用于測(cè)試的電極墊23不必形成。測(cè)試和評(píng)估步驟接下來(lái)，將電壓施加到連接到用于測(cè)試的電極墊23的各臺(tái)Ml至M4的上部電極22 和下部電極M之間，以振蕩各臺(tái)Ml至M4中的激光，并且從每個(gè)孔22A發(fā)射激光。之后，如下測(cè)量各臺(tái)Ml至M4的激光特性。例如，測(cè)量從每個(gè)孔22A發(fā)射出的激光特性(例如光輸出和NFP)，且測(cè)量各臺(tái)Ml至M4的閾值電流。評(píng)估測(cè)量值是否與根據(jù)給定目的和用途設(shè)置的給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。即，在該實(shí)施例中，以與前述第二實(shí)施例中相同的方式直接評(píng)估各臺(tái)Ml 至M4的激光特性。由此，能以比前述第一實(shí)施例中的評(píng)估方法高的精確度選擇具有與給定目的和用途匹配的激光特性的臺(tái)。該實(shí)施例中，評(píng)估的結(jié)果是，為了方便起見(jiàn)選擇臺(tái)M2。(分割步驟)最后，在所選擇的臺(tái)M2的上部電極22和未選擇的臺(tái)Ml、M3和M4的上部電極22 之間的電連接被切斷。此外，通過(guò)例如在圖22中虛線位置處的切割將晶片分割成芯片，使得至少不斷開(kāi)(分割)所選臺(tái)M2。如上所述，制造了該實(shí)施例的VCSEL 4。在該實(shí)施例的VCSEL 4中，以與前述實(shí)施例相同的方式，分別設(shè)置各臺(tái)Ml至M4的直徑Rl至R4，使得各臺(tái)Ml至M4的至少一個(gè)氧化限制直徑當(dāng)然與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。由此，即使當(dāng)氧化步驟中產(chǎn)生的氧化限制直徑％至&的誤差大于氧化限制直徑所必須的精確度時(shí)， 對(duì)于每個(gè)單位芯片面積必定能形成與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)臺(tái)。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大增加。而且，該實(shí)施例中，在制造工藝中形成對(duì)于多個(gè)臺(tái)共用的電極墊25。因此，在晶片上的電極墊的數(shù)量比在對(duì)于單個(gè)臺(tái)形成電極墊的情況下降低很多。由此，可以降低對(duì)于每個(gè)單位芯片的面積并增加具有相互不同氧化限制直徑的臺(tái)的類(lèi)型(級(jí)(level))。因此，比對(duì)于單個(gè)臺(tái)形成電極墊的情況更加提高了產(chǎn)量。第三實(shí)施例的改進(jìn)在前述第三實(shí)施例中，設(shè)置各臺(tái)Ml至M4而不被切割斷開(kāi)，使得各臺(tái)Ml至M4可以被驅(qū)動(dòng)。然而，例如，如圖23中所示，可設(shè)置除了所選擇的臺(tái)M2之外的在切割時(shí)會(huì)被斷開(kāi)的三個(gè)臺(tái)Ml、M3和M4。然而，這種情況下，被斷開(kāi)的臺(tái)Ml、M3和M4的上部電極22根據(jù)切割位置可以通過(guò)電極墊25電連接到臺(tái)M2的上部電極22。為了避免這種電連接，必須通過(guò)切割切斷連接到臺(tái)M1、M2和M4的上部電極22的連接臂部分25B。第四實(shí)施例
前述第三實(shí)施例的VCSEL 4是包括臺(tái)的多個(gè)不同級(jí)的臺(tái)的VCSEL。同時(shí)，該實(shí)施例的VCSEL 5是包括多個(gè)相同級(jí)的臺(tái)的VCSEL。因此，該實(shí)施例的VCSEL 5與前述第三實(shí)施例的VCSEL主要在前述點(diǎn)不同。因此，以下主要給出與前述第三實(shí)施例中不同點(diǎn)的描述。適當(dāng)?shù)厥÷耘c前述第三實(shí)施例的那些相同的結(jié)構(gòu)、操作、效果以及制造步驟的描述。圖M示出了該實(shí)施例的VCSEL 5的頂面結(jié)構(gòu)。VCSEL 5是包括八個(gè)相同類(lèi)型的臺(tái) M2和對(duì)于每個(gè)臺(tái)M2形成的電極墊25的8溝道激光器陣列。在VCSEL 5中，僅提供與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的臺(tái)M2。與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)通過(guò)切割去除，如以下將描述的。每個(gè)電極墊25都具有墊部分25A和兩個(gè)連接臂部分25B。在此，在每個(gè)電極墊25 中，每個(gè)連接臂部分25B的一端連接到墊部分25A。而且，在每個(gè)電極墊25中，連接臂部分 25B中的一個(gè)的另一端直接連接到各臺(tái)M2的上部電極22，通過(guò)切割斷開(kāi)另一連接臂部分 25B的另一端。通過(guò)切割形成的面(截面25C)暴露到芯片的端面上。因此，在每個(gè)電極墊 25中，兩個(gè)連接臂部分25B中除了直接連接到上部電極22的端部之外的另一個(gè)端部不連接到任何部分。在圖M中，每個(gè)臺(tái)M2看起來(lái)都具有與每個(gè)電極墊25相等的尺寸。然而，事實(shí)上， 每個(gè)電極墊25都具有用于引線鍵合的足夠面積。因此，每個(gè)電極墊25的一側(cè)長(zhǎng)度是臺(tái)M2 直徑的幾倍或更多，且八個(gè)電極墊25的占用率比八個(gè)臺(tái)M2的占用率大很多。S卩，八個(gè)電極墊25占用了大部分的芯片表面面積。圖25示出了在制造過(guò)程中的部分晶片表面。對(duì)于每個(gè)單位芯片面積，八個(gè)相同類(lèi)型臺(tái)M2作為一組在晶片上成排地形成。對(duì)于每個(gè)單位芯片面積，與臺(tái)M2不同類(lèi)型的八個(gè)臺(tái)Ml作為一組在晶片上成排地形成。而且，在晶片上，臺(tái)Ml的組和臺(tái)M2的組在垂直于設(shè)置方向的方向上交替設(shè)置。而且，具有孔22A的上部電極22形成于各臺(tái)Ml和M2的頂面上。盡管未示出，但是在基板10的背面?zhèn)壬闲纬上虏侩姌OM。即，在晶片中，各臺(tái)Ml和M2都能振蕩激光。電極墊形成步驟在形成晶片以使各臺(tái)Ml和M2能振蕩激光之后，在每個(gè)臺(tái)Ml和每個(gè)臺(tái)M2之間，對(duì)于每組合的臺(tái)Ml和M2，形成將包括在一組中的一個(gè)臺(tái)Ml的上部電極22連接至包括在另一組中的一個(gè)臺(tái)M2的上部電極22的電極墊25 (圖沈)。即，在該實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)各自臺(tái) Ml和M2不形成電極墊25，而是對(duì)于臺(tái)Ml和M2的每一組合共同地形成電極墊25。而且，取代電極墊25，對(duì)于在晶片(未示出)上給定位置中的每個(gè)臺(tái)Ml和M2形成一個(gè)電極墊23。電極墊23是在下面描述的測(cè)量和評(píng)估步驟中評(píng)估單個(gè)臺(tái)Ml和M2的特性時(shí)用于測(cè)試的電極墊。然而，當(dāng)可以從共用電極墊25將電流提供到臺(tái)Ml和M2時(shí)，將各臺(tái)Ml和M2驅(qū)動(dòng)為激光器，并由此評(píng)估各臺(tái)Ml和M2的特性，用于測(cè)試的電極墊23不是必須形成的。制造和評(píng)估步驟接下來(lái)，將電壓施加到連接至用于測(cè)試的電極墊23的各臺(tái)Ml和M2的上部電極22 和下部電極M之間，以在各臺(tái)Ml和M2中振蕩激光，并從每個(gè)孔22A發(fā)出激光。之后，如下測(cè)量各臺(tái)Ml和M2的激光特性。例如，測(cè)量從每個(gè)孔22A發(fā)射出的激光的特性(例如光輸出和NFP)，和測(cè)量各臺(tái)Ml和M2的閾值電流。評(píng)估測(cè)量值是否與根據(jù)給定目的和用途設(shè)置
15的給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。即，在該實(shí)施例中，以與前述第三實(shí)施例相同的方式直接評(píng)估各臺(tái)Ml和 M2的激光特性。由此，以比前述第一實(shí)施例中的評(píng)估方法更高的等級(jí)選擇具有與給定目的和用途相匹配的激光特性的臺(tái)。該實(shí)施例中，評(píng)估的結(jié)果是，為了方便起見(jiàn)選擇臺(tái)M2。切割步驟最終，切斷在所選擇的臺(tái)M2的上部電極22和未選擇的臺(tái)Ml的上部電極22之間的電連接。此外，通過(guò)例如在圖沈中的虛線位置切割將晶片分割成芯片，使得至少不斷開(kāi) (分割)所選臺(tái)M2。即，進(jìn)行切割以使電極墊25中與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的臺(tái)M2最接近的區(qū)域和電極墊25中與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)Ml最接近的區(qū)域分開(kāi)。結(jié)果，未選擇的臺(tái)Ml從其中形成了所選擇的臺(tái)M2的芯片去除。如上，制造該實(shí)施例的VCSEL 5。在該實(shí)施例的VCSEL 5中，以與前述實(shí)施例相同的方式，分別設(shè)置各臺(tái)Ml和M2的直徑Rl和R2，以使各臺(tái)Ml和M2的至少一個(gè)氧化限制直徑必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。由此，即使當(dāng)在氧化步驟中產(chǎn)生的氧化限制直徑％和％的誤差大于氧化限制直徑所必須的精確度時(shí)，臺(tái)Ml和M2中的至少一個(gè)能與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)的整個(gè)晶片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大增加?？傊姌O墊需要足夠用于引線鍵合的面積。因此，隨著每個(gè)芯片的溝道數(shù)目(束的數(shù)目)的增加，變得越來(lái)越難以降低每單位芯片的面積。因此，在制造多溝道激光器陣列芯片的情況下當(dāng)對(duì)于每個(gè)臺(tái)Ml和M2都形成一個(gè)電極墊時(shí)，與制造單溝道激光器芯片的情況相比，包括與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的臺(tái)M2且能夠從一個(gè)晶片獲得的芯片的數(shù)量變得更小。同時(shí)，在該實(shí)施例中，在制造步驟中對(duì)于每組合的臺(tái)Ml和M2都形成一個(gè)共用電極墊25。此外，共同地形成對(duì)于包括臺(tái)Ml的一組和包括臺(tái)M2的另一組的電極墊。由此，在一個(gè)晶片上形成的電極數(shù)目比對(duì)于每個(gè)臺(tái)Ml和M2形成一個(gè)電極墊的情況降低很多。因此， 包括與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的臺(tái)M2且可從一個(gè)晶片獲得的芯片數(shù)目會(huì)增加，且產(chǎn)量提高。前述各實(shí)施例的改進(jìn)在前述各實(shí)施例中，臺(tái)Ml至M4為圓柱狀。然而，根據(jù)給定目的和用途，例如，如圖 27中所示，臺(tái)Ml至M4可以是矩形柱形狀。當(dāng)對(duì)于如上的矩形柱形狀的臺(tái)Ml至M4進(jìn)行氧化處理時(shí)，形成了不同于圓柱形狀的臺(tái)Ml至M4的形狀的非氧化區(qū)域15B。在前述各實(shí)施例中，形成突出臺(tái)Ml至M4。然而，例如，圓形溝槽可以形成于半導(dǎo)體層中，且將孔形的臺(tái)形成于由溝槽包圍的部分中。而且，在前述各實(shí)施例中，將臺(tái)直徑用作參數(shù)。然而，具有容易被加工誤差改變的特性的功能部分，例如與半導(dǎo)體層20中的電極墊23對(duì)應(yīng)的部分的厚度，可用作參數(shù)。當(dāng)這種厚度變化時(shí)，電極墊23的電容就改變了。因此，存在這樣的可能性，由于加工誤差，電極墊23的電容改變很大，且激光特性偏離了給定標(biāo)準(zhǔn)。這種情況下，如圖觀和圖四中所示 (沿著圖觀的箭頭A-A取得的橫截面)，具有相互相同臺(tái)直徑的臺(tái)M2形成為網(wǎng)格形狀，不同于半導(dǎo)體層20中的臺(tái)M2的部分被選擇性地蝕刻，以形成具有相互不同厚度Hl和H2的多個(gè)定位區(qū)域20A。而且電極墊23分開(kāi)地形成在每個(gè)定位區(qū)域20A上方，在它們之間具有保護(hù)膜21。由此，即使當(dāng)電極墊23的電容由于加工誤差改變很大時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積也必定能形成連接到具有與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的激光特性的電極墊23的至少一個(gè)臺(tái)M2。結(jié)果， 不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的電極墊23的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大增加。而且，在前述各實(shí)施例中，在孔22A中不特別地提供什么。然而，例如，可以形成用于調(diào)整孔22A中反射系數(shù)的絕緣層(未示出)。此時(shí)，當(dāng)絕緣層的膜厚度改變時(shí)，反射率也改變。因此，存在由于加工誤差很大地改變反射率的可能性，并由此激光特性不在給定標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)。那種情況下，盡管未示出，具有臺(tái)直徑相互相等的臺(tái)M2形成為網(wǎng)格形狀，且具有相互不同膜厚度的絕緣層形成于各臺(tái)M2的頂面上。由此，即使當(dāng)絕緣層的反射率由于加工誤差而改變很大時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都必定能形成具有絕緣層的至少一個(gè)臺(tái)M2，該臺(tái)M2具有與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的激光特性。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的絕緣層的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大增加。在前述各實(shí)施例中，已經(jīng)給出本發(fā)明用于VCSEL的情況的描述。以下將給出本發(fā)明用于邊發(fā)射激光器的描述。第五實(shí)施例圖30示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的邊發(fā)射激光器6的頂面結(jié)構(gòu)。圖31示出了沿著圖30的邊發(fā)射激光器6的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)。圖30和31是示意圖，且其尺寸和形狀不同于實(shí)際尺寸和實(shí)際形狀?；诩共康母叨?、寬度和形狀中至少一個(gè)作為參數(shù)，邊發(fā)射激光器6包括具有脊部的高度、寬度和形狀當(dāng)中的至少一個(gè)參數(shù)值相互不同的兩個(gè)脊部。該兩個(gè)脊部形成于與現(xiàn)有邊發(fā)射激光器的相等的芯片面積中?；诨康膶挾?脊部寬度)作為參數(shù)，給出包括脊部寬度相互不同的2個(gè)脊部78A和78B的邊發(fā)射激光器6的描述。邊發(fā)射激光器6包括在基板60 —面上的半導(dǎo)體層70。在半導(dǎo)體層70中，緩沖層 71、下部覆層72、下部波導(dǎo)層73、有源層74、上部波導(dǎo)層75、上部覆層76和接觸層77從基板60 —側(cè)順序?qū)盈B?；?0例如是GaN基板。半導(dǎo)體層70由III-V族氮化物半導(dǎo)體制成。III-V族氮化物半導(dǎo)體是含有鎵(Ga)和氮(N)的氮化鎵(GaN)組合物。例如有GaN、AWaN(氮化鋁鎵)、AlGaInN (氮化鋁鎵銦)等。緩沖層71例如由η型GaN制成。下部覆層72例如由η型AWaN制成。下部波導(dǎo)層73例如由η型GaN制成。有源層74例如具有未摻雜(ialnN多量子阱結(jié)構(gòu)。上部波導(dǎo)層 75例如由ρ型GaN制成。上部覆層76例如由ρ型AWaN制成。接觸層77例如由ρ型GaN 制成。作為η型摻雜劑，例如有IV族元素和VI族元素如Si (硅)、Ge (鍺)、0 (氧)和 Se (硒)。作為ρ型雜質(zhì)，例如有II族元素和IV族元素如Mg (鎂)、Si (鋅)和C (碳)。在該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器中，如稍后將描述的，通過(guò)形成直至接觸層77的多層并且之后進(jìn)行選擇性蝕刻來(lái)提供在層疊面中于給定方向上延伸的兩個(gè)帶狀脊部(突出部分)78Α和78Β。該實(shí)施例中，與兩個(gè)脊部78Α和78Β中的脊部78Α對(duì)應(yīng)的部分是光發(fā)射區(qū)域74Α。光發(fā)射區(qū)域74Α具有尺寸與相反脊部78Α的底部部分(上部覆層76的部分)的尺寸相等的帶寬。光發(fā)射區(qū)域74Α與由脊部78Α限定的電流注入到其中的電流注入?yún)^(qū)域?qū)?yīng)?？紤]當(dāng)脊部形狀通過(guò)稍后描述的蝕刻步驟中選擇性去除部分上部覆層76和接觸層77形成脊部形狀時(shí)在標(biāo)準(zhǔn)脊部寬度d中產(chǎn)生最大誤差士 Δ y，來(lái)設(shè)置各脊部78A和78B 的寬度(脊部寬度)Wl和W2?？傊?，脊部的高度、寬度和形狀被嚴(yán)格地設(shè)置成能獲得對(duì)于給定目的和用途所必須的激光特性的值。對(duì)于脊部的高度、寬度和形狀所必須的精確度根據(jù)目的和用途稍有改變。然而，總之，通常的情形是這種精確度比蝕刻步驟中產(chǎn)生的誤差更嚴(yán)格。因此，該實(shí)施例中，假設(shè)脊部寬度具有大的誤差，且脊部的高度和形狀不具有大誤差，例如，稍后描述的抗蝕劑層RSl和RS2的寬度dl和d2設(shè)置成使得各脊部78A和78B的脊部寬度Wl和W2中的至少一個(gè)與對(duì)于給定目的和用途的脊部寬度必須的容差對(duì)應(yīng)。由此，脊部寬度Wl和W2 中的至少一個(gè)必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。而且，該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器6中，脊部78A和78B的兩個(gè)側(cè)面被絕緣膜79覆蓋。上部電極80形成在脊部78A和78B的接觸層77上。在絕緣膜79中的從脊部78A的側(cè)面到脊部78A周?chē)钠矫嫣峁╇姌O墊81。電極墊81通過(guò)結(jié)臂部分81A連接到脊部78A。 同時(shí)，在基板60的背面上提供下部電極82。絕緣膜79例如由SiO2 (氧化硅)或SiN(氮化硅)形成。在上部電極80和電極墊81中，例如順序?qū)盈B鈀(Pb)層和鉬(Pt)層，下部電極82具有其中從基板60側(cè)順序?qū)盈B的金和鍺(Ge)的合金層、鎳(Ni)層和金(Au)層的結(jié)構(gòu)。而且，反射膜(未示出)分別形成在垂直于脊部78的延伸方向上的一對(duì)端面(解理面)上。在光主要自其發(fā)射的側(cè)面上的反射膜例如由Al2O3(氧化鋁)制成，并且被調(diào)整為具有低反射率。同時(shí)，在光主要通過(guò)其反射的側(cè)面上的反射膜具有其中交替地疊層 Al2O3(氧化鋁)和非晶硅的結(jié)構(gòu)，例如并將其調(diào)整為具有高反射率。在該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器6中，當(dāng)將給定電壓施加到上部電極80和下部電極82 之間時(shí)，電流由脊部78A限定，該電流被注入到有源層74的電流注入?yún)^(qū)域中，并且由此由于電子空穴復(fù)合發(fā)射光。這種光通過(guò)反射膜(未示出)反射，該反射膜包括一對(duì)在發(fā)光側(cè)上的端面和在背側(cè)上的端面。由此，在給定波長(zhǎng)下發(fā)生激光振蕩，且作為激光束發(fā)射到外部。例如如下制造具有前述結(jié)構(gòu)的激光器6。圖32至圖35示出了按步驟順序的制造激光器6的方法。圖32，33和34示出了在制造過(guò)程中部分晶片的截面結(jié)構(gòu)。圖35示出了制造過(guò)程中的部分晶片的橫截面結(jié)構(gòu)。圖 34是沿著圖35的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)。圖35中的點(diǎn)狀線示出了將晶片解理成條狀的位置。圖35中的虛線示出了被解理成的條狀晶片進(jìn)一步被分割成芯片的切割位置。為了制造邊發(fā)射激光器6，在由GaN制成的半導(dǎo)體層60D上的由III-V族氮化物半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體層70例如通過(guò)MOCVD方法形成。之后，作為GaN化合物半導(dǎo)體的原料， 例如使用三甲基鋁(TMA)、三甲基鎵(TMG)、三甲基銦(TMh)或者氨(NH3)。作為施主雜質(zhì)的原料，例如使用硒化氫(Hje)。作為受主雜質(zhì)的原料，例如使用二甲基鋅(DMZn)。在“基板60D”端部的符號(hào)“D”表示邊發(fā)射激光器6的基板60的形成處于中間過(guò)程。在其它元件末端的符號(hào)“D”具有相同含義。首先，從基板60D側(cè)面順序?qū)盈B緩沖層71D、下部覆層72D、下部波導(dǎo)層73D、有源層 74D、上部波導(dǎo)層75D、上部覆層76D和接觸層77D(圖32)。接下來(lái)，在接觸層77D上形成掩模層(未示出)，并進(jìn)行光刻處理。由此，在將形成脊部78A的區(qū)域中形成具有寬度dl的帶狀抗蝕劑層RS1，在將形成脊部78B的區(qū)域中形成具有寬度d2的帶狀抗蝕劑層RS2 (圖32)。接下來(lái)，通過(guò)前述抗蝕劑層RSl和RS2作為掩模，例如，通過(guò)如反應(yīng)離子蝕刻(RIE) 方法選擇性去除接觸層77D和部分上部覆層76D。之后，去除掩膜層RSl和RS2。由此，在垂直于延伸方向的方向上環(huán)狀地形成由在給定方向上延伸并相互相鄰的帶狀脊部78A和78B 構(gòu)成的一組(圖33)。接下來(lái)，在整個(gè)表面上形成絕緣材料。之后，進(jìn)行光刻處理和蝕刻步驟，并由此在脊部78A和78B的接觸層77D上形成具有孔的絕緣膜79D。隨后，脊部寬度相互不同的一個(gè)脊部選自相互相鄰的多個(gè)組中的每個(gè)組。例如，脊部寬度相互不同的2個(gè)類(lèi)型脊部78A和 78B中的每一個(gè)都選自相互相鄰的2個(gè)組中的每個(gè)組。之后，進(jìn)行光刻處理、蝕刻步驟和剝離步驟，由此對(duì)于在各脊部78A和78B延伸方向上的每個(gè)諧振腔長(zhǎng)度間歇地形成與脊部78A 和78B上方的接觸層77D電連接的上部電極80。此外，形成將所選各脊部78A和78B上的上部電極80相互連接的電極墊81 (圖34和圖35)。由此，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都形成在脊部78A上的上部電極80、在脊部78B上的上部電極80和電極墊81的每個(gè)組合。即，在該實(shí)施例中，不是對(duì)于每個(gè)上部電極80都分別形成電極墊81，而是對(duì)于多個(gè)上部電極80共同地形成電極墊81。而且，不是對(duì)于脊部寬度相互相同的脊部上的多個(gè)上部電極80共同地形成電極墊81，而是對(duì)于脊部寬度相互不同的多個(gè)脊部上的各個(gè)上部電極80共同地形成電極墊81，和優(yōu)選地對(duì)于脊部寬度相互不同的各個(gè)脊部上的各個(gè)上部電極80共同地形成電極墊81。而且，不是對(duì)于每一組中的多個(gè)脊部都形成電極墊81，而是對(duì)于屬于相互不同組的多個(gè)脊部形成電極墊81。而且，對(duì)于晶片上給定組，代替電極墊81，對(duì)于每個(gè)上部電極80都形成一個(gè)電極墊83 (參考圖3 。電極墊83是當(dāng)單個(gè)脊部78A和78B的特性在前述測(cè)量和評(píng)估步驟中被評(píng)估時(shí)用于測(cè)試的電極墊。然而，當(dāng)可以從共用電極墊81向脊部78A上的上部電極80和脊部78B上的上部電極80提供電流時(shí)，將各脊部78A和78B驅(qū)動(dòng)為激光器，并由此評(píng)估各脊部78A和78B的特性，用于測(cè)試的電極墊83不必形成。接下來(lái)，在圖35中的點(diǎn)狀線處，晶片被解理成條狀，尤其在于脊部78A上形成的各上部電極80之間和在于脊部78B上形成的各上部電極80之間進(jìn)行解理。測(cè)量和評(píng)估步驟接下來(lái)，通過(guò)使用由晶片分割的條中具有用于測(cè)試的電極墊83的條，將電壓施加到與用于測(cè)試的電極墊83連接的各脊部78A和78B的上部電極80和下部電極82之間，以在各脊部78A和78B中振蕩激光，并從兩個(gè)解理的面發(fā)射出激光。之后，如下測(cè)量各脊部78A 和78B的激光特性。例如，測(cè)量從兩個(gè)解理的面發(fā)射出的激光的特性(例如光輸出和NFP)， 和測(cè)量各脊部78A和78B的閾值電流。評(píng)估測(cè)量值是否與根據(jù)給定目的和用途設(shè)置的給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。即，在該實(shí)施例中，可直接評(píng)估各脊部78A和78B的激光特性。由此，可以比通過(guò)測(cè)量各脊部78A和78B的脊部寬度的評(píng)估方法更高的精確度選擇具有與給定目的和用途相匹配的激光特性的脊部。在該實(shí)施例中，評(píng)估的結(jié)果是，為了方便起見(jiàn)選擇脊部78A。接下來(lái)，在兩個(gè)解理的面(未示出)上形成反射膜。在前述評(píng)估步驟中，可以以基于測(cè)量值的反射膜結(jié)構(gòu)的修正為基礎(chǔ)，在兩個(gè)解理的面上形成反射膜。(分割步驟)最后，將所選擇的脊部78A的上部電極80和未選擇的脊部78B的上部電極80之間的電連接切斷。此外，通過(guò)例如在圖35的虛線位置處的切割將晶片切割成芯片，以至少使所選擇的脊部78A不被斷開(kāi)(分割)。如上，制造該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器6。在該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器6中，分別設(shè)置反射層RSl和RS2的寬度dl和d2，使得各脊部78A和78B的脊部寬度Wl和W2中的至少一個(gè)必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。由此，即使當(dāng)氧化步驟中產(chǎn)生的脊部寬度的誤差大于脊部寬度所必須的精確度時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積也必定形成與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)脊部寬度。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的脊部的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大地增加。而且，該實(shí)施例中，在制造過(guò)程中對(duì)于多個(gè)上部電極80形成共用電極墊81。因此， 在晶片上的電極墊的數(shù)量比在對(duì)于單個(gè)上部電極80形成電極墊的情況降低很多。由此，可以降低對(duì)于每個(gè)單位芯片的面積并增加脊部的高度、寬度和形狀中的至少一種相互不同的脊部的類(lèi)型(級(jí))。因此，產(chǎn)量比在對(duì)于單個(gè)上部電極80形成電極墊的情況提高很多。第六實(shí)施例前述第五實(shí)施例的邊發(fā)射激光器6包括分別屬于多個(gè)級(jí)的脊部的每一級(jí)的脊部的邊發(fā)射激光器。同時(shí)，該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器7包括分別屬于多級(jí)的脊部的多個(gè)脊部的邊發(fā)射激光器。因此，該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器7與前述第五實(shí)施例的邊發(fā)射激光器6的主要區(qū)別在于前述點(diǎn)。因此，以下將主要給出與前述第五實(shí)施例中不同的方面的描述。將適當(dāng)省略與前述第五實(shí)施例的那些相同的結(jié)構(gòu)、操作、效果和制造步驟的描述。圖36示出了該實(shí)施例邊發(fā)射激光器7的頂面結(jié)構(gòu)。圖37A示出了沿著圖36的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)。圖37B示出了沿著圖36的箭頭B-B取得的橫截面結(jié)構(gòu)。圖37C 示出了沿著圖36的箭頭C-C取得的橫截面結(jié)構(gòu)。邊發(fā)射激光器7包括兩個(gè)相同類(lèi)型的脊部78A、兩個(gè)類(lèi)型與脊部78A類(lèi)型不同的脊部78B的2溝道激光器陣列，和分別對(duì)于每個(gè)脊部78B形成的電極墊81。S卩，邊發(fā)射激光器7除了與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的脊部78A之外還提供有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的脊部78B。在電極墊81中，例如，在絕緣膜79上方順序?qū)盈BTi層、Pt層和Au層。電極墊81 具有兩個(gè)(該數(shù)目與溝道數(shù)目相同)墊部分81B和四個(gè)連接臂部分81A(對(duì)于每個(gè)墊部分 8IB提供數(shù)目與溝道數(shù)目相等的兩個(gè))。電極墊81是用于引線鍵合的部分，并且例如具有圓形或橢圓形的形狀。各個(gè)連接臂部分81A例如具有在給定方向上延伸的帶狀。在每個(gè)電極墊81中，將每個(gè)連接臂部分 81A的一個(gè)端部連接到墊部分81B。而且，在每個(gè)電極墊81中，將兩個(gè)連接臂部分81A中的另一端部直接連接到相互不同的脊部78A的上部電極80。而且，在每個(gè)電極墊81中，兩個(gè)連接臂部分81A中除直接連接到上部電極80的端部之外的另一端部可通過(guò)切割切斷。通過(guò)切斷形成的面(截面81C)暴露到芯片的端面上。因此，各連接臂部分81A中除直接連接到上部電極80的端部之外的另一端部沒(méi)有連接到脊部78A和78B的上部電極80。而且，部分電極墊81 (僅圖36和圖37A至37C中的連接臂部分81A的一部分)被連接到兩個(gè)脊部78A和78B中沒(méi)有連接到前述臂連接部分81A的脊部78B的各上部電極 80。連接到脊部78B的各上部電極80的電極墊81的一部分(以下稱(chēng)作“微電極墊”)通過(guò)切割切斷。通過(guò)切斷形成的面(每個(gè)橫截面81D)暴露到芯片的端面上。因此，微電極墊連接至其的脊部78B上的上部電極80與微電極墊不連接至其的脊部78A上的上部電極80電隔1 °而且，連接到脊部78A上的上部電極80的電極墊81具有大于連接到脊部78B上的上部電極80的微電極墊的面積。即，電極墊81具有足夠用于引線鍵合的面積。因此，該實(shí)施例中，僅將兩個(gè)脊部78A驅(qū)動(dòng)為激光器。
圖38示出了制造過(guò)程中的部分晶片表面。圖39示出了沿著圖38中的箭頭A-A取得的橫截面結(jié)構(gòu)。對(duì)于每個(gè)芯片面積，兩個(gè)相同類(lèi)型的脊部78A和兩個(gè)類(lèi)型與脊部78A類(lèi)型不同的脊部78B作為一組形成。相互相鄰地形成的成對(duì)的相同類(lèi)型的脊部78A和相互相鄰形成的類(lèi)型與脊部78A 類(lèi)型不同的成對(duì)的脊部78B在垂直于脊部78A和78B延伸方向的方向上交替設(shè)置。在各脊部78A上，對(duì)于每個(gè)諧振腔長(zhǎng)度間歇地形成上部電極80。類(lèi)似地，在各脊部78B上對(duì)于每個(gè)諧振腔長(zhǎng)度間歇地形成上部電極80。而且，對(duì)于脊部78A和78B的每個(gè)組合，電連接成對(duì)的脊部78A中一個(gè)脊部78A上的上部電極80至成對(duì)的脊部78B中一個(gè)脊部78B上的上部電極80的共用電極墊81形成于該成對(duì)的脊部78A和該成對(duì)的脊部78B之間。而且，下部電極82D形成于基板60D的背面?zhèn)壬?。即，在晶片中，各脊?8A和78B能振蕩激光。而且，對(duì)于晶片上的給定組，代替電極墊81，對(duì)于每個(gè)上部電極80形成一個(gè)電極墊83 (參考圖38)。電極墊83是當(dāng)在后述測(cè)量和評(píng)估步驟中評(píng)估單個(gè)脊部78A和78B特性時(shí)用于測(cè)試的電極墊。然而，當(dāng)可以從共用電極墊81向脊部78A上的上部電極80和脊部 78B的上部電極80提供電流時(shí)，將各脊部78A和78B驅(qū)動(dòng)為激光器，并由此評(píng)估各脊部78A 和78B的特性，用于測(cè)試的電極墊83不必形成。接下來(lái)，在圖38的點(diǎn)狀線處將晶片解理成條狀，具體在于脊部78A上形成的各上部電極80之間和在于脊部78B上形成的各上部電極80之間進(jìn)行解理。測(cè)量和評(píng)估步驟通過(guò)使用由晶片分割的條中具有用于測(cè)試的電極墊83的條，將電壓施加到與用于測(cè)試的電極墊83連接的各脊部78A和78B上的上部電極80和下部電極82之間，以在各脊部78A和78B中振蕩激光，并從兩個(gè)解理的面發(fā)射出激光。之后，如下測(cè)量各脊部78A和 78B的激光特性。例如，測(cè)量從兩個(gè)解理的面發(fā)射出的激光的特性(例如光輸出和NFP)，和測(cè)量各脊部78A和78B的閾值電流。評(píng)估測(cè)量值是否與根據(jù)給定目的和用途設(shè)置的給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。即，在該實(shí)施例中，可直接評(píng)估各脊部78A和78B的激光特性。由此，可以以比通過(guò)測(cè)量各脊部78A和78B的脊部寬度的評(píng)估方法更高的精確度選擇具有與給定目的和用途相匹配的激光特性的脊部。在該實(shí)施例中，評(píng)估的結(jié)果是，為了方便起見(jiàn)選擇脊部78A。接下來(lái)，在兩個(gè)解理的面(未示出)上形成反射膜。在前述評(píng)估步驟中，可以以基于測(cè)量值的反射膜結(jié)構(gòu)的修正為基礎(chǔ)，在兩個(gè)解理的面上形成反射膜。(分割步驟)最后，將所選擇的脊部78A的上部電極80和未選擇的脊部78B的上部電極80之間的電連接切斷。此外，通過(guò)例如在圖38和圖39的虛線位置處的切割將晶片切割成芯片， 使得至少使所選擇的脊部78A不被斷開(kāi)(分割)。如上，制造該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器7。在該實(shí)施例的邊發(fā)射激光器7中，分別設(shè)置抗蝕劑層RSl和RS2的寬度dl和d2， 以使各脊部78A和78B的脊部寬度Wl和W2中至少一個(gè)必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。由此，即使當(dāng)氧化步驟中產(chǎn)生的脊部寬度的誤差大于脊部寬度所必須的精確度時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積也必定形成與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)脊部寬度。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的脊部的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大地增加?？傊姌O墊需要足夠用于引線鍵合的面積。因此，隨著用于每個(gè)芯片的溝道數(shù)目 (束的數(shù)目)的增加，變得越來(lái)越難以降低每個(gè)單位芯片的面積。結(jié)果，當(dāng)在制造多溝道激光器陣列芯片的情況下對(duì)于每個(gè)脊部78A和78B都形成一個(gè)電極墊時(shí)，與制造單個(gè)溝道激光芯片的情況相比，包括與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的脊部78A且能夠從一個(gè)晶片獲得的芯片的數(shù)量
變得更小。同時(shí)，在該實(shí)施例中，在制造步驟中形成對(duì)于脊部78A和78B的組合共用的一個(gè)電極墊81，并由此該電極墊對(duì)于一個(gè)組是共用的。由此，與對(duì)于每個(gè)脊部78A和78B都形成一個(gè)電極墊的情況相比，可以增加能夠從一個(gè)晶片獲得的包括與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的脊部78A的芯片數(shù)目。結(jié)果，產(chǎn)量提高。前述第五和第六實(shí)施例的改進(jìn)在前述第五和第六實(shí)施例中，脊部78A和78B通過(guò)選擇性蝕刻半導(dǎo)體層70D形成。 然而，可通過(guò)其它方法形成脊部。例如，首先，在由GaAs制成的基板60D的(100)晶面上形成抗蝕劑層RS3和RS4 (圖40A)。之后，通過(guò)使用抗蝕劑層RS3和RS4作為掩模，選擇性蝕刻(100)晶面以形成在
軸的方向上延伸的帶狀突起61和62 (圖40B)。之后，去除抗蝕劑層RS3和RS4。之后，在包括突起61和62的基板60D的表面上方通過(guò)外延晶體生長(zhǎng)形成緩沖層71D、下部覆層72D、有源層74D、上部覆層76D、電流阻擋層83D、第二上部覆層84D 和接觸層77D。結(jié)果，形成了脊部78C和78D (圖40C)。然而，例如當(dāng)如上形成脊部78C和78D時(shí)，例如，有必要分別設(shè)置抗蝕劑層RS3和 RS4的寬度d3和d4以使得各脊部78C和78D (突起61和62)的脊部寬度W3、W4 (有源層 74和74D的寬度)中的至少一個(gè)必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。之前已經(jīng)給出了本發(fā)明實(shí)施例及其改進(jìn)的描述。然而，本發(fā)明不限于前述實(shí)施例等，且可作出各種改進(jìn)。例如，在第一至第四實(shí)施例以及其改進(jìn)中，已經(jīng)通過(guò)將VCSEL作為實(shí)例描述了本發(fā)明。在第五至第六實(shí)施例及其改進(jìn)中，已經(jīng)通過(guò)用邊發(fā)射激光器作為實(shí)例描述了本發(fā)明。 然而，可將本發(fā)明用于其他半導(dǎo)體器件，如光檢測(cè)裝置。例如，如圖41和圖42中所示(沿著圖41的箭頭A-A取得的橫截面)，該光檢測(cè)裝置3包括位于η型基板30上的半導(dǎo)體層 33，該半導(dǎo)體層33包括光吸收層31和ρ型接觸層32。在半導(dǎo)體層33中，臺(tái)Μ5和Μ6通過(guò)從P型接觸層32側(cè)選擇性地蝕刻半導(dǎo)體層33形成。而且，具有孔35Α的環(huán)形上部電極35 形成于臺(tái)Μ5和Μ6的頂面上。下部電極36形成于η型基板30的背面?zhèn)壬稀８髋_(tái)Μ5和Μ6 的尺寸相互不同。由此，各臺(tái)Μ5和Μ6的光吸收層31的體積量相互不同。即，基于作為參數(shù)的光吸收層31的體積量，光檢測(cè)裝置3包括具有體積量不同的光吸收層31的兩個(gè)臺(tái)Μ5 和Μ6。兩個(gè)臺(tái)Μ5和Μ6形成于與現(xiàn)有VCSEL面積相等的面積的芯片中。而且，在光檢測(cè)裝置3中，各臺(tái)Μ5和Μ6的光吸收層31的體積量被分別設(shè)置以使各臺(tái)Μ5和Μ6中的至少一個(gè)光吸收層31的特性必定與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)。由此，即使當(dāng)光吸收層31的特性由于加工誤差改變很大時(shí)，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積必定形成具有光吸收層31 的至少一個(gè)臺(tái)，該光吸收層31具有與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的特性。結(jié)果，不會(huì)發(fā)生如設(shè)置具有與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的特性的臺(tái)的芯片的浪費(fèi)，導(dǎo)致產(chǎn)量很大地增加。而且，在前述實(shí)施例中，在測(cè)量和評(píng)估步驟中僅選擇一個(gè)臺(tái)。然而，例如當(dāng)對(duì)于每個(gè)單位芯片面積都存在與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的多個(gè)臺(tái)時(shí)，該多個(gè)臺(tái)可根據(jù)目的和用途被選擇 (同時(shí)被使用)。而且，在前述實(shí)施例中，留下在測(cè)量和評(píng)估步驟中與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)，被原樣保留。然而，這種處理限于與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)不會(huì)不利地影響與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的臺(tái)的情況。因此，當(dāng)與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)稍微不利地影響與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的臺(tái)時(shí)，與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的臺(tái)優(yōu)選被斷開(kāi)至不會(huì)引起不利影響的程度，或優(yōu)選地將其去除。而且，在前述實(shí)施例中，已經(jīng)通過(guò)采用AlGaAs化合物半導(dǎo)體激光器和GaN化合物半導(dǎo)體激光器描述了本發(fā)明。然而，也可將本發(fā)明用于其他化合物半導(dǎo)體激光器，如GaInP 化合物半導(dǎo)體激光器、AlGaInP化合物半導(dǎo)體激光器、InGaAs化合物半導(dǎo)體激光器、GaInP 化合物半導(dǎo)體激光器、InP化合物半導(dǎo)體激光器、GaInN化合物半導(dǎo)體激光器和fe^nNAs化合物半導(dǎo)體激光器。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在權(quán)利要求或其等同特征的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需求和其它因素可作出各種修改、組合、子組合和替換。本申請(qǐng)包含了涉及2006年6月20日于日本專(zhuān)利局提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)JP 2006-170369和2007年5月7日于日本專(zhuān)利局提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)JP2007-122589的主題，將它們?nèi)囊媒Y(jié)合于此。
2權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括第一形成步驟，在基板上形成半導(dǎo)體層，之后對(duì)于每個(gè)單位芯片面積，在所述半導(dǎo)體層中形成作為一組并具有至少一個(gè)參數(shù)值相互不同的多個(gè)功能部分；測(cè)量和評(píng)估步驟，測(cè)量并評(píng)估根據(jù)所述參數(shù)值變化的對(duì)象；和分割步驟，對(duì)于每個(gè)芯片面積分割所述基板，使得不斷開(kāi)作為所述評(píng)估的結(jié)果的與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第一形成步驟中，在形成了包括由半導(dǎo)體層中最容易被氧化的材料制成的前體電流限制層的所述半導(dǎo)體層之后，在所述半導(dǎo)體層中形成多個(gè)臺(tái)，將所述前體電流限制層暴露在各臺(tái)的端面上，氧化在所述前體電流限制層中各臺(tái)的端面上暴露出的部分，和形成直徑和形狀中的至少一個(gè)參數(shù)值相互不同的電流限制層作為所述功能部分。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第一形成步驟中，在形成了所述半導(dǎo)體層之后，在所述半導(dǎo)體層中形成多個(gè)臺(tái)，在各臺(tái)的頂面上形成具有相互不同的膜厚度(參數(shù))的絕緣層作為所述功能部分。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第一形成步驟中，在形成所述半導(dǎo)體層之后，在所述半導(dǎo)體層中形成多個(gè)臺(tái)，選擇性蝕刻所述半導(dǎo)體層中不同于臺(tái)的部分，并由此形成具有相互不同的厚度(參數(shù))的多個(gè)定位區(qū)域作為所述功能部分，且在各定位區(qū)域上分離地形成電極墊。
5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第一形成步驟中，在形成了包括光吸收層的所述半導(dǎo)體層之后，在所述半導(dǎo)體層中形成多個(gè)臺(tái)，在各臺(tái)中形成具有相互不同體積量(參數(shù))的光吸收層作為所述功能部分。
6.如權(quán)利要求2、3或5的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括第二形成步驟，從相互相鄰的多個(gè)組的每一組中選擇具有相互不同的參數(shù)值的一個(gè)功能部分；和在所述第一步驟中形成各功能部分之后，形成將對(duì)應(yīng)所選擇的各功能部分所形成的臺(tái)相互連接的共用電極，其中在所述分割步驟中，分割所述基板使得與所述共用電極連接的多個(gè)臺(tái)中對(duì)應(yīng)于與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分形成的臺(tái)和與所述共用電極連接的多個(gè)臺(tái)中對(duì)應(yīng)于除了與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分之外的功能部分形成的臺(tái)之間的電連接被切斷。
7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第一形成步驟中，在形成所述半導(dǎo)體層之后，在所述半導(dǎo)體層中形成具有高度、寬度和形狀的參數(shù)值中至少一個(gè)相互不同的多個(gè)脊部作為所述功能部分。
8.如權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括第二形成步驟，從相互相鄰的多個(gè)組的每一組中選擇具有相互不同的參數(shù)值的一個(gè)功能部分；和在所述第一形成步驟中形成各功能部分之后，形成將對(duì)應(yīng)于所選擇的各功能部分所形成的脊部相互連接的共用電極，其中在所述分割步驟中，分割所述基板使得與所述共用電極連接的多個(gè)脊部中對(duì)應(yīng)于與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分形成的脊部和與所述共用電極連接的多個(gè)脊部中對(duì)應(yīng)于除了與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分之外的功能部分形成的脊部之間的電連接被切斷。
9.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括第一形成步驟，在基板上形成半導(dǎo)體層，之后對(duì)于每個(gè)單位芯片面積在所述半導(dǎo)體層中分別形成多個(gè)第一功能部分和多個(gè)第二功能部分，所述第一功能部分具有相互共用的每個(gè)參數(shù)值，以及所述第二功能部分具有相互共用的每個(gè)參數(shù)值，并且至少一個(gè)參數(shù)值與所述第一功能部分的參數(shù)值不同；第二形成步驟，形成與所述第一功能部分中的一個(gè)和所述第二功能部分中的一個(gè)對(duì)應(yīng)的共用電極；測(cè)量和評(píng)估步驟，測(cè)量和評(píng)估根據(jù)所述參數(shù)值變化的對(duì)象；和分割步驟，分割所述基板使得在所述共用電極中與作為評(píng)估結(jié)果的與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域和在所述共用電極中與作為評(píng)估結(jié)果的與給定標(biāo)準(zhǔn)不對(duì)應(yīng)的功能部分最接近的區(qū)域相分開(kāi)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠顯著地增加產(chǎn)量的半導(dǎo)體器件的制造方法以及通過(guò)使用該方法制造的半導(dǎo)體器件。在基板上形成半導(dǎo)體層之后，對(duì)于每個(gè)單位芯片面積在半導(dǎo)體層中形成具有至少一個(gè)相互不同的參數(shù)值的作為一組的多個(gè)功能部分。然后，測(cè)量和評(píng)估根據(jù)參數(shù)值改變的對(duì)象并之后，對(duì)于每個(gè)芯片面積分割基板，使得作為評(píng)估的結(jié)果的與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的功能部分不被斷開(kāi)。由此，與給定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)功能部分可通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整每個(gè)參數(shù)值由每個(gè)芯片面積形成。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102163803SQ20111006991
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2007年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月20日
發(fā)明者增井勇志, 大木智之, 山內(nèi)義則, 山口典彥, 幸田倫太郎, 荒木田孝博, 菊地加代子 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社