專利名稱：基底、封裝基底、半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開在此涉及半導(dǎo)體，更具體地講，涉及一種封裝基底、一種具有該封裝基底的半導(dǎo)體封裝件和一種制造該半導(dǎo)體封裝件的方法。
背景技術(shù)：
倒裝芯片安裝方法廣泛地用來將半導(dǎo)體芯片安裝在諸如印刷電路板(PCB)的封裝基底上。倒裝芯片安裝方法在半導(dǎo)體芯片的頂表面上形成作為連接端子的焊料球或焊料凸起，并且通過使半導(dǎo)體芯片向下面向封裝基底并將連接端子結(jié)合到形成在封裝基底處的端子或互連部而將半導(dǎo)體芯片安裝在封裝基底上?？梢酝ㄟ^形成對安裝在封裝基底上的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行模制(mold)的模制層 (molding layer)來形成半導(dǎo)體封裝件。典型地，在形成模制層之前，通過半導(dǎo)體芯片和封裝基底之間的間隙利用毛細(xì)作用來形成底部填充層。然而，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，在封裝過程中形成無空隙底部填充層成為重要問題。

發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了一種可以形成無空隙底部填充層的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。本發(fā)明的總體構(gòu)思的附加特征和用途將在以下的描述中部分地進(jìn)行闡述，部分地通過描述將顯而易見，或者可通過實(shí)踐本發(fā)明的總體構(gòu)思而得以明了。本公開還提供了一種具有改進(jìn)設(shè)計(jì)的封裝基底，所述改進(jìn)設(shè)計(jì)可以抑制空隙的產(chǎn)生或者可以移動不可避免地產(chǎn)生的空隙。為此，總體發(fā)明構(gòu)思通過模制底部填充(MUF)工藝同時(shí)形成半導(dǎo)體封裝件的模制層和底部填充層。發(fā)明構(gòu)思還改進(jìn)了封裝基底的設(shè)計(jì)，以形成無空隙底部填充層。發(fā)明構(gòu)思還使不可避免地產(chǎn)生的空隙陷在不影響半導(dǎo)體芯片的操作的位置處。在發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例中，封裝基底包括基底，安裝有半導(dǎo)體芯片；鈍化層，設(shè)置在基底上并具有提供電連接到半導(dǎo)體芯片的開口區(qū)域的第一開口部，其中，第一開口部延伸超過必需電連接到半導(dǎo)體芯片的區(qū)域。在一些實(shí)施例中，第一開口部沿一個(gè)方向與基底的中心相交。在其他示例性實(shí)施例中，鈍化層還包括第二開口部，第二開口部提供不是電連接而是機(jī)械連接到半導(dǎo)體芯片的開口區(qū)域。在另外的示例性實(shí)施例中，第二開口部占據(jù)基底的邊緣部分。在另外的示例性實(shí)施例中，第一開口部連接到第二開口部以延伸到基底的邊緣部分，或者，第一開口部限定在基底的中心部分中而未連接到第二開口部。在另外的示例性實(shí)施例中，封裝基底還包括第一阻擋件和第二阻擋件中的一個(gè)阻擋件，其中，第一阻擋件設(shè)置在鈍化層上并占據(jù)基底的邊緣部分以圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁的一部分，第二阻擋件設(shè)置在半導(dǎo)體芯片下。在發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體芯片；封裝基底，提供安裝半導(dǎo)體芯片的區(qū)域；模制層，構(gòu)造成模制半導(dǎo)體芯片，其中，封裝基底包括第一開口部，第一開口部提供電連接到半導(dǎo)體芯片的開口區(qū)域并且延伸超過必需電連接到半導(dǎo)體芯片的區(qū)域。在另一示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，并且被倒裝安裝在封裝基底上且第一表面面向封裝基底，在第一表面上設(shè)置有電連接端子和支撐端子。在其他示例性實(shí)施例中，跨過半導(dǎo)體芯片的中心設(shè)置多個(gè)電連接端子，第一開口部跨過封裝基底的中心設(shè)置同時(shí)與所述多個(gè)電連接端子垂直對齊。在另外的示例性實(shí)施例中，在半導(dǎo)體芯片的邊緣設(shè)置多個(gè)支撐端子，封裝基底還包括與所述多個(gè)支撐端子垂直對齊的多個(gè)第二開口部。在另外的示例性實(shí)施例中，第一開口部連接到至少一個(gè)第二開口部。在另外的示例性實(shí)施例中，封裝基底包括鈍化層，通過去除鈍化層的一部分來形成所述第一開口部和所述第二開口部。在另外的示例性實(shí)施例中，封裝基底還包括圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁的一部分的第一阻擋件和設(shè)置在半導(dǎo)體芯片下的第二阻擋件中的一個(gè)阻擋件。在另外的示例性實(shí)施例中，第一阻擋件的高度與封裝基底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙的尺寸相同或不同，并且第一阻擋件設(shè)置在封裝基底的邊緣處以與半導(dǎo)體芯片的對應(yīng)的側(cè)分隔開預(yù)定的距離。在另外的示例性實(shí)施例中，第二阻擋件的高度小于封裝基底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙的尺寸，并且第二阻擋件設(shè)置在封裝基底上并與第一開口部隔開。在另外的示例性實(shí)施例中，模制層包括填充半導(dǎo)體芯片和封裝基底之間的間隙的底部填充層，底部填充層由與模制層的材料相同的材料形成。在發(fā)明構(gòu)思的另外的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體芯片，包括頂表面和與頂表面相對的底表面，在頂表面上設(shè)置有電連接端子和支撐端子；封裝基底，提供安裝半導(dǎo)體芯片的區(qū)域；模制層，模制半導(dǎo)體芯片并填充半導(dǎo)體芯片和封裝基底之間的間隙， 其中，封裝基底還包括連接到支撐端子的第二開口部，半導(dǎo)體芯片以頂表面面向封裝基底的方式面向下，電連接端子通過第一開口部電連接到封裝基底，并且支撐端子通過第二開口部連接到封裝基底以機(jī)械地支撐封裝基底上的半導(dǎo)體芯片。在此，封裝基底可以包括基底，安裝有半導(dǎo)體芯片；鈍化層，設(shè)置在基底上并具有提供電連接到半導(dǎo)體芯片的開口區(qū)域的第一開口部，其中，第一開口部延伸超過必需電連接到半導(dǎo)體芯片的區(qū)域。在另一示例性實(shí)施例中，第一開口部具有跨過封裝基底的中心沿一個(gè)方向(A)延伸的直線形狀。在其他示例性實(shí)施例中，第一開口部連接到第二開口部以向封裝基底的邊緣延伸。在另外的示例性實(shí)施例中，封裝基底還包括設(shè)置在鈍化層上的阻擋件，阻擋件設(shè)置在間隙的外部以在與半導(dǎo)體芯片的側(cè)面分隔開一定距離的同時(shí)圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁， 或者設(shè)置在半導(dǎo)體芯片下的間隙中。在另外的示例性實(shí)施例中，模制層包括填充所述間隙的底部填充層，底部填充層包括陷在偏離第一開口部的位置處。
在發(fā)明構(gòu)思的另外的示例性實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體封裝件的方法包括以下步驟 提供包括電連接端子的半導(dǎo)體芯片；提供包括第一開口部的封裝基底，所述第一開口部提供延伸超過連接到電連接端子的區(qū)域的開口區(qū)域；將半導(dǎo)體芯片安裝在封裝基底上，以通過第一開口部將電連接端子連接到封裝基底；通過壓力和真空環(huán)境提供模制樹脂，以形成模制半導(dǎo)體芯片的模制層，其中，還將模制樹脂提供到封裝基底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙， 以在形成模制層的同時(shí)形成填充所述間隙的底部填充層。在另一示例性實(shí)施例中，形成底部填充層的步驟包括使流到所述間隙中的模制樹脂在第一開口部中流動，其中，第一開口部的延伸區(qū)域使模制樹脂在第一開口部中的流動阻力變得低于模制樹脂在所述間隙中的流動阻力。在其他示例性實(shí)施例中，形成底部填充層的步驟包括在使模制樹脂從半導(dǎo)體芯片的頂部流到半導(dǎo)體芯片的底部的同時(shí)，通過使模制樹脂朝著所述間隙的中心流動而在所述間隙的中心處形成未被模制樹脂填充的空腔；通過在壓力和真空的作用下持續(xù)地將模制樹脂提供到所述間隙來形成底部填充層，以使空腔消失。在另外的示例性實(shí)施例中，提供封裝基底的步驟包括提供包括阻擋件的基底，所述阻擋件在封裝基底的邊緣處圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁的一部分或者設(shè)置在所述間隙中并與第一開口部隔開。在另外的示例性實(shí)施例中，形成底部填充層的步驟包括通過阻擋件改變從半導(dǎo)體芯片的頂部流到半導(dǎo)體芯片的底部中的模制樹脂的流量，在與阻擋件相鄰的位置處的間隙中形成未被模制樹脂填充的空腔；持續(xù)地提供模制樹脂，以使空腔消失，從而形成底部填充層，其中，因阻擋件與第一開口部隔開，空隙產(chǎn)生并陷在與阻擋件相鄰的位置處。在另外的示例性實(shí)施例中，一種包括半導(dǎo)體芯片的基底包括鈍化層，設(shè)置在基底上；至少一個(gè)中心開口部，包括在鈍化層內(nèi)，并具有延伸超過邊緣區(qū)域的開口區(qū)域，以電連接到半導(dǎo)體芯片。在另外的示例性實(shí)施例中，一種封裝基底包括鈍化層，包括提供開口區(qū)域的第一開口部；至少一個(gè)阻擋件，具有預(yù)定的高度并且結(jié)合到鈍化層；芯片，設(shè)置在所述至少一個(gè)阻擋件上，以在芯片和鈍化層之間限定具有間隙寬度的間隙。在另外的示例性實(shí)施例中，一種制造容納半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝件的方法包括以下步驟形成鈍化層，鈍化層具有限定鈍化層的外圍的邊界邊緣并且具有在邊界邊緣內(nèi)的邊緣連接區(qū)域；形成穿過鈍化層延伸且沿著鈍化層的寬度延伸的開口，以在邊緣連接區(qū)域和對應(yīng)的邊界邊緣之間延伸；在鈍化層上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，使得開口延伸超過半導(dǎo)體芯片的相對的側(cè)面。


通過以下結(jié)合附圖對示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的總體構(gòu)思的上述和/或其他特征將變得清楚，并且更加容易理解，在附圖中圖IA是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖；圖IB是圖IA的分解透視圖；圖IC是圖IA中的半導(dǎo)體封裝件中的半導(dǎo)體芯片的底表面的平面圖；圖ID和圖IE是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中模制底部填充(MUF)工藝的平面圖；圖IF是示出了典型的MUF工藝的平面圖；圖2A至圖2J是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中封裝基底的各種示例的透視圖；圖3A是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖；圖;3B是3A的分解透視圖；圖3C和圖3D是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中MUF 工藝的平面圖；圖3E是示出了根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中的封裝基底的另一示例的透視圖；圖4A是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖；圖4B是圖4A的分解透視圖；圖4C和圖4D是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中MUF 工藝的平面圖；圖4E是示出了根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中的封裝基底的另一示例的透視圖；圖5A是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖；圖5B是圖5A的分解透視圖；圖5C和圖5D是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中MUF 工藝的平面圖；圖5E至圖5G是示出了根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中的封裝基底的各種示例的透視圖；圖6A是具有根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的存儲卡的框圖；圖6B是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的信息處理系統(tǒng)的框圖；圖7是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的制造半導(dǎo)體封裝件的示例性方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明構(gòu)思的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完全的，并且將把本發(fā)明構(gòu)思的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員?，F(xiàn)在將詳細(xì)地說明本發(fā)明的總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的示例示出在附圖中，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。下面通過參照附圖來描述示例性實(shí)施例，以解釋本發(fā)明的總體構(gòu)思。在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的封裝基底、具有該封裝基底的半導(dǎo)體封裝件和制造該半導(dǎo)體封裝件的方法。SR開口設(shè)計(jì)的示例圖IA是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖。圖IB是圖 IA的分解透視圖。圖IC是圖IA中的半導(dǎo)體封裝件中的半導(dǎo)體芯片的底表面的平面圖。
參照圖1A，半導(dǎo)體封裝件10可以包括封裝基底100、安裝在封裝基底100上的半導(dǎo)體芯片200和被構(gòu)造為模制半導(dǎo)體芯片200的模制層300。半導(dǎo)體封裝件10可以是半導(dǎo)體芯片200安裝在封裝基底100上的倒裝芯片封裝件。模制層300可以被構(gòu)造為模制半導(dǎo)體芯片200并底部填充(underfill)半導(dǎo)體芯片200和封裝基底100之間的間隙(G)。參照圖1B，封裝基底100可以是單層印刷電路板(PCB)或多層PCB。例如，封裝基底100可以包括導(dǎo)電層101，具有銅互連圖案和電極；鈍化層110，圍繞導(dǎo)電層101的一側(cè)或兩側(cè)并且保護(hù)互連圖案。鈍化層Iio包括限定鈍化層110的外圍的邊界邊緣112。此外， 通過在導(dǎo)電層101上涂覆介電樹脂(例如，光阻焊劑)并對涂覆的介電樹脂進(jìn)行曝光/顯影，可以將鈍化層110形成為具有期望的圖案。鈍化層110可以具有呈線性形狀“_” ( S卩，窄條(lane))且與導(dǎo)電層101的中心相交的至少一個(gè)第一開口部120。第一開口部120可以沿與提供環(huán)氧樹脂塑封料(EMC)的 EMC流動方向(A)基本垂直的方向延伸。作為另一示例，第一開口部120可以沿與EMC流動方向㈧相同的方向延伸，或者可以相對于EMC流動方向㈧以成角度地延伸。鈍化層110 還可以具有鄰近于導(dǎo)電層101的邊緣敞開的至少一個(gè)第二開口部130。至少一個(gè)第二開口部130可以機(jī)械連接到半導(dǎo)體芯片200并且可以與電連接絕緣?？梢酝ㄟ^阻焊開口(SRO) 設(shè)計(jì)來形成至少一個(gè)開口部120和/或130。因此，如下文更詳細(xì)地描述的，可以改善模制樹脂的流動性。根據(jù)本發(fā)明，至少一個(gè)中心開口部可以沿著鈍化層110的寬度形成在鈍化層110內(nèi)，以使邊緣連接區(qū)域的兩個(gè)相對側(cè)的路徑延長。至少一個(gè)中心開口部可以穿過邊緣連接區(qū)域的中心延伸，以通過鈍化層110提供與半導(dǎo)體芯片200的電連接?？梢酝ㄟ^將半導(dǎo)體芯片200定位成面向下使得半導(dǎo)體芯片200的頂表面200f面向封裝基底100而將半導(dǎo)體芯片200安裝在封裝基底100上。該示例性實(shí)施例示出了具有中心焊盤結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片200被倒裝安裝在封裝基底100上的示例。然而，總體發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，半導(dǎo)體芯片200可以具有邊緣焊盤結(jié)構(gòu)或矩陣焊盤結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片 200可以是存儲器件或非存儲器件。例如，半導(dǎo)體芯片200可以是具有中心焊盤結(jié)構(gòu)的DRAM 器件或閃速存儲器器件。參照圖IC和圖1B，半導(dǎo)體芯片200可以具有跨過頂表面200f的中心布置成一條或多條線的端子220(例如，焊料凸起或焊料球)。端子220連接到形成在封裝基底100處的互連圖案，從而半導(dǎo)體芯片200可以電連接到封裝基底100。半導(dǎo)體芯片200還可以包括多個(gè)支撐端子230。可設(shè)置支撐端子230將半導(dǎo)體芯片200更穩(wěn)固地支撐在封裝基底100 上，而對電連接沒有影響。例如，支撐端子230可以鄰近于半導(dǎo)體芯片200的頂表面200f 的邊緣形成，半導(dǎo)體芯片200的頂表面200f的邊緣限定用于更穩(wěn)固地支撐半導(dǎo)體芯片200 的邊緣的邊緣連接區(qū)域231，其中，作用于半導(dǎo)體芯片200的邊緣的熱應(yīng)力和/或物理應(yīng)力會比作用于半導(dǎo)體芯片200的其他部分的熱應(yīng)力和/或物理應(yīng)力相對較大。當(dāng)將半導(dǎo)體芯片200倒裝安裝在封裝基底100上時(shí)，可以沿著第一開口部120布置端子220并且可以沿著第二開口部130布置支撐端子230。因此，第一開口部120可以延伸超過邊緣連接區(qū)域 231以連接端子220，從而提供超出部分(excess portion) 123。返回參照圖1A，模制層300可以通過模制底部填充(MUF，moldedunderfill)工藝形成。例如，環(huán)氧樹脂塑封料(EMC)可以用作模制樹脂，并且可以沿面向半導(dǎo)體芯片200 的一側(cè)的EMC流動方向(A)提供EMC。可通過沿EMC流動方向(A)施加預(yù)定的壓力來提供EMC。作為另一示例，可以通過在沿EMC流動方向(A)施加預(yù)定壓力的同時(shí)沿真空方向(F) 對環(huán)境抽真空來提供EMC。真空方向(F)可以與EMC流動方向(A)基本相同。沿EMC流動方向㈧提供的EMC可以流動到半導(dǎo)體芯片200的頂部和底部。在此，EMC可以在更多地流動到具有較小流動阻力的半導(dǎo)體芯片200的頂部之后，從半導(dǎo)體芯片200的頂部流動到半導(dǎo)體芯片200的底部。在圖IA中，符號B、C、D和E表示EMC的從半導(dǎo)體芯片200的頂部流動到底部的流動路徑。從半導(dǎo)體芯片200的頂部流動到底部的EMC可以形成填充封裝基底100和半導(dǎo)體芯片200之間的間隙(G)的底部填充層310。除非另有說明，否則間隙(G) 是指封裝基底100和半導(dǎo)體芯片200之間的區(qū)域。因此，由于MUF工藝一起形成底部填充層310和模制層300，所以可以不使用用于形成底部填充層310的單獨(dú)的工藝(例如，利用毛細(xì)壓力的毛細(xì)底部填充工藝)。因此，封裝基底100被SRO設(shè)計(jì)成具有第一開口部120， 從而能夠形成包括無空隙底部填充層310的模制層300。圖ID和圖IE是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中模制底部填充(MUF)工藝的平面圖。圖IF是示出了 MUF工藝的平面圖。參照圖1D，根據(jù)施加到半導(dǎo)體封裝件10的壓力和真空，EMC 300a可以沿方向B、C、 D和E流動，即，在半導(dǎo)體芯片200的四側(cè)流動。因此，EMC 300a可以通過流動到間隙(G) 中而朝著中心流動。在圖ID中，實(shí)線箭頭表示EMC 300a到間隙(G)中的流動。EMC 300a 的流動可以根據(jù)間隙(G)的尺寸而改變。通常，EMC 300a在具有低流動阻力的大間隙位置中以高速率流動，而在具有高流動阻力的小間隙位置中以低速率流動。具體地講，由于EMC 300a從半導(dǎo)體芯片200的四側(cè)流動到半導(dǎo)體芯片200的中心，所以阻力會因設(shè)置在半導(dǎo)體芯片200的中心處的端子而增大。根據(jù)至少一個(gè)示例性實(shí)施例，能夠包括所有端子220的延伸的第一開口部120形成在封裝基底100的中心處，如圖IC所示。延伸的第一開口部120提供了封裝基底100和半導(dǎo)體芯片200之間的大間隙，以降低EMC 300a的流動阻力。此外，在封裝基底100中包括與圖IC的支撐端子230垂直對齊的第二開口部130，以進(jìn)一步提供間隙(G)，從而有利于 EMC 300a穿過半導(dǎo)體封裝件10的流動。由于EMC 300a的流動因封裝基底100的包括第一開口部120和第二開口部130 的SRO設(shè)計(jì)而可以具有相同或相似的流速，所以尚未被EMC 300a填充的空腔300b可主要形成在間隙(G)的中心處。參照圖ID和圖1E，當(dāng)由于連續(xù)地提供EMC 300a而導(dǎo)致空腔300b的尺寸減小時(shí)， 所以非常小的空腔(即，空隙)300b可主要陷在間隙的中心處，如圖IE所示。根據(jù)至少一個(gè)示例性實(shí)施例，由于在壓力和真空的作用下提供EMC 300a，所以在壓力的作用下去除空隙，從而實(shí)現(xiàn)包括無空隙模制層300的半導(dǎo)體封裝件10 (例如，MUF倒裝封裝件)，如圖IE 所示。參照圖1F，當(dāng)封裝基底100包括未延伸的開口部121時(shí)，間隙(G)沒有延伸，并且 EMC流動的阻力因具體位于間隙的中心處的端子而相對增大，從而實(shí)現(xiàn)了包括具有主要陷在間隙的中心處的空隙2的模制層300的半導(dǎo)體封裝件10。具體地講，如果半導(dǎo)體芯片200 具有中心焊盤結(jié)構(gòu)，則當(dāng)熱應(yīng)力和/或機(jī)械應(yīng)力作用于半導(dǎo)體封裝件10時(shí)，形成在間隙的中心處的空隙2可以將應(yīng)力傳遞到端子而損壞端子。這會使半導(dǎo)體封裝件10的操作可靠性降低。另一方面，由于EMC的流動性因延伸的第一開口部120而得以改善，所以圖IE中示出的半導(dǎo)體封裝件10可以確保安裝可靠性和操作可靠性。封裝基底的示例圖2A至圖2J是示出了根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中的封裝基底的各種示例的透視圖。參照圖2A，封裝基底IOOa可以包括延伸的第一開口部120a，第一開口部120a連接到第二開口部130并具有線性形狀(即，列如，直線)，并且第一開口部120a與封裝基底IOOa的中心相交。延伸的第一開口部120a與第二開口部130之間的連接可以進(jìn)一步改善EMC從封裝基底IOOa的邊緣到中心的流動性。為了簡潔起見，省略了對圖IB中的封裝基底IOOa的重復(fù)描述，并且在以下的描述中同樣如此。參照圖2B，封裝基底IOOb可以包括連接到第二開口部130的、“-”形(即，線性形狀)的延伸的第一開口部120b。由鈍化層110的一部分構(gòu)成的圖案111可以形成在第一開口部120b中。圖案111將第一開口部120b進(jìn)行空間劃分，以確保布置在半導(dǎo)體芯片的中心處的端子的位置對齊和/或控制EMC的流速。參照圖2C，封裝基底IOOc可以包括兩個(gè)與封裝基底IOOc的中心相交的、“_”形 (即，線性形狀)的延伸的第一開口部120c。每個(gè)第一開口部120c可以連接到第二開口部 130。作為另一示例，另一開口部還可以設(shè)置在這兩個(gè)第一開口部120c之間。參照圖2D，封裝基底IOOd可以包括兩個(gè)連接到第二開口部130的、“_”形(即，線性形狀)的延伸的第一開口部120d。脊111的圖案可以形成在每個(gè)第一開口部120d中，以確保端子的位置對齊或者控制EMC的流速。參照圖2E，封裝基底IOOe可以包括“_”形(即，線性形狀)的未延伸的第一開口部120e。第一開口部120e連接到第二開口部130，以延長EMC流動路徑。參照圖2F，封裝基底IOOf可以包括兩個(gè)與封裝基底IOOf的中心相交的、“_”形 (即，線性形狀)的第一開口部120f和122f。第一開口部120f和122f中的至少一個(gè)可以具有延伸的形狀或者未延伸的形狀。第一開口部120f和122f中的一個(gè)(例如，與EMC提供側(cè)相鄰的第一開口部120f)可以包括三角形結(jié)構(gòu)，所述三角形結(jié)構(gòu)具有連接到第二開口部130的中心區(qū)域并且朝著EMC提供方向(A)逐漸延伸，以改善EMC的流動性。參照圖2G，封裝基底IOOg可以包括兩個(gè)與封裝基底IOOg的中心相交的、“_”形 (即，線性形狀)的第一開口部120g和122g。第一開口部120g和122g中的至少一個(gè)可以具有延伸的形狀或者未延伸的形狀。第一開口部120g和122g中的一個(gè)(例如，與EMC提供側(cè)相鄰的第一開口部120g)可以連接到第二開口部130。此外，第二開口部130可以包括多個(gè)脊131，以形成梳子狀設(shè)計(jì)。作為另一示例，第一開口部122g也可以包括多個(gè)脊131， 以形成梳子狀設(shè)計(jì)。參照圖2H，封裝基底IOOh可以包括兩個(gè)第一開口部120h和122h。第一開口部 120h和12 中的至少一個(gè)(例如，與EMC提供側(cè)相鄰的第一開口部120h)可以具有面積占據(jù)封裝基底IOOh的大約一半的、延伸的四邊形結(jié)構(gòu)。延伸的第一開口部120h使間隙(G) 延長(extend)，以進(jìn)一步改善EMC的流動性。第一開口部12 可以具有“-”形(即，線性形狀)的結(jié)構(gòu)，并且可以連接到第二開口部130，從而改善EMC的流動性并且控制EMC的流速。參照圖21，封裝基底IOOi可以包括兩個(gè)“_”形(S卩，線性形狀)的第一開口部120i和122i。第一開口部120i和122i中的至少一個(gè)(例如，與EMC提供側(cè)相鄰的第一開口部 120 )可以連接到第二開口部130，第二開口部130可以設(shè)計(jì)成具有包括沿傾斜方向延伸的多個(gè)脊131A的梳齒狀結(jié)構(gòu)132A。連接到第一開口部122i的第二開口部130還可以包括梳齒狀結(jié)構(gòu)132B，梳齒狀結(jié)構(gòu)132B包括朝著第一開口部122i延伸的多個(gè)脊131B。根據(jù)該示例性實(shí)施例，封裝基底IOOi可以具有橫向不對稱的結(jié)構(gòu)。參照圖2J，封裝基底IOOj可以包括兩個(gè)“_”形(S卩，線性形狀)的第一開口部120j 和122j以及連接到第一開口部120j和122j的第二開口部130。此外，第二開口部122j還可以包括梳齒狀結(jié)構(gòu)132C，梳齒狀結(jié)構(gòu)132C包括沿傾斜方向延伸的多個(gè)脊131C，第二開口部122 j還可以包括梳齒狀結(jié)構(gòu)132D，梳齒狀結(jié)構(gòu)132D包括朝著第一開口部122i延伸且沿著傾斜方向延伸的多個(gè)脊131D。根據(jù)該示例性實(shí)施例，封裝基底IOOj可以具有橫向?qū)ΨQ的結(jié)構(gòu)。SR阻擋件(dam)設(shè)計(jì)的示例圖3A是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖。圖:3B是圖 3A的分解透視圖。為了簡潔起見，將省略與圖IA至圖IE重復(fù)的描述。參照圖3A和圖;3B，半導(dǎo)體封裝件20可以是MUF倒裝芯片封裝件，MUF倒裝芯片封裝件包括封裝基底100，具有形成在封裝基底100的頂表面處的鈍化層110 ；半導(dǎo)體芯片 200，倒裝安裝在封裝基底100上；模制層300，對半導(dǎo)體芯片200進(jìn)行模制并具有填充間隙 (G)的底部填充層310?？梢栽诜较?A)的壓力和方向(F)的真空作用下提供EMC，以形成模制半導(dǎo)體芯片200的模制層300。此外，EMC可以從半導(dǎo)體芯片200的頂部沿方向B至方向E流動，從而在半導(dǎo)體芯片200下方形成底部填充層310。封裝基底100可以包括至少一個(gè)與封裝基底100的中心相交的、“_”形(即，線性形狀)的第一開口部121和多個(gè)形成在封裝基底100的邊緣處的第二開口部130。與圖IB 中的第一開口部120不同，第一開口部121可以具有不延伸的結(jié)構(gòu)。封裝基底100還可以包括至少一個(gè)阻擋件400。阻擋件400可以形成在鈍化層110上，以圍繞半導(dǎo)體芯片200的外壁的一部分。例如，阻擋件400可被設(shè)計(jì)成在EMC提供側(cè)的相對側(cè)具有“[”形結(jié)構(gòu)和/ 或方括號形結(jié)構(gòu)。可以通過沉積/圖案化與鈍化層110(例如，光阻焊劑)的材料相同或相似的材料來形成阻擋件400。EMC可通過阻擋件400與半導(dǎo)體芯片200之間的空間450流動。阻擋件400可以根據(jù)EMC的流動方向來改變EMC在間隙中的流量和/或流速。阻擋件400可以由包括但不限于L形和括號形在內(nèi)的各種形狀形成。阻擋件400 可以包括基體402，基體402沿著基底100的真空側(cè)且垂直于真空流動方向(F)延伸。阻擋件400還可以包括至少一個(gè)垂直邊404，至少一個(gè)垂直邊404從基體402延伸并沿著基底的與基體402垂直的至少一側(cè)延伸。阻擋件400可以具有高度H1，高度Hl可以與間隙(G) 的尺寸相同?？蛇x擇地，阻擋件400可以具有與間隙(G)的尺寸不同的高度HI。圖3A示出了阻擋件400的高度Hl小于間隙尺寸G(H1<G)的示例性實(shí)施例。然而，總體發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，Hl =G和Hl >G的情況同樣可以包括在總體發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。圖3C和圖3D是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中 MUF工藝的平面圖。參照圖3C，EMC 300a從半導(dǎo)體芯片200的四側(cè)流動到間隙(G)中。然而，阻擋件400a可以根據(jù)流動方向改變EMC 300a的流量和/或流速。例如，EMC 300a流動到間隙中的量可以在沒有阻擋件400的方向B上是最大的，可以在具有阻擋件400的方向D上是最小的，可以在方向C和E上是中等的。因此，EMC 300a可以以不一致的速率填充間隙，因而空腔300b與半導(dǎo)體芯片200的中心相比可更鄰近于半導(dǎo)體芯片200的邊緣形成，即，鄰近于與阻擋件400相鄰的部分形成。參照圖3D和圖3C，可以持續(xù)地提供EMC 300a,以使空腔300b減小并填充間隙，從而實(shí)現(xiàn)包括對半導(dǎo)體芯片200進(jìn)行模制的模制層300的半導(dǎo)體封裝件20。因?yàn)镋MC 300a 沒有完全填充間隙，所以會在間隙中產(chǎn)生空隙2。根據(jù)該實(shí)施例，因?yàn)榭涨?00b形成在半導(dǎo)體芯片200的邊緣處，所以空隙2會陷在半導(dǎo)體芯片200的邊緣處。例如，如果半導(dǎo)體芯片200具有中心焊盤結(jié)構(gòu)，則當(dāng)在半導(dǎo)體芯片200的中心處產(chǎn)生空隙2時(shí)，會使半導(dǎo)體芯片 200的操作可靠性降低。因此，至少一個(gè)示例性實(shí)施例通過阻擋件400控制EMC300a的填充以將不可避免的空隙2引導(dǎo)到半導(dǎo)體芯片200的邊緣，從而防止半導(dǎo)體封裝件20的可靠性降低。根據(jù)圖3A中示出的至少一個(gè)示例性實(shí)施例，可以在形成模制層300的過程中同時(shí)形成填充間隙的底部填充層310。當(dāng)?shù)撞刻畛鋵?10和模制層300同時(shí)由相同的材料形成時(shí)，由于底部填充層310和模制層300之間的熱膨脹差異導(dǎo)致產(chǎn)生熱應(yīng)力的可能性被最小化，從而確保半導(dǎo)體封裝件20的熱穩(wěn)定性。圖3E是示出了根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的可選實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中的封裝基底的另一示例的透視圖。參照圖3E，封裝基底100可以包括"η ”形和/或L形的阻擋件400a。例如，"η ”形的阻擋件400a可以在與間隙的角落相鄰的位置處產(chǎn)生空腔300b。因此，如圖3D所示，能夠在半導(dǎo)體芯片200的不影響操作可靠性的邊緣和/或角落處產(chǎn)生空隙2。圖4A是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖。圖4B 是圖4A的分解透視圖。為了簡潔起見，將省略與圖IA至圖IE重復(fù)的描述。參照圖4A和圖4B，可以以與圖3A中的半導(dǎo)體封裝件20的方式相似的方式來構(gòu)造半導(dǎo)體封裝件30。半導(dǎo)體封裝件30還可以包括阻擋件500。與半導(dǎo)體封裝件20不同，阻擋件500可以設(shè)置在半導(dǎo)體芯片200下方，S卩，設(shè)置在間隙中。阻擋件500可設(shè)置在EMC提供側(cè)的相對側(cè)。阻擋件500可被構(gòu)造成具有比間隙尺寸G小的高度H2，以不妨礙EMC在間隙中的流動性。其他構(gòu)造可以與圖3A和圖;3B中所示的相同。圖4C和圖4D是示出了在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中MUF工藝的平面圖。參照圖4C，阻擋件500可以根據(jù)流入方向而改變EMC 300a的流量。例如，EMC 300a 在方向D上的流量可以小于EMC 300a在方向B、C和E上的流量。因此，空腔300b可主要對應(yīng)于阻擋件500的區(qū)域與半導(dǎo)體芯片200的邊緣相鄰地形成。參照圖4D和圖4C，可以持續(xù)地提供EMC 300a,以使空腔300b減小并填充間隙，從而實(shí)現(xiàn)包括對半導(dǎo)體芯片200進(jìn)行模制的模制層300的半導(dǎo)體封裝件30。空隙2會陷在半導(dǎo)體芯片200的邊緣處。其他構(gòu)造可以與圖3C和圖3D所示的構(gòu)造相同。圖4E是示出了根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中的封裝基底的另一示例的透視圖。
參照圖4E，封裝基底100可以包括“1 ”形和/或L形的阻擋件500a。例如，“~| “ 形的阻擋件500a可以在偏離半導(dǎo)體芯片200的中心的位置處產(chǎn)生空腔300b。因此，空隙 (參見圖4D中的標(biāo)號2)會容納在除了半導(dǎo)體芯片200的中心處之外的其他位置處。阻擋件500可以包括垂直于EMC流動方向(A)延伸的基體502。此外，阻擋件500可以包括從基體502垂直延伸以限定L形阻擋件500a的垂直邊504。此外，可以在基底100上設(shè)置具有多種形狀的多個(gè)阻擋件500、500a，如圖5G所示。SR開口 +SR阻擋件設(shè)計(jì)的示例圖5A是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的透視圖。圖5B 是圖5A的分解透視圖。為了簡潔起見，將省略與圖IA至圖IE重復(fù)的描述。參照圖5A和圖5B，半導(dǎo)體封裝件40可以是包括對安裝在封裝基底100上的半導(dǎo)體芯片200進(jìn)行模制的模制層300的MUF倒裝芯片封裝件。封裝基底100可以包括能夠改善EMC的流動性的第一開口部120和能夠改變空隙的產(chǎn)生位置的阻擋件400。封裝基底 100的開口部的設(shè)計(jì)可以與參照圖IA和圖IB描述的封裝基底100的開口部的設(shè)計(jì)相同或相似，阻擋件400可以與參照圖3A和圖;3B描述的阻擋件相同或相似。根據(jù)該示例性實(shí)施例，可以通過封裝基底100的開口部的設(shè)計(jì)來改善EMC的流動性，從而可以形成包括無空隙底部填充層310的模制層300。此外，阻擋件400可以改變EMC的流動性，從而空隙2可以移動到不影響半導(dǎo)體芯片200的操作的位置(例如，半導(dǎo)體芯片200的邊緣)。圖5C和圖5D是示出了在根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中MUF工藝的平面圖。參照圖5C，延伸的第一開口部120可以使間隙尺寸增大，從而改善了 EMC 300a的流動性，阻擋件400可以根據(jù)流入方向改變EMC 300a的流量。例如，EMC 300a在方向D上的流量可以小于EMC 300a在方向B、C和E上的流量。因此，空腔300b可以主要對應(yīng)于阻擋件400的區(qū)域與半導(dǎo)體芯片200的邊緣相鄰地形成。參照圖5D和圖5C，可以持續(xù)地提供EMC 300a,以使空腔300b減小并填充間隙，從而實(shí)現(xiàn)包括對半導(dǎo)體芯片200進(jìn)行模制的模制層300的半導(dǎo)體封裝件40?？障?會容納在半導(dǎo)體芯片200的邊緣處。圖5E至圖5G是示出了根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中的封裝基底的各種示例的透視圖。參照圖5E，封裝基底100可以包括與封裝基底100的中心相交的、‘‘_”形和/或線形的延伸的第一開口部120以及"η ”形和/或L形的阻擋件400a。第一開口部120和第二開口部130的結(jié)構(gòu)可以以與參照圖2A至圖2J所描述的方式相同或相似的方式而改變。 以下的描述中同樣如此。在與參照圖3C和圖3D描述的阻擋件400相同或相似的方式中， 阻擋件400a可以使空隙2移動到不影響半導(dǎo)體芯片200的操作的位置(例如，半導(dǎo)體芯片 200的角落)。參照圖5F，封裝基底100可以包括延伸的第一開口部120及參照圖3A和圖描述的阻擋件500。阻擋件500可以形成在間隙中，以移動空隙的產(chǎn)生位置。作為另一示例， 封裝基底100除了包括形成在間隙中的阻擋件500之外，還可以包括與圖5B中示出的阻擋件相同或相似的阻擋件400或者包括與圖5E中示出的阻擋件相同或相鄰的阻擋件400a。參照圖5G，封裝基底100可以包括延伸的第一開口部120及如圖4E所示的設(shè)置在間隙中的" ”形和/或L形的阻擋件500a。阻擋件500a可以移動可以容納空隙2的位置。應(yīng)用的示例圖6A是具有根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的存儲卡的框圖。參照圖6A，存儲卡1200可以包括用來支持高數(shù)據(jù)存儲容量的閃速存儲器1210?？梢砸耘c根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的上述示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的方式相同或相似的方式來封裝閃速存儲器1210。存儲卡1200可以包括存儲器控制器1220，存儲器控制器1220控制主機(jī)與閃速存儲器1210之間的數(shù)據(jù)交換。SRAM 1221可以用作中央處理單元(CPU) 1222的工作存儲器。主機(jī)接口(I/F) 1223可以具有連接到存儲卡1200的主機(jī)的數(shù)據(jù)交換協(xié)議。糾錯(cuò)碼(ECC) 12M 可以檢測或糾正從閃速存儲器1210讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。存儲器接口(I/F) 1225可以與閃速存儲器1210接口連接。CPU 1222可以執(zhí)行總體控制運(yùn)算，以將數(shù)據(jù)交換到存儲器控制器1220和/或從存儲器控制器1220交換數(shù)據(jù)。雖然未在圖6A中示出，但是存儲卡1200 還可以包括存儲代碼數(shù)據(jù)的只讀存儲器(ROM)，以與主機(jī)連接。圖6B是根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的另外示例性實(shí)施例的信息處理系統(tǒng)的框圖。參照圖6B，信息處理系統(tǒng)1300可以包括閃速存儲器系統(tǒng)1310，閃速存儲器系統(tǒng) 1310具有以與根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件相同或相似的方式封裝的閃速存儲器器件(例如，NAND閃速存儲器器件)。信息處理系統(tǒng)1300可以包括移動裝置或計(jì)算機(jī)。例如，信息處理系統(tǒng)1300可以包括電連接到系統(tǒng)總線1360的閃速存儲器系統(tǒng) 1310、調(diào)制解調(diào)器1320、中央處理單元(CPU) 1330、隨機(jī)存取存儲器(RAM) 1340和用戶接口 1350。閃速存儲器系統(tǒng)1310可以存儲由CPU 1330處理過的數(shù)據(jù)或者存儲從外部裝置接收到的數(shù)據(jù)。信息處理系統(tǒng)1300可以存儲在存儲卡、固態(tài)盤(SSD)、相機(jī)圖像處理器和其他應(yīng)用芯片集上。例如，閃速存儲器系統(tǒng)1310可以被配置成SSD。在這種情況下，信息處理系統(tǒng) 1300可以將大量數(shù)據(jù)穩(wěn)定地且可靠地存儲在閃速存儲器系統(tǒng)1310中。參照圖7，流程圖示出了根據(jù)總體發(fā)明構(gòu)思的制造半導(dǎo)體封裝件的示例性方法。在操作700，提供包括至少一個(gè)電連接端子的半導(dǎo)體芯片。在操作702，提供包括將要結(jié)合到半導(dǎo)體芯片的所述至少一個(gè)電連接端子的第一開口部的封裝基底。第一開口部的形成方式是第一開口部延伸超過結(jié)合到電連接端子的區(qū)域。在操作704，將半導(dǎo)體芯片安裝在封裝基底上，以通過第一開口部將所述至少一個(gè)電連接端子結(jié)合到封裝基底。該方法前進(jìn)到操作706，在操作706，在壓力和真空的環(huán)境下被推動的模制樹脂被提供到形成在封裝基底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙。因此，形成模制半導(dǎo)體芯片的模制層，這里，在形成模制層的同時(shí)模制樹脂形成填充間隙的底部填充層，該方法結(jié)束。如上所述，本發(fā)明的總體構(gòu)思的至少一個(gè)示例性實(shí)施例在封裝基底處提供延伸的開口部以改善模制樹脂的流動性，從而能夠?qū)崿F(xiàn)無空隙底部填充層。另外，本發(fā)明的總體構(gòu)思在封裝基底處設(shè)置至少一個(gè)阻擋件和/或一起設(shè)置了阻擋件和延伸的開口部來改變模制樹脂的流動性，從而能夠?qū)⒉豢杀苊獾目障兑苿拥讲粫绊懓雽?dǎo)體芯片的操作的位置。 因此，本發(fā)明的總體構(gòu)思可以改善半導(dǎo)體芯片和封裝基底的操作可靠性。另外，本發(fā)明的總體構(gòu)思利用壓力和真空通過MUF工藝同時(shí)形成模制層和底部填充層，從而能夠提高生產(chǎn)率和良率并能夠?qū)崿F(xiàn)具有優(yōu)異的耐久性和電特性的半導(dǎo)體封裝件。 雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明總體構(gòu)思的一些示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離總體發(fā)明構(gòu)思的原理和精神的情況下，可以對這些示例性實(shí)施例做出改變，總體發(fā)明構(gòu)思的范圍限定在權(quán)利要求及其等同物中。
權(quán)利要求
1.一種封裝基底，所述封裝基底包括基底，安裝有半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片包括限定外圍的多側(cè)；鈍化層，設(shè)置在基底上并且具有電連接到半導(dǎo)體芯片的第一開口部，其中，第一開口部延伸超過半導(dǎo)體芯片的所述多側(cè)的至少一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝基底，其中，第一開口部沿一個(gè)方向與基底的中心相交。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝基底，其中，鈍化層還包括第二開口部，第二開口部機(jī)械連接到半導(dǎo)體芯片并與電連接絕緣。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝基底，其中，第二開口部占據(jù)基底的邊緣部分。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝基底，其中，第一開口部連接到第二開口部以延伸到基底的邊緣部分，或者，第一開口部限定在基底的中心部分中而沒有連接到第二開口部。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝基底，所述封裝基底還包括第一阻擋件和第二阻擋件中的一個(gè)阻擋件，其中，第一阻擋件設(shè)置在鈍化層上且占據(jù)基底的邊緣部分以圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁的一部分，第二阻擋件設(shè)置在半導(dǎo)體芯片下。
7.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體芯片，包括限定外圍的多側(cè)；封裝基底，提供安裝半導(dǎo)體芯片的區(qū)域；模制層，被構(gòu)造成模制半導(dǎo)體芯片，其中，封裝基底包括將要電連接到半導(dǎo)體芯片的第一開口部，第一開口部延伸超過半導(dǎo)體芯片的所述多側(cè)中的至少一側(cè)。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，半導(dǎo)體芯片包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，在第一表面上設(shè)置有電連接端子和支撐端子，并且半導(dǎo)體芯片被倒裝安裝在封裝基底上且第一表面面向封裝基底。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，跨過半導(dǎo)體芯片的中心設(shè)置多個(gè)電連接端子，第一開口部跨過封裝基底的中心設(shè)置的同時(shí)與所述多個(gè)電連接端子垂直對齊。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，在半導(dǎo)體芯片的邊緣設(shè)置多個(gè)支撐端子，封裝基底還包括與所述多個(gè)支撐端子垂直對齊的多個(gè)第二開口部。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一開口部連接到至少一個(gè)第二開口部。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，封裝基底包括鈍化層，通過去除鈍化層的一部分來形成所述第一開口部和所述多個(gè)第二開口部。
13.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，封裝基底還包括圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁的一部分的第一阻擋件和設(shè)置在半導(dǎo)體芯片下的第二阻擋件中的一個(gè)阻擋件。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一阻擋件的高度與封裝基底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙的尺寸相同或不同，并且第一阻擋件設(shè)置在封裝基底的邊緣處以與半導(dǎo)體芯片的對應(yīng)的側(cè)分隔開。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第二阻擋件的高度小于封裝基底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙的尺寸，并且第二阻擋件設(shè)置在封裝基底上以與第一開口部隔開。
16.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，模制層包括填充半導(dǎo)體芯片和封裝基底之間的間隙的底部填充層，底部填充層由與模制層的材料相同的材料形成。
17.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體芯片，包括頂表面和與頂表面相對的底表面，在頂表面上設(shè)置有電連接端子和支撐端子；封裝基底，包括基底和鈍化層，基底安裝有半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片包括限定外圍的多側(cè)，鈍化層設(shè)置在基底上并具有將電連接到半導(dǎo)體芯片的第一開口部，其中，第一開口部延伸超過半導(dǎo)體芯片的所述多側(cè)中的至少一側(cè)；模制層，模制半導(dǎo)體芯片并填充半導(dǎo)體芯片和封裝基底之間的間隙，其中，封裝基底還包括連接到支撐端子的第二開口部，其中，半導(dǎo)體芯片設(shè)置成所述頂表面面向封裝基底，電連接端子通過第一開口部電連接到封裝基底，并且支撐端子通過第二開口部連接到封裝基底以機(jī)械地支撐封裝基底上的半導(dǎo)體芯片。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一開口部具有跨過封裝基底的中心沿一個(gè)方向延伸的直線形狀。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一開口部連接到第二開口部以向封裝基底的邊緣延伸。
20.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，封裝基底還包括設(shè)置在鈍化層上的阻擋件，阻擋件設(shè)置在間隙的外部以在與半導(dǎo)體芯片的側(cè)分隔開的同時(shí)圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁，或者設(shè)置在半導(dǎo)體芯片下的間隙中。
21.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，模制層包括填充所述間隙的底部填充層，底部填充層包括陷在偏離第一開口部的位置處的空隙。
22.一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法，所述方法包括以下步驟提供包括至少一個(gè)電連接端子的半導(dǎo)體芯片；提供包括將要結(jié)合到所述至少一個(gè)電連接端子的第一開口部的封裝基底，所述第一開口部延伸超過結(jié)合到所述至少一個(gè)電連接端子的區(qū)域；將半導(dǎo)體芯片安裝在封裝基底上，以通過第一開口部將所述至少一個(gè)電連接端子結(jié)合到封裝基底；通過壓力和真空環(huán)境提供模制樹脂，以形成模制半導(dǎo)體芯片的模制層，其中，通過封裝基底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙提供模制樹脂，以在形成模制層的同時(shí)形成填充所述間隙的底部填充層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，形成底部填充層的步驟包括使流到所述間隙中的模制樹脂在第一開口部中流動，其中，第一開口部的延伸區(qū)域使模制樹脂在第一開口部中的流動阻力變得低于模制樹脂在所述間隙中的流動阻力。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，形成底部填充層的步驟包括在使模制樹脂從半導(dǎo)體芯片的頂部流到半導(dǎo)體芯片的底部的同時(shí)，通過使模制樹脂朝著所述間隙的中心流動而在所述間隙的中心處形成未被模制樹脂填充的空腔；通過在壓力和真空的作用下持續(xù)地將模制樹脂提供到所述間隙來形成底部填充層，以使空腔消失。
25.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，提供封裝基底的步驟包括提供包括阻擋件的基底，所述阻擋件在基底的邊緣處圍繞半導(dǎo)體芯片的外壁的一部分或者設(shè)置在所述間隙中以與第一開口部隔開。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，形成底部填充層的步驟包括通過阻擋件改變從半導(dǎo)體芯片的頂部流到半導(dǎo)體芯片的底部中的模制樹脂的流量，在與阻擋件相鄰的位置處的間隙中形成未被模制樹脂填充的空腔； 持續(xù)地提供模制樹脂，以使空腔消失，從而形成底部填充層， 其中，因阻擋件與第一開口部分隔開，空隙產(chǎn)生并陷在與阻擋件相鄰的位置處。
27.一種基底，包括半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片具有限定基底外圍的多側(cè)，所述基底包括鈍化層，設(shè)置在基底上，鈍化層包括邊緣連接區(qū)域，所述邊緣連接區(qū)域形成在鈍化層的邊界邊緣內(nèi)以具有與半導(dǎo)體芯片的外圍相等的周長；至少一個(gè)中心開口部，沿著鈍化層的寬度形成在鈍化層內(nèi)，以使邊緣連接區(qū)域的兩個(gè)相對側(cè)的路徑延長。
28.如權(quán)利要求27所述的基底，其中，所述至少一個(gè)中心開口部穿過邊緣連接區(qū)域的中心延伸，以通過鈍化層提供與半導(dǎo)體芯片的電連接。
29.如權(quán)利要求觀所述的基底，其中，所述至少一個(gè)中心開口部包括至少一個(gè)超出部分，所述至少一個(gè)超出部分設(shè)置在基底的邊緣和邊緣連接區(qū)域之間，以電連接到半導(dǎo)體芯片。
30.如權(quán)利要求四所述的基底，所述基底還包括 多個(gè)端子，設(shè)置在所述至少一個(gè)中心開口部內(nèi)。
31.如權(quán)利要求觀所述的基底，其中，所述至少一個(gè)中心開口部包括第一超出部分和第二超出部分，所述第一超出部分和所述第二超出部分位于所述至少一個(gè)中心開口部的兩個(gè)相對的端部處，以電連接到半導(dǎo)體芯片，其中，在第一超出部分和第二超出部分之間的所述至少一個(gè)中心開口部中設(shè)置多個(gè)端子。
32.一種封裝基底，所述封裝基底包括 鈍化層，包括穿過鈍化層延伸的開口區(qū)域；至少一個(gè)阻擋件，具有預(yù)定的高度并且形成在鈍化層上；芯片，設(shè)置在所述至少一個(gè)阻擋件上，以限定芯片和鈍化層之間的間隙。
33.如權(quán)利要求32所述的封裝基底，其中，所述至少一個(gè)阻擋件包括線性形狀、L形和方括號形中的至少一種形狀，以改變沿環(huán)氧樹脂塑封料流動方向流經(jīng)所述間隙的模制樹脂的流量和流速中的至少一個(gè)。
34.一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法，所述半導(dǎo)體封裝件容納半導(dǎo)體芯片，所述方法包括以下步驟形成鈍化層，鈍化層具有限定鈍化層的外圍的邊界邊緣并且具有在邊界邊緣內(nèi)的邊緣連接區(qū)域；形成穿過鈍化層延伸且沿著鈍化層的寬度延伸的開口，以在邊緣連接區(qū)域和對應(yīng)的邊界邊緣之間延伸；在鈍化層上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，使得開口延伸超過半導(dǎo)體芯片的相對側(cè)。 全文摘要
本發(fā)明公開了一種基底、一種封裝基底、一種具有該封裝基底的半導(dǎo)體封裝件和一種制造該半導(dǎo)體封裝件的方法。半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體芯片、封裝基底和模制層。封裝基底提供安裝半導(dǎo)體芯片的區(qū)域。模制層被構(gòu)造成模制半導(dǎo)體芯片。封裝基底包括第一開口部，第一開口部提供電連接到半導(dǎo)體芯片的開口區(qū)域并延伸超過半導(dǎo)體芯片的側(cè)面以電連接到半導(dǎo)體芯片。
文檔編號H01L23/31GK102194768SQ20111006591
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月8日
發(fā)明者安殷徹, 樸辰遇, 林桓植 申請人:三星電子株式會社