專利名稱：一種led芯片的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種LED芯片。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是利用半導體材料中的電子與空穴結(jié)合時能量帶位階的改變， 以發(fā)光形式，釋放出能量。目前在市場上應用的發(fā)光二極管所發(fā)出的光為紅、綠、藍及白光 等多種。由于發(fā)光二極管具有體積小、壽命長、驅(qū)動電壓低、耗電量低、反應速率快、耐震性 佳等優(yōu)點，可應用在銀行匯率看板、汽車第三煞車燈、交通標志、戶外信息看板與日常照明 等各種應用領域中。現(xiàn)有的發(fā)光二極管(LED)主要由二極管芯片、引出電極和透明封裝外 殼構(gòu)成。由于其具備壽命長、體積小、發(fā)熱量低、耗電量少、反應速度快、無輻射及單色性發(fā) 光的特性及優(yōu)點，被廣泛應用于各項產(chǎn)品中。但是現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片只能發(fā)出單一顏 色的光，例如白色發(fā)光二極管芯片只能發(fā)出白色的光，藍色的發(fā)光二極管只能發(fā)出藍色的 光?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片包括一長晶層；一 η型緩沖層，形成于長晶層上；一 η型接觸 層，形成于η型緩沖層上；一 η型限制層，形成于η型接觸層上；一氮化鎵發(fā)光第一層，形成 于η型接觸層上；一氮化鎵發(fā)光第二層，形成于氮化鎵發(fā)光第一層；一 ρ型限制層，形成于 氮化鎵發(fā)光第二層上；一 P型接觸層，形成于P型限制層上；一 P型電極，形成于P型接觸層 上；一 η型電極，形成于η型限制層上?，F(xiàn)有技術(shù)中，芯片一般是以正方形切割，由于邊緣有一邊是不平行于解理面，切割 時容易產(chǎn)生邊角缺失或是邊緣毛糙等情況，從而大大浪費了原材料，同時也無法從單位面 積的外延片上分出更多優(yōu)質(zhì)的LED芯片，成本上造成了浪費。而且GaN基的發(fā)光二極管其 外形設計不利于電流的有效擴展的芯片電極設計離電極較遠部分區(qū)域，電流密度小，整個 芯片電流分布不均，進而會影響到發(fā)光效率。并且由于材料結(jié)構(gòu)容易引起分割、崩裂芯片過 程中產(chǎn)生破邊而影響產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種電流擴展 均勻、制程良率好的LED芯片。為了解決本發(fā)明的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種LED芯片，所述的LED芯片的各個 側(cè)邊與發(fā)光二極管基底的解理面相平行。本發(fā)明進一步改進在于，所述的發(fā)光二極管基板的材質(zhì)為藍寶石。本發(fā)明進一步改進在于，所述的LED芯片的其中一邊垂直于發(fā)光二極管基板的平 邊。本發(fā)明進一步改進在于，所述的LED芯片的橫截面形狀為三角形。本發(fā)明進一步改進在于，所述的LED芯片各個側(cè)邊之間的夾角為60°。本發(fā)明進一步改進在于，N型電極線平行于芯片側(cè)邊。本發(fā)明進一步改進在于，P型電極線平行于芯片側(cè)邊。
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由于采用了以上技術(shù)方案，LED芯片的各個側(cè)邊與發(fā)光二極管基底的解理面相平 行，對LED芯片切割、崩裂分離時對LED芯片的傷害較小，防止出現(xiàn)邊角缺失和邊角粗糙的 情況。無論是小芯片的圖形電極設計還是大芯片圖形電極設計，對芯片切割、崩裂分離時對 芯片的傷害較小，芯片各區(qū)域電流密度分布較均勻，擁有更好的電流擴展效率。


附圖1為本發(fā)明實施例中解理面的分布示意圖；附圖2為本發(fā)明實施例中設置了電極的LED芯片結(jié)構(gòu)一的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖3為本發(fā)明實施例中設置了電極的LED芯片結(jié)構(gòu)二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細閘述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被 本領域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。本發(fā)明的實施例是一種LED芯片，LED芯片的各個側(cè)邊與發(fā)光二極管基底的解理 面相平行。礦物晶體在外力作用下嚴格沿著一定結(jié)晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性 質(zhì)稱為解理，這些在解理中出現(xiàn)的平面稱為解理面。LED芯片的各個側(cè)邊與發(fā)光二極管基底 的解理面相平行，對LED芯片切割、崩裂分離時對LED芯片的傷害較小，防止出現(xiàn)邊角缺失 和邊角粗糙的情況。參見附圖1，本實施例中，發(fā)光二極管基板的材質(zhì)為藍寶石，藍寶石材質(zhì)的解理面 共有三個方向，第一個方向為垂直于藍寶石的平邊，也是垂直于藍寶石晶胞之M面；第二個 方向的解理面與第一個方向的解理面沿順時針成60°角，第三個方向的解理面與第一個方 向的解理面沿逆時針成60°角。為了保證LED芯片的各個邊緣和藍寶石基板的解理面都平 行，首先將LED芯片的其中一邊垂直于發(fā)光二極管基板的平邊，LED芯片其余各個側(cè)邊之間 與第一條邊設置為夾角為60°角，即LED芯片的橫截面形狀為正三角形。需要特別提及的 是，現(xiàn)在大部分LED芯片都是使用藍寶石為基底，所以本實施例中配合藍寶石基底的解理 面分布制造出的LED芯片是正三角形，如果使用其他材料作為發(fā)光二極管基底，那為了配 合各種材料的解理面的分布而制造出來的LED芯片不一定是三角形，LED芯片的形狀不限 定本發(fā)明的保護范圍。為了減小切割、崩裂分離時對LED芯片的傷害，本實施例中N型電極線平行于LED 芯片側(cè)邊，P型電極線也平行于LED芯片側(cè)邊。參見附圖2和附圖3，兩種設置有N型電極 線和P型電極線LED芯片的實施例，每個實施例中，N型電極線平行于LED芯片側(cè)邊，P型電 極線也平行于LED芯片側(cè)邊。無論是LED小芯片的圖形電極設計還是LED大芯片圖形電極 設計，對LED芯片切割、崩裂分離時對LED芯片的傷害較小，并且避免了部分區(qū)域離電極距 離過遠，使LED芯片各區(qū)域電流密度分布較均勻，擁有更好的電流擴展效率。通過上述實施方式，不難看出本發(fā)明是一種電流擴展均勻、制程良率好的LED芯 片。以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的 人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神 實質(zhì)所做的等效變化或修飾均涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED芯片，其特征在于所述的LED芯片的各個側(cè)邊與發(fā)光二極管基底的解理 面相平行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于所述的發(fā)光二極管基板的材質(zhì)為藍寶石。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于所述的LED芯片的其中一邊垂直于 發(fā)光二極管基板的平邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于所述的LED芯片的橫截面形狀為三 角形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片，其特征在于所述的LED芯片各個側(cè)邊之間的夾 角為80°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于N型電極線平行于芯片側(cè)邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于P型電極線平行于芯片側(cè)邊。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED芯片，所述的LED芯片的各個側(cè)邊與發(fā)光二極管基底的解理面相平行。配合藍寶石基底的解理面分布性質(zhì)制造出的LED芯片為正三角形，而且無論是小芯片的圖形電極設計還是大芯片圖形電極設計，電極都平行于LED芯片的側(cè)邊。對LED芯片切割、崩裂分離時對LED芯片的傷害較小，LED芯片各區(qū)域電流密度分布較均勻，擁有更好的電流擴展效率。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供了一種電流擴展均勻、制程良率好的LED芯片。
文檔編號H01L33/20GK102142495SQ20111004511
公開日2011年8月3日 申請日期2011年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月25日
發(fā)明者劉慰華 申請人:聚燦光電科技(蘇州)有限公司