專利名稱：發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由于其物理和化學(xué)特性，III-V族氮化物半導(dǎo)體已廣泛用作諸如發(fā)光二極管 (LED)或激光二極管(LD)等的發(fā)光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半導(dǎo)體包括具有化/明 ！力⑴彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。LED是一種半導(dǎo)體器件，其通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成紅外線或可見光來傳送/接收信號(hào)。LED還用作光源。使用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要用于提供光的發(fā)光器件。例如，該LED或 LD用作諸如蜂窩電話的鍵盤發(fā)光部分、電子標(biāo)識(shí)牌、以及照明裝置等的各種產(chǎn)品的光源。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供了具有新穎的豎直電極型結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。實(shí)施例提供了在半導(dǎo)體層上不具有焊盤的豎直型發(fā)光器件。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、位于該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方的有源層、以及位于有源層下方的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層位于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方；粘附層，該粘附層位于導(dǎo)電層下方； 支撐構(gòu)件，該支撐構(gòu)件位于粘附層下方；接觸電極，該接觸電極連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一引線電極，該第一引線電極位于支撐構(gòu)件下方；第一電極，該第一電極位于支撐構(gòu)件的第一區(qū)域上并將接觸電極連接到第一引線電極；第二電極，該第二電極位于支撐構(gòu)件的第二區(qū)域上，并連接到導(dǎo)電層和粘附層中的至少一個(gè)；第二引線電極，該第二引線電極位于支撐構(gòu)件下方，并連接到第二電極；以及第一絕緣層，該第一絕緣層位于所述接觸電極與發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、位于該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方的有源層、以及位于有源層下方的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層位于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方；粘附層，該粘附層位于導(dǎo)電層下方； 支撐構(gòu)件，該支撐構(gòu)件位于粘附層下方；第二電極，該第二電極位于支撐構(gòu)件的第一區(qū)域上并連接到粘附層；第一電極，該第一電極位于支撐構(gòu)件的第二區(qū)域上并連接到導(dǎo)電層；接觸電極，該接觸電極從粘附層延伸到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的內(nèi)部；絕緣層，該絕緣層在第一電極、第二電極以及所述接觸電極的至少一側(cè)上；第一引線電極，該第一引線電極位于支撐構(gòu)件下方并連接到第一電極；以及第二引線電極，該第二引線電極位于支撐構(gòu)件下方并連接到第二電極。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝包括主體；第一引線框架和第二引線框架，該第一引線框架和第二引線框架位于所述主體上；發(fā)光器件，該發(fā)光器件位于第一引線框架和第二引線框架中的至少一個(gè)上；以及成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件用于成型所述發(fā)光器件，其中，該發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方的有源層以及位于有源層下方的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層位于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方；粘附層，該粘附層位于導(dǎo)電層下方；支撐構(gòu)件，該支撐構(gòu)件位于粘附層下方；接觸電極，該接觸電極連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一引線電極，該第一引線電極位于支撐構(gòu)件下方；第一電極，該第一電極在支撐構(gòu)件的第一區(qū)域上，并將所述接觸電極連接到第一引線電極；第二電極，該第二電極位于支撐構(gòu)件的第二區(qū)域上，并連接到導(dǎo)電層和粘附層中的至少一個(gè)；第二引線電極，該第二引線電極位于支撐構(gòu)件下方，并連接到第二電極；以及第一絕緣層，該第一絕緣層位于所述接觸電極與發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間。


圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖2至圖10是示出用于制造圖1所示的發(fā)光器件的過程的截面圖；圖11是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖12是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖13是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖14是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖15是示出根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖16是示出根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖17是示出根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖；圖18是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的側(cè)視截面圖；圖19是示出根據(jù)一實(shí)施例的顯示裝置的圖；圖20是示出根據(jù)一實(shí)施例的另一顯示裝置的圖；并且圖21是示出根據(jù)一實(shí)施例的照明裝置的圖。
具體實(shí)施例方式在這些實(shí)施例的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一基板、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊或另一圖案“上”或“下”時(shí)，它可以“直接”或 “間接”位于另一基板、層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案上，或者也可以存在有一個(gè)或多個(gè)中間層。已經(jīng)參考附圖描述了層的這種位置。為了方便或清楚起見，附圖所示的每一層的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性繪制。另外，這些元件的尺寸并不完全反映真實(shí)尺寸。圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的截面圖。參考圖1，發(fā)光器件100包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110、有源層120、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130、導(dǎo)電層140、粘附層145、支撐構(gòu)件150、第一絕緣層160、第二絕緣層162、第三絕緣層165、接觸電極171、第一電極173、第二電極183、第一引線電極175、以及第二引線電極185。發(fā)光器件100包括具有多個(gè)化合物半導(dǎo)體層的LED，所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層包括III-V族元素。該LED可以包括發(fā)射藍(lán)色光、綠色光或紅色光的可見光帶LED，或者包括 UV(紫外光)LED。在本實(shí)施例的技術(shù)范圍內(nèi)，該LED能夠通過利用各種半導(dǎo)體來反射光。
發(fā)光結(jié)構(gòu)層135包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110、有源層120以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110形成在有源層120上，而第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130形成在有源層120下方。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的厚度至少比第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的厚度厚。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110包括摻雜有第一導(dǎo)電摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。 詳細(xì)地，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Iio可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)GaN、A1N、 AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN,AlInN,AlGaAs,GaP,GaAs,GaAsP,以及 AlGalnP。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110可以包括具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。如果第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110是N型半導(dǎo)體層，則第一導(dǎo)電摻雜物包括諸如Si、Ge、k或Te等的N型摻雜物。可以將第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110在其頂表面上形成有光提取結(jié)構(gòu)112。光提取結(jié)構(gòu)112 可以包括形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面上的粗糙部或圖案。該粗糙部或圖案的側(cè)視截面形狀包括如下項(xiàng)中的至少一種半球形、多邊形、錐形、以及納米柱形。該粗糙部或圖案可以具有規(guī)則或不規(guī)則的尺寸和間隔。光提取結(jié)構(gòu)112使入射到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 110的頂表面上的光的臨界角發(fā)生改變，以提高光提取效率。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的上部的內(nèi)側(cè)部分可以比第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的上部的外側(cè)部分薄，但本實(shí)施例不限于此。在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110上可以形成有電流擴(kuò)展層。該電流擴(kuò)展層可以包括其折射率比化合物半導(dǎo)體的折射率低的導(dǎo)電材料。該電流擴(kuò)展層可以包括金屬氧化物或金屬氮化物，例如ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZ0(鎵鋅氧化物)、111(^、12(^、11<^、1 11(^、1 11(^/1110、附/11<^/^11、或附/11<^/八11/ ΙΤ0，但本實(shí)施例不限于此。有源層120可以形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110下方。有源層120可以包括如下結(jié)構(gòu)中的至少一種單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)、或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。通過使用III-V族元素的化合物半導(dǎo)體材料，有源層120可以具有由阱層/勢(shì)壘層堆疊而成的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，該阱層可以包括具有InxAlyGa1^yN(0≤χ≤1，0≤y≤1， 0 ^ x+y ^ 1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體層，而勢(shì)壘層可以包括具有InxAly(iai_x_yN(0≤χ≤1，
復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體層。該勢(shì)壘層可以包括其帶隙比阱層的帶隙大的材料。有源層120可以包括如下項(xiàng)中的至少一種=InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層、InGaN阱層/ AlGaN勢(shì)壘層、以及InGaN阱層/InGaN勢(shì)壘層。在有源層120上方和/或下方可以形成有導(dǎo)電包覆層。該導(dǎo)電包覆層可以包括 GaN基半導(dǎo)體，并且具有比所述勢(shì)壘層的帶隙大的帶隙。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130形成在有源層120下方。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130 包括摻雜有第二導(dǎo)電摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130 可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP、以及AlGalnP。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以包括具有InxAlyGa1^yN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體層。如果第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130是P型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電摻雜物包括諸如Mg或 Si等的P型摻雜物?？梢詫⒌诙?dǎo)電型半導(dǎo)體層130制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。另外，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130下方可以形成有第三導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，該第三導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的極性與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130相反。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)層135可以包括如下結(jié)構(gòu)中的至少一種=N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)。在以下描述中，將描述如下這種結(jié)構(gòu)來作為示例其中，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的最下層。導(dǎo)電層140布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130下方。另外，粘附層145布置在導(dǎo)電層140下方，并且支撐構(gòu)件150布置在該粘附層145下方?？梢詫?dǎo)電層140定義為接觸層或歐姆接觸層。導(dǎo)電層140可以包括至少一種導(dǎo)電材料。優(yōu)選地，將導(dǎo)電層140制備為單層或多層。導(dǎo)電層140具有歐姆特性，并且以一層或多個(gè)圖案的形式與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的下表面接觸。導(dǎo)電層140可以包括如下項(xiàng)中的至少一種金屬、氧化物、以及氮化物。例如， 導(dǎo)電層140可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的至少一個(gè)ΙΤ0(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZ0 (鋁鋅氧化物)、AT0 (銻錫氧化物)、GZ0 (鎵鋅氧化物)、IrOx,RuOx,RuOx/ ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、以及 Pd。另外，通過使用 Ag、Ni、Al、Rh、 Pd、Ir、Ru、Mg、ai、Pt、Au、Hf或者包括上述元素中的至少兩種的合金，可以將導(dǎo)電層140制備為單層或多層。 導(dǎo)電層140包括第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的下表面形成歐姆接觸；以及第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層形成在第一導(dǎo)電層下方并且包括反射金屬。 該反射金屬具有至少為50%的反射率。導(dǎo)電層140可以從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的下表面延伸到第一絕緣層160的下表面，但本實(shí)施例不限于此。在導(dǎo)電層140與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間可以形成有導(dǎo)電材料圖案或絕緣材料圖案。此圖案可以減弱接觸界面之間的電阻變化。粘附層145形成在支撐構(gòu)件150與導(dǎo)電層140之間。粘附層145可以包括至少一種金屬或?qū)щ姴牧?。例如，粘附?45包括阻擋金屬或結(jié)合金屬。粘附層145可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的至少一個(gè):Sn、Ga、In、Bi、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、 Al、Pd、Pt、Si、Al-Si、iVg-Cd、Au-Sb、Al-Zn、Al-Mg、Al-Ge、Pd-Pb、iVg-Sb、Au-In、Al-Cu-Si、 Ag-Cd-Cu> Cu-Sb> Cd-Cu> Al-Si-Cu、Ag-Cu> Ag-Zn> Ag-Cu-Zn> Ag-Cd-Cu-Zn> Au-Si、Au-Ge> Au-Ni、Au-Cu、Au-Ag-Cu, Cu-Cu2O, Cu-Zn, Cu-P, Ni-B, Ni-Mn-Pd, Ni-P,以及 Pd-Ni，但本實(shí)施例不限于此。粘附層145可以包括與導(dǎo)電層140的材料不同的材料，但本實(shí)施例不限于此?？梢詫⒄掣綄?45定義為結(jié)合層。粘附層145包括第一粘附層145A和第二粘附層145B，其中，第一粘附層145A布置在導(dǎo)電層140下方，而第二粘附層145B布置在第一粘附層145A下方。第一粘附層145A和第二粘附層145B在相互電連接的同時(shí)彼此結(jié)合。
粘附層145的頂表面的面積至少大于發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的下表面的面積。粘附層145可以形成在第一絕緣層160的下表面的整個(gè)區(qū)域上或一部分上，但本實(shí)施例不限于此。支撐構(gòu)件150可以包括絕緣材料，例如Al2O3或&ι0。在生長所述半導(dǎo)體層110、 120和130的工藝中沒有使用支撐構(gòu)件150，而是將其單獨(dú)地布置在芯片下方。在以下對(duì)實(shí)施例的描述中，將使用包括藍(lán)寶石(Al2O3)的絕緣襯底作為支撐構(gòu)件150的示例。第一絕緣層160的內(nèi)側(cè)部分布置在粘附層145與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間， 并且第一絕緣層160的外側(cè)部分超出發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的橫向側(cè)而向外延伸。第一絕緣層160布置在粘附層145的外側(cè)，從而發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的橫向側(cè)與粘附層145通過第一絕緣層160間隔開。第二絕緣層162布置在粘附層145和導(dǎo)電層140的橫向側(cè)。第二絕緣層162的厚度至少比粘附層145的厚度厚。優(yōu)選地，第二絕緣層162的厚度對(duì)應(yīng)于發(fā)光結(jié)構(gòu)層135與支撐構(gòu)件150之間的間隙?？梢栽诎雽?dǎo)體層110、120和130周圍將第三絕緣層165制備為單層或多層。第三絕緣層165形成在第一絕緣層160的頂表面上以及發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的橫向側(cè)。第三絕緣層 165的部分165A可以延伸到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面的外周部分。第三絕緣層 165能夠防止發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的層間短路，同時(shí)防止水分滲入發(fā)光結(jié)構(gòu)層135中。第一絕緣層160、第二絕緣層162以及第三絕緣層165可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4, A1203、以及TiO2，但本實(shí)施例不限于此。在支撐構(gòu)件150的不同區(qū)域處形成有多個(gè)孔155和156。S卩，在支撐構(gòu)件150中形成有一個(gè)或多個(gè)第一孔155。在支撐構(gòu)件150的第一區(qū)域中，可以將第一孔巧5制備為通孔或過孔。第一孔155的下側(cè)部分的面積至少大于第一孔 155的上側(cè)部分的面積。第一電極173形成在第一孔155中。經(jīng)由第二絕緣層162的內(nèi)部或橫向側(cè)，第一電極173的頂表面通過第二絕緣層162的頂表面而暴露，并且第一電極173 的下表面通過該支撐構(gòu)件150的下表面而暴露。即，第一電極173從支撐構(gòu)件150的下表面延伸到第二絕緣層162的頂表面。第一電極173可以突出超過支撐構(gòu)件150的頂表面， 但本實(shí)施例不限于此。通過使用Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、Au 及其合金中的一種，可
以將第一電極173制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。在支撐構(gòu)件150中形成有一個(gè)或多個(gè)孔156。在支撐構(gòu)件150的第二區(qū)域中，可以將第二孔156制備為通孔或過孔。第二孔156的下側(cè)部分的面積至少大于第二孔156的上側(cè)部分的面積。第二電極183形成在第二孔156中。第二電極183的下表面通過支撐構(gòu)件150的下表面而暴露，并且第二電極183的頂表面可以延伸超過支撐構(gòu)件150的頂表面。第二電極183的頂表面接觸粘附層145。優(yōu)選地，第二電極183通過穿過粘附層145的內(nèi)部而與第一絕緣層160接觸。第二電極183的頂表面能夠通過第一絕緣層160的頂表面而暴露，但本實(shí)施例不限于此。通過使用如下項(xiàng)中的至少一個(gè):Ti、Al、Al合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag
8合金、Au、Hf、Pt、Ru及其合金，可以將第二電極183制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。第一電極173離所述支撐構(gòu)件150的第一橫向側(cè)Sl比離所述支撐構(gòu)件150的第二橫向側(cè)S2更近，而第二電極183離所述支撐構(gòu)件150的第二橫向側(cè)S2比離所述支撐構(gòu)件150的第一橫向側(cè)Sl更近。第一橫向側(cè)Sl和第二橫向側(cè)S2是彼此不同的側(cè)，或者彼此相反的側(cè)。第一電極173和第二電極183之間的間隔至少大于發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的寬度，但本實(shí)施例不限于此。第一電極173和第二電極183在沿豎直方向不與發(fā)光結(jié)構(gòu)層135重疊的區(qū)域中對(duì)準(zhǔn)。該重疊方向可以是支撐構(gòu)件150或發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的厚度方向。可以設(shè)置具有線性形狀的一個(gè)或多個(gè)接觸電極171。該接觸電極171將第一電極 173電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110。該接觸電極171以如下方式設(shè)置在第三絕緣層165 的橫向側(cè)即，該接觸電極171的第一接觸部171A能夠接觸第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面，而該接觸電極171的第二接觸部171B能夠接觸第一電極173。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 110的頂表面是N面(N-face)，它電連接到第一接觸部171A。該接觸電極171與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面形成歐姆接觸，并且包括具有優(yōu)異的粘附性、反射性和導(dǎo)電性的金屬。例如，通過使用從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、Au及其合金，可以將接觸電極171制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。該接觸電極171的第一接觸部171A與第二電極183間隔開第一預(yù)定距離D1，該第一預(yù)定距離Dl等于或大于發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的寬度。該接觸電極171的第一接觸部171A與第一電極183相反地定位，從而能夠提高電流效率。第一引線電極175和第二引線電極185設(shè)置在支撐構(gòu)件150下方。第一引線電極 175和第二引線電極185彼此間隔開，并且分別用作焊盤。第一引線電極175連接到第一電極173的下表面，而第二引線電極185連接到第二電極183的下表面。通過使用從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)Cr、Ti、Al、Al合金、 In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag 合金、Cu、Au、Ni、Pt、Hf、以及 Ru，可以將第一引線電極 175 和第二引線電極185制備為單層或多層。圖2至圖10是示出用于制造圖1的發(fā)光器件的過程的截面圖。參考圖2，第一襯底101被裝載在生長設(shè)備中，并且在第一襯底101上形成包括II 至VI族化合物半導(dǎo)體的層或圖案。所述生長設(shè)備可以選自由如下項(xiàng)組成的組電子束蒸發(fā)器、PVD(物理氣相沉積) 裝置、CVD (化學(xué)氣相沉積)裝置、PLD (等離子體激光沉積)裝置、復(fù)式熱蒸發(fā)器、濺射裝置、 以及MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)裝置，但本實(shí)施例不限于此。第一襯底101是使用導(dǎo)電襯底或絕緣襯底的生長襯底。例如，第一襯底101可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)A1203、GaN、SiC、ZnO、Si、feiP JnPja2O3、以及GaAs。 可以在第一襯底101的頂表面上形成具有透鏡形狀或帶狀形狀的凹凸圖案。另外，在第一襯底101上形成有化合物半導(dǎo)體層。通過使用II至VI族化合物半導(dǎo)體，可以將該化合物半導(dǎo)體層制備為一層或圖案。例如，該化合物半導(dǎo)體層可以包括如下項(xiàng)中的至少一個(gè)ZnO 層(未示出)、緩沖層(未示出)、以及未摻雜的半導(dǎo)體層(未示出)。能夠通過使用III-VI 族化合物半導(dǎo)體來形成該緩沖層或未摻雜的半導(dǎo)體層，該緩沖層能夠削弱相對(duì)于襯底的晶
9格失配，并且該未摻雜的半導(dǎo)體層可以包括未摻雜的GaN基半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110形成在第一襯底101上，有源層120形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Iio上，并且第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130形成在有源層120上。其它層可以形成在上述各層的上方和/或下方，但本實(shí)施例不限于此。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110包括摻雜有第一導(dǎo)電摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。 詳細(xì)地，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Iio可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)GaN、A1N、 AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN,AlInN,AlGaAs,GaP,GaAs,GaAsP,以及 AlGalnP。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110可以包括具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。如果第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110是N型半導(dǎo)體層，則第一導(dǎo)電摻雜物包括諸如Si、Ge、k或Te等的N型摻雜物?？梢詫⒌谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層110制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。有源層120可以形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110下方。有源層120可以包括如下結(jié)構(gòu)中的至少一種單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)、或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。通過使用III-V族元素的化合物半導(dǎo)體材料，有源層120可以具有由阱層/勢(shì)壘層堆疊而成的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，該阱層可以包括具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1) 復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體層，而該勢(shì)壘層可以包括具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體層。該勢(shì)壘層可以包括其帶隙比阱層的帶隙大的材料。在有源層120上方和/或下方可以形成有導(dǎo)電包覆層。該導(dǎo)電包覆層可以包括 GaN基半導(dǎo)體，并且具有比有源層的帶隙大的帶隙。勢(shì)壘層的帶隙可以大于阱層的帶隙，而該導(dǎo)電包覆層的帶隙可以大于勢(shì)壘層的帶隙。有源層120可以包括如下項(xiàng)中的至少一種=InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層、InGaN阱層/ AlGaN勢(shì)壘層、以及InGaN阱層/InGaN勢(shì)壘層。在有源層120上方和/或下方可以形成有導(dǎo)電包覆層。該導(dǎo)電包覆層可以包括 GaN基半導(dǎo)體，并且具有比勢(shì)壘層的帶隙大的帶隙。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130形成在有源層120上。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130包括摻雜有第二導(dǎo)電摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130 可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP、以及AlGalnP。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以包括具有 InxAlyGa1^yN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體層。如果第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130是P型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電摻雜物包括諸如Mg或 Si等的P型摻雜物?？梢詫⒌诙?dǎo)電型半導(dǎo)體層130制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110、有源層120以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以構(gòu)成發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。另外，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130下方可以形成有第三導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，該第三導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的極性與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的極性相反。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)層135 可以包括如下結(jié)構(gòu)中的至少一種=N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)。在以下描述中，將描述如下這種結(jié)構(gòu)來作為示例其中，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的最上層。參考圖3和圖4，第一絕緣層160形成在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的頂表面的外周部分上。通過使用Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al203、或TiO2,能夠利用光刻膠工藝來形成第一絕緣層160，但本實(shí)施例不限于此。第一絕緣層160可以具有環(huán)形形狀或框架形狀，并且可以連續(xù)或斷續(xù)地形成。導(dǎo)電層140通過濺射工藝或沉積工藝形成在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上，但本實(shí)施例不限于此。導(dǎo)電層140可以包括具有歐姆特性的材料。導(dǎo)電層140以一層或多個(gè)圖案的形式與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的頂表面形成歐姆接觸。導(dǎo)電層140可以包括如下項(xiàng)中的至少一種金屬、透射型氧化物、以及透射型氮化物。例如，導(dǎo)電層140可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的至少一個(gè)ΙΤ0(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、ΙΖΤ0(銦鋅錫氧化物)、 IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、 ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ ITO、Pt、Ni、Au、Rh、以及 Pd。另外，通過使用 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 或者包括上述元素中的至少兩種的合金，可以將導(dǎo)電層140制備為單層或多層。另外，在導(dǎo)電層140與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間可以局部設(shè)置有導(dǎo)電氧化物或絕緣材料，以增加其電阻值。第一粘附層145Α形成在導(dǎo)電層140上。第一粘附層145Α延伸到第一絕緣層160 的頂表面。第一粘附層145Α可以包括阻擋金屬或結(jié)合金屬。例如，第一粘附層145Α可以包括如下項(xiàng)中的至少一個(gè)Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、以及Ta，但本實(shí)施例不限于此。能夠通過濺射方案、沉積方案、印制方案或電鍍方案來形成第一粘附層145A，但本實(shí)施例不限于此。參考圖4和圖5，支撐構(gòu)件150可以用作第二襯底。該第二襯底是包括Al2O3或SiO 的絕緣襯底。支撐構(gòu)件150可以包括在熱膨脹系數(shù)方面與半導(dǎo)體無較大差異的材料。支撐構(gòu)件150可以包括與第一襯底101的材料相同的材料?？梢允褂脤?dǎo)電襯底作為該支撐構(gòu)件 150，但本實(shí)施例不限于此。第二粘附層145B形成在支撐構(gòu)件150上。第二粘附層145B包括導(dǎo)電材料或至少一種金屬。第二粘附層145B可以包括阻擋金屬或結(jié)合金屬。例如，第二粘附層145B包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的至少一個(gè)Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、以及Ta，但本實(shí)施例不限于此。能夠通過濺射方案、沉積方案、印制方案、或電鍍方案來形成第二粘附層145B，但本實(shí)施例不限于此。第二粘附層145B可以包括與第一粘附層145A的材料相同或不同的材料。優(yōu)選地， 第二粘附層145B可以包括與第一粘附層145A的材料相同的材料。如圖5所示，第一粘附層145A被對(duì)準(zhǔn)在第二粘附層145B上。參考圖6和圖7，第一粘附層145A結(jié)合到第二粘附層145B上。支撐構(gòu)件150布置在基部，而第一襯底101用作最上層。第一粘附層145A和第二粘附層145B可以構(gòu)成粘附層 145?？梢酝ㄟ^物理方案和/或化學(xué)方案來移除第一襯底101。詳細(xì)地，通過激光剝離 (LLO)方案來移除第一襯底101。根據(jù)該LLO方案，把具有預(yù)定波長的激光束照射到第一襯
11底101上，以剝離第一襯底101。另外，如果在第一襯底101與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110之間設(shè)置有另一半導(dǎo)體(例如，緩沖層)，則通過濕法蝕刻劑來移除該緩沖層，以分離第一襯底101。由于已經(jīng)移除第一襯底101，所以第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110露出。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面是N面，其更靠近所述第一襯底。能夠通過ICP/RIE (電感耦合等離子體/反應(yīng)離子蝕刻)來蝕刻或者能夠通過拋光設(shè)備來拋光第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面，但本實(shí)施例不限于此。參考圖7和圖8，執(zhí)行第一蝕刻工工藝以露出第一絕緣層160。該第一蝕刻工藝主要包括干法蝕刻工藝。在該第一蝕刻工藝期間，可以加入濕法蝕刻工藝。通過該第一蝕刻工藝來移除發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的外周部分，從而可以移除芯片邊界區(qū)域。該芯片邊界區(qū)域是溝道區(qū)域或隔離區(qū)域。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110在其頂表面上形成有光提取結(jié)構(gòu)112。光提取結(jié)構(gòu)112 可以包括形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面上的圖案或粗糙部。通過濕法蝕刻工藝或干法蝕刻工藝，能夠形成光提取結(jié)構(gòu)112。參考圖8和圖9，通過蝕刻該粘附層145的一部分以及第一絕緣層160的一部分來使第一絕緣層160的頂表面局部露出。粘附層145的該部分以及第一絕緣層160的該部分布置成向外超過發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的橫向側(cè)，從而通過蝕刻工藝能夠使支撐構(gòu)件150露出。 該蝕刻工藝可以包括濕法蝕刻工藝或干法蝕刻工藝，但本實(shí)施例不限于此。第二絕緣層162 被部分地形成在支撐構(gòu)件150的頂表面上，并且第二絕緣層162的內(nèi)側(cè)部分與粘附層145 及第一絕緣層160的橫向側(cè)接觸。根據(jù)另一實(shí)施例，可以在形成第一粘附層145A和第二粘附層145B之前先形成第二絕緣層162，但本實(shí)施例不限于此。第一孔155和第二孔156形成在支撐構(gòu)件150中。能夠通過激光工藝和/或鉆孔工藝來形成該第一孔巧5和第二孔156。第一孔155和第二孔156的上側(cè)部分的面積可以不同于第一孔155和第二孔156 的下側(cè)部分的面積。詳細(xì)地，第一孔155和第二孔156的下側(cè)部分的面積可以大于第一孔 155和第二孔156的上側(cè)部分的面積。第一孔155和第二孔156可以包括通孔或過孔，并且當(dāng)從頂部觀察時(shí)，它們可以具有圓形、多邊形或隨機(jī)形狀。一個(gè)或多個(gè)第一孔155形成在支撐構(gòu)件150中。第一孔155形成在支撐構(gòu)件150 的第一區(qū)域中，并且延伸到第二絕緣層162的上側(cè)部分。一個(gè)或多個(gè)第二孔156形成在支撐構(gòu)件150中。第二孔156形成在支撐構(gòu)件150的第二區(qū)域中，并且至少延伸到粘附層145 的一部分。第二孔156穿過粘附層145而延伸到第一絕緣層160的內(nèi)部，從而第二孔156 能夠通過第一絕緣層160的頂表面而暴露。當(dāng)從頂部觀察時(shí)，支撐構(gòu)件150的第一區(qū)域不同于支撐構(gòu)件150的第二區(qū)域，優(yōu)選地，該第一區(qū)域與支撐構(gòu)件150的第二區(qū)域相對(duì)。第一電極173設(shè)置在第一孔155中，而第二電極183設(shè)置在第二孔156中。能夠通過沉積方案、電鍍方案、或插入方案來形成第一電極173和第二電極183。第一電極173離所述支撐構(gòu)件150的第一橫向側(cè)比離所述支撐構(gòu)件150的第二橫向側(cè)更近，而第二電極183離所述支撐構(gòu)件150的第二橫向側(cè)比離所述支撐構(gòu)件150的第一橫向側(cè)更近。該第一橫向側(cè)和第二橫向側(cè)彼此不同或彼此相反。第一電極173和第二電極183之間的間隔至少大于發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的寬度，但本實(shí)施例不限于此。第一電極173
12和第二電極183在關(guān)于發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的厚度方向或豎直方向不與發(fā)光結(jié)構(gòu)層135重疊的區(qū)域中對(duì)準(zhǔn)。經(jīng)由第二絕緣層162的內(nèi)部或橫向側(cè)，第一電極173的頂表面通過第二絕緣層162 的頂表面而暴露，并且第一電極173的下表面通過該支撐構(gòu)件150的下表面而暴露。S卩，第一電極173從支撐構(gòu)件150的下表面延伸到第二絕緣層162的頂表面。第一電極173可以突出超過支撐構(gòu)件150的頂表面，但本實(shí)施例不限于此。第二電極183可以從支撐構(gòu)件150的下表面延伸到第一絕緣層160的頂表面。第一電極173穿過支撐構(gòu)件150和第二絕緣層162而延伸。第二電極183穿過第一絕緣層160、粘附層145和支撐構(gòu)件150而延伸。通過使用Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、Au 及其合金中的一種，可
以將第一電極173制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。通過使用Ti, A1>A1 合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag 合金、Au、Hf、Pt、Ru 及
其合金中的至少一種，可以將第二電極183制備為單層或多層，但本實(shí)施例不限于此。第三絕緣層165形成在半導(dǎo)體層110、120和130的外周部分處，第三絕緣層165 的上端可以延伸到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面的外周部分，而第三絕緣層165的下端接觸第一絕緣層160和/或第二絕緣層162。參考圖9和圖10，接觸電極171形成在第三絕緣層165的外周部分上。該接觸電極171的第一接觸部171A與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面的一部分接觸，并且該接觸電極171的第二接觸部171B與第一電極173的頂表面接觸。能夠以至少一條線的形式來制備該接觸電極171。該接觸電極171的第一接觸部171A可以具有一定圖案，例如分支圖案、手指或臂狀圖案、放射狀圖案或直線圖案，從而能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的電流分布。通過使用從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、 Ge、Ag、Cu、Au及其合金，可以將接觸電極171制備為單層或多層。該接觸電極171與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的N面形成歐姆接觸，并且具有優(yōu)異的粘附性、反射性和導(dǎo)電性。在支撐構(gòu)件150下方設(shè)置有第一引線電極175和第二引線電極185。一個(gè)或多個(gè)第一引線電極175在支撐構(gòu)件150下方設(shè)置，以接觸第一電極173。另外，一個(gè)或多個(gè)第二引線電極185設(shè)置在支撐構(gòu)件150下方，以接觸第二電極183。第一引線電極175和第二引線電極185彼此間隔開，并且分別用作焊盤。第一引線電極175通過第一電極173和接觸電極171而電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110。另外，第二引線電極185通過第二電極183、粘附層145以及導(dǎo)電層140而電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130。在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110上可以形成有電流擴(kuò)展層。該電流擴(kuò)展層是透射層，并且包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)ΙΤ0(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、 IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、ΙΤΟΝ、ΙΖ0Ν、IrOx、RuOx、 Ru0X/IT0、Ni/Ir0X/Au、或Ni/IrOx/Au/ITO，以將電流擴(kuò)展到整個(gè)區(qū)域。該電流擴(kuò)展層可以與接觸電極171的第一接觸部171A接觸。設(shè)置有多個(gè)接觸電極171，同時(shí)，這些接觸電極171彼此間隔開，以通過擴(kuò)展電流來將電流提供給第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110。
圖11是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。在以下對(duì)第二實(shí)施例的描述中，為了避免重復(fù)，將省略在第一實(shí)施例中已經(jīng)描述過的結(jié)構(gòu)和元件。參考圖11，發(fā)光器件100A包括分別布置在支撐構(gòu)件150的兩個(gè)不同橫向側(cè)的第一電極173和第二電極183。詳細(xì)地，第一電極173布置在支撐構(gòu)件150的第一橫向側(cè)，而第二電極183布置在支撐構(gòu)件150的第二橫向側(cè)。該第一橫向側(cè)與第二橫向側(cè)相鄰或相反。圖12是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。在以下對(duì)第三實(shí)施例的描述中，為了避免重復(fù)，將省略在第一實(shí)施例中已經(jīng)描述過的結(jié)構(gòu)和元件。參考圖12，發(fā)光器件100B的接觸電極172和第一電極173中的一個(gè)可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的一部分重疊。第一電極173形成在支撐構(gòu)件150的第一孔155中，同時(shí)在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的厚度方向或豎直方向上與發(fā)光結(jié)構(gòu)層135重疊。第一電極173布置在支撐構(gòu)件150中，并且接觸電極172從第一電極173沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的厚度方向延伸。第三孔157形成為貫穿粘附層145、導(dǎo)電層140以及發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。可以設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)第三孔157。當(dāng)從頂部觀察時(shí)，該第三孔157具有圓形或多邊形形狀。圍繞第三孔157形成有第四絕緣層167，并且所述接觸電極172形成在第四絕緣層 167中。第四絕緣層167使接觸電極172與其它層120、130、140及145絕緣。該接觸電極172的接觸部172A突出超過第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面，并且與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面接觸。該接觸電極172的接觸部172A的寬度可以大于第三孔157的寬度。可以設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)接觸電極172和第一電極173，但本實(shí)施例不限于此。第一電極173的高度可以不同于第二電極183的高度。該接觸電極172與第二電極183間隔開一段預(yù)定距離，該預(yù)定距離相當(dāng)于發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的寬度的一半或更多。還可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135與粘附層145之間設(shè)置有電流阻擋層164。該電流阻擋層164包括絕緣材料并且圍繞第三孔157設(shè)置，從而電流阻擋層164可以沿發(fā)光結(jié)構(gòu)層135 的厚度方向或豎直方向與接觸電極172的接觸部172A重疊。該絕緣材料可以包括如下項(xiàng)中的至少一種=SiO2, SiOx, SiOxNy> Si3N4、Al2O3、以及Ti02。電流阻擋層164可以省去，但本實(shí)施例不限于此。圖13是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。在以下對(duì)第四實(shí)施例的描述中，為了避免重復(fù)，將省略在第一實(shí)施例中已經(jīng)描述過的結(jié)構(gòu)和元件。參考圖13，在發(fā)光器件100C的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135中設(shè)置有多個(gè)接觸電極174。接觸電極174被對(duì)準(zhǔn)在第三粘附層145C上。導(dǎo)電層140A形成在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130下方，并且第一絕緣層160形成在導(dǎo)電層140A與第三粘附層145C之間。導(dǎo)電層140A與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130形成歐姆接觸，并且包括反射層。還可以在導(dǎo)電層140A與支撐構(gòu)件150之間設(shè)置有如圖1所示的第一粘附層和第二粘附層，但本實(shí)施例不限于此。通過第一絕緣層160，使導(dǎo)電層140A與第三粘附層145C電氣隔離。第一電極173形成在第一孔155中，并且通過穿過支撐構(gòu)件150而與第三粘附層 145C接觸。多個(gè)接觸電極174從第三粘附層145C延伸到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的內(nèi)部。 該接觸電極174設(shè)置在凹部158中，并且通過第四絕緣層166而與其它層140A、130和120絕緣。該接觸電極174的上端與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的內(nèi)側(cè)下表面接觸。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的該內(nèi)側(cè)下表面是( 面(Ga-face)。多個(gè)接觸電極174未暴露于該發(fā)光器件的頂側(cè)，因此能夠增加第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的光提取面積?？梢栽谝呀?jīng)形成導(dǎo)電層140A或者已經(jīng)形成凹部158和第一絕緣層160之后再形成接觸電極174，但本實(shí)施例不限于此。導(dǎo)電層140A延伸超過第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的下表面的邊緣，并且與第二電極 183的頂表面接觸。設(shè)置在第二孔156中的第二電極183通過該支撐構(gòu)件150的下表面而暴露，并且第二電極183接觸第二引線電極185。圖14是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。在以下對(duì)第五實(shí)施例的描述中，為了避免重復(fù)，將省略在先前的實(shí)施例中已經(jīng)描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖14，發(fā)光器件100D包括第五絕緣層177、第一電極173、以及多個(gè)接觸電極 174。這些接觸電極174設(shè)置在凹部158中，并且通過第四絕緣層166和第五絕緣層177 與其它層120、130、140A及145絕緣。該接觸電極174未暴露于發(fā)光器件的頂側(cè)，而是與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的內(nèi)側(cè)下表面接觸。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的該內(nèi)側(cè)下表面是 feiN基的Ga面。通過第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130下方的預(yù)定的分支圖案174A，能夠?qū)⑦@些接觸電極 174彼此連接。第四絕緣層166和第五絕緣層177形成在除了第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110之外的層 140A、130、120及145中，以防止該接觸電極174和其分支圖案174A之間發(fā)生電短路。導(dǎo)電層140A包括歐姆層和反射層。導(dǎo)電層140A形成在未形成有第五絕緣層177的區(qū)域上，并且與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的下表面接觸。某些接觸電極174能夠接觸第一電極173。通過第一電極173和接觸電極174，把供應(yīng)給第一引線電極175的電力饋送到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110。另外，由于通過多個(gè)接觸電極174來供應(yīng)電力，所以可以不出現(xiàn)電流集中。圖15是示出根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視截面圖。參考圖15，該發(fā)光器件包括位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110上的電流擴(kuò)展層105。電流擴(kuò)展層105的面積相當(dāng)于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面的面積的50%或更大。電流擴(kuò)展層105是粗糙層，并且與接觸電極171的第一接觸部171A的下表面接觸，以將電流擴(kuò)展到該發(fā)光器件的整個(gè)區(qū)域。電流擴(kuò)展層105布置在接觸電極171的第一接觸部171A與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 110之間，以提高電流效率以及光提取效率。電流擴(kuò)展層105可以包括透射型氧化物或透射型氮化物。詳細(xì)地，電流擴(kuò)展層 105可以包括其折射率比第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的折射率低的材料。例如，電流擴(kuò)展層 105可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)ΙΤ0(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、 IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、ΙΤΟΝ、ΙΖ0Ν、IrOx、RuOx、 RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、或 Ni/Ir0x/Au/IT0。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110可以包括第一半導(dǎo)體層111和位于該第一半導(dǎo)體層111下方的第二半導(dǎo)體層113。第一半導(dǎo)體層111的摻雜濃度、厚度或復(fù)合化學(xué)式可以與第二半導(dǎo)體層113的摻雜濃度、厚度或復(fù)合化學(xué)式不同。第一半導(dǎo)體層111的摻雜濃度可以高于第二半導(dǎo)體層113的摻雜濃度。例如，具有高導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層111能夠布置在具有低導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層113上。另外，第一半導(dǎo)體層111可以包括AlGaN層，而第二半導(dǎo)體層113可以包括GaN層。此外，第一半導(dǎo)體層111的帶隙可以不同于第二半導(dǎo)體層113 的帶隙。第一半導(dǎo)體層111和第二半導(dǎo)體層113可以被重復(fù)堆疊至少兩次，但本實(shí)施例不限于此。第一半導(dǎo)體層ill和第二半導(dǎo)體層113可以具有超晶格結(jié)構(gòu)(SLS)。另外，第一半導(dǎo)體層111和第二半導(dǎo)體層113可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)GaN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN, Si02、SiOx、SiN2, SiNx, SiOxNy,以及金屬材料。該超晶格結(jié)構(gòu)包括被交替堆疊至少兩次的至少兩個(gè)不同的層。例如，該超晶格結(jié)構(gòu)包括由hGaN/GaN堆疊而成的堆疊結(jié)構(gòu)。該超晶格結(jié)構(gòu)的每一層均可以具有至少數(shù)個(gè)A的厚度。另外，由第一半導(dǎo)體層111和第二半導(dǎo)體層Il3堆疊而成的堆疊結(jié)構(gòu)可以包括反射層，在該反射層中，具有不同折射率的至少兩個(gè)層被交替堆疊。例如，該堆疊結(jié)構(gòu)可以包括DBR (分布布拉格反射鏡)，該DBR具有由GaN層/AlN層堆疊而成的至少兩個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以包括與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110相同的超晶格結(jié)構(gòu)。例如，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以包括具有^α ρ^^ΝΟ)彡χ彡1，
l，0<x+y< 1)復(fù)合化學(xué)式的第一層以及位于該第一層下方的、具有 InxAlyGa1^yN(O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡1)復(fù)合化學(xué)式的第二層。該第一層的摻雜濃度、厚度或復(fù)合化學(xué)式可以與該第二層的摻雜濃度、厚度或復(fù)合化學(xué)式不同。導(dǎo)電層141的外側(cè)部分伸到第一絕緣層160的下表面，從而接觸所述粘附層145。 由于上述結(jié)構(gòu)，能夠防止第一粘附層145A從第一絕緣層160脫落。第一電極173的下側(cè)部分173A和第二電極183的下側(cè)部分183A的面積可以大于第一電極173的上側(cè)部分及第二電極183的上側(cè)部分的面積。另外，在支撐構(gòu)件150的下表面上形成有多個(gè)凹部151。這些凹部151可以擴(kuò)大該發(fā)光器件的表面積，從而能夠提高散熱效率。圖16是圖12的變型例。參考圖16，該發(fā)光器件包括位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110上的電流擴(kuò)展層105。電流擴(kuò)展層105與接觸電極172的接觸部172A的下表面接觸。接觸電極172的接觸部172A 與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110接觸，但本實(shí)施例不限于此。電流阻擋層164可以沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的厚度方向或豎直方向與接觸電極172 的接觸部172A重疊，但本實(shí)施例不限于此。圖17是圖1的變型例。參考圖17，該發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電層141和第二導(dǎo)電層143，其中，第一導(dǎo)電層 141包括具有歐姆特性的材料，而第二導(dǎo)電層143包括具有反射性的材料。第一導(dǎo)電層141 可以用作歐姆接觸層。例如，第一導(dǎo)電層141與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的下表面接觸。可以將第一導(dǎo)電層141制備為一層或圖案。第二導(dǎo)電層143形成在第一導(dǎo)電層141下方，并且具有比第一導(dǎo)電層141的寬度大的寬度。第二導(dǎo)電層143可以包括反射金屬。例如，第一導(dǎo)電層141可以包括從由如下項(xiàng)組成的組中選擇的至少一個(gè)ITO(銦
16錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZON (ΙΖ0氮化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au, Ni/Ir0x/Au/IT0, Pt、Ni、 Au、Rh、以及 Pd。另外，通過使用由如下項(xiàng)組成的組中選擇的一個(gè)Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、 Si、Pt、Au、Hf、以及包括上述元素中的至少兩種的合金，可以將第二導(dǎo)電層143制備為單層
或多層。電流擴(kuò)展層105被對(duì)準(zhǔn)在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110上。電流擴(kuò)展層105可以斷續(xù)地形成。電流擴(kuò)展層105接觸所述接觸電極171的第一接觸部171A。在電流擴(kuò)展層105上形成有磷光體層190。磷光體層190可以包括諸如硅樹脂層或環(huán)氧樹脂層等的樹脂層。磷光體層190的一部分191能夠與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的頂表面接觸。可以向磷光體層190加入磷光體材料。在這種情況下，該磷光體材料可以包括如下項(xiàng)中的至少一種YAG、TAG、氮化物、以及氧氮化物基材料?？梢酝ㄟ^散布磷光體顆粒來制備該磷光體層190。磷光體層190的厚度小于支撐構(gòu)件150的厚度，但本實(shí)施例不限于此。圖18是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的截面圖。參考圖18，發(fā)光器件封裝30包括主體20 ；第一引線框架31和第二引線框架32， 該第一引線框架31和第二引線框架32形成在主體20上；發(fā)光器件100，該發(fā)光器件100設(shè)置在主體20上并電連接到第一引線框架31和第二引線框架32 ；以及成型構(gòu)件40，該成型構(gòu)件40包圍發(fā)光器件100。主體20可以是含有硅的導(dǎo)電基板、包括PPA(聚鄰苯二甲酰胺)的合成樹脂基板、陶瓷基板、絕緣基板、或者諸如金屬芯PCB(MCPCB)等的金屬基板。在發(fā)光器件100的周圍可以形成有傾斜表面。主體20可以具有通孔結(jié)構(gòu)，但本實(shí)施例不限于此。在主體20的上部處可以形成有腔體22，并且第一引線框架31和第二引線框架32 以及發(fā)光器件100設(shè)置在腔體22中。主體20可以具有平坦的頂表面。在這種情況下，可以省略腔體22。第一引線框架31和第二引線框架32彼此電氣隔離，以將電力供應(yīng)給發(fā)光器件 100。另外，第一引線框架31和第二引線框架32反射從發(fā)光器件100發(fā)射的光以提高光效率，并且將發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱量散發(fā)到外部。發(fā)光器件100可以安裝在主體20上，或者安裝在第一引線框架31和第二引線框架32上。根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件100通過焊料而結(jié)合到第一引線框架31和第二引線框 32 ο成型構(gòu)件40包括諸如硅樹脂或環(huán)氧樹脂等的樹脂材料，并且包圍發(fā)光器件100以保護(hù)該發(fā)光器件100。另外，成型構(gòu)件40可以包括磷光體材料，以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長。在成型構(gòu)件40上可以形成有透鏡。該透鏡能夠與成型構(gòu)件40接觸，或者可以與成型構(gòu)件40間隔開。該透鏡可以包括凸透鏡和凹透鏡。發(fā)光器件100能夠通過過孔電連接到所述基板或主體的下表面。在該發(fā)光器件封裝中可以安裝有根據(jù)本實(shí)施例的至少一個(gè)發(fā)光器件，但本實(shí)施例不限于此。盡管在該實(shí)施例中公開了頂視型發(fā)光器件封裝，但也可以使用側(cè)視型發(fā)光器件封裝，以提高散熱性、導(dǎo)電性及反射性。根據(jù)頂視型發(fā)光器件封裝或側(cè)視型發(fā)光器件封裝，通過使用樹脂層來封裝該發(fā)光器件，然后，將透鏡形成在樹脂層上或使該透鏡結(jié)合到樹脂層， 但本實(shí)施例不限于此。〈照明系統(tǒng)〉根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝或發(fā)光器件能夠應(yīng)用于照明系統(tǒng)。該照明系統(tǒng)包括被排列在燈單元中的多個(gè)發(fā)光器件或多個(gè)發(fā)光器件封裝。該照明系統(tǒng)可以包括照明燈、信號(hào)燈、車輛頭燈、以及電子標(biāo)識(shí)牌。該照明系統(tǒng)可以包括圖19和圖20所示的顯示裝置、圖21所示的照明裝置、照明燈、信號(hào)燈、汽車頭燈、以及電子顯示器等。圖19是示出根據(jù)一實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖。參考圖19，根據(jù)該實(shí)施例的顯示裝置1000可以包括導(dǎo)光板1041 ；發(fā)光模塊 1031，該發(fā)光模塊1031將光提供給導(dǎo)光板1041 ；反射構(gòu)件1022，該反射構(gòu)件1022位于導(dǎo)光板1041下方；光學(xué)片1051，該光學(xué)片1051位于導(dǎo)光板1041上；顯示面板1061，該顯示面板1061位于光學(xué)片1051上；以及底蓋1011，該底蓋1011容納所述導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊 1031和反射構(gòu)件1022 ；然而，其不限于此?？梢詫⒌咨w1011、反射構(gòu)件1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051定義為燈單元 1050。導(dǎo)光板1041用于對(duì)光進(jìn)行漫射，以使其聚集為表面光源。利用透明材料來形成導(dǎo)光板1041，并且導(dǎo)光板1041例如可以包括如下項(xiàng)中的一種諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 等的丙烯基樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂。發(fā)光模塊1031將光提供到導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)，并最終用作所述顯示裝置的光源。包括有至少一個(gè)發(fā)光模塊1031，并且發(fā)光模塊1031可以在導(dǎo)光板1041的一側(cè)直接或間接提供光。發(fā)光模塊1031包括基板1033和根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30。該發(fā)光器件封裝30能以預(yù)定間隔布置在基板1033上。基板1033可以是包括電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。然而，基板1033 不僅可以包括典型的PCB，而且可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)，但其不限于此。在發(fā)光器件封裝30安裝于底蓋1011的側(cè)面或散熱板上的情況下，基板1033可以略去。 在此，該散熱板的一部分可以接觸底蓋1011的上表面。多個(gè)發(fā)光器件封裝30可以安裝在基板1033上，使得其發(fā)光表面與導(dǎo)光板1041分開一段預(yù)定距離，但對(duì)此不存在限制。發(fā)光器件封裝30可以將光直接或間接提供給導(dǎo)光板 1041的入光部(即導(dǎo)光板1041的一側(cè))，但對(duì)此不存在限制。反射構(gòu)件1022可以布置在導(dǎo)光板1041下方。反射構(gòu)件1022把入射到導(dǎo)光板1041 的下表面的光沿向上方向反射，從而可以提高燈單元1050的亮度。例如，可以利用PET、PC 或PVC(聚氯乙烯)樹脂來形成反射構(gòu)件1022;然而，其不限于此。反射構(gòu)件1022可以是底蓋1011的上表面；然而，對(duì)此不存在限制。
底蓋1011可以容納所述導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011可以設(shè)置有容納單元1012，該容納單元1012具有其上表面敞口的盒體形狀，但對(duì)此不存在限制。底蓋1011可以與頂蓋組合，但對(duì)此不存在限制?？梢岳媒饘俨牧匣驑渲牧蟻硇纬傻咨w1011，并且可以使用壓制或擠壓成型工藝來制造該底蓋1011。底蓋1011也可以包括具有優(yōu)異導(dǎo)熱性的金屬或非金屬材料，但對(duì)此不存在限制。顯示面板1061例如是IXD面板，并且包括透明的第一基板和第二基板以及位于該第一基板與第二基板之間的液晶層。在顯示面板1061的至少一側(cè)可以附接有偏振板；然而，該附接結(jié)構(gòu)不限于此。顯示面板1061利用穿過光學(xué)片1051的光來顯示信息。顯示裝置 1000可以應(yīng)用于各種蜂窩電話、筆記本電腦的監(jiān)視器、膝上型電腦的監(jiān)視器、以及電視機(jī)。光學(xué)片1051布置在顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)半透明片。光學(xué)片1051例如可以包括如下項(xiàng)中的至少一種漫射片、水平和豎直棱鏡片、亮度增強(qiáng)片。該漫射片使入射光漫射。該水平或/和豎直棱鏡片使入射光集中于顯示區(qū)域。該亮度增強(qiáng)片重新利用所散失的光以增強(qiáng)亮度。在顯示面板1061上可以布置有保護(hù)片，但對(duì)此不存在限制。在此，在發(fā)光模塊1031的光路上，可以包括作為光學(xué)構(gòu)件的導(dǎo)光板1041和光學(xué)片 1051 ；然而，對(duì)此不存在限制。圖20是示出根據(jù)一實(shí)施例的顯示裝置的圖。參考圖20，顯示裝置1100包括底蓋1152、基板1120、光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯示面板1155。在此，上述發(fā)光器件封裝30排列在基板1120上?？梢詫⒒?120和發(fā)光器件封裝30定義為發(fā)光模塊1060?？梢詫⒌咨w1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060、以及光學(xué)構(gòu)件IlM定義為燈單元。底蓋1152可以設(shè)置有容納單元1153，但對(duì)此不存在限制。在此，光學(xué)構(gòu)件IlM可以包括如下項(xiàng)中的至少一種透鏡、導(dǎo)光板、漫射片、水平和豎直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng)片?？梢岳肞C材料或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料來形成該導(dǎo)光板，并且可以省去該導(dǎo)光板。該漫射片使入射光漫射。該水平或/和豎直棱鏡片使入射光集中于顯示區(qū)域上。該亮度增強(qiáng)片重新利用所散失的光以增強(qiáng)亮度。光學(xué)構(gòu)件IlM布置在發(fā)光模塊1060上。光學(xué)構(gòu)件IlM將發(fā)光模塊1060發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為表面光源，或?qū)膺M(jìn)行漫射或聚集。圖21是示出根據(jù)一實(shí)施例的照明裝置的透視圖。參考圖21，照明裝置1500包括殼體1510 ；發(fā)光模塊1530，該發(fā)光模塊1530安裝到殼體1510 ；以及連接端子1520，該連接端子1520安裝到殼體1510，并且被提供有來自外部電源的電力。優(yōu)選地，利用具有優(yōu)異散熱特性的材料來形成殼體1510。例如，可以利用金屬材料或樹脂材料來形成殼體1510。發(fā)光模塊1530可以包括基板1532以及安裝在該基板1532上的根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30。多個(gè)發(fā)光器件封裝30可以排列成矩陣形式，或者排列成彼此以預(yù)定間隔分
1 O基板1532可以是印制有電路圖案的絕緣體。例如，基板1532可以包括普通PCB、
19金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、以及FR-4基板。也可以利用能夠有效反射光的材料來形成該基板1532，或者基板1532的表面可以涂覆有能夠有效反射光的顏色，例如白色或銀色。至少一個(gè)發(fā)光器件封裝30可以安裝在基板1532上。每個(gè)發(fā)光器件封裝30可以包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片。該LED芯片可以包括發(fā)射諸如紅光、綠光、藍(lán)光或白光等可見光的發(fā)光二極管，或者可以包括發(fā)射紫外光(UV)的UV發(fā)光二極管?？梢栽诎l(fā)光模塊1530中布置各種發(fā)光器件封裝30的組合，以獲得色調(diào)和亮度。例如，為了確保高顯色指數(shù)(CRI)，可以組合布置白光發(fā)光二極管、紅光發(fā)光二極管、以及綠光發(fā)光二極管。連接端子1520可以電連接到發(fā)光模塊1530，以供應(yīng)電力。連接端子1520以裝入插座中的方法而旋擰連接到外部電源；然而，對(duì)此不存在限制。例如，連接端子1520可以形成為插頭形狀以插入到外部電源中，或者連接端子1520可以通過電線連接到外部電源。根據(jù)該實(shí)施例，把包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝布置在基板上以提供發(fā)光模塊， 或者把發(fā)光器件布置在基板上來提供發(fā)光模塊。根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法可以包括以下步驟在襯底上形成多個(gè)化合物半導(dǎo)體層，所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；在所述化合物半導(dǎo)體層的頂表面的外周部分上形成第一絕緣層；在所述化合物半導(dǎo)體層上形成接觸層；在該接觸層上形成第一粘附層；在第二襯底上將第二粘附層結(jié)合到第一粘附層；移除第一襯底；蝕刻所述化合物半導(dǎo)體層的芯片邊界區(qū)域；通過在第二襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成通孔來形成第一電極和第二電極；以及形成第一接觸電極，以將第一電極連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。根據(jù)該實(shí)施例，能夠從所述半導(dǎo)體層的頂表面去除焊盤，從而在該半導(dǎo)體層的頂表面處能夠提高光提取效率。與具有橫向型電極結(jié)構(gòu)的LED芯片相比，本實(shí)施例能夠增大發(fā)光面積。根據(jù)該實(shí)施例，結(jié)合電極設(shè)置在所述襯底下方，從而能夠擴(kuò)大發(fā)光面積。因此， 根據(jù)該實(shí)施例，能夠增強(qiáng)發(fā)光效率并且能夠提高該發(fā)光器件的可靠性。在本說明書中對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”、“一實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的任何引用均意味著結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。 在說明書中各處出現(xiàn)的這類短語不必都指向同一實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任一實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合這些實(shí)施例中的其它實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到許多將落入本公開原理的精神和范圍內(nèi)的其它修改和實(shí)施例。更特別地，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，主題組合布置結(jié)構(gòu)的組成部件和/或布置結(jié)構(gòu)方面的各種變化和修改都是可能的。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，除了組成部件和/或布置結(jié)構(gòu)方面的變化和修改之外，替代用途也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述有源層位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方，所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層位于所述有源層下方；導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方； 粘附層，所述粘附層位于所述導(dǎo)電層下方； 支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件位于所述粘附層下方； 接觸電極，所述接觸電極連接到所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 第一引線電極，所述第一引線電極布置在所述支撐構(gòu)件下方； 第一電極，所述第一電極將所述接觸電極連接到所述第一引線電極，所述第一電極布置在所述支撐構(gòu)件的第一區(qū)域處；第二電極，所述第二電極連接到所述導(dǎo)電層和所述粘附層中的至少一個(gè)，所述第二電極布置在所述支撐構(gòu)件的第二區(qū)域處；第二引線電極，所述第二引線電極連接到所述第二電極，所述第二引線電極布置在所述支撐構(gòu)件下方；以及第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述接觸電極與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極和所述第二電極布置在所述支撐構(gòu)件的不同側(cè)表面處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述支撐構(gòu)件包括絕緣材料，并且，所述第一電極和所述第二電極布置到所述支撐構(gòu)件的內(nèi)部區(qū)域，其中，所述第一電極和所述第二電極之間的間隔比所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的寬度寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)從所述支撐構(gòu)件的頂表面突出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述第一電極和所述粘附層的橫向側(cè)之間， 其中，所述第二絕緣層包括內(nèi)側(cè)部分，所述內(nèi)側(cè)部分布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層與所述粘附層之間的外周部分上；以及外側(cè)部分，所述外側(cè)部分布置在比所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的橫向側(cè)更向外的部分處。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述粘附層包括 第一粘附層，所述第一粘附層位于所述導(dǎo)電層下方；以及第二粘附層，所述第二粘附層位于所述第一粘附層與所述支撐構(gòu)件之間，其中，所述第二電極的一部分突出到比所述粘附層的頂表面高的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的下表面形成歐姆接觸；以及第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層包括反射金屬，所述第二導(dǎo)電層布置在所述第一導(dǎo)電層下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極和所述接觸電極中的至少一個(gè)在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的厚度方向上與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層重疊，并且所述接觸電極與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的N面或Ga面接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的頂表面是N面， 并且，所述接觸電極的一部分與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的頂表面接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，還包括電流阻擋層，所述電流阻擋層布置在所述接觸電極的外周部分上，所述電流阻擋層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的下表面接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述接觸電極的一部分接觸所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的頂表面的一部分，并且，所述接觸電極的所述一部分與所述第二電極之間的間隔等于或大于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括電流擴(kuò)展層，所述電流擴(kuò)展層位于所述接觸電極的一部分與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包括第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層下方，并且所述第一半導(dǎo)體層的摻雜濃度高于所述第二半導(dǎo)體層的摻雜濃度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述支撐構(gòu)件包括絕緣材料，并且所述接觸電極包括多個(gè)接觸電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極和所述第二電極布置在沿著所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的厚度方向不與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層重疊的區(qū)域上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層，其包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方的有源層及位于有源層下方的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；導(dǎo)電層，其位于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方；粘附層，其位于導(dǎo)電層下方；支撐構(gòu)件，其位于粘附層下方；接觸電極，其連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一引線電極，其位于支撐構(gòu)件下方；第一電極，其位于支撐構(gòu)件的第一區(qū)域上并將接觸電極連接到第一引線電極；第二電極，其位于支撐構(gòu)件的第二區(qū)域上并連接到導(dǎo)電層和粘附層中的至少一個(gè)；第二引線電極，其位于支撐構(gòu)件下方并連接到第二電極；以及第一絕緣層，其位于接觸電極與發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間。
文檔編號(hào)H01L33/38GK102157658SQ20111003815
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月11日
發(fā)明者丁煥熙, 宋俊午, 崔光基, 文智炯, 李尚烈 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司