專利名稱：一種熱輻射基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱輻射基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子組件廣泛地應(yīng)用于各個領(lǐng)域，高集成度和高容量的組件引起的熱生成已造成產(chǎn)品的性能退化。為了解決這個問題，一直致力于研究使用熱導(dǎo)率良好的金屬材料的高效率的熱輻射基板。以下將描述一種根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的熱輻射基板的結(jié)構(gòu)。首先，通過使用陽極氧化法使鋁的一個表面或整個表面形成一種陽極氧化膜。然后，在形成于鋁的上表面的陽極氧化膜上形成鍍層，進一步加工形成電路圖形。 此后，該電路圖形與發(fā)熱元件電氣連接，并且在鋁的下表面形成的陽極氧化膜(或者在陽極氧化膜僅在鋁的上表面上形成的情況下是鋁本身的下表面，)與熱輻射板連接，從而從發(fā)熱元件中產(chǎn)生的熱通過鋁和熱輻射板輻射到外部。因此，在熱輻射基板上形成的發(fā)熱元件可以有效的輻射高熱量。因而，發(fā)熱元件的性能退化的問題可以解決。然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的熱輻射基板具有電路圖形僅在基板的上表面形成的結(jié)構(gòu)。 因此，由于作用到熱輻射基板上的壓力而產(chǎn)生翹曲。此外，由于在鋁的下表面形成的陽極氧化膜(或者在陽極氧化膜僅在鋁的上表面上形成的情況下是鋁本身的下表面)直接與熱輻射板接觸，在重復(fù)加工過程中例如裝載，輸送(transfer)，外出攜帶(carrying-out)以及類似情況中，在預(yù)先確定的控制環(huán)境中可能會發(fā)生基板的角落破損現(xiàn)象。因而，熱輻射基板或發(fā)熱元件的性能退化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明致力于提供一種熱輻射基板以及一種制作該熱輻射基板的方法，該熱輻射基板具有改善的熱輻射基板翹曲現(xiàn)象，改善的性能退化問題例如角落破損現(xiàn)象，以及通過額外的在陽極氧化基板的下表面形成金屬層而具有改善的熱導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，提供了一種熱輻射基板，該熱輻射基板包括覆蓋(form over)在金屬基板上的具有陽極氧化膜的陽極氧化基板；形成于所述陽極氧化基板的一個表面的電路圖形；和形成于所述陽極氧化基板的另一個表面的金屬層。形成于所述陽極氧化基板的所述另一個表面的所述金屬層與形成于所述陽極氧化基板的所述一個表面的電路圖形可以具有相同的面積。所述金屬層的厚度可以為lOym-lmm。
所述金屬層可以具有其中多根桿(bar)彼此平行排列的形狀。所述金屬層可以包括最外金屬層，該最外金屬層通過將在陽極氧化基板邊沿的內(nèi)部的最外部分的四根桿連接而形成為長方形形狀；N個中間金屬層，該N個中間金屬層形成為位于最外金屬層的內(nèi)部的長方形形狀，且具有沿朝向陽極氧化基板的內(nèi)部中心的方向尺寸縮小的長方形形狀；最里金屬層，該最里金屬層形成于N個中間金屬層的最內(nèi)部分的中間金屬層的內(nèi)部，并且具有多根桿彼此平行排列的形狀。所述金屬層可以是螺旋形狀。所述金屬層可以僅在陽極氧化基板的所述另一個表面的邊沿上形成。所述金屬基板可以由鋁制成，和陽極氧化膜可以由氧化鋁制成。所述金屬層可以由銅制成。所述熱輻射基板可以進一步包括種子層，所述種子層介于陽極氧化基板的所述一個表面和電路圖形之間或介于陽極氧化基板的所述另一個表面和金屬層之間。所述形成于陽極氧化基板的所述一個表面的電路圖形可以與發(fā)熱元件連接，并且，形成于陽極氧化基板的所述另一個表面的金屬層可以與熱輻射板連接。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，提供了一種熱輻射基板的制作方法，該方法包括(A)在金屬基板上形成陽極氧化膜以制備陽極氧化基板；(B)在陽極氧化基板的一個表面形成鍍層，并且通過鍍覆工藝在陽極氧化基板的另一個表面形成金屬層；(C)圖案化鍍層以形成電路圖形。所述熱輻射基板的制作方法可以進一步包括在步驟(A)后，(A’ )使用化學(xué)鍍工藝或濺射工藝形成種子層。所述鍍層和金屬層可以同時形成。所述熱輻射基板的制作方法可以進一步包括，在步驟(B)后，去除金屬層的邊沿以便金屬層僅形成于陽極氧化基板的另一個表面的邊沿內(nèi)。所述熱輻射基板的制作方法可以進一步包括，圖案化金屬層以便形成于陽極氧化基板的另一個表面的金屬層與形成于陽極氧化基板的一個表面的電路圖案具有相同的面積。所述金屬基板可以由鋁制成，和陽極氧化膜可以由氧化鋁制成。所述金屬層可以由銅制成。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式的熱輻射基板的橫截面示意圖；圖2-圖8是按順序顯示根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式的一種熱輻射基板的制作方法的工藝橫截面示意圖；圖9和圖10是顯示其中發(fā)熱元件安裝在圖1中所示的熱輻射基板上的結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖；圖11是顯示熱導(dǎo)率隨金屬層(Cu)的厚度的變化圖；圖12-圖14是圖1所示的熱輻射基板的仰視圖。
具體實施例方式
5
以下結(jié)合附圖的具體實施方式
的描述將使本發(fā)明的特點和優(yōu)勢變得顯而易見。在本發(fā)明的說明書以及權(quán)利要求書中所使用的術(shù)語和詞語不應(yīng)當(dāng)理解為局限于通常的含義和字典定義，而應(yīng)當(dāng)理解為基于發(fā)明人能適當(dāng)?shù)囟x由術(shù)語所暗示的概念，以最好地描述他或她已知的實施本發(fā)明的方法的原則，這些術(shù)語和詞語應(yīng)該理解為具有與本發(fā)明的技術(shù)范圍相關(guān)的意思和概念。以下結(jié)合附圖的具體實施方式
的描述將使本發(fā)明的目的、特點和優(yōu)勢變得顯而易見。在說明書中，在附圖中所增加的不同組件的參考數(shù)字中，必須指出的是，即使參考的組件在不同的圖中顯示，相同的參考數(shù)字表示相同的組件。進而，當(dāng)確定與本發(fā)明相關(guān)的熟知領(lǐng)域的詳細描述可能會掩蓋本發(fā)明的精神時，該詳細描述將被省略。下面，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。熱輻射基板的結(jié)構(gòu)圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式的熱輻射基板100的橫截面示意圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式的熱輻射基板100配置成包括覆蓋在金屬基板110上的具有陽極氧化膜111的陽極氧化基板112 ；形成于陽極氧化基板112上的種子層116 ；形成于第一種子層116a上的電路圖形114以及形成于第二種子層116b上的金屬層115。所述金屬基板110，其是熱輻射基板100的基本構(gòu)件，其是輻射從發(fā)熱元件130在空氣中產(chǎn)生的熱量的構(gòu)件。因為所述金屬基板110由金屬制成，由于高的熱導(dǎo)率，使其具有優(yōu)良的熱輻射效應(yīng)。另外，該金屬基板110的強度比由普通樹脂層制成的基板的強度高，因而抗翹曲能力大。在本說明書里，該金屬基板Iio優(yōu)選由鋁(Al)制成，沒有必要地限定，也可以由錳(Mn)，鋅(Zn),It (Ti)，鉿(Hf)，鉭(Ta)或鈮(Nb)制成。所述陽極氧化基板112是通過在所述金屬基板110上形成陽極氧化膜111而形成的。在本說明書里，所述陽極氧化膜111是在金屬基板110上形成的絕緣層，將金屬基板與金屬基板絕緣，從而，電路圖形114和金屬基板110不會電氣短路。當(dāng)金屬基板110由金屬鋁(Al)制成時，陽極氧化膜111由通過氧化金屬鋁而形成的氧化鋁(Al2O3)制成。當(dāng)金屬基板110由鋁制成以及該陽極氧化膜111由氧化鋁制成時，熱輻射基板100具有優(yōu)良的熱輻射效應(yīng)。在本說明書里，陽極氧化膜111的厚度根據(jù)需要可以形成為幾微米到幾百微米的厚度。所述種子層116是通過化學(xué)鍍工藝或濺射工藝在陽極氧化膜111上形成的薄的金屬層，作為隨后在陽極氧化膜111上形成鍍層113和金屬層115的引線(lead line)。為了使基板在向上和向下方向的結(jié)構(gòu)對稱，種子層116以相同的厚度在陽極氧化基板112的一個表面和另一個表面上形成。然而，該種子層可能會根據(jù)鍍層的鍍方法不同而被忽略。所述電路圖形114通過圖案化使用濕鍍工藝(wet plating process)或干濺射工藝(dry sputtering process)而形成于陽極氧化膜111的一個表面上的鍍層113而形成 (第一種子層116a在陽極氧化膜111的一個表面上形成)。在本說明書里，電路圖形114與發(fā)熱元件130、其他的組件或其他的接線是電連接的。所述金屬層115通過使用濕鍍工藝或干濺射工藝在陽極氧化膜111的另一個表面上形成(第二種子層116b在陽極氧化膜111的另一個表面上形成)。
在本說明書里，所述金屬層115僅在陽極氧化基板112的另一個表面上的邊沿內(nèi)形成，從而陽極氧化基板112的角落部分不直接與熱輻射板140接觸。另外，為了盡量減少基板的翹曲現(xiàn)象，所述金屬層150，優(yōu)選地，與電路圖形114具有相同的面積。形成于陽極氧化基板112的另一表面的金屬層可以被圖案化為與電路圖形 114具有相同的面積，并且可能是與電路圖形114具有相同的面積的板狀結(jié)構(gòu)。盡管根據(jù)本實施方式金屬層115被圖案化為與電路圖形114具有相同的面積，但是，其僅僅是一個增加的以防止基板翹曲和改善熱輻射效應(yīng)的配置，不同于常規(guī)的雙面陽極氧化基板，因為它不是用來作為電路圖形的。同時，當(dāng)由于基板的特性而不可能具有相同的面積時，可以調(diào)整和選擇金屬層 115的厚度。然而，考慮到基板的薄化(thinning)，金屬層115的厚度優(yōu)選在限定范圍 10 μ m-lmm內(nèi)選擇。同時，實驗證明當(dāng)金屬層115由銅層制成時，隨著銅層厚度的增加，陽極氧化基板的熱導(dǎo)率線性增加。例如，在厚度為4mm的鋁基板的兩個表面上形成厚度為25 μ m 的陽極氧化膜111以制備陽極氧化基板112和在陽極氧化基板112的一個表面的第一種子層116a上形成厚度為200 μ m的電路圖形的情況下，隨著在第二種子層116b上形成的銅層厚度增加到400 μ m,陽極氧化基板112的熱導(dǎo)率增加到6% (參考圖11)。另外，為了最大化熱導(dǎo)率的效率，該金屬層115可以是鰭形(圖12)，箱肋形(圖 13)或螺旋形(圖14)，如圖12到圖14所示。該鰭形表示其中多根桿是從陽極氧化基板112 的另一個表面上突出的(參考圖12)，并且彼此相互平行排列的形狀。也就是說，該鰭形形狀意味著其中從陽極氧化基板112的邊沿的一邊延長至另一邊而形成的N根桿被設(shè)置為彼此平行排列且按預(yù)定間隔隔開的形狀。另外，箱肋形被配置成包括通過連接在陽極氧化基板112邊沿的內(nèi)部的最外部分的四根桿而形成的長方形形狀的最外金屬層個形成于最外金屬層11 的內(nèi)部的長方形形狀的中間金屬層11 ，沿著朝向陽極氧化基板112的內(nèi)部中心的方向，該N個中間金屬層11 的尺寸縮?。缓托纬捎谥虚g金屬層11 的內(nèi)部， 并位于N個中間金屬層11 的最內(nèi)部分，且具有多根桿彼此平行排列的形狀的最里金屬層 115c。也就是說，該箱肋形形狀意味著如下結(jié)構(gòu)其中形成了最外金屬層115a、沿從陽極氧化基板112的邊沿內(nèi)的最外部分到陽極氧化基板112的中心的方向具有尺寸逐漸縮小的中間金屬層115b，并且在形成于最內(nèi)部分的中間金屬層11 的內(nèi)部形成了多個桿狀最內(nèi)金屬層115c，該多個桿狀最內(nèi)金屬層115c與構(gòu)成形成最內(nèi)部分的中間金屬層11 的四根桿中的任意一根平行排列。另外，螺旋形形狀意味著是一個旋渦的形狀，其中桿從陽極氧化基板112突出，并形成于陽極氧化基板112的邊沿。同時，該金屬基板115可以由銅制成。銅具有相對簡單的加工特性，易于實現(xiàn)各種形狀，也可以具有適當(dāng)?shù)膹姸葋硪种脐枠O氧化基板翹曲現(xiàn)象的產(chǎn)生。例如，在使用銅作為金屬層115來制作雙面陽極氧化基板112的情況下，當(dāng)將已有的單面陽極氧化基板的翹曲現(xiàn)象與使用厚度為4mm的鋁基板的雙面陽極氧化基板112的翹曲現(xiàn)象對比時，可以確認的是， 翹曲程度從72 μ m降低到52 μ m,即降低。另外，同其他金屬相對比，由于銅具有相對優(yōu)良的熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率，從而提高了熱輻射性能。另外，因為銅相對便宜，因而使得減少熱輻射基板的制作成本成為可能。同時，所述鍍層113和金屬層115可以同時形成。
熱輻射基板的制作方法圖2-圖8是用來解釋根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式的熱輻射基板100的制作方法的橫截面示意圖。接下來，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的熱輻射基板100的制作方法將參考圖2-圖8來描述。首先，如圖2所示，制備金屬基板110。此時，金屬基板110被加工成需要制作的厚度和寬度。該金屬基板110可以由具有優(yōu)良熱導(dǎo)率的金屬制成。例如，該金屬基板優(yōu)選由鋁(Al)制成，在此沒有必要對鋁進行限定，也可以由錳(Mn)，鋅(Zn),It (Ti)，鉿(Hf)，鉭(Ta)或鈮(Nb)制成。然后，如圖3所示，陽極氧化膜111覆蓋在金屬基板110上以制作陽極氧化基板 112。在本說明書中，所述陽極氧化膜111為絕緣層，將電路圖形與金屬基板絕緣，從而，電路圖形114和金屬基板110不會電氣短路。詳細描述形成陽極氧化膜的工藝。金屬基板110連接到直流電源的正極，并在酸性溶液(電解質(zhì)溶液)浸泡，從而有可能形成在金屬基板110表面配置有陽極氧化膜111的絕緣層。例如，當(dāng)金屬基板110由鋁制成時，金屬基板110的表面同電解質(zhì)溶液發(fā)生反應(yīng)， 因而在表面形成鋁離子(Al3+)。通過在金屬基板110上施加電壓使電流密度集中于金屬基板110的表面從而在原位產(chǎn)生熱，所以，由于熱有更多的鋁離子形成。結(jié)果，在金屬基板110 的表面形成許多槽，氧離子(O2-)通過電場力移動到槽中，同鋁離子發(fā)生反應(yīng)，從而有可能形成由氧化鋁層制成的陽極氧化膜111。在本說明書中，因為陽極氧化膜111同其他絕緣元件相比具有優(yōu)良的熱導(dǎo)率，因此盡管陽極氧化膜111覆蓋在金屬基板110上，但熱交換可在金屬基板110和熱輻射板140 之間順利進行。另外，當(dāng)金屬基板110是由金屬鋁制成的時候，絕緣層可以通過氧化金屬鋁形成氧化鋁來制成。在這種情況下，熱交換率可進一步提高。因而，如圖4所示，種子層116在陽極氧化基板112的一個表面或另一個表面上形成。所述種子層116是使用化學(xué)鍍工藝或濺射工藝在陽極氧化膜111上形成的薄金屬膜。 通常來講，化學(xué)鍍工藝是被作為實施電鍍工藝前的預(yù)處理工藝實施的。同時，種子層116 可形成適合實施電鍍工藝的厚度。與此同時，濺射工藝是濺射金屬粒子到目標(biāo)表面以沉積成由金屬制成的薄膜的過程，所述濺射工藝可以形成由如金、銀、銅以及類似材料制成的薄膜。在本說明書中，通過制作上下方向?qū)ΨQ的基板以盡可能使翹曲現(xiàn)象最小化，種子層116以相同的厚度在陽極氧化膜的兩個表面形成。盡管如此，根據(jù)鍍層的鍍法可以省略形成種子層116的工序。然后，如圖5所示，鍍層113和金屬層115通過干濺射(或濕鍍)工藝在陽極氧化基板112的一個表面或另一個表面(或者在陽極氧化膜111上形成第一種子層116a或者第二種子層116b)上形成。在本說明書中，對鍍層113進行下面將要描述的光敏化、顯影和蝕刻工序，然后形成電路圖形114(包括墊)。此外，金屬層115的邊緣可能由于蝕刻而被去除。金屬層115 可以由具有優(yōu)良熱導(dǎo)率和足夠的強度以承受施加到熱輻射基板100上的外力的金屬優(yōu)選為銅制成。此外，鍍層113和金屬層115可以同時形成。接下來，如圖6和圖7所示，將抗蝕阻劑120應(yīng)用到鍍層113和金屬層115上，并對抗蝕阻劑實施圖案化。首先，對應(yīng)用到鍍層113的抗蝕阻劑120進行預(yù)定的處理以圖案化成抗蝕阻劑圖形120’。具體來說，在將干膜及其類似物應(yīng)用在鍍層和金屬層上以形成抗蝕阻劑120后，用紫外光對抗蝕阻劑120在被掩模遮蔽的狀態(tài)下進行照射。此后，當(dāng)將顯影液應(yīng)用于抗蝕阻劑120時，通過紫外光照射而固化的部分被保留了 ；然而，沒有固化的部分被去除以形成抗蝕阻劑圖形120’。同時，抗蝕阻劑圖形120’的形狀與之后通過光敏化、顯影和蝕刻工藝形成的電路圖形140的形狀相同。此外，為了去除在陽極氧化基板112邊沿上形成的金屬層115，被應(yīng)用到金屬層 115上的抗蝕阻劑120進行圖案化，從而使金屬層115的邊沿暴露。此外，對在金屬層115 上形成的抗蝕阻劑120進行圖案化，從而金屬層115與電路圖形114具有相同的面積，因而形成抗蝕阻劑圖形120’。在金屬層115上形成抗蝕阻劑圖形120’的工藝與形成抗蝕阻劑圖形120’以形成電路圖形114的工藝是一樣的。在此，在鍍層113上形成抗蝕阻劑圖形 120’的工藝與在金屬基板115上形成抗蝕阻劑圖形120’的工藝可以同時進行。最后，如圖8所示，鍍層113和第一種子層116a被蝕刻，并且抗蝕阻劑圖形120’ 被剝離以形成電路圖形114。此外，金屬層115和第二種子層116b被腐蝕且抗蝕阻劑120’ 被剝離。在本說明書里，金屬層115的邊沿被去除，這樣金屬層115僅存在于陽極氧化基板 112的另一個表面的邊沿內(nèi)。金屬層115的面積同電路圖形114的相同。該金屬層可以被圖案化成與電路圖形具有相同的面積，也可以為與電路圖形具有相同面積的板狀結(jié)構(gòu)。例如，金屬層可以是鰭形、箱肋形或螺旋形，如圖12-圖14所示。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的熱輻射基板100按如上描述的制作方法制作。圖9和圖10為顯示發(fā)熱元件安裝到圖1所示的熱輻射基板上的結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖。具體地來說，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的熱輻射基板100的電路圖形114與發(fā)熱元件130相連接，并且金屬層115與熱輻射板140相連接。在本說明書中，形成于陽極氧化基板112的另一個表面上(或者是在陽極氧化基板112的另一個表面上形成的第二種子層116b)的金屬層115直接與熱輻射板140接觸，從而使解決由于在反復(fù)加工過程中如裝載、輸送、外出攜帶以及類似的情況，在預(yù)先確定的控制環(huán)境中產(chǎn)生的陽極氧化基板112 的邊角破損現(xiàn)象或陽極氧化膜111的破損現(xiàn)象引起的如電力耐電壓的降低，泄漏電流的增力口，及類似的熱輻射基板100性能退化的問題成為可能。同時，盡管其中陽極氧化膜111覆蓋在金屬基板110上的熱輻射基板100的結(jié)構(gòu)如圖1和圖8所示，但是當(dāng)熱輻射基板在制作過程中被制作成面板的形式和被切割成各單位基板時，金屬基板的一側(cè)或一個角落可能會暴露出來，如圖10所示。如圖10所示的熱輻射基板100的結(jié)構(gòu)也包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，金屬層是在已有的單面陽極氧化基板的下表面上額外形成的，因而，有可能改善由于壓力產(chǎn)生的基板的翹曲問題。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，添加到陽極氧化基板下表面的金屬層與熱輻射基板直接接觸，從而有可能杜絕因在反復(fù)加工過程中如裝載、輸送、外出攜帶以及類似的情況， 在預(yù)先確定的控制環(huán)境中產(chǎn)生的邊角破損現(xiàn)象。因此，有可能解決熱輻射基板和發(fā)熱元件性能退化的問題。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，具有高的導(dǎo)熱率的金屬層(例如，銅層)是額外形成的，因此可以改善熱輻射性能。雖然為了說明目的公開本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但這些優(yōu)選實施方式是為了專門解釋本發(fā)明，因此根據(jù)本發(fā)明的熱輻射基板和熱輻射基板的制作方法并不限定于此，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不偏離隨附的權(quán)利要求書中公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種修改、補充和替換都是可能的。因此，這些修改，補充和替代也應(yīng)理解為屬于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種熱輻射基板，該熱輻射基板包括具有覆蓋在金屬基板上的陽極氧化膜的陽極氧化基板；形成于所述陽極氧化基板的一個表面的電路圖形；形成于所述陽極氧化基板的另一個表面的金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述熱輻射基板進一步包括介于所述陽極氧化基板的一個表面和所述電路圖形之間或介于所述陽極氧化基板的另一個表面和金屬層之間的種子層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述電路圖形通過對形成于所述陽極氧化基板的一個表面上的鍍層圖案化而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬層與所述電路圖形具有相同的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬層的厚度為ΙΟμπι-lmm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬層具有其中多根桿彼此平行排列的形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬層包括最外金屬層，該最外金屬層通過將在陽極氧化基板邊沿的內(nèi)部的最外部分的四根桿連接而形成為長方形形狀；N個中間金屬層，該N個中間金屬層形成為位于最外金屬層的內(nèi)部的長方形形狀，且具有沿朝向陽極氧化基板的內(nèi)部中心的方向尺寸縮小的長方形形狀；最里金屬層，該最里金屬層形成于N個中間金屬層的最內(nèi)部分的中間金屬層的內(nèi)部， 并且具有多根桿彼此平行排列的形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬層具有螺旋形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬層僅在陽極氧化基板的另一個表面的邊沿內(nèi)形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬基板由鋁制成，且陽極氧化膜由氧化鋁制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述金屬層由銅制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輻射基板，其中，所述電路圖形與發(fā)熱元件相連，并且所述金屬層與熱輻射板相連。
13.一種熱輻射基板的制作方法，該方法包括(A)在金屬基板上覆蓋陽極氧化膜，以制作陽極氧化基板；(B)在陽極氧化基板的一個表面上形成鍍層，和在陽極氧化基板的另一個表面形成金屬層；(C)圖案化所述鍍層以形成電路圖形。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其中，該方法進一步包括在步驟(A)后，(A’ )使用化學(xué)鍍工藝或濺射工藝形成種子層。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其中，步驟(B)中，所述鍍層和金屬層同時形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其中，該方法進一步包括，在步驟(B)后，去除金屬層的邊沿以便金屬層僅形成于陽極氧化基板的另一個表面的邊沿內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其中，該方法進一步包括，在步驟(B)后，圖案化所述金屬層，以便所述金屬層與所述電路圖形具有相同的面積。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其中，所述金屬基板由鋁制成，陽極氧化膜由氧化鋁制成。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其中，所述金屬層由銅制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其中，所述步驟(C)包括 (Cl)在鍍層上施用抗蝕阻劑；(C2)圖案化所述抗蝕阻劑，以形成抗蝕阻劑圖形；和(C3)選擇性地蝕刻從抗蝕阻劑圖形中暴露出來的鍍層，以形成電路圖形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種熱輻射基板及其制作方法。該熱輻射基板包括覆蓋在金屬基板上的具有陽極氧化膜的陽極氧化基板；形成于陽極氧化基板的一個表面的電路圖形；和形成于陽極氧化基板的另一個表面的金屬層。形成于陽極氧化基板的另一個表面的金屬層與形成于陽極氧化基板的一個表面的電路圖形具有相同的面積，并且該金屬層形成于陽極氧化基板的邊緣內(nèi)。金屬層是添加的，從而可能最小化基板的翹曲問題。此外，熱輻射基板與陽極氧化基板直接接觸，因而有可能解決熱輻射基板和發(fā)熱元件的性能退化問題以及改善熱輻射基板的性能。
文檔編號H01L21/48GK102468250SQ201110034638
公開日2012年5月23日 申請日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月5日
發(fā)明者姜貞恩, 崔碩文, 樸成根, 林昶賢, 申常鉉, 金洸洙 申請人:三星電機株式會社