專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，更具體地說，涉及利用負型間隔物圖案化方法制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
目前，大多數(shù)電子裝置都包括半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包括例如晶體管、電阻器和電容器等電子元件。這些電子元件被集成到半導(dǎo)體基板上并被設(shè)計為執(zhí)行電子裝置的部分功能。例如，諸如計算機和數(shù)碼相機等電子裝置包括用于存儲信息的存儲芯片以及用于控制信息的處理芯片。存儲芯片和處理芯片包括集成到半導(dǎo)體基板上的電子元件。為了滿足消費者對優(yōu)性能和低成本的要求，需要增大半導(dǎo)體器件的集成度。集成度的這種增大使得設(shè)計規(guī)則減小，從而造成半導(dǎo)體器件的圖案持續(xù)縮小。雖然芯片總面積與存儲容量的增大成比例地增大，但是隨著半導(dǎo)體器件變?yōu)槌⌒突透呒苫?，實際形成有半導(dǎo)體器件圖案的單位單元(cell，又稱為晶胞)面積減小。相應(yīng)地，因為需要在有限的單位單元面積內(nèi)形成數(shù)量更多的圖案來獲得期望的存儲容量，因此需要形成臨界尺寸尺度縮小的微觀(精細)圖案。然而，使半導(dǎo)體器件的集成度提高所需的用于實現(xiàn)精細圖案的曝光裝置不能滿足相關(guān)技術(shù)的快速發(fā)展。具體地說，用于對光阻劑(photoresist，又稱為光刻膠或光致抗蝕劑)膜執(zhí)行曝光和顯影工序的常規(guī)曝光裝置在曝光裝置的分辨率能力方面具有極限。用于形成這種精細圖案的代表方法是雙圖案化技術(shù)(DPT)。DPT可以分為雙曝光蝕刻技術(shù)(DE2T)和利用間隔物的間隔物圖案化技術(shù)(SPT)。DE2T形成以與預(yù)定臨界尺寸對應(yīng)的第一距離間隔開的第一圖案，并且將第一圖案之間的第二圖案曝光以使第一圖案和第二圖案間隔開預(yù)定臨界尺寸的一半。間隔物圖案化技術(shù)(SPT)可以分為正型間隔物圖案化技術(shù)和負型圖案化技術(shù)。通常使用正型間隔物圖案化技術(shù)將30nm級半導(dǎo)體器件圖案化。例如，已經(jīng)使用常規(guī)單圖案化方法形成40nm級器件隔離膜，并且已經(jīng)使用間隔物圖案化技術(shù)形成30nm等級6F2器件隔離膜。然而，當將常規(guī)正型間隔物圖案化技術(shù)應(yīng)用于 20nm級6F2器件隔離膜來形成有源區(qū)時，會產(chǎn)生多種問題，例如器件隔離膜的崩塌、有源區(qū)的不足和圖案化裕量的減小。因此，20nm級6F2器件隔離膜必須形成為線型而不是島型，并且使用埋入式柵極來實現(xiàn)單元隔離。更具體地說，除了用作有效單元柵極的兩個埋入式柵極之外，還需要另兩個埋入式柵極來進行單元隔離。當形成線型器件隔離膜時，需要將埋入式隔離柵極彼此互連，并且需要在用于操作的柵極線的端部形成相連的墊部。然而，在常規(guī)正型間隔物圖案化技術(shù)中難以達到上述要求
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各個實施例旨在提供基本上消除由現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點造成的一個或多個問題的半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明的目的在于提供能解決現(xiàn)有技術(shù)問題的半導(dǎo)體器件的制造方法。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，當使用用于實現(xiàn)高集成度半導(dǎo)體器件的線型器件隔離膜時，難以利用正型間隔物圖案化方法來實現(xiàn)6F2結(jié)構(gòu)需要的圖案。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種半導(dǎo)體器件的制造方法包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成間隔物絕緣層；在所述間隔物絕緣層之間形成間隙填充層； 形成第一切割掩摸圖案以使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；形成包括第一圖案和第二圖案的第二切割掩摸圖案，其中，所述第一圖案與被所述第一切割掩摸圖案露出的區(qū)域相鄰并覆蓋所述間隙填充層、與所述間隙填充層相鄰的所述間隔物絕緣層、和與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案的一部分，并且所述第二圖案覆蓋所述分隔線圖案、與所述分隔線圖案相鄰的所述間隔物絕緣層、和與所述間隔物絕緣層相鄰的所述間隙填充層的一部分；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層以在所述半導(dǎo)體基板中形成柵極溝槽。所述方法還可以包括在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案之前，在所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜。在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，可以對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。所述方法還可以包括在形成所述第二切割掩摸圖案之后，形成SOC膜和硬掩摸層。所述第一圖案和所述第二圖案中的每一者均可以形成為島形圖案。所述方法還可以包括在使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層之后，通過使用殘留的所述分隔線圖案、所述分隔墊圖案和所述間隙填充層作為掩摸蝕刻所述半導(dǎo)體基板來形成溝槽。所述溝槽可以包括線型的第一溝槽；第二溝槽，其布置成與所述第一溝槽平行并與所述第一溝槽間隔開；第三溝槽，其布置成與所述第一溝槽和所述第二溝槽平行并與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開；以及第四溝槽，其連接至所述第三溝槽并布置成與所述第三溝槽垂直。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種半導(dǎo)體器件的制造方法包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成一個或多個間隔物絕緣層；形成埋入在所述間隔物絕緣層之間的間隙填充層；形成包括第一凹部和第二凹部的第一切割掩摸圖案，其中，所述第一凹部使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出且還使所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的所述間隙填充層和所述分隔線圖案露出，并且所述第二凹部借助與所述間隙填充層相鄰的所述間隔物絕緣層與所述第一凹部間隔開；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；形成包括第一圖案和第二圖案的第二切割掩摸圖案，所述第一圖案和所述第二圖案覆蓋被所述第一凹部和所述第二凹部露出的區(qū)域的一部分，所述第一圖案和所述第二圖案與所述第一凹部和所述第二凹部的不平坦部分間隔開；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層。所述方法還可以包括在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案之前，在所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜。在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，可以對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。所述方法還可以包括通過使用殘留的所述分隔線圖案、所述分隔墊圖案和所述間隙填充層作為掩摸蝕刻所述半導(dǎo)體基板來形成溝槽。所述溝槽可以包括線型的第一溝槽；第二溝槽，其布置成與所述第一溝槽平行， 與所述第一溝槽間隔開且比所述第一溝槽短；第三溝槽，其布置成與所述第一溝槽和所述第二溝槽平行并與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開；第四溝槽，其連接至所述第三溝槽的端部并布置成與所述第三溝槽垂直；以及墊部，其沿與所述第四溝槽平行的方向延伸， 連接至所述第二溝槽的端部并且與所述第一溝槽和所述第三溝槽間隔開。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種半導(dǎo)體器件的制造方法包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成間隔物絕緣層；形成埋入在所述間隔物絕緣層之間的間隙填充層；形成包括第一凹部和第二凹部的第一切割掩摸圖案，其中，所述第一凹部使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出且還基于所述間隙填充層使所述間隔物絕緣層露出，并且所述第二凹部借助與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層與所述第一凹部間隔開并使與所述分隔線圖案相鄰的所述間隔物絕緣層露出；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和間隙填充層；形成包括第一圖案、第二圖案、第三圖案和第四圖案的第二切割掩摸圖案，所述第一圖案和所述第二圖案覆蓋被所述第一切割掩摸圖案的第一凹部和第二凹部露出的區(qū)域的一部分，所述第三圖案和所述第四圖案連接至被所述第一切割掩摸圖案的第一凹部和第二凹部露出的區(qū)域的一部分并覆蓋形成在所述間隔物絕緣層的兩側(cè)處的分隔線圖案和間隙填充層；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層。所述方法還可以包括在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案之前，在所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜。在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，可以對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。所述第一圖案、所述第二圖案、所述第三圖案和所述第四圖案中的每一者均可以形成為島圖案。
使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。所述方法還可以包括在使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層之后，通過使用殘留的所述分隔線圖案、所述分隔墊圖案和所述間隙填充層作為掩摸蝕刻所述半導(dǎo)體基板來形成溝槽。所述溝槽可以包括線型的第一溝槽；第二溝槽，其布置成與所述第一溝槽平行， 與所述第一溝槽間隔開且比所述第一溝槽長；第三溝槽，其布置成與所述第一溝槽和所述第二溝槽平行并與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開；第四溝槽，其連接至所述第三溝槽的端部并布置成與所述第三溝槽垂直；以及墊部，其沿與所述第四溝槽平行的方向延伸， 連接至所述第二溝槽的端部并且與所述第一溝槽和所述第三溝槽間隔開。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種半導(dǎo)體器件的制造方法包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成一個或多個間隔物絕緣層；形成埋入在所述間隔物絕緣層之間的間隙填充層；形成包括第一孔圖案和第二孔圖案的第一切割掩摸圖案，其中，所述第一孔圖案使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出且還基于所述間隙填充層使所述間隔物絕緣層露出，并且所述第二孔圖案借助與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層與所述第一孔圖案間隔開并使與所述分隔線圖案相鄰的所述間隔物絕緣層露出；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；形成包括第一圖案、第二圖案、第三圖案和第四圖案的第二切割掩摸圖案，其中，所述第一圖案布置在通過利用所述第一切割掩模圖案移除所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分而露出的區(qū)域與被所述第一孔圖案露出的區(qū)域之間，并且所述第一圖案覆蓋間隙填充層和與所述間隙填充層相鄰的間隔物絕緣層； 所述第二圖案布置在通過利用所述第一切割掩模圖案移除所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分而露出的區(qū)域與被所述第二孔圖案露出的區(qū)域之間，所述第二圖案覆蓋分隔線圖案和與所述分隔線圖案相鄰的間隔物絕緣層；并且所述第三圖案和所述第四圖案與被所述第一孔圖案和所述第二孔圖案露出的區(qū)域相鄰，并覆蓋所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的分隔線圖案和間隙填充層；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種半導(dǎo)體器件的制造方法包括提供包括有源區(qū)和器件隔離區(qū)的基板；在所述基板上在所述有源區(qū)和所述器件隔離區(qū)的分界部形成線型的第一掩模圖案；在所述第一掩模圖案的第一側(cè)和第二側(cè)處形成第一間隔物圖案和第二間隔物圖案，所述第一間隔物圖案位于所述器件隔離區(qū)，所述第二間隔物圖案位于所述有源區(qū)，所述第一間隔物圖案和所述第二間隔物圖案在所述第一掩模圖案的第一端部朝向彼此延伸；在所述第一掩模圖案的第一端部形成第一墊圖案；以及移除所述第一間隔物圖案和所述第二間隔物圖案以在所述器件隔離區(qū)中形成第一柵極溝槽并在所述有源區(qū)中形成第二柵極溝槽，所述第一柵極溝槽延伸至所述第一墊圖案并且所述第二柵極溝槽與所述第一墊圖案隔尚開。形成所述第一墊圖案的步驟是使用將所述第一掩模圖案的第一端部露出的第二掩模圖案執(zhí)行的。所述第一圖案、所述第二圖案、所述第三圖案和所述第四圖案中的每一者可以形成為島圖案。移除所述第一間隔物圖案和所述第二間隔物圖案的步驟是使用將所述第一間隔物圖案露出并遮擋所述第二間隔物圖案的第三掩模圖案執(zhí)行的。所述方法還可以包括在所述第二柵極溝槽的端部形成第二墊溝槽，所述第二墊溝槽從所述第二柵極溝槽延伸。應(yīng)該理解到，本發(fā)明的上述概括描述和以下詳細描述都是示例性和說明性的，其意圖在于對要求保護的本發(fā)明提供進一步說明。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖加至圖2j示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖加至圖 2j各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖加至圖2j中的(ii)是示出沿著如圖加至圖2j中的(i)中所示線X-X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖3a至圖3d示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖3a至圖 3d各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖3a至圖3d中的(ii)是示出沿著圖3a至圖3d中的(i)所示的線X_X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖如至圖4d示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖如至圖 4d各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖如至圖4d中的(ii)是示出沿著圖如至圖4d中的⑴所示的線X-X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖fe至圖5d示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖fe至圖 5d各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖fe至圖5d中的(ii)是示出沿著圖fe至圖5d中的(i)所示的線X-X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
具體實施例方式下面，具體參考本發(fā)明實施例，其實例在附圖中示出。在所有附圖中將盡可能地采用相同的附圖標記來指代相同或相似的部件。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括第一溝槽Tl，其形成在半導(dǎo)體基板中； 第二溝槽T2，其與第一溝槽Tl相鄰，并包括墊部(pad part) P，墊部P具有向第一溝槽Tl 的方向延伸的端部；第三溝槽T3，其與第一溝槽Tl和第二溝槽T2相鄰；以及第四溝槽T4， 其連接至第三溝槽T3的端部，并且布置成與第三溝槽T3垂直。優(yōu)選的是，第一溝槽Tl或第二溝槽T2是用于有效單元柵極的溝槽，并且第三溝槽T3和第四溝槽T4是用于隔離柵極的溝槽。
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具有上述元件的半導(dǎo)體器件的制造方法如下所述。圖加至圖2j示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖加至圖 2j各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖加至圖2j中的(ii)是沿著圖加至圖2j中的(i)所示的線X-X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。參考圖2a，在包括由器件隔離膜102限定的有源區(qū)104的半導(dǎo)體基板100上依次形成墊氧化物膜106、墊氮化物膜108、絕緣膜110、分隔層112、硬掩摸層114和氮氧化硅(silicon oxide nitride)膜116。絕緣膜110可以包括等離子增強正硅酸四乙酯 (PETEOS)，并且分隔層112可以包括多晶硅。此外，硬掩摸層114包括非晶碳層。在該情況下，難以利用普通光阻劑圖案將分隔層112圖案化。因此，形成硬掩摸層114和氮氧化硅膜 116從而使用所得結(jié)構(gòu)作為硬掩摸來將分隔層112圖案化。隨后，依次形成防反射膜118和光阻劑圖案120。光阻劑圖案120的節(jié)距可以是最終形成的埋入式柵極節(jié)距的兩倍。如圖加中的(i)所示，光阻劑圖案120的一側(cè)可以形成為線圖案，并且光阻劑圖案120的另一側(cè)可以形成為用于將各個線圖案互連起來的墊圖案。參考圖2b，使用光阻劑圖案120作為掩摸蝕刻防反射膜118和氮氧化硅膜116以使分隔層112露出，從而形成氮氧化硅圖案116a。隨后，使用氮氧化硅圖案116a作為掩摸蝕刻硬掩摸層114從而形成硬掩摸圖案114a。參考圖2c，使用氮氧化硅圖案116a和硬掩摸圖案IHa作為掩摸蝕刻分隔層112 以使絕緣膜110露出。該蝕刻步驟形成分隔圖案112a。在該情況下，分隔圖案11 包括線部和墊部。為了便于描述以及更好地理解本發(fā)明，下面，將線部稱為分隔線圖案11加’，并且將墊部稱為分隔墊圖案11加”。隨后，可以使用分隔圖案11 作為掩摸蝕刻絕緣膜110的一部分以形成絕緣圖案 110a。在該情況下，將在下面參考圖2j描述形成絕緣圖案IlOa的原因。參考圖2d，可以在絕緣膜110、絕緣圖案IlOa和分隔圖案11 上形成間隔物絕緣層122。間隔物絕緣層122可以包括氧化物膜。間隔物絕緣層122的厚度可能會影響將要在后續(xù)工序中形成的埋入式柵極的臨界尺寸，因而該間隔物絕緣層122用具有極佳階梯覆蓋特性的材料來形成。此外，間隔物絕緣層122可以借助原子層沉積(ALD)方法來形成。參考圖2e，在間隔物絕緣層122之間形成間隙填充層124。間隙填充層124可以由與分隔層112的材料相同的材料形成。參考圖2f，對間隙填充層IM執(zhí)行回蝕工序從而獲得間隙填充層的平坦化?；匚g工序可以是干式回蝕工序。除了可以使用回蝕工序之外，還可以使用平坦化蝕刻工序或濕式剝離工序。隨后，對間隔物絕緣層122進行回蝕以使分隔圖案11 露出。參考圖2g，在分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層124上形成第一切割掩摸圖案126。第一切割掩摸圖案1 可以是與隔離柵極的溝槽參見圖2j)的一側(cè)連接的掩摸，并且可以形成為使分隔線圖案112a’和分隔墊圖案112a”之間的連接部分露出。從第一切割掩摸圖案126露出的區(qū)域可以形成為線圖案。更具體地說，第一切割掩摸圖案1 可以使以字母“U”形形狀包圍間隙填充層IM端部的間隔物絕緣層122露出。參考圖2h，使用第一切割掩摸圖案1 作為掩摸以將絕緣膜110露出的方式移除分隔圖案11 和間隙填充層124。在該情況下，分隔圖案11 或間隙填充層124的蝕刻選擇率與間隔物絕緣層122的蝕刻選擇率不同，從而在使用第一切割掩摸圖案1 作為掩摸移除分隔圖案11 和間隙填充層124時不會移除間隔物絕緣層122?？梢詫Ψ指魣D案 11 和間隙填充層IM進行干式蝕刻。然后，借助剝離法移除第一切割掩摸圖案126。參考圖2i，在絕緣膜110、分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層IM上形成SOC膜1 和硬掩模層130。在該情況下，將SOC膜1 平坦化以克服當借助于采用第一切割掩模圖案126的圖案化工序使絕緣膜110露出時造成的高度差異(例如，階梯高度)。此外，硬掩模層130可以包括抗反射涂層(Si-ARC)或底部抗反射涂層(BARC)。隨后，形成第二切割掩模圖案132。第二切割掩模圖案132包括第一島形圖案Ml 和第二島形圖案M2。第一島形圖案Ml與被第一切割掩模圖案1 露出的區(qū)域相鄰，并覆蓋間隙填充層124、形成在間隙填充層124的兩側(cè)處的間隔物絕緣層122、和與間隔物絕緣層 122相鄰的分隔線圖案112a’的一部分。第二島形圖案M2覆蓋分隔線圖案11加’、形成在分隔線圖案11 ’的兩側(cè)處的間隔物絕緣層122、和與間隔物絕緣層122相鄰的間隙填充層 124的一部分。在該情況下，第二切割掩模圖案132形成為將實際單元柵極的溝槽(TA，參見圖 2j)隔離。相應(yīng)地，可以在使用第二切割掩模圖案132作為蝕刻掩模來蝕刻硬掩膜層130和 SOC膜128時使間隙填充層IM和間隔物絕緣層122不被蝕刻。參考圖2j，可以使用第二切割掩模圖案132作為掩模蝕刻硬掩膜層130和SOC膜 128。隨后，利用分隔圖案11 與間隔物絕緣層122之間的蝕刻選擇率來移除間隔物絕緣層 122(該方法被稱為負型間隔物圖案化方法)。在上述工序期間，間隔物絕緣層122在間隙填充層124的下方保留下來。間隔物絕緣層122可以與圖2c所示的絕緣圖案IlOa —起在后續(xù)工序中用作用于蝕刻絕緣膜110的掩模。也就是說，可以通過形成絕緣圖案110a，將使用分隔圖案11 作為掩模蝕刻絕緣膜110的蝕刻條件調(diào)整為與使用間隙填充層IM作為掩模蝕刻絕緣膜110的另一蝕刻條件相同。這種用于獲得相同蝕刻條件的調(diào)整可以解決在通過蝕刻絕緣膜110來形成最終埋入式柵極溝槽時遇到的問題。下面將描述上述問題。在通過蝕刻絕緣膜110來形成最終埋入式柵極溝槽的情況下，如果蝕刻條件根據(jù)用于蝕刻絕緣膜110的蝕刻掩模的種類而改變，則蝕刻選擇率改變，因而蝕刻輪廓也改變，從而難以形成具有相同寬度的所得埋入式柵極溝槽。然而，用于獲得相同蝕刻條件的上述調(diào)整可以解決上述問題。換句話說，因為利用了使用間隔物作為蝕刻對象層的間隔物圖案化技術(shù)(SPT)， 所以可以在寬度和輪廓兩方面對例如絕緣膜110等蝕刻對象進行一致地蝕刻。因此，在后續(xù)工序中形成的溝槽也可以具有一致的輪廓。隨后，使用分隔圖案112a、絕緣圖案110a、間隙填充層IM和間隔物絕緣層122作為掩模蝕刻絕緣膜110、墊氮化物膜108和墊氧化物膜106，并且蝕刻器件隔離膜102和有源區(qū)104，從而在有源區(qū)104和器件隔離膜102中分別形成溝槽Ta和1\。溝槽Ta可以包括第一溝槽T11以及與第一溝槽T11平行且與第一溝槽T11間隔開的第二溝槽T12。第一溝槽T1可以包括第三溝槽T13和第四溝槽Τ14。第三溝槽T13與第一溝槽 Tl1和第二溝槽T12平行，并且與第一溝槽T11和第二溝槽T12間隔開。第四溝槽T14連接至第三溝槽T13的端部，并且布置成與第三溝槽T13垂直。在該情況下，如圖2j中的⑴所示，溝槽Ta表示用于單元操作的柵極的溝槽，溝槽T1表示用于埋入式隔離柵極的溝槽。然后，移除分隔圖案112a、絕緣圖案110a、間隙填充層 124和間隔物絕緣層122。本發(fā)明的第二至第四實施例將披露與位于用于單元操作的柵極的端部處的位線連接的連接部分的形成方法。在描述第二至第四實施例之前，要注意第二至第四實施例在將間隙填充層IM平坦化以使分隔圖案11 露出的步驟之前具有相同的工序，因此為了便于描述將在第二至第四實施例中省略對圖加至圖2f的詳細描述。圖3a至圖3d示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖3a至圖 3d各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖3a至圖3d中的(ii)是示出沿著圖3a至圖3d中的(i)所示的線X_X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。參考圖3a，在分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層124上形成第一切割掩模圖案126a。第一切割掩模圖案126a形成為使分隔線圖案112a’與分隔墊圖案112a” 之間的連接部分露出。第一切割掩模圖案126a包括不平坦部分。該不平坦部分包括第一凹部Sl和第二凹部S2。第一凹部Sl使與間隔物絕緣層122相鄰的間隙填充層IM和分隔線圖案112a’露出。第二凹部S2基于與間隙填充層IM相鄰的間隔物絕緣層122與第一凹部Sl間隔開。第一切割掩模圖案126a用作與隔離柵極溝槽(Tn，參見圖3d)的一側(cè)連接的掩模。第一凹部Sl和第二凹部S2可以不僅限定將要在后續(xù)工序中形成的第二切割掩模圖案 132a(參見圖3c)，而且限定用于有效單元柵極的溝槽的墊部Pl (參見圖3d)。參考圖北，使用第一切割掩摸圖案126a作為掩摸來移除分隔圖案11 和間隙填充層124。在該情況下，分隔圖案11 或間隙填充層124的蝕刻選擇率可以不同于間隔物絕緣層122的蝕刻選擇率，從而在使用第一切割掩摸圖案126a作為掩摸來移除分隔圖案 11 和間隙填充層124時不會移除間隔物絕緣層122?？梢詫Ψ指魣D案11 和間隙填充層1 進行干式蝕刻。然后，借助剝離法來移除第一切割掩摸圖案126a。參考圖3c，在絕緣膜110、分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層IM上形成SOC膜128a和硬掩摸層130a。隨后，形成第二切割掩摸圖案132a，第二切割掩摸圖案 13 包括第一島形圖案Ml和第二島形圖案M2，第一島形圖案Ml和第二島形圖案M2覆蓋由第一切割掩摸圖案126a的第一凹部Sl和第二凹部S2露出的區(qū)域的一部分。第一島形圖案Ml和第二島形圖案M2可以與第一凹部Sl和第二凹部S2的不平坦部分分離開。在該情況下，可以采用第二切割掩摸圖案13 來限定用于實際單元柵極的溝槽 (TA1，參見圖3d)的端部。當使用第二切割掩摸圖案13 作為蝕刻掩摸來蝕刻硬掩摸層130a 和SOC膜128a時，間隔物絕緣層122也被移除從而限定了墊部Pl (參見圖3d)。參考圖3d，可以使用第二切割掩摸圖案13 作為掩摸來蝕刻硬掩摸層130a和 SOC膜128a。隨后，利用分隔圖案11 與間隔物絕緣層122之間的蝕刻選擇率來移除間隔物絕緣層122。然后，使用分隔圖案112a、絕緣圖案110a、間隙填充層IM和間隔物絕緣層 122來蝕刻絕緣膜110、墊氮化物膜108和墊氧化物層106，然后蝕刻器件隔離膜102和有源區(qū)從而形成溝槽Tai和T11以及墊部Pl。溝槽Tai可以包括線型的第一溝槽T21以及布置成與第一溝槽T21平行的第二溝槽 T220第二溝槽L2與第一溝槽T21同時地進行布置并與第一溝槽T21間隔開。第二溝槽L可
13以比第一溝槽T21短。溝槽T11可以包括第三溝槽Tm和第四溝槽T24。第三溝槽Tm形成為與第一溝槽T21和第二溝槽T22平行，并且與第一溝槽T21和第二溝槽I2間隔開。第四溝槽 T24連接至第三溝槽Tm的端部并形成為與第三溝槽Tm垂直。墊部Pl可以連接至第二溝槽T22的端部并且可以與第四溝槽Im平行地延伸。墊部Pl也可以與第一溝槽T21和第三溝槽Tm間隔開。然后，移除分隔圖案112a、絕緣圖案 110a、間隙填充層124和間隔物絕緣層122。如上所述，本發(fā)明第二實施例披露了一種包含于柵極的一側(cè)并能夠操作單元區(qū)域的墊部的形成方法。下面，將參考本發(fā)明第三實施例和第四實施例描述第二實施例所示的改進型墊部的形成方法。圖如至圖4d示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖如至圖 4d各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖如至圖4d中的(ii)是示出沿著圖如至圖4d中的⑴所示的線X-X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。參考圖4a，在分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層124上形成第一切割掩模圖案126b。第一切割掩模圖案126b可以形成為使分隔線圖案112a’與分隔墊圖案 11 ”之間的連接部分露出。第一切割掩模圖案126b也可以包括不平坦部分。不平坦部分包括第一凹部S3和第二凹部S4。第一凹部S3基于間隙填充層IM使間隔物絕緣層122 露出。第二凹部S4通過與間隔物絕緣層122相鄰的間隙填充層IM與分隔線圖案11 間隔開，并且基于分隔線圖案112a’使間隔物絕緣層122露出。第一切割掩模圖案126b用作與隔離柵極溝槽(TI2，參見圖4d)的一側(cè)連接的掩模。 第一凹部S3和第二凹部S4可以限定將要在后續(xù)工序中形成的第二切割掩模圖案132b (參見圖4c)以及用于單元操作的柵極的溝槽的墊部P2 (參見圖4d)。參考圖4b，使用第一切割掩模圖案126b作為掩模移除分隔圖案11 和間隙填充層124。在該情況下，分隔圖案11 或間隙填充層124的蝕刻選擇率不同于間隔物絕緣層 122的蝕刻選擇率。這使得在使用第一切割掩模圖案126b作為掩模移除分隔圖案11 和間隙填充層124時間隔物絕緣層122保留下來。可以對分隔圖案11 和間隙填充層IM 進行干式蝕刻。然后，可以借助剝離法來移除第一切割掩模圖案126b。參考圖如，在絕緣膜110、分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層IM上形成SOC膜128b和硬掩模層130b。隨后，第二切割掩模圖案132b不僅包括第一圖案M3和第二圖案M4而且還包括第三圖案M5和第四圖案M6，第一圖案M3和第二圖案M4覆蓋由第二切割掩模圖案132b的第一凹部S3和第二凹部S4露出的區(qū)域的一部分。第三圖案M5和第四圖案M6連接至由第二切割掩模圖案132b的第一凹部S3和第二凹部S4露出的區(qū)域， 并且覆蓋布置在間隔物絕緣層122的兩側(cè)處的間隙填充層IM和分隔圖案112a。在該情況下，第一圖案M3、第二圖案M4、第三圖案M5和第四圖案M6可以形成為島圖案。在該情況下，第三圖案M5和第四圖案M6可以限定用于實際單元柵極的溝槽(TA2， 參見圖4d)的一個端部，第一圖案M3和第三圖案M5可以限定墊部P2 (參見圖4d)，并且第二圖案M4和第四圖案M6也可以限定墊部P2(參見圖4d)。參考圖4d，使用第二切割掩模圖案132b作為掩模來蝕刻硬掩模層130b和SOC膜 128b。隨后，利用分隔圖案11 和間隔物絕緣層122之間的蝕刻選擇率來移除間隔物絕緣層122。隨后，在使用分隔圖案112a、絕緣圖案110a、間隙填充層IM和間隔物絕緣層122 作為掩模蝕刻絕緣膜110、墊氮化物膜108和墊氧化物膜106之后，蝕刻器件隔離膜102和有源區(qū)104，從而形成溝槽Ta2和T12以及墊部P2。溝槽Ta2可以包括線型的第一溝槽T31以及布置成與第一溝槽T31平行并與第一溝槽T31間隔開的第二溝槽T32。第二溝槽I2可以比第一溝槽T31長。此外，溝槽T12可以包括第三溝槽T33和第四溝槽Τ34。第三溝槽T33布置成與第一溝槽T31和第二溝槽T32平行，并且與第一溝槽T31和第二溝槽I2間隔開。第四溝槽T34連接至第三溝槽I^3的端部，并且布置成與第三溝槽T33垂直。墊部Ρ2可以連接至第二溝槽T32的一側(cè)并且可以向第一溝槽T31的方向與第四溝槽T34平行地延伸。墊部Ρ2也可以與第三溝槽T33間隔開。然后，移除分隔圖案112a、絕緣圖案110a、間隙填充層124和間隔物絕緣層122。還可以用另一方法形成上述墊部P2，下面，將參考圖fe至圖5d進行詳細描述。圖fe至圖5d示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖fe至圖 5d各個附圖中的(i)是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖，并且圖fe至圖5d中的(ii)是示出沿著圖fe至圖5d中的(i)所示的線X-X’截取的半導(dǎo)體器件的剖視圖。參考圖5a，在分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層124上形成第一切割掩摸圖案126c。第一切割掩摸圖案126c可以形成為使分隔線圖案112a’和分隔墊圖案 11 ”之間的連接部分露出。第一切割掩摸圖案126c還可以包括孔圖案。孔圖案包括第一孔圖案Hl和第二孔圖案H2。第一孔圖案Hl相對于間隙填充層IM使間隔物絕緣層122 露出。第二孔圖案H2利用與間隔物絕緣層122相鄰的間隙填充層IM與分隔線圖案11 間隔開，并且基于分隔線圖案112a’使間隔物絕緣層122露出。使用第一切割掩摸圖案126c作為與隔離柵極溝槽(TI3，參見圖5d)的一側(cè)連接的掩摸。第一孔圖案Hl和第二孔圖案H2可以限定將要在后續(xù)工序中形成的第二切割掩摸圖案132c (參見圖5c)以及用于單元操作的柵極的溝槽的墊部P3(參見圖5d)。參考圖恥，使用第一切割掩摸圖案126c作為掩摸移除分隔圖案11 和間隙填充層124。在該情況下，分隔圖案11 或間隙填充層124的蝕刻選擇率不同于間隔物絕緣層 122的蝕刻選擇率。這允許在使用第一切割掩摸圖案126c作為掩摸來移除分隔圖案11 和間隙填充層1 時間隔物絕緣層122保留下來?？梢詫Ψ指魣D案11 和間隙填充層IM 進行干式蝕刻。然后，可以借助剝離法來移除第一切割掩摸圖案126c。參考圖5c，在絕緣膜110、分隔圖案112a、間隔物絕緣層122和間隙填充層IM上形成SOC膜128c和硬掩摸層130c。隨后，形成包括第一圖案M7、第二圖案M8、第三圖案M9 和第四圖案MlO的第二切割掩摸圖案132c。第一圖案M7布置在第一區(qū)域(第一區(qū)域通過利用第一切割掩摸圖案126c移除分隔線圖案112a’與分隔墊圖案112a”之間的連接部分而露出)與第二區(qū)域(第二區(qū)域從第一切割掩摸圖案126c的第一孔圖案Hl露出)之間， 并且覆蓋間隙填充層1 和與間隙填充層1 相鄰的間隔物絕緣層122。第二圖案M8布置在第一區(qū)域與從第一切割掩摸圖案126c的第二孔圖案H2露出的區(qū)域之間，并且覆蓋分隔線圖案112a’和與分隔線圖案112a’相鄰的間隔物絕緣層122。第三圖案M9和第四圖案 MlO可以與從第一切割掩摸圖案126c的第一孔圖案Hl和第二孔圖案H2露出的區(qū)域相鄰，并且可以覆蓋間隔物絕緣層122以及與間隔物絕緣層122相鄰的分隔線圖案112a’和間隙填充層1 。在該情況下，第三圖案M9和第四圖案MlO可以限定用于實際單元柵極的溝槽(TA3， 參見圖5d)的一端，第一圖案M7和第三圖案M9可以限定墊部P3 (參見圖5d)，并且第二圖案M8和第四圖案MlO也可以限定墊部P3(參見圖5d)。參考圖5d，使用第二切割掩摸圖案132c作為掩摸蝕刻硬掩摸層130b和SOC膜 128b。隨后，利用分隔圖案11 與間隔物絕緣層122之間的蝕刻選擇率移除間隔物絕緣層 122。然后，在(使用分隔圖案112a、絕緣圖案110a、間隙填充層IM和間隔物絕緣層122 作為掩模)蝕刻絕緣膜110、墊氮化物膜108和墊氧化物膜106之后，蝕刻器件隔離膜102 和有源區(qū)104，從而形成溝槽Ta3和T13以及墊部P3。溝槽Ta3可以包括線型的第一溝槽T41和布置成與第一溝槽T41平行并與第一溝槽 T41間隔開的第二溝槽T42。第二溝槽T42可以比第一溝槽T41長。此外，溝槽T13可以包括第三溝槽T43和第四溝槽Τ44。第三溝槽T43布置成與第一溝槽T41和第二溝槽T42平行并與第一溝槽T41和第二溝槽T42間隔開。第四溝槽T44連接至第三溝槽T43的端部，并布置成與第三溝槽T43垂直。墊部Ρ3可以連接至第二溝槽T42的一側(cè)并且可以向第一溝槽T41的方向與第四溝槽T44平行地延伸。墊部Ρ3也可以與第三溝槽T43間隔開。然后，移除分隔圖案112a、絕緣圖案110a、間隙填充層124和間隔物絕緣層122。從以上描述可知，本發(fā)明的實施例提供利用負型間隔物圖案化方法以如下方式制造半導(dǎo)體器件的方法半導(dǎo)體器件包括用于埋入式有效單元柵極的溝槽以及形成在能夠操作單元的埋入式有效單元柵極的溝槽的端部處的墊部，從而可以容易形成高集成度半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的上述實施例是示例性的而非限制性的。各種替代及等同的方式都是可行的。本發(fā)明并不限于本文所述沉積、蝕刻、拋光和圖案化步驟的類型。本發(fā)明也不限于任何特定類型的半導(dǎo)體器件。舉例來說，本發(fā)明可以用于動態(tài)隨機存取存儲器件(DRAM)或非易失性存儲器件。對本發(fā)明內(nèi)容所作的其它增加、刪減或修改是顯而易見的并且落入所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。本申請要求2010年10月5日提交的韓國專利申請No. 10-2010-0096891的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案以及與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案； 在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成間隔物絕緣層； 在所述間隔物絕緣層之間形成間隙填充層；形成第一切割掩摸圖案以使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；形成包括第一圖案和第二圖案的第二切割掩摸圖案，其中，所述第一圖案與被所述第一切割掩摸圖案露出的區(qū)域相鄰并覆蓋所述間隙填充層、與所述間隙填充層相鄰的所述間隔物絕緣層、和與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案的一部分，并且所述第二圖案覆蓋所述分隔線圖案、與所述分隔線圖案相鄰的所述間隔物絕緣層、和與所述間隔物絕緣層相鄰的所述間隙填充層的一部分；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層以在所述半導(dǎo)體基板中形成柵極溝槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 在所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一圖案和所述第二圖案中的每一者均形成為島形圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過使用殘留的所述分隔線圖案、所述分隔墊圖案和所述間隙填充層作為掩摸蝕刻所述半導(dǎo)體基板來形成溝槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述溝槽包括 線型的第一溝槽；第二溝槽，其布置成與所述第一溝槽平行并與所述第一溝槽間隔開； 第三溝槽，其布置成與所述第一溝槽和所述第二溝槽平行并與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開；以及第四溝槽，其連接至所述第三溝槽并布置成與所述第三溝槽垂直。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成間隔物絕緣層；形成埋入在所述間隔物絕緣層之間的間隙填充層；形成包括第一凹部和第二凹部的第一切割掩摸圖案，其中，所述第一凹部使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出且還使所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的所述間隙填充層和所述分隔線圖案露出，并且所述第二凹部借助與所述間隙填充層相鄰的所述間隔物絕緣層與所述第一凹部間隔開；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；形成包括第一圖案和第二圖案的第二切割掩摸圖案，所述第一圖案和所述第二圖案覆蓋被所述第一凹部和所述第二凹部露出的區(qū)域的一部分，所述第一圖案和所述第二圖案與所述第一凹部和所述第二凹部的不平坦部分間隔開；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括 在所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括通過使用殘留的所述分隔線圖案、所述分隔墊圖案和所述間隙填充層作為掩摸蝕刻所述半導(dǎo)體基板來形成溝槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述溝槽包括 線型的第一溝槽；第二溝槽，其布置成與所述第一溝槽平行，與所述第一溝槽間隔開且比所述第一溝槽短；第三溝槽，其布置成與所述第一溝槽和所述第二溝槽平行并與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開；第四溝槽，其連接至所述第三溝槽的端部并布置成與所述第三溝槽垂直；以及墊部，其沿與所述第四溝槽平行的方向延伸，連接至所述第二溝槽的端部并且與所述第一溝槽和所述第三溝槽間隔開。
14.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成間隔物絕緣層； 形成埋入在所述間隔物絕緣層之間的間隙填充層；形成包括第一凹部和第二凹部的第一切割掩摸圖案，其中，所述第一凹部使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出且還基于所述間隙填充層使所述間隔物絕緣層露出，并且所述第二凹部借助與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層與所述第一凹部間隔開并使與所述分隔線圖案相鄰的所述間隔物絕緣層露出；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；形成包括第一圖案、第二圖案、第三圖案和第四圖案的第二切割掩摸圖案，所述第一圖案和所述第二圖案覆蓋被所述第一切割掩摸圖案的第一凹部和第二凹部露出的區(qū)域的一部分，所述第三圖案和所述第四圖案連接至被所述第一切割掩摸圖案的第一凹部和第二凹部露出的區(qū)域的一部分并覆蓋形成在所述間隔物絕緣層的兩側(cè)處的分隔線圖案和間隙填充層；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括 在所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一圖案、所述第二圖案、所述第三圖案和所述第四圖案中的每一者均形成為島圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在移除所述間隔物絕緣層之后，通過使用殘留的所述分隔線圖案、所述分隔墊圖案和所述間隙填充層作為掩摸蝕刻所述半導(dǎo)體基板來形成溝槽。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述溝槽包括 線型的第一溝槽；第二溝槽，其布置成與所述第一溝槽平行，與所述第一溝槽間隔開且比所述第一溝槽長；第三溝槽，其布置成與所述第一溝槽和所述第二溝槽平行并與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開；第四溝槽，其連接至所述第三溝槽的端部并布置成與所述第三溝槽垂直；以及墊部，其沿與所述第四溝槽平行的方向延伸，連接至所述第二溝槽的端部并且與所述第一溝槽和所述第三溝槽間隔開。
21.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側(cè)壁上形成間隔物絕緣層； 形成埋入在所述間隔物絕緣層之間的間隙填充層；形成包括第一孔圖案和第二孔圖案的第一切割掩摸圖案，其中，所述第一孔圖案使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出且還基于所述間隙填充層使所述間隔物絕緣層露出，并且所述第二孔圖案借助與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層與所述第一孔圖案間隔開并使與所述分隔線圖案相鄰的所述間隔物絕緣層露出；使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；形成包括第一圖案、第二圖案、第三圖案和第四圖案的第二切割掩摸圖案，所述第一圖案布置在通過利用所述第一切割掩模圖案移除所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分而露出的區(qū)域與被所述第一孔圖案露出的區(qū)域之間，并且所述第一圖案覆蓋間隙填充層和與所述間隙填充層相鄰的間隔物絕緣層；所述第二圖案布置在通過利用所述第一切割掩模圖案移除所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分而露出的區(qū)域與被所述第二孔圖案露出的區(qū)域之間，所述第二圖案覆蓋分隔線圖案和與所述分隔線圖案相鄰的間隔物絕緣層；并且所述第三圖案和所述第四圖案與被所述第一孔圖案和所述第二孔圖案露出的區(qū)域相鄰，并覆蓋所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的分隔線圖案和間隙填充層；以及使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層。
22.—種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供包括有源區(qū)和器件隔離區(qū)的基板；在所述基板上在所述有源區(qū)和所述器件隔離區(qū)的分界部形成線型的第一掩模圖案；在所述第一掩模圖案的第一側(cè)和第二側(cè)處形成第一間隔物圖案和第二間隔物圖案，所述第一間隔物圖案位于所述器件隔離區(qū)，所述第二間隔物圖案位于所述有源區(qū)，所述第一間隔物圖案和所述第二間隔物圖案在所述第一掩模圖案的第一端部朝向彼此延伸；在所述第一掩模圖案的第一端部形成第一墊圖案；以及移除所述第一間隔物圖案和所述第二間隔物圖案以在所述器件隔離區(qū)中形成第一柵極溝槽并在所述有源區(qū)中形成第二柵極溝槽，所述第一柵極溝槽延伸至所述第一墊圖案并且所述第二柵極溝槽與所述第一墊圖案隔離開。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，形成所述第一墊圖案的步驟是利用使所述第一掩模圖案的第一端部露出的第二掩模圖案執(zhí)行的。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，移除所述第一間隔物圖案和所述第二間隔物圖案的步驟使用將所述第一間隔物圖案露出并遮擋所述第二間隔物圖案的第三掩模圖案執(zhí)行的。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括在所述第二柵極溝槽的端部形成第二墊溝槽，所述第二墊溝槽從所述第二柵極溝槽延伸。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體器件上形成分隔線圖案以及與分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案。在分隔線圖案和分隔墊圖案的側(cè)壁上形成間隔物絕緣層。在間隔物絕緣層之間形成間隙填充層。形成第一切割掩摸圖案以使分隔線圖案與分隔墊圖案之間的連接部分露出。使用第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與間隔物絕緣層相鄰的分隔線圖案和間隙填充層。形成包括第一圖案和第二圖案的第二切割掩摸圖案。使用第二切割掩摸圖案作為掩摸移除間隔物絕緣層以在半導(dǎo)體基板中形成柵極溝槽。
文檔編號H01L21/02GK102446705SQ20111003408
公開日2012年5月9日 申請日期2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月5日
發(fā)明者李基領(lǐng), 金辰壽 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司