專利名稱：半導(dǎo)體裝置及使用半導(dǎo)體裝置的電力轉(zhuǎn)換裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及絕緣柵雙極型晶體管(IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor ；以下，簡(jiǎn)稱為IGBT)的結(jié)構(gòu)及使用了 IGBT的電力轉(zhuǎn)換裝置。
背景技術(shù)：
IGBT是通過對(duì)柵電極施加的電壓來控制在集電電極與發(fā)射電極間流動(dòng)的電流的開關(guān)元件。由于IGBT所能夠控制的電力從數(shù)十瓦 到數(shù)十萬瓦，且開關(guān)頻率也從數(shù)十赫茲到百千赫以上的廣闊范圍，因此，在從家庭用空調(diào)、電子微波爐等小功率設(shè)備到鐵路、制鐵廠的逆變器等大功率設(shè)備的廣闊范圍內(nèi)得到應(yīng)用。對(duì)于IGBT而言，為了實(shí)現(xiàn)這些電力設(shè)備的高效率化而要求其低損失化，從而要求降低導(dǎo)通損失和開關(guān)損失。降低這些損失的技術(shù)在專利文獻(xiàn)I 3中有所公開。在專利文獻(xiàn)I中，公開了圖11所示的隧道柵極109的排列間距改變后的結(jié)構(gòu)。圖11的IGBTll的特征在于，存在多個(gè)隧道柵極109，在該隧道柵極的間隔大的部位未形成溝道層106，而是設(shè)置浮動(dòng)P層122。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于電流僅在隧道柵極109的間隔小的部分(溝道層106)流動(dòng)，因此能夠抑制短路時(shí)流動(dòng)的過電流，從而能夠提高元件的耐破損量。另外，由于空穴電流的一部分經(jīng)由浮動(dòng)P層122而流入發(fā)射電極114，所以發(fā)射電極附近的空穴濃度增加，在其周圍誘導(dǎo)電子，因此還具有能夠降低IGBT的接通電壓的效果。然而，在圖11所示的隧道柵極型IGBTll中，當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí)，存在電流振動(dòng)或在與IGBT402AP(圖10)并列連接的二極管403(圖10)產(chǎn)生過電壓的問題。可以想到的是，本現(xiàn)象是因如下的理由而產(chǎn)生的。當(dāng)IGBT成為接通狀態(tài)時(shí)，空穴電流流入浮動(dòng)P層122 (圖
11)，從而浮動(dòng)P層122的電位變高。此時(shí)，經(jīng)由柵極絕緣膜110的電容，變位電流在柵電極109流動(dòng)，從而柵極電位升高。因此，傳導(dǎo)度調(diào)制得以加速，導(dǎo)致引發(fā)電流振動(dòng)、在與IGBT402AP (圖10)并列連接的二極管403 (圖10)中產(chǎn)生過電壓的問題。因此，為了抑制因浮動(dòng)P層122的影響導(dǎo)致柵極電位升高，在專利技術(shù)文獻(xiàn)2和專利技術(shù)文獻(xiàn)3中公開了以下這樣的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)2中，公開了如下結(jié)構(gòu)，即，如圖12所示，在浮動(dòng)P層122上設(shè)置由絕緣膜123和多結(jié)晶硅112構(gòu)成的靜電電容(電容器)，并與發(fā)射電極114相連接。S卩，經(jīng)由該靜電電容使浮動(dòng)P層122與發(fā)射電極114連接。根據(jù)該公開的手法，在導(dǎo)通時(shí)空穴電流流入浮動(dòng)P層122的情況下，其一部分被浮動(dòng)P層122上的電容充電，因此，浮動(dòng)P層122的升高電位受到抑制，具備可抑制柵電極109的柵極電位的升高的效果。因此，在圖12所示的隧道柵極結(jié)構(gòu)的IGBT12中，為了使浮動(dòng)P層122上的電容增大，將絕緣膜123的膜厚形成為150nm(1500埃)以下。然而，尤其在截止時(shí)，浮動(dòng)P層122的電位升高變大，對(duì)絕緣膜123作用較大的電場(chǎng)。因此，存在絕緣膜123的可靠性下降，且根據(jù)不同情況而產(chǎn)生絕緣膜123破損的問題。另外，在專利技術(shù)文獻(xiàn)3中公開了如下結(jié)構(gòu)，S卩，如圖13所示，將浮動(dòng)P層105與隧道柵極109(柵電極109)隔離，并在其間設(shè)置n_漂移層104。根據(jù)該手法，即使在導(dǎo)通時(shí)浮動(dòng)P層105的電位升高，也會(huì)因與隧道柵極109之間夾著n_漂移層104，而成為間接性的經(jīng)由電阻的影響，從而能夠抑制柵電極109的柵極電位的升聞。然而，在圖13所示的隧道柵極型IGBT13中，由于構(gòu)成為浮動(dòng)P層105從隧道柵極109隔離的結(jié)構(gòu)，所以存在如下問題，即，在隧道柵極109 (也包括柵極絕緣膜110)的角部電場(chǎng)集中，IGBT的耐壓降低。在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I日本特開2000-307166號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特愿2009-194044號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特愿2008-207556號(hào)公報(bào)發(fā)明的概要發(fā)明要解決的課題如上所示，在以往的IGBT中，使電流僅在隧道柵極的間隔窄的部分流動(dòng)，且為了抑制在短路時(shí)流動(dòng)過電流而設(shè)置了浮動(dòng)P層，但是存在經(jīng)由浮動(dòng)P層的噪音(電位變位、電流振動(dòng))，若為了避免這些噪音而使隧道柵極與浮動(dòng)P層的距離拉開，則存在隧道柵極(包括柵極絕緣膜)的角部電場(chǎng)集中，導(dǎo)致IGBT的耐壓下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述課題而完成，其目的在于提供一種可抑制短路時(shí)等流動(dòng)的過電流并且低損失、低噪音(低電位變位、低電流振動(dòng))且元件的耐破損量高的IGBT。用于解決課題的手段為了解決所述的課題而達(dá)成本發(fā)明的目的，其構(gòu)成為以下方式。S卩，一種半導(dǎo)體裝置，通過在半導(dǎo)體基板上將第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、具有比所述第二半導(dǎo)體層的載流子濃度低的載流子濃度的第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層、以及第一絕緣膜以各層在法線方向上層疊的方式層疊成所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層及所述第三半導(dǎo)體層之間且所述第三半導(dǎo)體層位于所述第二半導(dǎo)體層及所述第一絕緣膜之間而形成，其中，所述第三半導(dǎo)體層具備多個(gè)絕緣柵極，所述多個(gè)絕緣柵極配置成相互的間隔為至少寬窄兩種間隔，所述絕緣柵極在各自的周圍具備第二絕緣膜，在以窄間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體層，并且，所述第四半導(dǎo)體層的一面?zhèn)扰c所述第三半導(dǎo)體層鄰接，所述第四半導(dǎo)體層的另一面?zhèn)扰c所述第五半導(dǎo)體層鄰接，在以寬間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導(dǎo)電型的第六半導(dǎo)體層，該第六半導(dǎo)體層通過隔著所述第三半導(dǎo)體層的一部分而與所述絕緣柵極分離，且所述第六半導(dǎo)體層與所述第一絕緣膜鄰接，進(jìn)而，所述半導(dǎo)體裝置還具備第一導(dǎo)電體層，其設(shè)在與所述第六半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)的位置上且與該第六半導(dǎo)體層平行，并且通過所述第一絕緣膜與所述第六半導(dǎo)體層絕緣；第一電極，其與所述第四半導(dǎo)體層、所述第五半導(dǎo)體層、所述第一導(dǎo)電體層電連接；第二電極，其與所述第一半導(dǎo)體層的與所述第二半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的面電連接，第三電極，其與所述絕緣柵極電連接。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠由浮動(dòng)P層抑制過電流，減低通過了浮動(dòng)P層的噪音(電位變位、電流振動(dòng))，并且能夠避免電場(chǎng)在隧道柵極的角部集中，從而提高元件的耐壓。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供可抑制短路時(shí)流動(dòng)的過電流且低損失、低噪音(低電位變位、低電流振動(dòng))的、元件的耐破損量高的IGBT。


圖I是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT (半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT (半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT (半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT(半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT (半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖6是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT (半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖7是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT(半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖8是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT (半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖9是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的橫型的隧道柵極型IGBT (半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖10是本發(fā)明的電力轉(zhuǎn)換裝置的實(shí)施方式的電路圖。圖11是表示以往的隧道柵極型IGBT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖12是表示以往的隧道柵極型IGBT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖13是表示以往的隧道柵極型IGBT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。(半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施方式)圖I是表示作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施方式的隧道柵極型IGBTl的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖I示出在硅基板(半導(dǎo)體基板)的基礎(chǔ)上形成有IGBT的形態(tài)。硅基板為薄晶片狀，在表面和背面(一對(duì)表面)上形成構(gòu)成IGBT的各元件結(jié)構(gòu)。
在圖I中，進(jìn)行作為IGBTl的基本動(dòng)作的結(jié)構(gòu)為P集電層(第一半導(dǎo)體層)102、n緩沖層(第二半導(dǎo)體層)103、n_漂移層(第三半導(dǎo)體層)104、p溝道層(第四半導(dǎo)體層)106、柵電極109、n發(fā)射層(第五半導(dǎo)體層)107。需要說明的是，由于柵電極109設(shè)置在作為隧道結(jié)構(gòu)的深挖而成的縱孔中，所以存在表示為隧道柵極109的情況。在以上的結(jié)構(gòu)中，P集電層102、n緩沖層103形成在接近硅基板的背面的區(qū)域內(nèi)。另外，P溝道層106、柵電極109、n發(fā)射層107形成在接近硅基板的另一面即表面的區(qū)域內(nèi)。另外，n_漂移層104主要地形成在硅基板的背面與表面之間。需要說明的是，表面或背面是相對(duì)而言的，以上只是出于便利而以所述方式表達(dá)。在圖I中，IGBTl的動(dòng)作是向p集電層102供給正極性的電源電位，且進(jìn)一步利用提供給柵電極109的電位而實(shí)現(xiàn)接通 斷開(ON -OFF)，并且對(duì)接通狀態(tài)下的電流量進(jìn)行控制。在向柵電極109提供了負(fù)極性的電位的情況下，作為電場(chǎng)效應(yīng)型晶體管(MOSFET =Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ;以下，簡(jiǎn)稱為MOSFET)發(fā)揮作用，且空穴(正孔)進(jìn)一步向P溝道層106集中，從而相對(duì)于供給到P溝道層106與n_漂移層104之間的電位而言，存在逆向特性的pn 二極管，電流不流動(dòng)，作為IGBTl成為斷開(OFF)狀態(tài)。另外，在向柵電極109提供正極性的電位的情況下，作為MOSFET發(fā)揮作用，電子在P溝道層106被誘導(dǎo)，從而在P溝道層106形成反轉(zhuǎn)為η型的溝道區(qū)域。如此一來，對(duì)于η發(fā)射層107而言，由于從反轉(zhuǎn)為η型的溝道區(qū)域(P溝道層106) 106朝向η_漂移層104、η緩沖層103，η型半導(dǎo)體元件連續(xù)地電導(dǎo)通，并且在與P集電層102之間構(gòu)成正向的pn 二極管，因此，電流流動(dòng)而成為接通(ON)狀態(tài)。需要說明的是，通過改變向柵電極109施加的正極性的電位，在IGBT中流動(dòng)的電流量發(fā)生變化。以上是作為IGBTl的基本結(jié)構(gòu)，為了將它們作為可實(shí)用的IGBTl的元件使用，設(shè)置集電電極(第二電極)100和集電端子101，向P集電層102供給電源。另外，設(shè)置發(fā)射電極(第一電極)114和發(fā)射端子116，向η發(fā)射層107供給電源。另外，設(shè)置柵極配線電極(第三電極)127和柵極端子115，向柵電極109供給電位。需要說明的是，在圖I中，柵極配線電極127僅作為電路的配線記號(hào)來表示，但在剖視圖中，其因?yàn)闊o法表現(xiàn)實(shí)際狀態(tài)的結(jié)構(gòu)而被簡(jiǎn)化，實(shí)際上在半導(dǎo)體裝置(IGBTl)的制作過程中利用金屬配線等制成裝入。另外，柵極絕緣膜110設(shè)置在柵電極109的周圍，將柵電極109從η漂移層104和P溝道層106電絕緣。另外，設(shè)置與P溝道層106相比不純物濃度高的P接觸層108，經(jīng)由ρ接觸層108向ρ溝道層106提供發(fā)射電極114的電位。需要說明的是，該ρ接觸層108并非必須的構(gòu)成要素，但是，若設(shè)置P接觸層108能夠使發(fā)射電極114與ρ溝道層106間的接點(diǎn)良好，從而提高作為GBTl的特性。除了柵電極109以外，柵電極例如還存在圖I中的柵電極109Α、柵電極109Β。柵電極109Α設(shè)置在隔著ρ溝道層106與柵電極109對(duì)稱的位置上。另外，柵電極109Β設(shè)置在隔著浮動(dòng)P層105與柵電極109對(duì)稱的位置上。柵電極109與柵電極109Α的相互間隔和柵電極109與柵電極109Β的相互間隔不同。柵電極109與柵電極109Α的相互間隔相對(duì)窄，柵電極109與柵電極109Β的相互間隔相對(duì)寬。在柵電極109與柵電極109Β之間設(shè)置有浮動(dòng)P層(第六半導(dǎo)體層)105。浮動(dòng)ρ層105在水平方向和法線方向的下方與η_漂移層104鄰接。在浮動(dòng)ρ層105的法線方向的上部設(shè)置有絕緣膜(第一絕緣膜)111，而且在其法線方向的上部設(shè)置有多結(jié)晶硅(第一導(dǎo)電體層)112。此外，該多結(jié)晶硅112與發(fā)射電極114連接。另外，設(shè)置絕緣膜113以確保發(fā)射電極114、多結(jié)晶硅112與柵極端子115、η_漂移層104的電隔離。需要說明的是，作為第一半導(dǎo)體的多結(jié)晶硅112設(shè)置在與浮動(dòng)ρ層105對(duì)應(yīng)的位置上并且與浮動(dòng)ρ層105平行，而且通過絕緣膜111而與浮動(dòng)P層105絕緣。所述的浮動(dòng)P層105位于柵電極109與柵電極109B之間，從而使在柵電極109、柵電極109B無法控制的電流不流過位于柵電極109與柵電極109B之間的η—漂移層104。需要說明的是，電流造成的元件破損包括電流向元件的局部集中而引起的破損和因大電流流動(dòng)造成的熱破損等。本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的特征在于以下兩點(diǎn)，第一點(diǎn)為在浮動(dòng)P層105上設(shè)置由比柵極絕緣膜110(厚度5011111 10011111左右)厚的(300nm左右以上)絕緣膜111、多結(jié)晶硅112構(gòu)成的靜電電容(電容器)，并與發(fā)射電極114連接；第二點(diǎn)為浮動(dòng)ρ層105設(shè)置成離開隧道柵極109、109B。 通過具備膜厚厚的絕緣膜111，即使截止時(shí)浮動(dòng)P層105的電位升高，也能夠減小作用于絕緣膜111的電場(chǎng)，從而能夠抑制絕緣膜111的可靠性的降低或破損。另外，因形成膜厚厚的絕緣膜111，從而導(dǎo)致由多結(jié)晶硅112和絕緣膜111構(gòu)成的靜電電容變小，對(duì)浮動(dòng)P層105的電位升高的抑制效果減小，但是通過使浮動(dòng)ρ層105離開隧道柵極109U09B，從而能夠抑制柵極電位的升高。即，能夠?qū)崿F(xiàn)低噪音。需要說明的是，絕緣膜111由于利用與隧道柵極109U09B的柵極絕緣膜110不同的氧化膜形成工序進(jìn)行制造(以往例中為相同的制造工序)，因此如所述那樣絕緣膜111的膜厚能夠形成得比隧道柵極109U09B的柵極絕緣膜110足夠厚。然而，由于該膜厚較厚的絕緣膜111能夠與在周邊結(jié)構(gòu)等使用的層間膜同時(shí)形成，因此無需追加新的制造工序。所以，不會(huì)為此導(dǎo)致制造成本的增加。進(jìn)一步而言，由于與發(fā)射電極114連接的多結(jié)晶硅112的端部延伸到浮動(dòng)P層105與隧道柵極109、109B間的η漂移層104的上部，所以，在IGBTl的斷開狀態(tài)下，多結(jié)晶硅112的下部的η—漂移層104的耗盡化推進(jìn)，隧道柵極109、109Β (包括柵極絕緣膜110)的角部的電場(chǎng)集中得到緩和，從而提高耐壓。在本實(shí)施方式中，通過加厚浮動(dòng)ρ層105上的絕緣膜111的膜厚并將多結(jié)晶硅112設(shè)置到η_漂移層104的上部，從而能夠提供可確保絕緣膜的可靠性和耐壓且低噪音、低損失的IGBTl。(半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施方式)圖2是表示作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT2的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在圖2中，作為進(jìn)行IGBT2的基本動(dòng)作的結(jié)構(gòu)，設(shè)置有P集電層102、η緩沖層103、IT漂移層104、ρ溝道層106、柵電極109、η發(fā)射層107。另外，為了將它們作為可實(shí)用的IGBT2的元件使用，設(shè)置有集電電極100、集電端子101、發(fā)射電極114、發(fā)射端子116、柵極配線電極127、柵極端子115、柵極絕緣膜110、ρ接觸層108、絕緣膜113。另外，為了確保低噪音化和耐壓，設(shè)置有浮動(dòng)ρ層105、絕緣膜111、多結(jié)晶硅112。以上，由于為與圖I的結(jié)構(gòu)大致相同的結(jié)構(gòu)，所以省略對(duì)共同結(jié)構(gòu)的說明。本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的特征在于，浮動(dòng)P層117形成得比ρ溝道層106、隧道柵極109深這點(diǎn)。通過將浮動(dòng)P層117形成得深，在IGBT斷開時(shí)，耗盡層從較深的浮動(dòng)P層117擴(kuò)開，在隧道柵極109(包括柵極絕緣膜110)的角部的電場(chǎng)得到緩和，從而能夠提高耐壓。由此，能夠使浮動(dòng)P層117進(jìn)一步離開隧道柵極109，從而能夠?qū)崿F(xiàn)低噪音化。需要說明的是，由于該較深的浮動(dòng)P層117能夠使用制作在周邊區(qū)域使用較深的阱(well)層的工序來形成，所以無需追加新的制造工序，從而不會(huì)為此造成制造成本的增加。(半導(dǎo)體裝置的第三實(shí)施方式)圖3是表示作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第三實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT3的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在圖3中，作為進(jìn)行IGBT3的基本動(dòng)作的結(jié)構(gòu)，設(shè)置有P集電層102、n緩沖層103、IT漂移層104、ρ溝道層106、柵電極109、η發(fā)射層107。
另外，為了將它們作為可實(shí)用的IGBT3的元件使用，設(shè)置有集電電極100、集電端子101、發(fā)射電極114、發(fā)射端子116、柵極配線電極127、柵極端子115、柵極絕緣膜110、ρ接觸層108、絕緣膜113。另外，為了確保低噪音化和耐壓，設(shè)置有浮動(dòng)ρ層105、絕緣膜111、多結(jié)晶硅112。以上，由于為與圖I的結(jié)構(gòu)大致相同的結(jié)構(gòu)，所以省略對(duì)共同結(jié)構(gòu)的說明。在圖3中，在圖I所示的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步具備電阻301。本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的特征在于，將浮動(dòng)ρ層105和發(fā)射端子116經(jīng)由電阻301連接這點(diǎn)。通過連接浮動(dòng)ρ層105和發(fā)射端子116,能夠抑制浮動(dòng)P層105的電位升高,還能夠抑制IGBT3導(dǎo)通時(shí)的電流振動(dòng)、與IGBT3并列連接的二極管(例如圖10中的IGBT402AP與二極管403的關(guān)系)的過電壓。對(duì)于電阻301而言，若其電阻值過小，則流入浮動(dòng)P層105的空穴脫離發(fā)射端子116，導(dǎo)致通過設(shè)置浮動(dòng)ρ層105產(chǎn)生的接通電壓的降低效果被削弱，因此優(yōu)選電阻301具有某種程度的大小(100Ω以上)。另外，電阻301可以利用浮動(dòng)ρ層105的擴(kuò)散電阻或內(nèi)置于多結(jié)晶硅等的半導(dǎo)體裝置(IGBT3)中的電阻機(jī)構(gòu)來制成。進(jìn)而，根據(jù)情況的不同，也可以將電阻301形成為外置附加電阻。圖4為第三實(shí)施方式的一例，其示出使用以浮動(dòng)ρ層105 (圖3、圖4)作為半導(dǎo)體而本來所具有的擴(kuò)散電阻的要素來制成電阻301 (圖3)時(shí)的俯視圖。進(jìn)而，圖5表示圖4的Β-Β’處的剖面結(jié)構(gòu)，圖6表示圖4的C_C’處的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖4的A-A’處的剖面結(jié)構(gòu)為圖3。在圖4中，η—漂移層104、浮動(dòng)ρ層105、ρ溝道層106、η發(fā)射層107、柵電極109、柵極絕緣膜110、多結(jié)晶硅112與圖I、圖3的剖視圖相對(duì)應(yīng)。電阻301 (圖3)的電阻值根據(jù)浮動(dòng)P層105 (圖3、圖4)的形狀而變化。電阻值根據(jù)圖4中的浮動(dòng)ρ層105的圖4中的上下方向(與C-C’平行的方向)的長(zhǎng)度和左右方向(與Β-Β’平行的方向)的寬度而變化。另外，通過設(shè)置圖4所示的接點(diǎn)203，將浮動(dòng)ρ層105和發(fā)射電極連接。借此，將接點(diǎn)203 (圖4、圖5)斷續(xù)地設(shè)置多個(gè)，通過改變它們的間隔，從而能夠容易變更電阻301的實(shí)質(zhì)電阻值。(半導(dǎo)體裝置的第四實(shí)施方式)圖7是表示作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第四實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT4的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在圖7中，作為進(jìn)行IGBT4的基本動(dòng)作的結(jié)構(gòu)，設(shè)置有P集電層102、n緩沖層103、IT漂移層104、ρ溝道層106、柵電極109、η發(fā)射層107。另外，為了將它們作為可實(shí)用的IGBT4的元件使用，設(shè)置有集電電極100、集電端子101、發(fā)射電極114、發(fā)射端子116、柵極配線電極127、柵極端子115、柵極絕緣膜110、ρ接觸層108、絕緣膜113。另外，為了確保低噪音化和耐壓，設(shè)置有浮動(dòng)ρ層105、絕緣膜111、多結(jié)晶硅112。以上，由于為與圖I的結(jié)構(gòu)大致相同的結(jié)構(gòu)，所以省略對(duì)共同結(jié)構(gòu)的說明。本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的特征在于，在ρ溝道層106的下方(朝向硅基板作為晶片的表面和背面的中間的方向)形成由η型擴(kuò)散層構(gòu)成的η電荷障壁層(第七半導(dǎo)體層)124。 該η電荷障壁層124成為流入η發(fā)射層107 (發(fā)射電極114)的空穴的障壁，因此η發(fā)射層107附近的空穴濃度增加，在其周圍誘導(dǎo)電子，從而能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)IGBT4的接通電壓的降低。(半導(dǎo)體裝置的第五實(shí)施方式)圖8是表示作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第五實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT5的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在圖8中，作為進(jìn)行IGBT5的基本動(dòng)作的結(jié)構(gòu)，設(shè)置有P集電層102、η緩沖層103、IT漂移層104、ρ溝道層106、柵電極109、η發(fā)射層107。 另外，為了將它們作為可實(shí)用的IGBT5的元件使用，設(shè)置有集電電極100、集電端子101、發(fā)射電極114、發(fā)射端子116、柵極配線電極127、柵極端子115、柵極絕緣膜110、ρ接觸層108、絕緣膜113。另外，為了確保低噪音化和耐壓，設(shè)置有浮動(dòng)ρ層105、絕緣膜111、多結(jié)晶硅112。另外，為了降低接通電壓，設(shè)置有η電荷障壁層124。以上，由于是與圖7的結(jié)構(gòu)大致相同的結(jié)構(gòu)，所以省略對(duì)共同結(jié)構(gòu)的說明。本發(fā)明的第五實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的特征在于，在η電荷障壁層124的下方(朝向硅基板作為晶片的表面和背面的中間的方向)進(jìn)一步形成P層(第八半導(dǎo)體層)125這點(diǎn)。在圖7的第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，η電荷障壁層124的載流子濃度越高，針對(duì)空穴的障壁越變高，作為IGBT4的接通電壓的降低效果也越高，但是，IGBT4斷開時(shí)的η電荷障壁層124的電場(chǎng)強(qiáng)度變強(qiáng)，從而產(chǎn)生耐壓降低的問題。通過追加本發(fā)明的第五實(shí)施方式中示出的圖8的P層125，在η電荷障壁層124的電場(chǎng)強(qiáng)度得到緩和，即使η電荷障壁層124的載流子濃度變高，也能夠保持耐壓，所以能夠?qū)崿F(xiàn)作為IGBT5的接通電壓的進(jìn)一步降低。需要說明的是，由于作為IGBT5的接通電壓由雙極型晶體管(BipolarTransistor)即電流確定，所以不會(huì)因?qū)OSFET的溝道(ρ溝道層106)追加ρ層125本身導(dǎo)致IGBT5的接通電壓增加。(半導(dǎo)體裝置的第六實(shí)施方式)圖9是表示作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第六實(shí)施方式的隧道柵極型IGBT6的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在圖9中，作為IGBT6的ρ集電層120、η緩沖層121與圖I的第一實(shí)施方式不同，與η發(fā)射層107(107B、107C)形成在娃基板的相同表面?zhèn)取１緦?shí)施方式的結(jié)構(gòu)的特征在于，將縱型結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)再次構(gòu)成為橫型結(jié)構(gòu)。進(jìn)行作為IGBT6的基本動(dòng)作的結(jié)構(gòu)為ρ集電層120、η緩沖層121、η漂移層104、P 溝道層 106(106Β)、柵電極 109(109B、109C)、n 發(fā)射層 107 (107B、107C)。隧道柵極型IGBT6向P集電層102供給正極性的電源電位，且進(jìn)一步利用向柵電極109(109B、109C)提供的電位而進(jìn)行接通 斷開(ON .OFF)的控制。在向柵電極109 (109B、109C)提供了負(fù)極性的電位的情況下，由于空穴(正孔)向P溝道層106(106B)進(jìn)一步集中，所以相對(duì)于向P溝道層106 (106B)與n_漂移層104間供給的電位存在逆向特性的pn 二極管，電流不流動(dòng)而成為斷開(OFF)狀態(tài)。另外，在向柵電極109(109B、109C)提供了正極性的電位的情況下，電子在P溝道層106 (106B)被誘導(dǎo)，從而在ρ溝道層106 (106B)形成反轉(zhuǎn)為η型的溝道區(qū)域。這樣一來，對(duì)于η發(fā)射層107(107B、107C)而言，由于η型半導(dǎo)體元件從反轉(zhuǎn)為η型的溝道區(qū)域(ρ溝道層106) 106Β朝向η—漂移層104、η緩沖層121連續(xù)而電導(dǎo)通，進(jìn)而在η發(fā)射層107與ρ集電層120之間構(gòu)成正向的pn 二極管，因此，電流流動(dòng)而成為接通(ON)狀態(tài)。 為了將它們作為可實(shí)用的IGBT6的元件使用，設(shè)置集電電極118和集電端子119，向P集電層120供給電源。另外，設(shè)置發(fā)射電極114和發(fā)射端子116，向η發(fā)射層107 (107Β、107C)供給電源。另外，設(shè)置柵極配線電極127和柵極端子115，向柵電極109(109B、109C)供給電位。另外，在柵電極109(109B、109C)的周圍設(shè)置柵極絕緣膜110 (110B、110C)，使柵電極109(109B、109C)與η漂移層104和ρ溝道層106(106B)電絕緣。另外，設(shè)置與P溝道層106(106B)相比不純物濃度更高的ρ接觸層108(108B)，經(jīng)由ρ接觸層108(108B)向ρ溝道層106(106Β)提供發(fā)射電極114的電位。如上所述，在柵電極109與柵電極109Β之間設(shè)置有浮動(dòng)P層105。在柵電極109C的水平方向上鄰接地存在有浮動(dòng)P層105C。浮動(dòng)P層105(105C)在水平方向和下方與η_漂移層104鄰接。在浮動(dòng)ρ層105(105C)的法線方向的上部存在絕緣膜111，而且在其法線方向的上部存在多結(jié)晶硅112(112C)，該多結(jié)晶硅112(112C)與發(fā)射電極114連接。另外，設(shè)置絕緣膜113的目的在于確保發(fā)射電極114、多結(jié)晶硅112(112C)與柵極端子115、η_漂移層104電隔尚。另外，在硅基板126的法線方向上鄰接地存在由氧化膜構(gòu)成的絕緣層123。利用絕緣層123使η_漂移層104與硅基板126絕緣隔離，另外，硅基板126作為支承基板支承半導(dǎo)體裝置6。以上，圖9與圖I的IGBT的結(jié)構(gòu)有所不同，圖9所示的IGBT6的結(jié)構(gòu)的特征在于，使圖I所示的IGBTl的縱型結(jié)構(gòu)形成為橫型結(jié)構(gòu)?？v型結(jié)構(gòu)(IGBTl)和橫型結(jié)構(gòu)(IGBT6)雖然不同，但是構(gòu)成要素基本相同。因此，即使形成為橫型結(jié)構(gòu)，也能夠獲得與圖I的第一實(shí)施方式同樣的低損失、低噪音的效果。另外，在圖9中，使用了在硅基板126上形成有絕緣層123的SOI (Silicon On Insulator :絕緣體上的娃)基板。(電力轉(zhuǎn)換裝置的實(shí)施方式)圖10是表示本發(fā)明的電力轉(zhuǎn)換裝置的實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖10示出將直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電的逆變器(電流轉(zhuǎn)換)的電路圖。在輸入端子404與輸入端子405之間被施加直流電壓(直流電)。IGBT402AP的集電極與端子404連接，發(fā)射極與IGBT402AN的集電極連接，IGBT402AN的發(fā)射極與輸入端子405連接。在IGBT402AP和IGBT402AN上，在各自的發(fā)射極、集電極間分別并列地連接有二極管403。IGBT402AP和IGBT402AN的各自的柵極分別由柵極驅(qū)動(dòng)電路40IAP、柵極驅(qū)動(dòng)電路40IAN驅(qū)動(dòng)控制。IGBT402AP的發(fā)射極和IGBT402AN的集電極的連接點(diǎn)與輸出端子406 連接。IGBT402BP的集電極與端子404連接，發(fā)射極與IGBT402BN的集電極連接，IGBT402BN的發(fā)射極與輸入端子405連接。在IGBT402BP和IGBT402BN上，在各自的發(fā)射極、集電極間分別并列連接有二極管403。IGBT402BP和IGBT402BN的各自的柵極分別由柵極驅(qū)動(dòng)電路401BP、柵極驅(qū)動(dòng)電路401BN驅(qū)動(dòng)控制。IGBT402BP的發(fā)射極和IGBT402BN的集電極的連接點(diǎn)與輸出端子407連接。IGBT402CP的集電極與端子404連接，發(fā)射極與IGBT402CN的集電極連接，IGBT402CN的發(fā)射極與輸入端子405連接。在IGBT402CP和IGBT402CN上，在各自的發(fā)射極、集電極間分別并列地連接有二極管403。IGBT402CP和IGBT402CN的各自的柵極分別由柵極驅(qū)動(dòng)電路401CP、柵極驅(qū)動(dòng)電路401CN驅(qū)動(dòng)控制。IGBT402CP的發(fā)射極和IGBT402CN的集電極的連接點(diǎn)與輸出端子408連接。IGBT402AP和IGBT402AN分別由柵極驅(qū)動(dòng)電路401AP、柵極驅(qū)動(dòng)電路401AN驅(qū)動(dòng)控制，向輸出端子406輸出直流電位的正或負(fù)或者開放狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))。IGBT402BP和IGBT402BN分別由柵極驅(qū)動(dòng)電路401BP、柵極驅(qū)動(dòng)電路401BN驅(qū)動(dòng)控制，向輸出端子407輸出直流電位的正或負(fù)或者開放狀態(tài)。IGBT402AP和IGBT402CN分別由柵極驅(qū)動(dòng)電路401CP、柵極驅(qū)動(dòng)電路401CN驅(qū)動(dòng)控制，向輸出端子408輸出直流電位的正或負(fù)或者開放狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))。將適宜對(duì)三相的交流負(fù)荷(主要是電動(dòng)機(jī))進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電位組合后向輸出端子406,407,408 輸出。所述控制由柵極驅(qū)動(dòng)電路 401AP、401AN、401BP、401BN、401CP、401CN 協(xié)作進(jìn)行。通過這些控制，在輸出端子406、407、408能夠獲得作為組合的、以任意頻率和電壓驅(qū)動(dòng)三相交流負(fù)荷(主要為電動(dòng)機(jī))的輸出電壓(輸出電力)。圖10的本發(fā)明的電力轉(zhuǎn)換裝置的實(shí)施方式的特征在于，在逆變器電路中，具備根據(jù)本發(fā)明的第一至第六實(shí)施方式中的任一方式的IGBT這點(diǎn)。通過將本實(shí)施方式中說明的IGBT適用為電力轉(zhuǎn)換裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)電力轉(zhuǎn)換裝置的低損失化和高可靠性化。(其他實(shí)施方式)需要說明的是，作為本發(fā)明的電力轉(zhuǎn)換裝置的實(shí)施方式雖然對(duì)逆變器電路進(jìn)行了說明，但是若將本發(fā)明的實(shí)施方式的IGBT用于變流器或斷路器等其他的電力轉(zhuǎn)換裝置，則能夠在低損失化和高可靠性化方面獲得同樣的效果。另外，以上，成為作為雙極型晶體管的發(fā)射極的η發(fā)射層107、107B、107C以η型的半導(dǎo)體層形成，成為集電極的P集電層102、120以ρ型的半導(dǎo)體層形成，成為緩沖層的η緩沖層103、121以η型的半導(dǎo)體層形成，成為漂移層的η漂移層104以η型的半導(dǎo)體層形成，另外，成為MOSFET的溝道的ρ溝道層106以ρ型的半導(dǎo)體層形成，但是可以將它們的ρ型和η型的極性互相顛倒。并且,對(duì)于來自發(fā)射電極、集電電極、柵極配線電極的電位的供給而言,可將正極性和負(fù)極性顛倒。如此一來,能夠獲得具有電位極性正負(fù)相反的特性的IGBT。另外，在圖7所示的縱型的隧道柵極型IGBT4中，雖使用在硅基板126上形成有絕緣層123的SOI (Silicon On Insulator)基板,但是也可以使用P+基板。另外，在圖I所示的縱型的隧道柵極型IGBTl中，雖然示出了以硅基板126為基礎(chǔ)形成的例子，但是并非必須為硅基板。即使為硅以外的半導(dǎo)體基板，通過對(duì)以后的制造工序的條件進(jìn)行組合選用，也可以進(jìn)行制作、制造。以上，根據(jù)本發(fā)明，在隧道柵極型IGBT中，在浮動(dòng)ρ層的上部設(shè)置由較厚的絕緣膜和多結(jié)晶聚硅構(gòu)成的靜電電容，并且浮動(dòng)P層設(shè)置成離開隧道柵極，由此，能夠提供可抑制短路時(shí)流動(dòng)的過電流并且低損失、低噪音(低電位變位、低電流振動(dòng))的、元件的耐破損量高的IGBT。產(chǎn)業(yè)上的可利用性
IGBT作為可應(yīng)對(duì)高壓、高電力、高頻的開關(guān)元件，其用途正在擴(kuò)大化。本發(fā)明的IGBT(半導(dǎo)體裝置)進(jìn)一步提高噪音特性和元件耐壓，有利于實(shí)現(xiàn)低損失化。因此，本發(fā)明的IGBT或具備其的電力轉(zhuǎn)換裝置能夠在從家庭用的小功率設(shè)備到鐵路、制造工廠中的大電力設(shè)備的廣泛用途得到應(yīng)用。符號(hào)說明1、2、3、4、5、6、11、12、13IGBT、半導(dǎo)體裝置100集電電極、第二電極101集電端子102、120p集電層、第一半導(dǎo)體層103、121η緩沖層、第二半導(dǎo)體層104η漂移層、第三半導(dǎo)體層105、105C、117、122浮動(dòng)ρ層、第六半導(dǎo)體層106ρ溝道層、第四半導(dǎo)體層107U07BU07C η發(fā)射層、第五半導(dǎo)體層108、108Βρ 接觸層109、109A、109B、109C柵電極、隧道柵極、絕緣柵極110、110A、1 IOB柵極絕緣膜、第二絕緣膜111、123絕緣膜、第一絕緣膜112、112C多結(jié)晶硅、第一導(dǎo)電體層113絕緣膜114、118發(fā)射電極、第一電極115柵極端子116、119 發(fā)射端子124η電荷障壁層、第七半導(dǎo)體層125ρ層、第八半導(dǎo)體層126娃基板、半導(dǎo)體基板127柵極配線電極、第三電極201、202、203 接點(diǎn)301電阻、電阻機(jī)構(gòu)40IAP、401ΑΝ、40IBP、401ΒΝ、40ICP、40ICN 柵極驅(qū)動(dòng)電路
402AP、402AN、402BP、402BN、402CP、402CN IGBT、半導(dǎo)體裝置403 二極管404、405 輸入端子 406、407、408 輸出端子
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，通過在半導(dǎo)體基板上將第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、具有比所述第二半導(dǎo)體層的載流子濃度低的載流子濃度的第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層、以及第一絕緣膜以各層在法線方向上層疊的方式層疊成所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層及所述第三半導(dǎo)體層之間且所述第三半導(dǎo)體層位于所述第二半導(dǎo)體層及所述第一絕緣膜之間而形成，所述半導(dǎo)體裝置的特征在于， 所述第三半導(dǎo)體層具備多個(gè)絕緣柵極，所述多個(gè)絕緣柵極配置成相互的間隔為至少寬窄兩種間隔， 所述絕緣柵極在各自的周圍具備第二絕緣膜， 在以窄間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體層，并且，所述第四半導(dǎo)體層的一面?zhèn)扰c所述第三半導(dǎo)體層鄰接，所述第四半導(dǎo)體層的另一面?zhèn)扰c所述第五半導(dǎo)體層鄰接， 在以寬間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導(dǎo)電型的第六半導(dǎo)體層，該第六半導(dǎo)體層通過隔著所述第三半導(dǎo)體層的一部分而與所述絕緣柵極分離，且所述第六半導(dǎo)體層與所述第一絕緣膜鄰接， 進(jìn)而，所述半導(dǎo)體裝置還具備 第一導(dǎo)電體層，其設(shè)在與所述第六半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)的位置上且與該第六半導(dǎo)體層平行，并且通過所述第一絕緣膜與所述第六半導(dǎo)體層絕緣； 第一電極，其與所述第四半導(dǎo)體層、所述第五半導(dǎo)體層、所述第一導(dǎo)電體層電連接； 第二電極，其與所述第一半導(dǎo)體層的與所述第二半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的面電連接， 第三電極，其與所述絕緣柵極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一導(dǎo)電體層由多結(jié)晶娃構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一絕緣膜比所述第二絕緣膜厚。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一絕緣膜的厚度為300nm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一導(dǎo)電體層延伸到所述第六半導(dǎo)體層與絕緣柵極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第六半導(dǎo)體層比所述第四半導(dǎo)體層深。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第六半導(dǎo)體層經(jīng)由電阻機(jī)構(gòu)與所述第一電極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電阻機(jī)構(gòu)使用所述第六半導(dǎo)體層形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間具備第二導(dǎo)電型的第七半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述第三半導(dǎo)體層與所述第七半導(dǎo)體層之間具備第一導(dǎo)電型的第八半導(dǎo)體層。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其具備第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，其設(shè)置在半導(dǎo)體基板的表面上； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，其與所述第一半導(dǎo)體層在法線方向及水平方向上鄰接；第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，其與所述第二半導(dǎo)體層在法線方向及水平方向上鄰接，且具有比所述第二半導(dǎo)體層的載流子濃度低的載流子濃度， 并且，所述第三半導(dǎo)體層具備多個(gè)絕緣柵極，所述多個(gè)絕緣柵極配置成相互的間隔為至少寬窄兩種間隔， 所述絕緣柵極在各自的周圍具備第二絕緣膜， 在以窄間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體層，并且，所述第四半導(dǎo)體層的一面?zhèn)扰c所述第三半導(dǎo)體層鄰接，所述第四半導(dǎo)體層的另一面?zhèn)扰c所述第五半導(dǎo)體層鄰接， 在以寬間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導(dǎo)電型的第六半導(dǎo)體層，該第六半導(dǎo)體層通過隔著所述第三半導(dǎo)體層的一部分而與所述絕緣柵極分離， 進(jìn)而，所述半導(dǎo)體裝置還具備 第一導(dǎo)電體層，其設(shè)在與所述第六半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)的位置上且與該第六半導(dǎo)體層平行，并且通過所述第一絕緣膜與所述第六半導(dǎo)體層絕緣； 第一電極，其與所述第四半導(dǎo)體層、所述第五半導(dǎo)體層、所述第一導(dǎo)電體層電連接； 第二電極，其與所述第一半導(dǎo)體層電連接， 第三電極，其與所述絕緣柵極電連接。
12.一種電力轉(zhuǎn)換裝置，將直流電轉(zhuǎn)換成交流電，其特征在于， 使用了權(quán)利要求I至11中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及使用半導(dǎo)體裝置的電力轉(zhuǎn)換裝置，具體而言，提供可抑制在短路時(shí)流動(dòng)的過電流且低損失、低噪音(低電位變位、低電流振動(dòng))的、元件的耐破損量高的IGBT。一種隧道型的IGBT，具備配置成寬窄兩種間隔的多個(gè)隧道柵極，在以窄間隔配置的所述隧道柵極彼此間具有帶有第一導(dǎo)電型的溝道的MOS結(jié)構(gòu)，在以寬間隔配置的所述隧道柵極彼此間具備通過隔著第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的一部而與所述隧道柵極分離的第一導(dǎo)電型的浮動(dòng)半導(dǎo)體層。另外，該浮動(dòng)半導(dǎo)體層隔著絕緣膜配置在對(duì)應(yīng)于與發(fā)射電極同電位的第一導(dǎo)電體層的位置上并且平行地配置。根據(jù)以上結(jié)構(gòu)，能夠緩和所述隧道柵極的角部的電場(chǎng)集中而提高耐壓，并且可實(shí)現(xiàn)低噪音、低損失。
文檔編號(hào)H01L27/04GK102714217SQ20108006047
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2010年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月4日
發(fā)明者森睦宏, 渡邊聰, 白石正樹, 鈴木弘 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所