專利名稱：在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性體薄 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)的磁性體薄膜，特別是采用垂直磁記錄方式的硬盤的顆粒磁記錄膜的成膜中使用的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶等；本發(fā)明涉及飛弧少、在用磁控濺射裝置濺射時(shí)可以得到穩(wěn)定的放電，并且密度高、在濺射時(shí)產(chǎn)生的粉粒少的濺射靶和可以通過該靶的濺射制造的磁性體薄膜以及使用該磁性體薄膜的磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在磁記錄的領(lǐng)域，正在開發(fā)通過在磁性體薄膜中微細(xì)分散非磁性材料來提高磁特性的技木。作為其一例可以舉出，在采用垂直磁記錄方式的硬盤的記錄介質(zhì)中，采用利用非磁性材料將磁記錄膜中的磁性粒子間的磁相互作用隔斷或削弱的顆粒膜，從而提高作為磁記錄介質(zhì)的各種特性。 作為最適于該顆粒膜的材料之一，已知有Co-Cr-Pt-SiO2,該Co-Cr-Pt-SiO2的顆粒膜，通常通過將非磁性材料粒子分散型磁性材料靶進(jìn)行濺射而制成，所述非磁性材料粒子分散型磁性材料靶在以Co為主要成分的強(qiáng)磁性的Co-Cr-Pt合金的基質(zhì)中均勻地微細(xì)分散有作為非磁性材料的Si02。眾所周知，這樣的非磁性材料粒子分散型磁性材料濺射靶，不能通過熔煉法使非磁性材料粒子均勻地微細(xì)分散在磁性合金基材中，因此用粉末冶金法進(jìn)行制造。例如，提出如下方法將通過驟冷凝固法制成的具有合金相的合金粉末和構(gòu)成陶瓷相的粉末機(jī)械合金化，使構(gòu)成陶瓷相的粉末均勻地分散在合金粉末中，并通過熱壓進(jìn)行成形，從而得到磁記錄介質(zhì)用濺射靶(專利文獻(xiàn)I)。另外，即使不使用通過驟冷凝固法制成的合金粉末，也可以通過如下方法制成非磁性材料粒子分散型磁性材料濺射靶對(duì)構(gòu)成靶的各成分準(zhǔn)備市售的原料粉末，秤量這些原料粉使其達(dá)到所需的組成，用球磨機(jī)等公知的方法進(jìn)行混合，通過熱壓將混合粉末成形、
作么士紅彡ロ 另外，眾所周知，若在燒結(jié)后得到密度高的材料，則在濺射時(shí)成為問題的粉粒的產(chǎn)生量就少。在濺射裝置中有各種各樣方式的裝置，對(duì)于上述磁記錄膜的成膜而言，從高生產(chǎn)率的方面考慮，廣泛使用磁控濺射裝置。濺射法使用如下原理使作為正電極的基板和作為負(fù)電極的靶對(duì)置，在惰性氣體氣氛下在該基板和靶間施加高電壓以產(chǎn)生電場。此時(shí)，惰性氣體電離，形成包含電子和陽離子的等離子體，該等離子體中的陽離子撞擊靶(負(fù)電扱)的表面吋，構(gòu)成靶的原子被擊出，該飛出的原子附著在對(duì)置的基板表面形成膜。通過這樣的一連串動(dòng)作，構(gòu)成靶的材料在基板上形成膜。磁控濺射裝置的特征在于，在靶的背面?zhèn)染哂写盆F，從該磁鐵漏出到靶表面的磁通(漏磁通)在靶表面附近使電子做擺線運(yùn)動(dòng)，從而可以有效地產(chǎn)生等離子體。在含有Co、Cr、Pt等金屬和SiO2等氧化物的磁性材料靶的情況下，由于SiO2等氧化物沒有導(dǎo)電性，因此若在靶表面露出的氧化物相的各粒子的面積大，則具有濺射時(shí)粉粒產(chǎn)生增加的問題，為了解決這ー問題，需要盡可能減小氧化物相的各粒子的面積。從現(xiàn)有技術(shù)來看，在專利文獻(xiàn)2中記載有使氧化物相包含Cr，從而抑制氧化物相的晶粒生長并使其均質(zhì)分散，同時(shí)得到高密度靶。在該專利文獻(xiàn)2中，抑制氧化物相的晶粒生長除含有鉻之外，使用通電燒結(jié)法也是重點(diǎn)。但是，氧化鉻含量多達(dá)I. 2^12. 0摩爾％，這樣大量的添加會(huì)使作為非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜和使用該分散型磁性體薄膜的磁 記錄介質(zhì)的特性較大地改變，因此成為問題。另外，雖然使用平均粒徑0. 5 y m的氧化硅原料粉末，但是得到的氧化物相的粒徑為約2 約2. 5 ym，存在粒徑?jīng)]有充分微細(xì)化的問題。另外，在專利文獻(xiàn)3中提出通過在氧化物相中添加Cr氧化物來抑制粉粒的產(chǎn)生。而且，引用專利文獻(xiàn)4、專利文獻(xiàn)5等，記載到若僅僅是將ニ氧化硅相微細(xì)化則不能抑制粉粒的產(chǎn)生，不能解決“合金相與ニ氧化硅相的粘附性差”。在該專利文獻(xiàn)3中，將引用的ニ氧化硅相為10 y m以下的情況視為“微細(xì)”，以及將原料粉末SiO2的粒徑設(shè)定為20 y m以下，且在實(shí)施例中為3 u m,因此啟示了氧化物相為粒徑3 u m以上的組織。另外，在該專利文獻(xiàn)3的第
段中記載，在1200°C的溫度下進(jìn)行三小時(shí)熱壓。進(jìn)行這樣的高溫且長時(shí)間的熱壓時(shí)當(dāng)然會(huì)產(chǎn)生SiO2的粗大化，因此可知從該技術(shù)也無法實(shí)現(xiàn)SiO2的充分的微細(xì)化。雖然公開了為了減少粉粒而添加含量0. oro. 5質(zhì)量％的Cr，但是仍然可以判斷出氧化物相是粗大的。專利文獻(xiàn)I:日本特開平10-88333號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2009-215617號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開2007-31808號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2001-236643號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開2004-339586號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
通常，若想用上述這樣的磁控濺射裝置濺射非磁性材料粒子分散型磁性材料濺射靶，就會(huì)以氧化物粒子為基點(diǎn)引起飛弧，容易產(chǎn)生放電不穩(wěn)定這樣的顯著問題。為了解決該問題，使SiO2均勻地分散是有效的。本發(fā)明的課題在于，提供ー種非磁性材料粒子分散型磁性材料濺射靶，其可減少飛弧，用磁控濺射裝置可以得到穩(wěn)定的放電，且密度高、在濺射時(shí)產(chǎn)生的粉粒少。為了解決上述課題，本發(fā)明人進(jìn)行了潛心探索，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過調(diào)節(jié)靶的組織結(jié)構(gòu)，可以得到能夠減少飛弧的靶。另外發(fā)現(xiàn)，該靶可以充分提高密度，從而在濺射時(shí)可以減少產(chǎn)生的粉粒。基于這樣的發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明提供以下的發(fā)明。I) ー種在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其由含有Co的金屬基質(zhì)相、和含有形成粒子并分散存在的6 14摩爾％的SiO2的氧化物的相(以下，稱為“氧化物相”)構(gòu)成，其特征在干，除構(gòu)成所述金屬基質(zhì)相和氧化物相的成分之外，還含有在所述氧化物相內(nèi)或其表面散布的0. 3摩爾％以上且低于I. 0摩爾％的Cr氧化物，氧化物相的各粒子的平均面積為2. Oy m2以下。
更優(yōu)選的氧化物相的各粒子的平均面積為I. 5 ii m2以下。2)如上述I)所述的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其特征在干，所述金屬基質(zhì)相為単獨(dú)的Co金屬，或者為Cr為6 40摩爾％、其余包含Co的Co基合金，或者為Cr為6 40摩爾％、Pt為為8 20摩爾％、其余包含Co的Co基合金。這些物質(zhì)為代表性的Co系非磁性材料粒子分散型磁性材料，本申請(qǐng)發(fā)明適用于這些物質(zhì)。3)如上述I)或2)所述的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其特征在于，氧化物相的電阻率為3. 5 X IO16 Q cm以下。4)如上述I) "3)中任一項(xiàng)所述的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其特征在于，相對(duì)密度為98%以上。本申請(qǐng)發(fā)明具有如下特征可以實(shí)現(xiàn)氧化物相粒子的微細(xì)化，并且可以提高相對(duì)
山I又o5) ー種非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜，其特征在于，包含含有Co的金屬基質(zhì)相、含有6 14摩爾％的SiO2的氧化物相和0. 3摩爾％以上且低于I. 0摩爾％的Cr氧化物。本發(fā)明的非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜，是通過使用上述濺射靶成膜而得到的薄膜，通過濺射形成的薄膜的組分反映出靶的組分，因此，具備同樣的組分。6)如上述5)所述的非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜，其特征在于，所述金屬基質(zhì)相為單獨(dú)的Co金屬，或者為Cr為6 40摩爾％、其余包含Co的Co基合金,或者為Cr為6 40摩爾％、Pt為8 20摩爾％、其余包含Co的Co基合金。7)如上述5)或6)所述的非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜，其特征在于，氧化物相的電阻率為3. 5 X IO16 Q .cm以下。8) 一種磁記錄介質(zhì)，其使用上述5) 7)中任一項(xiàng)所述的非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜。本發(fā)明的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，如上所述優(yōu)選將相對(duì)密度設(shè)定為98%以上。通過將相對(duì)密度設(shè)定為98%以上，可以提高合金與非磁性材料粒子的粘附性，因此，可以抑制濺射時(shí)非磁性材料粒子的落粒，可以減少粉粒的產(chǎn)生量。在此的相對(duì)密度為靶的實(shí)測密度除以計(jì)算密度而求得的值。計(jì)算密度為假設(shè)靶的構(gòu)成成分不相互擴(kuò)散或反應(yīng)地混合存在時(shí)的密度，用下式計(jì)算。公式計(jì)算密度=I(構(gòu)成成分的分子量X構(gòu)成成分的摩爾比)/!:(構(gòu)成成分的分子量X構(gòu)成成分的摩爾比/構(gòu)成成分的文獻(xiàn)值密度)在此，I是指取靶的所有構(gòu)成成分之和。發(fā)明效果本發(fā)明可以制成在Co或以Co為主要成分的合金的基質(zhì)中均勻地分散有作為非磁性材料的微細(xì)的SiO2的靶。即，本發(fā)明可以提供如下的靶除構(gòu)成金屬基質(zhì)相和氧化物相的成分之外，還含有在所述氧化物相內(nèi)或其表面散布的0. 3摩爾％以上且低于I. 0摩爾％的Cr氧化物，且使氧化物相的各粒子的平均面積為2. 0 ii m2以下的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶。
這樣，通過Si02_化物粒子的微細(xì)化和高密度化，可以顯著減少粉粒的產(chǎn)生量。另夕卜，具有如下優(yōu)點(diǎn)由于成為飛弧少的靶從而可以得到穩(wěn)定的放電，并且可以以低成本制造磁性體薄膜。


圖I是用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察實(shí)施例I的靶表面時(shí)的組織圖像；
圖2是用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察比較例I的靶表面時(shí)的組織圖像；圖3是用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察實(shí)施例2的靶表面時(shí)的組織圖像；圖4是用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察比較例2的靶表面時(shí)的組織圖像。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，為包含含有Co且具有磁性的金屬基質(zhì)相、和含有形成粒子并分散存在的6 14摩爾％的SiO2的氧化物的相(以下，稱為“氧化物相”)的濺射靶。其特征在于，除了構(gòu)成上述金屬基質(zhì)相和氧化物相的成分之外，還含有在所述氧化物相內(nèi)或其表面散布的0. 3摩爾％以上且低于I. 0摩爾％的Cr氧化物，氧化物相的各粒子的平均面積為2. Oy m2以下。如上所述，本申請(qǐng)發(fā)明可以適用于Co或Co基合金。作為代表性的Co系非磁性材料粒子分散型磁性材料，有Cr為6 40摩爾％、其余包含Co的Co基合金，或者Cr為6 40摩爾％、Pt為8 20摩爾％、其余包含Co的Co基合金。本申請(qǐng)發(fā)明適用于這些材料。通常，若即使僅僅添加微細(xì)的SiO2燒結(jié)原料進(jìn)行燒結(jié)，則在燒結(jié)階段也常常會(huì)產(chǎn)生凝聚從而粗大化。特別地，雖然期望在約1200°C的燒結(jié)下得到微細(xì)分散的濺射靶，但是在現(xiàn)有制造方法(混合方法、燒結(jié)條件)中，燒結(jié)后的靶的每粒SiO2的平均面積為3 ii m2以上(假設(shè)為圓形則粒徑為2 y m以上)。在該情況下，雖然降低燒結(jié)溫度或者縮短燒結(jié)時(shí)間會(huì)微細(xì)化，但是即使這樣最小限仍為約2. 5 ym2。此時(shí)，反而導(dǎo)致燒結(jié)不充分、密度不足(燒結(jié)不足)，結(jié)果具有濺射中的異常放電(飛弧)和粉粒產(chǎn)生量増加這樣的問題?，F(xiàn)有的制造方法是上述方法的擴(kuò)展，即使在添加氧化鉻的情況下，為了提高密度而進(jìn)行高溫、長時(shí)間的燒結(jié)，結(jié)果也是每粒SiO2的平均面積為3 i! Hl2以上。這不能說是實(shí)現(xiàn)了 SiO2粒的微細(xì)化，而可以說是默認(rèn)了濺射中的某種程度的異常放電(飛弧)和粉粒的產(chǎn)生。另外，雖然有將減少粉粒作為課題的專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3等的嘗試，但是仍尚未達(dá)到不影響磁性材料的特性并且將氧化物相充分地微細(xì)化的程度。本申請(qǐng)發(fā)明為解決這ー問題的發(fā)明。即，提出通過如下解決手段來抑制含有SiO2的氧化物彼此間的凝聚在燒結(jié)時(shí)，使含有SiO2的氧化物的表面、或者氧化物粒子的間隙存在在相同溫度下擴(kuò)散速度慢得多的高熔點(diǎn)氧化物的微粒。在此，“含有SiO2的氧化物相”是指氧化物僅為SiO2的情況和組合含有SiO2和其它氧化物的氧化物相。作為氧化物也有含有除SiO2以外的氧化物，例如具有類似特性的TiO2的情況，但是是指氧化物的存在受到SiO2的強(qiáng)烈影響的情況。由此，含有SiO2的氧化物在維持與原料粉體相同程度的粒徑的情況下進(jìn)行燒結(jié)，結(jié)果，可以減小氧化物相的各粒子的面積，雖然也取決于燒結(jié)條件，但是可以抑制在2. Oiim2 以下。另外，也如上所述，即使僅僅使用減小了含有SiO2的氧化物的原料粉體的粒徑的物質(zhì)，也是粒子尺寸越小表面能越高越容易凝聚，從而不能使燒結(jié)后的粒徑為原料粉體的粒徑。作為實(shí)現(xiàn)以上內(nèi)容的發(fā)明，添加0. 3摩爾％以上且低于I. 0摩爾％的Cr氧化物這樣的高熔點(diǎn)氧化物。另外，適度抑制燒結(jié)條件，從而抑制含有SiO2的氧化物粒子的生長。若上述Cr氧化物的添加量低于0. 3摩爾％，則SiO2的粒子凝聚，SiO2的平均粒子面積不能達(dá)到2. 0 y m2以下。結(jié)果就不能減少粉粒的產(chǎn)生。另ー方面，若Cr氧化物的添加量為I. 0摩爾％以上，則磁特性發(fā)生變化，從而難以制成具有預(yù)定特性的磁性膜。另外，添加1.0摩爾％以上后為了提高密度，需要更高溫、更長時(shí)間的燒結(jié)條件，這就加速了 SiO2燒結(jié)時(shí)的擴(kuò)散、凝聚、晶粒生長，從而不能對(duì)這些進(jìn)行抑制。
SiO2為絕緣體，但是通過添加Cr氧化物，可以將作為燒結(jié)體的導(dǎo)電性降低至電阻率 3. 5X IO16 Q cm 以下。即使在并不添加Cr氧化物的情況下，在基質(zhì)相中含有Cr時(shí)，其在燒結(jié)時(shí)也會(huì)氧化，從而有時(shí)形成約0. r約0. 2摩爾％的Cr氧化物(Cr2O3)。這意味著，可以認(rèn)為以往制造的氧化物分散型Co合金濺射靶自然地包含約0. r約0. 2摩爾％的Cr氧化物，在該情況下，SiO2的粒子粗大，且得不到與氧化物相的電阻率和介電常數(shù)有關(guān)的效果。Cr氧化物的含量為0. 3摩爾％以上的情況下才表現(xiàn)出顯著的效果。在制造本發(fā)明的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶時(shí)，作為磁性金屬，準(zhǔn)備例如平均粒徑I U m的Co粉末、平均粒徑2 ii m的Cr粉末、平均粒徑2 y m的Pt粉末、平均粒徑I U m的SiO2粉末，并用混合機(jī)將它們與Cr2O3粉末混合。在以上述的范圍添加Cr2O3粉末的情況下，優(yōu)選將Cr2O3粉末的平均粒徑設(shè)定為
0.6iim以下。另外，同樣在以上述的范圍添加SiO2的情況下，優(yōu)選將作為原料粉末的SiO2的平均粒徑設(shè)定為Ium以下。使用真空熱壓裝置成形、燒結(jié)通過上述操作得到的粉末，并切削加工成期望的形狀，由此制作本發(fā)明的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶。成形、燒結(jié)不限于熱壓，也可以使用放電等離子體燒結(jié)法、熱等靜壓燒結(jié)法。優(yōu)選燒結(jié)時(shí)的保持溫度設(shè)定為使靶充分致密化的溫度域中最低的溫度。雖然取決于靶的組成，但在多數(shù)情況下，處于900 1200で的溫度范圍內(nèi)。一粒SiO2的平均面積可以通過圖像處理顯微鏡觀察圖像求得。另外，雖然密度最好用阿基米德方法測定，但也可以由尺寸測定和重量測定來計(jì)算。使用這樣測定出的絕對(duì)密度、和假設(shè)各分子以組成比混合存在而計(jì)算出的計(jì)算密度，可以計(jì)算出相對(duì)密度。Cr氧化物的添加，可以通過在例如Co-Cr-Pt-SiO2等的各要素粉末或者構(gòu)成合金粉末的混合粉末中均勻地混合Cr2O3而得到。另外，在粉碎、混合等エ序中，通過使Cr粉、Co-Cr粉或Co-Cr-Pt粉適度地自然氧化，結(jié)果，使以金屬形式存在的Cr的一部分形成Cr氧化物，由此也可以進(jìn)行Cr氧化物的添加。實(shí)施例下面，基于實(shí)施例和比較例進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施例只不過是一例，本發(fā)明不受該例的任何限制。即，本發(fā)明僅限于權(quán)利要求書，包含本發(fā)明所包含的實(shí)施例以外種種變形。(實(shí)施例I)在實(shí)施例I中，作為原料粉末，準(zhǔn)備平均粒徑I U m的Co粉末、平均粒徑2 ii m的Cr粉末、平均粒徑I U m的SiO2粉末、平均粒徑0. 6 ii m的Cr2O3粉末。以Co粉末79. 73重量％、Cr粉末10. 60重量％、SiO2粉末I. 73重量％、Cr2O3粉末
I.94重量％的重量比分別稱量這些粉末，以使靶的組成為12. 00Cr-7. 58Si02-0 . 75Cr203-其余Co (摩爾%)。然后，將Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末與作為粉碎介質(zhì) 的氧化鋯球一起封入容量10升的球磨罐，使其旋轉(zhuǎn)20小時(shí)進(jìn)行混合。將該混合粉末填充到碳制模具中，在真空氣氛中，在溫度1150°C、保持時(shí)間90分鐘，施壓30MPa的條件下進(jìn)行熱壓，得到燒結(jié)體。再用車床切削加工燒結(jié)體，得到直徑為180mm且厚度為7mm的圓盤狀的靶。在該實(shí)施例I中得到相對(duì)密度超過99%的高密度的靶。將用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察實(shí)施例I的靶的研磨面時(shí)的組織圖像表示于圖I。如該圖I的組織圖像所示，在上述實(shí)施例I中，明顯的特征是在基質(zhì)合金相中微細(xì)分散有SiO2粒子。在圖I中，微細(xì)分散的就是SiO2粒子。另外，氧化物相的各粒子的平均面積為I. 6 ym2。將該氧化物相的各粒子的平均面積和構(gòu)成祀的成分的分析結(jié)果表不于表I。表I
權(quán)利要求
1.ー種在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其由含有Co的金屬基質(zhì)相和含有SiO2且形成粒子并分散存在的6 14摩爾％的氧化物的相(以下，稱為“氧化物相”)構(gòu)成，其特征在于，除構(gòu)成所述金屬基質(zhì)相和氧化物相的成分之外，還含有在所述氧化物相內(nèi)或其表面散布的0. 3摩爾％以上且低于I. 0摩爾％的Cr氧化物，氧化物相的各粒子的平均面積為2. Oum2以下。
2.如權(quán)利要求I所述的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其特征在于，所述金屬基質(zhì)相為単獨(dú)的Co金屬，或者為Cr為6 40摩爾％、其余包含Co的Co基合金，或者為Cr為6 40摩爾％、Pt為8 20摩爾％、其余包含Co的Co基合金。
3.如權(quán)利要求I或2所述的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其特征在于，電阻率為3. 5X IO16Q .cm以下。
4.如權(quán)利要求f3中任一項(xiàng)所述的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其特征在于，相對(duì)密度為98%以上。
5.ー種非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜，其特征在于，包含含有Co的金屬基質(zhì)相、含有6 14摩爾％的SiO2的氧化物相和0. 3摩爾％以上且低于I. 0摩爾％的Cr氧化物。
6.如權(quán)利要求5所述的非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜，其特征在干，所述金屬基質(zhì)相為單獨(dú)的Co金屬，或者為Cr為6 40摩爾％、其余包含Co的Co基合金,或者為Cr為6 40摩爾％、Pt為8 20摩爾％、其余包含Co的Co基合金。
7.如權(quán)利要求5或6所述的非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜，其特征在干，電阻率為3.5X IO16 Q cm 以下。
8.—種磁記錄介質(zhì)，其使用權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的非磁性材料粒子分散型磁性體薄膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其由含有Co的金屬基質(zhì)相、和含有SiO2且形成粒子并分散存在的6~14摩爾%的氧化物的相(以下，稱為“氧化物相”)構(gòu)成，其特征在于，除構(gòu)成所述金屬基質(zhì)相和氧化物相的成分之外，還含有在所述氧化物相內(nèi)或其表面散布的0.3摩爾%以上且低于1.0摩爾%的Cr氧化物，氧化物相的各粒子的平均面積為2.0μm2以下。本發(fā)明的課題在于提供在Co或Co合金相中分散有氧化物相的濺射靶，其可減少飛弧，用磁控濺射裝置可以得到穩(wěn)定的放電，且密度高、在濺射時(shí)產(chǎn)生的粉粒少。
文檔編號(hào)H01F10/16GK102656290SQ20108005625
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月11日
發(fā)明者中村祐一郎, 池田祐希, 荻野真一 申請(qǐng)人:吉坤日礦日石金屬株式會(huì)社