專利名稱：電涌保護(hù)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基板的電涌保護(hù)器件，所述半導(dǎo)體基板具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，基板還包括第一表面處的第一結(jié)器件，該第一結(jié)器件具有取向平行于第一表面的結(jié)。
背景技術(shù)：
電子器件損壞的常見(jiàn)原因在于電子器件暴露于電過(guò)應(yīng)力或靜電放電脈沖。為此， 包括這種電子器件的封裝通常配備一個(gè)或多個(gè)保護(hù)電子器件不暴露于這種脈沖下的電涌保護(hù)器件。這樣的電涌保護(hù)器件必須能夠消耗電力供應(yīng)中的全尖峰，但是不能干擾電子器件的正常運(yùn)行。例如，對(duì)于包括數(shù)據(jù)線的電子器件而言，重要的是電涌保護(hù)器件具有盡可能小的電容，以確保實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線上足夠的數(shù)據(jù)傳輸速率。典型地，電涌保護(hù)器件必須能夠處理具有延長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間的電力供應(yīng)中的電涌。 目前存在若干標(biāo)準(zhǔn)，在脈沖持續(xù)時(shí)間方面規(guī)定了要求的電涌保護(hù)器件的行為。例如，IEC 61000-4-5和IEC 61643-321標(biāo)準(zhǔn)分別規(guī)定電涌保護(hù)器件必須能夠處理數(shù)據(jù)或電力線上所謂的8/20和10/1000脈沖。為了實(shí)現(xiàn)所要求的行為，電涌保護(hù)器件典型地在出現(xiàn)這種脈沖期間將數(shù)據(jù)線或電力線短接至地。理想地，除了在上述低電容之外，電涌保護(hù)器件還能夠在低筘位電壓下處理大電流。分立的ESD保護(hù)器件典型地包括一個(gè)或多個(gè)p-n結(jié)器件，例如注入(即，擴(kuò)散)到表面中以提供半導(dǎo)體器件封裝的正引線框與負(fù)引線框之間的低歐姆連接的二極管。這樣 P-n結(jié)器件可以串聯(lián)以降低保護(hù)器件的電容。可以考慮不同類型的結(jié)器件。例如，單向電涌保護(hù)器件傾向于利用肖特基二極管或p-n結(jié)二極管。電涌保護(hù)器件的魯棒性典型地隨著二極管的有源區(qū)而改變，而熱傳導(dǎo)率可以通過(guò)在電涌保護(hù)器件的表面上放置金屬夾來(lái)提高。通過(guò)使用金屬或焊料來(lái)建立導(dǎo)電連接的，將電涌保護(hù)器件的背面典型地安裝在引線框之一上。典型地，通過(guò)使用以具有橫向位移的方式在分立的基板上或注入到單個(gè)基板的表面中的多個(gè)結(jié)器件，來(lái)實(shí)現(xiàn)引線框之間電涌保護(hù)的雙向性。還使用了基板的堆疊。具體實(shí)現(xiàn)方式可以取決于保護(hù)所針對(duì)的電涌脈沖的類型。圖1示出了對(duì)抗8/20脈沖的現(xiàn)有技術(shù)布置，該布置具有安裝在引線框120上的兩個(gè)電涌保護(hù)器件100，電涌保護(hù)器件100經(jīng)由相應(yīng)的接合線連接110連接至另一引線框 130、140。每個(gè)電涌保護(hù)器件包括連接至接合線110的具有η型雜質(zhì)102的ρ型硅基板。這樣的布置可以用于保護(hù)免受8/20脈沖。如圖1中所見(jiàn)，具有較小η型雜質(zhì)區(qū)102的電涌保護(hù)器件100用作正向偏置的小二極管。其主要作用在于降低總電涌保護(hù)結(jié)構(gòu)的電容。具有較大η型雜質(zhì)區(qū)102(即，具有較大二極管)的電涌保護(hù)器件100是反向偏置的，并且可以經(jīng)受電涌脈沖的能量。圖2示出了另一現(xiàn)有技術(shù)布置，在該布置中兩個(gè)電涌保護(hù)器件100堆疊在引線框120的上面，頂部基板通過(guò)接合線110連接至另一引線框130。每個(gè)電涌保護(hù)器件包括金屬連接112、由傳導(dǎo)類型相反的各個(gè)注入?yún)^(qū)102和104形成的p-n結(jié)，其中電涌保護(hù)器件100 通過(guò)導(dǎo)電夾層114彼此分開(kāi)。對(duì)于許多應(yīng)用而言，需要較大和/或多個(gè)電涌保護(hù)器件來(lái)提供令人滿意的電涌保護(hù)，以確保電涌保護(hù)器件可以消耗ESD或電過(guò)應(yīng)力事件期間產(chǎn)生的全電流。這成本較高，并且要求需要電涌保護(hù)的裝置的較大面積專用于這樣的電涌保護(hù)器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明尋求提供一種針對(duì)電流電涌具有改善的魯棒性的電涌保護(hù)器件。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的電涌保護(hù)器件。在半導(dǎo)體基板的相對(duì)表面上提供結(jié)器件，改善基板每單位尺寸的電涌魯棒性，其中在暴露于電涌脈沖下時(shí)半導(dǎo)體基板的相對(duì)表面各自產(chǎn)生電場(chǎng)的實(shí)質(zhì)部分。與現(xiàn)有技術(shù)電涌保護(hù)器件相比，這轉(zhuǎn)換成基板吸收較大電流電涌的能力，因此減小了所需的電涌保護(hù)器件面積和/或所需的電涌保護(hù)器件的數(shù)目。此外，這確保了器件在相應(yīng)結(jié)周圍包括兩個(gè)不同的熱點(diǎn)，因此降低了在暴露于電涌脈沖下時(shí)局部加熱引起器件損壞的風(fēng)險(xiǎn)。適合的結(jié)器件包括p-n結(jié)二極管、肖特基二極管、晶體管、晶閘管及其組合。術(shù)語(yǔ)結(jié)器件旨在包括所有半導(dǎo)體器件，其中至少一個(gè)結(jié)表現(xiàn)為器件的(半)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的 (勢(shì))壘。本發(fā)明的電涌保護(hù)器件的相對(duì)表面上的相應(yīng)結(jié)器件可以具有相同類型或者可以是不同類型的結(jié)器件。適合的半導(dǎo)體基板材料包括但不限于硅基板。在本發(fā)明的上下文中，優(yōu)選地，半導(dǎo)體基板是晶體材料，盡管也可以使用非晶體材料。優(yōu)選地，第一和第二結(jié)器件被設(shè)計(jì)為，使得在電涌保護(hù)器件暴露于電涌脈沖下時(shí)， 所述結(jié)器件產(chǎn)生在第一表面與第二表面之間分布的電場(chǎng)。優(yōu)選地，結(jié)器件被布置為，使得每個(gè)器件產(chǎn)生總電場(chǎng)的大約一半。這具有的優(yōu)點(diǎn)在于，穿過(guò)半導(dǎo)體基板的熱分布在基板的大體積上實(shí)質(zhì)上均勻分布，因此進(jìn)一步提高了每單位基板尺寸的電涌魯棒性。為了改善從半導(dǎo)體基板的散熱，第一表面和第二表面中的至少一個(gè)可以承載至對(duì)應(yīng)結(jié)器件的金屬連接，其中，所述金屬具有超過(guò)預(yù)定閾值的熱傳導(dǎo)率。這例如可以是焊接到半導(dǎo)體基板上的金屬結(jié)構(gòu)，可以將其與金屬夾接觸，以進(jìn)一步提高熱傳導(dǎo)率。在實(shí)施例中，電涌保護(hù)器件還包括在第一表面處的另一第一結(jié)器件，具有取向平行于第一表面的結(jié)，所述另一第一結(jié)器件相對(duì)于第一結(jié)器件具有橫向位移；以及在第二表面處的另一第二結(jié)器件，具有取向平行于第二表面的結(jié)，所述另一第二結(jié)器件相對(duì)于第二結(jié)器件具有橫向位移。在半導(dǎo)體基板的相對(duì)表面上提高多對(duì)結(jié)器件，這進(jìn)一步提高了電涌保護(hù)器件對(duì)抗電流電涌的魯棒性，并因此促進(jìn)了進(jìn)一步減小要求電涌保護(hù)的裝置中電涌保護(hù)器件所需的面積。本發(fā)明的電涌保護(hù)器件可以集成在需要電涌保護(hù)的裝置中。在實(shí)施例中，裝置包括第一引線框和第二引線框，其中，電涌保護(hù)器件的第二表面安裝在第二引線框上，使得第二結(jié)器件直接連接至第二引線框，并且其中第一結(jié)器件通過(guò)接合線電連接至第一引線框。 因此，提供了一種包括兩個(gè)結(jié)器件但是僅需要單個(gè)接合線的電涌保護(hù)布置。裝置包括多于兩個(gè)的引線框。例如，在存在第三引線框的情況下，電涌保護(hù)器件還
5可以包括相對(duì)于第一結(jié)器件具有橫向位移的另一第一結(jié)器件，所述另一第一結(jié)器件通過(guò)另一接合線電連接至第三引線框。備選地，電涌保護(hù)器件還可以包括相對(duì)于第二結(jié)器件具有橫向位移的另一第二結(jié)器件，所述另一第二結(jié)器件直接連接至第三引線框。這些布置提供比現(xiàn)有技術(shù)解決方案更緊湊的電涌保護(hù)，現(xiàn)有技術(shù)解決方案中必須使用多個(gè)基板來(lái)實(shí)現(xiàn)相同級(jí)別的電涌保護(hù)。


參照附圖，通過(guò)非限制示例更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中圖1和2示意性示出了現(xiàn)有技術(shù)電涌保護(hù)布置；圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電涌保護(hù)器件的非限制示例；圖4示出了沿著圖3中線A-A’的摻雜曲線圖；圖5和6示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電涌保護(hù)器件的另一非限制示例；圖7示出了現(xiàn)有技術(shù)電涌保護(hù)器件與根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電涌保護(hù)器件的摻雜曲線圖和關(guān)聯(lián)的熱行為的比較；圖8和9示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電涌保護(hù)器件的又一非限制示例；圖10示出了沿著圖9中線A-A’的摻雜剖視圖；以及圖11-13示意性示出了集成到裝置中本發(fā)明電涌保護(hù)器件的示例。
具體實(shí)施例方式應(yīng)當(dāng)理解附圖僅是示意性的，并非按比例繪制。還應(yīng)當(dāng)理解，貫穿附圖使用相同的附圖標(biāo)記以指示相同或類似的部件。為了簡(jiǎn)要起見(jiàn)，現(xiàn)在使用硅作為適合的半導(dǎo)體基板材料的非限制示例來(lái)更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，應(yīng)當(dāng)理解所提出的解決方案對(duì)于任何半導(dǎo)體材料是有效的。電涌保護(hù)器件失靈的常見(jiàn)原因包括暴露于電流電涌下時(shí)半導(dǎo)體基板的局部過(guò)熱或者半導(dǎo)體基板上金屬觸點(diǎn)的劣化。這大多數(shù)由流向電涌保護(hù)器件的有源區(qū)的相對(duì)較小區(qū)域的電流的突然受限所引起。這種現(xiàn)象通常被稱作二次擊穿(breakdown)。引起的熱使硅直接在p-n結(jié)處或在p-n結(jié)附近熔化，或者使金屬觸點(diǎn)劣化。這在來(lái)自觸點(diǎn)的金屬將結(jié)短接時(shí)導(dǎo)致泄漏電流或者甚至歐姆行為。局部熱產(chǎn)生可以通過(guò)電場(chǎng)與電流密度的矢量積孟· 來(lái)描述。這引起熱擴(kuò)散到周圍材料中。(電流)脈沖類型，或更具體地，電流脈沖的持續(xù)時(shí)間，確定熱擴(kuò)散的幅度。脈沖越長(zhǎng)，熱擴(kuò)散變得越重要(廣泛)。典型地，在阻擋模式下在P-n結(jié)處總電場(chǎng)強(qiáng)度的較大比率降低。這樣的P-n結(jié)可以是p-n結(jié)二極管的一部分，或者可以是其他適合的結(jié)器件(例如， 晶體管或晶閘管)的一部分。在下文中，產(chǎn)生熱的區(qū)域被稱作“熱點(diǎn)”?？梢酝ㄟ^(guò)避免局部過(guò)熱來(lái)提高電涌保護(hù)器件的魯棒性。兩個(gè)主要原理可用于實(shí)現(xiàn)上述。首先，產(chǎn)生的熱應(yīng)當(dāng)盡可能高效地被傳導(dǎo)，其次熱產(chǎn)生本身必須分散在盡可能大的體積上。體積必須有多大取決于脈沖的長(zhǎng)度或持續(xù)時(shí)間，即，在一個(gè)脈沖期間熱可以擴(kuò)散的距離。脈沖本身的特性也對(duì)上述有影響。對(duì)于ESD脈沖而言，p-n結(jié)周圍的電場(chǎng)的形狀也具有影響，因?yàn)闊釘U(kuò)散長(zhǎng)度具有電場(chǎng)分布的量級(jí)。對(duì)于10/1000脈沖，熱擴(kuò)散長(zhǎng)度遠(yuǎn)大于p-n 結(jié)的耗盡區(qū)，使得在這種情況下，電場(chǎng)分布可以忽略。
在后一種情況下，優(yōu)選地創(chuàng)建以最大可能程度彼此分開(kāi)的至少兩個(gè)不同的熱點(diǎn)。 本發(fā)明已經(jīng)至少部分基于如下認(rèn)識(shí)對(duì)于具有優(yōu)化的有源區(qū)的給定半導(dǎo)體基板以及垂直電流流動(dòng)，當(dāng)熱點(diǎn)置于基板的相對(duì)表面處(即，在正面和背面處，而不是不同的基板上，也不是在具有更大覆蓋區(qū)域(footprint)的單個(gè)基板的相同表面上)時(shí)，可以獲得足夠的電涌保護(hù)行為。因此，以減小的成本獲得了高效的電涌保護(hù)，這是因?yàn)樾枰^少的基板體積?？梢酝ㄟ^(guò)向半導(dǎo)體基板的表面上的熱點(diǎn)提供相應(yīng)的金屬觸點(diǎn)來(lái)促進(jìn)從這些熱點(diǎn)高效地傳導(dǎo)熱。具有足夠高熱傳導(dǎo)率的金屬的非限制示例是銅及其合金。在下文中，僅作為非限制示例描述根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)電涌保護(hù)器件。應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體基板的相對(duì)表面各自可以包含任何類型和任何數(shù)目的結(jié)器件，只要每個(gè)表面包括至少一個(gè)這樣的結(jié)器件即可。根據(jù)電涌保護(hù)器件的所需功能行為，例如單向、雙向等，可以在相對(duì)表面上提供相同或不同類型的結(jié)器件。在結(jié)器件是p-n結(jié)器件的情況下，電涌保護(hù)器件可以通過(guò)擴(kuò)散到第一表面的傳導(dǎo)類型相反的第一和第二雜質(zhì)區(qū)(即，P型雜質(zhì)和η型雜質(zhì))來(lái)實(shí)現(xiàn)。第一區(qū)可以嵌入在第二區(qū)中，反之第二區(qū)可以嵌入在第一區(qū)中。相對(duì)表面處的結(jié)器件通過(guò)半導(dǎo)體基板的體塊而彼此垂直地分開(kāi)，其中在有利的實(shí)施例中，體塊的厚度是任何擴(kuò)散區(qū)的厚度的至少兩倍，優(yōu)選地至少五倍。體塊材料可以是η型或P型材料。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的單向電涌保護(hù)器件200的示例，其中雙極晶體管和P-n 二極管用作結(jié)器件。雙極晶體管具有嵌入在基極204中的發(fā)射極202，其中雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)212和214形成p-n 二極管。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板的體塊210是η型材料，雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)202和212也是η型，雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)204和214是ρ型。體塊210用作雙極晶體管的集電極。明顯地，選擇這些區(qū)域具有相反傳導(dǎo)類型的備選實(shí)施例同樣是可行的。在圖3中，可以通過(guò)形成η型外延層216并在該層中注入高濃度的η型雜質(zhì)，來(lái)形成η摻雜雜質(zhì)區(qū)212。然而，應(yīng)當(dāng)指出電涌保護(hù)器件200中的擴(kuò)散區(qū)可以以任何適合的方式來(lái)形成。由于半導(dǎo)體基板中擴(kuò)散區(qū)(例如硅管芯)的形成是本領(lǐng)域技術(shù)人員慣用技術(shù)，因此僅出于簡(jiǎn)要的原因不進(jìn)一步說(shuō)明這種擴(kuò)散區(qū)的形成?？梢允褂萌魏芜m合的η型和ρ型雜質(zhì)。提供金屬觸點(diǎn)220和230(例如，銅觸點(diǎn))，以促進(jìn)于從結(jié)器件所限定的熱點(diǎn)傳導(dǎo)熱。此外，上部觸點(diǎn)220可以通過(guò)例如焊料連接至接合線(未示出)，以用于連接引線框(未示出)。下部觸點(diǎn)230可以通過(guò)例如焊料直接安裝到另一引線框(未示出)上。這將在后續(xù)更詳細(xì)說(shuō)明。圖4示出了沿著橫截面A-A’圖3的電涌保護(hù)器件200的摻雜曲線圖。在該實(shí)施例中，選擇摻雜曲線，使得二極管的擊穿電壓以及開(kāi)路基極晶體管擊穿電壓BVCEO是近似 10V，使得電場(chǎng)的一半落在基板上表面附近，并且余下的電場(chǎng)落在另一表面處，以在整個(gè)基板獲得均勻的熱分布，如前所述。上述在圖5中更詳細(xì)地示出，在圖5中，針對(duì)具有兩個(gè)硅基板(各自在上表面具有單個(gè)p-n結(jié)結(jié)構(gòu))的現(xiàn)有技術(shù)單向器件(圖a)和圖3的單向器件(圖b)，沿著線A-A’示出了響應(yīng)于暴露于10/1000脈沖下的摻雜曲線(線10)和仿真的溫度曲線(線20)。顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明的單向電涌保護(hù)器件在暴露于10/1000脈沖下時(shí)表現(xiàn)出均勻得多的溫度分布，因此極大降低了硅基板局部過(guò)熱的風(fēng)險(xiǎn)。
應(yīng)當(dāng)指出為了清楚起見(jiàn)，與本發(fā)明的電涌保護(hù)器件相比，圖5中現(xiàn)有技術(shù)器件的溫度曲線是暴露于弱得多的電涌脈沖的結(jié)果。在表I中總結(jié)了施加的電涌脈沖的強(qiáng)度。還應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明的電涌保護(hù)器件暴露于與用于現(xiàn)有技術(shù)器件的相同強(qiáng)度電涌脈沖下，與現(xiàn)有技術(shù)電涌保護(hù)器件相比，這導(dǎo)致在實(shí)質(zhì)上較低的最高溫度下在整個(gè)半導(dǎo)體基板上產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上均質(zhì)的溫度曲線。在表I中總結(jié)了其他仿真結(jié)果。表 I
權(quán)利要求
1.一種電涌保護(hù)器件000)，包括第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基板010)，所述半導(dǎo)體基板具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述基板還包括第一表面處的第一結(jié)器件和第二表面處的第二結(jié)器件，其中第一結(jié)與第二結(jié)由半導(dǎo)體基板的體塊分離開(kāi)，其中第一結(jié)器件和第二結(jié)器件被布置為，使得在暴露于電涌脈沖下時(shí)第一和第二結(jié)器件產(chǎn)生在半導(dǎo)體基板的第一表面與第二表面之間延伸的電場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電涌保護(hù)器件，其中，每個(gè)結(jié)器件被布置為產(chǎn)生所述電場(chǎng)的近似一半電場(chǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電涌保護(hù)器件000)，其中，第一結(jié)器件的結(jié)包括擴(kuò)散到第一表面中的傳導(dǎo)類型相反的第一雜質(zhì)區(qū)(20 和第二雜質(zhì)區(qū)004)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的電涌保護(hù)器件O00)，其中，第二結(jié)器件的結(jié)包括擴(kuò)散到第二表面中的傳導(dǎo)類型相反的第三雜質(zhì)區(qū)(212)和第四雜質(zhì)區(qū)014)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電涌保護(hù)器件000)，其中，第二雜質(zhì)區(qū)(204)和第四雜質(zhì)區(qū) (214)由半導(dǎo)體基板OlO)的體塊分離開(kāi)，第二和第四雜質(zhì)區(qū)具有與第一傳導(dǎo)類型相反的傳導(dǎo)類型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電涌保護(hù)器件000)，其中，第一結(jié)器件和第二結(jié)器件中的至少一個(gè)包括肖特基二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電涌保護(hù)器件O00)，其中，第一結(jié)器件包括雙極晶體管，第一雜質(zhì)區(qū)(20 限定了所述雙極晶體管的發(fā)射極，第二雜質(zhì)區(qū)(204)限定了所述雙極晶體管的基極，所述電涌保護(hù)器件還包括擴(kuò)散到第一表面中的體塊觸點(diǎn)006)，所述體塊觸點(diǎn)通過(guò)半導(dǎo)體基板OlO)的體塊的一部分與雙極晶體管的基極分離開(kāi)；以及第一表面處的金屬部分025)，將所述體塊觸點(diǎn)與所述基極連接。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電涌保護(hù)器件000)，其中，半導(dǎo)體基板(210)是娃基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電涌保護(hù)器件000)，其中，第一表面和第二表面中的至少一個(gè)承載至相應(yīng)結(jié)器件的金屬連接O20、230)，其中所述金屬具有超過(guò)預(yù)定閾值的熱傳導(dǎo)率。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電涌保護(hù)器件000)，還包括在第一表面處的另一第一結(jié)器件，具有取向與第一表面平行的結(jié)，所述另一第一結(jié)器件相對(duì)于第一結(jié)器件具有橫向位移；以及在第二表面處的另一第二結(jié)器件，具有取向與第二表面平行的結(jié)，所述另一第二結(jié)器件相對(duì)于第二結(jié)器件具有橫向位移，所述另一第一結(jié)器件與另一第二結(jié)器件由半導(dǎo)體基板的體塊分離開(kāi)。
11.一種包括權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的電涌保護(hù)器件Ο00)的裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，還包括第一引線框(130)和第二引線框(120)，其中，電涌保護(hù)器件Ο00)的第二表面安裝在第二引線框上，使得第二結(jié)器件直接連接至第二引線框，其中，第一結(jié)器件通過(guò)接合線(110)電連接至第一引線框。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，還包括第三引線框(140)，其中電涌保護(hù)器件還包括相對(duì)于第一結(jié)器件具有橫向位移的另一第一結(jié)器件，所述另一第一結(jié)器件通過(guò)另一接合線(110)電連接至第三引線框。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，還包括第三引線框(140)，其中電涌保護(hù)器件還包括相對(duì)于第二結(jié)器件具有橫向位移的另一第二結(jié)器件，所述另一第二結(jié)器件直接連接至第三引線框。
全文摘要
公開(kāi)了一種電涌保護(hù)器件(200)，包括第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基板(210)，所述半導(dǎo)體基板具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述基板還包括第一表面處的第一結(jié)器件和第二表面處的第二結(jié)器件，所述第一結(jié)器件具有取向平行于第一表面的結(jié)，所述第二結(jié)器件具有取向平行于第二表面的結(jié)，所述第一結(jié)器件和第二結(jié)器件彼此面對(duì)，其中第一結(jié)和第二結(jié)通過(guò)半導(dǎo)體基板的體塊分離開(kāi)。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102576740SQ201080047531
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月22日
發(fā)明者斯蒂芬·霍蘭德 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司