專(zhuān)利名稱(chēng)：具有增強(qiáng)的存儲(chǔ)器單元隔離的存儲(chǔ)器裝置，包括所述存儲(chǔ)器裝置的系統(tǒng)及形成所述存儲(chǔ) ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及供在非易失性存儲(chǔ)器裝置(舉例來(lái)說(shuō)，包含電阻存儲(chǔ)器裝置及相變存儲(chǔ)器裝置)中使用具有增強(qiáng)的存儲(chǔ)器單元隔離的存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)及形成所述存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)的方法、通過(guò)此些方法形成的存儲(chǔ)器裝置及包括此些存儲(chǔ)器裝置的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
各種類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器裝置采用可被致使選擇性地展現(xiàn)一個(gè)以上穩(wěn)定電阻率值的材料。為形成單個(gè)存儲(chǔ)器單元(即，一個(gè)位)，可在兩個(gè)電極之間提供一定體積的此材料。可在電極之間施加選定電壓(或電流)，且其之間的所得電流(或電壓)將至少部分地取決于由電極之間的材料所展現(xiàn)的特定電阻率值。相對(duì)較高電阻率可用于表示二進(jìn)制碼中的“ 1 ”，且相對(duì)低電阻率可用于表示二進(jìn)制碼中的“0 ”，或反之亦然。通過(guò)選擇性地致使電極之間的材料展現(xiàn)相對(duì)高及低的電阻率值，可選擇性地將存儲(chǔ)器單元表征為展現(xiàn)1或 0值。此些非易失性存儲(chǔ)器裝置的一種特定類(lèi)型是相變存儲(chǔ)器裝置。在相變存儲(chǔ)器單元中，提供于電極之間的材料能夠展現(xiàn)至少兩個(gè)微結(jié)構(gòu)相或狀態(tài)，其中每一者展現(xiàn)不同的電阻率值。舉例來(lái)說(shuō)，所謂的“相變材料”可能夠以晶體相(即，材料的原子展現(xiàn)相對(duì)長(zhǎng)程有序)及非晶相(即，材料的原子不展現(xiàn)任何長(zhǎng)程有序或展現(xiàn)相對(duì)小的長(zhǎng)程有序)存在。通常，通過(guò)將相變材料的至少一部分加熱到高于其熔點(diǎn)的溫度且然后快速冷卻相變材料以致使材料在其原子可呈現(xiàn)任何長(zhǎng)程有序之前凝固來(lái)形成非晶相。為將相變材料從非晶相變換為晶體相，通常將相變材料加熱到低于熔點(diǎn)但高于結(jié)晶溫度的升高溫度達(dá)足以允許材料的原子呈現(xiàn)與晶體相相關(guān)聯(lián)的相對(duì)長(zhǎng)程有序的時(shí)間。舉例來(lái)說(shuō)，Ge2Sb2Te5 (經(jīng)常稱(chēng)作“GST”) 經(jīng)常用作相變材料。此材料具有約600°C的熔點(diǎn)，且能夠以非晶態(tài)及晶體態(tài)存在。為形成非晶(高電阻率)相，通過(guò)施加相對(duì)高電流穿過(guò)電極之間的材料達(dá)僅10毫微秒到100毫微秒來(lái)將材料的至少一部分加熱到高于其熔點(diǎn)的溫度(熱是由于相變材料的電阻而產(chǎn)生)。 由于GST材料在電流被中斷時(shí)快速冷卻，因此GST的原子不具有形成有序晶體態(tài)的充足時(shí)間，且形成GST材料的非晶相。為形成晶體(低電阻率)相，可通過(guò)施加相對(duì)較低電流穿過(guò)電極之間的GST材料達(dá)允許GST材料的原子呈現(xiàn)與晶體相相關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)程有序的充足時(shí)間量 (例如，僅約30毫微秒)來(lái)將材料的至少一部分加熱到高于GST材料的結(jié)晶溫度且接近但低于其熔點(diǎn)的高于400°C的溫度，此后可中斷流動(dòng)穿過(guò)材料的電流。通過(guò)相變材料以造成其中的相變的電流可稱(chēng)作“編程電流”。此項(xiàng)技術(shù)中已知具有包含可變電阻材料的存儲(chǔ)器單元的各種存儲(chǔ)器裝置以及用于形成此些存儲(chǔ)器裝置及使用此些存儲(chǔ)器裝置的方法。舉例來(lái)說(shuō)，包含可變電阻材料的存儲(chǔ)器單元及形成此些存儲(chǔ)器單元的方法揭示于頒發(fā)給多恩(Doan)等人的第6，150，253號(hào)美國(guó)專(zhuān)利、第6，四4，452號(hào)美國(guó)專(zhuān)利、頒發(fā)給費(fèi)爾凱(Furkay)等人的第7，057，923號(hào)美國(guó)專(zhuān)利、頒發(fā)給賽歐Geo)等人的第7，518，007號(hào)美國(guó)專(zhuān)利、頒發(fā)給拉姆(Lam)等人的第 2006/0034116A1號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案及頒發(fā)給蘇(Suh)等人的第2006/0151186A1號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案。此外，可用于形成包含具有可變電阻材料的存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器裝置的支持電路以及操作此些存儲(chǔ)器裝置的方法揭示于(舉例來(lái)說(shuō))頒發(fā)給秋(Cho)等人的第 6，885，602號(hào)美國(guó)專(zhuān)利、頒發(fā)給克里(Khouri)等人的第7，050, 128號(hào)美國(guó)專(zhuān)利及頒發(fā)給李 (Lee)的第7，130，214號(hào)美國(guó)專(zhuān)利。

發(fā)明內(nèi)容


盡管說(shuō)明書(shū)以特定指出且明確主張被認(rèn)為是本發(fā)明的實(shí)施例的內(nèi)容的權(quán)利要求書(shū)進(jìn)行總結(jié)，但當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)可從對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的描述更容易地?cái)喽ù税l(fā)明的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)，附圖中圖1是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置的實(shí)施例的一部分的示意橫截面圖，其圖解說(shuō)明其中的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元；圖2是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置的另一實(shí)施例的一部分的示意橫截面圖，其圖解說(shuō)明其中的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元；圖3是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置的又一實(shí)施例的一部分的示意橫截面圖，其圖解說(shuō)明其中的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元；圖4是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置的又一實(shí)施例的一部分的示意橫截面圖，其圖解說(shuō)明其中的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元；圖5A是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置的又一實(shí)施例的一部分的示意橫截面圖；圖5B是圖5A中所展示存儲(chǔ)器裝置的所述部分沿其中的剖面線5B-5B截取的示意橫截面圖；圖6是包括懸垂接觸形成件的本發(fā)明存儲(chǔ)器裝置的實(shí)施例的示意橫截面圖，其圖解說(shuō)明其中的四個(gè)存儲(chǔ)器單元；圖7A及7B是工件的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明可用于形成像圖1中所展示存儲(chǔ)器裝置的本發(fā)明方法的實(shí)施例；圖8A及8B是工件的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明可用于形成像圖2中所展示存儲(chǔ)器裝置的本發(fā)明方法的另一實(shí)施例；圖9A及9B是工件的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明可用于形成像圖3中所展示存儲(chǔ)器裝置的本發(fā)明方法的又一實(shí)施例；圖IOA及IOB是工件的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明可用于形成像圖4中所展示存儲(chǔ)器裝置的本發(fā)明方法的又一實(shí)施例；
圖IlA到IlD是工件的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明可用于形成像圖5A及5B中所展示存儲(chǔ)器裝置的本發(fā)明方法的又一實(shí)施例；圖12是圖解說(shuō)明包括像圖1到6中所展示存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器裝置的本發(fā)明電子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的示意框圖。
具體實(shí)施例方式本文中所呈現(xiàn)圖解說(shuō)明并非意指任一特定存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器單元、工件或系統(tǒng)的實(shí)際視圖，而僅僅是用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的理想化表示。另外，各圖之間的共同元件可保持相同數(shù)字標(biāo)號(hào)。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“可變電阻材料”意指能夠展現(xiàn)一個(gè)以上穩(wěn)定電阻率(且因此導(dǎo)電率)值的任一材料?？勺冸娮璨牧峡砂?舉例來(lái)說(shuō))相變材料(例如，硫族化物， 例如 Gii2Sb2Tiv Te81Ge15Sb2S2 及 StD2I^3)；巨磁電阻膜(例如，Pr(1_x)CaxMnO3(PCMO)、La(1_x)) CaxMnO3(LCMO)及Baα_χ)SrxTiO3)；氧化物材料(例如，經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的二元或三元氧化物，例如 A1203、BaTi03、SrTiO3> Nb2O5, SrZr03> Ti02、Ta205、NiO、ZrOx, HfOx 及 Cu2O)，其可具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)；及具有通式AJy的材料，其中B選自硫(S)、硒(Se)及碲(Te)及其混合物，且其中 A 包括來(lái)自 III-B 族(B、Al、Ga、In、Tl)、IV-B 族(C、Si、Ge、Sn、Pb)、V-B 族(N、P、As、 Sb, Bi)或VII-B族(F、Cl、Br、I、At)的至少一種元素，其中一種或一種以上摻雜劑選自貴金屬及過(guò)渡金屬元素，例如Au、Ag、Pt、Cu、Cd、In、Ru、Co、Cr、Ni、Mn及Mo。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“遠(yuǎn)端”及“近端”描述存儲(chǔ)器裝置的元件相對(duì)于存儲(chǔ)器裝置形成于其上的襯底的位置。舉例來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“遠(yuǎn)端”是指距襯底相對(duì)較遠(yuǎn)的位置，且術(shù)語(yǔ)“近端”是指相對(duì)更接近于襯底的位置。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“III-V型半導(dǎo)體材料”意指主要由來(lái)自周期表的IIIB族的一種或一種以上元素(B、Al、GaJn及Ti)及來(lái)自周期表的VB族的一種或一種以上元素 (N、P、As、釙及Bi)構(gòu)成的任一半導(dǎo)體材料。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“II-VI型半導(dǎo)體材料”意指主要由來(lái)自周期表的IIB族的一種或一種以上元素(Zn、Cd及Hg)及來(lái)自周期表的VIB族的一種或一種以上元素(0、S、 Se、Te及Po)構(gòu)成的任一半導(dǎo)體材料。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“晶片”意指包括半導(dǎo)體材料的任一大體平面結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體材料例如硅、鍺、砷化鎵、磷化銦及其它III-V或II-VI型半導(dǎo)體材料。晶片不僅包括 (舉例來(lái)說(shuō))常規(guī)晶片而且包括其它體半導(dǎo)體襯底，例如(以非限制性舉例的方式)絕緣體上硅(SOI)型襯底、藍(lán)寶石上硅(S0Q型襯底及由基底材料層支撐的硅外延層。半導(dǎo)體型材料可經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜。此外，當(dāng)在以下描述中提及“晶片”時(shí)，可能已利用先前工藝步驟在晶片的表面中或上方至少部分地形成電路或裝置的元件或組件。圖1是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置100的實(shí)施例的一部分的示意橫截面圖。存儲(chǔ)器裝置 100可包括包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元(例如，第一存儲(chǔ)器單元102及第二存儲(chǔ)器單元104)的集成電路。可將存儲(chǔ)器單元102、104在襯底上或其中布置成陣列。舉例來(lái)說(shuō)，可將存儲(chǔ)器單元102、104布置成多個(gè)行及列。所述襯底可包含(舉例來(lái)說(shuō))例如玻璃或藍(lán)寶石等材料， 或襯底可包含整個(gè)或部分晶片，此可促進(jìn)使用常規(guī)半導(dǎo)體制作工藝的處理。在一些實(shí)施例中，襯底可包含電介質(zhì)材料118。通過(guò)舉例而非限制的方式，本文中所論述的電介質(zhì)材料可包含氧化物材料(例如，SiO2, Al2O3等)、氮化物材料(例如，Si3N4, AlN等)或氧化物與氮化物材料的組合，例如氮氧化物材料、再氧化氮氧化物材料或所謂的“氧化物-氮化物-氧化物”(ONO)結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器單元102、104可具有從存儲(chǔ)器單元102、104的近端延伸到存儲(chǔ)器單元102、104的遠(yuǎn)端的縱向軸。如圖1中所展示，存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者可進(jìn)一步包括第一電極106、第二電極108及安置于第一電極106與第二電極108之間的一定體積的可變電阻材料110。 在一些實(shí)施例中，可變電阻材料110可包含相變材料。舉例來(lái)說(shuō)，可變電阻材料110可包含相變材料，例如硫族化物材料。典型的硫族化物材料為主要包含碲(Te)、鍺(Ge)及銻(Sb) 的合金，且包括(舉例來(lái)說(shuō))Ge2Sb2Te^Te81Ge15Sbj2及Sb2Te3。硫族化物材料可由化學(xué)通式 TeaGebSb100_(a+b)表征，其中a小于約八十五(85)且b大于約八⑶。在額外實(shí)施例中，可變電阻材料110可包含本文中先前提及的其它可變電阻材料中的任一者。在一些實(shí)施例中，電極106、108可包含例如W、Ni、氮化鉭(TaN)、Pt、氮化鎢(WN)、 Au、氮化鈦(TiN)、氮化鈦鋁(TiAlN)或氮化鉭硅(TaSiN)等材料。存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第一電極106可安置于另一導(dǎo)電材料120上方且與所述導(dǎo)電材料電連通。導(dǎo)電材料120可部分地安置于電介質(zhì)材料118中且可與導(dǎo)電線、額外存儲(chǔ)器單元等電連通。導(dǎo)電材料120也可包含例如W、Ni、氮化鉭(TaN)、Pt、氮化鎢 (WN)、Au、氮化鈦(TiN)或氮化鈦鋁(TiAlN)及其它材料等材料。第一電極106可從導(dǎo)電材料120延伸到所述體積的可變電阻材料110。在一些實(shí)施例中，第一電極106可通過(guò)另一電介質(zhì)材料114區(qū)與周?chē)Y(jié)構(gòu)電隔離。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第一電極106可實(shí)質(zhì)上類(lèi)似于導(dǎo)電材料120且可包含一定體積的離散、橫向隔離的導(dǎo)電材料，例如金屬。第二電極108可安置于所述體積的可變電阻材料110上方且與所述體積的可變電阻材料電連通。每一存儲(chǔ)器單元102、104的第二電極108可實(shí)質(zhì)上類(lèi)似于導(dǎo)電材料120且可包含一定體積的離散、橫向隔離的導(dǎo)電材料，例如金屬。在一些實(shí)施例中，第二電極108 可僅包含伸長(zhǎng)的橫向延伸導(dǎo)電跡線的區(qū)域或區(qū)。在一些實(shí)施例中，第二電極108可包含在兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲(chǔ)器單元102、104之間延伸的離散結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第一電極106 可包含納米線。此些包括納米線的存儲(chǔ)器單元揭示于(舉例來(lái)說(shuō))頒發(fā)給劉(Liu)等人的第2008/0Μ72^Α1號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案中。如下文參照?qǐng)D6所論述，在一些實(shí)施例中，每一第二電極108均可通過(guò)電觸點(diǎn)621 與導(dǎo)電線(未展示)電連通，且每一第一電極106也均可通過(guò)導(dǎo)電材料120與另一導(dǎo)電線 (未展示)電連通。在額外實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第二電極108可僅包含導(dǎo)電線的區(qū)或部分，且存儲(chǔ)器單元102、104不需要包括單獨(dú)導(dǎo)電線及電觸點(diǎn)621。盡管未在圖1中展示，但存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者還可包括存取晶體管，以用于針對(duì)讀取及寫(xiě)入操作選擇性地存取存儲(chǔ)器單元，如此項(xiàng)技術(shù)中已知。下文參照?qǐng)D1簡(jiǎn)要描述可使用或表征存儲(chǔ)器單元102、104以便表示二進(jìn)制碼中的 “0”或“1”的方式。存儲(chǔ)器單元102、104的可變電阻材料110可以第一狀態(tài)或相(S卩，原子可安置成特定微結(jié)構(gòu))存在，此可通過(guò)在第一電極106與第二電極108之間提供相對(duì)低電壓且測(cè)量在第一電極106與第二電極108之間通過(guò)可變電阻材料110的所得電流的量值(例如，安培)來(lái)檢測(cè)。通過(guò)舉例而非限制的方式，此第一狀態(tài)或相(且，因此，電流量值) 可經(jīng)選擇以表示二進(jìn)制碼中的“ 1 ”。為改變可變電阻材料110的狀態(tài)或相，可在第一電極106與第二電極108之間提供相對(duì)高電壓以誘發(fā)相對(duì)高電流穿過(guò)可變電阻材料110。此流動(dòng)穿過(guò)可變電阻材料110的相對(duì)高電流可稱(chēng)為編程電流且用于將所述體積的可變電阻材料110的至少一部分112加熱到充足溫度以造成可變電阻材料110的部分112的狀態(tài)或相的改變，如圖1中所展示?？勺冸娮璨牧?10的部分112接著可在第二狀態(tài)或相中展現(xiàn)不同于第一狀態(tài)或相中的電阻率的電阻率(且，相反地，導(dǎo)電率)。因此，可通過(guò)再次在第一電極106與第二電極108之間提供相對(duì)低電壓且測(cè)量在第一電極106與第二電極108之間通過(guò)的所得電流的量值(例如，安培)來(lái)檢測(cè)第二狀態(tài)或相的存在，量值將不同于當(dāng)可變電阻材料110的部分112處于第一狀態(tài)或相時(shí)所測(cè)量的電流的量值。通過(guò)舉例而非限制的方式，此第二狀態(tài)或相(且，因此， 第二電流量值)可經(jīng)選擇以表示二進(jìn)制碼中的“0”。當(dāng)編程電流借助電極106、108而通過(guò)可變電阻材料110時(shí)可變電阻材料110中所產(chǎn)生的熱是由于可變電阻材料Iio的電阻所致。此外，在可變電阻材料110的部分112中所產(chǎn)生熱的量至少部分地取決于可變電阻材料110的部分112中的電流密度。對(duì)于在第一電極106與第二電極108之間通過(guò)可變電阻材料110的給定電流，可變電阻材料110中的電流密度至少部分地取決于電極106、108中的較小者的大小(例如，橫截面積)。通過(guò)使用具有相對(duì)小大小的第一電極106，可增加可變電阻材料110的部分112中的電流密度，且可減小造成可變電阻材料110的部分112中的相變所需要的編程電流。通過(guò)降低所需編程電流，可降低操作存儲(chǔ)器裝置100所需的能量。因此，可使用相對(duì)于具有相對(duì)較大第一電極的存儲(chǔ)器裝置較小的電力來(lái)操作具有相對(duì)較小第一電極的存儲(chǔ)器裝置100。仍參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)器單元102、104可包括又一電介質(zhì)材料區(qū)，其在本文中稱(chēng)為鈍化材料116。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“鈍化材料”意指且包括用于在電方面、物理方面或在電及物理方面保護(hù)或隔離另一材料的任一電介質(zhì)材料。類(lèi)似于上文所論述電介質(zhì)材料，鈍化材料116可包含(舉例來(lái)說(shuō))氧化物材料(例如，SiO2^Al2O3等)、氮化物材料(例如，Si3N4, AlN等)或氧化物及氮化物材料的組合。鈍化材料116可安置于存儲(chǔ)器單元102、104的一部分上方。舉例來(lái)說(shuō)，鈍化材料116可安置于第一電極106的一部分、第二電極108的一部分及包圍所述體積的可變電阻材料110的電介質(zhì)材料114的一部分上方。如圖1中所展示， 在一些實(shí)施例中，鈍化材料116在第一電極106、第二電極108及包圍所述體積的可變電阻材料110的電介質(zhì)材料114的暴露部分上可為實(shí)質(zhì)上保形的且實(shí)質(zhì)上包圍所述暴露部分。 鈍化材料116可在存儲(chǔ)器單元102、104的一部分上形成為具有在約二納米Onm)與約一千納米(1，OOOnm)之間的平均厚度的至少實(shí)質(zhì)上保形層。在一些實(shí)施例中，鈍化材料116可將存儲(chǔ)器單元102、104彼此電隔離且與額外周?chē)鎯?chǔ)器單元電隔離。在一些實(shí)施例中，鈍化材料116可在存儲(chǔ)器單元102、104周?chē)纬烧媳谝员Ｗo(hù)存儲(chǔ)器單元102、104的材料。舉例來(lái)說(shuō)，鈍化材料116可在相對(duì)低溫度(例如， 2000C )下形成于存儲(chǔ)器單元102、104上。鈍化材料116可通過(guò)防止所述體積的可變電阻材料110免于可由相對(duì)較高溫度(例如，約300°C或更高)下的隨后處理而造成的蒸發(fā)或升華來(lái)保護(hù)存儲(chǔ)器單元102、104。在一些實(shí)施例中，鈍化材料116還可部分地抑制雜質(zhì)(例如，氧)擴(kuò)散到存儲(chǔ)器單元102、104的所述體積的可變電阻材料110中。
存儲(chǔ)器裝置100可包括安置于存儲(chǔ)器單元102、104之間的空腔122。如本文中所使用，“空腔”意指實(shí)質(zhì)上沒(méi)有固體材料的區(qū)域或區(qū)。舉例來(lái)說(shuō)，空腔122可包含分離鄰近存儲(chǔ)器單元102、104的區(qū)域。舉例來(lái)說(shuō)，空腔122可含有真空(即，真空空腔)、氣體、液體等。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“真空”意指實(shí)質(zhì)上沒(méi)有物質(zhì)且具有500托或更小的壓力的空腔 122內(nèi)的空間。應(yīng)注意，盡管圖1的實(shí)施例圖解說(shuō)明空腔122的橫截面圖在第一存儲(chǔ)器單元102與第二存儲(chǔ)器單元102之間延伸，但空腔122或多個(gè)空腔可安置于存儲(chǔ)器單元中的每一者的多個(gè)側(cè)上方且在一些實(shí)施例中，可實(shí)質(zhì)上包圍存儲(chǔ)器單元。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)多個(gè)存儲(chǔ)器單元布置成多個(gè)行及列時(shí)，空腔或多個(gè)空腔可安置于存儲(chǔ)器單元的多個(gè)側(cè)上方，從而在存儲(chǔ)器單元中的每一者周?chē)?、在每一存?chǔ)器單元與和其鄰近的存儲(chǔ)器單元之間延伸?？涨?22可提供增強(qiáng)的存儲(chǔ)器單元102、104隔離。舉例來(lái)說(shuō)，如上文所論述，在包括一定體積的可變電阻材料110的存儲(chǔ)器單元102、104中，使用相對(duì)高電壓來(lái)改變可變電阻材料110的狀態(tài)或相。空腔122可將第一存儲(chǔ)器單元102的可變電阻材料110與鄰近第二存儲(chǔ)器單元104中所產(chǎn)生熱進(jìn)行熱絕緣。舉例來(lái)說(shuō)，安置于鄰近存儲(chǔ)器單元102、104之間的空腔122可橫向隔離在第一存儲(chǔ)器單元102及第二存儲(chǔ)器單元104中的每一者中所產(chǎn)生的熱。在一些實(shí)施例中，空腔122可包含具有比空氣或常規(guī)電介質(zhì)材料的導(dǎo)熱性相對(duì)低的導(dǎo)熱性的真空。真空的相對(duì)較低導(dǎo)熱性可通過(guò)降低在存儲(chǔ)器單元102、104之間所傳送熱的量而增加存儲(chǔ)器單元102、104的橫向熱隔離。在一些實(shí)施例中，空腔122可含有具有相對(duì)于常規(guī)電介質(zhì)材料的導(dǎo)熱性較低的導(dǎo)熱性的流體(例如，液體或氣體)?？涨豢芍辽賹?shí)質(zhì)上沒(méi)有固體物質(zhì)?？涨?22可具有在存儲(chǔ)器單元102、104的第二電極108之間及在存儲(chǔ)器單元102、 104的所述體積的可變電阻材料110之間的第一尺寸Dn。在一些實(shí)施例中，空腔122可具有大于第一尺寸D11的第二尺寸D12。舉例來(lái)說(shuō)，空腔122可在所述體積的可變電阻材料110 的下面延伸(即，空腔122沿所述體積的可變電阻材料110的近側(cè)朝向包圍第一電極106 的電介質(zhì)材料114延伸)。通過(guò)在包圍存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第一電極106的電介質(zhì)材料114之間延伸，空腔122的第二尺寸D12大于第一尺寸Dn。額外距離(即，第二尺寸D12)可在存儲(chǔ)器單元102、104的第一電極106之間提供較大體積的空腔122。較大體積可降低在鄰近存儲(chǔ)器單元102、104的第一電極106之間所傳送熱的量。如在圖1中所展示，在一些實(shí)施例中，空腔122可至少部分地由鈍化材料116定界?？涨?22可在安置于第一存儲(chǔ)器單元102上方的鈍化材料116與安置于第二存儲(chǔ)器單元104上方的鈍化材料116之間延伸。類(lèi)似地，空腔122的第一尺寸D11可界定于安置于存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第二電極108及所述體積的可變電阻材料110上方的鈍化材料116之間。第二尺寸D12可在安置于包圍存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第一電極 106的電介質(zhì)材料114上方的鈍化材料116之間延伸。存儲(chǔ)器裝置100可進(jìn)一步包括安置于存儲(chǔ)器單元102、104的遠(yuǎn)端部分上方(例如，上)及其之間的電介質(zhì)材料。舉例來(lái)說(shuō)，非保形電介質(zhì)材料128(例如，非保形鈍化材料)可安置于存儲(chǔ)器單元102、104的第二電極108中的每一者上方。在一些實(shí)施例中，非保形電介質(zhì)材料1 可安置于上覆存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第二電極108的鈍化材料116上方。非保形電介質(zhì)材料1 可部分地定界空腔122，且在一些實(shí)施例中，氣密性密封空腔122。舉例來(lái)說(shuō)，非保形電介質(zhì)材料1 可在存儲(chǔ)器單元102、104之間延伸以形成空腔122的遠(yuǎn)端邊界且在空腔內(nèi)密封真空。經(jīng)密封空腔122可將存儲(chǔ)器單元102、104彼此熱絕緣。如下文進(jìn)一步詳細(xì)論述，非保形電介質(zhì)材料1 在材料趨于具有較差階梯覆蓋率的意義上可為非保形的(例如，非保形電介質(zhì)材料1 可延伸跨越通向空腔122的開(kāi)口而不實(shí)質(zhì)上填充空腔12 。舉例來(lái)說(shuō)，非保形電介質(zhì)材料1 可沿存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第二電極108延伸。非保形電介質(zhì)材料1 還可延伸于空腔122上方橫跨第一存儲(chǔ)器單元102的第二電極108與第二存儲(chǔ)器單元104的第二電極108之間的間隙，所述間隙可具有(舉例來(lái)說(shuō))0. 005微米到0. 1微米的寬度。非保形電介質(zhì)材料1 可安置于存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第二電極108 上方且延伸橫跨安置于存儲(chǔ)器單元102、104之間的空腔122(或多個(gè)空腔)以部分地形成空腔122的遠(yuǎn)端邊界。舉例來(lái)說(shuō)，鈍化材料116可形成空腔122的邊界的一部分且非保形電介質(zhì)材料1 可形成空腔122的另一部分。在一些實(shí)施例中，空腔122可實(shí)質(zhì)上被包封。舉例來(lái)說(shuō)，鈍化材料116及非保形電介質(zhì)材料1 的形成空腔122的部分可包封空腔122 (即， 空腔122的內(nèi)部空間可經(jīng)密封而與空腔122外部的空間隔絕)。如上文所論述，在一些實(shí)施例中，經(jīng)密封空腔122可包括包含真空的內(nèi)部空間(S卩，空腔122內(nèi)所含有的空間實(shí)質(zhì)上沒(méi)有物質(zhì))?？涨?22也可具有(舉例來(lái)說(shuō))在非保形電介質(zhì)材料1 與電介質(zhì)材料118之間延伸的高度(例如，尺寸D13)。如圖1中所展示，在一些實(shí)施例中，空腔122可沿存儲(chǔ)器單元 102、104中的每一者的包圍第一電極106的電介質(zhì)材料114、第二電極108及所述體積的可變電阻材料110中每一者的橫向側(cè)(即，橫向于存儲(chǔ)器單元102、104的從存儲(chǔ)器單元102、 104的近端延伸到其遠(yuǎn)端的縱向軸的側(cè))延伸。在一些實(shí)施例中，空腔122的尺寸D13可從安置于存儲(chǔ)器單元102、104中的一者的遠(yuǎn)端上方的第二電極108朝向存儲(chǔ)器單元102、104 的近端延伸到安置于每一存儲(chǔ)器單元102、104的導(dǎo)電材料120之間的電介質(zhì)材料118上方的鈍化材料116。在一些實(shí)施例中，空腔122可經(jīng)過(guò)導(dǎo)電材料120的遠(yuǎn)端朝向存儲(chǔ)器單元 102、104的近端延伸。舉例來(lái)說(shuō)，空腔122可沿包圍存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的包圍第一電極106的電介質(zhì)材料114、第二電極108及所述體積的可變電阻材料110的橫向側(cè)的鈍化材料116延伸，且可部分地沿包圍導(dǎo)電材料120的橫向側(cè)的鈍化材料116延伸。圖2是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置200的另一實(shí)施例的一部分的示意橫截面圖。存儲(chǔ)器裝置200可類(lèi)似于參照?qǐng)D1圖解說(shuō)明及描述的存儲(chǔ)器裝置100，且可包括如本文中先前所描述的第一存儲(chǔ)器單元102及第二存儲(chǔ)器單元104。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置200可不包括包圍第一電極106的單獨(dú)電介質(zhì)材料 (例如，圖1中所展示電介質(zhì)材料114)；而是電介質(zhì)材料118可包圍導(dǎo)電材料120及第一電極106。存儲(chǔ)器單元102、104可包括安置于存儲(chǔ)器單元102、104的一部分上方的鈍化材料 216。非保形電介質(zhì)材料1 可安置于在第二電極108周?chē)由斓拟g化材料216上方且可從第一存儲(chǔ)器單元102的第二電極108延伸到第二存儲(chǔ)器單元104的第二電極108。存儲(chǔ)器裝置200可包括安置于存儲(chǔ)器單元102、104之間的空腔222。鈍化材料216 及非保形電介質(zhì)材料128的若干部分可形成安置于存儲(chǔ)器單元102、104之間的空腔222的邊界。鈍化材料216可沿包圍第一電極106的電介質(zhì)材料118、第二電極108及所述體積的可變電阻材料110延伸。如圖2中所展示，在一些實(shí)施例中，空腔222可具有在存儲(chǔ)器單元102、104之間延伸的尺寸D21。在一些實(shí)施例中，尺寸D21在存儲(chǔ)器單元102、104之間且沿平行于存儲(chǔ)器單元102、104的縱向軸的軸可實(shí)質(zhì)上恒定?？涨?22可從安置于包圍第一存儲(chǔ)器單元102的第一電極106的電介質(zhì)材料118、第一存儲(chǔ)器單元102的第二電極108及所述體積的可變電阻材料110上方的鈍化材料216延伸到安置于包圍第二存儲(chǔ)器單元104 的第一電極106的電介質(zhì)材料118、第二存儲(chǔ)器單元104的第二電極108及所述體積的可變電阻材料110上方的鈍化材料216。在一些實(shí)施例中，空腔222可從存儲(chǔ)器單元102、104 中的每一者的第二電極108朝向存儲(chǔ)器單元102、104的近端延伸到接近導(dǎo)電材料120的電介質(zhì)材料118。類(lèi)似于上文參照?qǐng)D1所描述的空腔122，空腔222可實(shí)質(zhì)上被包封且在一些實(shí)施例中，可包括包含真空的內(nèi)部空間。圖3是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置300的又一實(shí)施例的示意橫截面圖。存儲(chǔ)器裝置300 可類(lèi)似于分別參照?qǐng)D1及2圖解說(shuō)明及描述的存儲(chǔ)器裝置100及200，且可包括第一存儲(chǔ)器單元302及第二存儲(chǔ)器單元304。存儲(chǔ)器單元302、304可安置于導(dǎo)電材料120上方且與所述導(dǎo)電材料電連通，所述導(dǎo)電材料安置于電介質(zhì)材料118上方或其中。存儲(chǔ)器單元302、 304可包括電極306及一定體積的可變電阻材料310。所述體積的可變電阻材料310可從導(dǎo)電材料120延伸到電極306。所述體積的可變電阻材料310可由一定體積的電介質(zhì)材料 114包圍。電極306可部分地安置于所述體積的可變電阻材料310上且與所述體積的可變電阻材料電連通。為改變可變電阻材料310的一部分312的狀態(tài)或相，可在電極306與導(dǎo)電材料120之間提供相對(duì)高電壓以誘發(fā)相對(duì)高電流穿過(guò)可變電阻材料310。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料120及所述體積的可變電阻材料310可包含相交配置。 舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電材料120可在第一方向上延伸且所述體積的可變電阻材料310可在實(shí)質(zhì)上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。導(dǎo)電材料120及所述體積的可變電阻材料310可在所述兩種材料的相交點(diǎn)處形成電觸點(diǎn)。此些存儲(chǔ)器單元的實(shí)例揭示于(舉例來(lái)說(shuō))頒發(fā)給劉的第2008/0014733A1號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案中。存儲(chǔ)器裝置300可包括安置于存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的電極306上方的非保形電介質(zhì)材料128。非保形電介質(zhì)材料1 可從第一存儲(chǔ)器單元302的電極306延伸到第二存儲(chǔ)器單元304的電極306。存儲(chǔ)器裝置300可進(jìn)一步包括安置于存儲(chǔ)器單元302、304之間的空腔322。存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的電極306、包圍所述體積的可變電阻材料310的電介質(zhì)材料 114、電介質(zhì)材料118、非保形電介質(zhì)材料1 及在一些實(shí)施例中導(dǎo)電材料120可給存儲(chǔ)器單元302、304之間的空腔322定界。如圖3中所展示，空腔322可類(lèi)似于圖1中所展示空腔122?？涨?22可具有在存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的電極306及所述體積的可變電阻材料310之間延伸的第一尺寸D31。在一些實(shí)施例中，空腔322可具有大于第一尺寸D31 的第二尺寸D32。舉例來(lái)說(shuō)，空腔322可沿所述體積的可變電阻材料310的近側(cè)朝向包圍所述體積的可變電阻材料310的電介質(zhì)材料114延伸。在一些實(shí)施例中，空腔322可在存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的導(dǎo)電材料120之間延伸。在一些實(shí)施例中，空腔322可從安置于存儲(chǔ)器單元302、304中的一者的遠(yuǎn)端上方的電極306朝向存儲(chǔ)器單元302、304的近端延伸到導(dǎo)電材料120及在存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的導(dǎo)電材料120之間延伸的電介質(zhì)材料118。
在一些實(shí)施例中，空腔322可實(shí)質(zhì)上被包封。舉例來(lái)說(shuō)，電極306、包圍所述體積的可變電阻材料310的電介質(zhì)材料114、電介質(zhì)材料118、非保形電介質(zhì)材料1 及在一些實(shí)施例中導(dǎo)電材料120的形成空腔322的部分可包封空腔322。在一些實(shí)施例中，經(jīng)密封空腔 322可包括包含真空的內(nèi)部空間。圖4是本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置400的又一實(shí)施例的示意橫截面圖。存儲(chǔ)器裝置400 可類(lèi)似于分別參照?qǐng)D1、2及3圖解說(shuō)明及描述的存儲(chǔ)器裝置100、200及300，且可包括如本文中先前所描述第一存儲(chǔ)器單元302及第二存儲(chǔ)器單元304。存儲(chǔ)器裝置400可進(jìn)一步包括安置于存儲(chǔ)器單元302、304之間的空腔422。存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的電極306、非保形電介質(zhì)材料1 及電介質(zhì)材料118可形成安置于存儲(chǔ)器單元302、304之間的空腔422的邊界。如圖4中所展示，在一些實(shí)施例中，空腔422可具有在存儲(chǔ)器單元302、304之間延伸的尺寸D41。在一些實(shí)施例中，尺寸D41在存儲(chǔ)器單元302、304之間且沿平行于存儲(chǔ)器單元302、304的縱向軸的軸可實(shí)質(zhì)上恒定。在一些實(shí)施例中，空腔422可從包圍第一存儲(chǔ)器單元302的所述體積的可變電阻材料310的電介質(zhì)材料118延伸到包圍第二存儲(chǔ)器單元304的所述體積的可變電阻材料310的電介質(zhì)材料118。在一些實(shí)施例中，空腔422可在包圍存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的導(dǎo)電材料 120的電介質(zhì)材料118之間延伸。在一些實(shí)施例中，空腔422可從安置于存儲(chǔ)器單元302、 304中的每一者的遠(yuǎn)端上方的電極306朝向存儲(chǔ)器單元302、304的近端延伸到接近導(dǎo)電材料120的電介質(zhì)材料118。類(lèi)似于上文參照?qǐng)D3所描述的空腔322，空腔422可實(shí)質(zhì)上被包封且在一些實(shí)施例中可包括包含真空的內(nèi)部空間。圖5A是存儲(chǔ)器裝置500的又一實(shí)施例的示意橫截面圖且圖5B是圖5A中的存儲(chǔ)器裝置500沿剖面線5B-5B截取的示意橫截面圖。參照?qǐng)D5A及5B，存儲(chǔ)器裝置500可類(lèi)似于分別參照?qǐng)D1、2、3及4所圖解說(shuō)明及描述的存儲(chǔ)器裝置100、200、300及400，且可包括第一存儲(chǔ)器單元502及第二存儲(chǔ)器單元504。存儲(chǔ)器單元502、504中的每一者可包括第一電極506及第二電極508。電極506、508可包含安置于電介質(zhì)材料518上方或其中的導(dǎo)電材料。一定體積的可變電阻材料510可從第一電極506延伸到第二電極508。第一電極506 及第二電極508可安置于可變電阻材料510的共同側(cè)上方，例如可變電阻材料510的接近電介質(zhì)材料518的一側(cè)。所述體積的可變電阻材料510可由電介質(zhì)材料516包圍。為改變可變電阻材料510的一部分512的狀態(tài)或相，可在第一電極506與第二電極508之間提供相對(duì)高電壓以誘發(fā)相對(duì)高電流通過(guò)可變電阻材料510。導(dǎo)電材料5 可安置于存儲(chǔ)器單元502、504的電介質(zhì)材料516上方。舉例來(lái)說(shuō)，由導(dǎo)電材料5 形成的結(jié)構(gòu)可安置于電介質(zhì)材料516上方接近于電極506、508中的每一者的兩個(gè)或兩個(gè)以上離散位置處。電介質(zhì)材料514亦可安置于導(dǎo)電材料5 上方且可由所述導(dǎo)電材料支撐。電介質(zhì)材料514可在經(jīng)安置接近于電極506、508中的每一者的導(dǎo)電材料526 之間延伸。存儲(chǔ)器裝置500可包括安置于存儲(chǔ)器單元502、504之間且在一些實(shí)施例中在存儲(chǔ)器單元502、504中的每一者的電極506、508之間的空腔522。電極506、508、電介質(zhì)材料 516及導(dǎo)電材料5 可形成空腔522的邊界的一部分。如圖5B中所展示，空腔522可在存儲(chǔ)器單元502、504中的每一者之間且在電介質(zhì)材料514與電介質(zhì)材料518之間延伸。空腔522可具有在第一存儲(chǔ)器單元502與第二存儲(chǔ)器單元504之間延伸的尺寸D51。舉例來(lái)說(shuō)， 空腔522可從包圍第一存儲(chǔ)器單元502的所述體積的可變電阻材料510的電介質(zhì)材料516 延伸到包圍第二存儲(chǔ)器單元504的所述體積的可變電阻材料510的電介質(zhì)材料516。在一些實(shí)施例中，空腔522可從電介質(zhì)材料514延伸到電介質(zhì)材料518。舉例來(lái)說(shuō)，空腔522可沿導(dǎo)電材料526、包圍所述體積的可變電阻材料510的電介質(zhì)材料516及電極506、508的橫向側(cè)延伸。在一些實(shí)施例中，空腔522可形成于包圍所述體積的可變電阻材料510的電介質(zhì)材料516的整體周?chē)鲶w積的可變電阻材料510不接觸導(dǎo)電材料5 及電極506、 508。在一些實(shí)施例中，空腔522可實(shí)質(zhì)上被包封。舉例來(lái)說(shuō)，經(jīng)密封空腔522可包括包含真空的內(nèi)部空間。圖6是包括導(dǎo)電懸垂接觸形成件的本發(fā)明存儲(chǔ)器裝置的實(shí)施例的示意橫截面圖， 其圖解說(shuō)明所述存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)器單元。如圖6中所展示，類(lèi)似于分別在圖1、2、3、4、 5A中所展示的存儲(chǔ)器單元102、104、302、304、502及504的存儲(chǔ)器單元可形成包括懸垂件 630的存儲(chǔ)器裝置600。懸垂件630可從襯底(例如，電介質(zhì)材料118)到存儲(chǔ)器裝置600 的與電介質(zhì)材料118相對(duì)的表面(例如，導(dǎo)電材料634)延伸穿過(guò)存儲(chǔ)器裝置600。通過(guò)舉例而非限制的方式，存儲(chǔ)器單元102、103、104及105可類(lèi)似于參照?qǐng)D2所描述的那些存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元102、103、104及105也可包括安置于存儲(chǔ)器單元102、103、104及105 中的每一者上方的電觸點(diǎn)621。舉例來(lái)說(shuō)，電觸點(diǎn)621可安置于存儲(chǔ)器單元102、103、104及 105中的每一者的第二電極108上方且與所述第二電極電連通。在一些實(shí)施例中，所述電觸點(diǎn)可包括安置于存儲(chǔ)器單元102、103、104及105中的每一者的第二電極108上方且與所述第二電極電連通的導(dǎo)電線及觸點(diǎn)。每一第二電極108可通過(guò)電觸點(diǎn)621與導(dǎo)電線、額外存儲(chǔ)器單元等電連通。懸垂件630可類(lèi)似于導(dǎo)電材料120延伸穿過(guò)電介質(zhì)118且也可與導(dǎo)電線、額外存儲(chǔ)器單元等電連通。額外電介質(zhì)材料6 可形成于鈍化材料216上，所述鈍化材料上覆存儲(chǔ)器單元 102、103、104及105中的每一者的第二電極108。舉例來(lái)說(shuō)，額外電介質(zhì)材料擬8可包括非保形電介質(zhì)材料。如圖6中所展示，額外電介質(zhì)材料6 可安置于鈍化材料216上方且可填充包圍懸垂件630的區(qū)域而不填充于安置于存儲(chǔ)器單元102、103、104與105之間的空腔 222中。在一些實(shí)施例中，額外電介質(zhì)材料擬8還可包括安置于所述額外電介質(zhì)材料擬8的非保形電介質(zhì)材料部分上方的保形電介質(zhì)材料部分以填充包圍懸垂件630的區(qū)域。下面描述用于形成根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置(例如分別在圖1、2、3、4、5A、6中所展示的存儲(chǔ)器裝置100、200、300、400、500及600)的實(shí)施例的各種方法。為促進(jìn)描述，參照單個(gè)或兩個(gè)存儲(chǔ)器單元(例如，存儲(chǔ)器單元102及104)描述所述方法。然而，實(shí)踐中，可實(shí)質(zhì)上同時(shí)形成多個(gè)存儲(chǔ)器單元，且存儲(chǔ)器單元可構(gòu)成一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元。在下面所論述實(shí)施例中的每一者中，形成存儲(chǔ)器裝置的材料可形成、生長(zhǎng)或以其它方式提供于其上?？墒褂?舉例來(lái)說(shuō))集成電路制造技術(shù)中已知的沉積技術(shù)(例如，化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、濺鍍、熱蒸發(fā)或電鍍)及圖案化技術(shù)(例如，遮蔽及蝕刻)來(lái)形成各種材料。電介質(zhì)材料包含氧化物或氮化硅，且可通過(guò)化學(xué)氣相沉積、通過(guò)分解四乙基原硅酸鹽(TE0Q或通過(guò)集成電路制造技術(shù)中已知的任何其它工藝來(lái)形成。另外，材料或其若干部分可使用(舉例來(lái)說(shuō))化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝、蝕刻工藝、提離工藝或其組合來(lái)移除。蝕刻工藝可包括(舉例來(lái)說(shuō))使用掩模及各向異性反應(yīng)性離子(即，等離子)蝕刻工藝來(lái)移除所述材料的若干部分及使用掩模及各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝來(lái)移除所述材料。應(yīng)注意，用于產(chǎn)生反應(yīng)性離子的氣體的特定組成、化學(xué)蝕刻劑的特定組成及蝕刻工藝的操作參數(shù)可基于掩模、待蝕刻的材料及周?chē)牧系慕M成來(lái)選擇。參照?qǐng)D7A到7B描述可用于形成(例如)圖1中所展示存儲(chǔ)器裝置100的方法的實(shí)施例。參照?qǐng)D7A，可在導(dǎo)電材料120上且與導(dǎo)電材料電連通地形成存儲(chǔ)器單元102、104， 導(dǎo)電材料形成于電介質(zhì)材料118上或其中。存儲(chǔ)器單元102、104可包括第一電極106、第二電極108及安置于第一電極106與第二電極108之間的一定體積的可變電阻材料110?？稍趯?dǎo)電材料120上形成第一電極106且第一電極從導(dǎo)電材料延伸到所述體積的可變電阻材料110?？稍趯?dǎo)電材料120上形成電介質(zhì)材料114且電介質(zhì)材料可包圍第一電極106。額外電介質(zhì)材料118(例如，氧化物材料)可包圍電介質(zhì)材料114及導(dǎo)電材料120?？稍诘谝浑姌O106及包圍第一電極106的電介質(zhì)材料114上形成所述體積的可變電阻材料110?？稍谒鲶w積的可變電阻材料110上且與所述體積的可變電阻材料電連通地形成第二電極 108。如圖7A中所展示，可移除第二電極108及所述體積的可變電阻材料110的一部分。舉例來(lái)說(shuō)，可移除第二電極108及所述體積的可變電阻材料110的一部分以形成線條帶結(jié)構(gòu)(即，第二電極108及所述體積的可變電阻材料110可在兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲(chǔ)器單元 102、104之間延伸)?；蛘?，可移除第二電極108及所述體積的可變電阻材料110的一部分以形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)(即，移除第二電極108及所述體積的可變電阻材料110的若干部分以在存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者上形成離散結(jié)構(gòu))?？赏ㄟ^(guò)(例如)光刻圖案化及蝕刻等工藝移除第二電極108及所述體積的可變電阻材料110的所述部分。通過(guò)舉例而非限制的方式，所述部分可通過(guò)圖案化掩模以在其中于期望移除第二電極108及所述體積的可變電阻材料110的部分的位置處形成孔來(lái)形成。第二電極108及所述體積的可變電阻材料110 可使用(舉例來(lái)說(shuō))各向異性反應(yīng)性離子蝕刻工藝經(jīng)由所述掩模中的所述孔來(lái)蝕刻，從而暴露下伏電介質(zhì)材料118。如圖7B中所展示，還可使用掩模及蝕刻工藝移除電介質(zhì)材料118的一部分以形成空腔122。通過(guò)舉例而非限制的方式，可使用各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝來(lái)移除電介質(zhì)材料118的一部分。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)材料118可包含氧化物材料(例如，SiO2)且電介質(zhì)材料114可包含氮化物材料(例如，Si3N4)。如圖7B中所展示，可使用對(duì)氧化物具有選擇性的蝕刻劑(即，具有經(jīng)配置以與其它材料的移除速率相比更快的速率移除氧化物材料的特定組成的蝕刻劑)來(lái)移除氧化物且暴露電介質(zhì)材料114，且在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料 120的一部分。舉例來(lái)說(shuō)，可保持蝕刻劑達(dá)大約八分鐘以在存儲(chǔ)器單元102、104的近端的方向上蝕刻大約80納米的氧化物材料。在額外實(shí)施例中，可使用單個(gè)各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝代替單獨(dú)各向異性反應(yīng)性離子蝕刻工藝后跟各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝來(lái)形成空腔 122。在一些實(shí)施例中，可蝕刻電介質(zhì)材料118以使得空腔122從存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第二電極108的遠(yuǎn)端延伸到導(dǎo)電材料120的遠(yuǎn)端。返回參照?qǐng)D1，在蝕刻電介質(zhì)材料118之后，可在第一電極106、第二電極108及包圍所述體積的可變電阻材料110的電介質(zhì)材料114的暴露部分上形成(例如，通過(guò)CVD或 ALD工藝)鈍化材料116?？稍谏细泊鎯?chǔ)器單元102、104的第二電極108的鈍化材料116 上形成(例如，通過(guò)CVD或PVD工藝)非保形電介質(zhì)材料128(例如，氧化物材料)且保形電介質(zhì)材料在鈍化材料之間延伸。如上文所論述，非保形電介質(zhì)材料1 可為非保形的，因?yàn)樗霾牧馅呌诰哂休^差階梯覆蓋率(例如，所述材料將趨于以線性或平面方式形成且不沉積或填充凹坑或空腔)。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所了解，將“階梯覆蓋率”定義為在沉積于間隙(例如通孔或空腔)上方的背景下場(chǎng)覆蓋與側(cè)壁覆蓋的比。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)非保形電介質(zhì)材料1 形成于存儲(chǔ)器單元102、104的第二電極108上時(shí)，非保形電介質(zhì)材料1 可從第一存儲(chǔ)器單元102的第二電極108到第二存儲(chǔ)器單元104的第二電極108延伸橫跨空腔122的一部分。換句話說(shuō)，非保形電介質(zhì)材料1 將延伸于空腔122的一部分上方第一存儲(chǔ)器單元102的第二電極108與第二存儲(chǔ)器單元104的第二電極108之間的間隙中且將不趨于填充空腔122。應(yīng)注意，盡管參照?qǐng)D1所展示及描述的實(shí)施例圖解說(shuō)明在形成于兩個(gè)存儲(chǔ)器單元102、104之間的空腔122上方形成非保形電介質(zhì)材料128，但非保形電介質(zhì)材料1 可形成于存儲(chǔ)器單元陣列上方，從而覆蓋貫穿存儲(chǔ)器單元陣列而形成的空腔122或多個(gè)空腔。非保形電介質(zhì)材料1 可密封空腔122且在一些實(shí)施例中，可在空腔122內(nèi)形成真空。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元100可在實(shí)質(zhì)上真空環(huán)境中形成。在一些實(shí)施例中，非保形電介質(zhì)材料1 可在相對(duì)低壓力(例如，低于100毫托)下形成于存儲(chǔ)器單元102、104上。非保形電介質(zhì)材料1 可密封空腔122及空腔122中所含有的真空空間，從而在空腔122內(nèi)形成真空。參照?qǐng)D8A及8B描述可用于形成(例如)圖2中所展示的存儲(chǔ)器裝置200的方法的實(shí)施例。存儲(chǔ)器裝置200可通過(guò)與上文參照?qǐng)D1、7A及7B描述的存儲(chǔ)器裝置100類(lèi)似的工藝形成，且可包括如本文中先前所描述的第一存儲(chǔ)器單元102及第二存儲(chǔ)器單元104。 參照?qǐng)D8A，可在第一電極106及電介質(zhì)材料118上形成一定體積的可變電阻材料110且所述體積的可變電阻材料可在存儲(chǔ)器單元102、104中的每一者的第一電極106之間延伸?？稍谒鲶w積的可變電阻材料110上且與所述體積的可變電阻材料電連通地形成第二電極 108。如圖8B中所展示且類(lèi)似于圖7A中所展示的存儲(chǔ)器裝置100，可通過(guò)圖案化及蝕刻工藝移除第二電極108、所述體積的可變電阻材料110及電介質(zhì)材料118的一部分以形成存儲(chǔ)器單元102、104及空腔222。舉例來(lái)說(shuō)，可使用各向異性反應(yīng)性離子蝕刻工藝來(lái)蝕刻穿過(guò)第二電極108、所述體積的可變電阻材料110及電介質(zhì)材料118的一部分。在一些實(shí)施例中，可在單個(gè)蝕刻工藝步驟中移除第二電極108、所述體積的可變電阻材料110及電介質(zhì)材料118的部分。在一些實(shí)施例中，可蝕刻電介質(zhì)材料118以使得空腔222從存儲(chǔ)器單元 102,104中的每一者的第二電極108的遠(yuǎn)端朝向存儲(chǔ)器單元102、104的近端延伸到接近導(dǎo)電材料120的遠(yuǎn)端的深度。返回參照?qǐng)D2，在蝕刻第二電極108、所述體積的可變電阻材料110及電介質(zhì)材料 118之后，可在第二電極108、電介質(zhì)材料118及所述體積的可變電阻材料110的暴露部分上形成(例如，通過(guò)CVD或ALD工藝)鈍化材料216?？稍谏细泊鎯?chǔ)器單元102、104中的每一者的第二電極108的鈍化材料216上形成(例如，通過(guò)CVD或PVD工藝)非保形電介質(zhì)材料128(例如，氧化物材料)且非保形電介質(zhì)材料在鈍化材料之間延伸。非保形電介質(zhì)材料1 可密封空腔222且在一些實(shí)施例中，可在空腔222內(nèi)形成真空。參照?qǐng)D9A及9B描述可用于形成(例如)圖3中所展示的存儲(chǔ)器裝置300的方法的實(shí)施例。參照?qǐng)D9A，可在導(dǎo)電材料120上且與導(dǎo)電材料電連通地形成存儲(chǔ)器單元302、 304，導(dǎo)電材料形成于電介質(zhì)材料118(例如，氧化物材料)上或其中。存儲(chǔ)器單元302、304 可包括電極306，及一定體積的可變電阻材料310。可在導(dǎo)電材料120上形成所述體積的可變電阻材料310且所述體積的可變電阻材料從導(dǎo)電材料延伸到電極306?？稍趯?dǎo)電材料120 上形成電介質(zhì)材料114且電介質(zhì)材料可包圍電極306。額外電介質(zhì)材料118可包圍電介質(zhì)材料114及導(dǎo)電材料120?？稍谒鲶w積的可變電阻材料310、電介質(zhì)材料118及電介質(zhì)材料114上形成電極306。電極306可與所述體積的可變電阻材料310電連通。如圖9A中所展示且類(lèi)似于圖7A中所展示存儲(chǔ)器裝置100，可移除(例如，通過(guò)光刻圖案化及蝕刻工藝)電極306的一部分。舉例來(lái)說(shuō)，可蝕刻電極306以暴露下伏電介質(zhì)材料118。如圖9B中所展示，還可使用掩模及蝕刻工藝移除電介質(zhì)材料118的一部分以形成空腔322。通過(guò)舉例而非限制的方式，各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝可用于移除電介質(zhì)材料 118的一部分。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)材料118可包含氧化物材料(例如，SiO2)且電介質(zhì)材料114可包含氮化物材料(例如，Si3N4)。如圖9B中所展示，可使用對(duì)氧化物材料具有選擇性的蝕刻劑來(lái)移除所述氧化物且暴露電介質(zhì)材料114且在一些實(shí)施例中，暴露導(dǎo)電材料120的一部分。在額外實(shí)施例中，可移除電極306的一部分且可使用單個(gè)各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝代替單獨(dú)蝕刻工藝來(lái)形成空腔322。在一些實(shí)施例中，可蝕刻電介質(zhì)材料118 以使得空腔322從存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的電極306的遠(yuǎn)端延伸到導(dǎo)電材料120 的遠(yuǎn)端。返回參照?qǐng)D3，在蝕刻電介質(zhì)材料118之后，可在存儲(chǔ)器單元302、304中的每一者的電極306上形成(例如，通過(guò)CVD或PVD工藝)非保形電介質(zhì)材料128(例如，氧化物材料)且保形電介質(zhì)材料在電極之間延伸。非保形電介質(zhì)材料1 可密封空腔322且在一些實(shí)施例中，可在空腔322內(nèi)形成真空。參照?qǐng)DIOA及IOB描述可用于形成(例如)圖4中所展示的存儲(chǔ)器裝置400的方法的實(shí)施例。存儲(chǔ)器裝置400可通過(guò)與參照?qǐng)D3、9A及9B所描述的存儲(chǔ)器裝置300類(lèi)似的工藝形成且可包括如本文中先前所述的第一存儲(chǔ)器單元302及第二存儲(chǔ)器單元304。如圖 IOA中所展示且類(lèi)似于圖7A中所展示的存儲(chǔ)器裝置100，可移除(例如，通過(guò)光刻圖案化及蝕刻工藝)電極306的一部分。舉例來(lái)說(shuō)，可蝕刻電極306以暴露下伏電介質(zhì)材料118。如圖IOB中所展示，可通過(guò)圖案化及蝕刻工藝移除電介質(zhì)材料118的一部分以形成空腔422。舉例來(lái)說(shuō)，可使用各向異性反應(yīng)性離子蝕刻工藝來(lái)蝕刻穿過(guò)電介質(zhì)材料118的一部分。在一些實(shí)施例中，可在單個(gè)蝕刻工藝步驟中移除電極306及電介質(zhì)材料118的若干部分。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)材料118可經(jīng)蝕刻以使得空腔422從存儲(chǔ)器單元302、304 中的每一者的電極306的遠(yuǎn)端朝向存儲(chǔ)器單元302、304的近端延伸到接近導(dǎo)電材料120的遠(yuǎn)端的深度。返回參照?qǐng)D4，在蝕刻電極306及電介質(zhì)材料118之后，可在存儲(chǔ)器單元302、304 中的每一者的電極306上形成(例如，通過(guò)CVD或PVD工藝)非保形電介質(zhì)材料128(例如，氧化物材料)且非保形電介質(zhì)材料在電極之間延伸。非保形電介質(zhì)材料1 可密封空腔422且在一些實(shí)施例中，可在空腔422內(nèi)形成真空。參照?qǐng)DIlA及IlB描述可用于形成圖5A及5B中所展示的存儲(chǔ)器裝置500的方法的實(shí)施例。參照?qǐng)D11A，存儲(chǔ)器裝置500的每一存儲(chǔ)器單元(例如，存儲(chǔ)器單元50 可各自包括形成于電介質(zhì)材料518(例如，氮化物材料)中的第一電極506及第二電極508。可在電極506、508周?chē)纬傻诙娊橘|(zhì)材料519A (例如，氧化物材料)?？稍陔姌O506、508周?chē)纬傻谌娊橘|(zhì)材料516A(例如，氮化物材料)且第三電介質(zhì)材料可與電極506、508的遠(yuǎn)端實(shí)質(zhì)上齊平。在一些實(shí)施例中，可在于電極506、508周?chē)纬傻谌娊橘|(zhì)材料516A之后使用(例如)化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)工藝、選擇蝕刻工藝或提離工藝來(lái)移除第三電介質(zhì)材料的一部分以暴露電極506、508的遠(yuǎn)端部分?？稍陔娊橘|(zhì)材料516A上形成一定體積的可變電阻材料510且所述體積的可變電阻材料可從第一電極506延伸到第二電極508?？稍谒鲶w積的可變電阻材料510上形成第四電介質(zhì)材料516B。在一些實(shí)施例中，第三及第四電介質(zhì)516A、516B材料可包含類(lèi)似材料(例如，氮化物材料)且可形成部分包圍所述體積的可變電阻材料510的電介質(zhì)材料516?，F(xiàn)在參照?qǐng)D11B，可(例如，通過(guò)光刻圖案化及蝕刻工藝)移除電介質(zhì)材料516及所述體積的可變電阻材料510的部分。舉例來(lái)說(shuō)，電介質(zhì)材料516及所述體積的可變電阻材料510可經(jīng)蝕刻以暴露電極506、508的一部分及下伏第二電介質(zhì)材料519A的一部分。電介質(zhì)材料516及所述體積的可變電阻材料510可經(jīng)移除以形成線條帶結(jié)構(gòu)(即，如圖5B中所展示，電介質(zhì)材料516及所述體積的可變電阻材料510可在電極506、508之間延伸)?？稍陔娊橘|(zhì)材料516、電極506、508、所述體積的可變電阻材料510及第二電介質(zhì)材料519A上形成額外電介質(zhì)材料(例如，實(shí)質(zhì)上類(lèi)似于電介質(zhì)材料516的氮化物材料)以覆蓋所述體積的可變電阻材料510的通過(guò)先前蝕刻工藝形成的暴露端?？梢瞥?例如，通過(guò)間隔件蝕刻工藝)電介質(zhì)材料516的一部分以形成圖IlC中所展示的線條帶結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括由電介質(zhì)材料516包圍的所述體積的可變電阻材料510。如圖1ID中所展示，可在電介質(zhì)材料516、電介質(zhì)材料519A及電極506、508上形成額外電介質(zhì)材料519B(例如，實(shí)質(zhì)上類(lèi)似于第二電介質(zhì)材料519A的氧化物材料)。在一些實(shí)施例中，第二電介質(zhì)材料519A、519B可包含類(lèi)似材料(例如，氧化物材料)且可形成電介質(zhì)材料519。在形成電介質(zhì)材料519之后，可移除電介質(zhì)材料519的一部分，舉例來(lái)說(shuō)，使用化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)平面化電介質(zhì)材料516?？稍陔娊橘|(zhì)材料516上形成將電介質(zhì)材料 514(例如，氮化物材料)?？稍诖鎯?chǔ)器單元502的電介質(zhì)材料516上形成導(dǎo)電材料5 且導(dǎo)電材料可延伸穿過(guò)電介質(zhì)材料514及電介質(zhì)材料519。舉例來(lái)說(shuō)，可移除(例如，通過(guò)圖案化及蝕刻工藝)電介質(zhì)材料519、5觀的一部分且導(dǎo)電材料5 可經(jīng)形成以從電介質(zhì)材料 516延伸到存儲(chǔ)器單元502的遠(yuǎn)端(例如，電介質(zhì)材料514的遠(yuǎn)側(cè))。返回參照?qǐng)D5A及5B，可通過(guò)(舉例來(lái)說(shuō))圖案化及蝕刻工藝移除電介質(zhì)材料519 的一部分以形成空腔522。在一些實(shí)施例中，可移除全部電介質(zhì)材料519。舉例來(lái)說(shuō)，可使用各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝通過(guò)在電介質(zhì)材料514中形成小開(kāi)口以使電介質(zhì)材料519暴露于所述各向同性濕式化學(xué)蝕刻工藝來(lái)移除電介質(zhì)材料519的一部分。在移除電介質(zhì)材料 519之后，可通過(guò)導(dǎo)電材料5 支撐形成于導(dǎo)電材料5 上的電介質(zhì)材料514。通過(guò)移除電介質(zhì)材料519而形成的空腔522可形成真空且可在存儲(chǔ)器單元502、504之間且在一些實(shí)施例中，在存儲(chǔ)器單元502、504中的每一者的電極506、508之間延伸。再參照?qǐng)D6，在一些實(shí)施例中，類(lèi)似于分別在圖1、2、3、4及5A中所展示的存儲(chǔ)器單元102、104、302、304及502的存儲(chǔ)器單元可形成包括懸垂件630的存儲(chǔ)器裝置600。存儲(chǔ)器單元102、103、104及105可以類(lèi)似于上文所述方法的方式形成。存儲(chǔ)器單元102、103、104 及105還可包括形成于存儲(chǔ)器單元102、103、104及105中的每一者上的電觸點(diǎn)621。舉例來(lái)說(shuō)，電觸點(diǎn)621可形成于存儲(chǔ)器單元102、103、104及105中的每一者的第二電極108上且與其電連通。額外電介質(zhì)材料擬8可形成于上覆存儲(chǔ)器單元102、103、104及105中的每一者的第二電極108的鈍化材料216上。在一些實(shí)施例中，額外電介質(zhì)材料6 可包括非保形電介質(zhì)材料。電介質(zhì)材料628的非保形部分可填充于包圍懸垂件630的區(qū)域中而不填充于安置于存儲(chǔ)器單元102、103、104與105之間的空腔222中。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)材料6 可包括非保形部分及電介質(zhì)材料。非保形部分可經(jīng)形成而接近于存儲(chǔ)器單元102、 103、104及105以密封空腔222的遠(yuǎn)端部分而不填充于空腔222中。所述電介質(zhì)材料可形成于額外電介質(zhì)材料628的非保形部分上及鈍化材料216上以填充于包圍懸垂件630的區(qū)域中且形成電介質(zhì)材料628。像圖1到6中所展示的存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器裝置可用于本發(fā)明的電子系統(tǒng)的實(shí)施例中。舉例來(lái)說(shuō)，圖12是根據(jù)本發(fā)明的說(shuō)明性電子系統(tǒng)700的框圖。電子系統(tǒng)700可包含 (舉例來(lái)說(shuō))計(jì)算機(jī)或計(jì)算機(jī)硬件組件、服務(wù)器或其它聯(lián)網(wǎng)硬件組件、蜂窩式電話、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式媒體(例如，音樂(lè))播放器等。電子系統(tǒng)700包括本發(fā)明的至少一個(gè)存儲(chǔ)器裝置，例如圖1到6中所展示存儲(chǔ)器裝置100、200、300、400、500及600的實(shí)施例中的一者。電子系統(tǒng)700可進(jìn)一步包括至少一個(gè)電子信號(hào)處理器裝置702(經(jīng)常稱(chēng)作“微處理器”)。電子系統(tǒng)700可任選地進(jìn)一步包括用于由用戶向電子系統(tǒng)700中輸入信息的一個(gè)或一個(gè)以上輸入裝置704，例如鼠標(biāo)或其它指向裝置、鍵盤(pán)、觸摸墊、按鈕或控制面板。電子系統(tǒng)700可進(jìn)一步包括用于向用戶輸出信息(例如，視頻或音頻輸出)的一個(gè)或一個(gè)以上輸出裝置706，例如監(jiān)視器、顯示器、打印機(jī)、揚(yáng)聲器等。一個(gè)或一個(gè)以上輸入裝置 704及輸出裝置706可與存儲(chǔ)器裝置100、200、300、400、500及600以及電子信號(hào)處理器裝置702中的至少一者電連通。鑒于以上描述，本發(fā)明的一些實(shí)施例包括具有包括在存儲(chǔ)器單元之間延伸的空腔的存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器裝置。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置可包括安置于兩個(gè)電極之間的一定體積的可變電阻材料。存儲(chǔ)器單元及形成于存儲(chǔ)器單元上方的鈍化材料的一部分可部分地形成在兩個(gè)存儲(chǔ)器單元之間延伸的空腔。在額外實(shí)施例中，本發(fā)明包含包括一個(gè)或一個(gè)以上此類(lèi)存儲(chǔ)器裝置的電子系統(tǒng)。一個(gè)或一個(gè)以上此類(lèi)存儲(chǔ)器裝置可與電子信號(hào)處理器電連通。在其它實(shí)施例中，本發(fā)明包括形成此些存儲(chǔ)器裝置的方法。此些方法可包括移除安置于存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)器單元之間的選定量的電介質(zhì)材料以形成空腔。本發(fā)明的實(shí)施例可在形成供在存儲(chǔ)器裝置中使用包括增強(qiáng)的存儲(chǔ)器單元隔離的存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)中尤其有用。特定來(lái)說(shuō)，通過(guò)在存儲(chǔ)器單元之間形成的真空空腔提供增強(qiáng)的存儲(chǔ)器單元隔離可允許增強(qiáng)存儲(chǔ)器單元的熱隔離。存儲(chǔ)器裝置，特定來(lái)說(shuō)包括相變存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器裝置可經(jīng)受高溫改變以更改存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。施加到相變材料的電壓可從一個(gè)存儲(chǔ)器單元滲透到記鄰近存儲(chǔ)器單元且在一個(gè)存儲(chǔ)器單元中產(chǎn)生的熱也可滲透到鄰近存儲(chǔ)器單元。單元之間的此熱及電串?dāng)_可造成存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的無(wú)意改變。另外，在高溫改變期間由存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)的熱膨脹及收縮造成的力可給所述結(jié)構(gòu)引入應(yīng)力。在存儲(chǔ)器單元之間提供真空空腔可允許減少單元之間的熱及電串?dāng)_且減少存儲(chǔ)器單元的無(wú)意狀態(tài)改變及不期望的數(shù)據(jù)丟失。此外，在存儲(chǔ)器單元之間提供空腔可允許單元自由膨脹及松弛，從而減小由熱膨脹及收縮所造成的應(yīng)力且改善單元的結(jié)構(gòu)整體性。下面描述本發(fā)明的額外非限制實(shí)例性實(shí)施例。實(shí)施例1 一種存儲(chǔ)器裝置，其包含至少第一存儲(chǔ)器單元及第二存儲(chǔ)器單元，其位于襯底上，每一存儲(chǔ)器單元包含第一電極；第二電極；及一定體積的可變電阻材料，其位于所述第一電極與所述第二電極之間；空腔，其安置于所述至少第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間；及電介質(zhì)材料，所述電介質(zhì)材料在其與所述襯底相對(duì)的一側(cè)上在所述至少第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元上方及其之間延伸，所述電介質(zhì)材料至少部分地界定所述空腔的邊界。實(shí)施例2 實(shí)施例1的存儲(chǔ)器裝置，其中所述電介質(zhì)材料包含非保形電介質(zhì)材料。實(shí)施例3 實(shí)施例2的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包含所述至少第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料的至少一部分上的鈍化材料，所述鈍化材料部分地界定所述空腔的所述邊界。實(shí)施例4 實(shí)施例3的存儲(chǔ)器裝置，其中所述非保形電介質(zhì)材料安置于所述鈍化材料的一部分上。實(shí)施例5 實(shí)施例3的存儲(chǔ)器裝置，其中所述空腔從所述至少第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的至少一部分上的鈍化材料的一部分延伸到形成于所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的至少一部分上的鈍化材料的一部分。實(shí)施例6 實(shí)施例2的存儲(chǔ)器裝置，其中所述至少第一存儲(chǔ)器單元的一部分、所述第二存儲(chǔ)器單元的一部分及非保形電介質(zhì)材料的一部分至少部分地包封所述空腔。實(shí)施例7 實(shí)施例6的存儲(chǔ)器裝置，其中所述經(jīng)包封空腔包含真空。實(shí)施例8 實(shí)施例1的存儲(chǔ)器裝置，其中所述第一電極及所述第二電極各自包含一定體積的離散導(dǎo)電材料。實(shí)施例9 實(shí)施例1的存儲(chǔ)器裝置，其中所述體積的可變電阻材料包含相變材料。實(shí)施例10 實(shí)施例1的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包含包圍所述至少第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料的一部分的第二電介質(zhì)材料。實(shí)施例11 實(shí)施例10的存儲(chǔ)器裝置，其中所述空腔從包圍所述至少第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的所述部分的所述第二電介質(zhì)材料延伸到包圍所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的所述部分的所述第二電介質(zhì)材料。實(shí)施例12 實(shí)施例10的存儲(chǔ)器裝置，其中所述至少第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述第一電極及所述第二電極安置于所述體積的可變電阻材料的接近所述襯底的一側(cè)上。實(shí)施例13 實(shí)施例12的存儲(chǔ)器裝置，其中所述至少第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者包含安置于所述第二電介質(zhì)材料上所述體積的可變電阻材料的與所述襯底相對(duì)的一側(cè)上的至少兩個(gè)離散導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)；及安置于所述至少兩個(gè)離散導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)上且在其之間延伸的第三電介質(zhì)材料。實(shí)施例14 一種存儲(chǔ)器裝置，其包含真空空腔，其安置于第一存儲(chǔ)器單元的一定體積的可變電阻材料與第二存儲(chǔ)器單元的一定體積的可變電阻材料之間；及非保形電介質(zhì)材料，其在所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的一端上方及其之間延伸，所述真空空腔至少部分地由所述非保形電介質(zhì)材料定界。實(shí)施例15 實(shí)施例14的存儲(chǔ)器裝置，其中所述真空空腔的第一部分直接安置于所述第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料與所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料之間，且所述真空空腔的第二部分直接安置于所述第一存儲(chǔ)器單元的電極與所述第二存儲(chǔ)器單元的電極之間。實(shí)施例16 —種存儲(chǔ)器裝置，其包含襯底；多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元各自包含第一電極，其安置于所述襯底上方；第二電極；及一定體積的可變電阻材料，其安置于所述第一電極與所述第二電極之間；非保形電介質(zhì)材料，其在所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的每一者的遠(yuǎn)端上方及其之間延伸；及真空空腔，其安置于所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元之間及所述襯底與所述非保形電介質(zhì)材料之間。實(shí)施例17 實(shí)施例16的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包含包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述第一電極的電介質(zhì)材料。實(shí)施例18 實(shí)施例16的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包含包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料的電介質(zhì)材料。實(shí)施例19 實(shí)施例17的存儲(chǔ)器裝置，其中所述真空空腔從包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的一個(gè)存儲(chǔ)器單元的所述第一電極的所述電介質(zhì)材料延伸到包圍所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的另一存儲(chǔ)器單元的所述第一電極的所述電介質(zhì)材料。實(shí)施例20 實(shí)施例18的存儲(chǔ)器裝置，其中所述真空空腔從包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的一個(gè)存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的所述電介質(zhì)材料延伸到包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的另一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的所述電介質(zhì)材料。實(shí)施例21 —種電子系統(tǒng)，其包含至少一個(gè)電子信號(hào)處理器；至少一個(gè)存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述至少一個(gè)電子信號(hào)處理器電連通，所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器裝置包含
多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每一存儲(chǔ)器單元包含第一電極；第二電極；及一定體積的可變電阻材料，其安置于所述第一電極與所述第二電極之間；及真空空腔，其安置于所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料與所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料之間；及輸入裝置及輸出裝置中的至少一者，其經(jīng)配置以與所述至少一個(gè)電子信號(hào)處理器電連通。實(shí)施例22 —種形成存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包含移除安置于第一存儲(chǔ)器單元與第二存儲(chǔ)器單元之間的材料以在所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間形成空腔；及形成電介質(zhì)材料，所述電介質(zhì)材料在所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元上方及其之間延伸以至少實(shí)質(zhì)上包封所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的所述空腔。實(shí)施例23 實(shí)施例22的方法，其進(jìn)一步包含將所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者形成為包含相變材料。實(shí)施例M 實(shí)施例23的方法，其中移除安置于所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的材料包含暴露所述第一存儲(chǔ)器單元的電極的一部分及暴露所述第二存儲(chǔ)器單元的電極的一部分。實(shí)施例25 實(shí)施例M的方法，其中移除安置于所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的材料包含暴露所述第一存儲(chǔ)器單元的所述相變材料的一部分及暴露所述第二存儲(chǔ)器單元的所述相變材料的一部分。實(shí)施例沈?qū)嵤├?5的方法，其進(jìn)一步包含在所述第一存儲(chǔ)器單元的所述電極及所述相變材料的暴露部分上及所述第二存儲(chǔ)器單元的所述電極及所述相變材料的暴露部分上形成鈍化材料。實(shí)施例27 實(shí)施例M的方法，其中移除安置于所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的材料進(jìn)一步包含暴露包圍所述第一存儲(chǔ)器單元的所述相變材料的電介質(zhì)材料及包圍所述第二存儲(chǔ)器單元的所述相變材料的電介質(zhì)材料。實(shí)施例觀一種形成存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包含用電介質(zhì)材料至少部分地包圍第一存儲(chǔ)器單元及第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的一定體積的可變電阻材料，且用所述電介質(zhì)材料至少實(shí)質(zhì)上填充所述第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料與所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料之間的空間；在所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的所述電介質(zhì)材料中形成空腔；及通過(guò)在朝向所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的所述空腔的開(kāi)口上方提供另一電介質(zhì)材料來(lái)包封所述空腔。實(shí)施例四實(shí)施例觀的方法，其中用電介質(zhì)材料至少部分地包圍所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料包含在所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料上方形成第一電介質(zhì)材料；及在所述第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料上方的所述第一電介質(zhì)材料與所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料上方的所述第一電介質(zhì)材料之間安置第二電介質(zhì)材料。實(shí)施例30 實(shí)施例四的方法，其中在所述電介質(zhì)材料中形成所述空腔包含移除所述第二電介質(zhì)材料的一部分。實(shí)施例31 實(shí)施例觀的方法，其中包封所述空腔包含將非保形電介質(zhì)材料層沉積于所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者上方及其之間。實(shí)施例32 實(shí)施例觀的方法，其中在所述電介質(zhì)材料中形成所述空腔包含蝕刻所述電介質(zhì)材料的一部分。實(shí)施例33 實(shí)施例31的方法，其中包封所述空腔包含在1，000毫托或更小的壓力下包封所述空腔。實(shí)施例34 實(shí)施例32的方法，其中蝕刻所述電介質(zhì)材料的一部分包含各向異性蝕刻所述電介質(zhì)材料的所述部分。盡管本文已相對(duì)于某些優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)且了解本發(fā)明并不限于此。相反，可在不背離前文所主張的本發(fā)明范圍及法律等效內(nèi)容的前提下做出對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的許多添加、刪除及修改。另外，可將來(lái)自一個(gè)實(shí)施例的特征與另一實(shí)施例的特征組合，而此仍涵蓋于由發(fā)明者所預(yù)期的本發(fā)明范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器裝置，其包含至少第一存儲(chǔ)器單元及第二存儲(chǔ)器單元，其位于襯底上，每一存儲(chǔ)器單元包含 第一電極； 第二電極；及一定體積的可變電阻材料，其位于所述第一電極與所述第二電極之間； 空腔，其安置于所述至少第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間；及電介質(zhì)材料，所述電介質(zhì)材料在其與所述襯底相對(duì)的一側(cè)上在所述至少第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元上方及其之間延伸，所述電介質(zhì)材料至少部分地界定所述空腔的邊界。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述電介質(zhì)材料包含非保形電介質(zhì)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包含所述至少第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料的至少一部分上的鈍化材料，所述鈍化材料部分地界定所述空腔的所述邊界。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述非保形電介質(zhì)材料安置于所述鈍化材料的一部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述空腔從所述至少第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的所述至少一部分上的所述鈍化材料的一部分延伸到形成于所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料的所述至少一部分上的所述鈍化材料的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述至少第一存儲(chǔ)器單元的一部分、所述第二存儲(chǔ)器單元的一部分及所述非保形電介質(zhì)材料的一部分至少部分地包封所述空腔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述經(jīng)包封空腔包含真空。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述體積的可變電阻材料包含相變材料。
9.一種存儲(chǔ)器裝置，其包含真空空腔，其安置于第一存儲(chǔ)器單元的一定體積的可變電阻材料與第二存儲(chǔ)器單元的一定體積的可變電阻材料之間；及非保形電介質(zhì)材料，其在所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的一端上方及其之間延伸，所述真空空腔至少部分地由所述非保形電介質(zhì)材料定界。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述真空空腔的第一部分直接安置于所述第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料與所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料之間，且所述真空空腔的第二部分直接安置于所述第一存儲(chǔ)器單元的電極與所述第二存儲(chǔ)器單元的電極之間。
11.一種存儲(chǔ)器裝置，其包含 襯底；多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元各自包含 第一電極，其安置于所述襯底上方； 第二電極；及一定體積的可變電阻材料，其安置于所述第一電極與所述第二電極之間； 非保形電介質(zhì)材料，其在所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元中的每一者的遠(yuǎn)端上方及其之間延伸；及真空空腔，其安置于所述至少兩個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元之間及所述襯底與所述非保形電介質(zhì)材料之間。
12.—種形成存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包含移除安置于第一存儲(chǔ)器單元與第二存儲(chǔ)器單元之間的材料以在所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間形成空腔；及形成電介質(zhì)材料，所述電介質(zhì)材料在所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元上方及其之間延伸以至少實(shí)質(zhì)上包封所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的所述空腔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包含將所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者形成為包含相變材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中移除安置于所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的材料包含暴露所述第一存儲(chǔ)器單元的電極的一部分及暴露所述第二存儲(chǔ)器單元的電極的一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中移除安置于所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的材料包含暴露所述第一存儲(chǔ)器單元的所述相變材料的一部分及暴露所述第二存儲(chǔ)器單元的所述相變材料的一部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述第一存儲(chǔ)器單元的所述電極及所述相變材料的暴露部分上及在所述第二存儲(chǔ)器單元的所述電極及所述相變材料的暴露部分上形成鈍化材料。
17.一種形成存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包含用電介質(zhì)材料至少部分地包圍第一存儲(chǔ)器單元及第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的一定體積的可變電阻材料，且用所述電介質(zhì)材料至少實(shí)質(zhì)上填充所述第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料與所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料之間的空間；在所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的所述電介質(zhì)材料中形成空腔；及通過(guò)在朝向所述第一存儲(chǔ)器單元與所述第二存儲(chǔ)器單元之間的所述空腔的開(kāi)口上方提供另一電介質(zhì)材料來(lái)包封所述空腔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中用電介質(zhì)材料至少部分地包圍所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料包含在所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者的所述體積的可變電阻材料上方形成第一電介質(zhì)材料；及在所述第一存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料上方的所述第一電介質(zhì)材料與所述第二存儲(chǔ)器單元的所述體積的可變電阻材料上方的所述第一電介質(zhì)材料之間安置第二電介質(zhì)材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中包封所述空腔包含在所述第一存儲(chǔ)器單元及所述第二存儲(chǔ)器單元中的每一者上方及其之間沉積非保形電介質(zhì)材料層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中包封所述空腔包含在1，000毫托或更小的壓力下包封所述空腔。
全文摘要
包括可變電阻材料的存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元在所述存儲(chǔ)器單元之間具有空腔。電子系統(tǒng)包括此些存儲(chǔ)器裝置。形成存儲(chǔ)器裝置的方法包括在所述存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元之間提供空腔。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK102498566SQ201080041990
公開(kāi)日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2010年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月21日
發(fā)明者劉峻 申請(qǐng)人:美光科技公司