專利名稱：平面天線陣列以及利用其制造的產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及輻射和接收元件的天線陣列，尤其涉及包括螺旋格的輻射和接收元件的天線陣列，以及利用其制造的產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
在不限制本發(fā)明保護(hù)范圍的情況下，作為示例，將參照和人相互作用的電磁場(EMF)輻射來描述其背景。已經(jīng)確鑿證明高強(qiáng)度EMF輻射對(duì)人有負(fù)面影響。高強(qiáng)度EMF輻射損害基本細(xì)胞結(jié)構(gòu)和DNA。對(duì)于低強(qiáng)度EMF輻射來說，現(xiàn)在認(rèn)識(shí)到EMF輻射影響環(huán)境。短期和長期暴露于低強(qiáng)度EMF輻射對(duì)人的影響程度現(xiàn)在是正在研究和存在激烈爭辯的領(lǐng)域，并具有顯示短期和長期暴露對(duì)人身體負(fù)面影響程度的可靠證據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
公開了ー種平面天線陣列和利用該陣列制造的產(chǎn)品，其用于減輕低強(qiáng)度EMF輻射對(duì)人的有害影響。另外，在特殊實(shí)施例中，因?yàn)闇p輕壓力，給予了改進(jìn)的平衡能力，靈活性，能量，力量，恢復(fù)，免疫力，和/或放松。也就是說，心理因素對(duì)許多健康方面和機(jī)能的影響不能被忽視，這里提供的平面天線陣列和制造的產(chǎn)品改善了實(shí)際的和心理的因素，這些因素會(huì)引起生理的狀況和身心癥狀以及體質(zhì)相關(guān)的紊亂。在一個(gè)實(shí)施例中，密集型天線元件放置在基底上，并數(shù)目為N，其中N= I或3x，其中X是正整數(shù)。密集型天線元件中的每ー個(gè)包括實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感器，其布置為向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線，其具有六匝。每個(gè)向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線是黃金螺旋線。作為制造的產(chǎn)品，平面天線陣列例如可以并入芯片，例如手機(jī)，或者衣服，或者珠寶。


為了更完整的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明做出詳細(xì)描述，其中不同附圖中的相應(yīng)附圖標(biāo)記是指相應(yīng)的部分，其中圖IA是平面天線陣列的一個(gè)實(shí)施例的俯視圖；圖IB是三維實(shí)現(xiàn)方式的圖IA的平面天線陣列的透視圖；圖2是平面天線陣列的另ー實(shí)施例的俯視圖；圖3A和3B是平面天線陣列的再一實(shí)施例的俯視圖；圖3C是平面天線陣列的再一實(shí)施例的透視圖；圖4是平面天線陣列的又一實(shí)施例的俯視圖；圖5是平面天線陣列的又一實(shí)施例的俯視圖；圖6是用作芯片的平面天線陣列的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)橫截面圖；圖7是和移動(dòng)電話一起使用的圖6中芯片的ー個(gè)實(shí)施例的前透視圖；圖8是嵌入在衣服內(nèi)的平面天線陣列的一個(gè)實(shí)施例的前正視圖；圖9A和9B是平面天線陣列的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其中該天線陣列用于減輕人身上低強(qiáng)度EMF輻射；以及圖IOA和IOB是影響物體光屬性的平面天線陣列的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面在詳細(xì)討論本發(fā)明各種實(shí)施例的形成和利用時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明提供了許多可適用的創(chuàng)造性的概念，其可以包含在各種特定的情形中。這里討論的特定實(shí)施例僅用于示意制造和利用本發(fā)明的特定方式，而不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。開始參照?qǐng)D1A，這里描述了平面天線陣列，其示意性說明并通常指定為10。該平面天線陣列10包括基底12，其上具有放置的天線元件14，該天線元件包括實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感器16,光傳感器16被布置為向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線18或螺旋格,其具有6阻20A,20B，20C, 20D, 20E, 20F。如下所述，光傳感器16可以是順時(shí)針或逆時(shí)針螺旋線，并可以具有任意類型的相位。
在一個(gè)實(shí)施例中，向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線18是根據(jù)下述極坐標(biāo)方程描述的黃金螺旋線r = aebu 或 Θ = (1/b) In (r/a)其中e是自然対數(shù)的底，a是任意正實(shí)常數(shù)，以及b是與下述關(guān)系相關(guān)的數(shù)，該關(guān)系為當(dāng)Θ是ー匝時(shí)，方向b滿足方程/めは=0。如所理解的，b的數(shù)值取決于以角度測量角，即90度，還是以弧度測量角，即π /2弧度；并且由于角可以是任何方向，例如順時(shí)針或逆時(shí)針，因此其可以形成為下述的絕對(duì)值對(duì)于角度Θ 來說，IわI = (InpV9O = OOC)53468對(duì)于弧度Θ 來說，IゎI(lǐng) = (In的/(疋/2) = 0.306349該黃金螺旋線基于黃金比，其是在本質(zhì)上重復(fù)發(fā)現(xiàn)的基本的比例。在幾何學(xué)上，其可以通過下述獲得的比例定義，即如果分割線，使得較短線段的長度與較長線段的長度的比例和較長線段的長度與整條線的比例相同。在數(shù)學(xué)上，這些比例表示為無理數(shù)，其大約是
I.618054?；?2可以包括從下述組成的組中選擇的材料，該組例如包括纖維素紙漿，金屬，紡織品，織物，聚合物，陶瓷，有機(jī)纖維，硅，以及組合物。尤其是，基底可以包括衣服或外衣產(chǎn)品的一部分。光傳感器16可以是從下述組成的組中選擇的材料，該組包括墨水，可切割材料，以及樹脂。并且，光傳感器16可以是輻射和接收光質(zhì)子的材料或光致折變的材料。在一種實(shí)現(xiàn)方式中，光傳感器16包括非本地的，非赫茲屬性，其組織和恢復(fù)自然發(fā)生的光的光場的紊亂，即為其提供量子相干性。但是，應(yīng)當(dāng)理解，平面天線陣列10不限于實(shí)質(zhì)上在平面上的實(shí)施例。圖IB示意了平面天線陣列10的三維類似物，其也落入本發(fā)明的教導(dǎo)中。光傳感器16通過任意數(shù)量的エ藝被放置在基底12上，其中這些エ藝?yán)绨ㄇ度?，磨光，壓印，照相顯影(例如，利用激光，led或uv)，絲網(wǎng)印刷技木，電子攝影技術(shù)，色調(diào)圖形技木，熱技術(shù)，基于全像攝影的轉(zhuǎn)印技術(shù)，基于墨水的技術(shù)，電子升華轉(zhuǎn)印，模塊印刷技術(shù)，平版印刷技術(shù)，照相平版印刷，底片照相印刷技術(shù)，壓電式印刷，靜電印刷，以及熱轉(zhuǎn)印。圖2描述了平面天線陣列10的另ー實(shí)施例。如圖所示，描繪了密集型天線元件，其集體表示為14，獨(dú)立的為14A，14B，14C，數(shù)目為N，其中N= 3x, x是正整數(shù)。結(jié)合圖1，應(yīng)當(dāng)理解天線元件的數(shù)量可以是數(shù)值I，3，6，9，12，15，18等。并且，例如，天線元件14可以調(diào)整相位，使得天線元件14分別位于120° ,240°和360°。其他變形位于本發(fā)明的教導(dǎo)內(nèi)。例如，參照?qǐng)D3A和3B，描繪了平面天線陣列10的進(jìn)ー步的實(shí)施例，其中實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感壁壘22限定了密集型天線元件14的范圍，以在它們之間建立光耦合。如圖3A所示，實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感壁壘22可以是圓形或其他幾何的形狀，包含圖3B中示出的三角形。圖3C示出了三維的類似物，其甚至可以是使用的幾何形狀的全息圖或全息實(shí)施例，其中天線元件14是圍繞圓柱形光傳感壁壘22放置的螺旋線結(jié)構(gòu)。通過進(jìn)一歩解釋，圖3C的天線元件14的螺旋線包含匝數(shù)等于6，9，或y，其中y是大于9的正整數(shù)。實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感壁壘可以(在基底上)具有與天線元件14和光傳感器16類似的結(jié)構(gòu)，材料和布置。通過進(jìn)ー步示例，圖4示出了平面天線陣列的實(shí)施例，其中六個(gè)密集型天線元件的兩個(gè)分組24，26的每ー個(gè)放置在基底12上。如所描繪的，密集型天線元件14包括1-4-1密集型布置。但是，應(yīng)當(dāng)理解，其他布置也在這里提供的教導(dǎo)內(nèi)。 圖5描繪了平面天線陣列10的一個(gè)實(shí)施例，其包括天線元件14，尤其是，天線元件14D到14X，其可以以I或3x的分組布置，其中X是正整數(shù)。例如，天線元件14D和14J是單獨(dú)的或ー個(gè)一組。另ー方面,天線元件14P至14X位于9或3x個(gè)ー組中，其中X是整數(shù)3。幾何圖形為圓形的物體的分組放置在天線元件14的各個(gè)組之間，幾何圖形為圓形的物體集體表示為28，個(gè)體表示為28A至28R。這些幾何圖形為圓形的物體28表示為圓形，具有從其延伸的線。這些幾何圖形為圓形的物體28 (在基底上)的結(jié)構(gòu)，材料，和放置與天線元件14和光傳感器16的類似。這些幾何圖形為圓形的物體分組為3x個(gè)ー組，其中X是整數(shù)。例如，幾何圖形為圓形的物體28D至28F在由天線元件14E，14F，14Q和14R大約限定的邊界之間分組為三個(gè)一組。在圖IA至5中，這里描繪了平面天線陣列10的多個(gè)非限制性實(shí)施例。借助簡要概述，在螺旋學(xué)或螺旋天線陣列的示意性布置的研究中，天線陣列包括幾何上密集分組為I或3x個(gè)ー組的天線元件，其中X是整數(shù)。這些天線元件可以位于平面陣列或三維或全息類似物中。該單體或密集分組的天線陣列可以通過實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感壁壘限定。并且，在單體或密集分組的天線陣列之間，幾何圖形為圓形的物體可以分組為3x個(gè)ー組，其中X是整數(shù)。如所討論的，在一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，天線元件包括具有3x匝的螺旋線或黃金螺旋線，其中X是大于I的整數(shù)。在另ー個(gè)實(shí)施例中，螺旋線包括多匝，其可以是6，9，或y匝，其中y是大于9的正整數(shù)。圖6示意了用作芯片30的平面天線陣列10的一個(gè)實(shí)施例。在該布置中，平面天線陣列10嵌入在具有芯片30形式的多層或?qū)哟蔚膽?yīng)用中，其尺寸取決于應(yīng)用。保護(hù)性聚碳酸酯聚合物層32，34附著于或接合于平面天線陣列10的上面或下面。金屬薄層36疊加于保護(hù)性聚碳酸酯聚合物層32，以示出商標(biāo)和其他信息?；讓?8位于聚碳酸酯層34的下面。圖7是圖6中芯片30的一個(gè)實(shí)施例的前透視圖，其中該芯片用于移動(dòng)電話40。該芯片30嵌入在移動(dòng)電話40內(nèi)，或者在外部與其關(guān)聯(lián)，如圖所示。平面天線陣列的另ー應(yīng)用在圖8中描繪，其中平面天線陣列10嵌入在一件衣服50中，其中該衣服形成基底12，天線元件14放置在上面。在該實(shí)施例中，天線元件12可以以ー維或三維形式織入基底12或外衣內(nèi)。應(yīng)當(dāng)理解，平面天線陣列10不限于任何特殊的芯片或衣服或外衣的類型。通過示例，但不限于此，平面天線陣列10可以并入手鐲，腳鐲，ロ袋芯片，汽車芯片，內(nèi)衣，鞋墊，襪子，手套，I庫子，背心，夾克，1: 帶，手表，枕頭，床單，咖B非杯，玻璃杯，標(biāo)簽，存儲(chǔ)各器，或者其他制造的物品。并且，這些與平面天線陣列10相關(guān)聯(lián)的制造品不限于典型地被人們使用的這些。動(dòng)物或?qū)櫸锸褂玫奈锲坊虍a(chǎn)品，例如毛巾，馬具，套衫，領(lǐng)子，毛毯，喂食和飲水槽，也可以包括平面天線陣列10。圖9A和9B是平面天線陣列10的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其減輕人們或個(gè)體62的低強(qiáng)度EMF輻射60，人們或個(gè)體周圍具有EMF場64，其稱為生物場。在圖9A中，個(gè)體的生物場64受來自來源66的EMF輻射60的負(fù)面影響，該來源66可以描繪為移動(dòng)電話。但是應(yīng)當(dāng)理解，該來源包括任何發(fā)射EMF輻射的物體或設(shè)備，天然的或人工的。該負(fù)面影響可以是多種形式中的ー種，例如包括身體炎癥，細(xì)胞含氧量降低，精力或耐カ下降，神經(jīng)系統(tǒng)易怒，肌肉緊張，痙攣，抽筋，頭疼和偏頭疼，或者消化功能下降。如所描繪的，負(fù)面影響由數(shù)字68示出。
如圖9B所示，平面天線陣列10與個(gè)體62相關(guān)聯(lián)，其嵌入或整合入衣服68中。在一種實(shí)施方式中，形成天線元件14的光致折變或其他光材料顯示出光導(dǎo)電的和電光行為，并具有檢測和存儲(chǔ)來自EMF輻射的光強(qiáng)度空間分布的能力，其中該EMF輻射是改變的折射率的空間圖案的形式。該光感應(yīng)的電荷產(chǎn)生空間電荷分布，其產(chǎn)生內(nèi)部的電場，這反過來減輕了任何低強(qiáng)度EMF輻射的負(fù)面影響，如健康的生物場64所示。但是，如前面暗示的，平面天線陣列10的應(yīng)用不限于減輕EMF輻射的負(fù)面影響。另外，在特殊的實(shí)施例中，因?yàn)閴亥南陆?，給予了例如改進(jìn)的平衡，靈活性，能量，力量，恢復(fù)，免疫性，和/或放松。圖IOA和IOB是平面天線陣列10的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其中該陣列并入芯片實(shí)施例30，影響物體的光屬性。在圖IOA中，玻璃杯70包含液體，例如水72。對(duì)于體積V來說，力F。可以是與水72相關(guān)的電磁場和極化的電分量以及磁分量。在缺少引起Casimir效應(yīng)(I；/V = O )的應(yīng)用光子或場時(shí)，水的カ軸沒有優(yōu)選狀態(tài)，使得進(jìn)入的カ實(shí)質(zhì)上不匹配。如圖IOB所示，芯片30通過放置在玻璃杯70的下面而與其關(guān)聯(lián)。或者，芯片30并入與玻璃杯70相關(guān)聯(lián)的杯座或杯套或標(biāo)簽中。在時(shí)間t，由于在芯片30和周圍環(huán)境之間的光的和電磁的相互作用，芯片30在每個(gè)體積，V上，向水72施加作用力(F。)，產(chǎn)生調(diào)準(zhǔn)的狀態(tài)，其影響與水72的光子和電磁相關(guān)聯(lián)的ー個(gè)或多個(gè)物理屬性。通過衍生效果，水72可以認(rèn)為“被充電”，并且類似地，將作用力施加給其他物體。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)力表達(dá)為駐波的能量和，其可以在形式上理解為哈密爾頓函數(shù)的特征值的和，力，F(xiàn)。，引起原子和分子效應(yīng)，例如與范德華カ相關(guān)的效應(yīng)，其使得水72的狀態(tài)變化。如果人們認(rèn)為系統(tǒng)的哈密爾頓函數(shù)是物體，例如原子，在結(jié)構(gòu)空間布置的函數(shù)，那么水72的零點(diǎn)能量，作為結(jié)構(gòu)變化的函數(shù)，可以理解為是作用力F。的結(jié)果。應(yīng)當(dāng)理解，圖IOA和IOB中描述的作用力和產(chǎn)生的狀態(tài)變化不限制于水；水是非限制性的示例。雖然已參照示意性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是該描述不是意在進(jìn)行限制。參照所述描述，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，示意性實(shí)施例的各種變形和組合以及本發(fā)明的其他實(shí)施例是顯而易見的。因此，其目的在于所附的權(quán)利要求包含任意該變形或?qū)嵤├?br> 權(quán)利要求
1.一種平面天線陣列(10)，包括 基底(12);以及 多個(gè)密集型天線元件(14)，其數(shù)目為N，其中N從由I和3x組成的組中選擇，X是正整數(shù)，所述多個(gè)密集型天線元件(14)放置在所述基底(12)上，所述多個(gè)密集型天線元件(14)中的每一個(gè)包含實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感器(16)，其布置為具有六匝(20A，20B，20C，10D，20E，20F)并向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)， 其中每個(gè)向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)根據(jù)下述極方程描述 r = aebu 其中e是自然對(duì)數(shù)的底，a是任意正實(shí)常數(shù)，以及b是與下述關(guān)系相關(guān)的數(shù)，該關(guān)系為當(dāng)Θ是一匝時(shí)，方向b滿足方程
2.如權(quán)利要求I所述的平面天線陣列(10)，其中向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)中的每一個(gè)包括黃金螺旋線。
3.如權(quán)利要求I所述的平面天線陣列(10)，其中向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)中的至少一個(gè)包括逆時(shí)針螺旋線。
4.如權(quán)利要求I所述的平面天線陣列(10)，其中向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)中的至少一個(gè)包括順時(shí)針螺旋線。
5.如權(quán)利要求I所述的平面天線陣列(10)，進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感壁壘(22)，其限定了所述多個(gè)密集型天線元件(14)。
6.—種制造廣品，包括 基底(12)； 疊加在基底(12)上并附著于基底的第一層； 放置在基底(12)下面并附著于基底的第二層；以及 多個(gè)密集型天線元件(14)，其數(shù)目為N，其中N從由I和3x組成的組中選擇，X是正整數(shù)，所述多個(gè)密集型天線元件(14)放置在所述基底(12)上，所述多個(gè)密集型天線元件(14)中的每一個(gè)包含實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感器(16)，其布置為具有六匝(20A，20B，20C，10D，20E，20F)并向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)， 其中向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)中的每一個(gè)根據(jù)下述極方程描述 r = aebu 其中e是自然對(duì)數(shù)的底，a是任意正實(shí)常數(shù)，以及b是與下述關(guān)系相關(guān)的數(shù)，該關(guān)系為當(dāng)Θ是一匝時(shí)，方向b滿足方程
7.如權(quán)利要求11所述的制造產(chǎn)品，其中所述第一層包括保護(hù)性聚碳酸酯聚合物(34)。
8.如權(quán)利要求11所述的制造產(chǎn)品，其中所述第二層包括保護(hù)性聚碳酸酯聚合物(34)。
9.如權(quán)利要求11所述的制造產(chǎn)品，其中向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)中的每一個(gè)包括黃金螺旋線。
10.一種平面天線陣列(10)，包括 基底(12);以及 六個(gè)密集型天線元件(24，26)的第一分組，所述密集型天線元件(24，26)的第一分組放置在所述基底上，所述六個(gè)密集型天線元件(24，26)中的每一個(gè)包括實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感器(22)，其布置為具 有六匝(20A，20B，20C，20D，20E，20F)并向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)； 六個(gè)密集型天線元件(24，26)的第二分組，其與第一分組相鄰放置，所述密集型天線元件(24，26)的第二分組放置在所述基底(12)上，所述六個(gè)密集型天線元件(24，26)中的每一個(gè)包括實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感器(16)，其布置為具有六匝(20A，20B，20C，20D，20E，20F)并向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)； 其中第一分組和第二分組的向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)中的每一個(gè)根據(jù)下述極方程描述r = aebu 其中e是自然對(duì)數(shù)的底，a是任意正實(shí)常數(shù)，以及b是與下述關(guān)系相關(guān)的數(shù)，該關(guān)系為當(dāng)Θ是一匝時(shí)，方向b滿足方程
全文摘要
公開了一種平面天線陣列(10)和使用其制造的產(chǎn)品。在一個(gè)實(shí)施例中，密集型天線元件(14)，放置在基底(12)上，數(shù)目為N，其中N＝3x，x是正整數(shù)。密集型天線元件(14)中的每一個(gè)包括實(shí)質(zhì)連續(xù)的光傳感器(16)，其布置為向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)，該螺旋線具有六匝(20A，20B，20C，20D，20E，20F)。向外延伸的一般對(duì)數(shù)螺旋線(18)中的每一個(gè)可以是黃金螺旋線。作為制造的產(chǎn)品，平面天線陣列(10)可以并入芯片(30)，例如手機(jī)(40)，或者衣服(50)。
文檔編號(hào)H01Q21/00GK102640354SQ201080041676
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2010年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者凱瑟琳·瑞維斯, 唐·萬斯, 拉爾夫·蘇達(dá)斯 申請(qǐng)人:Svr發(fā)明公司