專利名稱：液晶顯示裝置和液晶顯示裝置的制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置和液晶顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
以往提出了各種液晶顯示裝置。例如，特開平9-197433號公報(專利文獻1)記載的液晶顯示裝置具備透明的基板；形成在該基板上的柵極電極和柵極焊盤；以及源極電極和漏極電極。柵極焊盤包括由鋁(Al)等形成的金屬膜；以及形成在該金屬膜上，由鈦(Ti)等形成的金屬膜。源極電極和漏極電極也由鈦等形成。而且，特開2004-214606號公報(專利文獻2~)中記載了采用鋁合金膜的顯示設備?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 特開平9-197433號公報專利文獻2 特開2004-214606號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題在制造上述現(xiàn)有的液晶顯示裝置的過程中，在形成柵極電極、源極電極和漏極電極時，需要對鈦(Ti)進行圖案化。在對鈦(Ti)進行圖案化時，采用等離子體干式蝕刻。當用干式蝕刻對鈦(Ti)進行圖案化時，在室內(nèi)產(chǎn)生了鈦的微小粉塵。當鈦的粉塵落在基板上時，無法正確地進行柵極電極等的圖案化，成品率顯著降低。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在與提供能實現(xiàn)提高成品率的液晶顯示裝置和液晶顯示裝置的制造方法。用于解決問題的方案本發(fā)明的液晶顯示裝置具備基板，其包括像素排列區(qū)域和位于像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件，其形成于像素排列區(qū)域；電極，其設于開關(guān)元件；引出配線，其與開關(guān)元件連接；以及焊盤部，其與引出配線連接。上述電極、上述引出配線和上述焊盤部中的至少1個包括鋁合金材料膜。上述鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有與鋁和列舉的元素不同的元素的其它成分，合金成分的元素和其它成分的元素的合計的元素為3種以上。優(yōu)選上述鋁合金材料膜包括0. 5wt%以上的合金成分。優(yōu)選包含于上述鋁合金材料膜的合金成分為4. 5wt%。優(yōu)選上述鋁合金材料膜包括導電性的析出物。
優(yōu)選上述開關(guān)元件的電極包括漏極電極，還具備與漏極電極連接的像素電極，上述漏極電極包括鋁合金材料膜，像素電極與漏極電極的鋁合金材料膜連接。在上述鋁合金材料膜的表面中的至少與像素電極接觸的部分，露出地形成有析出物。優(yōu)選上述開關(guān)元件還包括半導體層，開關(guān)元件的電極包括形成在半導體層上的源極電極和漏極電極。上述漏極電極和源極電極包括鋁合金材料膜以及配置在鋁合金材料膜和半導體層之間的金屬膜，金屬膜由密度比合金成分的元素和其它成分的元素大的元素形成。優(yōu)選上述漏極電極和源極電極還包括形成在鋁合金材料膜與金屬膜之間的、由鋁形成的中間膜。優(yōu)選上述金屬膜由鉬形成。優(yōu)選上述焊盤部由鋁合金材料膜形成。優(yōu)選還具備在上述焊盤部上形成的透明導電膜，焊盤部由鋁合金材料膜形成，鋁合金材料膜包括導電性的析出物。在上述焊盤部的表面中的與透明導電膜接觸的部分，露出地形成有導電性的析出物。優(yōu)選上述開關(guān)元件的電極包括源極電極和漏極電極，焊盤部由第1鋁合金材料膜形成，源極電極和漏極電極由第2鋁合金材料膜形成。上述第1鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的第1合金成分；以及含有與鋁和列舉的元素不同的元素的第1其它成分，第1合金成分的元素和第1其它成分的元素的合計的元素為3種以上。上述第2鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的第2合金成分；含有與鋁和列舉的元素不同的元素的第2其它成分，第2合金成分的元素和第2其它成分的元素的合計的元素為3種以上。上述第1鋁合金材料膜包括導電性的第1析出物，第2鋁合金材料膜包括導電性的第2析出物。上述第1析出物的分布密度比第2析出物的分布密度高。優(yōu)選上述開關(guān)元件的電極包括源極電極和柵極電極，引出配線包括與源極電極連接的源極線和與柵極電極連接的柵極線。上述焊盤部包括與源極線連接的源極焊盤和與柵極線連接的柵極焊盤，源極焊盤和柵極焊盤由第1鋁合金材料膜形成。優(yōu)選上述開關(guān)元件包括柵極電極，其形成在基板的主表面上；半導體層，其形成在柵極電極上；源極電極，其形成在半導體層上；以及漏極電極，其形成在半導體層上，與源極電極隔開間隔形成，引出配線包括與柵極電極連接的柵極線和與源極電極連接的源極線。上述焊盤部包括與柵極線連接的柵極焊盤和與源極線連接的源極焊盤，柵極電極、柵極線以及柵極焊盤由鋁合金材料膜形成。優(yōu)選上述源極電極、漏極電極以及源極焊盤包括鋁合金材料膜。本發(fā)明的液晶顯示裝置具備基板，其包括像素排列區(qū)域和位于像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件，其形成在像素排列區(qū)域；電極，其設于開關(guān)元件；引出配線，其與開關(guān)元件連接；焊盤部，其與引出配線連接；以及透明導電膜，其形成在焊盤部上。上述電極、引出配線和焊盤部中的至少1個包括鋁合金材料膜，鋁合金材料膜與透明導電膜的電位差小于鋁膜與透明導電膜的電位差。本發(fā)明的液晶顯示裝置具備基板，其包括像素排列區(qū)域和位于像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件，其形成在像素排列區(qū)域；電極，其設于開關(guān)元件；引出配線，其與開關(guān)元件連接；以及焊盤部，其與引出配線連接。上述電極、引出配線和焊盤部中的至少 1個包括鋁合金材料膜，鋁合金材料膜具有作為母材的鋁；含有從包括鈷(Co)、銠(他)、
7鎳(Ni)、鈀(Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有從包括銅(Cu)、鑭(La)、硼(B)、錢(Nd)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、釔(Y)、鈮 (Nb)、鎢(W)和鋯(Zr)的群中選擇的至少1種元素的其它成分。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法是以下液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置具備基板，其包括像素排列區(qū)域和位于像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件， 其形成在像素排列區(qū)域；電極，其設于開關(guān)元件；引出配線，其與開關(guān)元件連接；以及焊盤部，其與引出配線連接。并且具備準備具有主表面的基板的工序；形成鋁合金材料膜的工序，上述鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有與鋁和列舉的元素不同的元素的其它成分， 合金成分的元素和其它成分的元素的合計的元素為3種以上；以及將鋁合金材料膜圖案化，形成電極、引出配線和焊盤部中的至少1個的工序。優(yōu)選上述鋁合金材料膜包括0. 5wt%以上的合金成分。優(yōu)選包含于上述鋁合金材料膜的合金成分為4. 5wt%以下。優(yōu)選通過用濕式蝕刻對鋁合金材料膜進行圖案化而形成上述電極。優(yōu)選還具備對上述鋁合金材料膜進行加熱， 由此在鋁合金材料膜內(nèi)形成析出物的工序；使析出物從鋁合金材料膜的表面露出的工序； 以及在鋁合金材料膜的表面中的露出了析出物的部分形成透明導電膜的工序。優(yōu)選形成上述電極的工序包括在基板的主表面上形成鋁合金材料膜的工序；以及對鋁合金材料膜進行圖案化來形成柵極電極的工序，電極為柵極電極。優(yōu)選還具備覆蓋上述柵極電極地形成柵極絕緣膜的工序，利用形成柵極絕緣膜的熱在鋁合金材料膜內(nèi)形成導電性的析出物。優(yōu)選還具備在上述基板的主表面上形成柵極電極的工序；覆蓋柵極電極地形成柵極絕緣膜的工序；在柵極絕緣膜上并且是在柵極電極的上方形成半導體層的工序；以及形成金屬膜的工序，該金屬膜形成在半導體層上，由密度比合金成分的元素和其它成分的元素大的元素形成。形成上述電極的工序包括在金屬膜上形成鋁合金材料膜的工序；以及對鋁合金材料膜進行圖案化，形成作為電極的源極電極和漏極電極的工序。優(yōu)選上述金屬膜由鉬形成。優(yōu)選還具備覆蓋上述源極電極和漏極電極地形成絕緣膜的工序，利用形成絕緣膜的熱在源極電極和漏極電極內(nèi)形成析出物。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法是以下液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置具備基板，其包括像素排列區(qū)域和位于上述像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；上述開關(guān)元件，其形成在像素排列區(qū)域；上述電極，其設于開關(guān)元件；上述引出配線，其與開關(guān)元件連接；以及上述焊盤部，其與引出配線連接，上述液晶顯示裝置的制造方法具備準備具有主表面的基板的工序；形成鋁合金材料膜的工序，該鋁合金材料膜具有作為母材的鋁；含有從包括鈷(Co)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有從包括銅(Cu)、鑭(La)、硼(B)、釹(Nd)、銀 (Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、釔(Y)、鈮(Nb)、鎢(W)和鋯(Zr)的群中選擇的至少1種元素的其它成分；以及將鋁合金材料膜圖案化，形成電極、引出配線和焊盤部中的至少1個的工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置和液晶顯示裝置的制造方法，能實現(xiàn)成品率的提高。


圖1是示出本發(fā)明的實施方式1的電視接收機500的構(gòu)成的分解立體圖。圖2是示意性地示出液晶顯示裝置300的立體圖。圖3是示意性地示出液晶顯示元件200的俯視圖。圖4是示出液晶顯示面板101和偏振板156的配置狀態(tài)的分解立體圖。圖5是液晶顯示面板101的俯視圖。圖6是示出形成于有源矩陣基板130的薄膜晶體管陣列的電路圖。圖7是有源矩陣基板130的截面圖。圖8是形成于周邊區(qū)域105的源極焊盤114的截面圖。圖9是示意性地示出像素排列區(qū)域107內(nèi)的一部分的俯視圖。圖10是示意性地示出鋁合金材料膜136b與像素電極116的接觸部位的截面圖。圖11是詳細示出ITO膜141與柵極焊盤112的接觸部分的截面圖。圖12是示出液晶顯示裝置300的制造工序的第1制造工序的截面圖。圖13是在圖12示出的液晶顯示裝置300的制造工序的第1制造工序中形成源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。圖14是示出圖12和圖13所示的液晶顯示裝置300的制造工序后的制造工序的截面圖。圖15是在圖14示出的制造工序中源極焊盤114的截面圖。圖16是圖14和圖15示出的制造工序時的俯視圖。圖17是示出圖14至圖16所示的液晶顯示裝置300的制造工序后的制造工序的截面圖。圖18是圖17所示的制造工序時的源極焊盤114的截面圖。圖19是圖17和圖18所示的制造工序時的俯視圖。圖20是示出圖17至圖19所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖21是圖20所示的制造工序時的源極焊盤114的截面圖。圖22是圖20和圖21所示的制造工序時的俯視圖。圖23是本實施方式2的液晶顯示裝置的有源矩陣基板130的截面圖。圖M是源極焊盤114的截面圖。圖25是示出本發(fā)明的實施方式3的液晶顯示裝置300的制造工序的第1制造工序的截面圖。圖沈是形成源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。圖27是示出圖25、圖沈所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖28是形成源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。圖四是示出圖27和圖28所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖30是圖四所示的制造工序時形成有源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。圖31是示出圖四和圖30所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖32是在圖31所示的制造工序時形成有源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。圖33是本發(fā)明的實施方式3的液晶顯示裝置的截面圖。圖34是源極焊盤114的截面圖。
圖35是示出本實施方式3的液晶顯示裝置300的制造工序中的第1制造工序的截面圖。圖36是圖35所示的制造工序中形成源極焊盤的區(qū)域的截面圖。圖37是示出圖35和圖36所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖38是圖37所示的制造工序中形成源極焊盤的區(qū)域的截面圖。圖39是示出圖37和圖38所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖40是圖39所示的制造工序中形成有源極焊盤的區(qū)域的截面圖。圖41是示出圖39和圖40所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖42是圖41所示的制造工序中形成源極焊盤的區(qū)域的截面圖。圖43是示出圖41和圖42所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖44是圖43所示的制造工序中形成源極焊盤的區(qū)域的截面圖。
具體實施例方式用圖1至圖44說明本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置和液晶顯示裝置的制造方法。此外，在以下說明的實施方式中，在提到個數(shù)、量等的情況下，除了有特別記載的情況以外，本發(fā)明的范圍不必限定其個數(shù)、量。另外，在以下的實施方式中，除了有特別記載的情況以外，各構(gòu)成要素對本發(fā)明來說并不是必須的。另外，以下在存在多個實施方式的情況下，除了有特別記載的情況以外，適當?shù)亟M合各實施方式的特征部分是當初就預定的。(實施方式1)圖1是示出本發(fā)明的實施方式1的電視接收機500的構(gòu)成的分解立體圖。如該圖 1所示，電視接收機500具備配置在前面?zhèn)鹊南潴w181 ；配置在背面?zhèn)鹊南潴w182 ；配置在箱體181與箱體182間的液晶顯示裝置300 ；操作用電路184 ；以及支撐用部件185。液晶顯示裝置300被包入箱體181和箱體182，由箱體181和箱體182夾持。在箱體181中形成有開口部183，能使顯示于液晶顯示裝置300的圖像透過到外部。在箱體182中設有用于操作液晶顯示裝置300的操作用電路184。箱體182由支撐用部件185支撐。圖2是示意性地示出液晶顯示裝置300的立體圖。如該圖2所示，液晶顯示裝置 300具備包括液晶顯示面板101的液晶顯示元件200 ；裝載于液晶顯示面板101的一方主表面的偏振板156 ；裝載于液晶顯示面板101的另一方主表面的偏振板；以及對液晶顯示面板101照射光的背光源單元186。圖3是示意性地示出液晶顯示元件200的俯視圖。如該圖3所示，液晶顯示元件 200具備液晶顯示面板101 ；與液晶顯示面板101的柵極端子部150連接的柵極驅(qū)動器 152 ；與液晶顯示面板101的源極端子部151連接的源極驅(qū)動器153 ；連接著柵極驅(qū)動器152 和源極驅(qū)動器153的印刷電路基板配線154 ；以及連接著印刷電路基板配線154的顯示控制電路155。圖4是示出液晶顯示面板101和偏振板156的配置狀態(tài)的分解立體圖。如該圖4 所示，在液晶顯示面板101的一方主表面裝載有偏振板156a，在液晶顯示面板101的另一方主表面裝載有其它偏振板156b。
此外，形成為偏振板156a的偏振軸方向與偏振板156b的偏振軸方向相互正交。對偏振板156a輻射來自圖2示出的背光源單元186的光。液晶顯示面板101包括有源矩陣基板；與該有源矩陣基板相對地隔開間隔配置的相對基板；以及被封入有源矩陣基板和相對基板間的液晶層。圖5是液晶顯示面板101的俯視圖。如該圖5所示，液晶顯示面板101包括包括顯示區(qū)域103和非顯示區(qū)域104的像素排列區(qū)域107 ；以及位于該像素排列區(qū)域107的周圍的周邊區(qū)域105。顯示區(qū)域103是顯示圖像的區(qū)域，由多個像素形成。非顯示區(qū)域104是不顯示圖像的區(qū)域，配置在顯示區(qū)域103的周圍。圖6是示出形成于有源矩陣基板130的薄膜晶體管陣列的電路圖。有源矩陣基板130具備透明基板123，上述透明基板123包括像素排列區(qū)域107和位于像素排列區(qū)域107的周圍的周邊區(qū)域105。在透明基板123的主表面中的位于像素排列區(qū)域107的顯示區(qū)域103的部分排列有多個薄膜晶體管(開關(guān)元件)115。在有源矩陣基板130上形成有多個與薄膜晶體管115 的柵極電極連接的柵極線111、與薄膜晶體管115的源極電極連接的源極配線113。薄膜晶體管115的漏極電極連接著像素電極116。有源矩陣基板130通常為長方形的形狀。柵極線111在有源矩陣基板130的長邊方向上延伸，在有源矩陣基板130的短邊方向上隔開間隔形成有多個柵極線111。源極配線 113在短邊方向上延伸，在長邊方向上隔開間隔形成有多個源極配線113。在由柵極線111和源極配線113圍起的區(qū)域內(nèi)配置有1個像素電極116。柵極線111從薄膜晶體管115引出，從像素排列區(qū)域107延伸到周邊區(qū)域105。并且，在柵極線111中位于周邊區(qū)域105上的部分形成有柵極焊盤112。源極配線113從薄膜晶體管115引出，從像素排列區(qū)域107延伸到周邊區(qū)域105。 并且，在源極配線113中位于周邊區(qū)域105上的部分形成有源極焊盤114。圖7是有源矩陣基板130的截面圖。此外，在圖7中，附圖的左側(cè)是顯示區(qū)域103 的截面圖，右側(cè)是形成于周邊區(qū)域105的柵極焊盤112的截面圖。圖8是形成于周邊區(qū)域 105的源極焊盤114的截面圖。圖9是示意性地示出像素排列區(qū)域107內(nèi)的一部分的俯視圖。如圖7所示，有源矩陣基板130具備透明基板123，在透明基板123上形成有薄膜晶體管115。有源矩陣基板130具備柵極電極132，其位于像素排列區(qū)域107內(nèi)，形成在透明基板123上；柵極線111，其形成在透明基板123上，與柵極電極132連接；柵極焊盤112， 其位于周邊區(qū)域105，形成在透明基板123上；以及柵極絕緣膜133，其形成為覆蓋柵極電極 132、柵極線111和柵極焊盤112。如圖9所示，柵極電極132、柵極線111和柵極焊盤112 —體地形成。柵極線111 連接柵極電極132和柵極焊盤112，柵極焊盤112形成于柵極線111的端部。在圖7中，有源矩陣基板130具備半導體層134，其形成在柵極絕緣膜133的上表面上，位于柵極電極132的上方；漏極電極(第1電極)136，其形成在該半導體層134上； 以及源極電極135，其形成在半導體層134上，從漏極電極136隔開間隔形成。薄膜晶體管115包括柵極電極132、半導體層134、源極電極135和漏極電極136。
半導體層134具備形成在柵極絕緣膜133上的非晶硅膜(a_Si膜i層)13 和形成在該非晶硅膜(i層)13 上的非晶硅膜(η+層)134b。非晶硅膜(i層)13 發(fā)揮薄膜晶體管115的溝道部的功能。如圖9所示，漏極電極136連接著漏極配線117，該漏極配線117與漏極焊盤部118 連接。該漏極焊盤部118連接著像素電極116。漏極電極136、漏極配線117和漏極焊盤部 118 —體地形成，漏極電極136和像素電極116被電連接。像素電極116由ITO膜形成。源極電極135連接著源極配線113，源極配線113的端部通過接觸部125連接著源極焊盤114。源極電極135和源極配線113形成在柵極絕緣膜133上，源極焊盤114形成在透明基板123的主表面上。圖9示出的接觸部125是貫通柵極絕緣膜133地形成的，連接源極焊盤114的端部和源極配線113的端部。柵極電極132、柵極線111和柵極焊盤112以及源極焊盤114都形成在透明基板 123的主表面上，由相同的第1鋁合金材料膜形成。漏極電極136、漏極配線117、漏極焊盤部118、源極電極135和源極配線113包括第2鋁合金材料膜136b、13 和形成在該鋁合金材料膜136b、13 下的金屬膜136a、13fe。第1鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷(Co)、銠(1 )、鎳(Ni)、鈀 (Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素的合金成分(第1合金成分)；以及含有與鋁和上述列舉的元素不同的元素的其它成分(第1其它成分)，是合金成分的元素和其它成分的元素的合計的元素為3種以上的鋁合金材料膜。第2鋁合金材料膜135b、136b也包括作為母材的鋁；含有從包括鈷(Co)、銠 (Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素的合金成分(第2合金成分)；以及含有與鋁和上述列舉的元素不同的元素的其它成分(第2其它成分)，是合金成分的元素和其它成分的元素的合計的元素為3種以上的鋁合金材料膜。第1鋁合金材料膜和第2鋁合金材料膜135b、136b都能通過濕式蝕刻來進行圖案化，能抑制在形成各配線、焊盤和電極時產(chǎn)生粉塵，能良好地進行圖案化。由此，能實現(xiàn)有源矩陣基板130和液晶顯示裝置300等的成品率的提高。在第1鋁合金材料膜和第2鋁合金材料膜13^、136b中，含有從包括鈷(Co)、銠 (Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素作為合金成分，由此能實現(xiàn)與ITO膜等透明導電膜的接觸電阻的提高。而且，含有除了鋁、鈷(Co)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫 (Sn)以外的元素的其它成分(第1其它成分，第2其它成分)，由此能實現(xiàn)方塊電阻(sheet resistance)的減少和耐藥液性的提高。作為其它成分，例如能采用銅(Cu)、鑭(La)、硼(B)、釹(Nd)、銀(Ag)、金(Au)、鉬 (Pt)、釔(Y)、鈮(Nb)、鎢(W)和鋯(Zr)。如圖7所示，像素電極116與漏極焊盤部118的鋁合金材料膜136b連接。上述鋁合金材料膜與ITO膜之間的電位差為1.0V程度，另一方面，鋁與ITO膜之間的電位差為1. 6V程度。因此，當將使上述鋁合金材料膜與ITO膜接觸的情況和使鋁與ITO 膜接觸的情況相比，上述鋁合金材料膜難以腐蝕。因此，也如圖7所示，能將像素電極116
12和鋁合金材料膜直接連接。同樣，能使由鋁合金材料膜形成的柵極焊盤112與ITO膜(透明導電膜)141直接接觸。圖10是示意性地示出鋁合金材料膜136b與像素電極116的接觸部位的截面圖。如該圖10所示，鋁合金材料膜136b包括母材119b和多個析出物119a。析出物119a是導電性的粒狀析出物。析出物119a從母材119b內(nèi)遍及母材119b 的表面地分布。并且，在第2鋁合金材料膜136b的表面中的與像素電極116接觸部分，析出物119a從母材119b的表面露出。然后，該露出的析出物119a與像素電極116接觸，由此能抑制像素電極116與第 2鋁合金材料膜136b的接觸電阻變低。在此，析出物是AIxRy(X和Y是正的整數(shù)R是鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫中的任一種元素)。例如，在作為鋁合金材料膜136b的合金成分至少包括Ni(鎳)的情況下，析出物 119a 為 Al3Ni。優(yōu)選包含于第2鋁合金材料膜13^、136b中的含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種的合金成分為0. 5wt%以上。通過采用這種合金成分，能確保將該第2鋁合金材料膜13恥、136b與ITO膜層疊時的顯影液耐性，能抑制在第2鋁合金材料膜13^、136b中發(fā)生腐蝕。而且，能抑制第2鋁合金材料膜13^、136b與ITO膜的接觸電阻變低。而且，優(yōu)選含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分為4. 5wt%以下。通過采用這種鋁合金材料膜，能抑制在第2鋁合金材料膜13恥、 136b中發(fā)生腐蝕，并且能抑制第2鋁合金材料膜135b、136b與ITO膜的接觸電阻變低。作為鋁合金材料膜，例如能舉出包括作為母材的鋁(Al)、作為合金成分的鎳(Ni) 以及作為其它成分的銅(Cu)和鑭(La)的Al-Ni-Cu-La合金材料膜。作為其它例，能舉出包括作為母材的鋁(Al)、作為合金材料的鎳(Ni)和鍺(Ge)以及作為其它成分的釹(Nd)的Al-Ni-Ge-Nd合金材料膜。作為其它例，能舉出包括作為母材的鋁(Al)、作為合金成分的鈷(Co)和鍺(Ge)以及作為其它成分的釹(Nd)的Al-Co-Ge-Nd合金材料膜。作為其它例，作為鋁合金材料膜，能舉出例如包括作為母材的鋁(Al)、作為合金成分的鎳(Ni)以及作為其它成分的硼(B)的Al-Ni-B合金材料膜。上述的鋁合金材料膜是如下鋁合金材料膜，具有作為母材的鋁；含有從包括鈷 (Co)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及與鋁和列舉的元素不同的元素的其它成分，“與鋁和列舉的元素不同的元素”為銅(Cu)、鑭(La)、硼(B)、釹(Nd)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、釔(Y)、鈮(Nb)、鎢 (W)和鋯(Zr)。根據(jù)該鋁合金材料膜，能實現(xiàn)與ITO膜的接觸電阻的減少和方塊電阻的減少，并且能確保耐藥液性。而且，作為“與鋁和列舉的元素不同的元素”，優(yōu)選采用銅(Cu)、鑭(La)、硼⑶、釹 (Nd)。而且，上述鋁合金材料膜中的Al-Ni-Cu-La合金材料膜、Al-Ni-Ge-Nd合金材料膜和Al-Co-Ge-Nd合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有與鋁和列舉的元素不同的元素的其它成分，合金成分的元素和其它成分的元素的合計的元素為3種以上。根據(jù)該鋁合金材料膜，能實現(xiàn)與ITO膜的接觸電阻的減少和方塊電阻的減少，并且能確保耐藥液性。而且，作為具體例，例如能從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇鎳(Ni)。 并且，能采用包括1.0wt%的鎳、0. 5wt%的銅(Cu)、0. 3wt%的鑭(La)以及鋁(Al)的鋁合金材料膜作為第2鋁合金材料膜13^、136b。此外，優(yōu)選用鎳作為合金成分。金屬膜135a、136a形成于第2鋁合金材料膜13^、136b的下表面，形成在第2鋁合金材料膜135b、136b與半導體層134之間。金屬膜13^1、136a由密度比第2鋁合金材料膜135b、136b的合成金屬的元素的密度以及與鋁和鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺、錫不同的其它成分的元素的密度大的元素形成。金屬膜13^1、136a例如由鉬(Mo)形成。在該金屬膜13fe、136a中，包含于第2鋁合金材料膜13^、136b內(nèi)的合金成分到達半導體層134，抑制上述合金成分在半導體層134 內(nèi)擴散，抑制薄膜晶體管115的Vth值等發(fā)生變動。另外，在圖7中，有源矩陣基板130具備形成在柵極焊盤112的上表面的ITO膜 141，柵極焊盤112與ITO膜141直接接觸。圖11是詳細示出ITO膜141與柵極焊盤112的接觸部分的截面圖，如該圖11中也示出的那樣，柵極焊盤112包括母材129b和多個析出物129a。析出物129a是導電性的粒狀析出物。析出物129a從母材129b內(nèi)遍及母材129b 的表面地分布。并且，在柵極焊盤112的表面中的與ITO膜141接觸的部分，析出物129a露出。 該析出物129a與ITO膜141發(fā)生接觸，由此謀求減少ITO膜141與柵極焊盤112的接觸電阻。優(yōu)選包含于柵極焊盤112中的含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種的合金成分為0. 5wt%以上。通過采用這種合金成分，能確保將該柵極焊盤 112和ITO膜層疊時的顯影液耐性，能抑制柵極焊盤112發(fā)生腐蝕，并且能抑制柵極焊盤 112與ITO膜的接觸電阻變低。而且，優(yōu)選含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分為0. 5wt%以上4. 5wt%以下。通過采用這種鋁合金材料膜，能抑制柵極焊盤112 發(fā)生腐蝕，并且能抑制柵極焊盤112與ITO膜的接觸電阻變低。作為具體例，例如從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇鎳。并且，能將包括1. Owt %的鎳(Ni)、0. 5wt%的銅(Cu)、0. 3wt%的鑭(La)以及鋁(Al)的鋁合金用作柵極焊盤112。在該例中，采用鎳作為鋁合金材料的合金成分，采用銅和鑭作為其它成分。在此，形成于形成柵極焊盤112和源極焊盤114的第1鋁合金材料膜內(nèi)的析出物 129a的分布密度比形成于第2鋁合金材料膜136b內(nèi)的析出物119a的分布密度高。因此，在ITO膜141與柵極焊盤112的界面中，每單位面積中析出物129a從母材 129b露出的面積大于在像素電極116與第2鋁合金材料膜136b的界面中，每單位面積中析出物119a從母材119b露出的面積。在圖7中，在像素排列區(qū)域107內(nèi)，有源矩陣基板130具備覆蓋源極電極135、漏極電極136和漏極焊盤部118地形成的層間絕緣膜140。層間絕緣膜140包括覆蓋源極電極135、漏極電極136和漏極焊盤部118地形成在柵極絕緣膜133上的鈍化膜137以及形成在該鈍化膜137上的平坦化膜138。鈍化膜137由氮化硅膜形成，例如，在250度程度通過CVD法形成。此外，鈍化膜 137和柵極絕緣膜133都由氮化硅膜形成，但是柵極絕緣膜133比鈍化膜137的組織更致密。平坦化膜138由丙烯酸類合成樹脂等有機材料形成。在層間絕緣膜140中形成有接觸孔175，上述接觸孔175形成為到達漏極焊盤部 118。像素電極116形成為從平坦化膜138的上表面通過接觸孔175的內(nèi)周面，到達鋁合金材料膜136b的上表面。有源矩陣基板130具備形成在周邊區(qū)域105的柵極焊盤112 ；以及形成在該柵極焊盤112的上表面的ITO膜141。在柵極焊盤112的周圍，形成有柵極絕緣膜133和形成在該柵極絕緣膜133上的非晶硅膜(i層)13如。在柵極絕緣膜133和非晶硅膜(i層)13 中形成有到達柵極焊盤 112的上表面的接觸孔170。ITO膜141形成為從非晶硅膜(i層)13 的上表面通過接觸孔170的內(nèi)周面，到達柵極焊盤112的上表面。在圖8中，在源極焊盤114的周圍形成有柵極絕緣膜133和形成在該柵極絕緣膜 133上的非晶硅膜(i層)13如。在柵極絕緣膜133和非晶硅膜(i層)13 中形成有到達源極焊盤114的上表面的接觸孔176。ITO膜141形成為從非晶硅膜(i層)13 的上表面通過接觸孔176的內(nèi)周面到達源極焊盤114的上表面。用圖12至圖22說明本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置300的制造方法。圖12是示出液晶顯示裝置300的制造工序的第1制造工序的截面圖。圖13是在圖12所示的液晶顯示裝置300的制造工序的第1制造工序中形成源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。如圖12和圖13所示，在透明基板123的主表面上例如用濺射蒸鍍法形成鋁合金材料膜。然后，將形成的鋁合金材料膜圖案化，將柵極電極132、柵極線111、柵極焊盤112 和源極焊盤114形成在透明基板123的主表面上。如上述那樣，鋁合金材料膜能通過濕式蝕刻進行圖案化，能良好地形成柵極線111、柵極焊盤112、柵極電極132和源極焊盤114。此外，柵極線111、柵極焊盤112、柵極電極132和源極焊盤114的膜厚例如為 2000 A程度。圖14是示出上述圖12和圖13所示的液晶顯示裝置300的制造工序后的制造工序的截面圖，圖15是圖14所示的制造工序中源極焊盤114的截面圖。如該圖14和圖15所示，柵極絕緣膜133以覆蓋柵極電極132、柵極線111、柵極焊盤112和源極焊盤114的形式形成在透明基板123的主表面上。柵極絕緣膜133例如通過CVD法形成，成膜溫度例如為350°C程度。在形成柵極絕緣膜133時，工作室內(nèi)的溫度變高，已經(jīng)形成的柵極電極132、柵極線111、柵極焊盤112和源極焊盤114的溫度也上升。然后，通過將柵極電極132、柵極線 111、柵極焊盤112和源極焊盤114冷卻，在柵極電極132、柵極線111、柵極焊盤112和源極焊盤114內(nèi)析出導電性的析出物。析出物是AlxRY(x和1為正整數(shù)R為Co、Rh, Ni、Pd、C、Si、Ge和Sn中的任一種)。此外，柵極絕緣膜133由氮化硅膜形成，柵極絕緣膜133的膜厚例如為4100 A程度。并且，在形成柵極絕緣膜133后，在柵極絕緣膜133的上表面上通過CVD法依次形成非晶硅膜(i層)和非晶硅膜(η+層)。然后，非晶硅膜(i層)和非晶硅膜(η+層)被圖案化。由此，形成包括非晶硅膜(i層)13 和非晶硅膜(η+層)134b的半導體層134。非晶硅膜(i層)13 的膜厚例如為1750 A程度，非晶硅膜(η+層)134b例如為 550 A程度。非晶硅膜(i層)13 殘留位于柵極絕緣膜133的上表面中的柵極電極132的上方的部分和位于柵極焊盤112的上方的部分。形成在柵極電極132的上方的非晶硅膜(i層)13 以覆蓋柵極電極132的方式被圖案化。在該非晶硅膜(i層)13 的上表面，位于隔開間隔的位置地形成非晶硅膜(η+ 層)■。在形成在柵極焊盤112的上方的非晶硅膜(i層)13 中，形成有孔部134f。在形成在該柵極焊盤112的上方的非晶硅膜(i層)13 的上表面形成有非晶硅膜(η+層)134b。 在該非晶硅膜(η+層)134b中也形成有與孔部134f連通的孔部13如。然后，通過孔部13 和孔部134f，位于柵極焊盤112的上方的柵極絕緣膜133的上表面向外側(cè)露出。在形成在源極焊盤114的上方的非晶硅膜(i層)134a中形成有孔部134h。在形成在該源極焊盤114的上方的非晶硅膜(i層)13 的上表面形成有非晶硅膜(η+層)134b。 在該非晶硅膜(η+層)134b中也形成有與孔部134h連通的孔部134g。并且，通過孔部134h和孔部134g，位于源極焊盤114的上方的柵極絕緣膜133的上表面向外側(cè)露出。圖16是上述圖14和圖15所示的制造工序時的俯視圖。如該圖16所示，在透明基板123的主表面上隔開間隔形成有多個單向地延伸的柵極線111。并且，在柵極線111的端部形成有柵極焊盤112。而且，在透明基板123的主表面上，在柵極線111的延伸方向上隔開間隔形成有多個源極焊盤114。圖17是示出上述圖14至圖16所示的液晶顯示裝置300的制造工序后的制造工序的截面圖，圖18是圖17所示的制造工序時的源極焊盤114的截面圖。在圖17和圖18中，依次形成例如由鉬(Mo)形成的金屬膜136a和第2鋁合金材料膜13乩。然后，用掩模對層疊的金屬膜13 和第2鋁合金材料膜136b進行圖案化。此時， 能通過濕式蝕刻對金屬膜135a和第2鋁合金材料膜136b進行圖案化，由此能將源極電極 135和漏極電極136良好地圖案化。這樣，在形成源極電極135和漏極電極136后，位于柵極電極132和源極焊盤114 上的非晶硅膜(η+層)134b也被除去。圖19是圖17和圖18所示的制造工序時的俯視圖。如該圖19所示，通過對金屬膜13 和第2鋁合金材料膜136b進行圖案化，形成源極配線113、漏極焊盤部118、漏極配線117、漏極電極136以及源極電極135。
而且，在源極配線113中的位于構(gòu)成源極焊盤114的第1鋁合金材料膜的端部的上方的源極配線113的端部形成有接觸孔12fe。該接觸孔12 貫通位于源極配線113和源極焊盤114之間的柵極絕緣膜133。因此，從接觸孔12 的底部露出形成源極焊盤114的第1鋁合金材料膜的上表面。圖20是示出上述圖17至圖19所示的制造工序后的制造工序的截面圖，圖21是圖20所示的制造工序時的源極焊盤114的截面圖。在該圖20和圖21中，首先，用CVD法形成作為氮化硅膜的鈍化膜137。此時的成膜溫度例如為250度程度。鈍化膜137以覆蓋第2鋁合金材料膜135b、136b和柵極絕緣膜133的方式形成。利用形成鈍化膜137時的熱，對第2鋁合金材料膜13 也進行加熱。由此，在第 2鋁合金材料膜13 內(nèi)形成析出物。此外，鈍化膜137的成膜溫度比柵極絕緣膜133的成膜溫度低。因此，在第2鋁合金材料膜13^、136b內(nèi)析出的析出物的析出密度比在構(gòu)成柵極線111等的第1鋁合金材料膜內(nèi)析出的析出物的析出密度低。此外，所謂析出密度是指在單位體積內(nèi)析出的析出物的體積。在形成鈍化膜137后，形成平坦化膜138。平坦化膜138例如由丙烯酸類有機材料形成。對該平坦化膜138進行圖案化，除去位于周邊區(qū)域105上的部分。由此，除去位于源極焊盤114和柵極焊盤112上的平坦化膜138。而且，在進行該圖案化時，在平坦化膜138 中對接觸孔進行圖案化。將實施了該圖案化的平坦化膜138作為掩模，對鈍化膜137等進行圖案化。由此，在顯示區(qū)域103中，如圖20所示，位于漏極焊盤部118上的鈍化膜137被圖案化，露出漏極焊盤部118的上表面的一部分。然后，如圖20所示，在周邊區(qū)域105中，將非晶硅膜(i層)13 作為掩模，對柵極絕緣膜133進行圖案化，形成接觸孔170。另外，如圖21所示，將非晶硅膜(i層)13 作為掩模對形成在源極焊盤114上的柵極絕緣膜133進行圖案化。由此，形成接觸孔176，露出源極焊盤114的上表面的一部分。此外，柵極絕緣膜133和鈍化膜137均由氮化硅膜形成。然后，用堿性的溶液對從接觸孔175露出的第2鋁合金材料膜13 的上表面、柵極焊盤112的上表面以源極焊盤114的上表面實施表面處理。通過該表面處理，析出物從第2鋁合金材料膜13 、源極焊盤114和柵極焊盤112 的上表面露出。圖22是上述圖20和圖21所示的制造工序時的俯視圖。如該圖22所示，源極焊盤114的顯示區(qū)域103側(cè)的端部由平坦化膜138和鈍化膜137覆蓋。然后，在平坦化膜138和鈍化膜137中形成到達源極焊盤114的端部的接觸孔 125a0如圖7和圖8所示，在平坦化膜138和非晶硅膜(i層)13 上形成ITO膜。然后， 對該ITO膜實施圖案化，形成像素電極116、ITO膜141和ITO膜(透明導電膜)142。此外，如圖9所示，在接觸孔12 內(nèi)形成ITO膜，由此源極焊盤114和源極配線 113被電連接。這樣，能制造本實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置300。(實施方式2)
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用圖23至圖32說明本發(fā)明的實施方式2的液晶顯示裝置300。此外，對圖23至圖32所示的構(gòu)成中與上述圖1至圖22所示的構(gòu)成相同或者相當?shù)臉?gòu)成，有時會標注相同的附圖標記，省略其說明。圖23是本實施方式2的液晶顯示裝置的有源矩陣基板130的截面圖。圖M是源極焊盤114的截面圖。如該圖23所示，源極電極135具備形成在半導體層134和柵極絕緣膜133上， 由鉬(Mo)形成的金屬膜135a;形成在金屬膜13 上，由鋁(Al)形成的金屬膜(中間膜)13 ；以及形成在該金屬膜13 上的第2鋁合金材料膜13恥。同樣，漏極電極136包括形成在半導體層134和柵極絕緣膜133上的金屬膜 136a ；形成在該金屬膜136a的上表面上的金屬膜136e ；以及形成在該金屬膜136e的上表面上的第2鋁合金材料膜136b。這樣，源極電極135、漏極電極136和漏極焊盤部118等包括配置在鋁合金材料膜與發(fā)揮防擴散膜的功能的金屬膜之間、由Al形成的金屬膜。這樣，通過包括由Al形成的金屬膜，能減少電阻，并且能實現(xiàn)制造成本的低廉化。用圖25至圖32說明本發(fā)明的實施方式2的液晶顯示裝置300的制造方法。圖25是示出本發(fā)明的實施方式3的液晶顯示裝置300的制造工序的第1制造工序的截面圖，圖26是形成源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。如該圖25和圖沈所示，如上述實施方式1所述，形成第1鋁金屬材料膜，用濕式蝕刻進行圖案化，由此形成柵極電極132、柵極線111、柵極焊盤112和源極焊盤114。圖27是示出上述圖25、圖沈所示的制造工序后的制造工序的截面圖，圖觀是形成源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。如該圖27和圖觀所示，將半導體層134形成在柵極電極132上、柵極焊盤112上和源極焊盤114上。圖四是示出上述圖27和圖28所示的制造工序后的制造工序的截面圖，圖30是在圖四所示的制造工序時形成有源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。如該圖四和圖30所示，依次形成由鉬(Mo)形成的金屬膜、由鋁(Al)形成的金屬膜以及上述第2鋁合金材料膜。然后，用濕式蝕刻對層疊的這些金屬膜進行圖案化，形成源極電極135、漏極電極136以及漏極焊盤部118。圖31是示出圖四和圖30所示的制造工序后的制造工序的截面圖，圖32是在圖 31所示的制造工序時形成有源極焊盤114的區(qū)域的截面圖。如該圖31和圖32所示，形成平坦化膜138和鈍化膜137。然后，在平坦化膜138上形成ITO膜，通過對該ITO膜進行圖案化來形成像素電極 116 等。(實施方式3)用圖33至圖44說明本發(fā)明的實施方式3的液晶顯示裝置300。此外，對圖33至圖44所示的構(gòu)成中的與上述圖1至圖32示出的構(gòu)成相同或者相當?shù)臉?gòu)成，標注相同的附圖標記，省略其說明。圖33是本發(fā)明的實施方式3的液晶顯示裝置的截面圖，圖34是源極焊盤114的截面圖。
如圖33和圖34所示，這些像素電極116形成在鈍化膜137的上表面。而且，在柵極焊盤112的周邊部形成有柵極絕緣膜133，在該柵極絕緣膜133上形成有鈍化膜137。然后，在柵極絕緣膜133和鈍化膜137中形成接觸孔170，露出柵極焊盤112的上表面的一部分。而且，ITO膜(透明導電膜)141形成為從鈍化膜137的上表面通過接觸孔170的內(nèi)周面到達柵極焊盤112的上表面。在圖34中，在源極焊盤114的周邊部形成有柵極絕緣膜133，在該柵極絕緣膜133 的上表面上形成有鈍化膜137。而且，在柵極絕緣膜133和鈍化膜137中形成有接觸孔176， 該接觸孔176貫通柵極絕緣膜133和鈍化膜137，到達源極焊盤114的上表面。而且，ITO 膜142形成為從鈍化膜137的上表面通過接觸孔176的內(nèi)周面到達源極焊盤114的上表面。這樣，在本實施方式3的液晶顯示裝置300中，不形成平坦化膜138，像素電極 116、ITO膜141、142形成在鈍化膜137上。此外，在本實施方式3的液晶顯示裝置300中也與上述實施方式1、2同樣，柵極線111、柵極焊盤112和源極焊盤114由第1鋁合金材料膜形成。而且，第2鋁合金材料膜 136bU35b也由與上述實施方式1、2同樣的鋁合金材料形成。用圖35至圖44說明這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置300的制造方法。圖35是示出本實施方式3的液晶顯示裝置300的制造工序中的第1制造工序的截面圖，圖36是在上述圖35所示的制造工序中形成源極焊盤區(qū)域的截面圖。如該圖35和圖36所示，在透明基板123的主表面上形成鋁合金材料膜，通過濕式蝕刻對形成的鋁合金材料膜進行圖案化。由此，在透明基板123的主表面上形成柵極線 111、柵極焊盤112、源極焊盤114和柵極電極132。然后，如圖37和圖38所示，以覆蓋柵極線111、柵極焊盤112、源極焊盤114和柵極電極132的方式在透明基板123的主表面上形成柵極絕緣膜133。然后，將非晶硅膜(i 層)134a和非晶硅膜(η+層)134b層疊，對非晶硅膜(i層)134a和非晶硅膜(η+層)134b 實施圖案化。由此，除去位于柵極焊盤112和源極焊盤114的上方的非晶硅膜(i層)13 和非晶硅膜(η+層)134b。然后，如圖39和圖40所示，依次形成由鉬(Mo)形成的金屬膜、由鋁(Al)形成的金屬膜以及上述第2鋁合金材料膜。并且，用濕式蝕刻對層疊的這些金屬膜進行圖案化。由此，除去位于柵極焊盤112和源極焊盤114的上方的各金屬膜。然后形成漏極焊盤118、漏極電極136和源極電極135。然后，如圖41和圖42所示，形成鈍化膜137。在該鈍化膜137上形成抗蝕劑膜157。 對抗蝕劑膜157進行圖案化，形成孔部157a、157b、157c。孔部157a位于漏極焊盤118的上方，孔部157b位于柵極焊盤112的上方。而且，孔部157c位于源極焊盤114的上方。然后，如圖43和圖44所示，將形成有各孔部的抗蝕劑膜157作為掩模，對鈍化膜 137和柵極絕緣膜133進行圖案化。由此，露出漏極焊盤118的上表面的一部分，并且露出柵極焊盤112的上表面的一部分。另外，露出源極焊盤114的上表面的一部分。然后，除去抗蝕劑膜157。然后，用堿性的溶液對第2鋁合金材料膜136b的上表面、柵極焊盤112的上表面
19和源極焊盤114的上表面實施表面處理。然后，形成ITO膜139，對該形成的ITO膜139進行圖案化，形成像素電極116、IT0 膜141和ITO膜142。這樣，能制造本實施方式3的液晶顯示裝置300。此外，在上述實施方式1 3中，說明了具備包括非晶硅(a-Si)膜的薄膜晶體管115的液晶顯示裝置300，但是不限于此。例如，本發(fā)明也能應用于采用利用低溫多晶硅 (P-Si)的低溫多晶硅TFT的液晶顯示裝置300。而且，也可以用氧化物半導體來代替薄膜晶體管115。實施例1下述表1是示出對于將鋁合金材料膜與ITO膜層疊時(在ITO膜上層疊鋁合金材料膜)的顯影液耐性進行評價的結(jié)果的表，在鋁合金材料膜中改變了含有從包括Co、Mi、 Ni、Pd、C、Si、Ge和Sn的群中選擇的至少1種的合金成分的wt%。此外，在下述表1中， “B” 意思是發(fā)生腐蝕，“A” 意思是不發(fā)生腐蝕。而且，在下述表2中，是評價將鋁合金材料膜與ITO膜層疊時的接觸電阻的圖。 此外，在下述表2中，“A”表示接觸電阻為100Ω以下。此外，純鋁與ITO膜的接觸電阻為 100 Ω。[表 1]〈Al合金/ITO結(jié)構(gòu)的情況 >……評價顯影液耐性
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具備基板(123)，其包括像素排列區(qū)域和位于上述像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件(115)，其形成于上述像素排列區(qū)域；電極(132，135)，其設于上述開關(guān)元件；引出配線(111，113)，其與上述開關(guān)元件連接；以及焊盤部(112，114)，其與上述引出配線連接，上述電極、上述引出配線和上述焊盤部中的至少1個包括鋁合金材料膜， 上述鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有與鋁和上述列舉的元素不同的元素的其它成分，上述合金成分的元素和上述其它成分的元素的合計的元素為3種以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，上述鋁合金材料膜包括0. 5wt%以上的上述合金成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置， 包含于上述鋁合金材料膜的上述合金成分為4. 5wt%以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項所述的液晶顯示裝置， 上述鋁合金材料膜包括導電性的析出物(119a、U9a)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置， 上述開關(guān)元件的電極包括漏極電極(136)， 還具備與上述漏極電極連接的像素電極(116)， 上述漏極電極包括上述鋁合金材料膜(136b)， 上述像素電極與上述漏極電極的鋁合金材料膜連接，在上述鋁合金材料膜的表面中的至少與上述像素電極接觸的部分，露出地形成有上述析出物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中的任一項所述的液晶顯示裝置， 上述開關(guān)元件還包括半導體層(134)，上述開關(guān)元件的上述電極包括形成在上述半導體層上的源極電極(13 和漏極電極 (136)，上述漏極電極和上述源極電極包括上述鋁合金材料膜(135b、136b)以及配置在上述鋁合金材料膜和上述半導體層之間的金屬膜(13fe、136a)，上述金屬膜由密度比上述合金成分的元素和上述其它成分的元素大的元素形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，上述漏極電極和上述源極電極還包括形成在上述鋁合金材料膜與上述金屬膜之間的、 由鋁形成的中間膜(135e，136e)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或者權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置， 上述金屬膜由鉬形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求8中的任一項所述的液晶顯示裝置， 上述焊盤部由上述鋁合金材料膜形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，還具備在上述焊盤部上形成的透明導電膜(141，142)， 上述焊盤部由上述鋁合金材料膜形成， 上述鋁合金材料膜包括導電性的析出物，在上述焊盤部的表面中的與上述透明導電膜接觸的部分，露出地形成有導電性的析出物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，上述開關(guān)元件的上述電極包括源極電極和漏極電極， 上述焊盤部由第1鋁合金材料膜形成， 上述源極電極和上述漏極電極包括第2鋁合金材料膜，上述第1鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的第1合金成分；以及含有與鋁和上述列舉的元素不同的元素的第1其它成分，上述第1合金成分的元素和上述第1其它成分的元素的合計的元素為3 種以上，上述第2鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的第2合金成分；以及含有與鋁和上述列舉的元素不同的元素的第2其它成分，上述第2合金成分的元素與上述第2其它成分的元素的合計的元素為3 種以上，上述第1鋁合金材料膜包括導電性的第1析出物(U9a)， 上述第2鋁合金材料膜包括導電性的第2析出物(119a)， 上述第1析出物的分布密度比上述第2析出物的分布密度高。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，上述開關(guān)元件的上述電極包括源極電極(13 和柵極電極(132)， 上述引出配線包括與上述源極電極連接的源極線(11 和與上述柵極電極連接的柵極線，上述焊盤部包括與上述源極線連接的源極焊盤(114)和與上述柵極線連接的柵極焊盤(112)，上述源極焊盤和上述柵極焊盤由上述第1鋁合金材料膜形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置， 上述開關(guān)元件包括柵極電極(132)，其形成在上述基板的主表面上； 半導體層(134)，其形成在上述柵極電極上； 源極電極(135)，其形成在上述半導體層上；以及漏極電極(136)，其形成在上述半導體層上，與上述源極電極隔開間隔形成， 上述引出配線包括與上述柵極電極連接的柵極線(111)和與上述源極電極連接的源極線(113)，上述焊盤部包括與上述柵極線連接的柵極焊盤和與上述源極線連接的源極焊盤， 上述柵極電極、上述柵極線以及上述柵極焊盤由上述鋁合金材料膜形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，上述源極電極和上述漏極電極包括上述鋁合金材料膜。
15.一種液晶顯示裝置，具備基板(123)，其包括像素排列區(qū)域和位于上述像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件(115)，其形成于上述像素排列區(qū)域；電極(132，135)，其設于上述開關(guān)元件；引出配線(111，113)，其與上述開關(guān)元件連接；焊盤部(112，114)，其與上述引出配線連接；以及透明導電膜(141，142)，其形成在上述焊盤部上，上述電極、上述引出配線和上述焊盤部中的至少1個包括鋁合金材料膜，上述鋁合金材料膜與上述透明導電膜的電位差小于鋁膜與上述透明導電膜的電位差。
16.一種液晶顯示裝置，具備基板，其包括像素排列區(qū)域和位于上述像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件，其形成于上述像素排列區(qū)域；電極，其設于上述開關(guān)元件；引出配線，其與上述開關(guān)元件連接；以及焊盤部，其與上述引出配線連接，上述電極、上述引出配線和上述焊盤部中的至少1個包括鋁合金材料膜， 上述鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷(Co)、銠(1 )、鎳(Ni)、鈀 (Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有從包括銅(Cu)、鑭(La)、硼(B)、釹(Nd)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、釔(Y)、鈮(Nb)、鎢(W) 和鋯(Zr)的群中選擇的至少1種元素的其它成分。
17.一種液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置具備基板，其包括上述像素排列區(qū)域和位于上述像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件，其形成于上述像素排列區(qū)域；電極，其設于上述開關(guān)元件；引出配線，其與上述開關(guān)元件連接；以及焊盤部，其與上述引出配線連接，上述制造方法具備 準備具有主表面的基板的工序；形成鋁合金材料膜的工序，上述鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、 銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有與鋁和上述列舉的元素不同的元素的其它成分，上述合金成分的元素與上述其它成分的元素的合計的元素為3種以上；以及將上述鋁合金材料膜圖案化，形成上述電極、上述引出配線和上述焊盤部中的至少1 個的工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置的制造方法， 上述鋁合金材料膜包括0. 5wt%以上的上述合金成分。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或者權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置的制造方法， 包含于上述鋁合金材料膜的上述合金成分為4. 5wt%以下。
20.根據(jù)權(quán)利要求17至權(quán)利要求19中的任一項所述的液晶顯示裝置的制造方法， 通過用濕式蝕刻對上述鋁合金材料膜進行圖案化而形成上述電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求17至權(quán)利要求20中的任一項所述的液晶顯示裝置的制造方法，還具備對上述鋁合金材料膜進行加熱，由此在上述鋁合金材料膜內(nèi)形成析出物的工序；使上述析出物從上述鋁合金材料膜的表面露出的工序；以及在上述鋁合金材料膜的表面中的露出了上述析出物的部分形成透明導電膜的工序。
22.根據(jù)權(quán)利要求17至權(quán)利要求21中的任一項所述的液晶顯示裝置的制造方法， 形成上述電極的工序包括在上述基板的主表面上形成上述鋁合金材料膜的工序；以及對上述鋁合金材料膜進行圖案化來形成柵極電極的工序， 上述電極為柵極電極。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置的制造方法， 還具備覆蓋上述柵極電極地形成柵極絕緣膜的工序，利用形成上述柵極絕緣膜的熱在上述鋁合金材料膜內(nèi)形成導電性的析出物。
24.根據(jù)權(quán)利要求17至權(quán)利要求23中的任一項所述的液晶顯示裝置的制造方法， 還具備在上述基板的主表面上形成柵極電極的工序； 覆蓋上述柵極電極地形成柵極絕緣膜的工序；在上述柵極絕緣膜上并且是在上述柵極電極的上方形成半導體層的工序；以及形成金屬膜的工序，上述金屬膜形成在上述半導體層上，由密度比上述合金成分的元素和上述其它成分的元素大的元素形成，形成上述電極的工序包括在上述金屬膜上形成上述鋁合金材料膜的工序；以及對上述鋁合金材料膜進行圖案化，形成作為上述電極的源極電極和漏極電極的工序。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的液晶顯示裝置的制造方法， 上述金屬膜由鉬形成。
26.根據(jù)權(quán)利要求M或者權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置的制造方法， 還具備覆蓋上述源極電極和上述漏極電極地形成絕緣膜的工序， 利用形成上述絕緣膜的熱在上述源極電極和漏極電極內(nèi)形成析出物。
27.一種液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置具備基板，其包括像素排列區(qū)域和位于上述像素排列區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域；開關(guān)元件，其形成于上述像素排列區(qū)域； 電極，其設于上述開關(guān)元件；引出配線，其與上述開關(guān)元件連接；以及焊盤部，其與上述引出配線連接，上述液晶顯示裝置的制造方法具備準備具有主表面的基板的工序；形成鋁合金材料膜的工序，上述鋁合金材料膜具有作為母材的鋁；含有從包括鈷 (Co)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有從包括銅(Cu)、鑭(La)、硼(B)、錢(Nd)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、 釔(Y)、鈮(Nb)、鎢(W)和鋯(Zr)的群中選擇的至少1種元素的其它成分；以及對上述鋁合金材料膜進行圖案化，形成上述電極、上述引出配線和上述焊盤部中的至少1個的工序。
全文摘要
漏極電極(136)、源極電極(135)以及柵極電極(132)中的至少1個包括鋁合金材料膜，鋁合金材料膜包括作為母材的鋁；含有從包括鈷、銠、鎳、鈀、碳、硅、鍺和錫的群中選擇的至少1種元素的合金成分；以及含有與鋁和列舉的元素不同的元素的其它成分，合金成分的元素和其它成分的元素的合計的元素為3種以上。
文檔編號H01L29/786GK102483549SQ20108003706
公開日2012年5月30日 申請日期2010年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月21日
發(fā)明者中原圣, 中田幸伸 申請人:夏普株式會社