專利名稱：沉積膜形成裝置及沉積膜形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于例如在基材上形成硅等的沉積膜的沉積膜形成裝置及沉積膜形成方法。
背景技術(shù)：
作為能夠在基材上面高速沉積高品質(zhì)膜的裝置，申請(qǐng)人提出了融合了等離子體 CVD (Chemical Vapor Deposition 化學(xué)氣相沉積)法和熱催化CVD法各自的優(yōu)點(diǎn)的氣體分離式等離子體CVD裝置(例如，參照下述的專利文獻(xiàn)1)。若采用該裝置，則例如使吐氣體那樣的分解概率低的原料氣體，從氣體供給路徑通過，在該氣體供給路徑中配設(shè)了以加熱催化體為代表的用于提高分解概率的機(jī)構(gòu)，從而能夠一邊使壓氣體分解活化，一邊導(dǎo)入至腔室內(nèi)。因此，在等離子體CVD法中，能夠使吐氣體有利于微晶硅膜的形成，而不會(huì)增加導(dǎo)致膜品質(zhì)降低的荷電粒子。另外，由于將例如SiH4氣體那樣的分解概率高的原料氣體，經(jīng)由未配設(shè)加熱催化體的其他氣體供給路徑而導(dǎo)入至腔室內(nèi)，因而能夠抑制生成在熱催化CVD法中導(dǎo)致膜品質(zhì)降低的SiH2、SiH及Si，同時(shí)使SiH4氣體有利于沉積膜的形成。并且，作為這些技術(shù)的結(jié)果，所述氣體分離式等離子體CVD裝置能夠高速形成高品質(zhì)膜。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2003-173980號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)要解決的問題在于，由于氣體分離式等離子體CVD裝置根據(jù)氣體分解概率來分離供給原料氣體，因此，在形成沉積膜時(shí)，是否即使是小流量也能夠均勻供給足夠的原料氣體從而沉積膜厚分布均勻的膜。例如，在形成微晶硅膜時(shí)，SiH4氣體的流量比H2氣體的流量少，兩者比率為1/10 1/200。因此，難以從多個(gè)氣體供給部均勻供給SiH4氣體，由此，在沉積面積超過Im2的大型沉積膜形成裝置中，沉積膜的面內(nèi)的膜厚分布容易不均勻。本發(fā)明是基于這樣的背景而做出的，目的在于，提供一種能夠形成具有均勻膜厚分布的沉積膜的沉積膜形成裝置及沉積膜形成方法。特別地，目的還在于，提供一種有效形成用于薄膜硅類太陽(yáng)能電池的硅類薄膜的沉積膜形成裝置及沉積膜形成方法。用于解決問題的手段本發(fā)明的一個(gè)方式的沉積膜形成裝置，具有腔室；
第一電極，其位于所述腔室內(nèi)；第二電極，其位于所述腔室內(nèi)，且與所述第一電極隔開規(guī)定間隔，該第二電極具有第一供給部，其用于將第一原料氣體供給至所述第一電極和所述第二電極之間的空間；多個(gè)第二供給部，它們用于將第二原料氣體供給至所述空間；第一供給路徑，其與所述第一供給部相連接，用于導(dǎo)入所述第一原料氣體；第二供給路徑，其與所述第二供給部相連接，用于導(dǎo)入所述第二原料氣體，該沉積膜形成裝置的特征在于，所述第二供給路徑具有干流部，其具有用于導(dǎo)入所述第二原料氣體的第一導(dǎo)入口 ；支流部，其具有多個(gè)氣體流路，這些氣體流路具有用于從該干流部導(dǎo)入所述第二原料氣體的第二導(dǎo)入口，該支流部的多個(gè)所述氣體流路分別與多個(gè)所述第二供給部相連接，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導(dǎo)入口流至所述第二供給部的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的沉積膜形成方法，使用上述沉積膜形成裝置，在配置于所述第一電極和所述第二電極之間的基材上形成沉積膜，該沉積膜形成方法的特征在于，通過將所述第一原料氣體及所述第二原料氣體供給至所述第一電極和所述第二電極之間，來使它們產(chǎn)生等離子體，由此在所述基材上形成沉積膜。發(fā)明效果若采用上述的沉積膜形成裝置及沉積膜形成方法，則由于具有上述結(jié)構(gòu)，因而能夠?qū)⒘髁可俚脑蠚怏w從各供給部均勻地供給至腔室內(nèi)，從而能夠在基材上形成具有均勻膜厚分布的沉積膜。


圖1是示意性示出本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式的剖視圖。圖2是示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二電極的第二供給路徑的結(jié)構(gòu)的圖，是沿圖1的II-II線的剖視圖。圖3的(a)部分及圖3的(b)部分是分別示意性示出了在本發(fā)明的一個(gè)方式的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的干流部和支流部的配置關(guān)系的放大剖視圖。圖4是示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的剖視圖。圖5是示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的剖視圖。圖6是示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的剖視圖。圖7的(a)部分及圖7的(b)部分是分別示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的剖視圖。
圖8的(a)部分及圖8的(b)部分是分別示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的放大立體圖。圖9是示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的放大立體圖。圖10是示意性示出了本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式的剖視圖。圖11是示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的剖視圖。圖12是示意性示出了在本發(fā)明的沉積膜形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式中使用的第二供給路徑的變形例的放大剖視圖。圖13是示意性示出了在比較例的沉積膜形成裝置中使用的第二供給路徑的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的沉積膜形成裝置的實(shí)施方式進(jìn)行說明。<沉積膜形成裝置>如圖1所示，沉積膜形成裝置Sl具有腔室1 ；第一電極7，其位于腔室1內(nèi)；第二電極2，其位于腔室1內(nèi)，且與該第一電極7隔開規(guī)定間隔。該第二電極2作為噴淋電極來發(fā)揮功能。另外，用于形成沉積膜的基材10配置在第一電極7和第二電極2之間。此外， 只要基材10位于第一電極7和第二電極2之間即可，并不限定于以第一電極7保持基材10 的方式。腔室1是反應(yīng)容器，具有至少由上壁、周圍壁及底壁構(gòu)成的能夠?qū)崿F(xiàn)真空氣密的反應(yīng)空間。通過真空泵9對(duì)這樣的腔室1的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣。另外，通過壓力調(diào)整器(未圖示)對(duì)腔室1的內(nèi)部的壓力進(jìn)行調(diào)整。為了抑制來自排氣系統(tǒng)的雜質(zhì)混入到形成于基材 10上的膜中，真空泵9優(yōu)選使用渦輪分子泵等干式系列的真空泵。使腔室1內(nèi)的極限真空度在IXlO-3I5a以下，優(yōu)選在IX 10-4 以下。另外，雖然根據(jù)制膜的膜種類而不同，但制膜時(shí)的腔室1內(nèi)的壓力為50 70001 。第一電極6具有陽(yáng)極電極的功能，并內(nèi)置有用于調(diào)整基材10的溫度的加熱器。第一電極7還作為基材10的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)來發(fā)揮功能，因而例如將基材10的溫度調(diào)整為 100 400°C，更優(yōu)選地調(diào)整為150 350°C?；?0能夠使用由玻璃基板等構(gòu)成的平板狀基材，或者使用由金屬材料或樹脂等構(gòu)成的薄膜狀基材。第二電極2被配置為與第一電極7相對(duì)置，該第二電極2作為噴淋電極及陰極電極來發(fā)揮功能。第二電極2具有第一供給部4及第二供給部6，這些第一供給部4及第二供給部6將從第一供給路徑3及第二供給路徑5導(dǎo)入的氣體供給至腔室1內(nèi)。這些第一供給部4及第二供給部6朝向基材10開口。高頻電源11與第二電極2相連接，能夠使用13. 56MHz IOOMHz左右的頻率。在 lm2以上的大面積制膜的情況下，優(yōu)選使用60MHz以下的頻率。通過從高頻電源11向第二電極2供電，在第二電極2和基材10之間，在產(chǎn)生等離子體的空間8內(nèi)形成等離子體。多個(gè)第一供給部4及多個(gè)第二供給部6，經(jīng)由第一供給路徑3及第二供給路徑5而與多個(gè)氣體鋼瓶(未圖示)相連接，這些氣體鋼瓶用于分別貯留不同的氣體。從第一供給路徑3及第二供給路徑5導(dǎo)入的氣體，在分別經(jīng)由第一供給部4及第二供給部6而到達(dá)產(chǎn)生等離子體的空間8之前，基本上不混合。供給至多個(gè)第一供給部4及多個(gè)第二供給部6的氣體包括第一原料氣體和第二原料氣體，其中，與第一原料氣體相比，第二原料氣體的分解概率更高。氣體的總(Total)的分解速度定義為，expfAfe/We) XNgXNeXveX σ g。此外，Afe是原料氣體的激活能 (離解能，dissociation energy)，k 是玻耳茲曼常數(shù)(boltzmann constant)，iTe 是電子溫度，Ng是原料氣體濃度，Ne是電子濃度，ve是電子速度，σ g則是原料氣體的碰撞截面。此 W,exp (-AEa/kTe)表示分解概率。此外，有時(shí)也將exp (-Δ fe/kTe) X og表示為σ (Ea)。從第一供給部4經(jīng)由第一供給路徑3供給第一原料氣體，從第二供給部6經(jīng)由第二供給路徑5供給第二原料氣體。其中，如后所述，有時(shí)也會(huì)對(duì)在第一供給路徑3中流動(dòng)的第一原料氣體進(jìn)行分流，而使其一部分流向第二供給路徑5 (與第二原料氣體混合)。根據(jù)沉積膜的種類，適當(dāng)?shù)剡x擇第一原料氣體及第二原料氣體。例如，在形成 a-Si:H(氫化非晶硅)或yc-Si:H(氫化微晶硅)等硅類薄膜的情況下，能夠使用非硅類氣體來作為第一原料氣體，且使用硅類氣體來作為第二原料氣體。使用氫(H2)氣等來作為非硅類氣體。使用硅烷(SiH4)、二硅烷(Si2H6)、四氟化硅(SiF4)、六氟化硅(Si2F6)或二氯硅烷(SiH2Cl2)氣體等來作為硅類氣體。此外，在導(dǎo)入摻雜氣體的情況下，P型摻雜氣體使用二硼烷(B2H6)氣體等，η型摻雜氣體使用膦(PH3)氣體等。就摻雜氣體的供給路徑來說，能夠根據(jù)需要來選擇第一供給路徑3及第二供給路徑5中的某個(gè)供給路徑。其中，如后所述， 在具有設(shè)在第一供給路徑3內(nèi)的加熱催化體(heated catalyzer) 12的情況下，優(yōu)選經(jīng)由第二供給路徑5導(dǎo)入摻雜氣體。在第一供給路徑3內(nèi)能夠設(shè)置與加熱用電源13相連接的加熱催化體12，通過加熱到500 200(TC左右的加熱催化體12加熱第一原料氣體而使其活化，并且，在產(chǎn)生等離子體的空間8內(nèi)也使其活化。此外，也可以使用電阻加熱體等加熱單元，以代替加熱催化體 12。加熱催化體(heated catalyzer) 12作為熱催化體來發(fā)揮功能，該熱催化體，通過對(duì)催化體施加電流而進(jìn)行加熱高溫化，由此使與該催化體接觸的氣體被激活(分解)。就加熱催化體12而言，至少其表面由金屬材料構(gòu)成。該金屬材料優(yōu)選由包括作為高熔點(diǎn)金屬材料的Ta、W、Re、Os、Ir、Nb、Mo、Ru及Pt中的至少一種純金屬或合金材料構(gòu)成。另外，加熱催化體12的形狀，例如是將如上述那樣的金屬材料做成線狀的形狀、板狀或網(wǎng)眼狀的形狀。另外，在膜形成處理中使用加熱催化體12之前，預(yù)先以膜形成時(shí)的加熱溫度以上的溫度，將該加熱催化體12預(yù)熱數(shù)分鐘以上。由此，在形成膜時(shí)，能夠減少加熱催化體12 的金屬材料中的雜質(zhì)摻雜到膜中。另外，通過在加熱催化體12的上游一側(cè)例如設(shè)置分散板14，能夠使氣體均勻地接觸到加熱催化體12，由此能夠高效地使氣體活化，所述分散板14具有由不銹鋼構(gòu)成的多個(gè)孔。由于沉積膜形成裝置Sl具有上述結(jié)構(gòu)，因而通過加熱催化體12的加熱而促進(jìn)第一原料氣體的分解，并且，未分解的第一原料氣體或分解后再次結(jié)合的第一原料氣體的溫度也會(huì)上升，從而更加能夠在產(chǎn)生等離子體的空間8促進(jìn)氣體分解。進(jìn)而，以不使第二原料氣體與加熱催化體12接觸的方式，該第二原料氣體由第二供給部6供給，并在產(chǎn)生等離子體的空間8內(nèi)使該第二原料氣體被激活，因此能夠高速地制膜，而不會(huì)過剩地分解第二原料氣體，從而能夠形成高品質(zhì)的薄膜。特別，由于將通過加熱催化體12提升了溫度的氫氣(第一原料氣體)供給至空間 8，因而能夠通過氣體加熱效果來在空間8內(nèi)抑制高階硅烷生成反應(yīng)。在這里，高階硅烷生成反應(yīng)是指如下這樣的通過SH2插入反應(yīng)而生成高分子聚合物的反應(yīng)1) SiH4+SiH2 — Si2H62) Si2H6+SiH2 — Si3H8……下面還接著進(jìn)行同樣的SiH2插入反應(yīng)……。SiH4與等離子體中的電子碰撞，由此一起生成了 SiH2與作為制膜主成分的SiH3。 特別是在為了加快制膜速度而越提高等離子體的激勵(lì)電力，則越會(huì)生成更多的SiH2，其結(jié)果，也生成更多的高階硅烷分子。若如上述那樣生成的高階硅烷分子粘在制膜表面，則會(huì)破壞制膜表面上的沉積反應(yīng)(膜生長(zhǎng)反應(yīng))而導(dǎo)致劣化膜質(zhì)，另外，進(jìn)入膜中時(shí)也會(huì)破壞膜結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致劣化膜質(zhì)。已知該高階硅烷生成反應(yīng)是放熱反應(yīng)。即，是通過將進(jìn)行反應(yīng)而產(chǎn)生的熱量排放到空間而進(jìn)行的三體反應(yīng)。但是，若因上述氣體加熱效果而導(dǎo)致應(yīng)排放熱量的空間(具體而言是以氫氣為主成分的空間)已經(jīng)變熱，則難以向該空間排放反應(yīng)熱。S卩，難以進(jìn)行作為放熱反應(yīng)的高階硅烷生成反應(yīng)。因此，在等離子體的激勵(lì)電力大的高速制膜條件下，也能夠形成高品質(zhì)的硅膜。例如，如圖2所示，第二供給路徑5具有干流部51，其在圖示的上部和下部橫向延伸；支流部52，其與位于上部和下部的干流部51相連接，且在圖示的縱向上延伸。支流部52具有多個(gè)氣體流路52a。在干流部51上未連接第二供給部6，而僅在支流部52的氣體流路5 上連接有第二供給部6。另外，第二供給路徑5具有用于將第二原料氣體導(dǎo)入至干流部51的第一導(dǎo)入口 53，干流部51經(jīng)由第一導(dǎo)入口 53而與導(dǎo)入路徑55相連接，該導(dǎo)入路徑55用于將第二原料氣體導(dǎo)入至干流部51。進(jìn)而，干流部51經(jīng)由第二導(dǎo)入口 M而與支流部52的氣體流路5 相連接，該第二導(dǎo)入口 M是用于使第二原料氣體從干流部51流入支流部52的連接口。在這里，通過第一導(dǎo)入口 53的剖面的第二原料氣體，以特定氣體流的形式，在保持順流性的同時(shí)流入干流部51，所述特定氣體流是指，具有由氣體流速等決定的某一擴(kuò)散角度的氣體流。使該第一導(dǎo)入口 53的氣體流路之間的內(nèi)壁長(zhǎng)度A-B，比導(dǎo)入路徑55的剖面開口長(zhǎng)度C-D (在該情況下，與第一導(dǎo)入口 53的剖面開口長(zhǎng)度C-E相等)更長(zhǎng)，由此能夠使保持順流性的氣體與內(nèi)壁長(zhǎng)度A-B的干流部?jī)?nèi)壁接觸。由此，使第二原料氣體的順流性降低，最后沿著干流部51的內(nèi)壁橫向流動(dòng)，從而使得順流成分不會(huì)直接流入第二供給部6，而是將第二原料氣體均等地分配至各支流部52。此外，在這里闡述了使第二原料氣體先與作為干流部51內(nèi)壁的A-B部?jī)?nèi)壁接觸， 由此降低氣體的順流性的方法，但不限定于此。例如，如后所述，對(duì)于與第二原料氣體接觸的干流部51的內(nèi)壁，例如也可以使用干流部51的這樣一種內(nèi)壁面，即不與支流部52連接， 并且與第二導(dǎo)入口 M相對(duì)置的內(nèi)壁面。另外，為了簡(jiǎn)單起見，說明了與干流部51的長(zhǎng)度方向相垂直地導(dǎo)入第二原料氣體的情況，但不限定于此。下面，利用圖3，對(duì)導(dǎo)入路徑55和支流部52之間的位置關(guān)系進(jìn)行說明。如圖3的(a)部分所示，在俯視第二供給路徑5時(shí)，將第一導(dǎo)入口 53的導(dǎo)入路徑 55的剖面開口長(zhǎng)度C-D設(shè)定為Dl，將干流部51的剖面開口長(zhǎng)度A-F設(shè)定為D2，將支流部 52的剖面開口長(zhǎng)度B-G設(shè)定為D3。從第一導(dǎo)入口 53向干流部51流入的氣體的順流成分，例如，存在向在圖3的(a) 部分示出箭頭的方向擴(kuò)散的可能性。然而，使氣體的順流成分流入支流部52的流入深度 B-H在支流部的剖面開口長(zhǎng)度D3以下，由此會(huì)降低氣體的順流性的影響，從而能夠?qū)⒌诙蠚怏w均等地分配至支流部52的各氣體流路52a。此時(shí)，由于將第二供給口 6入口的位置設(shè)在特定區(qū)域，即與第二導(dǎo)入口 M相隔不低于支流部52的剖面開口長(zhǎng)度D3的距離的區(qū)域，因而順流成分不會(huì)直接流入第二供給部6。另外，如圖3的(b)部分所示，在沿干流部51的長(zhǎng)度方向的方向上，第一導(dǎo)入口 53 和第二導(dǎo)入口 54(支流部52的氣體流路52a)之間的距離L，在干流部51的剖面開口長(zhǎng)度 D2以上，由此，氣體的順流成分流入支流部52的流入深度始終在支流部52的剖面開口長(zhǎng)度 D3以下，從而能夠?qū)⒌诙蠚怏w均等地分配至支流部52的各氣體流路52a。如上所述，以在圖3中示出的單純結(jié)構(gòu)為例，對(duì)第二供給路徑5的干流部51及支流部52的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但不限定于此。只要支流部52的多個(gè)氣體流路52a中的每個(gè)氣體流路5 分別與多個(gè)第二供給部6相連接，并且，在干流部51及支流部52中，第二原料氣體不以順流的方式從第一導(dǎo)入口 53流至第二供給部6即可。例如，只要對(duì)于支流部52的一個(gè)氣體流路，與所述一個(gè)氣體流路相連接的第二供給部6的入口不位于連接第一導(dǎo)入口 53和第二導(dǎo)入口 M的直線上即可?；蛘?，只要在沿干流部51的長(zhǎng)度方向的方向上，第一導(dǎo)入口 53和第二導(dǎo)入口 M之間的距離L在干流部51 的剖面開口長(zhǎng)度D2以上即可。下面，對(duì)干流部51及支流部52的結(jié)構(gòu)的變形例進(jìn)行說明。在利用與圖2同樣的剖視圖示出的圖4的變形例中，第二供給路徑5具有干流部 51，其在支流部52的上部和下部橫向延伸；支流部52，其與位于上部和下部的干流部51相連接，且具有縱向延伸的多個(gè)氣體流路52a。此時(shí)，在干流部51上未連有第二供給部6，而僅在支流部52的氣體流路5 上連接有第二供給部6。另外，干流部51經(jīng)由第一導(dǎo)入口 53 而與導(dǎo)入路徑55相連接，且該干流部51經(jīng)由第二導(dǎo)入口 M而與支流部52相連接，其中， 所述導(dǎo)入路徑陽(yáng)用于將第二原料氣體導(dǎo)入至干流部51。此時(shí)，將第一導(dǎo)入口 53設(shè)在比與該干流部51相連接的支流部52的氣體流路52a中位于最外側(cè)的氣體流路5 更靠外處。由于第二供給路徑5具有上述結(jié)構(gòu)，因而從導(dǎo)入路徑55導(dǎo)入的第二原料氣體與干流部側(cè)壁A-B接觸，由此降低氣體的順流性。因此，抑制了大量氣體流入第一導(dǎo)入口 53附近的支流部52，由此將氣體均勻地分配至支流部的各氣體流路52a。其結(jié)果，能夠?qū)⒌诙蠚怏w均勻地提供至腔室內(nèi)，從而能夠以均勻的膜厚在基材10上形成沉積膜。在該變形例中，也使特定的氣體流路52a，即在與干流部51相連接的各氣體流路 5 中位于最端部的氣體流路52a，和第一導(dǎo)入口 53之間的長(zhǎng)度D4在前述的干流部51的剖面開口長(zhǎng)度D2以上，由此能夠?qū)⒌诙蠚怏w均等地分配至支流部52的各氣體流路52a。在利用與圖2同樣的剖視圖示出的圖5的變形例中，第二供給路徑5具有干流部51，其在圖示的上部和下部橫向延伸；支流部52，其與位于上部和下部的干流部51相連接， 且具有在圖示的縱向上延伸的多個(gè)氣體流路52a。在干流部51上未連接第二供給部6，而僅在支流部52的各氣體流路5 上連接有第二供給部6。另外，干流部51經(jīng)由第一導(dǎo)入口 53而與導(dǎo)入路徑55相連接，且該干流部51還經(jīng)由第二導(dǎo)入口 M而與支流部52相連接，其中，所述導(dǎo)入路徑55用于將第二原料氣體導(dǎo)入至干流部51。此時(shí)，將第一導(dǎo)入口 53設(shè)在比在與該干流部51相連接的支流部52的氣體流路52a中位于最外側(cè)的氣體流路5 更靠外處。在上部的干流部51中，其下表面一側(cè)具有第一導(dǎo)入口 53和第二導(dǎo)入口 54，并且，通過第一導(dǎo)入口 53的剖面的氣體向上方向流動(dòng)之后，接觸到與第一導(dǎo)入口 53相對(duì)置的干流部51的側(cè)壁，由此降低氣體順流性，此后沿干流部51的長(zhǎng)度方向流動(dòng)。然后，將第二原料氣體均勻地分配至支流部52的各氣體流路52a。此外，在圖5的變形例中，示出了設(shè)置兩個(gè)干流部51的情況，但并不特別限定于此，也可以是一個(gè)干流部51。另外，導(dǎo)入路徑55從一個(gè)管向兩個(gè)方向分開而與兩個(gè)干流部 51相連接，但不特別限定于上述結(jié)構(gòu)。另外，并不限制第一供給路徑3及第二供給路徑5的剖面形狀，也可以是圓形或多角形等。另外，如利用與圖2同樣的剖視圖示出的圖6所示，隨著遠(yuǎn)離第一導(dǎo)入口 53，使支流部52的氣體流路5 的氣體流的垂直方向剖面面積(流路剖面面積)逐漸變大，由此能夠?qū)⒃蠚怏w更加均勻地供給至腔室內(nèi)。另外，如圖7的(a)部分及圖7的(b)部分所示，優(yōu)選地，支流部52在其垂直方向上具有多層結(jié)構(gòu)，其中，在該多層結(jié)構(gòu)中，組合了供給空間和一個(gè)以上的緩沖空間，該緩沖空間是用于對(duì)第二原料氣體的流速進(jìn)行緩沖的緩沖部，該供給空間具有第二供給部6。例如，在圖7的(a)部分所示出的結(jié)構(gòu)中，第一支流部521是緩沖空間，第二支流部522是供給空間。另外，在圖7的(b)部分所示出的結(jié)構(gòu)中，第一支流部521及第二支流部522是緩沖空間，第三支流部523是供給空間。由支流部連接口 56 (第二原料氣體所通過的開口) 連接這些各支流部。通過這樣將支流部52制成多層結(jié)構(gòu)，能夠從第二供給部6更加均勻地供給氣體。另外，如圖7的(a)部分所示，優(yōu)選地，將支流部連接口 56的個(gè)數(shù)設(shè)置為比第二供給部6的個(gè)數(shù)少，還使支流部連接口 56的開口剖面面積比第二供給部6的流路剖面面積小，由此能夠進(jìn)一步從第二供給部6均勻地供給氣體。另外，如圖7的(b)部分所示，優(yōu)選地，多個(gè)支流部連接口 56不是以等間隔設(shè)在支流部52上，而是在支流部52的中央設(shè)置比端部更多的支流部連接口 56。進(jìn)而，越接近支流部52的中央，則使支流部連接口 56的開口剖面面積越大，由此在以等間隔設(shè)置第二供給部 6的狀態(tài)下，能夠從第二供給部6均勻地供給氣體。其結(jié)果，能夠形成具有均勻膜厚分布的沉積膜。另外，如圖8的(a)部分所示，也可以使干流部51與在垂直方向上延伸的導(dǎo)入路徑55相連接。此時(shí)，通過第一導(dǎo)入口 53剖面的氣體的流動(dòng)方向是垂直方向，通過第二導(dǎo)入口 M剖面的氣體的流動(dòng)方向是水平方向。因此，使氣體的順流性對(duì)支流部52的影響進(jìn)一步緩和，由此能夠使氣體均勻地流向多個(gè)氣體流路52a。另外，如圖8的(b)部分所示，也可以將第二導(dǎo)入口 M設(shè)在干流部51的垂直方向上。例如，使支流部52成為從干流部51向下方向延伸以后在水平方向上延伸，由此緩和氣體的順流性的影響，從而能夠使氣體均勻地流向多個(gè)氣體流路52a。此外，也可以使支流部 52從干流部51向上方向延伸。另外，在設(shè)置多個(gè)第一導(dǎo)入口 53的情況下，通過在干流部51的兩端設(shè)置第一導(dǎo)入口 53，能夠?qū)怏w均勻地供給至腔室內(nèi)。另外，在所設(shè)置的多個(gè)第一導(dǎo)入口 53的上游設(shè)有導(dǎo)入路徑55，在該導(dǎo)入路徑55中設(shè)置有用于控制氣體流量的流量控制機(jī)構(gòu)，由此能夠控制供給至各第一導(dǎo)入口 53的氣體流量，從而能夠?qū)怏w更均勻地供給至腔室內(nèi)。就流量控制機(jī)構(gòu)而言，優(yōu)選對(duì)位于第一導(dǎo)入口 53的上游的導(dǎo)入路徑55的導(dǎo)流率 (Conductance)進(jìn)行調(diào)節(jié)，只要利用閥或質(zhì)量流量計(jì)(Mass Flow Meter)來調(diào)節(jié)導(dǎo)入路徑 55的剖面面積即可。另外，如圖9所示，流量控制機(jī)構(gòu)還對(duì)氣體向第一導(dǎo)入口 53流動(dòng)的流動(dòng)方向進(jìn)行調(diào)節(jié)，由此緩和氣體的順流性的影響，從而能夠減少大量氣體流向與第一導(dǎo)入口 53接近的支流部52的氣體流路52a。另外，如圖10所示，在沉積膜形成裝置S2中，也可以使第二供給部6的開口剖面面積越接近產(chǎn)生等離子體的空間8越大。由此，以使氣體擴(kuò)散至第二供給部6的周圍的方式，將氣體供給至腔室1內(nèi)，因而能夠?qū)怏w均勻地供給至與第二供給部6相對(duì)置的基材10 上表面。此外，由于圖10的沉積膜形成裝置S2的其他主要結(jié)構(gòu)與圖1相同，因而省略說明。另外，如利用與圖2同樣的剖視圖示出的圖11所示，也可以排列配置多個(gè)具有多個(gè)氣體流路的支流部52，并且在多個(gè)支流部52的兩端分別連接不同的干流部51。另外， 用于向干流部51導(dǎo)入原料氣體的多個(gè)第一導(dǎo)入口 53，位于比連接在干流部端部一側(cè)的支流部52更接近端部的一側(cè)。進(jìn)而，也可以通過彼此相對(duì)置的方式至少設(shè)置兩個(gè)第一導(dǎo)入口 53。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠使氣體失去氣體的順流性而均勻地流向多個(gè)支流部52。進(jìn)而，如圖12所示，通過在干流部51的內(nèi)部設(shè)置用于變更第二原料氣體從干流部 51向支流部52流動(dòng)的氣體流的方向的整流構(gòu)件57，能夠進(jìn)一步使氣體失去氣體的順流性而均勻地流向多個(gè)支流部52。采用這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠使第二原料氣體從第一導(dǎo)入口 53不以順流方式流至第二供給部6。此時(shí)，也可以僅在第一導(dǎo)入口 53附近設(shè)置整流構(gòu)件57。另外，例如也可以將第一供給部4及第二供給部6排列成格子圖案或交錯(cuò)圖案等各種圖案。另外，也可以使第一供給部4和第二供給部6的個(gè)數(shù)各不相同。在第一原料氣體的氣體流量和第二原料氣體的氣體流量不同的情況下，例如，在第一原料氣體的氣體流量比第二原料氣體的氣體流量多的情況下，通過使第一供給部4的個(gè)數(shù)比第二供給部6的個(gè)數(shù)多，能夠保持供給平衡而均勻地形成沉積膜。另外，第一供給路徑3及第二供給部5也可以與氣體調(diào)整部相連接，該氣體調(diào)整部用于調(diào)整氣體的流量、流速、溫度等。另外，也可以設(shè)置緩沖空間，由此在混合區(qū)域混合由各鋼瓶供給的氣體之后，經(jīng)由第一供給路徑3及第二供給路徑5，從第一供給部4及第二供給部6供給混合氣體。另外，沉積膜形成裝置也可以是設(shè)有多個(gè)制膜室的結(jié)構(gòu)。例如在形成薄膜太陽(yáng)能電池元件的情況下，例如包含P型膜形成用制膜室、i型膜形成用制膜室及η型膜形成用制膜室，只要至少一個(gè)制膜室具有上述結(jié)構(gòu)即可。例如，通過針對(duì)要求膜厚厚且高品質(zhì)的膜的 i型膜形成用制膜室應(yīng)用上述結(jié)構(gòu)，能夠提高生產(chǎn)率，并在此基礎(chǔ)上能夠制造出轉(zhuǎn)換效率高的薄膜太陽(yáng)能電池?！闯练e膜形成方法〉在本實(shí)施方式的沉積膜的形成方法中，使用上述的沉積膜形成裝置，在配置于第一電極7和第二電極2之間的基材10上形成沉積膜，本實(shí)施方式的沉積膜的形成方法的特征在于，將第一原料氣體及第二原料氣體供給至第一電極7和第二電極2之間，且產(chǎn)生等離子體，由此在基材10上形成沉積膜。具體而言，例如依次進(jìn)行以下的工序在第一電極7上保持基材10的工序；對(duì)第二電極2施加高頻電力的工序；在通過加熱催化體12使第一原料氣體活化的狀態(tài)下，從第一供給部4向基材10供給第一原料氣體，另外，從第二供給部6向基材10供給第二原料氣體，由此在第一電極7和第二電極2之間，在產(chǎn)生等離子體的空間8內(nèi)使第二原料氣體活化的工序。經(jīng)過這樣的工序而被活化的第一原料氣體和第二原料氣體，在產(chǎn)生等離子體的空間8內(nèi)混合，由此使得原料氣體中的成分沉積在基材10上。由此，在基材10上迅速形成品質(zhì)良好的沉積膜。在上述工序中，使用基材搬送機(jī)構(gòu)(未圖示)等搬送基材10，并將其保持在第一電極7上。并且將其固定在第一電極7上。利用第一供給路徑3內(nèi)的加熱催化體12來加熱第一原料氣體，并僅從第一供給部 4供給被加熱的第一原料氣體，由此將使用加熱催化體12來提升了溫度的第一原料氣體供給至產(chǎn)生等離子體的空間8，因而利用氣體加熱效果來在產(chǎn)生等離子體的空間8內(nèi)抑制高階硅烷生成反應(yīng)。在形成氫化非晶硅膜的情況下，將吐氣體供給至第一供給路徑3，將SiH4氣體供給至第二供給路徑5。另外，只要將氣體壓力設(shè)定為50 700Pa，將H2/SiH4的氣體流量比設(shè)定為2/1 40/1，將高頻電力密度設(shè)定為0. 02 0. 2ff/cm2即可。對(duì)于具有i型非晶硅膜的Pin接合的薄膜太陽(yáng)能電池，只要將i型非晶硅膜的膜厚形成為0. 1 0. 5μπι即可， 優(yōu)選形成為0. 15 0. 3 μ m。在形成氫化微晶硅膜的情況下，將吐氣體供給至第一供給路徑3，將SiH4氣體供給至第二供給路徑5。另外，只要將氣體壓力設(shè)定為100 7000 ，將H2/SiH4的氣體流量比設(shè)定為10/1 200/1，將高頻電力密度設(shè)定為0. 1 lW/cm2即可。對(duì)于具有i型微晶硅膜的Pin接合的薄膜太陽(yáng)能電池，只要將i型微晶硅膜的膜厚形成為1 4μ m即可，優(yōu)選形成為1.5 3μπι而使結(jié)晶率為70%左右。在本實(shí)施方式的形成方法中，由于將使用加熱催化體12來提升了溫度的氫氣(第一原料氣體)供給至產(chǎn)生等離子體的空間8，因而利用氣體加熱效果來抑制空間8內(nèi)的高階硅烷生成反應(yīng)，由此能夠促進(jìn)微晶硅膜的結(jié)晶，從而能夠高速制膜。另外，與氫化非晶硅膜相比，在形成氫化微晶硅膜時(shí)，SiH4氣體的流量比H2氣體少很多。因此，在第一供給部4和第二供給部6之間氣壓不平衡而導(dǎo)致難以從各第二供給部 6均勻地供給SiH4氣體，由此存在膜厚分布不均勻的可能性，但通過使用實(shí)施方式的沉積膜形成裝置來進(jìn)行沉積處理，能夠降低這樣不均勻的膜厚分布。另外，使第二供給部6的個(gè)數(shù)比第一供給部4的個(gè)數(shù)少，或者，使第二供給部6的開口剖面面積小，由此使第二供給路徑5內(nèi)的氣體壓力變大，從而能夠從多個(gè)第二供給部6 均勻地噴出SiH4氣體。
進(jìn)而，還可以將供給至第一供給路徑3的吐氣體(第一原料氣體)，分出一部分供給至第二供給路徑5，由此能夠使從第二供給部6供給的氣體的總流量變大。由此，第二供給路徑5內(nèi)的氣體壓力(全壓)變大，因而能夠從多個(gè)第二供給部6均勻地噴出SiH4氣體。此外，本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，能夠在本發(fā)明的范圍內(nèi)追加大量的修正及變更。例如，與支流部52的各氣體流路52a的端部一側(cè)相比，也可以將第二供給部6更多地設(shè)在中央一側(cè)。或者，也可以越接近支流部52的各氣體流路52a的中央部，使第二供給部6的開口剖面面積越大。通過這些結(jié)構(gòu)，能夠從第二供給部6均勻地供給氣體。另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)在水平方向上設(shè)置電極和基材10的沉積膜形成裝置進(jìn)行了說明，但使用在垂直方向上設(shè)置電極和基材10的沉積膜形成裝置也能夠形成具有均勻膜厚分布的沉積膜。另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)利用加熱催化體12的例子進(jìn)行了說明，但也可以將多種原料氣體分別分開導(dǎo)入至第一供給路徑3和第二供給路徑5，而不使用加熱催化體12。另外，在設(shè)于第二電極2上的第一供給部4及第二供給部6中的多個(gè)供給部中，對(duì)于這些供給部的氣體的出口，例如使它們的流路剖面面積變大，這樣一來，第一供給部4具有產(chǎn)生空心陰極(Hollow Cathode)放電的空間，第二供給部6不產(chǎn)生空心陰極放電，或者產(chǎn)生該空心陰極放電的程度小。在這里，空心陰極放電是輝光放電的一種，具體是指，通過靜電包圍而使電子進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)，此時(shí)電子的能量用于生成等離子體，由此等離子體密度變得極高的放電。這樣的第二電極2的第一供給部4例如形成為錐形狀或階梯狀，隨著該第一供給部4的深度變深，使與深度方向的軸垂直的面的剖面面積變小，S卩，隨著遠(yuǎn)離第一電極7而使剖面面積變小。因此，基于放電空間的環(huán)境壓力的大小，在該凹部?jī)?nèi)的任意的深度的位置產(chǎn)生空心陰極放電。另外，對(duì)于第一原料氣體，通過第一供給部4的空心陰極放電的高密度等離子體，能夠更加促進(jìn)第一原料氣體的分解。由此，在更加促進(jìn)第一原料氣體活化的同時(shí)，能夠降低第二原料氣體過剩分解。另夕卜，將供給至第一供給路徑3的第一原料氣體，分出一部分來供給至第二供給路徑5的情況下，通過第一供給路徑3的第一原料氣體至少被通過加熱催化體12加熱，且通過空心陰極放電的高密度等離子體能夠更加促進(jìn)第一原料氣體的分解。進(jìn)而，能夠以足夠的高速在基材10上形成高品質(zhì)的沉積膜。另外，在形成a-SiC(非晶碳化硅)等SiC類寬隙膜(wide-gap film)時(shí)，在第一供給路徑3上設(shè)置加熱催化體12的情況下，無論是否存在具有產(chǎn)生空心陰極放電的空間的第一供給部4，都將吐氣體供給至第一供給路徑3，將硅烷(SiH4)氣體及CH4氣體供給至第二供給路徑5。另外，在設(shè)置了具有產(chǎn)生空心陰極放電的空間的第一供給部4，而在第一供給路徑3上不設(shè)置加熱催化體12的情況下，將H2氣體及CH4氣體供給至第一供給路徑3， 將硅烷(SiH4)氣體供給至第二供給路徑5。就該情況的沉積膜形成條件而言，只要將氣體壓力設(shè)定為100 700Pa，且將高頻電力密度設(shè)定為0. 01 0. Iff/cm2即可。此外，將SiC類寬隙膜作為太陽(yáng)能電池的光入射側(cè)窗層使用。例如，對(duì)于具有P型非晶碳化硅膜的Pin接合的薄膜太陽(yáng)能電池，只要將ρ型非晶碳化硅膜的膜厚形成為0. 005 0. 03 μ m即可，優(yōu)選形成為0. 01 0. 02 μ m。此外，也可以將SiC類寬隙膜作為光活性層(i型層)使用。另外，在形成a-SiGe (非晶硅鍺)等的SiGe類窄隙膜(narrow-gap film)時(shí)，在第一供給路徑3上設(shè)置加熱催化體12的情況下，無論是否存在具有產(chǎn)生空心陰極放電的空間的第一供給部4，都將H2氣體供給至第一供給路徑3，將硅烷(SiH4)氣體、鍺烷(GeH4)氣體等的Ge類氣體供給至第二供給路徑5。另外，在設(shè)置了具有產(chǎn)生空心陰極放電的空間的第一供給部4，并且在第一供給路徑3未設(shè)置加熱催化體12的情況下，將吐氣體、SiH4氣體供給至第一供給路徑3，將Ge類氣體供給至第二供給路徑5。就該情況的沉積膜形成條件而言，只要將氣體壓力設(shè)定為100 700Pa，且將高頻電力密度設(shè)定為0. 01 0. 2ff/cm2即可。此外，SiGe類窄隙膜用于吸收Si膜所不能吸收的長(zhǎng)波長(zhǎng)的光。就具有i型非晶硅鍺膜的[a-Si/a-SiGe/yc-Si]型的三層接合薄膜太陽(yáng)能電池而言，只要將i型非晶硅鍺膜的膜厚形成為0. 1 0. 5 μ m即可，優(yōu)選形成為0. 15 0. 3μπι。就具有i型微晶硅鍺膜的[a-Si/μ C-Si/μ C-SiGe]型的三層接合薄膜太陽(yáng)能電池而言，只要將i型微晶硅鍺膜的膜厚形成為1 4 μ m即可，優(yōu)選形成為1. 5 3 μ m。對(duì)于利用上述制造方法形成的薄膜太陽(yáng)能電池，由于通過高速且由高品質(zhì)的膜形成，因而能夠提高生產(chǎn)率而制作轉(zhuǎn)換效率高的太陽(yáng)能電池。就這樣的薄膜太陽(yáng)能電池而言， 例如可例舉出雙層結(jié)構(gòu)和三層結(jié)構(gòu)等。其中，所述雙層結(jié)構(gòu)是指，從受光面一側(cè)開始層疊由非晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體和由微晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體而得到的結(jié)構(gòu)；所述三層結(jié)構(gòu)是指，層疊由非晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體、由非晶硅鍺膜構(gòu)成的半導(dǎo)體以及由微晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體而得到的結(jié)構(gòu)，或者，層疊由非晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體、由微晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體以及微由晶硅鍺膜構(gòu)成的半導(dǎo)體而得到的結(jié)構(gòu)。另外，只要能夠利用上述制造方法形成上述半導(dǎo)體中的至少一個(gè)半導(dǎo)體即可。實(shí)施例下面，對(duì)將本發(fā)明更加具體化的實(shí)施例進(jìn)行說明。如圖1所示，沉積膜形成裝置Sl具有腔室1 ；第一電極7，其配置在腔室1的下方；基材10，其配置在第一電極7上；第二電極2，其與第一電極7相對(duì)置。在第二電極2上設(shè)有多個(gè)第一供給部4和第二供給部，這些第一供給部4和第二供給部分別與第一供給路徑3和第二供給路徑5相連接，且在第一供給路徑3的內(nèi)部設(shè)有加熱催化體12。如圖5所示，在俯視時(shí)，第二供給路徑5具有兩個(gè)干流部51，它們?cè)跈M向延伸；支流部52，其具有縱向延伸的多個(gè)氣體流路52a，這些氣體流路5 連接兩個(gè)干流部51彼此。 并且，將通過第一導(dǎo)入口 53的剖面的氣體的流動(dòng)方向和通過第二導(dǎo)入口 M的剖面的氣體的流動(dòng)方向設(shè)定為180度反向，由此在與第二導(dǎo)入口 M相對(duì)置的一側(cè)的干流部51的內(nèi)壁面上降低氣體流的順流性。如圖13所示，在俯視時(shí)，比較例的沉積膜形成裝置的第二供給路徑5具有兩個(gè)干流部51，它們橫向延伸；支流部52，其具有縱向延伸的多個(gè)氣體流路52a，這些氣體流路52a 連接兩個(gè)干流部51彼此。并且，從第一導(dǎo)入口 53導(dǎo)入的原料氣體，保持其順流性而流入支流部52的氣體流路52a。并且，使用該沉積膜形成裝置Si，在基材10上形成了 i型微晶硅膜。對(duì)于此時(shí)形成i型微晶硅膜的各種設(shè)定條件，將腔室內(nèi)的氣體壓力設(shè)定成800Pa，將基材的加熱溫度設(shè)定成190°C。另外，將導(dǎo)入腔室內(nèi)的SiH4氣體的供給量設(shè)定成3. 94X 10 -m3/s (25sccm)， 將H2氣體的供給量設(shè)定成1. 57Pa · m3/s (IOOOsccm)。并且，針對(duì)在25cmX 25cm的玻璃基板上形成的i型微晶硅膜的膜厚的不均勻性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。此外，將最大膜厚作為TMax，將最小膜厚作為TMin，此時(shí)沉積膜的面內(nèi)膜厚分布表示為，膜厚分布不均勻性=士 (TMax-TMJ/(TMax+Tmn) X 100(% )。相對(duì)于使用了比較例的沉積膜形成裝置的膜厚分布不均勻性為士20. 47%，使用了本實(shí)施例的沉積膜形成裝置的膜厚分布不均勻性為士7. 79%，因此大幅度改善了膜厚分布不均勻性。另外，確認(rèn)比較例的膜厚分布，發(fā)現(xiàn)在位于第一導(dǎo)入口 53附近的中央支流部線上，i型微晶硅膜的膜厚厚，而隨著向左右端部方向移動(dòng)而膜厚變薄。另一方面，確認(rèn)使用了本實(shí)施方式的沉積膜形成裝置的膜厚分布，發(fā)現(xiàn)整個(gè)i型微晶硅膜大致有均勻的膜厚。附圖標(biāo)記的說明1 腔室2:第二電極3:第一供給路徑4 第一供給部5:第二供給路徑51 干流部52 支流部53:第一導(dǎo)入口54:第二導(dǎo)入口55 導(dǎo)入路徑56:支流部連接口57 整流構(gòu)件6 第二供給部7:第一電極8:空間10 基材12:加熱催化體
權(quán)利要求
1.一種沉積膜形成裝置，具有腔室；第一電極，其位于所述腔室內(nèi)；第二電極，其位于所述腔室內(nèi)，且與所述第一電極隔開規(guī)定間隔， 該第二電極具有第一供給部，其用于將第一原料氣體供給至所述第一電極和所述第二電極之間的空間；多個(gè)第二供給部，它們用于將第二原料氣體供給至所述空間； 第一供給路徑，其與所述第一供給部相連接，用于導(dǎo)入所述第一原料氣體； 第二供給路徑，其與所述第二供給部相連接，用于導(dǎo)入所述第二原料氣體， 該沉積膜形成裝置的特征在于， 所述第二供給路徑具有干流部，其具有用于導(dǎo)入所述第二原料氣體的第一導(dǎo)入口 ；支流部，其具有多個(gè)氣體流路，這些氣體流路具有用于從該干流部導(dǎo)入所述第二原料氣體的第二導(dǎo)入口，在該支流部的多個(gè)所述氣體流路分別與多個(gè)所述第二供給部相連接， 所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導(dǎo)入口流至所述第二供給部的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導(dǎo)入口流至所述第二供給部的結(jié)構(gòu)是指如下結(jié)構(gòu)在所述支流部的一個(gè)氣體流路中，與所述一個(gè)氣體流路相連接的所述第二供給部的入口，不位于連接所述第一導(dǎo)入口和所述第二導(dǎo)入口的直線上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導(dǎo)入口流至所述第二供給部的結(jié)構(gòu)是指如下結(jié)構(gòu)在所述干流部的長(zhǎng)度方向上，所述第一導(dǎo)入口和所述第二導(dǎo)入口之間的距離，在干流部的剖面開口長(zhǎng)度以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導(dǎo)入口流至所述第二供給部的結(jié)構(gòu)是指如下結(jié)構(gòu)在所述干流部?jī)?nèi)設(shè)有整流構(gòu)件，所述整流構(gòu)件用于改變從所述干流部向所述支流部流動(dòng)的所述第二原料氣體的氣體流的流向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，排列配置多個(gè)所述支流部，且多個(gè)該支流部的兩端分別與不同的所述干流部相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述第一供給路徑上設(shè)有加熱催化體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，在所述第一供給部中，擴(kuò)大所述第一供給部的出口的流路剖面面積，使得產(chǎn)生空心陰極放電。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，隨著遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)入口，所述支流部的所述氣體流路的流路剖面面積變大。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，所述支流部具有緩沖空間，該緩沖空間是用于緩沖所述第二原料氣體的流速的緩沖部，該緩沖空間具有多個(gè)使所述第二原料氣體通過的開口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，所述緩沖空間的所述開口的個(gè)數(shù)比所述第二供給部的個(gè)數(shù)少。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，所述緩沖空間的所述開口的剖面面積比所述第二供給部的流路剖面面積小。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，在俯視所述支流部時(shí)，與在所述支流部的兩端側(cè)相比，在中央側(cè)設(shè)有更多的所述緩沖空間的所述開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，在俯視所述支流部時(shí)，越靠近位于所述支流部的中央的氣體流路，所述氣體流路的開口剖面面積越大。
14.一種沉積膜形成方法，使用根據(jù)權(quán)利要求1至13中的任一項(xiàng)記載的沉積膜形成裝置，在配置于所述第一電極和所述第二電極之間的基材上形成沉積膜，該沉積膜形成方法的特征在于，將所述第一原料氣體及所述第二原料氣體供給至所述第一電極和所述第二電極之間， 且產(chǎn)生等離子體，由此在所述基材上面形成沉積膜。
全文摘要
本發(fā)明的一個(gè)方式的沉積膜形成裝置，具有腔室；第一電極，其位于所述腔室內(nèi)；第二電極，其位于所述腔室內(nèi)，且與所述第一電極隔開規(guī)定間隔，該第二電極具有第一供給部，其用于將第一原料氣體供給至所述第一電極和所述第二電極之間的空間；多個(gè)第二供給部，它們用于將第二原料氣體供給至所述空間；第一供給路徑，其與所述第一供給部相連接，用于導(dǎo)入所述第一原料氣體；第二供給路徑，其與所述第二供給部相連接，用于導(dǎo)入所述第二原料氣體，該沉積膜形成裝置的特征在于，所述第二供給路徑具有干流部，其具有用于導(dǎo)入所述第二原料氣體的第一導(dǎo)入口；支流部，其具有多個(gè)氣體流路，這些氣體流路具有用于從該干流部導(dǎo)入所述第二原料氣體的第二導(dǎo)入口，在該支流部的多個(gè)所述氣體流路分別連接有多個(gè)所述第二供給部，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導(dǎo)入口流至所述第二供給部的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L31/04GK102471886SQ20108002956
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者伊藤憲和, 松居宏史, 稻葉真一郎 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社