專利名稱：光刻投影設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電連接器、一種電連接器系統(tǒng)、一種光刻設(shè)備以及一種用于制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單個的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。光刻設(shè)備的某些移動部分通過高壓電源提供電力。而且，對于某些光刻過程，光刻設(shè)備的多個部件被保持在非常低的壓強條件下。具體地，在非常低的壓強的條件下，高壓電源可以用以給用以定位襯底放置所在的襯底臺的任意致動器、攔截投影束的一部分的任意所謂的葉片或?qū)⒀谀；蛞r底保持至作為光刻設(shè)備的一部分的臺的任意夾持裝置提供電力。 由于使用高壓的原因，并且尤其是因為部件被放置在非常低壓強的環(huán)境中，存在可能發(fā)生電擊穿的問題。電擊穿的可能性限制了供電線的電壓并且存在安全危害。如果發(fā)生擊穿， 則會污染光學(xué)部件的表面，產(chǎn)生干擾敏感電子器件的電磁干擾以及存在對人的安全危害。EP1056162B1公開了一種用以控制電場的裝置。該裝置使用電容場控制和幾何場控制。電容場控制包括多個電容層，所述電容層基本上同心地布置在內(nèi)部帶電導(dǎo)體和外部地電勢之間。幾何場控制包括應(yīng)力錐體，其布置成與地電勢電接觸。然而，仍然可能發(fā)生從電纜至附近的導(dǎo)體的電弧放電。當(dāng)電纜連接在處于低壓強的系統(tǒng)中時，這種類型的電弧放電的問題尤其明顯。在極紫外(EUV)光刻技術(shù)中，在非常低的壓強條件下執(zhí)行光刻過程以便減少EUV輻射被空氣吸收。為了克服這個問題，US6，485，331B1公開了一種用于電纜的連接系統(tǒng)，其在真空下操作并承載高壓電脈沖或電流。該連接系統(tǒng)包括連接至電纜的金屬屏蔽層的接地外金屬殼體和電介質(zhì)的絕緣套管。絕緣屏蔽層和套管包圍將要連接的電纜。該系統(tǒng)與密封件相配合以在電纜的絕緣套管和絕緣屏蔽層之間形成密封的腔。這確保即使連接系統(tǒng)的部分位于真空，連接系統(tǒng)的絕緣體也能保持浸入在氣體環(huán)境中。這被設(shè)計成減少沿連接系統(tǒng)的絕緣體結(jié)合處的表面的電弧放電。然而，在這種系統(tǒng)中防止泄漏是困難的。系統(tǒng)中任何泄漏都增加了電弧放電的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
期望例如提供一種電連接器，適于在低壓強條件下連接高壓電纜并且其中減小或消除電弧放電。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種電連接器，包括具有導(dǎo)電表面的殼體和多個電纜插入部分。每一個電纜插入部分包括導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體配置用以連接至電纜；和絕緣套管，所述絕緣套管圍繞所述導(dǎo)電體。所述殼體圍繞所述多個電纜插入部分。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種電連接系統(tǒng)，包括陽電連接器和陰電連接器。 陽和陰電連接器每一個包括具有導(dǎo)電表面的殼體和多個電纜插入部分。每一個電纜插入部分包括配置用以連接至電纜的導(dǎo)電體和圍繞導(dǎo)電體的絕緣套管。所述殼體圍繞多個電纜插入部分。陽電連接器和陰電連接器相互連接。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種電連接系統(tǒng)，包括絕緣套管和多個導(dǎo)電帶，所述導(dǎo)電帶圍繞絕緣套管。在每一個導(dǎo)電帶之間存在間隙使得在每一個間隙處絕緣套管是暴露的。此外，本發(fā)明涉及包括連接器或連接系統(tǒng)的光刻系統(tǒng)和子系統(tǒng)。


下面僅通過示例的方式，參考附圖對本發(fā)明的實施例進行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的標記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示意地示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的光刻設(shè)備；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一對陽/陰電連接器；圖3示出空氣中的平行板的理論帕邢曲線(Paschen curve)；圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的電連接系統(tǒng)；圖5示出通過根據(jù)本發(fā)明的一實施例的連接系統(tǒng)連接至電源的束攔截裝置；圖6示出通過根據(jù)本發(fā)明的一實施例的連接系統(tǒng)連接至電源的靜電夾持裝置。
具體實施例圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如紫外(UV)輻射或極紫外 (EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用以根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用以根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，配置成將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)支撐圖案形成裝置，即承載圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！笨梢员豢醋髋c更為上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分中形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。在此，術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)當(dāng)被廣義地理解為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里任何使用的術(shù)語“投影透鏡”可以被看作與更為上位的“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替換地，所述設(shè)備是透射型的(例如采用透射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以被應(yīng)用至光刻設(shè)備的其他空間，例如掩模和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域是公知的。這里使用的術(shù)語“浸沒”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。參照圖1，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當(dāng)該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、 以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作“輻射系統(tǒng)”。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。掩蔽裝置被包含在照射器IL內(nèi)，掩蔽裝置限定在圖案形成裝置上被照射的區(qū)域。 掩蔽裝置可以包括多個葉片(例如四個)，(例如)通過致動器(例如步進電機)，它們的位置是可控的，使得可以限定輻射束的橫截面。應(yīng)該注意的是，掩蔽裝置不需要被定位在圖案形成裝置附近，但是通常將被放置在被成像到圖案形成裝置上的平面(圖案形成裝置的共軛平面)中。掩蔽裝置的開放區(qū)段限定圖案形成裝置上的被照射的區(qū)段，但是可能與該區(qū)段不完全相同，例如在介于中間的光學(xué)裝置具有不等于1的放大率的情況下。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，掩蔽裝置包括束攔截裝置210，所述束攔截裝置210包括布置成攔截輻射束B的一部分的不透光的葉片211、212、213、214，如圖5所示。葉片211、 212、213、214操縱在掩模MA上曝光的投影束B的尺寸和形狀，并因此操作在目標部分C上曝光的投影束B的尺寸和形狀。葉片211、212、213、214的移動和定位受控制系統(tǒng)220的控制。如果所投影的目標部分C沒有全部被定位在襯底W上，則控制系統(tǒng)220布置成限定該特定的目標部分C的新的尺寸，并因此驅(qū)動束攔截裝置210。圖案形成裝置(例如掩模MA)被保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺MT)上并通過圖案形成裝置形成圖案。掩模MA可以在掩模的兩個表面上被夾持至掩模臺MT。通過在兩個表面上夾持掩模MA，掩?？梢栽诓换瑒踊蜃冃蔚那闆r下經(jīng)受大的加速度。使用薄膜可以施加夾持或保持作用力，其還防止掩模的變形。通過夾持，在掩模和掩模臺MT的相鄰表面之間產(chǎn)生法向作用力，由此在掩模和掩模臺的接觸表面之間產(chǎn)生摩擦。使用靜電或機械夾持技術(shù)可以產(chǎn)生至掩模MA的表面上的夾持作用力。在EUV光刻過程中，可以使用靜電夾持裝置將掩模MA夾持至掩模臺MT和/或?qū)⒁r底W夾持至襯底臺WT。圖6示出示例性的靜電夾持裝置，其經(jīng)由根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電連接系統(tǒng)21連接至電源34。在圖6中示出的示例性靜電夾持裝置中，卡盤60包括具有嵌入的電極62的電介質(zhì)的或稍微導(dǎo)電的導(dǎo)電體61。電源34用以在掩模MA或襯底W 和卡盤60之間以及卡盤60和臺MT、WT之間施加電勢差，使得靜電作用力將掩模MA或襯底 W和卡盤60夾持至臺MT、WT。所嵌入的電極62連接至電源34。所述輻射束B入射到所述圖案形成裝置(例如，掩模MA)上。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT (例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中)。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IFl用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。可以使用掩模對準標記Ml、M2和襯底對準標記Pl、P2來對準掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準標記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上(S卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT 的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、 或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。第一定位裝置PM、第二定位裝置PW、控制可以包含在掩蔽裝置中的任何葉片的電機以及可以包含在光刻投影設(shè)備中的任何夾持裝置通過高壓電源提供電力。采用高電壓意味著電源產(chǎn)生數(shù)百或數(shù)千伏量級的輸出。在一實施例中，電源的輸出大于100V、大于200V、 大于500V、大于1000V、大于2000V、大于5000V。圖2示意地示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的電連接系統(tǒng)21。所述電連接系統(tǒng)是插頭和插座連接器，包括陽電連接器22和陰電連接器23。陽和陰電連接器具有互補的結(jié)構(gòu)，使得它們彼此牢固地相互連接。這在一對或更多對電纜M之間形成電連接。對于將要連接的每對電纜M，一個電纜電連接至陽電連接器22，并且一個電纜電連接至陰電連接器23。雖然如上所述，陽和陰電連接器在一些方面具有不同的物理結(jié)構(gòu)，但是兩種類型的連接器都是本發(fā)明的實施例。根據(jù)本發(fā)明的一實施例的(陽和陰)電連接器包括殼體25。殼體25可以由導(dǎo)電材料形成?？蛇x地，殼體材料是輕合金。可選地，殼體25可以由電絕緣材料形成，但是具有導(dǎo)電表面。例如，殼體25可以由塑料或塑膠制成，并且鍍有導(dǎo)電材料。殼體25可以是壓鑄的或模鑄的。期望地，殼體25是抗腐蝕的。在如圖2所示的示例性實施例中，陰連接器23的殼體25的端部部分被構(gòu)造成以便配合在陽連接器22的殼體25的相應(yīng)的端部部分內(nèi)。這有助于將相應(yīng)的部分保持在正確的相對位置，有助于在一對電纜M之間形成穩(wěn)定的電連接。殼體25的用途是用以控制由連接至電連接器的電纜對產(chǎn)生的電場。對于許多光刻設(shè)備，電纜的電壓非常高，例如數(shù)百或數(shù)千伏。如果不控制、抑制或屏蔽電場，將存在發(fā)生從高壓電纜M至光刻設(shè)備的另一部件的電弧放電的危險。殼體25通過在自由電子獲得危險的動能水平之前捕獲來自電纜M的自由電子和/或通過阻止電子通過在連接器的環(huán)境中的氣體沿危險的方向加速而控制電場。同樣，期望導(dǎo)電殼體25電連接至地電勢。因此，可選地，殼體25在其外表面上具有配置用以連接至地電勢的連接區(qū)域。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的殼體25將不同的功能實現(xiàn)至傳統(tǒng)的電連接器的殼體。例如，一些傳統(tǒng)的電連接器具有由絕緣材料(例如絕緣塑料或塑膠)形成的殼體。 這為連接器提供機械保護。雖然這種連接器可以適用于低電壓，但是其在需要連接至高壓電纜的應(yīng)用中，可能會由于從電纜至其他導(dǎo)電部件的電弧放電而失效。在用于連接共軸電纜的標準電連接器中，連接器的外殼體被要求形成接地的屏蔽，其完全包圍共軸電纜的內(nèi)導(dǎo)體，其中電纜的外導(dǎo)體在連接點處不包圍內(nèi)導(dǎo)體。這種結(jié)構(gòu)的目的在于將電場限制到在內(nèi)導(dǎo)體和殼體之間的空間。殼體內(nèi)唯一的斷開可以是通風(fēng)孔， 其足夠小以致于不顯著干擾電場。根據(jù)本發(fā)明的一實施例的電連接器以不同的原理工作，其不要求殼體圍繞電纜形成不中斷的接地屏蔽。殼體25包圍連接器的電纜插入部分沈，電壓承載電纜和導(dǎo)體位于所述連接器中。如上所述，陽和陰連接器互補地成形，由此允許它們牢固地互鎖。作為用以確保連接的安全性的額外措施，可以在連接器的殼體上設(shè)置鎖定系統(tǒng)。這種鎖定系統(tǒng)可以采用在陽和陰連接器中的一個的殼體兩側(cè)上的兩根桿的形式。兩對突出的銷定位在另一連接器的殼體的相應(yīng)端部上。當(dāng)連接器連接在一起時，桿鉤到銷上，由此形成牢固的連接?？蛇x地， 可以僅有一根桿和一對銷。這些桿可以例如由不銹鋼形成。可選地或附加地，鎖定系統(tǒng)包括螺釘和螺栓系統(tǒng)。連接器包括至少兩個電纜插入部分沈。每一個電纜插入部分沈包括由電絕緣套管28包圍的導(dǎo)電體27。導(dǎo)體27配置成連接至電纜M的端部。一些光刻制造方法要求在非常低的壓強條件下實施，例如10Pa。例如，使用EUV輻射的光刻方法必須在高度真空條件下實施。這是因為空氣吸收EUV輻射。因此光刻設(shè)備的每一個部件必須適于在低壓強下使用。這包括將光刻設(shè)備的一個或更多個部件連接至高壓電源的電連接器。附加地，期望能夠使用與在大氣壓的條件下相同的電連接器。用于電連接器的合適的絕緣材料包括液晶聚合物、聚醚醚酮(PEEK)或聚四氟乙烯(PTFE)。其他的絕緣體也是可以適合的。電纜插入部分沈的絕緣套管28基本上采用管的形式。絕緣套管28布置成基本上圍繞將要連接的電纜M的端部。電纜M的端部被剝離掉其自身的絕緣套管并被插入到電纜插入部分沈，于是電連接器的絕緣套管觀圍繞它?？蛇x地，絕緣套管觀的內(nèi)表面采用圓筒的形式。絕緣套管觀的精確的結(jié)構(gòu)期望與陽連接器22和陰連接器23不同。在如圖2所示的示例性的實施例中，陰連接器23的絕緣套管觀延伸超過殼體25，同時陽連接器22的絕緣套管觀止動于殼體25內(nèi)部。在一個實施例中，陰連接器23的最接近陽連接器22的絕緣套管觀的端部配合在陽連接器22的最接近陰連接器23的絕緣套管觀端部內(nèi)。這有助于通過確保陽和陰連接器的相對位置穩(wěn)定而形成穩(wěn)定的電連接。如圖2所示，可選地，在殼體25的內(nèi)側(cè)表面上設(shè)置脊四，在絕緣套管28的外表面上具有對應(yīng)的凸緣30。凸緣30與脊四接觸。這有助于防止絕緣套管觀在殼體25內(nèi)部滑動。 可選地，每一個絕緣套管28的最接近電纜M的端部互補地配合在蓋帽31內(nèi)部。 蓋帽31圍繞絕緣套管觀的端部并接觸殼體25的內(nèi)表面。蓋帽31由例如液晶聚合物、聚醚醚酮(PEEK)或聚四氟乙烯(PTFE)的絕緣材料形成。 每一個電纜插入部分沈的導(dǎo)電體27限定電連接器是陽的還是陰的。陽連接器22 的導(dǎo)體27配合在內(nèi)部并電接觸陰連接器23的導(dǎo)體27?？蛇x地，陽/陰連接器的導(dǎo)體27不突出超過連接器的殼體25。對于陽和陰連接器，導(dǎo)體27配置成接觸將要連接的電纜24。電纜M插入到導(dǎo)體 27的后端部，即最遠離與之相匹配的相應(yīng)的連接器的導(dǎo)體27的端部。電纜插入部分沈的導(dǎo)體27和電纜M之間的連接點被稱為端子。該連接可以通過螺釘端子實現(xiàn)，其中電連接至導(dǎo)體27的螺釘用以保持與導(dǎo)體27電接觸的電纜的端部?？蛇x地，所述端子可以是壓接連接。在這種情況中，電纜M的剝露的端部插入到電纜插入部分26。然后通過使用特殊的卷邊工具擠壓將端子的一部分緊密地壓在電纜周圍。作為另一可選的方式，可以使用籠式夾持端子。熟知的是，在大多數(shù)環(huán)境下，兩個導(dǎo)電體之間的放電所需的電勢差隨著壓強增大而升高?；谶@個原因，在現(xiàn)有技術(shù)中，用于在低壓強條件下使用的電連接器被構(gòu)造成氣密的。在這種情形中，電連接器的內(nèi)部可以被保持為比環(huán)境壓強更高的壓強。這防止擊穿電壓隨著壓強減小而減小，由此減小電弧放電的可能性。然而，形成用以連接一對導(dǎo)線的完全不透氣的電連接系統(tǒng)是非常困難的。內(nèi)部保持為比環(huán)境壓強高的壓強條件的連接系統(tǒng)的任何泄漏將降低連接系統(tǒng)內(nèi)部的壓強，以致降低擊穿電壓和增加電弧放電的可能性?？蛇x地，可能存在連接系統(tǒng)，其內(nèi)部被保持在比環(huán)境壓強低的壓強條件，以便提高連接系統(tǒng)內(nèi)的電擊穿電壓。在這種連接系統(tǒng)中的任何泄漏將提高連接系統(tǒng)內(nèi)的壓強，以致降低擊穿電壓并增加電弧放電的可能性。例如，在插頭和插座電連接器中，在陽和陰連接器的殼體的重疊的點處存在氣體泄漏。在電纜進入連接器的后部的部位點處也難以防止氣體泄漏。電纜可能不是與連接器的殼體氣密的。這允許氣體通過電纜的外表面和連接器的殼體之間的空間。根據(jù)本發(fā)明的一實施例的電連接系統(tǒng)和電連接器不需要被設(shè)置成氣密的。這是因為，如上所述，導(dǎo)電殼體控制電場。在用以連接多對電纜的電連接器中，除了在電纜中的一個和光刻設(shè)備的另一電部件之間的電弧放電的危險之外，還存在連接系統(tǒng)內(nèi)的一個電纜和鄰近的電纜之間的電弧放電的危險。通常，這種電纜(例如)將必須保持分開足夠的間距或通過獨立的連接系統(tǒng)獨立地連接。在根據(jù)本發(fā)明的一實施例的電連接系統(tǒng)和電連接器中，設(shè)定在不同電壓條件下導(dǎo)體之間的間隙間距的上限。所述上限依賴于連接器或連接系統(tǒng)使用時所處的壓強。對于配置成連接承載300V電壓的電纜的電連接系統(tǒng)的10 的工作壓強，導(dǎo)電體之間的最大間隙間距可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置為80mm。換句話說，為了降低在連接系統(tǒng)內(nèi)部電纜之間的電弧放電的可能性，連接系統(tǒng)內(nèi)部的任何電纜之間的間距必須不超過80mm。電纜M位于電纜插入部分沈的絕緣套管觀內(nèi)部。因此，為了實現(xiàn)上述的最大間隙間距，電連接器的任何兩個絕緣套管觀的內(nèi)表面之間的間距被設(shè)定為在10 的壓強條件下d彡80mm?？蛇x地，作為附加的安全預(yù)防措施，電連接系統(tǒng)內(nèi)部的間隙間距被設(shè)置為比上述最大間隙間距小5倍。這種5倍系數(shù)得出d彡15mm。該安全系數(shù)可以是尤其重要的，因為電接觸的幾何形狀影響擊穿電壓。在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電連接器中，絕緣套管觀內(nèi)的導(dǎo)體27具有尖端形狀。這例如相對于平行板減小了擊穿電壓。雖然可以試圖將光刻過程的環(huán)境壓強保持在10 ，但是可能存在不想要的將導(dǎo)致壓強升高的真空容器泄漏。在這樣的低壓強條件下，壓強升高會導(dǎo)致?lián)舸╇妷旱臐撛诘奈ｋU的降低。可選地，電連接器設(shè)置成使得d彡40mm。如果連接器在20 的壓強條件下使用， 這是合適d的上限?？蛇x地，在采用5倍安全系數(shù)的情況下，d ( 8mm?？蛇x地，光刻設(shè)備包括顯示裝置，用以在壓強為10 或更低時顯示狀況安全的信號。壓強傳感器檢測真空容器內(nèi)的壓強。當(dāng)壓強傳感器檢測壓強已經(jīng)升高到10 以上時， 信號將停止顯示?？蛇x地，光刻設(shè)備具有安全裝置，其防止真空容器內(nèi)的壓強在存在不期望的泄漏的時候升高至20 以上。可選地，光刻設(shè)備包括安全切斷系統(tǒng)，其在壓強升高到特定壓強以上時關(guān)斷電源。 例如，壓強傳感器檢測所述壓強。例如，當(dāng)檢測到壓強大于20 時，發(fā)送信號至電源以使其關(guān)斷。通常，設(shè)置的最大間隙間距根據(jù)下面的關(guān)系式而與壓強成反比
權(quán)利要求
1.一種電連接器，包括(a)殼體，具有導(dǎo)電表面；和(b)多個電纜插入部分，每一個電纜插入部分包括 (i)導(dǎo)電體，配置用以連接至電纜；和( )絕緣套管，圍繞所述導(dǎo)電體； 其中所述殼體圍繞所述多個電纜插入部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中絕緣套管的內(nèi)表面之間的最大間距d小于大約 80mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電連接器，其中絕緣套管的內(nèi)表面之間的最大間距d小于大約 30mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電連接器，其中絕緣套管中的每一個的內(nèi)表面和殼體之間的最大間距d小于大約80mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電連接器，其中絕緣套管中的每一個的內(nèi)表面和殼體之間的最大間距d小于大約30mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中電連接器的內(nèi)部與所述電連接器的外部流體連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中絕緣套管之間的每一個區(qū)域僅由電絕緣材料占據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中電連接器是陽連接器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中電連接器是陰連接器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中殼體具有配置成連接地電勢的連接器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中每一個電纜插入部分包括絕緣蓋帽，所述蓋帽配置成包圍絕緣套管的端部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中所述多個電纜插入部分包括三個電纜插入部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中絕緣套管包括聚四氟乙烯。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中絕緣套管包括液晶聚合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中絕緣套管包括聚醚醚酮。
16.一種電連接系統(tǒng)，包括陽電連接器，所述陽電連接器具有(a)第一殼體，具有導(dǎo)電表面；和(b)第一多個電纜插入部分，每一個電纜插入部分包括 ⑴導(dǎo)電體，配置用以連接至電纜；和( )絕緣套管，圍繞所述導(dǎo)電體； 其中所述第一殼體圍繞所述第一多個電纜插入部分；和陰電連接器，具有(c)第二殼體，具有導(dǎo)電表面；和(d)第二多個電纜插入部分，每一個電纜插入部分包括 (i)導(dǎo)電體，配置用以連接至電纜；和(ii)絕緣套管，圍繞所述導(dǎo)電體； 其中所述第二殼體圍繞所述第二多個電纜插入部分； 其中陽電連接器和陰電連接器相互連接。
17.一種電連接系統(tǒng)，包括(a)絕緣套管；和(b)多個導(dǎo)電帶，圍繞所述絕緣套管；其中在每一個導(dǎo)電帶之間存在間隙使得在每一個間隙處絕緣套管是暴露的。
18.一種光刻設(shè)備，包括(a)襯底臺，構(gòu)造成保持襯底；(b)致動器，配置成驅(qū)動襯底臺；和(c)根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，配置成將致動器連接至電源。
19.一種光刻設(shè)備，包括(a)照射支撐件，配置成調(diào)節(jié)輻射束；(b)支撐結(jié)構(gòu)，構(gòu)造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束；(c)襯底臺，構(gòu)造用以保持襯底；(d)投影系統(tǒng)，配置用以將圖案化的輻射束投影至襯底的目標部分上；(e)束攔截裝置，布置用以攔截投影束的部分的一部分；(f)控制器，配置用以驅(qū)動所述束攔截裝置；和(g)根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，配置成將控制器連接至電源。
20.一種光刻設(shè)備，包括(a)支撐結(jié)構(gòu)，構(gòu)造用支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束；(b)投影系統(tǒng)，配置用以將圖案化的輻射束投影至襯底的目標部分上；(c)夾持裝置，用以將所述圖案形成裝置保持在所述支撐結(jié)構(gòu)的表面上；和(d)根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，配置成將夾持裝置連接至電源。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光刻設(shè)備，其中夾持裝置是靜電夾持裝置。
22.—種光刻設(shè)備，包括(a)襯底臺，構(gòu)造用以保持襯底；(b)夾持裝置，用以將所述襯底保持在所述襯底臺的表面上；和(c)根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，配置成將夾持裝置連接至電源。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光刻設(shè)備，其中所述夾持裝置是靜電夾持裝置。
全文摘要
一種電連接器，適于例如在低壓強環(huán)境中連接高電壓承載電纜，電連接器包括具有導(dǎo)電表面的殼體和多個電纜插入部分，每一個電纜插入部分包括導(dǎo)電體，配置用以連接至電纜；和絕緣套管，圍繞所述導(dǎo)電體，其中所述殼體圍繞所述多個電纜插入部分。
文檔編號H01R13/03GK102405560SQ201080017184
公開日2012年4月4日 申請日期2010年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月20日
發(fā)明者H·范豪特, J·戴門, J·范杜凡波第 申請人:Asml荷蘭有限公司