專利名稱：Led芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED照明技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件，其利用半導(dǎo)體PN結(jié)作為發(fā)光材料，可以直接將電轉(zhuǎn)換為光。LED的結(jié)構(gòu)主要由半導(dǎo)體PN結(jié)、電極和光學(xué)系統(tǒng)組成。LED的發(fā)光機(jī)理為PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定勢(shì)壘，當(dāng)加正向偏置電壓時(shí)，勢(shì)壘下降，P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子向?qū)Ψ綌U(kuò)散；由于電子遷移率比空穴遷移率大得多，所以會(huì)出現(xiàn)大量電子向P區(qū)擴(kuò)散，構(gòu)成對(duì)P區(qū)少數(shù)載流子的注入；這些電子與價(jià)帶上的空穴復(fù)合，復(fù)合時(shí)得到的能量以光能的形式釋放出去。在各種半導(dǎo)體材料中，以氮化鎵(GaN)為代表的III_V族化合物半導(dǎo)體由于具有帶隙寬、發(fā)光效率高、電子飽和漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，而在高亮度藍(lán)光發(fā)光二極管、藍(lán)光激光器等光電子器件領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力，引起了人們的廣泛關(guān)注。傳統(tǒng)的LED芯片通常呈四邊形，并且其結(jié)構(gòu)有兩種橫向結(jié)構(gòu)(Lateral)和垂直結(jié)構(gòu)(Vertical)，其中，橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的兩個(gè)電極在LED芯片的同一側(cè)，電流在η型氮化鎵層和P型氮化鎵層中橫向流動(dòng)不等的距離；垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的兩個(gè)電極分別在LED外延層的兩側(cè)，由于圖形化電極和全部的P型氮化鎵層作為第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，極少有橫向流動(dòng)的電流，因而可改善平面結(jié)構(gòu)的電流分布問題，提高發(fā)光效率，也可以解決P電極的遮光問題，提升LED的發(fā)光面積。然而，傳統(tǒng)的四邊形LED芯片的出光效率較低，并且現(xiàn)有的垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片還存在電流集中效應(yīng)。因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的LED芯片進(jìn)行改進(jìn)。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種LED芯片結(jié)構(gòu)，以提高LED芯片的性能。為解決上述問題，本實(shí)用新型提出一種LED芯片結(jié)構(gòu)，所述LED芯片的表面呈正六邊形，且其電極結(jié)構(gòu)呈中心發(fā)射狀?？蛇x的，所述LED芯片包括熱沉；N型電極，制備在所述熱沉上；N型GaN層，制備在所述N型電極上；InGaN/GaN多量子阱有源層，制備在所述N型GaN層上；P型GaN層，制備在所述hGaN/GaN多量子阱有源層上；P型透明電極層，制備在所述P型GaN層上，所述P型透明電極層的中心制備有P 型電極焊盤；以及[0017]P型電極，制備在所述熱沉上，且與所述N型電極隔開，并且通過引線與所述P型電極焊盤相連?？蛇x的，所述N型電極的材料為Pt、Cr、Au中的一種?？蛇x的，所述P型透明電極層的材料為Ni、ΙΤ0, Au中的一種?？蛇x的，所述P型電極焊盤的材料為Au?？蛇x的，所述P型電極的材料為Pt、Cr、Au中的一種?？蛇x的，所述熱沉的材料為銅板或鋁板?？蛇x的，所述LED芯片封裝在一反射杯中，所述反射杯的頂部開口，所述LED芯片上以及所述反射杯與所述LED芯片之間填充有熒光粉。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的LED芯片結(jié)構(gòu)，其LED芯片的表面呈正六邊形，且其電極結(jié)構(gòu)呈中心發(fā)射狀，從而可提高LED芯片的出光效率，并且避免了電流集中效應(yīng)。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的LED芯片結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的LED芯片結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的LED芯片結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種LED芯片結(jié)構(gòu)，所述LED芯片的表面呈正六邊形，且其電極結(jié)構(gòu)呈中心發(fā)射狀，從而提高了 LED芯片的出光效率，并且避免了電流集中效應(yīng)。請(qǐng)參考圖1至圖2，其中，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的LED芯片結(jié)構(gòu)的剖面圖， 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的LED芯片結(jié)構(gòu)的俯視圖，如圖1至圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的LED芯片結(jié)構(gòu)，其LED芯片100的表面呈正六邊形，且其電極結(jié)構(gòu)呈中心發(fā)射狀，從而提高了 LED芯片100的出光效率，并且避免了電流集中效應(yīng)。進(jìn)一步地，所述LED芯片100包括熱沉101，其中熱沉101也稱為散熱背板；N型電極102，制備在所述熱沉101上；N型GaN層103，制備在所述N型電極102上；InGaN/GaN多量子阱有源層104，制備在所述N型GaN層103上；P型GaN層105，制備在所述hGaN/GaN多量子阱有源層104上；P型透明電極層106，制備在所述P型GaN層105上，所述P型透明電極層106的中心制備有P型電極焊盤108 ；以及P型電極107，制備在所述熱沉101上，且與所述N型電極102隔開，并且通過引線 109與所述P型電極焊盤108相連。[0038]其中，所述P型電極焊盤108通過六條均勻分布的引線109與所述P型電極107 相連，構(gòu)成中心發(fā)射狀，由于電流可通過六條引線109從所述P型電極焊盤108流至所述P 型電極107，從而避免了電流集中效應(yīng)。進(jìn)一步地，所述N型電極102的材料為Pt、Cr、Au中的一種。進(jìn)一步地，所述P型透明電極層106的材料為Ni、ΙΤ0, Au中的一種。進(jìn)一步地，所述P型電極焊盤108的材料為Au。進(jìn)一步地，所述P型電極107的材料為Pt、Cr、Au中的一種。進(jìn)一步地，所述熱沉101的材料為銅板或鋁板，從而可更好地將LED芯片100產(chǎn)生的熱量散出。進(jìn)一步地，所述LED芯片100封裝在一反射杯201中，所述反射杯201的頂部開口， 所述LED芯片100上以及所述反射杯201與所述LED芯片100之間填充有熒光粉300。綜上所述，本實(shí)用新型提供了一種LED芯片結(jié)構(gòu)，所述LED芯片的表面呈正六邊形，且其電極結(jié)構(gòu)呈中心發(fā)射狀，從而提高了 LED芯片的出光效率，并且避免了電流集中效應(yīng)。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED芯片的表面呈正六邊形，且其電極結(jié)構(gòu)呈中心發(fā)射狀。
2.如權(quán)利要求1所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED芯片包括熱沉；N型電極，制備在所述熱沉上；N型GaN層，制備在所述N型電極上；InGaN/GaN多量子阱有源層，制備在所述N型GaN層上；P型GaN層，制備在所述hGaN/GaN多量子阱有源層上；P型透明電極層，制備在所述P型GaN層上，所述P型透明電極層的中心制備有P型電極焊盤；以及P型電極，制備在所述熱沉上，且與所述N型電極隔開，并且通過引線與所述P型電極焊盤相連。
3.如權(quán)利要求2所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型電極的材料為Pt、Cr、Au 中的一種。
4.如權(quán)利要求2所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型透明電極層的材料為Ni、 ΙΤ0, Au中的一種。
5.如權(quán)利要求2所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型電極焊盤的材料為Au。
6.如權(quán)利要求2所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型電極的材料為Pt、Cr、Au 中的一種。
7.如權(quán)利要求2所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熱沉的材料為銅板或鋁板。
8.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED芯片封裝在一反射杯中，所述反射杯的頂部開口，所述LED芯片上以及所述反射杯與所述LED芯片之間填充有熒光粉。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種LED芯片結(jié)構(gòu)，所述LED芯片的表面呈正六邊形，且其電極結(jié)構(gòu)呈中心發(fā)射狀，從而提高了LED芯片的出光效率，并且避免了電流集中效應(yīng)。
文檔編號(hào)H01L33/38GK202034407SQ20102069601
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者張汝京, 肖德元, 饒青 申請(qǐng)人:映瑞光電科技(上海)有限公司