專利名稱：高溫瓷介穿心電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元件中的陶瓷電容器制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
瓷介穿心電容器是濾波電路的主要部件。現(xiàn)有的瓷介穿心電容器由多層穿心電容器芯片、與芯片的內(nèi)端電極焊接的信號(hào)傳輸引線、與芯片的外端電極焊接的金屬外殼和樹脂封裝層構(gòu)成。這種瓷介穿心電容器的缺點(diǎn)是由于其芯片的外電極和內(nèi)電極與外端電極、 內(nèi)端電極的接觸面積較小，其電極端面結(jié)合強(qiáng)度較小，在環(huán)境溫度較高的情況下，由于封裝層的變形容易將芯片的端電極拉脫或?qū)⑿酒眩斐僧a(chǎn)品短路失效。隨著濾波電路工作環(huán)境溫度要求越來(lái)越高，有的甚至達(dá)到了 200°C，使得現(xiàn)有的其最高工作溫度為125°C的瓷介穿心電容器難以滿足濾波電路150°C 200°C的高溫工作環(huán)境要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的旨在解決現(xiàn)有瓷介穿心電容器耐溫度不高的問(wèn)題，提供一種工作溫度為_55°C +200°C的高溫瓷介穿心電容器。實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的高溫瓷介穿心電容器的構(gòu)成包括封裝在樹脂封裝層中的多層穿心電容器芯片、與穿心電容器芯片的內(nèi)端電極焊接的信號(hào)傳輸引線和與穿心電容器芯片的外端電極焊接的金屬外殼，在所述的各層芯片的外電極層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的內(nèi)端電極相接的電極式內(nèi)圈加強(qiáng)環(huán)，在所述的各層芯片的內(nèi)電極層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的外端電極相接的電極式外圈加強(qiáng)環(huán)，在所述的芯片與樹脂封裝層之間設(shè)有一耐熱封裝層。本高溫瓷介穿心電容器通過(guò)增設(shè)“電極式加強(qiáng)環(huán)”來(lái)與芯片的內(nèi)、外端電極相連接，增加了芯片本體與內(nèi)、外端電極的接觸面積，從而增加了芯片本體與內(nèi)、外端電極的連接強(qiáng)度，提高了芯片的抗形變的能力；增設(shè)的耐熱封裝層可采用熱膨脹系數(shù)非常小的耐高溫?zé)峁绦愿男詷渲瑏?lái)構(gòu)成，利用該改性樹脂在高溫下具有的防形變特性，可避免產(chǎn)品在溫度沖擊試驗(yàn)和高溫環(huán)境中出現(xiàn)形變而拉裂穿心芯片的情況。本高溫瓷介穿心電容器從減小產(chǎn)品的受熱形變量和加大產(chǎn)品自身的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度兩方面著手，有效地解決了現(xiàn)有瓷介穿心電容器存在的高溫下易變形而拉裂芯片導(dǎo)致電容器損壞的問(wèn)題。其最高工作溫度可達(dá)200°C，滿足了目前濾波電路150°C 200°C的高溫工作環(huán)境要求。具有高溫電性能優(yōu)越、可靠性高、結(jié)構(gòu)對(duì)稱、工藝成熟、制作方便等特點(diǎn)。特別適用于各種工作在高溫環(huán)境中的儀器、儀表、電子設(shè)備中使用。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖圖2是本實(shí)用新型的芯片的結(jié)構(gòu)示意圖[0010]圖3是現(xiàn)有瓷介穿心電容器的結(jié)構(gòu)示意圖圖4是現(xiàn)有瓷介穿心電容器的芯片的結(jié)構(gòu)示意圖
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1 2，本高溫瓷介穿心電容器以五層電極芯片的電容器為例，其構(gòu)成包括封裝在樹脂封裝層1中的多層穿心電容器芯片3、與穿心電容器芯片3的內(nèi)端電極7焊接的信號(hào)傳輸引線6和與穿心電容器芯片3的外端電極8焊接的金屬外殼5，其特征是在所述的各層芯片的外電極9層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的內(nèi)端電極7相接的電極式內(nèi)圈加強(qiáng)環(huán)11，在所述的各層芯片的內(nèi)電極10層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的外端電極8相接的電極式外圈加強(qiáng)環(huán)12，在所述的芯片3與樹脂封裝層1之間設(shè)有一耐熱封裝層2。該耐熱封裝層2可采用熱膨脹系數(shù)非常小的耐高溫?zé)峁绦愿男詷渲?，采用常?guī)的封裝工藝來(lái)構(gòu)成。也可以采用具有類似功能的其它材料來(lái)構(gòu)成。內(nèi)圈和外圈加強(qiáng)環(huán)采用電極式以及設(shè)置在芯片的電極層面上，主要是考慮到其制作更為方便，即加強(qiáng)環(huán)可在制備芯片的內(nèi)、外電極的同時(shí)制備。顯然，加強(qiáng)環(huán)設(shè)在芯片的其它層面上也是可以的，只要它不與芯片的內(nèi)、外電極相觸及即可。加強(qiáng)環(huán)不做成電極式也可，只要它能與芯片的端電極固接就可。為方便比對(duì)，圖3和圖4給出了現(xiàn)有的瓷介穿心電容器和芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中，本高溫瓷介穿心電容器較現(xiàn)有的瓷介穿心電容器多了三個(gè)內(nèi)圈加強(qiáng)環(huán)11與內(nèi)端電極7相接，多了兩個(gè)外圈加強(qiáng)環(huán)12與外端電極8相接。
權(quán)利要求1.高溫瓷介穿心電容器，包括封裝在樹脂封裝層中的多層穿心電容器芯片、與穿心電容器芯片的內(nèi)端電極焊接的信號(hào)傳輸引線和與穿心電容器芯片的外端電極焊接的金屬外殼，其特征是在所述的各層芯片的外電極層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的內(nèi)端電極相接的電極式內(nèi)圈加強(qiáng)環(huán)，在所述的各層芯片的內(nèi)電極層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的外端電極相接的電極式外圈加強(qiáng)環(huán)，在所述的芯片與樹脂封裝層之間設(shè)有一耐熱封裝層。
專利摘要高溫瓷介穿心電容器，涉及電子元件中的陶瓷電容器制造技術(shù)領(lǐng)域。其構(gòu)成包括封裝在樹脂封裝層中的多層穿心電容器芯片、與穿心電容器芯片的內(nèi)端電極焊接的信號(hào)傳輸引線和與穿心電容器芯片的外端電極焊接的金屬外殼，在所述的各層芯片的外電極層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的內(nèi)端電極相接的電極式內(nèi)圈加強(qiáng)環(huán)，在所述的各層芯片的內(nèi)電極層面上設(shè)置有一與穿心電容器芯片的外端電極相接的電極式外圈加強(qiáng)環(huán)，在所述的芯片與樹脂封裝層之間設(shè)有一耐熱封裝層。工作溫度可達(dá)200℃。特別適用于各種工作在高溫環(huán)境中的電子設(shè)備中使用。
文檔編號(hào)H01G4/224GK202008925SQ20102062212
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者吳曉東, 李少奎, 王新, 趙碧全, 陳亞?wèn)|, 黃儉幫 申請(qǐng)人:成都宏明電子科大新材料有限公司