專利名稱：一種薄膜太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能電池，更具體地，本實用新型涉及一種非晶硅薄膜太 陽能電池。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，一方面加大對能源的需求，另一方面在常規(guī)能源的使用中 釋放出大量的二氧化碳?xì)怏w，導(dǎo)致全球性的“溫室效應(yīng)”，為此各國力圖擺脫常規(guī)能源的依 賴，加速發(fā)展可再生能源，太陽能具有“取之不盡，用之不竭”的特點，而利用太陽能發(fā)電具 有環(huán)保等優(yōu)點，且不必考慮其安全性問題。所以在發(fā)達(dá)國家得到了高度重視，比如歐盟國家 計劃在2010年太陽能光電轉(zhuǎn)換的電力所占總電力的1.5%，美國啟動了 “百萬屋頂”計劃， 在能源短缺，環(huán)境保護(hù)問題日益嚴(yán)重的我國，低成本高效率地利用太陽能尤為重要。目前主 要的太陽能電池技術(shù)基于晶體硅，包括多晶硅和單晶硅兩種，它能滿足太陽能使用的一般 要求，但是它具有以下缺點1、在生產(chǎn)中還需要相當(dāng)大量的能量，在硅的冶煉過程中對環(huán)境 造成環(huán)境很大的污染；2、太陽能轉(zhuǎn)化效率有待提高；3、太陽能電池形狀是單一的平板形， 適用性受到了限制。同時從固體物理學(xué)上講，硅材料并不是最理想的光伏材料，這主要是因為硅是間 接能帶半導(dǎo)體材料，其光吸收系數(shù)較低。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述缺陷，本實用新型提供了一種薄膜太陽能電池，它主要包括基板，其 特征在于基板的表面涂有鋁箔層，基板的背面電極層上依次設(shè)有緩沖層、光吸收層和窗口 層；窗口層為η-型半導(dǎo)體，光吸收層為P-型半導(dǎo)體。其中基板的厚度為2-3mm，光吸收層的厚度為1. 5_2pm，緩沖層的厚度為 50-150nm，窗口層的厚度為0. 5-1 μ m。使用時本實用新型的薄膜太陽能電池采用可塑性的基板，使太陽能電池可根據(jù)需 要制造成各種形狀，從而能適應(yīng)各種使用場合，擴大了太陽能電池的適用性，同時光吸收 層為P-型半導(dǎo)體Cu(In，Ca) (Se, S)2化合物形成，能有效提高太陽能轉(zhuǎn)換效率，從現(xiàn)有的 12-16%提高到17. 5%以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。

圖1為本實用新型薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步的描述。如圖1所示，本實用新型主要包括基板1，基板1的表面涂有鋁箔層，基板的背面 電極層上設(shè)有緩沖層2、光吸收層3和窗口層4，光吸收層3為P-型半導(dǎo)體Cu (In，Ca) (Se,s)2化合物形成。窗口層4為η-型半導(dǎo)體?；?的厚度為2-3mm，光吸收層3的厚度為1. 5-2pm，緩沖層2的厚度為50-150nm，窗口層4的厚度為0. 5-1 μ m。 在實施中，本實用新型的薄膜太陽能電池采用可塑性的基板，使太陽能電池可根 據(jù)需要制造成各種形狀，從而能適應(yīng)各種使用場合，擴大了太陽能電池的適用性，同時光吸 收層3為P-型半導(dǎo)體Cu (In, Ca) (Se, S)2化合物形成，能有效提高太陽能轉(zhuǎn)換效率，從現(xiàn)有 的12-16%提高到17. 5%以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。
權(quán)利要求1.一種薄膜太陽能電池，其包括基板，其特征在于基板的表面涂有鋁箔層，基板的背 面電極層上依次設(shè)有緩沖層、光吸收層和窗口層，窗口層為η-型半導(dǎo)體，光吸收層為P-型 半導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜太陽能電池，其特征在于基板的厚度為2-3mm，光 吸收層的厚度為1. 5-2pm,緩沖層的厚度為50-150nm，窗口層的厚度為0. 5-1 μ m。
專利摘要本實用新型涉及一種薄膜太陽能電池，其特征在于基板的表面涂有鋁箔層，基板的背面電極層上依次設(shè)有緩沖層、光吸收層和窗口層，光吸收層為P-型半導(dǎo)體Cu(In，Ca)(Se，S)2化合物形成。使用時本實用新型的薄膜太陽能電池采用可塑性的基板，使太陽能電池可根據(jù)需要制造成各種形狀，從而能適應(yīng)各種使用場合，擴大了太陽能電池的適用性，同時光吸收層為P-型半導(dǎo)體Cu(In，Ca)(Se，S)2化合物形成，能有效提高太陽能轉(zhuǎn)換效率，從現(xiàn)有的12-16％提高到17.5％以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。
文檔編號H01L31/0264GK201877438SQ201020612240
公開日2011年6月22日 申請日期2010年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月18日
發(fā)明者顧瑜斌 申請人:顧瑜斌