專利名稱：一種電流調(diào)整二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種電流調(diào)整二極管芯片
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種基于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)原理的二極管芯片，具體涉及一種電流調(diào)整 二極管芯片。
背景技術(shù)：
電流調(diào)整二極管(Current Regulating Diode、CRD)指在一定電壓范圍內(nèi)可提供 基本穩(wěn)恒電流的二極管。在發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路以及波形產(chǎn)生電路、偏置電路中得到了廣 泛應(yīng)用。它實(shí)際為一柵源短路、結(jié)構(gòu)特殊的二端結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于同一原理的CRD芯片已有以下結(jié)構(gòu)其定義有一源區(qū)以及漏區(qū)分別作為芯片 的兩個(gè)引出端電極，兩電極從均從芯片上面引出，這種結(jié)構(gòu)在封裝、互連時(shí)只能采用芯片的 背面與底盤燒結(jié)或粘接、芯片的正面與外引線鍵合連接的方法。然而這樣的結(jié)構(gòu)并不能實(shí)現(xiàn)低成本封裝的雙面釬焊互連(例如整流芯片的塑料 封裝)、無需焊接只需被兩根帶頂頭的引線頂緊從而完成互連的玻璃封裝(例如小功率電 壓調(diào)整二極管)。原因是進(jìn)行這樣的封裝時(shí)會(huì)造成漏區(qū)的金屬層與源、柵、襯底的互連金屬 層短路。為解決上述技術(shù)問題，確有必要提供一種結(jié)構(gòu)新穎的電流調(diào)整二極管芯片，以克 服現(xiàn)有技術(shù)中的所述缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、封裝成本較低的電 流調(diào)整二極管芯片。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為一種電流調(diào)整二極管芯片，其包 括P型襯底層以及覆蓋在襯底層上的N型外延層；其中，所述外延層依次分隔為圓形漏區(qū)、 環(huán)形柵區(qū)、環(huán)形溝道、環(huán)形源區(qū)、穿通擴(kuò)散區(qū)五部分。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片進(jìn)一步設(shè)置為所述圓形漏區(qū)位于該電流調(diào)整 二極管芯片的中心，并呈臺(tái)面形狀，其高度大于2微米。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片進(jìn)一步設(shè)置為所述環(huán)形柵區(qū)為P型擴(kuò)散層， 其位于圓形漏區(qū)外側(cè)；而所述環(huán)形溝道位于環(huán)形柵區(qū)的正下方。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片進(jìn)一步設(shè)置為所述環(huán)形源區(qū)位于環(huán)形柵區(qū)和 環(huán)形溝道的外側(cè)。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片進(jìn)一步設(shè)置為所述穿通擴(kuò)散區(qū)為P型穿通擴(kuò) 散區(qū)，其位于環(huán)形源區(qū)的外側(cè)，其穿通所述外延層。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片進(jìn)一步設(shè)置為所述襯底層的底部覆蓋一用于 與陰極引線互連的第一金屬層。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片進(jìn)一步設(shè)置為所述圓形漏區(qū)的表面設(shè)有一用 于歐姆接觸的N型擴(kuò)散層以及用于與陽極引線互連的第二金屬層。[0014]本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片進(jìn)一步設(shè)置為所述環(huán)形柵區(qū)外側(cè)的PN結(jié)表 面、穿通擴(kuò)散區(qū)內(nèi)側(cè)的PN結(jié)表面以及環(huán)形源區(qū)表面覆蓋一第三金屬層。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片還可設(shè)置為所述環(huán)形柵區(qū)與圓形漏區(qū)的PN 結(jié)表面覆蓋一層鈍化膜，鈍化膜為半絕緣多晶硅或氧化硅復(fù)合膜或玻璃膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管 芯片可以滿足各種封裝要求，尤其適合于通過雙面釬焊實(shí)現(xiàn)芯片與引出線互連的塑料封裝 以及通過直接接觸實(shí)現(xiàn)芯片與引出線互聯(lián)的玻璃封裝，其具有結(jié)構(gòu)簡單、封裝成本較低等 諸多優(yōu)點(diǎn)。

圖1是本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片的俯視圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，本實(shí)用新型為一種電流調(diào)整二極管芯片，其包括襯底層1 以及覆蓋于襯底層1之上的N型外延層la。襯底與外延層可以為N型，也可以為P型，但二 者必須為異型。在本實(shí)施例中，襯底層1為高摻雜P型，外延層Ia為N型。其中，所述襯底層1的底部覆蓋一用于與陰極引線(未圖示)互連的第一金屬層 9a。所述外延層Ia用擴(kuò)散的方法將其依次分隔為圓形漏區(qū)2、環(huán)形柵區(qū)6、環(huán)形溝道4、環(huán)形 源區(qū)3、穿通擴(kuò)散區(qū)5五部分。所述圓形漏區(qū)2位于該電流調(diào)整二極管芯片的中心，并呈臺(tái)面形狀，其高度大于2 微米。所述圓形漏區(qū)2表面設(shè)有一用于歐姆接觸的N型擴(kuò)散層8以及用于與陽極引線互連 的第二金屬層10。所述環(huán)形柵區(qū)6位于圓形漏區(qū)2外側(cè)，為一 P型雜質(zhì)擴(kuò)散層。該環(huán)形柵區(qū)6的正 下方為環(huán)形溝道4。所述環(huán)形源區(qū)3位于環(huán)形柵區(qū)6和環(huán)形溝道4的外側(cè)，其表面亦設(shè)有用于歐姆接 觸的高濃度N型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a。所述穿通擴(kuò)散區(qū)5位于環(huán)形源區(qū)3外側(cè)，其為一穿透外延層Ia的P型雜質(zhì)擴(kuò)散層。所述環(huán)形柵區(qū)6外側(cè)的PN結(jié)表面、穿通擴(kuò)散區(qū)5內(nèi)側(cè)的PN結(jié)表面以及環(huán)形源區(qū) 3表面覆蓋一第三金屬層％，其將通過環(huán)形溝道4的穩(wěn)定電流引入陰極(未圖示)。所述環(huán)形柵區(qū)6與圓形漏區(qū)1的PN結(jié)表面覆蓋一層鈍化膜7，鈍化膜7為半絕緣 多晶硅或氧化硅復(fù)合膜或玻璃膜。以上的具體實(shí)施方式
僅為本創(chuàng)作的較佳實(shí)施例，并不用以限制本創(chuàng)作，凡在本創(chuàng) 作的精神及原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本創(chuàng)作的保護(hù)范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于包括P型襯底層以及覆蓋在襯底層上的N 型外延層；其中，所述外延層依次分隔為圓形漏區(qū)、環(huán)形柵區(qū)、環(huán)形溝道、環(huán)形源區(qū)、穿通擴(kuò) 散區(qū)五部分。
2.如權(quán)利要求1所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述圓形漏區(qū)位于該電流 調(diào)整二極管芯片的中心，并呈臺(tái)面形狀，其高度大于2微米。
3.如權(quán)利要求2所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述環(huán)形柵區(qū)為P型擴(kuò)散 層，其位于圓形漏區(qū)外側(cè)；而所述環(huán)形溝道位于環(huán)形柵區(qū)的正下方。
4.如權(quán)利要求3所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述環(huán)形源區(qū)位于環(huán)形柵 區(qū)和環(huán)形溝道的外側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述穿通擴(kuò)散區(qū)為P型穿 通擴(kuò)散區(qū)，其位于環(huán)形源區(qū)的外側(cè)，其穿通所述外延層。
6.如權(quán)利要求1所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述襯底層的底部覆蓋一 用于與陰極引線互連的第一金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述圓形漏區(qū)的表面設(shè)有 一用于歐姆接觸的N型擴(kuò)散層以及用于與陽極引線互連的第二金屬層。
8.如權(quán)利要求1所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述環(huán)形柵區(qū)外側(cè)的PN結(jié) 表面、穿通擴(kuò)散區(qū)內(nèi)側(cè)的PN結(jié)表面以及環(huán)形源區(qū)表面覆蓋一第三金屬層。
9.如權(quán)利要求1所述的電流調(diào)整二極管芯片，其特征在于所述環(huán)形柵區(qū)與圓形漏區(qū) 的PN結(jié)表面覆蓋一層鈍化膜，鈍化膜為半絕緣多晶硅或氧化硅復(fù)合膜或玻璃膜。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種電流調(diào)整二極管芯片，其包括P型襯底層以及覆蓋在襯底層上的N型外延層；其中，所述外延層依次分隔為圓形漏區(qū)、環(huán)形柵區(qū)、環(huán)形溝道、環(huán)形源區(qū)、穿通擴(kuò)散區(qū)五部分。本實(shí)用新型的電流調(diào)整二極管芯片可以滿足各種封裝要求，尤其適合于通過雙面釬焊實(shí)現(xiàn)芯片與引出線互連的塑料封裝以及通過直接接觸實(shí)現(xiàn)芯片與引出線互聯(lián)的玻璃封裝，其具有結(jié)構(gòu)簡單、封裝成本較低等諸多優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L29/861GK201845785SQ20102058793
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月3日
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