專利名稱：Mos晶體管及cmos圖像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及MOS晶體管及CMOS圖像傳感器。
背景技術(shù)：
目前，圖像傳感器存在多種噪聲，這些噪聲將和信號(hào)一起輸出，從而造成了輸出的 圖像質(zhì)量下降。其中，噪聲源包括固定圖案噪聲、閃爍噪聲和光噪聲。固定圖案噪聲一般 可以通過對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波而消除，光噪聲可以通過后端金屬的調(diào)節(jié)和電介質(zhì)的減薄來達(dá)到 減弱的目的，然而閃爍噪聲無法通過后續(xù)電路去除。閃爍噪聲又稱Ι/f噪聲，在CCD (Charge-coupled Device,電荷耦合元件)傳感器 的結(jié)構(gòu)里，由于一列CCD只有一個(gè)源跟隨器(通常為一個(gè)MOS晶體管)這樣一個(gè)放大器件， 從而源跟隨器MOS晶體管的面積可以做的很大，隨著面積的增大可以使閃爍噪聲大大減 小。CMOS圖像傳感器相對(duì)于CCD圖像傳感器而言，具有集成度高，功耗低，成本低等優(yōu)勢(shì)，得 到了越來越廣泛的應(yīng)用。然而對(duì)于CMOS圖像傳感器，像素的設(shè)計(jì)有很多種結(jié)構(gòu)，一般包括 η個(gè)晶體管，每個(gè)晶體管實(shí)現(xiàn)不同的功能。CMOS圖像傳感器像素最常見的是3T和4T結(jié)構(gòu)。 如圖1所示為CMOS圖像傳感器1個(gè)3T結(jié)構(gòu)的像素的示意圖，3T結(jié)構(gòu)即在像素中有三個(gè)晶 體管，分別是復(fù)位管RST，源跟隨器SF和行選通開關(guān)管SEL (4T在3T的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)傳 輸管)，在每個(gè)像素中，都有一個(gè)光電二極管PD，用來將光信號(hào)轉(zhuǎn)化成電信號(hào)，從而達(dá)到感 光的目的。無論3T還是4T結(jié)構(gòu)的像素，每個(gè)像素都需要一個(gè)單獨(dú)的源跟隨器(通常為一 MOS晶體管)。隨著CMOS圖像傳感器中像素?cái)?shù)目的增大，為了保證CMOS圖形傳感器的面積 不增大，就需要減小像素面積，這樣源跟隨器MOS晶體管的面積就需要減小，因此閃爍噪聲 本身會(huì)隨著源跟隨器MOS晶體管的面積減少而增大，閃爍噪聲的存在使圖像信號(hào)輸出時(shí)疊 加一個(gè)無法通過后續(xù)電路去除的噪聲，使得最終輸出圖像會(huì)顯得比較毛糙，圖像信噪比下 降，嚴(yán)重影響了 CMOS圖像傳感器的質(zhì)量。除此之外，CMOS圖像傳感器中，傳輸MOS晶體管 帶來的閃爍噪聲也會(huì)對(duì)CMOS圖像傳感器帶來較大的影響。在現(xiàn)有的MOS晶體管的制造技術(shù)中，通常首先在半導(dǎo)體襯底上形成柵氧層，在柵 氧層上形成柵導(dǎo)電層，然后通過刻蝕柵導(dǎo)電層和柵氧層形成柵極，接著在柵極兩側(cè)的襯底 中離子注入形成源極區(qū)和漏極區(qū)，從而形成MOS晶體管。其中，所述柵氧層通常利用氧化物 形成，例如二氧化硅(SiO2)或者摻雜的二氧化硅。在MOS晶體管的制造過程中，離子注入形 成源極區(qū)和漏極區(qū)時(shí)，同時(shí)有注入的P型或者N型離子穿通(boron)柵極，進(jìn)入柵氧層。所 述穿通進(jìn)入的離子會(huì)導(dǎo)致MOS晶體管產(chǎn)生漏電流或者負(fù)偏置溫度穩(wěn)定性(NBTI)變差。為了解決所述漏電流的問題，現(xiàn)有的MOS器件的制造工藝中，通常會(huì)利用在含氮 的氛圍中退火，從而在柵氧層中引入氮原子，這樣會(huì)阻礙N型離子或者P型離子進(jìn)入柵氧 層。圖2所示為含氮柵氧層與不含氮柵氧層形成的MOS器件的閃爍噪聲比較圖，其中曲線 Sl為含氮柵氧層形成的MOS器件的閃爍噪聲，曲線S2為不含氮柵氧層形成的MOS器件的閃 爍噪聲。從圖2可見，相比于摻氮的柵氧層，硅和二氧化硅界面不摻氮的柵氧層閃爍噪聲會(huì) 有數(shù)量級(jí)別的減小。[0006]在公告號(hào)“CN100369209C”的中國(guó)專利文獻(xiàn)中公開了一種形成柵介電層(柵氧層) 的方法，包括于半導(dǎo)體襯底上形成氧化硅層；以及使用含惰性氣體與氮?dú)獾牡入x子體對(duì) 該氧化硅層進(jìn)行第一與第二摻氮步驟，以形成柵介電層，其中該第二摻氮步驟相較之下，該 第一摻氮步驟的功率較低，壓力較低，但惰性氣體/氮?dú)獗容^高。但是上述的柵氧層中由于引入氮原子，使得大量氮原子(約占原子總數(shù)的2. 5%) 存在于硅襯底和柵氧層的界面處，而氮原子的存在增大了載流子與上述界面的散射，使得 MOS晶體管溝道內(nèi)的電流在低頻情況下的波動(dòng)加大，使得MOS晶體管的穩(wěn)定性變差。因而將上述的MOS晶體管用在CMOS圖像傳感器中，充當(dāng)源跟隨器MOS晶體管會(huì)導(dǎo) 致CMOS圖像傳感器的閃爍噪聲增大。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了 MOS晶體管，使得MOS晶體管的穩(wěn)定性提
尚ο本實(shí)用新型還提供了一種CMOS圖像傳感器，使得圖像傳感器的精確度更高。其中，一種MOS晶體管，包括半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上具有柵極，所述柵極包括柵氧層和位于柵氧層 上的柵導(dǎo)電層，在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中具有源極區(qū)和漏極區(qū)，所述柵氧層包括含 氮的氧化硅層和位于含氮的氧化硅層和半導(dǎo)體襯底之間的不含氮的氧化硅層?？蛇x的，所述含氮氧化硅層的厚度和不含氮的氧化硅層的厚度比為1 9至 3 7?？蛇x的，所述柵氧層的厚度為60至70埃。可選的，所述氧化硅為二氧化硅。一種CMOS圖像傳感器，包括用于采集光強(qiáng)的光電二極管、源跟隨器晶體管、復(fù)位 晶體管和行選通開關(guān)晶體管；所述源跟隨器晶體管為所述的MOS晶體管?？蛇x的，所述復(fù)位晶體管為所述的MOS晶體管?？蛇x的，所述行選通開關(guān)晶體管為所述的MOS晶體管。可選的，還包括傳輸晶體管，所述傳輸晶體管為所述的MOS晶體管。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于通過將MOS晶體管的柵氧層結(jié)構(gòu)改為包括含氮的氧化硅層和位于含氮的氧化硅 層和半導(dǎo)體襯底之間的不含氮的氧化硅層的復(fù)合層結(jié)構(gòu)，這樣利用含氮的氧化硅層克服了 摻雜的離子穿通的問題，利用不含氮的氧化硅層克服了氮原子造成的界面態(tài)不好的問題， 從而即減小了 MOS管的漏電流，還提供了 MOS晶體管的穩(wěn)定性，進(jìn)一步的將該MOS晶體管用 于CMOS圖形傳感器中，減小了圖像傳感器的閃爍噪聲，提供了圖像傳感器的精確度。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種CMOS圖像傳感器的電路圖；圖2為含氮柵氧層與不含氮柵氧層形成的MOS器件的閃爍噪聲比較圖；圖3為本實(shí)用新型的一種MOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；[0026]圖4為本實(shí)用新型的MOS晶體管的制造方法一實(shí)施例的流程圖；圖5-圖10為本實(shí)用新型的MOS晶體管的一實(shí)施例的制造方法的示意圖；圖11為本實(shí)用新型的CMOS圖像傳感器一實(shí)施例的像素電路圖；圖12為本實(shí)用新型的CMOS圖像傳感器另一實(shí)施例的像素電路圖。
具體實(shí)施方式
參考背景技術(shù)可見，為了減小摻雜離子的穿通問題，會(huì)向柵氧層中引入氮原子，造 成使大量氮原子(約占原子總數(shù)的2.5%)存在于硅襯底和柵氧層的界面處。這樣，由于氮 原子的存在增大了載流子與上述界面的散射，使得MOS晶體管溝道內(nèi)的電流在低頻情況下 的波動(dòng)加大，使得MOS晶體管的穩(wěn)定性變差。因而將上述的MOS晶體管用在CMOS圖像傳感 器中，充當(dāng)源跟隨器MOS晶體管會(huì)導(dǎo)致CMOS圖像傳感器的閃爍噪聲增大。本實(shí)用新型提供了一種MOS晶體管，通過將MOS晶體管的柵氧層結(jié)構(gòu)改為包括含 氮的氧化硅層和位于含氮的氧化硅層和半導(dǎo)體襯底之間的不含氮的氧化硅層的結(jié)構(gòu)，這樣 利用含氮的氧化硅層克服了摻雜的離子穿通的問題，利用不含氮的氧化硅層克服了氮原子 造成的界面態(tài)不好的問題，從而即減小了 MOS管的漏電流，還提高了 MOS晶體管的穩(wěn)定性， 進(jìn)一步的將該MOS晶體管用于CMOS圖形傳感器中，減小了圖像傳感器的閃爍噪聲，提高了 圖像傳感器的精確度。圖3為本實(shí)用新型的一種MOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，包括半導(dǎo)體襯 底100，在所述半導(dǎo)體襯底100上具有柵極108，所述柵極108包括柵氧層和位于柵氧層上 的柵導(dǎo)電層106，在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中具有源極區(qū)110和漏極區(qū)112，其特征在 于，所述柵氧層包括含氮的氧化硅層102和位于含氮的氧化硅層102和半導(dǎo)體襯底之間的 不含氮的氧化硅層104。還可以在柵極兩側(cè)具有柵極側(cè)壁層105。所述柵導(dǎo)電層106位于 所述含氮的氧化硅層102表面上。其中可選的，所述含氮的氧化硅層的厚度和不含氮的氧化硅層的厚度比為1 9 至 3 7。其中可選的，所述柵氧層的厚度為60至70埃。其中可選的，所述氧化硅為二氧化硅。圖4為本實(shí)用新型的MOS晶體管的制造方法一實(shí)施例的流程圖。如圖4所示，本實(shí)用新型的MOS晶體管的制造方法包括下列步驟SllO 提供半導(dǎo)體襯底；S120 在半導(dǎo)體襯底上形成含氮的氧化硅層；S130:在所述含氮的氧化硅層下的半導(dǎo)體襯底中形成不含氮的氧化硅層，所述含 氮的氧化硅層和不含氮的氧化硅層構(gòu)成柵氧層；S140 在所述柵氧層上形成柵導(dǎo)電層；S150 刻蝕所述柵導(dǎo)電層和柵氧層，形成柵極；S160 在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)。圖5-圖10為本實(shí)用新型的MOS晶體管的制造方法實(shí)施例的示意圖。下面結(jié)合圖 4-圖10對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。首先執(zhí)行步驟S110，參考圖5，提供一半導(dǎo)體襯底100，所述的半導(dǎo)體襯底100可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅；所述半導(dǎo)體襯底100也可以是硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物；該 半導(dǎo)體襯底100還可以具有外延層或絕緣層上硅結(jié)構(gòu)；所述的半導(dǎo)體襯底100還可以是其 它半導(dǎo)體材料，這里不再一一列舉。在所述半導(dǎo)體襯底100中可以具有P阱，所述P阱可以用本領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知 的方法形成，例如，在半導(dǎo)體襯底100上先通過光刻工藝定義出形成P阱的區(qū)域，然后進(jìn)行 離子注入，形成P阱，注入的離子為P型離子，例如硼離子。接著，執(zhí)行步驟S120，參考圖6，在半導(dǎo)體襯底100上形成含氮的氧化硅層102。氧 化硅層102可以為二氧化硅材料。本實(shí)施例中氧化硅層102利用熱氧化生長(zhǎng)或者淀積的方 法產(chǎn)生。因?yàn)樵撗趸鑼?02起到電絕緣的作用，而且隨著工藝尺寸的減小，需要該氧化硅 層102很薄，因此采用熱氧化生長(zhǎng)的方式可以獲得高質(zhì)量的氧化硅層102。例如該步驟可以 具體為先清洗半導(dǎo)體襯底100，去除表面的沾污和氧化層，然后將半導(dǎo)體襯底100放入氧 化爐，通入氧氣，在700攝氏度至900攝氏度之間半導(dǎo)體襯底100表面生在一層6埃至18 埃的二氧化硅材料的氧化硅層102。優(yōu)選的，在該過程中還可以通入氮?dú)庾鳛榫彌_氣體，同 時(shí)還可以引入氮原子。然后在氧氣和含氮?dú)怏w的氛圍中對(duì)所述生長(zhǎng)的氧化硅層進(jìn)行退火。例如，停止向 氧化爐中通入氮?dú)猓《氖峭ㄈ胍谎趸?、二氧化氮或者其混合氣體。并且繼續(xù)通入 氧氣，在溫度800攝氏度至1000攝氏度之間進(jìn)行退火，從而向氧化硅層102中引入氮原子， 在本實(shí)施例中，退火的時(shí)間為IOs至60s，具體的退火時(shí)間取決于需要形成的氧化硅中的氮 原子濃度，時(shí)間越長(zhǎng)氮原子濃度越大。該步退火的溫度高于氧化生長(zhǎng)氧化硅層102的溫度， 例如生長(zhǎng)氧化硅層102的溫度為800攝氏度，則該退火的溫度為900攝氏度。從而在退火 之后將氮原子摻雜在氧化硅層102內(nèi)，即氧化硅層102成為含氮的氧化硅層。并且該含氮 的氧化硅層102占柵氧層總厚度的10%至30%，例如具體為6至18埃。在另一實(shí)施例中，向氧化硅層102中摻氮還可以采用快速熱滲氮(RTN)，爐中滲 氮，遠(yuǎn)距離等離子滲氮(RPN)或去耦等離子體滲氮(DPN)等方式。例如具體可以采用去耦 等離子體滲氮(DPN)方法，可以在氧化硅層102摻雜入劑量為2E15 6E15的N離子。接著，執(zhí)行步驟S130，參考圖7，在所述含氮的氧化硅層102下的半導(dǎo)體襯底100 中形成不含氮的氧化硅層104，所述含氮的氧化硅層102和不含氮的氧化硅層104構(gòu)成柵氧 層。具體的，可以將具有含氮的氧化硅層102的半導(dǎo)體襯底100放入氧化爐中，向氧化爐中 通入氧氣。因?yàn)楹难趸鑼雍鼙。鯕鈺?huì)穿過含氮的氧化硅層102和其下方的半導(dǎo)體 襯底的硅反應(yīng)，在含氮的氧化硅層102下方生長(zhǎng)氧化硅層，該氧化硅層的生長(zhǎng)過程中，由于 沒有引入氮原子，因此生成的氧化硅層104為不含氮的氧化硅層，具體的材料可以為二氧 化硅。該不含氮的氧化硅層104和含氮的氧化硅層102構(gòu)成柵氧層。不含氮的氧化硅層的 厚度占柵氧層厚度的70%至90%。在本實(shí)施例中，所述柵氧層的厚度為60至70埃。接著，執(zhí)行步驟S140，參考圖8，在柵氧層形成柵導(dǎo)電層106。柵導(dǎo)電層106的材 料可以為多晶硅。例如柵導(dǎo)電層106可以采用化學(xué)氣相淀積形成，包括常壓化學(xué)氣相淀積 (APCVD)、低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)、等離子體輔助化學(xué)氣相淀積等。因?yàn)長(zhǎng)PCVD具有優(yōu)良 的臺(tái)階覆蓋能力。因此本實(shí)施例中在柵導(dǎo)電層106的形成過程采用LPCVD。本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以根據(jù)制造工藝來確定柵導(dǎo)電層106所需的厚度。[0053]接著，執(zhí)行步驟S150，參考圖9，刻蝕柵導(dǎo)電層106和柵氧層，形成柵極。該步可 以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法，例如先涂覆光刻膠層，然后進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵極 108。接著，執(zhí)行步驟S160，參考圖10，在柵極108兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中形成源極區(qū) 110和漏極區(qū)112。該步可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法，例如采用離子注入的方式向 具有柵極的半導(dǎo)體襯底注入P型離子，例如硼離子，在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中便形成高 濃度的源極區(qū)110和漏極區(qū)112。在形成源極區(qū)和漏極區(qū)之前還可以包括在柵極108的側(cè) 上形成側(cè)壁層。本實(shí)用新型的MOS晶體管通過摻氮的方法在柵氧層與柵導(dǎo)電層106接觸的表面處 形成一層含氮的氧化硅層102，從而可以減少后期離子注入形成源極區(qū)和漏極區(qū)的過程中 離子穿通，這樣可以減少M(fèi)OS管的漏電，提高NBTI (負(fù)偏置溫度穩(wěn)定性)。并且還在柵氧層 的和襯底100接觸的表面處形成不含氮的氧化硅層104，這樣該層氧化硅層因?yàn)椴缓?，?此不會(huì)存在氮單元造成的載流子在襯底和柵氧層界面的散射，因此減小了溝道電流在低頻 情況下的波動(dòng)，提高了 MOS管的穩(wěn)定性。在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中還提供了一種CMOS圖像傳感器，例如該圖像傳 感器的像素可以為3T結(jié)構(gòu)，如圖11所示，包括用于采集光強(qiáng)的光電二極管PD、源跟隨器晶 體管SF、復(fù)位晶體管RST和行選通開關(guān)晶體管SEL，所述光電二極管PD的正極接地，負(fù)極耦 接復(fù)位晶體管RST的源極，復(fù)位晶體管RST的漏極接電源VDD，源跟隨器晶體管SF的柵極耦 接復(fù)位晶體管RST的源極，源跟隨器晶體管SF的漏極接電源VDD，源跟隨器晶體管SF的源 極耦接行選通開關(guān)晶體管SEL的漏極，行選通開關(guān)晶體管SEL的源極為像素的輸出端。其 中，所述源跟隨器晶體管SF為上述實(shí)施例中的MOS晶體管。在CMOS圖像傳感器中源跟隨 器晶體管帶來的閃爍噪聲對(duì)圖形的影響最大，因此采用本實(shí)用新型的MOS晶體管可以大大 的減小閃爍噪聲，使得閃爍噪聲結(jié)果與不摻氮的柵氧層噪聲，例如圖2中曲線S2基本相同。進(jìn)一步的，還可以將CMOS圖像傳感器像素中的復(fù)位晶體管RST和/或行選通開關(guān) 晶體管SEL也采用上述實(shí)施例中的MOS晶體管，更進(jìn)一步的還可以將CMOS圖像傳感器中 的所有的MOS晶體管都替換為上述實(shí)施例中的MOS晶體管，這樣使得所有的MOS晶體管可 以采用相同的制造工藝，因此節(jié)省了工藝過程，還最大程度的減小了閃爍噪聲，提高了 CMOS 圖像傳感器的精確度。本實(shí)用新型還提供了一種具有4T結(jié)構(gòu)的像素的圖像傳感器，參考圖12，光電二極 管PD的正極接地，負(fù)極耦接傳輸晶體管TX的源極，傳輸晶體管TX的漏極耦接復(fù)位晶體管 RST的源極，復(fù)位晶體管RST的漏極接電源VDD，源跟隨器晶體管SF的柵極耦接復(fù)位晶體管 RST的源極，源跟隨器晶體管SF的漏極接電源VDD，源跟隨器晶體管SF的源極耦接行選通 開關(guān)晶體管SEL的漏極，行選通開關(guān)晶體管SEL的源極為像素的輸出端。由此可見，4T結(jié)構(gòu) 的像素與3T結(jié)構(gòu)的像素不同之處在于多傳輸晶體管TX，因此其中除了將源跟隨器晶體管 SF、復(fù)位晶體管RST和行選通開關(guān)晶體管SEL替換為上述的MOS晶體管外，還可以將傳輸晶 體管替換為上述實(shí)施例中的MOS晶體管。除此之外，本實(shí)用新型的MOS晶體管還可以用于其他的圖像傳感器中，采用相同 的原理減少閃爍噪聲。本實(shí)用新型雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因 此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種MOS晶體管，包括半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上具有柵極，所述柵極包括柵氧層和位于柵氧層上的 柵導(dǎo)電層，在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中具有源極區(qū)和漏極區(qū)，其特征在于，所述柵氧層 包括含氮的氧化硅層和位于含氮的氧化硅層和半導(dǎo)體襯底之間的不含氮的氧化硅層。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，所述含氮氧化硅層的厚度和不含氮的 氧化硅層的厚度比為1 9至3 7。
3.如權(quán)利要求2所述的MOS晶體管，其特征在于，所述柵氧層的厚度為60至70埃。
4.如權(quán)利要求2所述的MOS晶體管，其特征在于，所述氧化硅為二氧化硅。
5.一種CMOS圖像傳感器，包括用于采集光強(qiáng)的光電二極管、源跟隨器晶體管、復(fù)位晶 體管和行選通開關(guān)晶體管；其特征在于，所述源跟隨器晶體管為權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的MOS晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述復(fù)位晶體管為權(quán)利要求 1至4中任意一項(xiàng)所述的MOS晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述行選通開關(guān)晶體管為權(quán) 利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的MOS晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，還包括傳輸晶體管，所述傳輸 晶體管為權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的MOS晶體管。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MOS晶體管及CMOS圖像傳感器，該MOS晶體管包括半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上具有柵極，所述柵極包括柵氧層和位于柵氧層上的柵導(dǎo)電層，在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中具有源極區(qū)和漏極區(qū)，其特征在于，所述柵氧層包括含氮的氧化硅層和位于含氮的氧化硅層和半導(dǎo)體襯底之間的不含氮的氧化硅層，從而使得MOS晶體管的穩(wěn)定性提高，圖像傳感器精確性更高。
文檔編號(hào)H01L29/51GK201845782SQ20102057565
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者李文強(qiáng), 李 杰, 霍介光 申請(qǐng)人:格科微電子(上海)有限公司