專利名稱：一種太陽能電池晶體硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種硅片，尤其是涉及一種太陽能電池晶體硅片。
背景技術(shù)：
隨著半導體工藝技術(shù)的發(fā)展，微電子領(lǐng)域經(jīng)歷了重大的變革，目前，集成電路領(lǐng)域 已經(jīng)進入了系統(tǒng)芯片時代，集成電路逐漸趨于將功能復雜的不同類型電路集成到單個芯片 上，系統(tǒng)芯片正是集成電路在向集成系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變下產(chǎn)生的。同時，隨著硅器件尺寸的不斷減 小，硅基器件和電路的高頻性能不斷得到提高，硅基混合信號集成電路和射頻集成電路等 已經(jīng)成為了系統(tǒng)芯片的主要應用和解決方案。中國專利公開了一種超薄太陽能級硅片(授 權(quán)公告號CN 201153124Y)，其本體為由上、下兩平行平面組成的方形薄片，方形薄片四角 為四個相同的45 倒角，本體的上、下兩平面的距離在165-195μπι范圍內(nèi)，其本體的翹曲 度小于75 μ m。但是這種硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右，而且 硅片由于技術(shù)限制不能割的很薄，一般只能達到200微米左右，而實際的太陽能電池所需 要的硅片厚度只需要50微米左右，這樣厚的硅片會造成太陽能電池的硅的利用率很低，從 而用于制造太陽能電池的高純硅的成本非常高，硅片是太陽能電池的最大成本的部分，因 此低的硅的利用率是目前硅片制造的太陽能電池價格高的主要原因，從而影響了太陽能電 池的普及。

實用新型內(nèi)容本實用新型是提供一種太陽能電池晶體硅片，其主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的硅 片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右的問題；本實用新型還解決了厚 的硅片會造成太陽能電池的硅的利用率很低，從而用于制造太陽能電池的高純硅的成本非 常高等的技術(shù)問題。本實用新型的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的本實用新型的一種太陽能電池晶體硅片，包括底板，所述的底板上設有高純度硅 層，底板或高純度硅層上設有印刷電路。硅底板和高純度硅層作為整體就構(gòu)成了制造太陽 能電池的硅片，其中高純度硅層是作為制造太陽能電池的光電有效材料，高純度硅層下面 的底板的作用是用來作為高純度硅結(jié)晶凝固的襯底和電池的導體，另外高純度硅層的厚度 比較薄，機械強度比較差，而底板的厚度范圍可以在50微米到3毫米，可以起到加固承載的 作用。印刷電路可以用來導通電流。作為優(yōu)選，所述的高純度硅層為多孔硅層，其厚度為100-750 μ m。多孔硅層對于 底板的作用主要在于使襯底高阻化，從而使在多孔硅上制備的電路或者器件有著較好的性 能。作為優(yōu)選，所述的底板為低純度硅底板。低純度硅底板和高純度硅層構(gòu)成硅片，可 以通過讓熔融狀態(tài)的高純度硅的硅原子結(jié)晶凝固在低純度硅底板上形成硅片的高純度硅層。[0008]作為優(yōu)選，所述的底板與高純度硅層之間設有過渡硅板。其中高純度硅層是制造 太陽能電池的光電有效材料，過渡層硅的作用是可以阻擋硅底板中的雜質(zhì)擴散到高純度硅 層中，從而防止降低太陽能電池的效率。作為優(yōu)選，所述的底板與高純度硅層之間設有金屬薄膜層。金屬薄膜層是起反光 的作用，它可以將穿透過的高純度硅層的太陽光反射回去，實現(xiàn)太陽光的再利用，這樣可以 用較薄高純硅層實現(xiàn)較高的太陽能電池的效率。因此，本實用新型可以節(jié)約制造硅片的材料，并且利用多孔硅層，使得太陽能電池 的硅的利用率較高，從而用于制造太陽能電池的高純硅的成本較低，結(jié)構(gòu)簡單、合理。

附圖1是本實用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2是實施例1的圖1的A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖；附圖3是實施例2的圖1的A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖中零部件、部位及編號底板1、高純度硅層2、印刷電路3、過渡硅板4、金屬薄膜層5。
具體實施方式
下面通過實施例，并結(jié)合附圖，對本實用新型的技術(shù)方案作進一步具體的說明。實施例1 本例的一種太陽能電池晶體硅片，如圖1、圖2，有一個底板1，底板為低 純度硅底板。底板上設有高純度硅層2，高純度硅層為多孔硅層，其厚度為500 μ m。底板或 高純度硅層上設有印刷電路3。底板與高純度硅層之間設有過渡硅板4。使用時，將本實用新型裝入太陽能電池即可使用。實施例2 本例的一種太陽能電池晶體硅片，如圖1、圖3，有一個底板1，底板為低 純度硅底板。底板上設有高純度硅層2，高純度硅層為多孔硅層，其厚度為500 μ m。底板或 高純度硅層上設有印刷電路3。底板與高純度硅層之間設有金屬薄膜層5。使用時，將本實用新型裝入太陽能電池即可使用。以上所述僅為本實用新型的具體實施例，但本實用新型的結(jié)構(gòu)特征并不局限于 此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實用新 型的專利范圍之中。
權(quán)利要求1.一種太陽能電池晶體硅片，包括底板(1 )，其特征在于所述的底板(1)上設有高純度 硅層(2 )，底板或高純度硅層上設有印刷電路(3 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池晶體硅片，其特征在于所述的高純度硅層 (2)為多孔硅層，其厚度為100-750 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太陽能電池晶體硅片，其特征在于所述的底板(1) 為低純度硅底板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太陽能電池晶體硅片，其特征在于所述的底板(1) 與高純度硅層(2)之間設有過渡硅板(4)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太陽能電池晶體硅片，其特征在于所述的底板(1) 與高純度硅層(2 )之間設有金屬薄膜層(5 )。
專利摘要本實用新型涉及一種硅片，尤其是涉及一種太陽能電池晶體硅片。其主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右的問題；本實用新型還解決了厚的硅片會造成太陽能電池的硅的利用率很低，從而用于制造太陽能電池的高純硅的成本非常高等的技術(shù)問題。本實用新型包括底板(1)，其特征在于所述的底板(1)上設有高純度硅層(2)，底板或高純度硅層上設有印刷電路(3)。
文檔編號H01L31/0248GK201820760SQ20102052145
公開日2011年5月4日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者倪恩光, 劉亮, 姚桂華, 張克強, 徐永洋, 謝小磊 申請人:綠華能源科技(杭州)有限公司