專(zhuān)利名稱(chēng):一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種微波負(fù)載電阻棒,尤其是涉及一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒。
背景技術(shù):
[0002]目前衰減器負(fù)載所用的衰減器件均采用平面衰減片或氧化鋁材料做基板的分立 電阻的阻芯,前者使產(chǎn)品結(jié)構(gòu)復(fù)雜,后者存在兩種缺陷一種是功率小,另一種是電阻 體有電感性,無(wú)法用于大功率高頻微波負(fù)載。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種功率大、 精度高、無(wú)電感性、穩(wěn)定性好的圓柱體微波負(fù)載電阻棒。[0004]本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種圓柱體微波負(fù)載電阻 棒,其特征在于,該負(fù)載電阻棒包括陶瓷芯、電阻層、電極層,所述的電阻層設(shè)置在陶 瓷芯的側(cè)面中間部分,所述的電極層設(shè)置在陶瓷芯的兩端。[0005]所述的陶瓷芯為圓柱實(shí)心體。[0006]所述的圓柱實(shí)心體長(zhǎng)為7 8mm,直徑為1 2mm。[0007]所述的電阻層覆蓋的長(zhǎng)度為陶瓷芯長(zhǎng)度的70% 90%。[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型功率大、精度高、無(wú)電感性、穩(wěn)定性好,額定負(fù) 荷8小時(shí)后,阻值變化<2%。
[0009]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。[0010]圖中1為電阻層、2為電極層、3為陶瓷芯。
具體實(shí)施方式
[0011]
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。[0012]實(shí)施例1[0013]如圖1所示,一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,該負(fù)載電阻棒包括陶瓷芯1、電阻層2、電極層3。陶瓷芯為圓柱實(shí)心體,長(zhǎng)為8mm,直徑為2mm。電阻層2設(shè)置在陶瓷芯 1的側(cè)面中間部分,其涂覆的長(zhǎng)度為7.2mm。電極層3涂覆在陶瓷芯1的兩端。陶瓷芯 1、電阻層2、電極層3結(jié)合構(gòu)成圓柱體微波負(fù)載電阻棒。[0014]實(shí)施例2[0015]一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,該負(fù)載電阻棒包括陶瓷芯1、電阻層2、電極層3。陶瓷芯為圓柱實(shí)心體,長(zhǎng)為7mm,直徑為1mm。電阻層2設(shè)置在陶瓷芯1的側(cè)面 中間部分,其涂覆的長(zhǎng)度為4.9mm。電極層3涂覆在陶瓷芯的兩端。陶瓷芯1、電阻層2、電極層3結(jié)合構(gòu)成圓柱體微波負(fù)載電阻棒。[0016]實(shí)施例3[0017]一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,該負(fù)載電阻棒包括陶瓷芯1、電阻層2、電極層3。陶瓷芯為圓柱實(shí)心體,長(zhǎng)為8mm,直徑為1.5mm。電阻層2設(shè)置在陶瓷芯1的側(cè)面 中間部分,其涂覆的長(zhǎng)度為6.4mm。電極層3涂覆在陶瓷芯1的兩端。陶瓷芯1、電阻 層2、電極層3結(jié)合構(gòu)成圓柱體微波負(fù)載電阻棒。
權(quán)利要求1.一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,其特征在于,該負(fù)載電阻棒包括陶瓷芯、電阻層、 電極層,所述的電阻層設(shè)置在陶瓷芯的側(cè)面中間部分,所述的電極層設(shè)置在陶瓷芯的兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,其特征在于,所述的陶瓷芯為 圓柱實(shí)心體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,其特征在于,所述的圓柱實(shí)心 體長(zhǎng)為7 8mm,直徑為1 2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,其特征在于,所述的電阻層覆 蓋的長(zhǎng)度為陶瓷芯長(zhǎng)度的70% 90%。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種圓柱體微波負(fù)載電阻棒,該負(fù)載電阻棒包括陶瓷芯、電阻層、電極層,所述的電阻層設(shè)置在陶瓷芯的側(cè)面中間部分,所述的電極層設(shè)置在陶瓷芯的兩端。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有功率大、精度高、無(wú)電感性、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01P1/22GK201812913SQ20102051432
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者胡世煒, 陳玲 申請(qǐng)人:上海田眾電子科技有限公司