專利名稱：一種大功率led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED (發(fā)光二極管)，尤其涉及一種大功率LED。
背景技術(shù)：
由于LED具有耗電量小、壽命長、響應(yīng)快、體積小、無污染等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為半導(dǎo)體 照明的新一代光源，由于其對(duì)于節(jié)能減排具有舉足輕重的作用，因此在國內(nèi)外受到極大的 關(guān)注，目前已經(jīng)應(yīng)用于顯示、照明等多個(gè)工業(yè)領(lǐng)域。大功率LED通常是指0.5W以上、亮度較大的LED，大多數(shù)用于汽車照明、景觀照明、 液晶電視及室內(nèi)照明等多種場合。大功率LED的基座包括一個(gè)杯體，LED芯片設(shè)置在杯體內(nèi)，且置于杯體底部，LED芯 片上覆蓋熒光層，杯體用于容置LED芯片的底面為平面，內(nèi)壁為四個(gè)傾斜面，這些傾斜面上 通常還設(shè)置用于提高通光量的反射層。然而，一方面，由于這種杯體的傾斜面都為直面，且 底面和內(nèi)壁形成鈍角，LED芯片發(fā)射的光經(jīng)傾斜面的反射時(shí)，反射角度較小，因此并不能形 成很好的光散射效果，多個(gè)大功率LED組合在一起形成LED陣列時(shí)，這些LED同時(shí)發(fā)光可能 造成光斑黃圖、發(fā)光不均勻等現(xiàn)象；另一方面，由于LED芯片通常都與基座上的電極通過金 線連接，金線有時(shí)會(huì)遮擋光線，也會(huì)對(duì)LED產(chǎn)品發(fā)光的均勻性帶來一定的影響。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的主要技術(shù)問題是，提供一種改善發(fā)光均勻性的大功率LED。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種大功率LED，包括基座，所述基座具有 用于容置LED芯片的杯體，所述杯體的底面上設(shè)有兩個(gè)用于引出電極的極片，所述LED芯片 設(shè)置在所述兩個(gè)極片上方，且LED芯片底部的兩端分別與所述兩個(gè)極片極性連接；所述杯 體的內(nèi)壁面為內(nèi)凹的曲面，且所述杯體的底面與內(nèi)壁面之間曲面過渡。進(jìn)一步地，所述杯體的內(nèi)壁面還覆蓋反射層。優(yōu)選地，所述基座為圓形基座，所述杯體為圓形杯體。優(yōu)選地，所述杯體內(nèi)還填充熒光層，所述熒光層覆蓋在所述LED芯片上的厚度為 所述杯體深度的5 % 15 %。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型通過對(duì)LED的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，改善了 LED發(fā)光的散射效果，提高了發(fā)光均勻性，避免產(chǎn)生光圈。 進(jìn)一步地，本實(shí)用新型在LED芯片上覆蓋較薄的熒光層，進(jìn)一步提高了 LED的發(fā)光 效率。

圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的大功率LED剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面通過具體實(shí)施方式
結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。請(qǐng)參考圖1，本實(shí)施方式的大功率LED包括基座1，基座1上具有用于容置LED芯 片2的杯體，杯體包括底面和內(nèi)壁面?；?的輪廓形狀根據(jù)需要可以設(shè)置成圓形或方形， 相應(yīng)地，杯體的輪廓形狀也根據(jù)基座1的形狀設(shè)計(jì)成圓形或方形，對(duì)于圓形杯體，底面為圓 形面，內(nèi)壁面為環(huán)形。杯體的底面上設(shè)有兩個(gè)分別用于引出LED芯片2的正、負(fù)電極的極片5，LED芯片 2設(shè)置在兩個(gè)極片5的上方，且LED芯片2底部的兩端分別與兩個(gè)極片5極性連接，再通過 兩個(gè)極片5連接至露出基座1的兩個(gè)引腳3。這兩個(gè)極片5與LED芯片2底部的連接方式 取代了現(xiàn)有技術(shù)中LED芯片2通過金線與極片5相連的方式，因此避免了金線遮擋光線的 問題，從而使LED發(fā)出的光更加均勻。杯體的內(nèi)壁面為內(nèi)凹的曲面，且底面與內(nèi)壁面之間曲面過渡，本實(shí)施方式采用這 種結(jié)構(gòu)后，與現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)壁面為直面、且內(nèi)壁面與底面之間為鈍角的結(jié)構(gòu)相比，有效增加 了內(nèi)壁面以及底面與內(nèi)壁面之間部分的光反射角度，能夠?qū)ED芯片2發(fā)射的光經(jīng)過一次 反射后更加發(fā)散地反射出去，能夠得到均勻、一致的光斑，避免出現(xiàn)光圈。進(jìn)一步地，杯體的內(nèi)壁面還可以覆蓋反射層，用于增強(qiáng)光反射效果，避免光能損耗。對(duì)于大功率白光LED，LED芯片2上方還覆蓋硅膠與熒光粉相混合形成的熒光層 4，用于在LED芯片2的激發(fā)作用下使LED產(chǎn)生白光，通常情況下，應(yīng)當(dāng)盡可能地減薄熒光層 4的厚度，例如選擇熒光層4覆蓋在LED芯片2上的厚度為杯體深度的5% 15%，例如取 10%，該結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步提高LED的發(fā)光效率，避免光損耗。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定 本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬 于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種大功率LED，包括基座，所述基座具有用于容置LED芯片的杯體，其特征在于，所述杯體的底面上設(shè)有兩個(gè)用于引出電極的極片，所述LED芯片設(shè)置在所述兩個(gè)極片上方，且LED芯片底部的兩端分別與所述兩個(gè)極片極性連接；所述杯體的內(nèi)壁面為內(nèi)凹的曲面，且所述杯體的底面與內(nèi)壁面之間曲面過渡。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率LED，其特征在于，所述杯體的內(nèi)壁面還覆蓋反射層。
3.如權(quán)利要求2所述的大功率LED，其特征在于，所述基座為圓形基座，所述杯體為圓 形杯體。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的大功率LED，其特征在于，所述杯體內(nèi)還填充熒光 層，所述熒光層覆蓋在所述LED芯片上的厚度為所述杯體深度的5% 15%。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種大功率LED，包括基座，所述基座具有用于容置LED芯片的杯體，所述杯體的底面上設(shè)有兩個(gè)用于引出電極的極片，所述LED芯片設(shè)置在所述兩個(gè)極片上方，且LED芯片底部的兩端分別與所述兩個(gè)極片極性連接；所述杯體的內(nèi)壁面為內(nèi)凹的曲面，且所述杯體的底面與內(nèi)壁面之間曲面過渡。本實(shí)用新型顯著改善了LED發(fā)光的散射效果，提高了發(fā)光均勻性，避免產(chǎn)生光圈。
文檔編號(hào)H01L33/48GK201673928SQ20102018317
公開日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2010年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月7日
發(fā)明者魏巍 申請(qǐng)人:深圳市晶鼎源光電科技有限公司