專利名稱：在鋁金屬沉積過(guò)程中的晶圓放置盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)中鋁金屬沉積領(lǐng)域，特別涉及一種在鋁金屬沉積過(guò)程 中的晶圓放置盤(pán)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制作過(guò)程中，常常會(huì)涉及金屬薄膜的制成，比如鋁金屬沉積的制 成，用于在封裝時(shí)通過(guò)引線連接到集成電路管殼上的電極上。通常，鋁金屬沉積的制作過(guò)程 都是將晶圓采用晶圓夾鉗固定在金屬腔體中，然后在金屬腔體中采用濺射的方式在晶圓表 面得到鋁金屬沉積。圖1為現(xiàn)有技術(shù)所采用的用于鋁金屬沉積的金屬腔體剖面結(jié)構(gòu)圖，如圖所示，該 金屬腔體為密閉真空環(huán)境，其中具有晶圓放置盤(pán)、晶圓及金屬靶板，其中，金屬靶板作為陰 極，由需要濺射的金屬材料制成，比如鋁，放置在晶圓放置盤(pán)上的晶圓作為陽(yáng)極。金屬靶板 和晶圓平行相對(duì)。晶圓位于金屬腔體底部，金屬靶板位于金屬頂部，在濺射時(shí)，從金屬腔體 的進(jìn)氣孔中通入惰性氣體，比如氬氣，從惰性氣體輝光放電產(chǎn)生的高密度陽(yáng)離子被吸引到 陰極上，高速轟擊金屬靶板，撞擊出金屬離子后沉積到作為陽(yáng)極的晶圓表面上，從而在晶圓 表面上沉積得到鋁金屬沉積層，將尾氣從排氣口排出。其中，晶圓固定在晶圓放置盤(pán)上，晶圓放置盤(pán)通過(guò)均勻分布的若干個(gè)晶圓夾鉗固 定晶圓。如圖2所示，圖2為晶圓放置盤(pán)的俯視圖，從圖中可以看出，晶圓放置盤(pán)為一個(gè)圓 環(huán)結(jié)構(gòu)，在圓環(huán)內(nèi)側(cè)，均勻分布了六個(gè)夾鉗，用于將晶圓固定在該晶圓放置盤(pán)中。夾鉗的剖面結(jié)構(gòu)圖如圖3所示，夾鉗的外側(cè)平滑連接圓環(huán)，內(nèi)側(cè)具有凹槽，用于卡 住晶圓。采用圖1所示的結(jié)構(gòu)在晶圓上沉積鋁金屬層時(shí)，金屬也會(huì)沉積到晶圓放置盤(pán)上 (包括夾鉗)，在沉積過(guò)程中隨著溫度的不斷增高，沉積在晶圓放置盤(pán)上的金屬有時(shí)會(huì)融 化，晶圓放置盤(pán)上靠近晶圓邊緣的融化金屬(包括夾鉗)順著流到晶圓邊緣上，將晶圓粘附 到晶圓放置盤(pán)上，導(dǎo)致晶圓的損壞。如圖4所示，圖4為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓放置盤(pán)的剖視圖，在晶圓沉積金屬過(guò)程中，沉 積在晶圓放置盤(pán)靠近晶圓邊緣的金屬融化后順著流到晶圓邊緣上，將晶圓粘附到晶圓放置 盤(pán)上，導(dǎo)致了晶圓的損壞。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種在鋁金屬沉積過(guò)程中的晶圓放置盤(pán)，該晶圓放置 盤(pán)能夠在沉積鋁金屬層的過(guò)程中防止晶圓被粘附損壞。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的一種在鋁金屬沉積過(guò)程中的晶圓放置盤(pán)，該晶圓放置盤(pán)置于金屬腔內(nèi)的底部，為 圓環(huán)結(jié)構(gòu)，在圓弧內(nèi)側(cè)分布多個(gè)用于固定晶圓的夾鉗，在圓環(huán)結(jié)構(gòu)的表面，具有以晶圓放置 盤(pán)的圓心為圓心，半徑依次增大的多個(gè)圓環(huán)凹槽。[0011]所述多個(gè)圓環(huán)凹槽為4 6個(gè)。所述多個(gè)圓環(huán)凹槽均勻分布在晶圓放置盤(pán)上或不均勻分布在晶圓放置盤(pán)上。所述圓環(huán)凹槽的深度不大于30厘米，寬度不大于30厘米。由上述技術(shù)方案可見(jiàn)，本實(shí)用新型提供的晶圓放置盤(pán)在圓環(huán)結(jié)構(gòu)的表面采用多個(gè) 凹槽的結(jié)構(gòu)，該多個(gè)凹槽的結(jié)構(gòu)可以多存集所沉積的金屬，在沉積的鋁融化后，由于有溝槽 的存在，不會(huì)順著流到晶圓邊緣上，將晶圓粘附到晶圓放置盤(pán)，不會(huì)造成晶圓的損壞。因此， 本實(shí)用新型提供的晶圓放置盤(pán)在沉積鋁金屬層的過(guò)程中防止了晶圓被粘附損壞。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)所采用的用于鋁金屬沉積的金屬腔體剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓放置盤(pán)的俯視圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓放置盤(pán)中的夾鉗剖視圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓放置盤(pán)的剖視圖；圖5為本實(shí)用新型提供的晶圓放置盤(pán)的俯視圖；圖6為本實(shí)用新型提供的晶圓放置盤(pán)的剖視圖；附圖中各個(gè)技術(shù)名詞涉及的附圖標(biāo)記陰極-101，金屬靶板-102，排氣口 -103，晶圓-104，晶圓放置盤(pán)-105，陽(yáng)極-106， 圓環(huán)-201，夾鉗-202，融化的金屬-401，和圓環(huán)凹槽-501。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施 例，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。在背景技術(shù)可以看出，目前造成晶圓在沉積鋁金屬層時(shí)會(huì)損壞的原因就是，沉積 在晶圓放置盤(pán)上金屬在持續(xù)沉積的過(guò)程中，有時(shí)會(huì)融化并沿著靠近晶圓的邊緣流到晶圓 上，使得晶圓粘附到晶圓放置盤(pán)上。為了解決問(wèn)題，本實(shí)用新型改進(jìn)晶圓放置盤(pán)的結(jié)構(gòu)，在 晶圓放置盤(pán)的圓環(huán)表面，制作以晶圓放置盤(pán)的圓心為圓心，半徑依次增大的多個(gè)圓環(huán)凹槽， 用于多存集沉積的金屬。金屬被融化時(shí)，由于這多個(gè)圓環(huán)凹槽的存在，融化的金屬也不會(huì)順 著流到晶圓邊緣上，將晶圓粘附到晶圓放置盤(pán)上，不會(huì)造成晶圓的損壞。以下對(duì)晶圓放置盤(pán)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖5為本實(shí)用新型提供的晶圓放置盤(pán)的俯視圖，晶圓放置盤(pán)為一個(gè)圓環(huán)結(jié)構(gòu)，在圓環(huán)內(nèi)側(cè)，均勻分布了六個(gè)夾鉗，用于將晶圓固定 在該晶圓放置盤(pán)中。其中，在晶圓放置盤(pán)的圓環(huán)表面，以晶圓放置盤(pán)的圓心為圓心，半徑依 次增大的多個(gè)圓環(huán)凹槽。在這里，圓環(huán)凹槽的數(shù)量不作限制，可以為4 6個(gè)。這多個(gè)圓環(huán) 凹槽可以均勻分布在晶圓放置盤(pán)上，也可以不均勻分布。每個(gè)圓環(huán)凹槽的深度不大于30厘 米，寬度不大于30厘米。在該實(shí)施例中，夾鉗的數(shù)量也可以不為6個(gè)，可以為3個(gè)或4個(gè)，也可以不均勻分 布在圓環(huán)內(nèi)側(cè)，只要可以?shī)A住晶圓即可。圖6為本實(shí)用新型提供的晶圓放置盤(pán)的剖視圖，從圖中可以看出，在夾鉗的外側(cè) 平滑連接晶圓放置盤(pán)的圓環(huán)，在圓環(huán)表面具有圓環(huán)凹槽，夾鉗內(nèi)側(cè)具有凹槽，卡住晶圓。其 中，圓環(huán)凹槽在沉積金屬襯墊過(guò)程中，將沉積在晶圓放置盤(pán)上的金屬存集，不會(huì)導(dǎo)致在融化時(shí)順著靠近晶圓邊緣的位置處流到晶圓邊緣上，粘住晶圓。在本實(shí)用新型中，所沉積的金屬沉積可以為鋁沉積，也可以為其他金屬沉積。在本實(shí)用新型中，晶圓放置盤(pán)置于金屬腔內(nèi)的底部，也就是圖1所示的金屬腔內(nèi) 的底部。以上舉較佳實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō) 明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新 型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在 本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種在鋁金屬沉積過(guò)程中的晶圓放置盤(pán)，該晶圓放置盤(pán)置于金屬腔內(nèi)的底部，為圓環(huán)結(jié)構(gòu)，在圓弧內(nèi)側(cè)分布多個(gè)用于固定晶圓的夾鉗，在圓環(huán)結(jié)構(gòu)的表面，具有以晶圓放置盤(pán)的圓心為圓心，半徑依次增大的多個(gè)圓環(huán)凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓放置盤(pán)，其特征在于，所述多個(gè)圓環(huán)凹槽為4 6個(gè)。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓放置盤(pán)，其特征在于，所述多個(gè)圓環(huán)凹槽均勻分布在晶圓 放置盤(pán)上或不均勻分布在晶圓放置盤(pán)上。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓放置盤(pán)，其特征在于，所述圓環(huán)凹槽的深度不大于30厘米， 寬度不大于30厘米。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種在鋁金屬沉積過(guò)程中的晶圓放置盤(pán)，該晶圓放置盤(pán)置于金屬腔內(nèi)的底部，為圓環(huán)結(jié)構(gòu)，在圓弧內(nèi)側(cè)分布多個(gè)用于固定晶圓的夾鉗，在圓環(huán)結(jié)構(gòu)的表面，具有以晶圓放置盤(pán)的圓心為圓心，半徑依次增大的多個(gè)圓環(huán)凹槽。本實(shí)用新型提供的晶圓放置盤(pán)能夠在沉積金屬襯墊的過(guò)程中防止晶圓被粘附損壞。
文檔編號(hào)H01L21/687GK201708142SQ20102013812
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者李廣寧, 胡旭峰 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司