專利名稱：新型高功率led陶瓷散熱一體化模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種新型高功率LED陶瓷散熱一體化模組結(jié)構(gòu)，更具體地本實(shí)用 新型通過采用了一體化設(shè)計(jì)，使得模組的熱阻系數(shù)大幅降低。
背景技術(shù)：
由于LED技術(shù)的進(jìn)進(jìn)步，LED在照明方面的應(yīng)用亦日漸多元化。然而由于高功率 LED輸入功率僅有15 20%轉(zhuǎn)換成光，其余80 85%則轉(zhuǎn)換成熱。對于大功率的LED照 明應(yīng)用而言，這些熱很難適時(shí)排出至外界，因此會(huì)導(dǎo)致LED晶粒界面溫度過高，進(jìn)而極大程 度地影響其發(fā)光效率及發(fā)光壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型高功率LED散熱模組結(jié)構(gòu)，能較好地解決大 功率LED的散熱問題。本實(shí)用新型的提供的LED散熱模組，其特征在于，包括鋁基散熱器、陶瓷絕緣層、 導(dǎo)電層和電路。所述的LED散熱模組，其特征在于，鋁基散熱器、陶瓷絕緣層、導(dǎo)電層和電路是一 個(gè)結(jié)構(gòu)整體。所述的LED散熱模組，其特征在于，陶瓷絕緣層為采用噴涂技術(shù)在鋁基散熱器上 原位生長而成，厚度為10微米至100微米。所述的LED散熱模組，其特征在于，導(dǎo)電層為采用真空涂層技術(shù)在陶瓷絕緣層上 沉積的導(dǎo)電金屬層，厚度為0. 1微米至5微米。所述的LED散熱模組，其特征在于，電路為采用電鍍技術(shù)在導(dǎo)電層上生長10微米 至100微米的金屬層，并采用蝕刻技術(shù)制備而成。本實(shí)用新型由于采用了一體化設(shè)計(jì)，使得整體模組的熱阻系數(shù)大幅度降低，進(jìn)而 大幅延長高功率LED芯片的壽命。

圖1是依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例1的傳動(dòng)裝置結(jié)構(gòu)示意圖；具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述實(shí)施例1 如圖1所示，散熱器1為傳統(tǒng)工藝制備的鋁基散熱器。其上為采用爆炸噴涂原位 生長的氧化鋁陶瓷絕緣層2，其厚度為50微米。陶瓷絕緣層上為采用磁控濺射技術(shù)沉積的 導(dǎo)電銅層3，其厚度為0.5微米。銅層3上為50微米的電鍍銅層并經(jīng)過蝕刻技術(shù)制成的電 路4。
3[0014] 本實(shí)施例由于采用了一體化設(shè)計(jì)，可使得整體散熱模組的熱阻系數(shù)大幅度降低 30%以上。適用于高功率LED照明燈具領(lǐng)域，可延長LED芯片的壽命并降低燈具的生產(chǎn)成 本。
權(quán)利要求1.一種新型高功率LED陶瓷散熱一體化模組結(jié)構(gòu)，包括鋁基散熱器(1)、陶瓷絕緣層 O)、導(dǎo)電層⑶和電路⑷其特征在于，鋁基散熱器(1)、陶瓷絕緣層O)、導(dǎo)電層⑶和電 路(4)是一個(gè)結(jié)構(gòu)整體。
2.權(quán)利要求1所述的LED散熱模組，其特征在于所述陶瓷絕緣層( 為采用噴涂技術(shù) 在鋁基散熱器(1)上原位生長而成，厚度為10微米至100微米。
3.權(quán)利要求1所述的LED散熱模組，其特征在于所述導(dǎo)電層C3)為采用真空涂層技術(shù) 在陶瓷絕緣層( 上沉積的導(dǎo)電金屬層，厚度為0. 1微米至5微米。
4.權(quán)利要求1所述的LED散熱模組，其特征在于所述電路(4)為采用電鍍技術(shù)在導(dǎo)電 層C3)上生長10微米至100微米的金屬層，并采用蝕刻技術(shù)制備而成。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種LED散熱模組，包括鋁基散熱器(1)、陶瓷絕緣層(2)、導(dǎo)電層(3)和電路(4)，其特征在于鋁基散熱器(1)、陶瓷絕緣層(2)、導(dǎo)電層(3)和電路(4)是一個(gè)結(jié)構(gòu)整體，且陶瓷絕緣層(2)為采用噴涂技術(shù)在鋁基散熱器(1)上原位生長而成，厚度為10微米至100微米，導(dǎo)電層(3)為采用真空涂層技術(shù)在陶瓷絕緣層(2)上沉積的導(dǎo)電金屬層，厚度為0.1微米至5微米，電路(4)為采用電鍍技術(shù)在導(dǎo)電層(3)上生長10微米至100微米的金屬層，并采用蝕刻技術(shù)制備而成。該散熱模組由于采用了一體化設(shè)計(jì)，使得整體模組的熱阻系數(shù)大幅度降低，進(jìn)而大幅延長高功率LED芯片的壽命。
文檔編號(hào)H01L33/62GK201820781SQ20102012200
公開日2011年5月4日 申請日期2010年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月3日
發(fā)明者張?jiān)讫? 徐健, 朱穎 申請人:張?jiān)讫? 徐健, 朱穎