專利名稱:晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),特別是涉及一種晶片式發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
參閱圖1,一般表面黏著型的晶片式發(fā)光二極管(SMD CHIP-LED)封裝結(jié)構(gòu)9,大多 是將發(fā)光二極管晶片91置于印刷電路板92 (PCB)表面,再將透光膠體93覆蓋發(fā)光二極管 晶片91并以模造(Molding)方式固化,而將發(fā)光二極管晶片91密封。現(xiàn)有的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)9具有以下缺點(diǎn)1、當(dāng)透光膠體93含有熒光材質(zhì)或?yàn)橛猩z體時(shí),無法直接辨識(shí)封裝結(jié)構(gòu)9的極 性,造成安裝封裝結(jié)構(gòu)9于欲結(jié)合的電子裝置時(shí)的麻煩。2、發(fā)光二極管晶片91置放于印刷電路板92表面,而透光膠體93的厚度必須大于 發(fā)光二極管晶片91的厚度,才能將發(fā)光二極管晶片91密封,使得整體封裝結(jié)構(gòu)9的厚度受 到印刷電路板92及透光膠體93的厚度所限制,無法滿足薄型化發(fā)展的需求。3、印刷電路板92的中間通常為絕緣層921,其導(dǎo)熱效果不佳,因此發(fā)光二極管晶 片91所發(fā)出的熱需由印刷電路板92表層的金屬層922傳導(dǎo),如圖1中的箭頭路徑所示,熱 傳導(dǎo)先由印刷電路板92的上表面往外擴(kuò)散,再由側(cè)邊傳遞至印刷電路板92的下表面散熱, 使得熱傳遞路徑較長(zhǎng),無法迅速散熱。而熱能累積則會(huì)影響發(fā)光二極管晶片91的發(fā)光效能 及使用壽命。此外,現(xiàn)有晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)9大多僅適于封裝一個(gè)發(fā)光二極管晶片 91,使得應(yīng)用范圍較受局限。因此,現(xiàn)有晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)9仍有改進(jìn)的空間。由此可見,上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上,顯然仍存在有不便 與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題,相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求 解決之道,但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠 解決上述問題,此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的晶片式發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu),實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷,本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品 設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí),并配合學(xué)理的運(yùn)用,積極加以研究創(chuàng)新,以期創(chuàng) 設(shè)一種新型的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),使 其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì),并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后,終于創(chuàng)設(shè)出確具 實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于,克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷,而提 供一種新型的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),所要解決的技術(shù)問題是使其提供一種具有雙凹 槽以供設(shè)置兩個(gè)二極管,且可以降低整體厚度并能提高散熱速度的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),非常適于實(shí)用。本實(shí)用新型的另一目的在于,提供一種新型的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),所要 解決的技術(shù)問題是使其導(dǎo)電底層的最外邊界相對(duì)于絕緣層下側(cè)的最外邊界內(nèi)縮一定距離, 可防止毛邊產(chǎn)生以避免吃錫不良,從而更加適于實(shí)用。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí) 用新型提出的一種晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其包括一基板;其特征在于該基板包括 一絕緣層、一導(dǎo)電底層、一第一凹槽及一第二凹槽,該導(dǎo)電底層設(shè)置于該絕緣層下,該絕緣 層向下凹陷以與該導(dǎo)電底層共同界定出該第一凹槽及該第二凹槽,且該導(dǎo)電底層的最外邊 界與該絕緣層的最外邊界間隔一定距離;該封裝結(jié)構(gòu)還包含分別設(shè)于該第一凹槽及該第 二凹槽內(nèi)的該導(dǎo)電底層上的兩個(gè)二極管,及覆蓋于該基板上,并密封所述二極管的一透光 膠層。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí) 現(xiàn)。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的導(dǎo)電底層具有互相不導(dǎo)通的一第 一正極區(qū)及一第一負(fù)極區(qū),該第一正極區(qū)與該第一負(fù)極區(qū)相間隔并與該絕緣層共同界定出 一第一斷開區(qū),且該第一正極區(qū)涵蓋該第一凹槽的范圍,該第二負(fù)極區(qū)涵蓋該第二凹槽的 范圍。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的基板還包含一防焊層,該防焊層 覆蓋該導(dǎo)電底層的部分第一正極區(qū)及部分第一負(fù)極區(qū)的表面,并覆蓋該第一正極區(qū)與該第 一負(fù)極區(qū)之間的該第一斷開區(qū)。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的防焊層位于該第一負(fù)極區(qū)的一 側(cè)邊的中間部分往外延伸,且防焊層橫跨第一正極區(qū)與第一負(fù)極區(qū)的寬度距離為不小于 0. 4mm。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的基板還包括一設(shè)于該絕緣層上的 導(dǎo)電層,該導(dǎo)電層通過該第一凹槽的側(cè)壁及該第二凹槽的側(cè)壁與該導(dǎo)電底層電連接,且該 導(dǎo)電層具有互相不導(dǎo)通且分別與該導(dǎo)電底層的該第一正極區(qū)和該第一負(fù)極區(qū)相對(duì)應(yīng)的一 第二正極區(qū)及一第二負(fù)極區(qū)。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的透光膠層對(duì)應(yīng)該第一負(fù)極區(qū)的一
端具有一缺角。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中露出的該導(dǎo)電底層面積占該封裝結(jié)構(gòu)面 積的45至80%。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的二極管其中之一為發(fā)光二極管, 且其中另一為發(fā)光二極管或齊納二極管。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的導(dǎo)電底層的最外邊界相對(duì)于該絕 緣層的最外邊界為內(nèi)縮。前述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中所述的導(dǎo)電底層的最外邊界相對(duì)于該絕 緣層的最外邊界內(nèi)縮距離介于0. 025至0. 1mm。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。經(jīng)由以上可知,為了達(dá) 到上述目的,本實(shí)用新型提供了一種晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包含一基板、兩個(gè)二極管及一透光膠層。該基板包括一絕緣層、一導(dǎo)電底層、一第一凹槽及一第二凹槽。該導(dǎo)電底 層設(shè)置于該絕緣層下,該絕緣層向下凹陷以與該導(dǎo)電底層共同界定出該第一凹槽及該第二 凹槽,且該導(dǎo)電底層的最外邊界與該絕緣層下側(cè)的最外邊界間隔一定距離。所述二極管分 別設(shè)于該第一凹槽及該第二凹槽內(nèi)的該導(dǎo)電底層上。該透光膠層覆蓋于該基板上,并密封 所述二極管。借由上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及 有益效果借由雙凹槽結(jié)構(gòu)除了可以同時(shí)設(shè)置兩個(gè)發(fā)光二極管之外,也可以是設(shè)置一個(gè)發(fā) 光二極管及一個(gè)齊納二極管,而能提高抗靜電能力,而且,導(dǎo)電底層的最外邊界與絕緣層下 側(cè)的最外邊界間隔一定距離,可防止毛邊產(chǎn)生以避免吃錫不良。進(jìn)一步地,基板還包括一防 焊層,具有防焊及極性辨識(shí)功能。此外,凹槽使發(fā)光二極管可以直接與導(dǎo)電底層接觸,縮短 熱傳遞路徑,以加快散熱速度,而且發(fā)光二極管位于凹槽中,可減少透光膠體在基板表面的 厚度,使整體封裝結(jié)構(gòu)的厚度較薄,符合薄型化的需求。綜上所述,本實(shí)用新型是有關(guān)于一種晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包含一基板、 兩個(gè)二極管及一透光膠層?;灏ㄒ唤^緣層、一導(dǎo)電底層、一第一凹槽及一第二凹槽。導(dǎo) 電底層設(shè)于絕緣層下,絕緣層向下凹陷以與導(dǎo)電底層共同界定出第一凹槽及第二凹槽,且 導(dǎo)電底層的最外邊界相對(duì)于絕緣層下側(cè)的最外邊界內(nèi)縮一定距離。所述二極管分別設(shè)于各 凹槽內(nèi)。透光膠層密封所述二極管。借由雙凹槽結(jié)構(gòu)可以同時(shí)設(shè)置發(fā)光二極管及齊納二極 管,而能提高抗靜電能力,且導(dǎo)電底層的最外邊界內(nèi)縮一定距離,可防止毛邊產(chǎn)生以避免吃 錫不良。本實(shí)用新型在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步,并具有明顯的積極效果,誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí) 用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技 術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征 和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
圖1是現(xiàn)有的一晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是本實(shí)用新型晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第一較佳實(shí)施例的示意圖。圖3是該第一較佳實(shí)施例的一基板頂側(cè)的俯視圖。圖4是該第一較佳實(shí)施例的該基板底側(cè)的仰視圖。圖5是第一較佳實(shí)施例的立體圖示意圖。圖6是本實(shí)用新型晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第二較佳實(shí)施例的立體圖。
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下 結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例,對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施 方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。有關(guān)本實(shí)用新型的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效,在以下配合參考圖式的較 佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說明,在以下的實(shí)施例中,類似的組件是 以相同的編號(hào)來表示。[0035]
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明參閱圖2、圖3與圖4,為本實(shí)用新型晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1的第一較佳實(shí) 施例,其中圖2為剖視圖、圖3為俯視圖以及圖4為仰視圖,本實(shí)用新型可以利用于表面黏 著技術(shù)而安裝于一電子裝置的電路板上。晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1包含一基板2、一齊納二極管3、一發(fā)光二極管4及 一透光膠層5?;?包括一絕緣層21、一導(dǎo)電底層22、一導(dǎo)電層23、一防焊層24、一第一凹槽25 及一第二凹槽26。絕緣層21具有一頂面211及一底面212,且導(dǎo)電底層22設(shè)置于絕緣層 21下(即底面212處)。此外,絕緣層21的頂面211向下往底面212凹陷而與導(dǎo)電底層22 共同界定出第一凹槽25及第二凹槽26,且第一凹槽25及第二凹槽26分別用以容置齊納二 極管3及發(fā)光二極管4。導(dǎo)電底層22具有互相不導(dǎo)通的一第一正極區(qū)221及一第一負(fù)極區(qū)222,第一正極 區(qū)221與第一負(fù)極區(qū)222相間隔并與絕緣層21共同界定出一第一斷開區(qū)224,且第一正極 區(qū)221涵蓋第一凹槽25的范圍,第一負(fù)極區(qū)222涵蓋第二凹槽26的范圍。防焊層24覆蓋 導(dǎo)電底層22的部分第一正極區(qū)221及部分第一負(fù)極區(qū)222的表面,并覆蓋第一正極區(qū)221 與第一負(fù)極區(qū)222之間的第一斷開區(qū)224,可避免焊接后造成第一正極區(qū)221與第一負(fù)極 區(qū)222導(dǎo)通,防焊層24的寬度(橫跨第一正極區(qū)221與第一負(fù)極區(qū)222的距離)以不小于 0. 4mm較佳,以便可有效避免焊接后易造成第一正極區(qū)221與第一負(fù)極區(qū)222導(dǎo)通的問題。 而且,因?yàn)楹稿a不會(huì)附著于防焊層24,而能借由防焊層24,在未覆蓋防焊層24的區(qū)域產(chǎn)生 焊墊圖形(solderpad pattern)。此外,防焊層24位于第一負(fù)極區(qū)222的一側(cè)邊241的中 間部分往外側(cè)延伸,用以作為極性辨識(shí),以提升作業(yè)人員或自動(dòng)機(jī)臺(tái)的辨識(shí)率。另外,導(dǎo)電底層22的最外邊界223與絕緣層21下側(cè)(即底面212)的最外邊界213 間隔一定距離I,也就是說,導(dǎo)電底層22整體的最外邊界223相對(duì)于絕緣層21的最外邊界 213為往內(nèi)縮一定距離I,內(nèi)縮距離I以介于0. 025至0. Imm較佳。由于導(dǎo)電底層22若為 具有較佳延展性的金屬,例如銅。于是導(dǎo)電底層22的最外邊界223容易產(chǎn)生毛邊,導(dǎo)致焊 接時(shí)吃錫不良,借由導(dǎo)電底層22的最外邊界223相對(duì)于絕緣層21底面212的最外邊界213 往內(nèi)縮,可降低導(dǎo)電底層22的最外邊界223被外物觸碰的機(jī)會(huì)以避免產(chǎn)生毛邊。在本實(shí)施 例中,封裝結(jié)構(gòu)1的平面尺寸為1. 6mmX0. 8mm,即為絕緣層21的最外邊界213尺寸,而封裝 結(jié)構(gòu)1的面積為1. 28mm2 (1. 6mmX0. 8mm),導(dǎo)電底層22相對(duì)于絕緣層21單側(cè)內(nèi)縮距離I為 0. 05mm,第一正極區(qū)221與第一負(fù)極區(qū)222的間隔(即第一斷開區(qū)224寬度)為0. 07mm,導(dǎo) 電底層22的面積約為lmm2,因而導(dǎo)電底層22的面積約占封裝結(jié)構(gòu)1面積的78. 2%,且覆 蓋防焊層24后仍可露出約占封裝結(jié)構(gòu)1面積的53. 9%。此外,根據(jù)前面描述,由于內(nèi)縮距離I較佳為0. 025至0. Imm,因此若封裝結(jié)構(gòu)1的 尺寸為1.6mmX0. 8mm時(shí),導(dǎo)電底層22可以約占封裝結(jié)構(gòu)1面積的60-90%,即使后續(xù)覆蓋 有防焊層24,其露出的導(dǎo)電底層22面積仍可約占封裝結(jié)構(gòu)1面積的45-70%。再者,若是封裝結(jié)構(gòu)1的尺寸擴(kuò)大為3. 2mmX 1. 6mm,內(nèi)縮距離I仍可保持為0. 025 至0. Imm,于是導(dǎo)電底層22則可以約占封裝結(jié)構(gòu)1面積的80-95%,即使后續(xù)覆蓋有防焊層 24,其露出的導(dǎo)電底層22面積仍可約占封裝結(jié)構(gòu)1面積的70-80%,因而提供了非常大范圍 的導(dǎo)電面績(jī),有效提升散熱效率。[0043]導(dǎo)電層23設(shè)于絕緣層21,并通過第一凹槽25及第二凹槽26的側(cè)壁214、215與導(dǎo) 電底層22電連接,且導(dǎo)電層23環(huán)繞于第一凹槽25及第二凹槽26且具有互相不導(dǎo)通且與 導(dǎo)電底層22相對(duì)應(yīng)的一第二正極區(qū)232及一第二負(fù)極區(qū)233。也就是說,導(dǎo)電層23在第 一凹槽25與第二凹槽26之間有一第二斷開區(qū)231,以使第二正極區(qū)232與第二負(fù)極區(qū)233 互相不導(dǎo)通,且導(dǎo)電層23的第二正極區(qū)232通過第一凹槽25的側(cè)壁214與導(dǎo)電底層22的 第一正極區(qū)221電連接,而導(dǎo)電層23的第二負(fù)極區(qū)233通過第二凹槽26的側(cè)壁215與導(dǎo) 電底層22的第一負(fù)極區(qū)222電連接。導(dǎo)電底層22與導(dǎo)電層23可為單一金屬或多層金屬堆棧所制成,單一金屬可例如 銅,多層金屬可例如W/M/Au或Ag,且導(dǎo)電底層22與導(dǎo)電層23可為相同材質(zhì)或不同材質(zhì)。齊納二極管3及發(fā)光二極管4分別設(shè)于第一凹槽25及第二凹槽26內(nèi)的導(dǎo)電底層 22上,其中齊納二極管3的正極直接與導(dǎo)電底層22的第一正極區(qū)221電連接,其負(fù)極則以 打線方式與導(dǎo)電層23的第二負(fù)極區(qū)233電連接,并借由導(dǎo)電層23與導(dǎo)電底層22的第一負(fù) 極區(qū)222電連接。發(fā)光二極管4以打線方式分別與導(dǎo)電層23的第二正極區(qū)232及第二負(fù) 極區(qū)233電連接,并借由導(dǎo)電層23分別與導(dǎo)電底層22的第一正極區(qū)221及第一負(fù)極區(qū)222 電連接。在本實(shí)施例中,第一凹槽25內(nèi)是設(shè)置齊納二極管3,以加強(qiáng)抗靜電能力,但是在其 它實(shí)施中也可以改換設(shè)置另一發(fā)光二極管。參閱圖2與圖5,透光膠層5覆蓋于基板2上,并密封齊納二極管3與發(fā)光二極管 4。透光膠層5可配合發(fā)光二極管4摻混有熒光粉以產(chǎn)生白光,若發(fā)光二極管4以單色光使 用,則透光膠層5不需摻混熒光粉。參閱圖6,為本實(shí)用新型晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1’的第二較佳實(shí)施例,其與 第一較佳實(shí)施例大致相同,惟,在此第二較佳實(shí)施例中,透光膠層5’對(duì)應(yīng)導(dǎo)電底層22的第 一負(fù)極區(qū)222(第二較佳實(shí)施例的導(dǎo)電底層與第一較佳實(shí)施例相同,所以參閱圖4說明,不 另外圖示)的一端具有一缺角51’,用以作為極性辨識(shí)。透光膠層5’與防焊層24分別位于 上、下兩側(cè),可達(dá)到雙重極性辨識(shí)的功能。在前述較佳實(shí)施例中,基板2的制作方式,是將預(yù)先制成的雙面金屬中間夾絕緣 層的板體,先移除部分上層金屬并移除絕緣層21形成第一凹槽25及第二凹槽26,再對(duì)側(cè)壁 214、215進(jìn)行鍍通孔(Plated Through Hole, PTH或稱為化銅)作業(yè)以使絕緣的側(cè)壁214、 215進(jìn)行金屬化(metalization),便于后續(xù)制程進(jìn)行。接著沉積或電鍍金屬層,以使側(cè)壁 214,215覆有金屬層而使導(dǎo)電層23與導(dǎo)電底層22電性連接。另去除部分導(dǎo)電底層22,以 使其最外邊界223與絕緣層21底面212的最外邊界213間隔一定距離I,并形成第一斷開 區(qū)224及第一正極區(qū)221與第一負(fù)極區(qū)222,以及去除部分導(dǎo)電層23,以形成第二斷開區(qū) 221及第二正極區(qū)232與第二負(fù)極區(qū)233。再于導(dǎo)電底層22的預(yù)定區(qū)域形成防焊層24 (綠 漆),例如以油墨印刷方式涂布,待防焊層24固化后即完成基板2的制作。齊納二極管3及 發(fā)光二極管4以一般固晶方式設(shè)置,打線后再覆蓋透光膠體5、5’,將齊納二極管3及發(fā)光二 極管4密封。綜上所述,本實(shí)用新型晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1、1’,其第一凹槽25及第二凹 槽26除了可以同時(shí)設(shè)置一個(gè)發(fā)光二極管4及一個(gè)齊納二極管3,而能提高抗靜電能力,也可 以設(shè)置兩個(gè)發(fā)光二極管。進(jìn)一步地,導(dǎo)電底層22的最外邊界223相對(duì)于絕緣層21往內(nèi)縮 一定距離,可防止毛邊產(chǎn)生以避免吃錫不良,且防焊層24具有防焊及極性辨識(shí)功能,再加
7上透光膠體5’可達(dá)到雙重極性辨識(shí)的功效。此外,發(fā)光二極管4位于第二凹槽26中,可以 直接與導(dǎo)電底層22接觸,縮短熱傳遞路徑,以加快散熱速度,而且可減少透光膠體5、5’在 基板2表面的厚度,使整體封裝結(jié)構(gòu)1、1’的厚度較薄,符合薄型化的需求,所以確實(shí)能達(dá)成 本實(shí)用新型的目的。 以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上 的限制,雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本實(shí)用新型,任何熟 悉本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容 作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi) 容,依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍 屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其包括一基板;其特征在于該基板包括一絕緣層、一導(dǎo)電底層、一第一凹槽及一第二凹槽,該導(dǎo)電底層設(shè)置于該絕緣層下,該絕緣層向下凹陷以與該導(dǎo)電底層共同界定出該第一凹槽及該第二凹槽,且該導(dǎo)電底層的最外邊界與該絕緣層的最外邊界間隔一定距離;該封裝結(jié)構(gòu)還包含分別設(shè)于該第一凹槽及該第二凹槽內(nèi)的該導(dǎo)電底層上的兩個(gè)二極管,及覆蓋于該基板上,并密封所述二極管的一透光膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中所述的導(dǎo)電底 層具有互相不導(dǎo)通的一第一正極區(qū)及一第一負(fù)極區(qū),該第一正極區(qū)與該第一負(fù)極區(qū)相間隔 并與該絕緣層共同界定出一第一斷開區(qū),且該第一正極區(qū)涵蓋該第一凹槽的范圍,該第二 負(fù)極區(qū)涵蓋該第二凹槽的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中所述的基板還 包含一防焊層,該防焊層覆蓋該導(dǎo)電底層的部分第一正極區(qū)及部分第一負(fù)極區(qū)的表面,并 覆蓋該第一正極區(qū)與該第一負(fù)極區(qū)之間的該第一斷開區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中所述的防焊層 位于該第一負(fù)極區(qū)的一側(cè)邊的中間部分往外延伸,且防焊層橫跨第一正極區(qū)與第一負(fù)極區(qū) 的寬度距離為不小于0. 4mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中所述的基板還 包括一設(shè)于該絕緣層上的導(dǎo)電層,該導(dǎo)電層通過該第一凹槽的側(cè)壁及該第二凹槽的側(cè)壁與 該導(dǎo)電底層電連接,且該導(dǎo)電層具有互相不導(dǎo)通且分別與該導(dǎo)電底層的該第一正極區(qū)和該 第一負(fù)極區(qū)相對(duì)應(yīng)的一第二正極區(qū)及一第二負(fù)極區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中所述的透光膠 層對(duì)應(yīng)該第一負(fù)極區(qū)的一端具有一缺角。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中露出的該導(dǎo)電 底層面積占該封裝結(jié)構(gòu)面積的45至80%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中所述的二極管 其中之一為發(fā)光二極管,且其中另一為發(fā)光二極管或齊納二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在 于其中所述的導(dǎo)電底層的最外邊界相對(duì)于該絕緣層的最外邊界為內(nèi)縮。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其中所述的導(dǎo)電 底層的最外邊界相對(duì)于該絕緣層的最外邊界內(nèi)縮距離介于0. 025至0. 1mm。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種晶片式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包含一基板、兩個(gè)二極管及一透光膠層?;灏ㄒ唤^緣層、一導(dǎo)電底層、一第一凹槽及一第二凹槽。導(dǎo)電底層設(shè)于絕緣層下,絕緣層向下凹陷以與導(dǎo)電底層共同界定出第一凹槽及第二凹槽,且導(dǎo)電底層的最外邊界相對(duì)于絕緣層下側(cè)的最外邊界內(nèi)縮一定距離。所述二極管分別設(shè)于各凹槽內(nèi)。透光膠層密封所述二極管。借由雙凹槽結(jié)構(gòu)可以同時(shí)設(shè)置發(fā)光二極管及齊納二極管,而能提高抗靜電能力,且導(dǎo)電底層的最外邊界內(nèi)縮一定距離,可防止毛邊產(chǎn)生以避免吃錫不良。
文檔編號(hào)H01L23/48GK201708151SQ20102011414
公開日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者余重憲, 應(yīng)宗康 申請(qǐng)人:旭麗電子(廣州)有限公司;光寶科技股份有限公司