專利名稱：具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種具有導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置，詳言之，關(guān)于一種具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的 半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
參考圖1，顯示一已知半導(dǎo)體晶圓的剖面示意圖。參考圖2，顯示圖1的局部剖面 示意圖。該半導(dǎo)體晶圓1包括一半導(dǎo)體基板10及數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱(Through SubstrateVias, TSVs)12。該半導(dǎo)體基板10具有一正面(圖中未示)及一背面101。這些導(dǎo)通柱12位于該 半導(dǎo)體基板10內(nèi)，且這些導(dǎo)通柱12之后端121凸出于該背面101。在曝光工藝之后，該半導(dǎo)體基板10的背面101的位置及方向必須被確認(rèn)，以繼 續(xù)接下來(lái)的步驟，例如微影工藝(Wiotolithography Process)，其用以形成一重布層 (Redistribution Layer)于該背面 101。一種特殊的背面定位(Backside Alignment,BSA) 設(shè)備用以達(dá)成該目的。然而，使用這類設(shè)備會(huì)提高制造成本，且其定位誤差相當(dāng)高。參考圖3，顯示一已知半導(dǎo)體芯片的剖面示意圖。該半導(dǎo)體芯片2由一半導(dǎo)體晶 圓切割而成。該半導(dǎo)體芯片2包括一半導(dǎo)體基板20、一背面鈍化層(I^SSivati0n)21及數(shù) 個(gè)導(dǎo)通柱22。該半導(dǎo)體基板20具有一正面(圖中未示)及一背面201。該背面鈍化層21 位于該背面201上。這些導(dǎo)通柱22位于該半導(dǎo)體基板20內(nèi)，且這些導(dǎo)通柱22之后端221 凸出于該背面201及該背面鈍化層21。一表面處理層222形成于這些導(dǎo)通柱22的這些后 端221上。在半導(dǎo)體工藝中，一上半導(dǎo)體裝置(圖中未示)接合至該半導(dǎo)體基板20的該背面 201，且這些導(dǎo)通柱22的這些凸出之后端221必須接觸位于該上半導(dǎo)體裝置的底面的凸塊 或焊球，以達(dá)成電性連接。在接合工藝之前，該半導(dǎo)體基板20的該背面201的位置及方向 必須被確認(rèn)。通常，一重布層形成于該背面201，以作為一基準(zhǔn)標(biāo)記(Fiducial Mark)。該 基準(zhǔn)標(biāo)記很容易被偵測(cè)到，其有利于確認(rèn)該背面201的位置及方向。然而，形成該重布層會(huì) 提高制造成本。因此，有必要提供一種具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括一半導(dǎo) 體基板、數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱(Original Through Substrate Vias)及數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱 (MarkThrough Substrate Vias)。該半導(dǎo)體基板具有一正面及一背面。這些原始導(dǎo)通柱位 于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且凸出于該背面。這些原始導(dǎo)通柱包括數(shù)個(gè)第一原始導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)第 二原始導(dǎo)通柱。這些第一原始導(dǎo)通柱排列成一第一陣列，且這些第二原始導(dǎo)通柱排列成一 第二陣列。二相鄰的第一原始導(dǎo)通柱間的間距定義為一第一間距，且二相鄰第二原始導(dǎo)通 柱間的間距定義為一第二間距。這些標(biāo)記導(dǎo)通柱位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且凸出于該背面。這些標(biāo)記導(dǎo)通柱包括數(shù)
4個(gè)第一標(biāo)記導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)第二標(biāo)記導(dǎo)通柱。這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第一群組，且這 些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第二群組。該第一群組位于靠近該第一陣列的位置，且該第二 群組位于靠近該第二陣列的位置。二相鄰第一標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一第三間距，且 最靠近這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱的該第一原始導(dǎo)通柱及該第一標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一 第四間距。二相鄰的第二標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一第五間距，且最靠近這些第二標(biāo)記 導(dǎo)通柱的該第二原始導(dǎo)通柱及該第二標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一第六間距。該第三間距 不等于該第四間距，且該第三間距及該第四間距皆不可被該第一間距整除。該第五間距不 等于該第六間距，且該第五間距及該第六間距皆不可被該第二間距整除。本發(fā)明更提供一種具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括一半導(dǎo)體基 板、數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱。該半導(dǎo)體基板具有一正面及一背面。這些原始導(dǎo) 通柱位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且凸出于該背面。這些原始導(dǎo)通柱排列成數(shù)個(gè)原始陣列，且每一 這些原始陣列具有一原始圖案。這些標(biāo)記導(dǎo)通柱位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且凸出于該背面。這些標(biāo)記導(dǎo)通柱包括數(shù) 個(gè)第一標(biāo)記導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)第二標(biāo)記導(dǎo)通柱。這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第一圖案以形成 一第一群組，且這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第二圖案以形成一第二群組。該第一群組位 于該背面的一第一角落，該第二群組位于該背面的一第二角落，且該第一角落相對(duì)于該第 二角落。該第一圖案及該第二圖案皆不同于該原始圖案。在本發(fā)明中，這些標(biāo)記導(dǎo)通柱被添加，以作為一基準(zhǔn)標(biāo)記，其有利于確認(rèn)該背面的 位置及方向。因此，不需要該重布層或該用以達(dá)成背面定位的特殊設(shè)備。


圖1顯示一已知半導(dǎo)體晶圓的剖面示意圖；圖2顯示圖1的局部剖面示意圖；圖3顯示一已知半導(dǎo)體芯片的剖面示意圖；圖4顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施例的俯視示意圖；圖5顯示圖4的該第一群組及該第一陣列的放大圖；圖6顯示圖5的該第一群組的另一排列方式；圖7顯示圖4的該第二群組及該第二陣列的放大圖；圖8顯示圖7的該第二群組的另一排列方式；圖9顯示圖4的該第一群組的另一實(shí)施例；圖10顯示圖4的該第二群組的另一實(shí)施例；圖11顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施例的俯視示意圖；圖12顯示圖11的該第一群組的第一圖案；圖13顯示圖11的該第二群組的第二圖案；圖14至圖20顯示該第一圖案及該第二圖案的其它圖案范例；圖21顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第三實(shí)施例的俯視示意圖；及圖22顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第四實(shí)施例的俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖4，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施例的俯視示意圖。在本實(shí)施 例中，該半導(dǎo)體裝置3為一半導(dǎo)體晶圓，且包括一半導(dǎo)體基板30、數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱 (OriginalThrough Substrate Vias) 32 及數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱(Mark Through Substrate Vias)(例如，第一標(biāo)記導(dǎo)通柱351及第二標(biāo)記導(dǎo)通柱361)。該半導(dǎo)體基板30具有一正面 (圖中未示)及一背面301。這些原始導(dǎo)通柱32及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱位于該半導(dǎo)體基板30 內(nèi)，且這些原始導(dǎo)通柱32之后端321及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱顯露于(例如，凸出于)該背面301。 較佳地，該半導(dǎo)體裝置3更包括位于該背面301的一背面鈍化層(I^ssivation)(圖中未 示)。這些原始導(dǎo)通柱32及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱更顯露于(例如，凸出于)該背面鈍化層21。 一表面處理層322形成于這些原始導(dǎo)通柱32的這些后端321及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱。在本發(fā)明中，這些「原始導(dǎo)通柱」為原始設(shè)計(jì)用以接觸位于一上半導(dǎo)體裝置的底面 的凸塊或焊球以達(dá)成電性連接的導(dǎo)通柱。這些「標(biāo)記導(dǎo)通柱」為被添加以作為一基準(zhǔn)標(biāo)記 的導(dǎo)通柱。在本實(shí)施例中，這些原始導(dǎo)通柱32為可導(dǎo)電的，且這些標(biāo)記導(dǎo)通柱為不具功能 的。然而，在其它實(shí)施例中，這些原始導(dǎo)通柱32及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱皆為可導(dǎo)電的。這些原始導(dǎo)通柱32包括數(shù)個(gè)第一原始導(dǎo)通柱331及數(shù)個(gè)第二原始導(dǎo)通柱341。這 些第一原始導(dǎo)通柱331排列成一第一陣列33，且這些第二原始導(dǎo)通柱341排列成一第二陣 列34。二相鄰第一原始導(dǎo)通柱331間的間距定義為一第一間距P1(如圖5所示)，且二相 鄰第二原始導(dǎo)通柱341間的間距定義為一第二間距P2(如圖7所示)。這些標(biāo)記導(dǎo)通柱包括數(shù)個(gè)第一標(biāo)記導(dǎo)通柱351及數(shù)個(gè)第二標(biāo)記導(dǎo)通柱361。這些 第一標(biāo)記導(dǎo)通柱351排列成一第一群組35，且這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱361排列成一第二群組 36。該第一群組35位于靠近該第一陣列33的位置，且該第二群組36位于靠近該第二陣列 34的位置。較佳地，該第一陣列33位于全部原始導(dǎo)通柱32的一第一角落，該第二陣列34 位于全部原始導(dǎo)通柱32的一第二角落，且該第一角落相對(duì)于該第二角落。此外，該第一群 組35位于靠近該第一陣列33的一角落的位置，且該第二群組36位于靠近該第二陣列34 的一角落的位置。參考圖5，顯示圖4的該第一群組及該第一陣列的放大圖。二相鄰的第一標(biāo)記導(dǎo)通 柱351間的間距定義為一第三間距P3，且最靠近這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱351的該第一原始導(dǎo)通 柱331及該第一標(biāo)記導(dǎo)通柱351間的間距定義為一第四間距IV該第三間距P3不等于該第 四間距P4。此外，該第三間距P3及該第四間距P4皆不可被該第一間距P1整除。例如，該第一 間距P1為50微米(μ m)，該第三間距P3為90微米(μ m)，且該第四間距P4為70微米(μ m)。在本實(shí)施例中，這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱351包括排列成一第一標(biāo)記列的二個(gè)標(biāo)記導(dǎo) 通柱，且這些第一原始導(dǎo)通柱331排列成二個(gè)第一原始列。該第一標(biāo)記列與這些第一原始 列其中之一對(duì)齊，且位于同一列。然而，如圖6所示，在另一排列方式中，這些第一標(biāo)記導(dǎo)通 柱351包括排列成一第一標(biāo)記行的二個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱，且這些第一原始導(dǎo)通柱331排列成十 個(gè)第一原始行。該第一標(biāo)記行與這些第一原始行其中之一對(duì)齊，且位于同一行。參考圖7，顯示圖4的該第二群組及該第二陣列的放大圖。二相鄰的第二標(biāo)記導(dǎo)通 柱361間的間距定義為一第五間距P5，且最靠近這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱361的該第二原始導(dǎo) 通柱341及該第二標(biāo)記導(dǎo)通柱361間的間距定義為一第六間距P6。該第五間距P5不等于 該第六間距P6。此外，該第五間距P5及該第六間距P6皆不可被該第二間距P2整除。例如，該第二間距P2為50微米(μ m)，該第五間距P5為90微米(μ m)，且該第六間距P6為70微 米(μ m)。在本實(shí)施例中，這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱361包括排列成一第二標(biāo)記行的二個(gè)標(biāo)記導(dǎo) 通柱，且這些第二原始導(dǎo)通柱341排列成十個(gè)第二原始行。該第二標(biāo)記行與這些第二原始 行其中之一對(duì)齊，且位于同一行。然而，如圖8所示，在另一排列方式中，這些第二標(biāo)記導(dǎo)通 柱361包括排列成一第二標(biāo)記列的二個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱，且這些第二原始導(dǎo)通柱341排列成二 個(gè)第二原始列。該第二標(biāo)記列與這些第二原始列其中之一對(duì)齊，且位于同一列。參考圖9，顯示圖4的該第一群組35的另一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，該第一群組 35包括排列成二個(gè)第一標(biāo)記列的四個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱351，且這些第一原始導(dǎo)通柱331排列成 二個(gè)第一原始列。這些第一標(biāo)記列與這些第一原始列對(duì)齊，以形成二列。參考圖10，顯示圖4的該第二群組36的另一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，該第二群組 36包括排列成二個(gè)第二標(biāo)記行的四個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱361，且這些第二原始導(dǎo)通柱341排列成 十個(gè)第二原始行。這些第二標(biāo)記行與這些第二原始行其中的二對(duì)齊，且分別位于同一行。參考圖11，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施例的俯視示意圖。在本實(shí)施例中， 該半導(dǎo)體裝置4為一半導(dǎo)體晶圓，且包括一半導(dǎo)體基板40、數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱42及數(shù)個(gè)標(biāo)記 導(dǎo)通柱(例如，第一標(biāo)記導(dǎo)通柱471及第二標(biāo)記導(dǎo)通柱481)。該半導(dǎo)體基板40具有一正 面(圖中未示)及一背面401。這些原始導(dǎo)通柱42及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱位于該半導(dǎo)體基板 40內(nèi)，且這些原始導(dǎo)通柱42之后端421及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱顯露于(例如，凸出于)該背面 401。較佳地，該半導(dǎo)體裝置4更包括位于該背面401的一背面鈍化層(圖中未示)。這些 原始導(dǎo)通柱42及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱更凸出于該背面鈍化層。一表面處理層422形成于這些 原始導(dǎo)通柱42的這些后端421及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱。在本實(shí)施例中，這些原始導(dǎo)通柱42為可導(dǎo)電的，且這些標(biāo)記導(dǎo)通柱為不具功能 的。然而，在其它實(shí)施例中，這些原始導(dǎo)通柱42及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱皆為可導(dǎo)電的。這些原 始導(dǎo)通柱42排列成數(shù)個(gè)原始陣列49，且每一這些原始陣列49具有一原始圖案，例如一方形 矩陣。這些標(biāo)記導(dǎo)通柱包括數(shù)個(gè)第一標(biāo)記導(dǎo)通柱471及數(shù)個(gè)第二標(biāo)記導(dǎo)通柱481。這些 第一標(biāo)記導(dǎo)通柱471排列成一第一圖案以形成一第一群組47，且這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱481 排列成一第二圖案以形成一第二群組48。該第一群組47位于該半導(dǎo)體基板40的背面401 的一第一角落，且該第二群組48位于該半導(dǎo)體基板40的背面401的一第二角落。該第一 角落相對(duì)于該第二角落。參考圖12，顯示圖11的該第一群組的第一圖案。該第一群組47的第一圖案為十 字形圖案。然而，該第一群組47的第一圖案也可為L(zhǎng)形圖案或其它圖案。其準(zhǔn)則是，該第 一圖案必須不同于該原始圖案。參考圖13，顯示圖11的該第二群組的第二圖案。該第二群組48的第二圖案為L(zhǎng) 形圖案。然而，該第二群組48的第二圖案也可為十字形圖案或其它圖案。其準(zhǔn)則是，該第 二圖案必須不同于該原始圖案。參考圖14至圖20，顯示該第一圖案及該第二圖案的其它圖案范例。參考圖14，該 圖案包括一個(gè)十字形及位于該第一群組或該第二群組的四角落的四點(diǎn)。參考圖15，該圖案 為將圖14旋轉(zhuǎn)45度的圖案。參考圖16，該圖案包括一中間列及二側(cè)邊列。該中間列為寬廣且密集的。這些側(cè)邊列為狹窄且稀疏的，且位于該中間列的二側(cè)。參考圖17，該圖案包括 位于該第一群組或該第二群組的四角落的四個(gè)部分。參考圖18，該圖案包括二個(gè)十字形及 二點(diǎn)。這些十字形位于該第一群組或該第二群組的二角落，且這些點(diǎn)位于其它角落。參考 圖19，該圖案包括一中間列及二側(cè)邊列。該中間列為稀疏的。這些側(cè)邊列為密集的，且位于 該中間列的二側(cè)。參考圖20，該圖案包括二個(gè)L形圖案及一個(gè)斜線。這些L形圖案位于該 第一群組或該第二群組的二角落，且該斜線位于這些L形圖案之間。參考圖21，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第三實(shí)施例的俯視示意圖。在本實(shí)施例中，該 半導(dǎo)體裝置5為由一半導(dǎo)體晶圓切割而成的一半導(dǎo)體芯片。該半導(dǎo)體裝置5包括一半導(dǎo)體 基板50、數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱52及數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱(例如，第一標(biāo)記導(dǎo)通柱551及第二標(biāo)記導(dǎo) 通柱561)。該半導(dǎo)體基板50、這些原始導(dǎo)通柱52及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱(例如，這些第一標(biāo)記導(dǎo) 通柱551及這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱561)分別與第一實(shí)施例(圖4)的該半導(dǎo)體基板30、這些 原始導(dǎo)通柱32及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱(例如，這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱351及這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱 361)大致相同。參考圖22，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的第四實(shí)施例的俯視示意圖。在本實(shí)施例中，該 半導(dǎo)體裝置6為由一半導(dǎo)體晶圓切割而成的一半導(dǎo)體芯片。該半導(dǎo)體裝置6包括一半導(dǎo)體 基板60、數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱62及數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱(例如，第一標(biāo)記導(dǎo)通柱671及第二標(biāo)記導(dǎo) 通柱681)。該半導(dǎo)體基板60、這些原始導(dǎo)通柱62及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱(例如，這些第一標(biāo)記導(dǎo) 通柱671及這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱681)分別與第二實(shí)施例(圖11)的該半導(dǎo)體基板40、這些 原始導(dǎo)通柱42及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱(例如，這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱471及這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱 481)大致相同。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為，這些標(biāo)記導(dǎo)通柱被添加，以作為一基準(zhǔn)標(biāo)記，其有利于確認(rèn)這些 背面的位置及方向。因此，不需要該重布層(Redistribution Layer)或該用以達(dá)成背面定 位(Backside Alignment，BSA)的特殊設(shè)備。惟上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，習(xí)于 此技術(shù)的人士對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如 權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置，包括一半導(dǎo)體基板，具有一正面及一背面；數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱，位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，其中這些原始導(dǎo)通柱包括數(shù)個(gè)第一原始導(dǎo)通 柱及數(shù)個(gè)第二原始導(dǎo)通柱，這些第一原始導(dǎo)通柱排列成一第一陣列，這些第二原始導(dǎo)通柱 排列成一第二陣列，二相鄰第一原始導(dǎo)通柱間的間距定義為一第一間距，二相鄰第二原始 導(dǎo)通柱間的間距定義為一第二間距；且數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱，位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)且顯露于該背面，其中這些標(biāo)記導(dǎo)通柱包括數(shù) 個(gè)第一標(biāo)記導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)第二標(biāo)記導(dǎo)通柱，這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第一群組，這些 第二標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第二群組，該第一群組位于靠近該第一陣列的位置，該第二群組 位于靠近該第二陣列的位置，二相鄰第一標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一第三間距，最靠近 這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱的該第一原始導(dǎo)通柱及該第一標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一第四間 距，二相鄰第二標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一第五間距，最靠近這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱的該 第二原始導(dǎo)通柱及該第二標(biāo)記導(dǎo)通柱間的間距定義為一第六間距，其中該第三間距不等于 該第四間距，該第三間距及該第四間距皆不可被該第一間距整除，該第五間距不等于該第 六間距，且該第五間距及該第六間距皆不可被該第二間距整除。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置為一半導(dǎo)體晶圓或一半導(dǎo)體芯片。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中這些原始導(dǎo)通柱為可導(dǎo)電的，且這些標(biāo)記導(dǎo)通柱 為不具功能的。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中這些原始導(dǎo)通柱及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱皆為可導(dǎo)電的。
5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中該第一群組位于靠近該第一陣列的一角落的位置。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成至少一第一標(biāo)記列， 這些第一原始導(dǎo)通柱排列成至少一第一原始列，且該第一標(biāo)記列及該第一原始列位于同一 列。
7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成至少一第一標(biāo)記行， 這些第一原始導(dǎo)通柱排列成至少一第一原始行，且該第一標(biāo)記行及該第一原始行位于同一 行。
8.一種具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置，包括一半導(dǎo)體基板，具有一正面及一背面；數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱，位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，其中這些原始導(dǎo)通柱排列成數(shù)個(gè)原始陣列，每 一這些原始陣列具有一原始圖案；且數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱，位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)及顯露于該背面，其中這些標(biāo)記導(dǎo)通柱包括數(shù) 個(gè)第一標(biāo)記導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)第二標(biāo)記導(dǎo)通柱，這些第一標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第一圖案以形成 一第一群組，這些第二標(biāo)記導(dǎo)通柱排列成一第二圖案以形成一第二群組，該第一群組位于 該背面的一第一角落，該第二群組位于該背面的一第二角落，該第一角落相對(duì)于該第二角 落，且該第一圖案及該第二圖案皆不同于該原始圖案。
9.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體裝置，其中這些原始導(dǎo)通柱為可導(dǎo)電的，且這些標(biāo)記導(dǎo)通柱 為不具功能的。
10.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體裝置，其中該第一圖案為十字形圖案或L形圖案。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種具有標(biāo)記導(dǎo)通柱的半導(dǎo)體裝置，其包括一半導(dǎo)體基板、數(shù)個(gè)原始導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)標(biāo)記導(dǎo)通柱。這些原始導(dǎo)通柱及這些標(biāo)記導(dǎo)通柱位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且凸出于該半導(dǎo)體基板的背面。這些標(biāo)記導(dǎo)通柱被添加于一特殊位置且/或形成一特殊圖案，以作為一基準(zhǔn)標(biāo)記，其有利于確認(rèn)該背面的位置及方向。因此，不需要重布層或用以達(dá)成背面定位的特殊設(shè)備。
文檔編號(hào)H01L23/544GK102097414SQ20101057146
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者吳崇熙, 張惠珊, 沈啟智, 王盟仁, 陳仁川 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司