專利名稱：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲量以及更多的功能，半導(dǎo)體晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向發(fā)展，對半導(dǎo)體器件物理結(jié)構(gòu)和制造工藝的要求也越來高。例如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管中，其柵區(qū)和體區(qū)的重疊部分的尺寸大小對該器件的輸入電容和源、漏電荷的大小起著重要的作用，重疊部分的尺寸越大，其輸入電容就越高，動態(tài)特性就越差，進(jìn)而得到的金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管的良品率就越低?，F(xiàn)有的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造工藝通常包括以下幾個步驟在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上依次形成柵氧化層和多晶硅層；依次通過涂布光刻膠層、在光刻膠層中刻印柵區(qū)圖形結(jié)構(gòu)、多晶硅柵刻蝕、去除光刻膠層等步驟在多晶硅表面形成柵區(qū)圖形， 采用離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)；在體區(qū)中形成源區(qū)；形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層中形成通向柵區(qū)和源區(qū)的接觸孔；進(jìn)行金屬連接線的局部互連，完成金屬化。如圖1所示，為上述制造工藝得到的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的局部結(jié)構(gòu)示意圖，其中，體區(qū)102和柵區(qū)101存在較大的重疊面積，導(dǎo)致該器件存在較大的輸入電容，造成其動態(tài)特性較差，不符合工藝要求，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的良品率。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造方法，以實現(xiàn)減少體區(qū)和柵區(qū)的重疊面積，進(jìn)而減少金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的輸入電容，改善其動態(tài)特性，提高其良品率。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案—種金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管制造方法，包括在半導(dǎo)體晶片的外延層表面上依次形成柵氧化層和多晶硅層；依次完成涂布光刻膠層、在光刻膠層中刻印柵區(qū)圖形、多晶硅柵刻蝕，形成柵區(qū)的工藝，其中，所述多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度；以光刻膠層為掩模，通過離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)；去除光刻膠層，并去除預(yù)設(shè)的源區(qū)區(qū)域的柵氧化層；在所述體區(qū)中形成源區(qū)。優(yōu)選的，所述設(shè)定長度為0. 1微米至0. 5微米。優(yōu)選的，
采用各項同性等離子體刻蝕多晶硅柵。優(yōu)選的，在形成柵氧化層和多晶硅層之前，還包括在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上形成氧化物保護(hù)層；通過光刻工藝在氧化物保護(hù)層形成導(dǎo)電保護(hù)區(qū)域圖形；在導(dǎo)電保護(hù)區(qū)域離子注入、雜質(zhì)推阱，形成阱區(qū)；去除氧化物保護(hù)層。優(yōu)選的，在去除氧化物保護(hù)層之后，還包括氧化半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面；在外延層表面的氧化物中光刻形成有源區(qū)圖形；腐蝕去除外延層表面的氧化物。優(yōu)選的，在形成源區(qū)之后，還包括在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層中分別形成通向柵區(qū)、源區(qū)的接觸孔；進(jìn)行金屬化，得到柵極、源極。優(yōu)選的，在形成源區(qū)之后，還包括在半導(dǎo)體晶片襯底背面形成漏極。優(yōu)選的，所述外延層為N型摻雜，所述體區(qū)為P型摻雜，所述源區(qū)為N型摻雜。優(yōu)選的，所述通過離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)，具體為以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模，注入硼離子，并進(jìn)行雜質(zhì)推阱，形成P型摻雜的體區(qū)。應(yīng)用本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，在多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度，因此后續(xù)體區(qū)形成制程中，因其離子注入是以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模，所得到的體區(qū)端點會遠(yuǎn)離形成的柵區(qū)，進(jìn)而減小體區(qū)和柵區(qū)重疊面積，能夠有效的減少器件的輸入電容，改善其動態(tài)特性，提高其良品率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實施例一提供的金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管制造方法流程圖；圖3為實施例一提供的形成柵區(qū)后的器件結(jié)構(gòu)示意圖4為實施例一提供的形成體區(qū)后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為實施例一提供的形成源區(qū)后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為不同縮進(jìn)長度下半導(dǎo)體晶胞剖面的體區(qū)和源區(qū)的擴(kuò)散函數(shù)示意圖；圖7為實施例二提供的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)有技術(shù)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管中，體區(qū)和柵區(qū)存在較大的重疊面積，導(dǎo)致這種器件存在較大的輸入電容，造成其動態(tài)特性較差，不符合工藝要求，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的良品率。為此，本發(fā)明實施例提供了一種金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管制造方法，包括在半導(dǎo)體晶片的外延層表面上依次形成柵氧化層和多晶硅層；依次完成涂布光刻膠層、在光刻膠層中刻印柵區(qū)圖形、多晶硅柵刻蝕，形成柵區(qū)的工藝，其中，所述多晶硅柵刻蝕后形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度； 以光刻膠層為掩模，通過離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)；去除光刻膠層，并去除預(yù)設(shè)的源區(qū)區(qū)域的柵氧化層；在所述體區(qū)中形成源區(qū)。本發(fā)明實施例提供的金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管制造方法中，多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度，因此后續(xù)體區(qū)形成制程中，因其離子注入是以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模，所以得到的體區(qū)端點會遠(yuǎn)離形成的柵區(qū)， 進(jìn)而減小體區(qū)和柵區(qū)重疊面積，能夠有效的減少器件的輸入電容，改善其動態(tài)特性，提高其良品率。以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例， 而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實施例一本實施例提供了一種金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管制造方法，參見圖2所示，為該方法的一種流程示意圖，該方法具體包括步驟S201，在半導(dǎo)體晶片的外延層表面上依次形成柵氧化層和多晶硅層。需要說明的是，本實施例中的半導(dǎo)體晶片可以包括半導(dǎo)體元素，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，也可以包括混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、銻化銦、碲化鉛、 砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合；也可以是絕緣體上硅(SOI)。此夕卜，半導(dǎo)體晶片還可以包括其它的材料，例如外延層或掩埋層的多層結(jié)構(gòu)。雖然在此描述了可以形成襯底的材料的幾個示例，但是可以作為半導(dǎo)體襯底的任何材料均落入本發(fā)明的精神和范圍。所述外延層可為在襯底上形成的N— N+型結(jié)構(gòu)，外延層的厚度可按照器件的具體應(yīng)用要求確定，外延層可以位于半導(dǎo)體晶片的正面或背面。本步驟中，形成柵氧化層的具體方法可以為采用熱氧化工藝在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上形成柵氧化層，本實施例中的柵氧化層至少包括氧化硅，其厚度可以為 20 50埃。形成多晶硅層的具體方法可以為將包括柵氧化層的半導(dǎo)體晶片轉(zhuǎn)入低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備，并在設(shè)備的工藝腔中通入硅烷，硅烷分解后，多晶硅淀積在柵氧化層表面，其中多晶硅層的厚度約為5000埃。在多晶硅淀積完成后，還可以進(jìn)行多晶硅摻雜操作。步驟S202，依次完成涂布光刻膠層、在光刻膠層中刻印柵區(qū)圖形、多晶硅柵刻蝕， 形成柵區(qū)的工藝，其中，所述多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度。在光刻膠層中，通過曝光和顯影工序后形成柵區(qū)圖形，并以光刻膠層為掩模，通過腐蝕工藝去除柵區(qū)圖形外部的柵氧化層和多晶硅層，形成柵區(qū)。如圖3所示，為形成柵區(qū)后的半導(dǎo)體器件的局部結(jié)構(gòu)示意圖，其中形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)了設(shè)定長度X。301為半導(dǎo)體晶片的外延層，具體的可以為 N_ N+型結(jié)構(gòu)，302為柵氧化層，303為多晶硅柵刻蝕后形成的柵區(qū)，304為光刻膠層中的柵區(qū)圖形。本步驟中，具體可以通過各項同性等離子體刻蝕多晶硅柵，也可以由濕法化學(xué)腐蝕工藝完成，多晶硅層在所有的方向上以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕，光刻膠層中的柵區(qū)圖形正下方對應(yīng)的多晶硅柵側(cè)面也進(jìn)行腐蝕反應(yīng)，使得到的多晶硅柵的寬度小于光刻膠層中的柵區(qū)圖形的寬度，進(jìn)而實現(xiàn)在多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度。步驟S103，以光刻膠層為掩模，通過離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)。本實施例中，需要強(qiáng)調(diào)的是，在步驟S102執(zhí)行完畢后，并不直接清洗去除光刻膠層，而是以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模，進(jìn)行離子注入，并雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)，這是與現(xiàn)有技術(shù)中的一個明顯的區(qū)別之處。在體區(qū)離子注入過程中，外延層表面的柵氧化層可以控制離子注入的深度。如圖4所示，為形成體區(qū)后的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖，其中，301為半導(dǎo)體晶片的外延層，具體的可以為N_ N+型結(jié)構(gòu)，302為柵氧化層，303為多晶硅柵刻蝕后形成的柵區(qū)， 304為光刻膠層中的柵區(qū)圖形，305為本步驟中離子注入后形成的體區(qū)，X為柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)的設(shè)定長度。多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)了設(shè)定長度，本步驟的體區(qū)形成制程中，因其離子注入是以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模，所以得到的體區(qū)端點會遠(yuǎn)離形成的柵區(qū)，進(jìn)而能夠減小體區(qū)和柵區(qū)重疊面積。步驟S104，去除光刻膠層，并去除預(yù)設(shè)的源區(qū)區(qū)域的柵氧化層。在形成體區(qū)之后，步驟S102中涂布形成的半導(dǎo)體晶片表面的光刻膠層不再有用， 需要將其完全去除，具體的，可以采用濕法刻蝕工藝去除半導(dǎo)體晶片表面的光刻膠層，可以將光刻膠層置于去膠化學(xué)溶液中，使光刻膠溶解剝離。步驟S105，在所述體區(qū)中形成源區(qū)。在步驟S103形成的體區(qū)中注入離子，形成源區(qū)。源區(qū)離子注入之前，還可以將預(yù)設(shè)的源區(qū)區(qū)域的柵氧化層刻蝕去除。如圖5所示的形成源區(qū)后的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖， 其中，301為半導(dǎo)體晶片的外延層，具體的可以為N_ N+型結(jié)構(gòu)，302為柵氧化層，303為多晶硅柵刻蝕后形成的柵區(qū)，304為光刻膠層中的柵區(qū)圖形，305為體區(qū)，306為源區(qū)，A為現(xiàn)有技術(shù)中柵區(qū)和源區(qū)重合區(qū)域的長度，B為本發(fā)明中柵區(qū)和源區(qū)重合區(qū)域的長度，X為本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比可以減小的重合區(qū)域的長度，K為本發(fā)明中體區(qū)溝槽的端點，虛線區(qū)域的K1 為現(xiàn)有技術(shù)中體區(qū)溝槽的端點，K點的位置和離子濃度決定了該器件閥值電壓的大小。
本實施例中，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)長度的設(shè)定取決于器件的類型，其上限取決于生產(chǎn)所需獲得的閥值電壓，下限可以由生產(chǎn)和測量的精度決定。如圖6所示，為不同縮進(jìn)長度下半導(dǎo)體晶胞剖面的體區(qū)和源區(qū)的擴(kuò)散函數(shù)示意圖，其中，虛線為本發(fā)明實施例提供的縮進(jìn)長度為0.5微米時的曲線，虛實線為縮進(jìn)長度為 0.5微米時的曲線，實線為應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)方式得到的曲線。AB區(qū)域為體區(qū)雜質(zhì)分部的傾斜區(qū)域，BC區(qū)域為體區(qū)的濃度高梯度區(qū)域。由圖6可知，體區(qū)雜質(zhì)的分布剖面圖有約1微米的初始傾斜區(qū)域，與濃度高梯度區(qū)域相交，體區(qū)的分布剖面傾斜區(qū)域的中間受源區(qū)的吸引，因此體區(qū)溝槽的端點K的右側(cè)，有約為0. 5微米的體區(qū)傾斜段，在體區(qū)溝槽的端點的體區(qū)雜質(zhì)的濃度直接決定了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的閥值電壓。多晶硅柵區(qū)較光刻膠圖形的縮進(jìn)距離導(dǎo)致了在源區(qū)雜質(zhì)剖面不變的情況下，體區(qū)雜質(zhì)分布剖面遠(yuǎn)離柵區(qū)，這種情況下，體區(qū)溝槽端點隨著體區(qū)雜質(zhì)剖面移動，當(dāng)為0. 5微米時，K移向傾斜區(qū)域末端；當(dāng)大于0. 5微米時，則移向體區(qū)雜質(zhì)的高梯度區(qū)，當(dāng)K位于體區(qū)雜質(zhì)的高梯度區(qū)時，則會明顯的降低金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管閥值電壓的重復(fù)性。由上述可知，本實施例提供的方法，能夠使生成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管中， 體區(qū)和柵區(qū)重疊面積明顯降低，因此能夠降低器件的輸入電容，改善其動態(tài)特性，提高其良品率。實施例二 本實施例與實施例一的不同之處在于，在形成柵氧化層和多晶硅層之前，還可以在半導(dǎo)體晶片中形成用于保護(hù)器件實現(xiàn)器件隔離的導(dǎo)電保護(hù)區(qū)域，其具體實現(xiàn)方式可以包括在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上形成氧化物保護(hù)層；通過光刻工藝在氧化物保護(hù)層形成導(dǎo)電保護(hù)區(qū)域圖形；在導(dǎo)電保護(hù)區(qū)域離子注入、雜質(zhì)推阱，形成阱區(qū)；去除氧化物保護(hù)層。其中，氧化物保護(hù)層可以在高溫工藝腔中通入氧氣，與硅發(fā)生氧化反應(yīng)得到，主要作為氧化物屏蔽層，控制離子注入過程中，雜質(zhì)注入范圍和深度，并保護(hù)外延層表面免受沾污，防止在離子注入過程中，對硅片過度損傷。此外，為了在一個半導(dǎo)體晶片內(nèi)分別定義多個有源區(qū)，在上述去除氧化物保護(hù)層之后，形成柵氧層和多晶硅層之前，還可以包括氧化半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面；在外延層表面的氧化物中光刻形成有源區(qū)圖形；腐蝕去除外延層表面的氧化物。通過上述步驟可以實現(xiàn)在半導(dǎo)體晶片內(nèi)形成多個有源區(qū)，進(jìn)而形成多個半導(dǎo)體器件。本發(fā)明實施例所提供的方法，在形成源區(qū)之后，還可以包括在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層中分別形成通向柵區(qū)、源區(qū)的接觸孔；進(jìn)行金屬化，得到柵極、源極。
7
此外，在形成源區(qū)之后，還包括在半導(dǎo)體晶片襯底背面形成漏極。具體可參見圖7所示的半導(dǎo)體晶片的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，301為半導(dǎo)體晶片的外延層，302為柵氧化層，303為多晶硅柵刻蝕后形成的柵區(qū)，305為體區(qū)，306為源區(qū)，309為漏區(qū)，307為介質(zhì)層，308為填充有金屬材質(zhì)的通孔。具體的，所述外延層為可以為N— N+型摻雜結(jié)構(gòu)，所述源區(qū)306為可以為N+型摻雜，所述體區(qū)305可以為P—型摻雜，并由以下方式形成以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模， 注入硼離子，并進(jìn)行雜質(zhì)推阱，形成P—型摻雜的體區(qū)。應(yīng)用本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，在多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度，因此后續(xù)體區(qū)形成制程中，因其離子注入是以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模，所以得到的體區(qū)端點會遠(yuǎn)離形成的柵區(qū)，進(jìn)而減小體區(qū)和柵區(qū)重疊面積，減少器件的輸入電容，改善其動態(tài)特性，提高其良品率。本說明書中各個實施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造方法，其特征在于，包括 在半導(dǎo)體晶片的外延層表面上依次形成柵氧化層和多晶硅層；依次完成涂布光刻膠層、在光刻膠層中刻印柵區(qū)圖形、多晶硅柵刻蝕，形成柵區(qū)的工藝，其中，所述多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度； 以光刻膠層為掩模，通過離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)； 去除光刻膠層，并去除預(yù)設(shè)的源區(qū)區(qū)域的柵氧化層； 在所述體區(qū)中形成源區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于 所述設(shè)定長度為0. 1微米至0. 5微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于 采用各項同性等離子體刻蝕多晶硅柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，在形成柵氧化層和多晶硅層之前，還包括在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上形成氧化物保護(hù)層； 通過光刻工藝在氧化物保護(hù)層形成導(dǎo)電保護(hù)區(qū)域圖形； 在導(dǎo)電保護(hù)區(qū)域離子注入、雜質(zhì)推阱，形成阱區(qū)； 去除氧化物保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在去除氧化物保護(hù)層之后，還包括 氧化半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面；在外延層表面的氧化物中光刻形成有源區(qū)圖形； 腐蝕去除外延層表面的氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成源區(qū)之后，還包括 在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層中分別形成通向柵區(qū)、源區(qū)的接觸孔； 進(jìn)行金屬化，得到柵極、源極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成源區(qū)之后，還包括 在半導(dǎo)體晶片襯底背面形成漏極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述外延層為N型摻雜，所述體區(qū)為P型摻雜，所述源區(qū)為N型摻雜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)，具體為以光刻膠層中的柵區(qū)圖形為掩模，注入硼離子，并進(jìn)行雜質(zhì)推阱，形成P型摻雜的體區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造方法，包括在半導(dǎo)體晶片襯底的外延層表面上依次形成柵氧化層和多晶硅層；依次完成涂布光刻膠層、在光刻膠層中刻印柵區(qū)圖形、多晶硅柵刻蝕，形成柵區(qū)的工藝，其中，所述多晶硅柵刻蝕后，形成的柵區(qū)側(cè)面較光刻膠層中的柵區(qū)圖形縮進(jìn)設(shè)定長度；以光刻膠層為掩模，通過離子注入和雜質(zhì)推阱，形成體區(qū)；去除光刻膠層，并去除預(yù)設(shè)的源區(qū)區(qū)域的柵氧化層；在所述體區(qū)中形成源區(qū)。應(yīng)用本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案，所得到金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管中體區(qū)和柵區(qū)重疊面積較小，能夠有效減少器件的輸入電容，改善其動態(tài)特性，提高其良品率。
文檔編號H01L21/3213GK102479714SQ20101056458
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月29日
發(fā)明者阿里耶夫·阿里伽日·馬高米道維奇 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司