專利名稱：支撐與握持半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制作，且特別涉及具有較低開啟電阻(reduced on-resistance)的半導(dǎo)體電源裝置(semiconductor power devices)及其制造方法。
背景技術(shù)：
基板串聯(lián)電阻(substrate series resistance)代表了垂直型電源裝置 (vertical power device)內(nèi)的整體裝置開啟電阻的一顯著部分。目前用于降低基板串聯(lián) 電阻的制造方法是于晶片的前側(cè)表面上制作完成所需電路圖案之后，通過研磨去除位于晶 片后側(cè)的材料而達(dá)成。然而，基于晶片后側(cè)的材料的繼續(xù)研磨去除增加了晶片的風(fēng)險，晶片 于厚度削減(薄化)工藝中所產(chǎn)生應(yīng)力可能導(dǎo)致其破裂或碎裂，因此最終晶片厚度便受到 限制。再者，自晶片后側(cè)移除太多的材料則增加了晶片的風(fēng)險，于晶片握持時產(chǎn)生破裂或碎 裂。圖1部分顯示了一半導(dǎo)體晶片110的一簡化剖面圖，其具有形成于鄰近半導(dǎo)體晶片110 的前側(cè)表面120的柵極電極與源極電極以及形成于鄰近半導(dǎo)體晶片110的后側(cè)表面130的 漏極電極的一垂直型電源場效應(yīng)晶體管(vertical power FET)。其中X代表了此具有源極 電極與柵極電極的場效應(yīng)晶體管裝置的厚度，而Y代表了漏極電極區(qū)的厚度。當(dāng)太多的塊 狀硅或后側(cè)表面130的厚度Y經(jīng)移除時，將無法握持晶片。縱使晶片于經(jīng)過厚度削減程序 之后仍存在，經(jīng)過薄化的晶片仍可能于芯片切割工藝中破裂。于芯片切割工藝中，將于切割 道區(qū)(dicing lane region)處產(chǎn)生應(yīng)力。而所產(chǎn)生的應(yīng)力為造成破裂遷移至集成電路區(qū) 域的源頭，進(jìn)而造成致命缺陷?；谏鲜鲈蛞约跋挛闹兴庹f的其他原因，便需要一種較佳方法，以支撐與握 持超薄半導(dǎo)體晶片降低晶片毀損的風(fēng)險。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供了一種支撐與握持包括垂直型場效應(yīng)晶體 管的半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法。于一實(shí)施例中，提供具有一前側(cè)表面與一后側(cè)表 面的一半導(dǎo)體晶片，其中該前側(cè)表面包括為多個切割道所分隔的一個或多個芯片。自后側(cè) 表面薄化上述半導(dǎo)體晶片至一既定厚度。形成多個圖案化金屬構(gòu)件于經(jīng)薄化的后側(cè)表面上 以支撐該半導(dǎo)體晶片，其中所述多個圖案化金屬構(gòu)件分別大體覆蓋一芯片且大體未覆蓋此 些切割線。沿此些切割線切割半導(dǎo)體晶片，以分隔一個或多個芯片用于后續(xù)芯片封裝之用。依據(jù)另一目的，本發(fā)明提供了一種于包括多個場效應(yīng)晶體管區(qū)域的晶片的后側(cè)形 成多個圖案化金屬構(gòu)件的方法。于一實(shí)施例中，提供具有一前側(cè)表面與一后側(cè)表面的一半 導(dǎo)體晶片，其中該前側(cè)表面包括為多個切割道所分隔的一個或多個場效應(yīng)晶體管區(qū)。自后 側(cè)表面薄化上述半導(dǎo)體晶片至一既定厚度。于經(jīng)薄化的該后側(cè)表面上形成多個圖案化金屬 構(gòu)件以支撐該半導(dǎo)體晶片，其中所述多個經(jīng)圖案化金屬構(gòu)件分別大體覆蓋所述多個場效應(yīng) 晶體管區(qū)之一并大體露出此些切割道。沿此些切割道切割該半導(dǎo)體晶片，以分隔該晶片成 為分別包括一場效應(yīng)晶體管區(qū)的單一芯片。
依據(jù)又一目的，本發(fā)明提供了一種具有前側(cè)表面與薄化的后側(cè)表面的晶片。于一 實(shí)施例中，于前側(cè)表面之上形成一個或多個芯片，其中此些芯片為多個切割道所分隔。于薄 化的后側(cè)表面之上形成多個保護(hù)元件，其中此些保護(hù)元件分別覆蓋一芯片，以于當(dāng)半導(dǎo)體 晶片于沿著各別的切割線切割時保護(hù)所述多個芯片免于受到不期望破裂情形的影響。本發(fā)明可降低于晶片握持、傳輸、加工與切割時的晶片毀損風(fēng)險。為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配 合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為一剖面圖，顯示了包括一場效應(yīng)晶體管裝置形成于其內(nèi)的一半導(dǎo)體晶片；圖2A-圖2D為一系列的剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片位于形 成支撐結(jié)構(gòu)的不同階段的情形；圖3為一俯視圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有保護(hù)元件形成于其上的一半 導(dǎo)體晶片；圖4A為一俯視圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有支撐元件形成于其上且與 保護(hù)元件相連接的一半導(dǎo)體晶片；圖4B為一俯視圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有支撐元件形成于其上且 與保護(hù)元件相連接的一半導(dǎo)體晶片；圖5為一剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有支撐結(jié)構(gòu)形成于其上的一半 導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片于切割工藝施行的前設(shè)置于一切割膠帶上；以及圖6為一剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例中于圖5所示半導(dǎo)體晶片于施行切 割工藝后的情形。其中，附圖標(biāo)記說明如下110 半導(dǎo)體晶片；120 前側(cè)表面；130 后側(cè)表面；210 半導(dǎo)體晶片；220 前側(cè)表面；230 后側(cè)表面；232 經(jīng)削減的后側(cè)表面；240 芯片區(qū)；245 晶片載具；247 粘著層；250 經(jīng)削減的后側(cè)表面；251 籽晶層；252 阻劑層；258 切割道區(qū)；260 金屬構(gòu)件/圖案化金屬構(gòu)件；472 支撐元件；
474 十字形支撐元件；580 芯片膠帶；590 切割盤；610 挑檢機(jī)；X 具有源極電極與柵極電極的場效應(yīng)晶體管裝置的厚度；Y 漏極電極區(qū)的厚度；Z 半導(dǎo)體晶片上的一預(yù)定厚度。
具體實(shí)施例方式圖2A-圖2D為一系列剖面圖，分別顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一半導(dǎo)體晶片于 形成支撐與握持此半導(dǎo)體晶片的一支撐結(jié)構(gòu)的不同階段中的情形。圖2A顯示了具有為多 個切割道(dicing line) 258所分隔的多個集成電路芯片(IC chips/dies) 240的一半導(dǎo)體 晶片210。于一實(shí)施例中，于電源裝置的制作中，半導(dǎo)體晶片210為具有一輕度摻雜(N或 P)的外延硅層形成于重度摻雜基板上的一經(jīng)重度摻雜的N++(或P++)晶片。半導(dǎo)體晶片210 具有通稱為主動表面的一前側(cè)表面220以及相對于前側(cè)表面220的一后側(cè)表面230。于晶 片210的前側(cè)表面220之上則形成有包括如晶體管、CM0S、NM0S、電阻、電容、二極管熔絲、介 電層、金屬層及相似物的有源與無源裝置的集成電路(未顯示)。于一實(shí)施例中，此集成電 路包括場效應(yīng)晶體管(FET)，其柵極電極與源極電極形成于接近前側(cè)表面220處，而其漏極 電極則形成于一塊狀硅內(nèi)或于接近半導(dǎo)體晶片210的后側(cè)表面230處。再者，請參照圖2A，于一實(shí)施例中則通過一粘著層對7將一晶片載具245貼附于半 導(dǎo)體晶片210的前側(cè)表面220。晶片載具245扮演了一暫時性支撐基板或載具，以利半導(dǎo) 體晶片的握持、傳輸與加工。于部分實(shí)施例中，晶片載具245為硅基板、玻璃基板、高分子基 板、高分子基復(fù)合基板或厚膠帶，且其通過粘著接合、膠帶接合或樹脂接合等方式而貼附于 晶片210的前側(cè)表面220上。晶片載具245優(yōu)選地為堅硬的，基于堅硬載具有助于降低晶 片變形且可防止于握持、傳輸與加工時的晶片破裂。于半導(dǎo)體晶片210粘著于晶片載具245后，則可進(jìn)行半導(dǎo)體晶片210的厚度削減 程序，例如為一后側(cè)研磨程序，以移除位于半導(dǎo)體晶片210后側(cè)表面的一部?？赏ㄟ^一研磨 器、一化學(xué)機(jī)械研磨或是其他適當(dāng)移除程序以機(jī)械地研磨半導(dǎo)體晶片210的非芯片側(cè)或后 側(cè)表面230借以降低其厚度。通過機(jī)械研磨，則可依照特定應(yīng)用而薄化半導(dǎo)體晶片210至 一既定厚度。然而，由于通過機(jī)械研磨以更降低半導(dǎo)體晶片210的厚度可能造成晶片的毀 損。如此，為了更降低晶片210的厚度，優(yōu)選地采用較少造成毀損的工藝方法，例如為濕蝕 刻工藝、干式化學(xué)蝕刻、研磨或等離子體蝕刻。如圖2B所示，厚度削減工藝于半導(dǎo)體晶片210上施行至一預(yù)定厚度Z。本發(fā)明的 目的之一允許了晶片厚度可削減至一縮減厚度而不會使得晶片于握持、傳輸與加工或晶片 切割時產(chǎn)生毀損。其是由于本發(fā)明提供了可形成于晶片后側(cè)的一支撐結(jié)構(gòu)。而于下文中將 進(jìn)一步解說此支撐結(jié)構(gòu)如何幫助了晶片抵抗翹曲、震動或其他類似應(yīng)力而不會造成破裂遷 移至晶片之內(nèi)而導(dǎo)致晶片毀損的情形。半導(dǎo)體晶片210的預(yù)定厚度Z則可依據(jù)芯片用途而 加以設(shè)定。于一實(shí)施例中，依照所應(yīng)用工藝以及所施加忍耐度，半導(dǎo)體晶片210可薄化至約 2 25微米的厚度。
用于提供至半導(dǎo)體晶片210支撐的此支撐結(jié)構(gòu)包括形成于半導(dǎo)體晶片210的經(jīng) 削減的后側(cè)表面232上的多個圖案化金屬構(gòu)件。此些圖案化金屬構(gòu)件分別大體覆蓋一芯 片區(qū)(die region)且大體露出此些切割道區(qū)(scribe line region)。此些圖案化金屬構(gòu) 件的形成首先形成一粘著層250于晶片210的經(jīng)削減的后側(cè)表面232之上。此粘著層250 提供了晶片表面與后續(xù)形成的多個金屬層間的粘著情形。依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，粘著層 250 包括鈦(titanium)、氮化鈦(titanium-nitride)、鶴化鈦(titanium tungsten)或鶴 化鉭(tantalum tungsten)，且采用公知濺鍍工藝而沉積形成于晶片之上，其也可采用其他 適當(dāng)工藝形成。于一實(shí)施例中，依照工藝與元件需求以及其他參數(shù)，粘著層250具有約介于 500 4000埃的一厚度。于部分實(shí)施例中，粘著層250則具有約為1000 2000埃的一厚 度。于粘著層250的頂面更形成有包括銅的籽晶層251。于部分實(shí)施例中，籽晶層251 通過如濺鍍方式而形成于粘著層250的頂面。于部分實(shí)施例中，籽晶層251具有約為500 6000埃的厚度。請繼續(xù)參照圖2B，接著于籽晶層251的上沉積形成一阻劑層252。采用如 光掩模、曝光與顯影的公知光刻技術(shù)，以于籽晶層251之上形成圖案化的阻劑層252。經(jīng)部 分移除經(jīng)圖案化的阻劑層252之后，經(jīng)圖案化的阻劑層252大體覆蓋切割道區(qū)258但大體 露出了芯片區(qū)M0，以使得切割道區(qū)258對于后續(xù)的晶片切割程序中所使用的切割刀片處 于非阻礙狀態(tài)。如圖2C所示，經(jīng)移除覆蓋于芯片區(qū)240上的籽晶層251上方的阻劑層252部分后， 接著采用一電鍍程序以于此些經(jīng)移除部分內(nèi)填入一保護(hù)元件、一金屬層或一金屬構(gòu)件260。 金屬構(gòu)件260經(jīng)由電鍍形成并具有約為1 25微米的厚度，且可包括如Cu/Ni/Au、Cu/Ni/ Pd、Cu/Ni/Ag或Cu/Ni/焊錫。接著通過適當(dāng)移除程序以移除阻劑層252并定義出圖案化 金屬構(gòu)件沈0。圖案化金屬構(gòu)件260形成于晶片210之上，以降低破裂并幫助吸收施加于 晶片上的應(yīng)力，且其經(jīng)過設(shè)計以保護(hù)各芯片免于不小心的破裂情形的影響。金屬構(gòu)件260 可具有任何形狀。于部分實(shí)施例中，金屬構(gòu)件260可具有特定形狀以于后續(xù)分割程序中提 供最佳保護(hù)效果。部分的此些保護(hù)元件更增加了局部材料強(qiáng)度，以使得非預(yù)期的破裂不會 朝向芯片區(qū)240前進(jìn)。于一實(shí)施例中，金屬構(gòu)件260具有一多邊形形狀，例如正方形、長方 形、圓形或橢圓形。于其他實(shí)施例中，金屬構(gòu)件260可包括位于晶片210內(nèi)的場效應(yīng)晶體管 (FET)裝置的漏極電極。依據(jù)一實(shí)施例，此漏極電極具有一正方形或長方形的外形。圖2D 顯示了具有圖案化金屬構(gòu)件260形成于其上的半導(dǎo)體晶片210的剖面圖。再者，圖3顯示 了具有圖案化金屬構(gòu)件260形成于其上的半導(dǎo)體晶片210的俯視情形。圖4A為一俯視圖，顯示了依據(jù)一實(shí)施例的具有正方形支撐膜層472形成于其上且 相連于圖案化金屬構(gòu)件260的半導(dǎo)體晶片210。于圖案化金屬構(gòu)件260之上形成有一個或 多個支撐元件472，以提供對于半導(dǎo)體晶片210的額外支撐作用。各支撐元件472耦接于兩 個或兩個以上的圖案化金屬構(gòu)件260。至少于一實(shí)施例中，支撐元件472于形成阻劑層252 時形成且定義形成于阻劑層內(nèi)。于部分實(shí)施例中，支撐構(gòu)件472系與圖案化金屬構(gòu)件260具 有相同材料且同時形成。支撐元件472可具有任何形狀。于一實(shí)施例中，支撐元件472可 具有一正方形、長方形、圓形或十字形的外形。于其他實(shí)施例中，各支撐元件472的特定形 狀并不重要。再者，于至少一實(shí)施例中，優(yōu)選地可最小化于切割道區(qū)內(nèi)的此支撐材料(例如 銅)的數(shù)量以避免于后續(xù)切割時造成問題。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解其他形狀也為可能，只要其可對于圖案化金屬構(gòu)件260提供必要的支撐。圖4B為一俯視圖，顯示了依據(jù)其 他實(shí)施例的具有十字形支撐元件474形成于其上且連結(jié)于圖案化金屬構(gòu)件260的半導(dǎo)體晶 片 210。請參照圖5，接著固定上述半導(dǎo)體晶片210于位于一切割盤(cutting chuck) 590 上的一芯片膠帶(dicing tape) 5800使用芯片膠帶580以于切割工藝中握持位于切割盤 590上的半導(dǎo)體晶片210。如圖6所示，接著通過一切割刀片(未顯示)并依照一般方式沿 著切割道258切割半導(dǎo)體晶片210，以分隔半導(dǎo)體晶片210成為多個獨(dú)立的芯片且接著通過 一挑檢機(jī)(pick up tool)610以及采用一次一個方式取出用于各別的芯片封裝物的單一芯 片。由于于切割半導(dǎo)體晶片210時可能于切割道258處產(chǎn)生應(yīng)力，通過通過金屬構(gòu)件260 及/或支撐結(jié)構(gòu)472或474等支撐結(jié)構(gòu)提供至芯片處的支撐效果，于切割道258處所制造 出的應(yīng)力便被降低。如此，來自于晶片內(nèi)破裂遷移所導(dǎo)致的芯片意外破裂情形便顯著地消 除了。可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的是可考慮其他的切割工藝參數(shù)，以控制晶片破裂情形。 此些參數(shù)可包括切割速度、安裝速度與流體流速。舉例來說，由于快速晶片切割速度可降低 如破裂的集結(jié)、成長與遷移，故快速的切割速度可降低于晶片切割時的破裂情形。上述本發(fā)明的實(shí)施例揭示了用于支撐與握持一超薄晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法， 其可降低于晶片握持、傳輸、加工與切割時的晶片毀損風(fēng)險。再者，當(dāng)包括一場效應(yīng)晶體管 裝置的一超薄晶片內(nèi)的塊狀硅層經(jīng)過薄化之后，圖案化金屬構(gòu)件260不僅作為用于晶片的 一支撐結(jié)構(gòu)，其也作為場效應(yīng)晶體管裝置的漏極電極。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視 隨附的權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種支撐與握持半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法，包括提供具有一前側(cè)表面與一后側(cè)表面的一半導(dǎo)體晶片，其中該前側(cè)表面包括為多個切割 道所分隔的一個或多個芯片；自該后側(cè)表面薄化該半導(dǎo)體晶片至一既定厚度；形成多個圖案化金屬構(gòu)件于經(jīng)薄化的該后側(cè)表面上以支撐該半導(dǎo)體晶片，其中所述多 個圖案化金屬構(gòu)件分別大體覆蓋一芯片且大體未覆蓋所述多個切割線；以及 沿所述多個切割線切割該半導(dǎo)體晶片，以分隔所述一個或多個芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的支撐與握持半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該半導(dǎo)體 晶片包括形成于該半導(dǎo)體晶片的該前側(cè)表面上的一垂直型場效應(yīng)晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的支撐與握持半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法，其中形成所述 多個圖案化金屬構(gòu)件包括提供一晶片載具，以支撐該半導(dǎo)體晶片； 沉積一粘著層于該半導(dǎo)體晶片的經(jīng)薄化的該后側(cè)表面上； 沉積一籽晶層于該粘著層之上；形成一圖案化光致抗蝕劑層于該籽晶層之上，該圖案化光致抗蝕劑層大體覆蓋所述多 個切割道但大體露出該芯片的區(qū)域；電鍍形成一金屬層于該圖案化光致抗蝕劑層之上；以及 移除該圖案化光致抗蝕劑層。
4.如權(quán)利要求1所述的支撐與握持半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述多個 金屬構(gòu)件包括多個漏極電極。
5.如權(quán)利要求1所述的支撐與握持半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括于所述 多個金屬構(gòu)件之上形成一個或多個支撐元件，以提供該晶片額外的支撐，其中所述多個支 撐構(gòu)件分別耦接于兩個或兩個以上的所述金屬構(gòu)件。
6.一種于包括多個場效應(yīng)晶體管區(qū)域的晶片的后側(cè)形成多個圖案化金屬構(gòu)件的方法， 包括提供具有一前側(cè)表面與一后側(cè)表面的一半導(dǎo)體晶片，其中該前側(cè)表面包括為多個切割 道所分隔的一個或多個場效應(yīng)晶體管區(qū)；自該后側(cè)表面薄化該半導(dǎo)體晶片至一既定厚度；于經(jīng)薄化的該后側(cè)表面上形成多個圖案化金屬構(gòu)件以支撐該半導(dǎo)體晶片，其中所述多 個經(jīng)圖案化金屬構(gòu)件分別大體覆蓋所述多個場效應(yīng)晶體管區(qū)之一并大體露出所述多個切 割道；以及沿所述多個切割道切割該半導(dǎo)體晶片，以分隔該晶片成為分別包括一場效應(yīng)晶體管區(qū) 的單一芯片。
7.如權(quán)利要求6所述的于包括多個場效應(yīng)晶體管區(qū)域的晶片的后側(cè)形成多個圖案化 金屬構(gòu)件的方法，其中形成該多個圖案化金屬構(gòu)件包括提供一晶片載具，以支撐該晶片；沉積一粘著層于該晶片的經(jīng)薄化的該后側(cè)表面上；沉積一籽晶層于該粘著層之上；形成一圖案化阻劑層于該籽晶層之上，該圖案化阻劑層大體覆蓋所述多個切割道但為大體露出該芯片區(qū)；電鍍形成一金屬層于該圖案化阻劑層之上；以及 移除該圖案化阻劑層。
8.如權(quán)利要求7所述的于包括多個場效應(yīng)晶體管區(qū)域的晶片的后側(cè)形成多個圖案化 金屬構(gòu)件的方法，其中該金屬層包括Cu/Ni/AiuCu/Ni/PcUCu/NiAg或Cu/Ni/焊錫，所述多 個圖案化金屬構(gòu)件之一具有包括正方形、方形或圓形的形狀，以及具有約1 25微米的厚度。
9.如權(quán)利要求6所述的于包括多個場效應(yīng)晶體管區(qū)域的晶片的后側(cè)形成多個圖案化 金屬構(gòu)件的方法，還包括于所述多個金屬構(gòu)件之上形成一個或一個以上的支撐元件，以提 供該半導(dǎo)體晶片額外的支撐，其中所述多個支撐構(gòu)件分別耦接于兩個或兩個以上的所述金 屬構(gòu)件。
10.一種具有前側(cè)表面與薄化的后側(cè)表面的晶片，包括一個或多個芯片，形成于該前側(cè)表面之上，其中所述多個芯片為多個切割道所分隔；以及多個保護(hù)元件，形成于薄化的該后側(cè)表面之上，其中所述多個保護(hù)元件分別覆蓋一芯 片，以于當(dāng)半導(dǎo)體晶片于沿著各別的切割線切割時保護(hù)所述多個芯片免于受到不期望破裂 情形的影響。
11.如權(quán)利要求10所述的具有前側(cè)表面與薄化的后側(cè)表面的晶片，還包括一粘著層與 一籽晶層，形成于薄化的該后側(cè)表面與所述多個保護(hù)元件之間。
12.如權(quán)利要求10所述的具有前側(cè)表面與薄化的后側(cè)表面的晶片，其中所述多個保護(hù) 元件包括Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd、Cu/Ni/Ag或Cu/Ni/焊錫，所述多個保護(hù)元件分別具有正方 形、方形、或圓形的形狀，以及具有約1 25微米的厚度。
13.如權(quán)利要求10所述的具有前側(cè)表面與薄化的后側(cè)表面的晶片，其中所述多個保護(hù) 元件包括漏極電極。
14.如權(quán)利要求10所述的具有前側(cè)表面與薄化的后側(cè)表面的晶片，其中所述多個保護(hù) 元件包括導(dǎo)電元件。
15.如權(quán)利要求10所述的具有前側(cè)表面與薄化的后側(cè)表面的晶片，還包括一個或多個 支撐元件，形成于所述多個保護(hù)元件之上，以提供該晶片額外支撐，其中該支撐元件分別耦 接于兩個或兩個以上的所述保護(hù)元件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種支撐與握持包括垂直型場效應(yīng)晶體管形成于其前側(cè)表面的半導(dǎo)體晶片的支撐結(jié)構(gòu)的形成方法。于一實(shí)施例中，提供具有一前側(cè)表面與一后側(cè)表面的一半導(dǎo)體晶片，其中該前側(cè)表面包括為多個切割道所分隔的一個或多個芯片。自后側(cè)表面薄化上述半導(dǎo)體晶片至一既定厚度。形成多個圖案化金屬構(gòu)件于經(jīng)薄化的后側(cè)表面上以支撐上述半導(dǎo)體晶片，其中此些圖案化金屬構(gòu)件分別大體覆蓋一芯片且大體未覆蓋此些切割線。沿此些切割線切割上述半導(dǎo)體晶片，以分隔用此一個或多個芯片用于后續(xù)芯片封裝之用。本發(fā)明可降低于晶片握持、傳輸、加工與切割時的晶片毀損風(fēng)險。
文檔編號H01L21/78GK102117770SQ20101053778
公開日2011年7月6日 申請日期2010年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者亞歷山大·卡尼斯基, 曾銪寪, 林宏樺, 段孝勤, 謝元智, 韓良愷 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司