專利名稱：發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制作方法
發(fā)光二極管封裝構(gòu)造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，特別是涉及一種將穩(wěn)壓二極管嵌埋于殼體 內(nèi)的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造。背景技術(shù)：
液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)是利用液晶材料的特性來顯示圖像 的一種平板顯示裝置(flat panel display，F(xiàn)PD)，其相較于其他顯示裝置而言更具輕薄、 低驅(qū)動電壓及低功耗等優(yōu)點，已經(jīng)成為整個消費市場上的主流產(chǎn)品。然而，液晶顯示器的液 晶材料無法自主發(fā)光，必須借助外在提供光源，因此液晶顯示器中又另外設(shè)有背光模塊以 提供所需的光源。一般而言，背光模塊可分為側(cè)入式背光模塊和直下式背光模塊兩種形式。已知背 光模塊主要是以冷陰極熒光燈管(CCFL)、熱陰極熒光燈管(HCFL)及半導(dǎo)體發(fā)光組件作為 光源，而半導(dǎo)體發(fā)光組件主要又是利用發(fā)光二極管(LED)進行發(fā)光，其相較于陰極熒光燈 管更為省電節(jié)能、使用壽命更長，且體積更為輕巧，因而有逐漸取代陰極熒光燈管的趨勢， 發(fā)光二極管將是液晶顯示器的背光模塊未來的主要光源?，F(xiàn)今，發(fā)光二極管多以芯片的形式進行半導(dǎo)體封裝，以作為發(fā)光二極管封裝構(gòu)造， 最后再與背光模塊的固定板接合。發(fā)光二極管產(chǎn)品封裝構(gòu)造的類型，有根據(jù)發(fā)光顏色、晶 粒材料、發(fā)光亮度、尺寸大小等情況特征來分類的。單個晶粒一般構(gòu)成點光源，多個晶粒組 裝一般可構(gòu)成面光源和線光源，作信息、狀態(tài)指示及顯示用，發(fā)光顯示器也是用多個晶粒， 通過晶粒的適當(dāng)連接(包括串聯(lián)和并聯(lián))與合適的光學(xué)結(jié)構(gòu)組合而成的，構(gòu)成發(fā)光顯示器 的發(fā)光段和發(fā)光點。其中，表面粘著封裝型的LED(SMD-LED)是貼于電路板表面，適合SMT 加工，可回流輝，很好地解決了亮度、視角、平整度、可靠性、一致性等問題，其采用了更輕的 PCB板和反射層材料，改進后去掉了直插LED較重的碳鋼材料引腳，使顯示反射層需要填充 的環(huán)氧樹脂更少，表面粘著封裝LED可輕易地將產(chǎn)品重量減輕一半，最終使應(yīng)用更加完美。 因此，表面粘著封裝LED已逐漸替代引腳式LED，應(yīng)用設(shè)計更靈活，特別是在LED顯示市場中 占有一定的份額，有加速發(fā)展趨勢。請參照圖1所示，圖1揭示一種現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的側(cè)剖視圖。如圖1所 示，一種現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90包含一殼體91、一第一電極片92、一第二電極片93、 一發(fā)光二極管芯片94、一穩(wěn)壓二極管95及一透光封裝部96。所述殼體91的頂面設(shè)有一 凹部911 ；所述第一電極片92的一部分設(shè)于所述凹部911的底部，另一部份延伸至所述殼 體91外，以使用于與外部的電性連接；所述第二電極片93的一部分設(shè)于所述凹部911的底 部，另一部份延伸至所述殼體91外，以使用于與外部的電性連接；所述發(fā)光二極管芯片94 設(shè)于所述凹部911之內(nèi)，其第一電極電性連接于所述第一電極片上，其第二電極通過一第 一引線941電性連接于所述第二電極片93 ；所述透光封裝部96，填補于所述凹部911并且 封裝所述凹部911內(nèi)之各組件，所述發(fā)光二極管芯片94的光線能通過所述透光封裝部96 向上方發(fā)射。4
然而，在現(xiàn)有的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90中，為了使所述發(fā)光二極管芯片94避 免由于靜電而被擊穿，往往會幷聯(lián)一個或一組所述穩(wěn)壓二極管95來解決這樣的問題。請同 時參照圖1及圖2所示，其中圖2是圖1的現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的電路示意圖。在所 述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90中，所述穩(wěn)壓二極管95是設(shè)于所述殼體91之上，亦即設(shè)于所述 第二電極片93之上，其第一電極位于下端電性連接于所述第二電極片93上，其第二電極位 于上端通過一第二引線951電性連接于所述第一電極片92。也就是說，所述穩(wěn)壓二極管95 與所述發(fā)光二極管芯片94是形成并聯(lián)的狀態(tài)，且所述穩(wěn)壓二極管95是呈反向偏壓的設(shè)置。 因此，所述穩(wěn)壓二極管95可以起到保護所述發(fā)光二極管芯片94避免被靜電擊穿的功用。但 是，所述穩(wěn)壓二極管95是設(shè)置于所述第二電極片93的上方，意即位于所述殼體91的上方， 也就是位于所述透光封裝部96之內(nèi)。并且，由于所述穩(wěn)壓二極管95的外觀是無法透光且 多呈現(xiàn)黑色的，因此，所述穩(wěn)壓二極管95因具有擋光及吸光的性質(zhì)，會引影響到所述發(fā)光 二極管芯片94的部份光通量，降低所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90的發(fā)光效能。故，有必要提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其通過將穩(wěn)壓二極管設(shè)置于 殼體之內(nèi)，其避免影響到發(fā)光二極管芯片的光通量，從而提高了發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的整 體發(fā)光效能。本發(fā)明的次要目的是提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其通過將第一電極片或第二 電極片的端部向下彎折設(shè)置，以電性連接于位于殼體內(nèi)的穩(wěn)壓二極管的下端。本發(fā)明的另一目的是提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其通過將第一電極片的一部 份貫穿殼體，以電性連接于位于殼體內(nèi)的穩(wěn)壓二極管的下端。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其包含一殼體，頂面設(shè)有一凹部；一第一電極片，一部分設(shè)于所述凹部之內(nèi)，及另一部份延伸至所述殼體外；一第二電極片，一部分設(shè)于所述凹部之內(nèi)，及另一部份延伸至所述殼體外；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于所述凹部之內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片的一第一電極電性 連接于所述第一電極片，所述發(fā)光二極管芯片的一第二電極電性連接于所述第二電極片； 及至少一穩(wěn)壓二極管，嵌埋于所述殼體的一嵌孔內(nèi)，所述穩(wěn)壓二極管的一第二電極 電性連接于所述第一電極片，所述穩(wěn)壓二極管的一第一電極電性連接于所述第二電極片。在本發(fā)明的一實施例中，所述穩(wěn)壓二極管的第二電極及第一電極分別在其上端及 下端，所述第一電極片電性連接于所述穩(wěn)壓二極管的上端，所述第二電極片電性連接于所 述穩(wěn)壓二極管的下端。在本發(fā)明的一實施例中，所述第二電極片的一端部具有一向下的彎折部嵌埋于所 述殼體內(nèi)，以電性連接所述穩(wěn)壓二極管的下端。在本發(fā)明的一實施例中，所述穩(wěn)壓二極管的第一電極及第二電極分別在其下端及 上端，所述第二電極片電性連接于所述穩(wěn)壓二極管的上端，所述第一電極片電性連接于所 述穩(wěn)壓二極管的下端。
在本發(fā)明的一實施例中，所述第一電極片的一端部具有一向下的彎折部嵌埋于所 述殼體內(nèi)，以電性連接所述穩(wěn)壓二極管的下端。在本發(fā)明的一實施例中，所述穩(wěn)壓二極管的第一電極及第二電極分別在其對應(yīng)的 兩側(cè)端，所述第一電極片的一端部具有一向下的彎折部嵌埋于所述殼體內(nèi)，以電性連接所 述穩(wěn)壓二極管的一側(cè)端，所述第二電極片的一端部具有另一向下的彎折部嵌埋于所述殼體 內(nèi)，以電性連接所述穩(wěn)壓二極管的另一側(cè)端。在本發(fā)明的一實施例中，所述穩(wěn)壓二極管的第一電極及第二電極是分別通過導(dǎo)電 銀膠與對應(yīng)的第二電極片及第一電極片電性連接；所述發(fā)光二極管芯片的第二電極通過一 引線電性連接于所述第二電極片；所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造另包含一透光封裝部，封裝在 所述凹部上，以包覆保護位于所述凹部的第一電極片、第二電極片及發(fā)光二極管芯片。為達(dá)上述另一目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其包含一殼體，頂面設(shè)有一凹部；一第一電極片，包含一內(nèi)部區(qū)段、一第一貫穿區(qū)段、一外部區(qū)段及一第二貫穿區(qū) 段，所述內(nèi)部區(qū)段位于所述凹部內(nèi)，所述第一貫穿區(qū)段向外延伸至所述殼體的一外底部，所 述外部區(qū)段位于所述殼體的外底部，所述第二貫穿區(qū)段再延伸至所述殼體內(nèi)；一第二電極片，一部分設(shè)于所述凹部之內(nèi)，及另一部份延伸至所述殼體外；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于所述凹部之內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片的第一電極電性連 接于所述第一電極片的內(nèi)部區(qū)段，所述發(fā)光二極管芯片的第二電極電性連接于所述第二電 極片；及至少一穩(wěn)壓二極管，嵌埋于所述殼體的一嵌孔內(nèi)，所述穩(wěn)壓二極管的一第二電極 電性連接于所述第一電極片的第二貫穿區(qū)段，所述穩(wěn)壓二極管的一第一電極電性連接于所 述第二電極片。在本發(fā)明的一實施例中，所述穩(wěn)壓二極管的第一電極及第二電極分別在其上端及 下端，所述第一電極片的第二貫穿區(qū)段電性連接至所述穩(wěn)壓二極管的下端，所述第二電極 片電性連接至所述穩(wěn)壓二極管的上端。本發(fā)明的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的所述穩(wěn)壓二極管是嵌埋設(shè)置于所述殼體之 內(nèi)，其避免影響到所述發(fā)光二極管芯片的光通量，從而提高了所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的 整體發(fā)光效能。
圖1一種現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。圖2圖1的現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的電路示意圖。圖3本發(fā)明第--實施例的發(fā)光二二極 f封裝構(gòu)造的剖視圖。圖4本發(fā)明第--實施例的發(fā)光二二極 f封裝構(gòu)造的局部俯視圖。圖5本發(fā)明第二二實施例的發(fā)光二二極 f封裝構(gòu)造的剖視圖。圖6本發(fā)明第三Ξ實施例的發(fā)光二二極 f封裝構(gòu)造的剖視圖。圖7本發(fā)明第四實施例的發(fā)光二二極 f封裝構(gòu)造的剖視圖。
具體實施方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實施例，幷配 合附圖，作詳細(xì)說明如下請同時參照圖3及圖4所示，圖3揭示本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造 的剖視圖；圖4揭示本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的局部俯視圖。如圖3及圖 4所示，本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10包含一殼體11、一第一電極片12、一 第二電極片13、一發(fā)光二極管芯片14及一穩(wěn)壓二極管15。所述殼體11的頂面設(shè)有一凹 部111，所述凹部111是一多階狀的凹陷構(gòu)造，其形狀可依產(chǎn)品需求而對應(yīng)調(diào)整；所述第一 電極片12的一部分設(shè)于所述凹部111的底部，其另一部份延伸至所述殼體11外，以用于與 外部的電性連接；所述第二電極片13的一部分設(shè)于所述凹部111的底部，其另一部份延伸 至所述殼體11外，以用于與外部的電性連接；所述發(fā)光二極管芯片14設(shè)于所述凹部111之 內(nèi)，其第一電極電性連接于所述第一電極片12上，其第二電極通過一引線141電性連接于 所述第二電極片13 ；所述穩(wěn)壓二極管15是設(shè)于所述殼體11之內(nèi)，其第二電極電性連接于 所述第一電極片12上，其第一電極電性連接于所述第二電極片13上。所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10另包含一透光封裝部16封裝在所述凹部111上，以 包覆保護位于所述凹部111的第一電極片12、第二電極片13及發(fā)光二極管芯片14。所述 透光封裝部16的材質(zhì)為適用于封裝并且能透光的材質(zhì)，例如環(huán)氧樹脂，所述發(fā)光二極管芯 片14的光線能通過所述透光封裝部16向上方發(fā)射。另外，所述發(fā)光二極管芯片14為了避免由于靜電而被擊穿，因此需要設(shè)置至少一 所述穩(wěn)壓二極管15，并且所述穩(wěn)壓二極管15的極性配置是，其第二電極在上端及第一電極 在下端，所述第一電極片12電性連接于所述穩(wěn)壓二極管的上端，所述第二電極片13電性連 接于所述穩(wěn)壓二極管15的下端，所述穩(wěn)壓二極管15與所述發(fā)光二極管芯片14形成并聯(lián)， 且所述穩(wěn)壓二極管15是反向偏壓。在本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10中，由于所述穩(wěn)壓二極管15是嵌埋設(shè)置于所 述殼體11之內(nèi)，其避免所述穩(wěn)壓二極管15影響到所述發(fā)光二極管芯片14的光通量，從而 提高了整體發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10的發(fā)光效能。再者，雖然本發(fā)明第一實施例所揭示的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10是一種表面 粘著封裝的發(fā)光二極管，然而，本發(fā)明并不限制所適用的發(fā)光二極管的類型，本發(fā)明也可用 于其它適合類型的發(fā)光二極管，例如可適用于熱電分離的發(fā)光二極管。另外，本發(fā)明并不指定所述第一電極及所述第二電極所代表的極性，在一通常的 情況下，所述第一電極可能是指陽極(正極)，而所述第二電極可能是指陰極(負(fù)極)，但也 有可能是所有極性對應(yīng)狀況的排列組合。并且，雖然本發(fā)明第一實施例所揭示的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10設(shè)有一個所 述穩(wěn)壓二極管15，然而，本發(fā)明并不限制所述穩(wěn)壓二極管15的數(shù)量，使用者可依實際需要 嵌埋設(shè)置多個所述穩(wěn)壓二極管15。另外，所述各二極管(發(fā)光二極管芯片14、穩(wěn)壓二極管1 的極性端可通過導(dǎo)電銀 膠與對應(yīng)的極性電極片(第一電極片12、第二電極片13)電性連接。請參照圖5所示，圖5揭示本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。 本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10相似于本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10，因此沿用相同的組件符號與名稱，但其不同之處在于本發(fā)明第二實施例的所述 穩(wěn)壓二極管15’的極性方向與本發(fā)明第一實施例的所述穩(wěn)壓二極管15的極性方向是上下 相反的，所述穩(wěn)壓二極管15’的極性配置是第一電極在上端及第二電極在下端。本發(fā)明第 二實施例的所述第一電極片12’的端部具有一向下的彎折部位在所述穩(wěn)壓二極管15’的下 方，所述第一電極片12’電性連接于所述穩(wěn)壓二極管15’的下端，所述第二電極片13’電性 連接于所述穩(wěn)壓二極管15’的上端。請參照圖6所示，圖6揭示本發(fā)明第三實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。本 發(fā)明第三實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10相似于本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu) 造10，因此沿用相同的組件符號與名稱，但其不同之處在于本發(fā)明第三實施例的所述穩(wěn) 壓二極管15”的極性配置是第一電極及第二電極分別在對應(yīng)的左右兩側(cè)端，所述第一電極 片12”的端部具有一向下的彎折部位電性連接于所述穩(wěn)壓二極管15”的一側(cè)端(如左端) 的第二電極上，所述第二電極片13”的端部具有一向下的彎折部電性連接于所述穩(wěn)壓二極 管15”的另一側(cè)端(如右端)的第一電極上，以使所述穩(wěn)壓二極管15”與所述發(fā)光二極管 芯片14形成反向并聯(lián)。請再參照圖7所示，圖7揭示本發(fā)明第四實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。 本發(fā)明第四實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造20包含一殼體21、一第一電極片22、一第二電 極片23、一發(fā)光二極管芯片對及一穩(wěn)壓二極管25。所述殼體21的頂面設(shè)有一凹部211 ；所 述第一電極片22的一部分設(shè)于所述凹部211的底部，另一部份延伸至所述殼體21的底部， 以使用于與外部的電性連接；所述第二電極片23的一部分設(shè)于所述凹部211的底部，另一 部份延伸至所述殼體21外，以使用于與外部的電性連接；所述發(fā)光二極管芯片M設(shè)于所述 凹部211之內(nèi)；所述穩(wěn)壓二極管25是設(shè)于所述殼體21之內(nèi)。另外，所述發(fā)光二極管封裝構(gòu) 造20包含一透光封裝部沈封裝在所述凹部211上，以包覆保護位于所述凹部211的第一 電極片22、第二電極片23及發(fā)光二極管芯片M。其中，所述發(fā)光二極管芯片M的第一電極電性連接于所述第一電極片22上，所述 發(fā)光二極管芯片M的第二電極通過一引線Ml電性連接于所述第二電極片23 ；另外，所述 穩(wěn)壓二極管25的極性配置是第一電極在上端及第二電極在下端，所述第一電極片22還包 含一部份連接至所述至少一穩(wěn)壓二極管25的下端。詳細(xì)來說，所述第一電極片22包含一內(nèi)部區(qū)段221、一第一貫穿區(qū)段222、一外部 區(qū)段223及一第二貫穿區(qū)段224。所述內(nèi)部區(qū)段221于所述凹部211之內(nèi)并與所述發(fā)光二 極管芯片M的第一電極電性連接，且通過所述第一貫穿區(qū)段222連接于位于所述殼體21 外的所述外部區(qū)段223，并通過所述第二貫穿區(qū)段2M連接至所述穩(wěn)壓二極管25的下端。 因此，所述穩(wěn)壓二極管25的第二電極是電性連接于所述第一電極片22，所述穩(wěn)壓二極管25 的第一電極電性連接于所述第二電極片23上，所述穩(wěn)壓二極管25與所述發(fā)光二極管芯片 24形成并聯(lián)，且所述穩(wěn)壓二極管25是反向偏壓。再者，如圖7所示，所述第二貫穿區(qū)段2M可以是接在所述外部區(qū)段223的末端， 也可以是接在所述第一電極片22的其他位置，主要能提供所述第一電極片22與所述穩(wěn)壓 二極管25的第二電極連接。由于，本發(fā)明第四實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造20的所述穩(wěn)壓二極管25仍是設(shè) 于所述殼體21之內(nèi)，其避免所述穩(wěn)壓二極管25影響到所述發(fā)光二極管芯片M的光通量。
綜上所述，相較于現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的穩(wěn)壓二極管是設(shè)置于殼體的上 方，其引影響到發(fā)光二極管芯片的部份光通量，因而降低所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的發(fā)光 效能。本發(fā)明的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10，20，由于將所述穩(wěn)壓二極管15，25嵌埋設(shè)置于 所述殼體11，21之內(nèi)，以避免影響到所述發(fā)光二極管芯片14，M的光通量，從而提高了所述 發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10，20的整體發(fā)光效能。本發(fā)明已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開的實施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神 及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造包含 一殼體，頂面設(shè)有一凹部；一第一電極片，一部分設(shè)于所述凹部之內(nèi)，及另一部份延伸至所述殼體外； 一第二電極片，一部分設(shè)于所述凹部之內(nèi)，及另一部份延伸至所述殼體外； 一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于所述凹部之內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片的一第一電極電性連接 于所述第一電極片，所述發(fā)光二極管芯片的一第二電極電性連接于所述第二電極片；及至少一穩(wěn)壓二極管，嵌埋于所述殼體的一嵌孔內(nèi)，所述穩(wěn)壓二極管的一第二電極電性 連接于所述第一電極片，所述穩(wěn)壓二極管的一第一電極電性連接于所述第二電極片。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管的第二電 極及第一電極分別在其上端及下端，所述第一電極片電性連接于所述穩(wěn)壓二極管的上端， 所述第二電極片電性連接于所述穩(wěn)壓二極管的下端。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二電極片的一端部 具有一向下的彎折部嵌埋于所述殼體內(nèi)，以電性連接所述穩(wěn)壓二極管的下端。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管的第一電 極及第二電極分別在其下端及上端，所述第二電極片電性連接于所述穩(wěn)壓二極管的上端， 所述第一電極片電性連接于所述穩(wěn)壓二極管的下端。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一電極片的一端部 具有一向下的彎折部嵌埋于所述殼體內(nèi)，以電性連接所述穩(wěn)壓二極管的下端。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管的第一電 極及第二電極分別在其對應(yīng)的兩側(cè)端，所述第一電極片的一端部具有一向下的彎折部嵌埋 于所述殼體內(nèi)，以電性連接所述穩(wěn)壓二極管的一側(cè)端，所述第二電極片的一端部具有另一 向下的彎折部嵌埋于所述殼體內(nèi)，以電性連接所述穩(wěn)壓二極管的另一側(cè)端。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管的第一電 極及第二電極是分別通過導(dǎo)電銀膠與對應(yīng)的第二電極片及第一電極片電性連接；所述發(fā)光 二極管芯片的第二電極通過一弓I線電性連接于所述第二電極片；所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造 另包含一透光封裝部，封裝在所述凹部上，以包覆保護位于所述凹部的第一電極片、第二電 極片及發(fā)光二極管芯片。
8.一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造包含 一殼體，頂面設(shè)有一凹部；一第一電極片，包含一內(nèi)部區(qū)段、一第一貫穿區(qū)段、一外部區(qū)段及一第二貫穿區(qū)段，所 述內(nèi)部區(qū)段位于所述凹部內(nèi)，所述第一貫穿區(qū)段向外延伸至所述殼體的一外底部，所述外 部區(qū)段位于所述殼體的外底部，所述第二貫穿區(qū)段再延伸至所述殼體內(nèi)；一第二電極片，一部分設(shè)于所述凹部之內(nèi)，及另一部份延伸至所述殼體外； 一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于所述凹部之內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片的第一電極電性連接于 所述第一電極片的內(nèi)部區(qū)段，所述發(fā)光二極管芯片的第二電極電性連接于所述第二電極 片；及至少一穩(wěn)壓二極管，嵌埋于所述殼體的一嵌孔內(nèi)，所述穩(wěn)壓二極管的一第二電極電性 連接于所述第一電極片的第二貫穿區(qū)段，所述穩(wěn)壓二極管的一第一電極電性連接于所述第 二電極片。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管的第一電 極及第二電極分別在其上端及下端，所述第一電極片的第二貫穿區(qū)段電性連接至所述穩(wěn)壓 二極管的下端，所述第二電極片電性連接至所述穩(wěn)壓二極管的上端。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述至少一穩(wěn)壓二極管的 第一電極及第二電極是通過導(dǎo)電銀膠與對應(yīng)的第二電極片及第一電極片電性連接；所述發(fā) 光二極管芯片的第二電極通過一弓I線電性連接于所述第二電極片；所述發(fā)光二極管封裝構(gòu) 造另包含一透光封裝部，封裝在所述凹部上，以包覆保護位于所述凹部的第一電極片、第二 電極片及發(fā)光二極管芯片。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其包含一殼體、一第一電極片、一第二電極片、一發(fā)光二極管芯片及一穩(wěn)壓二極管。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述殼體的一凹部之內(nèi)，且其第一與第二電極分別電性連接于所述第一與第二電極片。所述穩(wěn)壓二極管嵌埋于所述殼體之內(nèi)，其第二及第一電極分別電性連接于所述第一電極與第二電極片。本發(fā)明的穩(wěn)壓二極管嵌埋于所述殼體之內(nèi)，故可避免影響所述發(fā)光二極管芯片的光通量。
文檔編號H01L33/48GK102054829SQ20101053683
公開日2011年5月11日 申請日期2010年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月5日
發(fā)明者胡哲彰, 鄭巍巍 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司