專利名稱：有機el裝置、有機el裝置的制造方法、電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具備有機EL(電致發(fā)光)元件的有機EL裝置、有機EL裝置的制造方 法、電子設備。
背景技術：
作為上述有機EL裝置，已知有一種如下所述的有機EL顯示裝置，其具有在基板 上形成的第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極；將這些像素電極分別分離的樹脂 壁；在第一像素電極和對置電極之間形成的發(fā)紅色光的第一有機發(fā)光層；在第二像素電極 和對置電極之間形成的發(fā)綠色光的第二有機發(fā)光層；和在第一有機發(fā)光層、第二有機發(fā)光 層、第三像素電極及樹脂壁上形成的發(fā)藍色光的第三有機發(fā)光層(專利文獻1)。根據(jù)上述有機EL顯示裝置，提出了一種利用噴墨法形成紅色的第一有機發(fā)光層 及綠色的第二有機發(fā)光層，并利用真空蒸鍍法形成藍色的第三有機發(fā)光層的方法。另外，還 提示了利用噴墨法以外的涂敷法形成藍色的第三有機發(fā)光層，作為涂敷法，可以舉出旋涂 法、澆注法、浸漬法、棒涂法、輥涂法等。專利文獻1 日本特開2007-73532號公報但是，如果利用包含噴墨法的涂敷法，在具有凹凸的膜形成區(qū)域涂敷含有功能性 材料的液狀體，形成由功能性材料構成的例如有機發(fā)光層，則存在難以確保恒定膜厚的課 題。有機發(fā)光層的膜厚的變動引起亮度不均。另外，在能夠應用涂敷法的有機發(fā)光材料中，存在與紅色、綠色相比，藍色的發(fā)光 壽命短的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是用于解決上述課題的至少一部分而完成的發(fā)明，可以作為以下的方式或 應用例來實現(xiàn)。[應用例1]本應用例的有機EL裝置的其特征在于，具備在包含基板的基底層上相 互鄰接配置的可得到不同發(fā)光顏色的第一有機EL元件、第二有機EL元件以及第三有機EL 元件，上述基底層包含驅動上述第一有機EL元件的第一驅動電路部、驅動上述第二有機 EL元件的第二驅動電路部、和驅動上述第三有機EL元件的第三驅動電路部，在上述基底層 上具有隔壁部，所述隔壁部對設置有上述第一有機EL元件的第一發(fā)光層的第一膜形成區(qū) 域、設置有上述第二有機EL元件的第二發(fā)光層的第二膜形成區(qū)域、和設置有上述第三有機 EL元件的第三發(fā)光層的第三膜形成區(qū)域進行劃分，上述隔壁部以在平面上包含上述第一驅 動電路部的方式劃分上述第一膜形成區(qū)域，以不含上述第二驅動電路部的至少一部分的方 式劃分上述第二膜形成區(qū)域，以不含上述第三驅動電路部的至少一部分的方式劃分上述第 三膜形成區(qū)域，相對于上述第一發(fā)光層，上述第二發(fā)光層及上述第三發(fā)光層利用不同的成 膜方法形成。通過該構成，第二膜形成區(qū)域及第三膜形成區(qū)域，分別以不含第二驅動電路部和第三驅動電路部的至少一部分的方式被隔壁部劃分。因此，與以包含第一驅動電路部的方 式被隔壁部劃分的第一膜形成區(qū)域相比，容易確?；讓又斜砻娴钠教剐浴Ｅc基底層的平 坦性水平相對應，通過相對于第一膜形成區(qū)域中的第一發(fā)光層的成膜方法，使第二膜形成 區(qū)域中的第二發(fā)光層的成膜方法及第三膜形成區(qū)域中的第三發(fā)光層的成膜方法不同，由此 可以抑制成膜后的膜厚不均。即，可以提供一種具有所具備的發(fā)光層具有規(guī)定的膜厚的第 一 第三有機EL元件、且具有穩(wěn)定的發(fā)光特性的有機EL裝置。[應用例2]在上述應用例的有機EL裝置中，優(yōu)選使用液狀體噴出法形成可得到綠 色發(fā)光的上述第二發(fā)光層及可得到紅色發(fā)光的上述第三發(fā)光層，按照覆蓋上述第二發(fā)光層 及上述第三發(fā)光層的方式，使用蒸鍍法形成可得到藍色發(fā)光的上述第一發(fā)光層。

通過該構成，在包含第一驅動電路部的第一膜形成區(qū)域，使用難以受到基底層的 平坦性影響的蒸鍍法，形成了可得到藍色發(fā)光的第一發(fā)光層。而且，在與第一膜形成區(qū)域相 比基底層的平坦性得到確保的第二膜形成區(qū)域和第三膜形成區(qū)域，利用液狀體噴出法形成 了可得到綠色發(fā)光的第二發(fā)光層和可得到紅色發(fā)光的第三發(fā)光層。因此，能夠以規(guī)定的膜 厚構成第一發(fā)光層至第三發(fā)光層，可以提供以穩(wěn)定的亮度得到藍、綠、紅三種顏色的發(fā)光的 有機EL裝置。[應用例3]在上述應用例的有機EL裝置中，優(yōu)選上述第一發(fā)光層具有空穴輸送 性。通過該構成，在使用蒸鍍法形成的第一發(fā)光層中，可以得到效率高的藍色發(fā)光。[應用例4]在上述應用例的有機EL裝置中，優(yōu)選上述第一發(fā)光層具有空穴輸送性 和電子輸送性。通過該構成，在使用蒸鍍法形成的第一發(fā)光層中，可以得到效率高的藍色發(fā)光，并 且即便按照覆蓋第二發(fā)光層和第三發(fā)光層的方式設置第一發(fā)光層，由于第一發(fā)光層除了具 有空穴輸送性之外，還具有電子輸送性，所以也不會妨礙對第二發(fā)光層及第三發(fā)光層注入 電荷，在第二發(fā)光層及第三發(fā)光層也可以得到穩(wěn)定的發(fā)光。[應用例5]在上述應用例的有機EL裝置中，優(yōu)選上述隔壁部按照與上述第二膜形 成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域相比，平面面積大的方式，對上述第一膜形成區(qū)域進行劃分。通過該構成，由于藍色的發(fā)光材料存在發(fā)光壽命比綠色、紅色短的傾向，所以如果 將形成藍色的第一發(fā)光層的第一膜形成區(qū)域設定成平面面積比其他膜形成區(qū)域大，則能夠 使不同發(fā)光顏色之間的發(fā)光壽命均衡，可以提供整體發(fā)光壽命更長的有機EL裝置。其中，發(fā)光壽命是指在有機EL元件中流過規(guī)定的電流，使其間歇或連續(xù)發(fā)光，其 發(fā)光亮度達到規(guī)定值(例如初始值的一半左右)的通電時間。由于發(fā)光亮度依賴于流過發(fā) 光層的電流量和發(fā)光面積，所以如果發(fā)光面積大，則可以減小用于得到規(guī)定亮度的電流量。 另一方面，由于發(fā)光壽命依賴于流過發(fā)光層的電流量，所以電流量越少，發(fā)光壽命越長。[應用例6]在上述應用例的有機EL裝置中，優(yōu)選上述隔壁部具有由無機材料構成 的第一隔壁部、和由有機材料構成的第二隔壁部，上述第一膜形成區(qū)域僅由上述第二隔壁 部劃分，上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域分別由設置在上述第一隔壁部上的上 述第二隔壁部劃分。通過該構成，與由第一隔壁部和第二隔壁部所構成的所謂二層結構的隔壁部來劃 分第一膜形成區(qū)域的情況相比，可以在不使第一 第三有機EL元件間的配置不同的情況下，容易地使被劃分后的第一膜形成區(qū)域的平面面積大于第二膜形成區(qū)域、第三膜形成區(qū) 域。[應用例7]在上述應用例的有機EL裝置中，上述隔壁部具有由無機材料構成的第 一隔壁部、和由有機材料構成的第二隔壁部，上述第一膜形成區(qū)域僅由上述第二隔壁部劃 分，上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域中至少一個的實際發(fā)光區(qū)域被上述第一隔 壁部劃分，上述第二隔壁部按照包含多個上述發(fā)光區(qū)域進行劃分的方式，被設置在上述第
一隔壁部上。根據(jù)該構成，與通過第二隔壁部個別地劃分第二膜形成區(qū)域或第三膜形成區(qū)域的 情況相比，能夠較寬地設定可得到相同發(fā)光顏色的發(fā)光層的形成范圍。即，在使用液狀體噴 出法形成第二發(fā)光層及第三發(fā)光層的情況下，可以在更寬的范圍涂敷含有功能性材料的液 狀體，容易在干燥后得到穩(wěn)定的膜厚(膜的截面形狀)。[應用例8]在上述應用例的有機EL裝置中，優(yōu)選上述第一驅動電路部、上述第二 驅動電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含薄膜晶體管、保持電容器和將它們連 接的布線，上述隔壁部按照至少不含上述薄膜晶體管的方式，分別劃分上述第二膜形成區(qū) 域和上述第三膜形成區(qū)域。薄膜晶體管成為層疊有半導體層、與其連接的各種電極的結構，基底層中設置有 薄膜晶體管的部分，其表面容易產(chǎn)生階差。根據(jù)該構成，以在平面上不含薄膜晶體管的方式 由隔壁部分別劃分了第二膜形成區(qū)域和第三膜形成區(qū)域。因此，可以使第二膜形成區(qū)域和 第三膜形成區(qū)域中的基底層的表面成為平坦的狀態(tài)。即，可以成為適合液狀體噴出法的狀 態(tài)。[應用例9]在上述應用例的有機EL裝置中，上述第一驅動電路部、上述第二驅動 電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含薄膜晶體管、保持電容器和將它們連接的 布線，上述隔壁部按照至少不含上述薄膜晶體管和上述保持電容器的方式，分別劃分了上 述第二膜形成區(qū)域和上述第三膜形成區(qū)域。通過該構成，由于除了薄膜晶體管之外還除去保持電容器的部分，所以可以使第 二膜形成區(qū)域和第三膜形成區(qū)域中的基底層的表面成為更平坦的狀態(tài)。[應用例10]本應用例的有機EL裝置的制造方法的特征在于，是具備在包含基板 的基底層上相互鄰接配置的可得到不同發(fā)光顏色的第一有機EL元件、第二有機EL元件以 及第三有機EL元件的有機EL裝置的制造方法，包含驅動電路部形成工序，在上述基板上 形成驅動上述第一有機EL元件的第一驅動電路部、驅動上述第二有機EL元件的第二驅動 電路部、和驅動上述第三有機EL元件的第三驅動電路部；隔壁部形成工序，在上述基板上 形成對包含上述第一驅動電路部的第一膜形成區(qū)域、不包含上述第二驅動電路部的至少一 部分的第二膜形成區(qū)域、和不包含上述第三驅動電路部的至少一部分的第三膜形成區(qū)域進 行劃分的隔壁部；和發(fā)光層形成工序，在上述第一膜形成區(qū)域形成上述第一有機EL元件的 第一發(fā)光層的同時，在上述第二膜形成區(qū)域形成上述第二有機EL元件的第二發(fā)光層、在上 述第三膜形成區(qū)域形成上述第三有機EL元件的第三發(fā)光層；相對于上述第一發(fā)光層，上述 第二發(fā)光層及上述第三發(fā)光層使用不同的成膜方法形成。根據(jù)該方法，第二膜形成區(qū)域及第三膜形成區(qū)域，以分別不含第二驅動電路部和 第三驅動電路部的至少一部分的方式被隔壁部劃分。因此，與以包含第一驅動電路部的方
7式被隔壁部劃分的第一膜形成區(qū)域相比，可確?；讓拥谋砻嫫教剐?。對應于基底層的平 坦性水平，通過相對于第一膜形成區(qū)域中的第一發(fā)光層的成膜方法，使第二膜形成區(qū)域中 的第二發(fā)光層的成膜方法及第三膜形成區(qū)域中的第三發(fā)光層的成膜方法不同，由此可以抑 制成膜后的膜厚不均。即，可以制造具有所具備的發(fā)光層具有規(guī)定膜厚的第一 第三有機 EL元件、且具有穩(wěn)定的發(fā)光特性的有機EL裝置。[應用例11]在上述應用例的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選上述發(fā)光層形成工 序使用液狀體噴出法，形成可得到綠色發(fā)光的上述第二發(fā)光層及可得到紅色發(fā)光的上述第 三發(fā)光層，并以覆蓋上述第二發(fā)光層及上述第三發(fā)光層的方式，使用蒸鍍法形成可得到藍 色發(fā)光的上述第一發(fā)光層。通過該方法，在包含第一驅動電路部的第一膜形成區(qū)域，使用難以受到基底層的 平坦性影響的蒸鍍法，形成可得到藍色發(fā)光的第一發(fā)光層。而且，在與第一膜形成區(qū)域相比 基底層的平坦性得到確保的第二膜形成區(qū)域和第三膜形成區(qū)域，通過液狀體噴出法形成可 得到綠色發(fā)光的第二發(fā)光層和可得到紅色發(fā)光的第三發(fā)光層。因此，能夠以規(guī)定的膜厚形 成第一發(fā)光層至第三發(fā)光層，可以制造以穩(wěn)定的亮度得到藍、綠、紅三種顏色的發(fā)光的有機 EL裝置。另外，由于按照覆蓋以液狀體噴出法選擇性形成的第二發(fā)光層和第三發(fā)光層的方 式，使用蒸鍍法形成第一發(fā)光層，所以不需要用于使第一發(fā)光層在規(guī)定的區(qū)域選擇性成膜 的蒸鍍掩模，能夠簡化工序。[應用例12]在上述應用例的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選上述發(fā)光層形成工 序使用蒸鍍法形成具有空穴輸送性和電子輸送性的上述第一發(fā)光層。通過該方法，在使用蒸鍍法形成的第一發(fā)光層中，可以得到效率高的藍色發(fā)光，同 時即便以覆蓋第二發(fā)光層和第三發(fā)光層的方式設置第一發(fā)光層，由于第一發(fā)光層除了具有 空穴輸送性之外，還具有電子輸送性，所以也不妨礙對第二發(fā)光層及第三發(fā)光層注入電荷， 能夠制造在第二發(fā)光層及第三發(fā)光層中也可以得到穩(wěn)定的發(fā)光的有機EL裝置。[應用例13]在上述應用例的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選上述隔壁部形成工 序按照被劃分后的上述第一膜形成區(qū)域的平面面積大于上述第二膜形成區(qū)域及上述第三 膜形成區(qū)域的方式，形成上述隔壁部。通過該方法，由于形成發(fā)光壽命比其他發(fā)光顏色短的藍色的第一發(fā)光層的第一膜 形成區(qū)域，與其他膜形成區(qū)域相比平面面積增大，所以能夠使不同的發(fā)光顏色間的發(fā)光壽 命均衡，可以制造整體上發(fā)光壽命更長的有機EL裝置。[應用例14]在上述應用例的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選上述隔壁部具有由 無機材料構成的第一隔壁部、和由有機材料構成的第二隔壁部，上述隔壁部形成工序按照 分別劃分上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域的方式形成上述第一隔壁部，同時在 上述第一隔壁部上形成上述第二隔壁部，按照劃分上述第一膜形成區(qū)域的方式形成上述第
二隔壁部。通過該方法，與由第一隔壁部和第二隔壁部所構成的所謂二層結構的隔壁部來劃 分第一膜形成區(qū)域的情況相比，可以在不使第一 第三有機EL元件間的配置不同的情況 下，容易地使被劃分后的第一膜形成區(qū)域的平面面積大于第二膜形成區(qū)域、第三膜形成區(qū) 域。[應用例15]在上述應用例的有機EL裝置的制造方法中，上述隔壁部具有由無機材料構成的第一隔壁部、和有機材料構成的第二隔壁部，上述隔壁部形成工序按照劃分上述第一膜形成區(qū)域的方式形成上述第二隔壁部，按照劃分上述第二膜形成區(qū)域及上述第三 膜形成區(qū)域中至少一個的實際發(fā)光區(qū)域的方式形成上述第一隔壁部，按照包含多個上述發(fā) 光區(qū)域進行劃分的方式，在上述第一隔壁部上形成上述第二隔壁部。根據(jù)該方法，與通過第二隔壁部個別地劃分第二膜形成區(qū)域或第三膜形成區(qū)域的 情況相比，可以較寬地設定可得到相同發(fā)光顏色的發(fā)光層的形成范圍。即，在使用液狀體噴 出法形成第二發(fā)光層及第三發(fā)光層的情況下，可以在更寬的范圍涂敷含有功能性材料的液 狀體，從而形成在干燥后具有穩(wěn)定的膜厚(膜的截面形狀)的發(fā)光層。[應用例16]在上述應用例的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選上述第一驅動電路 部、上述第二驅動電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含薄膜晶體管、保持電容器 和將它們連接的布線，上述隔壁部形成工序形成按照至少不含上述薄膜晶體管的方式，分 別劃分上述第二膜形成區(qū)域和上述第三膜形成區(qū)域的上述隔壁部。通過該方法，可以使第二膜形成區(qū)域和第三膜形成區(qū)域中的基底層的表面與第一 膜形成區(qū)域相比，成為平坦狀態(tài)，從而成為適合液狀體噴出法的表面狀態(tài)。[應用例17]在上述應用例的有機EL裝置的制造方法中，上述第一驅動電路部、上 述第二驅動電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含薄膜晶體管、保持電容器和將 它們連接的布線，上述隔壁部形成工序可以形成按照不含上述薄膜晶體管和上述保持電容 器的方式，分別劃分上述第二膜形成區(qū)域和上述第三膜形成區(qū)域的上述隔壁部。通過該方法，可以使第二膜形成區(qū)域和第三膜形成區(qū)域中的基底層的表面與第一 膜形成區(qū)域相比，成為更平坦的狀態(tài)，從而形成在干燥后具有更穩(wěn)定的膜厚(膜的截面形 狀)的發(fā)光層。[應用例18]本應用例的電子設備的特征在于，具備上述應用例的有機EL裝置、或 使用上述應用例的有機EL裝置的制造方法而制造的有機EL裝置。根據(jù)該構成，由于具備發(fā)光不均(亮度不均)少的具有穩(wěn)定發(fā)光特性(亮度特性) 的有機EL裝置，所以可以提供外觀良好的電子設備。


圖1是表示第一實施方式的有機EL裝置的電氣構成的等效電路圖。圖2是表示第一實施方式的有機EL裝置中的有機EL元件的配置的簡要俯視圖。圖3是表示第一實施方式的有機EL裝置中的驅動電路部的構成的簡要俯視圖。圖4是表示沿著圖3的A-A’線切斷的可得到藍色發(fā)光的有機EL元件的結構的簡 要剖面圖。圖5是表示沿著圖3的B-B’線切斷的可得到綠色發(fā)光的有機EL元件的結構的簡 要剖面圖。圖6是表示沿著圖3的A-C線切斷的跨過了可得到不同發(fā)光顏色的3個有機EL 元件的結構的簡要剖面圖。圖7是表示第一實施方式的有機EL裝置的制造方法的流程圖。圖8(a) (c)是表示有機EL裝置的制造方法的簡要俯視圖。圖9(d) (f)是表示有機EL裝置的制造方法的簡要剖面圖。
圖10(g) (i)是表示有機EL裝置的制造方法的簡要剖面圖。圖11是表示第二實施方式的有機EL裝置中的有機EL元件的配置的簡要俯視圖。圖12是表示第二實施方式的有機EL裝置中的驅動電路部的構成的簡要俯視圖。圖13是表示沿著圖12的D-D’線切斷的有機EL元件的簡要剖面圖。圖14是表示沿著圖12的E-E’線切斷的有機EL元件的簡要剖面圖。圖15是表示作為電子設備的一例的移動電話機的簡要立體圖。圖16是表示變形例的有機EL裝置的結構的簡要剖面圖。圖17是表示變形例的膜形成區(qū)域的劃分方法的簡要俯視圖。圖中1-作為基板的元件基板，7a-第一膜形成區(qū)域，7b_第二膜形成區(qū)域，7c-第 三膜形成區(qū)域，1U12-薄膜晶體管(TFT)，13-保持電容器，18-作為第一隔壁部的絕緣層， 19-作為第二隔壁部的隔壁部，20、20B、20G、20R-有機EL元件，23、23b、23g、23r-像素電 極，24、Mb、Mg、Mr-功能層，26b-作為第一發(fā)光層的藍色發(fā)光層，26g-作為第二發(fā)光層的 綠色發(fā)光層，26r-作為第三發(fā)光層的紅色發(fā)光層，27-公共電極，100,200-有機EL裝置， 1000-作為電子設備的移動電話機。
具體實施例方式下面，根據(jù)附圖，對將本發(fā)明具體化的實施方式進行說明的。其中，所使用的附圖 被適當放大或縮小后進行表示，以便使要進行說明的部分成為可以識別的狀態(tài)。(第一實施方式)<有機EL裝置>首先，參照圖1 圖3，對本實施方式的有機EL裝置進行說明。圖1是表示第一實 施方式的有機EL裝置的電氣構成的等效電路圖，圖2是表示第一實施方式的有機EL裝置 中的有機EL元件的配置的簡要俯視圖，圖3是表示第一實施方式的有機EL裝置中的驅動 電路部的構成的簡要俯視圖。如圖1所示，本實施方式的有機EL裝置100是使用了薄膜晶體管(Thin Film Transistor、以下簡稱為TFT)作為開關元件的有源矩陣型顯示裝置，所述開關元件對作為 發(fā)光單位的有機EL元件20進行驅動。有機EL裝置100具備與掃描線驅動部3連接的多條掃描線31、與數(shù)據(jù)線驅動部 4連接的多條數(shù)據(jù)線41、和與各掃描線31并列設置的多條電源線42。由發(fā)光控制單位Lu 進行有機EL元件20的發(fā)光控制，所述發(fā)光控制單位Lu與被相互絕緣并交叉的掃描線31 和數(shù)據(jù)線41所劃分的區(qū)域對應設置。各發(fā)光控制單位Lu具備驅動電路部，所述驅動電路部包括借助掃描線31向柵電 極供給掃描信號的開關用TFT11、對借助該TFTll從數(shù)據(jù)線41供給的像素信號進行保持的 保持電容器13、和柵電極被供給該保持電容器13所保持的像素信號的驅動用TFT12。作為發(fā)光單位的有機EL元件20具有在借助驅動用TFT12與電源線42電連接時 驅動電流從該電源線42流入的作為陽極的像素電極23、作為陰極的公共電極27、和被夾持 在像素電極23與公共電極27之間的功能層M。將與這些TFT11、12連接的掃描線31和數(shù)據(jù)線41統(tǒng)稱為信號線。如果掃描線31被驅動而使開關用TFTll成為接通(ON)狀態(tài)，則此時的數(shù)據(jù)線41
10的電位由保持電容器13保持，根據(jù)該保持電容器13的狀態(tài)，決定驅動用TFT12的接通/斷 開(ON/OFF)狀態(tài)。然后，借助驅動用TFT12，電流從電源線42流向像素電極23，進而電流 借助功能層24流入到公共電極27。功能層24根據(jù)在其中流過的電流量而發(fā)光。另外，發(fā) 光控制單位Lu的驅動電路部的構成并不限于此，例如也可以包含3個以上薄膜 晶體管。如圖2所示，有機EL裝置100在被相互交叉的掃描線31和數(shù)據(jù)線41劃分的區(qū) 域，具有可得到藍色發(fā)光的作為第一有機EL元件的有機EL元件20B、可得到綠色發(fā)光的作 為第二有機EL元件的有機EL元件20G、和可得到紅色發(fā)光的作為第三有機EL元件的有機 EL元件20R?？傻玫桨l(fā)光顏色的3個有機EL元件20B、20G、20R在省略了圖示的基板上，沿 著列方向(附圖上為數(shù)據(jù)線41的延伸方向)配置有發(fā)光顏色相同的有機EL元件，沿著行 方向(附圖上為掃描線31的延伸方向)鄰接配置有發(fā)光顏色不同的有機EL元件。另外， 紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)在行方向的順序并不限于此。有機EL元件20B的第一發(fā)光層被設置在第一膜形成區(qū)域7a上。有機EL元件20G 的第二發(fā)光層被設置在第二膜形成區(qū)域7b上。有機EL元件20R的第三發(fā)光層被設置在第 三膜形成區(qū)域7c上。附圖上虛線所示的部分，表示了前述的發(fā)光控制單位Lu的驅動電路部中設置有 TFT11、12、保持電容器13和將它們連接的布線的區(qū)域6a。換言之，區(qū)域6a上至少分別設置 有TFTll、12和保持電容器13。第一膜形成區(qū)域7a為長度方向沿著數(shù)據(jù)線41的近似矩形狀，被設置成在平面上 包含區(qū)域6a。第二膜形成區(qū)域7b為長度方向沿著數(shù)據(jù)線41的近似矩形形狀，被設置成在 平面上不含區(qū)域6a。第三膜形成區(qū)域7c與第二膜形成區(qū)域7b同樣，是長度方向沿著數(shù)據(jù) 線41的近似矩形形狀，被設置成在平面上不含區(qū)域6a。S卩，由于第一膜形成區(qū)域7a被設置 成包含區(qū)域6a，所以與不含區(qū)域6a的第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c相比，平面面 積增大。電源線42按照跨過區(qū)域6a的方式沿著掃描線31設置。如圖3所示，分別對有機EL元件20B、20G、20R進行驅動的發(fā)光控制單位Lu具有 開關用TFT11、驅動用TFT12、和保持電容器13。TFT11、12被設置在掃描線31與數(shù)據(jù)線41 的交叉點附近。TFT11、12上設置有與掃描線31、數(shù)據(jù)線41、保持電容器13連接的布線、和 將TFTll (漏極)與TFT12(柵極)連接的布線。對驅動用TFT12而言，其3個端子(柵極、源極、漏極)中的1個(源極)與電源 線42連接，對從電源線42流入到各有機EL元件20B、20G、20R的電流進行控制，與進行各 有機EL元件20B、20G、20R的開關控制的TFT11相比，從抗電流、抗電壓等的關系出發(fā)，具有 更大的平面面積。保持電容器13在一對電極間具有電介質層，一對電極被設置在與電源線 42的延伸方向重疊的位置。其中，保持電容器13的電容是考慮了掃描信號中的幀頻、驅動 用TFT12斷開(OFF)時的漏泄電流、各有機EL元件20B、20G、20R的發(fā)光特性而設計的。因 此，實際上通過規(guī)定恰當?shù)碾娙?，來決定保持電容器13的平面面積。各有機EL元件20B、20G、20R，分別遍布被掃描線31和數(shù)據(jù)線41劃分的區(qū)域而設 置，具有平面面積大致相同的像素電極23r、23g、23b。其中，設置在像素電極23b上的第一 膜形成區(qū)域7a與設置在其他像素電極23g、23r上的第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域 7c相比，平面面積大。這是在考慮了有機EL元件20B、20G、20R間的亮度和發(fā)光壽命后而設定的。目前的現(xiàn)狀是，可得到藍色發(fā)光的有機EL發(fā)光材料的發(fā)光壽命比其他的綠色、紅色 短。因此，如果設置發(fā)光層的膜形成區(qū)域的平面面積在藍色、綠色、紅色中相同，則在各自以 相同的電流量發(fā)光的情況下，藍色會先達到壽命。另一方面，發(fā)光時的亮度依賴于電流量和 發(fā)光面積、即膜形成區(qū)域的大小。因此，通過使藍色的發(fā)光面積大于其他的綠色、紅色的發(fā) 光面積，與綠色、紅色相比，即便減少電流量，也可以得到程度大致相同的的亮度。如果電流 量減少，則必然可以延長發(fā)光壽命，能夠使發(fā)光壽命與綠色、紅色為同等程度。即，作為全色 的顯示裝置，能夠與發(fā)光顏色無關地確保一定的發(fā)光壽命。在本實施方式中，使有機EL元 件20G和有機EL20R的發(fā)光面積大致為有機EL元件20B的發(fā)光面積的2/3，取得了發(fā)光壽 命的平衡。接著，參 考圖4、圖5、圖6，對各有機EL元件20B、20G、20R的元件結構詳細進行說 明。圖4是表示沿著圖3的A-A’線切斷的可得到藍色發(fā)光的有機EL元件的結構的簡要剖 面圖，圖5是表示沿著圖3的B-B’線切斷的可得到綠色發(fā)光的有機EL元件的結構的簡要 剖面圖，圖6是表示沿著圖3的A-C線切斷的跨過可得到不同發(fā)光顏色的3個有機EL元件 結構的簡要剖面圖。本實施方式的有機EL裝置100為頂部發(fā)射型，如圖4所示，例如有機EL元件20B 和其發(fā)光控制單位Lu被層疊形成在作為基板的元件基板1上。換言之，在設置有發(fā)光控制 單位Lu的基底層上，設置有有機EL元件20B。而且，基底層上包含元件基板1、發(fā)光控制單位Lu、反射層21、絕緣膜17，成為有機 EL元件20B中的發(fā)光被反射層21反射而取出的頂部發(fā)射結構。這樣的構成在其他的有機 EL元件20G、20R中也一樣。元件基板1可使用透明的玻璃或樹脂等基板、或者不透明的硅等基板。首先，在元 件基板1的表面上分別以島狀設置有例如由多晶硅膜構成的半導體層lla、12a、13a。半導 體層Ila是構成TFTll的層，半導體層12a是構成TFT12的層。半導體層13a是構成保持 電容器13的層，成為一個電極。因此，也會稱為一個電極13a。半導體層11a、12a、13a的膜 厚大約為50nm。按照覆蓋除了島狀的半導體層lla、12a的外緣及柵極、和半導體層13a的一部分 的大致整個面的方式，設置有柵極絕緣膜la。覆蓋半導體層13a的柵極絕緣膜Ia作為電介 質層發(fā)揮功能。柵極絕緣膜Ia的厚度大約為50nm lOOnm。在柵極絕緣膜Ia上設置有例如由Al (鋁)、Ta (鉭)、W (鎢)、或它們的金屬化合 物構成的低電阻金屬布線層，通過對其進行構圖，構成了掃描線31、數(shù)據(jù)線41 (省略圖示)、 TFT11、12各自的柵電極lld、12d。并且，構成了與保持電容器13的另一個電極13b、一個電 極13a連接的布線(省略圖示)。而且，按照覆蓋它們的方式設置有層間絕緣膜14。該低 電阻金屬布線層的厚度大約為500nm 600nm。層間絕緣膜14的厚度也大約為500nm 600nmo在層間絕緣膜14中設置有用于實現(xiàn)與TFT11、12的源極llb、12b、漏極llc、12c 的連接的接觸孔14a、14b、14c、14d。而且，設置有用于實現(xiàn)保持電容器13與電源線42及 TFT12的連接的接觸孔(省略圖示)。在層間絕緣膜14上設置有例如Al、Ta、W、或它們的金屬化合物等的低電阻金屬布 線層，通過對其進行構圖，構成了電源線42、連接接觸孔14b、14c之間的布線、連接電源線42和接觸孔14d之間的布線等。該低電阻金屬布線層的厚度大約為500nm 600nm。而且，以覆蓋電源線42、層間絕緣膜14的方式設置有保護膜15，進而以覆蓋保護 膜15的方式設置有平坦化層16。上述的柵極絕緣膜la、層間絕緣膜14、保護膜15例如由 SiN, SiO, SiO2或這些硅化合物等的無機混合物形成。保護膜15的厚度大約為200nm 300nm。平坦化層16例如由丙烯酸系、環(huán)氧系的有機樹脂形成，厚度大約為1 μ m 2 μ m。即便如此設置比低電阻金屬布線層、層間絕緣膜14等厚的平坦化層16，也會導致 在元件基板1上的平坦化層16的表面產(chǎn)生凹凸。尤其對于在平面上包含TFT11、12、保持電 容器13的第一膜形成區(qū)域7a的表面而言，由于形成了用于實現(xiàn)與TFT11、12的連接的接觸 孔14a、14b、14c、14d、布線，所以與其他的第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c相比，凹 凸的偏差大。這里所說的凹凸偏差，可以由平坦化層16表面的算術平均粗糙度(Ra)、自平坦化 層16表面距離基準面的高度的標準偏差來定義。另外，也可以由發(fā)光時像素內(nèi)的亮度分布 的標準偏差來定義。
順便提及，第一膜形成區(qū)域7a中的表面的階差(凹凸之差)大約為數(shù)十nm 數(shù) 百nm。與之相對，第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的表面的階差(凹凸之差)在圖 6的剖面圖上幾乎不會發(fā)生。設置于第一膜形成區(qū)域7a的有機EL元件20B，具有在基底層上依次層疊形成的像 素電極23b、功能層24b、公共電極27。需要說明的是，在由具有反射性的部件構成像素電極23b的情況下，可以不需要 反射層21、絕緣膜17。反射層21例如由Al-Nd的反射性金屬材料形成，厚度大約為50nm lOOnm。覆蓋 反射層21的絕緣膜17由SiN、SiO等透明的無機材料形成，厚度大約為50nm lOOnm。像素電極23b 是 ITO (Indium Tin Oxide 銦錫氧化物)、IZO (IndiumZinc Oxide 銦鋅氧化物)等透明導電膜，厚度大約為50nm lOOnm。借助接觸孔14a與TFT12的漏極 12c連接。實質上劃分了像素電極23b的是，按照覆蓋像素電極23b的外緣的方式形成的作 為第二隔壁部的隔壁部19。隔壁部19由酚醛系或聚酰亞胺系的樹脂材料形成，厚度(高 度)大約為Iym 2μπι0功能層24b具有在像素電極23b上依次層疊的空穴注入層25、和作為第一發(fā)光 層的發(fā)光層26b?？昭ㄗ⑷雽?5使用涂敷法(液狀體噴出法)而形成。發(fā)光層26b使用使 功能性材料蒸發(fā)而成膜的蒸鍍法形成。公共電極27由IT0、IZO等透明導電膜形成，被設置成覆蓋隔壁部19和功能層 24b。其厚度大約為50nm lOOnm。如圖5所示，與有機EL元件20B鄰接的有機EL元件20G，由像素電極23g、功能層 24g和公共電極27構成。它們的構成與有機EL元件20B同樣地被設置在基底層上，但功能 層24g被設置在第二膜形成區(qū)域7b上，所述第二膜形成區(qū)域7b被按照覆蓋TFTl 1、12、保持 電容器13的方式而設置的作為第一隔壁部的絕緣膜18、和設置在絕緣膜18上的隔壁部19 劃分。絕緣膜18由SiO2等無機絕緣材料形成，其厚度大約為50nm lOOnm。功能層24g具有依次層疊的空穴注入層25、和作為第二發(fā)光層的發(fā)光層26g與發(fā)光層26b。與有機EL元件20G鄰接的有機EL元件20R，也成為和有機EL元件20G —樣的截 面結構。即，功能層24r被設置在第三膜形成區(qū)域7c上，所述第三膜形成區(qū)域7c被按照覆 蓋TFT11、12、保持電容器13的方式而設置的絕緣膜18、和設置在絕緣膜18上的隔壁部19 劃分。功能層24r具有依次層疊的空穴注入層25、作為第三發(fā)光層的發(fā)光層26r、和發(fā)光 層 26b。由于第二膜形成區(qū)域7b (第三膜形成區(qū)域7c)被劃分成不包含設置有TFT11、12、 保持電容器13的基底層的部分(區(qū)域6a)，所以與第一膜形成區(qū)域7a相比，開口的像素電 極23g(像素電極23r)的表面更平坦。在本實施方式中，空穴注入層25及發(fā)光層26g(發(fā)光層26r)通過使用對第二膜形 成區(qū)域7b (第三膜形成區(qū)域7c)涂敷含有功能性材料的液狀體，并使所涂敷的液狀體干燥 來成膜的涂敷法(液狀體噴出法)而形成。

由于第二膜形成區(qū)域7b (第三膜形成區(qū)域7c)與第一膜形成區(qū)域7a相比，被確 保了平坦性，所以即便使用涂敷法(液狀體噴出法)，也可以得到具有一定膜厚(膜截面形 狀)的發(fā)光層26g(發(fā)光層26r)。如圖6所示，發(fā)光層26b被形成為覆蓋鄰接的第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域 7b(發(fā)光層26g)、第三膜形成區(qū)域7c(發(fā)光層26r)及隔壁部19。由于使用對表面的凹凸的 被覆性出色的蒸鍍法形成，所以即便成膜面存在凹凸，發(fā)光層26b也具有大致一定的膜厚。 另外，公共電極27被形成為覆蓋發(fā)光層26b。對于空穴注入層25、發(fā)光層26b、26g、26r的 詳細形成方法，將在后述的有機EL裝置100的制造方法中描述。設置有發(fā)光控制單位Lu、各有機EL元件20B、20G、20R的元件基板1，與由透明的 玻璃等構成的密封基板(省略圖示)接合，被密封成使水分、氧氣等氣體不會從外部侵入到 功能層 24b、24g、24r。有機EL裝置100是采用了來自各功能層24b、24g、24r的發(fā)光被反射層21反射而 從密封基板側取出的、所謂頂部發(fā)射結構的能夠全色顯示的顯示裝置。由于在反射層21的 下層側設置有發(fā)光控制單位Lu，所以構成驅動電路部的TFT11、12、保持電容器13、及與它 們連接的布線(掃描線31、數(shù)據(jù)線41、電源線42等)，不會妨礙從功能層24b、24g、24r取出 發(fā)光。因此，可以將這些驅動電路部的構成元件比較自由地配置在元件基板1上。另外，有 機EL元件20B、20G、20R的構成并不限于此。例如，為了提高各發(fā)光顏色的亮度，可以在各 功能層24b、24g、24r與反射層21之間導入光諧振結構?！从袡CEL裝置的制造方法〉接著，參考圖7 圖10，對本實施方式的有機EL裝置100的制造方法進行說明。 圖7是表示有機EL裝置的制造方法的流程圖，圖8 (a) (c)是表示有機EL裝置的制造方 法的簡要俯視圖，圖9(d) (f)和圖10(g) (i)是表示有機EL裝置的制造方法的簡要 剖面圖。如圖7所示，本實施方式的有機EL裝置100的制造方法包括在元件基板1上形 成驅動電路部的驅動電路部形成工序(步驟Si)；按鄰接的3個發(fā)光控制單位Lu，將基底層 的表面劃分成第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c并形成分別對應的反射層21的反射層形成工序(步驟S2)；按照與發(fā)光控制單位Lu電連接的方式，形成像 素電極23b、23g、23r的像素電極形成工序(步驟S3)；形成對第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形 成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c分別劃分的隔壁部19的隔壁部形成工序(步驟S4)；在像 素電極23b、23g、23i 上形成空穴注入層25的空穴注入層形成工序(步驟S5)；形成發(fā)光層 26b.26g.26r的發(fā)光層形成工序(步驟S6)；形成公共電極27的公共電極形成工序(步驟 S7)；和將元件基板1與密封基板接合而進行密封的密封工序(步驟S8)。 在步驟Sl的驅動電路部形成工序中，首先如圖8 (a)所示，在元件基板1上形成多 晶硅膜，并利用光刻法以島狀形成各半導體層lla、12a、13a。膜厚大約為50nm。作為多晶 硅膜的形成方法，可以使用公知的技術，例如可以舉出減壓CVD法等。然后，在與TFT11、12對應的半導體層lla、12a中，以源極及漏極側作為掩模，在半 導體層13a中，以電連接部作為掩模，在此狀態(tài)下，按照覆蓋元件基板1的方式形成柵極絕 緣膜la。作為柵極絕緣膜Ia的形成方法，例如可以舉出以SiN或SiO作為靶，使膜厚大約 為50nm IOOnm而在真空中成膜的濺射法等。接著，在柵極絕緣膜Ia上，例如同樣以濺射法等將由Al構成的低電阻金屬膜成膜 為厚度大約為500nm 600nm。利用光刻法對其進行構圖，如圖8 (b)所示，形成掃描線31、 數(shù)據(jù)線41、從掃描線31向半導體層Ila上延伸而成為柵電極Ild的布線31a、從半導體層 12a上延伸至半導體層13a的連接部的布線13c (包含柵電極12d)、保持電容器13的另一 個電極13b。此時，以與數(shù)據(jù)線41正交的方式延伸的掃描線31形成為被數(shù)據(jù)線41中斷。接著，以覆蓋元件基板1的大致整個面的方式形成層間絕緣膜14。作為形成層間 絕緣膜14的方法，同樣使用濺射法，將SiN或SiO作為靶，按照膜厚大約成為500nm 600nm 的方式在真空中成膜。此時，形成電源線42以外的布線的部分，預先使用感光性樹脂材料 等進行遮蔽。如果在形成了層間絕緣膜14之后除去遮蔽的部分，則如圖8(c)所示，可以形 成接觸孔 14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h。接著，再次同樣使用濺射法等，使由Al構成的低電阻金屬膜在層間絕緣膜14上成 膜并使厚度大約為500nm 600nm。利用光刻法對其進行構圖，如圖8 (c)所示，形成電源 線42和各種布線。例如通過用低電阻金屬膜掩埋接觸孔14d和接觸孔14f，可以形成將數(shù) 據(jù)線41與TFTll的源極連接的布線lie。通過用低電阻金屬膜掩埋接觸孔14c和接觸孔 14e，可以形成將TFTll的漏極與TFT12的柵極連接的布線llf。通過用低電阻金屬膜掩埋 2個接觸孔14g之間，可以形成在數(shù)據(jù)線41上電連接中斷的掃描線31的布線31c。通過用 低電阻金屬膜掩埋接觸孔14b和接觸孔14h，可以將電源線42和TFT12的源極及保持電容 器13的另一個電極13b連接。接著，按照覆蓋如此形成的驅動電路部的方式形成保護膜15。作為保護膜15的 形成方法，例如通過同樣利用濺射法等以SiN作為靶使將其成膜為厚度為200nm 300nm。 進而，按照覆蓋保護膜15的方式形成平坦化層16。作為平坦化層16的形成方法，可以舉 出如下的方法利用旋涂或輥涂等方法，以大約1 μ m 2 μ m的厚度涂敷感光性的丙烯酸系 樹脂并使其固化，然后利用光刻法進行構圖的方法。進行構圖的主要是與實現(xiàn)各像素電極 23b、23g、23r和TFT12的漏極的連接的接觸孔14a連通的接觸孔16a?；蛘?，可以在遮蔽該 接觸孔16a的部分后，涂敷平坦化層形成材料。接著，在步驟S2的反射層形成工序中，如圖9 (d)所示，在對應于平坦化層16上的階差而被劃分的第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c上形成反射 層21。作為反射層21的形成方法，可以舉出利用濺射法將前述的作為反射層形成材料的 Al-Nd形成為厚度大約為50nm IOOnm的方法。然后，利用光刻法形成平面面積比像素電 極23b、23g、23r稍大的反射層21。接下來，按照覆蓋反射層21的方式形成絕緣膜17。關 于絕緣膜17的形成方法，可以舉出以SiN、SiO作為靶，按照使膜厚大約為50nm IOOnm的 方式在真空中成膜的濺射法等。 在步驟S3的像素電極形成工序中，如圖9(d)所示，利用濺射法等在絕緣膜17上 形成ITO膜并使其厚度大約為lOOnm。然后，利用光刻法對其進行構圖，在反射層21的上方 形成各像素電極23b、23g、23r。而且，用ITO膜掩埋接觸孔16a，使像素電極23b、23g、23r 和TFT12(漏極)連接。此時，各像素電極23b、23g、23i 的平面面積大致相等。接下來，按照覆蓋3個像素電極23b、23g、23r中像素電極23g、23r的外緣部的方 式，形成絕緣膜18。作為絕緣膜18的形成方法，可以舉出如下的方法在已將像素電極23g、 23r的外緣部以外遮蔽的狀態(tài)下，以SiN、SiO作為靶進行濺射，按照厚度為50nm IOOnm的 方式進行成膜。進而，在步驟S4的隔壁部形成工序中，通過在元件基板1的表面涂敷酚醛系或聚 酰亞胺系的感光性樹脂材料、使其厚度為1 μ m 2 μ m，并將其固化，然后進行曝光、顯影， 從而在絕緣膜18上形成隔壁部19。由此，如圖9(d)所示，隔壁部19實質上劃分第一膜形 成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c。在考慮發(fā)光壽命的情況下，按照第一膜 形成區(qū)域7a的平面面積大于第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的方式，形成隔壁部 19。若以第一膜形成區(qū)域7a的平面面積為基準，則按照與第一膜形成區(qū)域7a相比，第二膜 形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的平面面積小的方式，形成隔壁部19。在步驟S5的空穴注入層形成工序中，如圖9(d)所示，使用可以從噴嘴噴出液狀體 的噴出頭(噴墨頭)50，將含有空穴注入層形成材料的規(guī)定量液狀體60以液滴的形式涂敷 到第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c上。液狀體60例如含有作 為溶劑的二乙二醇和水(純水)，作為空穴注入層形成材料，是以重量比含有0. 5%的在聚 乙撐二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物中添加了作為摻雜劑的聚苯乙烯磺酸(PSS)而得到 的混合物(PED0T/PSS)的溶液。按照粘度大約為20mPa · s以下的方式，調節(jié)溶劑的比例。其中，作為PED0T/PSS以外的空穴注入層形成材料，可以舉出聚苯乙烯、聚吡咯、 聚苯胺、聚乙炔、或其衍生物。通過利用例如燈退火等方法對被涂敷了液狀體60的元件基板1進行加熱干燥，使 溶劑蒸發(fā)，由此如圖9 (e)所示，在第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域 7c上形成空穴注入層25。其中，在涂敷液狀體60之前，可以對元件基板1實施下述的表面 處理對覆蓋像素電極23b、23g、23r的表面及像素電極23g、23r的外緣的絕緣膜18的露出 部分進行親液處理，并且對隔壁部19的表面進行疏液處理。親液處理可以舉出以氧氣作為 處理氣體進行等離子體處理的方法，疏液處理可以舉出以氟系氣體為處理氣體進行等離子 體處理的方法。由此，滴落在像素電極23b、23g、23r上的液狀體60會均勻地潤濕擴展。接下來，在步驟S6的發(fā)光層形成工序中，如圖9 (f)所示，首先，將含有可得到綠色 發(fā)光的發(fā)光層形成材料的液狀體70G、和含有可得到紅色發(fā)光的發(fā)光層形成材料的液狀體 70R，分別填充到不同的噴出頭50(噴出頭50G和噴出頭50R)中，以液滴的形式向對應的第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c進行涂敷。液狀體70G、70R使用了例如含有環(huán)己基苯作為溶劑，且以重量比含有0.7%的可 得到綠色、紅色發(fā)光的聚芴衍生物(PF)作為發(fā)光層形成材料的液體。粘度大約為14mPa *s。 另外，作為PF以外的發(fā)光層形成材料，可以使用聚對苯撐乙烯衍生物(PPV)、聚苯撐衍生物 (PP)、聚對苯撐衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、PEDOT等聚硫代苯撐衍生物、聚甲基苯 基硅烷(PMPS)等。而且，可以使用在這些高分子材料中摻雜了二萘嵌苯系色素、香豆素系 色素、若丹明系色素、紅熒烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料的物質。作為被涂敷的液 狀體70G、70R的干燥方法(固化方法)，與一般的加熱干燥相比， 使用了能夠比較均勻地使溶劑成分干燥的減壓干燥法。由此，如圖10(g)所示，可以在空穴 注入層25上形成發(fā)光層26g、26r。第二膜形成區(qū)域7b及第三膜形成區(qū)域7c均為形成了 像素電極23g、23r的基底層的表面中的凹凸偏差比第一膜形成區(qū)域7a小。因此，從噴出頭 50G、50R噴出的液狀體70G、70R，在分別對應的第二膜形成區(qū)域7b和第三膜形成區(qū)域7c中 均勻地潤濕擴展，形成了干燥后膜厚大約為80nm的發(fā)光層26g、26r。接著，如圖10(h)所示，利用蒸鍍法在第一膜形成區(qū)域7a的空穴注入層25上形成 發(fā)光層26b。此時，遍布其他的第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c形成發(fā)光層26b。因 此，在發(fā)光層26g、發(fā)光層26r上也層疊形成了發(fā)光層26b。為此，優(yōu)選發(fā)光層26b具有空穴 輸送性和電子輸送性。作為這樣的發(fā)光層26b的形成方法，例如可以舉出如下的方法在共同蒸鍍了可 得到藍色發(fā)光的喹啉鋁絡合物(Alq3)和具有空穴輸送性的二苯基萘基二胺(a NPD)之后， 蒸鍍具有空穴阻滯性的4、4’_雙(2，2’-二苯基乙烯-1-基)聯(lián)苯(DPBVi)的方法。膜厚 大約為50nm。另外，可以采用在蒸鍍了 α NPD之后蒸鍍了 Alq3的結構。由此，至少可確保 發(fā)光層26b中的空穴輸送性，在藍色發(fā)光中發(fā)光效率得到改善。由于使用蒸鍍法形成發(fā)光層26b，所以即便是基底層的表面具有數(shù)十nm 數(shù)百nm 程度的階差的第一膜形成區(qū)域7a，在空穴注入層25上也能以膜厚不均少的狀態(tài)形成發(fā)光 層 26b。由此，包括空穴注入層25和發(fā)光層26b的功能層24b、包括空穴注入層25和發(fā)光 層26g以及發(fā)光層26b的功能層24g、包括空穴注入層25和發(fā)光層26r以及發(fā)光層26b的 功能層24ι 分別形成。接著，在步驟S7的公共電極形成工序中，如圖10(i)所示，按照對遍布第一膜形成 區(qū)域7a 第三膜形成區(qū)域7c形成的發(fā)光層26b進行覆蓋的方式，形成公共電極27。由此， 完成了有機EL元件20B、20G、20R。作為公共電極27的材料，優(yōu)選組合使用被形成為具有透明性的ITO或MgAg的化 合物和Ca、Ba、Al等金屬或LiF等氟化物。特別優(yōu)選在接近功能層24b、24g、24r的一側形 成功函數(shù)小的Ca、Ba、LiF的膜，在遠離功能層24b、24g、24r的一側形成功函數(shù)大的ΙΤ0。在 本實施方式中，成為LiF/MgAg的構成。另外，也可以在公共電極27上層疊Si02、SiN等保護 層。由此，可以防止公共電極27的氧化。作為公共電極27的形成方法，可以舉出蒸鍍法、 濺射法、CVD法。特別在可以防止功能層24b、24g、24r因熱而受到損傷這一方面，優(yōu)選采用 蒸鍍法。接著，在步驟S8的密封工序中，通過將形成有發(fā)光控制單位Lu和有機EL元件20的元件基板1與密封基板接合，完成了有機EL裝置100。作為元件基板1與密封基板的接 合方法，可以舉出在元件基板1與密封基板之間留有空間，按照包圍多個有機EL元件20的 方式配置粘接劑來進行接合的所謂被稱為罐密封的方法、或在該空間填充透明的樹脂來進 行密封的方法。 根據(jù)分開使用這樣的涂敷法(液狀體噴出法)和蒸鍍法的有機EL裝置100及其 制造方法，與對于第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c，利用蒸鍍法 選擇性形成所有的發(fā)光層26b、26g、26r的情況相比，可以在不需要蒸鍍掩模的同時，有效 地形成膜厚不均得以降低的發(fā)光層26b、26g、26ι 。即，可以實現(xiàn)不同的發(fā)光顏色間的亮度均 衡、且亮度不均降低的頂部發(fā)射型的能夠進行全色顯示的有機EL裝置100。另外，功能層24b、24g、24r的構成并不限于此。例如，也可以在空穴注入層25與 發(fā)光層26g、26i 之間形成中間層。作為含有中間層形成材料的液狀體，例如可以舉出含有 環(huán)己基苯作為溶劑、且以重量比含有0. 左右的三苯基胺系聚合物(TFP)作為中間層形 成材料的物質。中間層具有使空穴相對于發(fā)光層26g、26r的輸送性(注入性)提高、且抑制電子 從發(fā)光層26g、26r向空穴注入層25侵入的功能。另外，發(fā)光層26b不限于具有空穴輸送性和電子輸送性，還可以在藍色發(fā)光層 26b與LiF之間設置Alq3等電子輸送層，或者進而在電子輸送層與發(fā)光層26b之間設置 二-(2-甲基-8-喹啉醇)-4-(苯基苯酚)鋁(BAlq)之類的空穴阻滯層。S卩，這些中間層、電子輸送層、空穴阻滯層用于改善發(fā)光層26b、26g、26r中的空穴 與電子的結合所引起的激勵發(fā)光的效率。此外，作為形成發(fā)光層26b的方法，除了蒸鍍法以外，還可以使用旋涂法、浸漬法 等。此時，即便在基底層的表面具有數(shù)十nm 數(shù)百nm程度的階差的情況下，也可以在膜厚 偏差少的狀態(tài)下形成發(fā)光層26b。換言之，考慮了各膜形成區(qū)域7a、7b、7c中的基底層的凹 凸偏差，選定不同的成膜方法，來形成發(fā)光層26b、26g、26r。在本實施方式中，考慮各發(fā)光顏色的發(fā)光壽命，設定了第一膜形成區(qū)域7a、第二膜 形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的平面面積、即有機EL元件20B、20G、20R的實質的發(fā)光面 積。主要使用高分子的發(fā)光層形成材料的涂敷法(液狀體噴出法)，與使用低分子的 發(fā)光層形成材料的蒸鍍法相比，現(xiàn)狀是存在所形成的發(fā)光層的發(fā)光壽命短的傾向。而且，存 在發(fā)光層的發(fā)光峰值波長越長，發(fā)光壽命越長的傾向。另一方面，發(fā)光壽命依賴于流過發(fā)光層的電流量，亮度依賴于電流量和發(fā)光面積。 因此，從一邊以穩(wěn)定的亮度得到各發(fā)光顏色、一邊實現(xiàn)發(fā)光顏色間的發(fā)光壽命的平衡(均 衡)的觀點出發(fā)，在基底層的包括凹凸偏差最大部分的第一膜形成區(qū)域7a，利用難以受到 凹凸影響的具有高被覆性的蒸鍍法，形成具有所希望的膜厚的發(fā)光層26b。由此，可以防止 由于膜厚偏差而致電流局部集中流過，從而可以防止亮度不均、發(fā)光壽命變短?？傊?，優(yōu)選 使用蒸鍍法形成的發(fā)光層，是藍色(B)、綠色(G)、紅色(R)三種顏色的發(fā)光顏色中發(fā)光峰值 波長最短的藍色發(fā)光層26b。進而，如果對使用涂敷法形成的發(fā)光層26g(綠色)和發(fā)光層26r (紅色)進行比 較，則發(fā)光層26g(綠色)的發(fā)光壽命有可能變短。因此，優(yōu)選形成發(fā)光層26ι 的第三膜形成區(qū)域7c與形成 發(fā)光層26g的第二膜形成區(qū)域7b相比，其平面面積減小。換言之，優(yōu)選在 平面面積大的膜形成區(qū)域形成發(fā)光壽命短的發(fā)光層。通過抑制在發(fā)光壽命短的發(fā)光層中流 過的電流量，可以縮小發(fā)光顏色之間的發(fā)光壽命之差。如果匯總，則根據(jù)上述第一實施方式，可得到以下所示的作用、效果。1)對在平面上含有基底層的凹凸偏差大的驅動電路部的第一膜形成區(qū)域7a，使 用蒸鍍法形成發(fā)光峰值波長最短的藍色發(fā)光層26b?？傻玫讲皇茉摪纪蛊畹挠绊懚哂?大致一定膜厚的藍色發(fā)光層26b。2)對于其他的第二膜形成區(qū)域7b及第三膜形成區(qū)域7c而言，避開驅動電路部進 行劃分，以便與第一膜形成區(qū)域7a相比具有高平坦性，利用涂敷法(液狀體噴出法)形成 與發(fā)光層26b相比發(fā)光峰值波長更長的發(fā)光層26g、26r。由于基底層的平坦性得以確保，所 以可得到具有大致一定的膜厚(膜截面形狀)的綠色發(fā)光層26g和紅色發(fā)光層26r。3)第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的平面面積、即有 機EL元件20B、20G、20R的發(fā)光面積，被設定成藍色發(fā)光層26b>綠色發(fā)光層26g >紅色發(fā) 光層26r。因此，考慮發(fā)光層26b、26g、26i 的亮度和發(fā)光壽命，取得了發(fā)光顏色之間的平衡。4)為了使利用蒸鍍法形成藍色發(fā)光層26b的第一膜形成區(qū)域7a的平面面積，大于 其他的第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c，僅用隔壁部19來劃分第一膜形成區(qū)域7a。 由于沒有必要用絕緣膜18劃分第一膜形成區(qū)域7a，所以可以比較容易地確保所希望的平 面面積。(第二實施方式)〈有機EL裝置〉接著，對于第二實施方式的有機EL裝置，參照圖11 圖14進行說明。圖11是表 示第二實施方式的有機EL裝置中的有機EL元件的配置的簡要俯視圖，圖12是表示第二實 施方式的有機EL裝置中的驅動電路部的構成的簡要俯視圖，圖13是沿著圖12的D-D’線 切斷的有機EL元件的簡要剖面圖，圖14是沿著圖12的E-E’線切斷的有機EL元件的簡要 剖面圖。本實施方式的有機EL裝置相對于第一實施方式的有機EL裝置100，驅動電路部中 的保持電容器13及電源線42的配置不同。另外，與第一實施方式同樣的構成被附加相同 的符號，省略詳細的說明。具體而言，如圖11所示，本實施方式的有機EL裝置200具有可得到藍色、綠色、紅 色不同的發(fā)光顏色的有機EL元件20B、20G、20R。各有機EL元件20B、20G、20R分別被設置 在由相互交叉的掃描線31和數(shù)據(jù)線41劃分的區(qū)域?？傻玫剿{色發(fā)光的有機EL元件20B的功能層24b，形成在遍布由掃描線31和數(shù)據(jù) 線41劃分的區(qū)域而設置的第一膜形成區(qū)域7a上。第一膜形成區(qū)域7a在平面上含有設置 有對有機EL元件20B進行驅動的驅動電路部的一部分的、基底層的區(qū)域6b。與此相對，鄰 接的可得到綠色發(fā)光的有機EL元件20G的功能層24g形成在第二膜形成區(qū)域7b。第二膜 形成區(qū)域7b被設定成不含設置有對有機EL元件20G進行驅動的驅動電路部的一部分的、 基底層的區(qū)域6b。同樣，可得到紅色發(fā)光的有機EL元件20R的功能層24r形成在第三膜形 成區(qū)域7c。第三膜形成區(qū)域7c被設定成不含設置有對有機EL元件20R進行驅動的驅動電 路部的一部分的、基底層的區(qū)域6b。
相對于第一膜形成區(qū)域7a的平面面積，其他的第二膜形成區(qū)域7b及第三膜形成 區(qū)域7c的平面面積大約為2/3。這與第一實施方式同樣，考慮了不同發(fā)光顏色的有機EL元 件20B、20G、20R的發(fā)光壽命。第一膜形成區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的平面面積相當于發(fā) 光面積。隨著發(fā)光面積增大，需要向各有機EL元件20B、20G、20R穩(wěn)定地供給用于使功能層 24b.24g.24r發(fā)光的驅動電流，由此需要確保電源線42的電阻，以便不產(chǎn)生供給損失。在本實施方式中，電源線42沿著掃描線31延伸，大致被設置在與第二膜形成區(qū)域 7b、第三膜形成區(qū)域7c平面重疊的位置。因此，與第一實施方式的電源線42相比，在數(shù)據(jù) 線41的延伸方向上被設置更寬。如圖12所示，驅動電路部中的保持電容器13，被設置在與設置較寬的電源線42平 面重疊的位置，以與第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的平面面積大致相當?shù)拇笮≡O
置。 如圖13所示，保持電容器13的一對電極13a、13b中的另一個電極13b，通過在與 電源線42平面重疊的位置設置的接觸孔(省略圖示)與電源線42連接。一個電極13a同 樣通過構成了電源線42的低電阻金屬布線，與開關用TFTll的漏極及驅動用TFT12的柵極 連接。根據(jù)這樣的保持電容器13的配置，與第一實施方式相比，可以確保更大的電容。本實施方式的第一膜形成區(qū)域7a，按照包含設置在元件基板1上的作為驅動電路 部的TFT11、12、保持電容器13以及將它們連接的布線的方式，被隔壁部19劃分。像素電極 23b遍布被隔壁部19劃分的第一膜形成區(qū)域7a而設置。有機EL元件20B具有設置在第一膜形成區(qū)域7a的像素電極23b、和在像素電極 23b上依次層疊的功能層24b、公共電極27。功能層24b包含空穴注入層25和發(fā)光層26b。 空穴注入層25使用涂敷法(液狀體噴出法)形成，發(fā)光層26b使用蒸鍍法形成。發(fā)光層 26b具有空穴輸送性和電子輸送性。如圖14所示，與有機EL元件20B鄰接的有機EL元件20G具有像素電極23g、和 在像素電極23g上依次層疊的功能層24g、公共電極27。功能層24g包含空穴注入層25、發(fā) 光層26g和發(fā)光層26b。其中，空穴注入層25和發(fā)光層26g被設置在第二膜形成區(qū)域7b。 第二膜形成區(qū)域7b按照不包含設置在元件基板1上的驅動電路部中的TFT11、12的方式， 被絕緣膜18和設置在絕緣膜18上的隔壁部19劃分。發(fā)光層26b按照覆蓋隔壁部19和發(fā) 光層26g的方式利用蒸鍍法形成。空穴注入層25和發(fā)光層26g使用涂敷法(液狀體噴出 法)形成。鄰接的有機EL元件20R的截面結構也與圖14所示的有機EL元件20G相同。艮口， 有機EL元件20R具有像素電極23r、和在像素電極23r上依次層疊的功能層24r、公共電 極27。功能層24ι 包含空穴注入層25、發(fā)光層26ι 和發(fā)光層26b。其中，空穴注入層25和 發(fā)光層26r被設置在第三膜形成區(qū)域7c。第三膜形成區(qū)域7c按照不包含設置在元件基板 1上的驅動電路部中的TFTl 1、12的方式，被絕緣膜18和設置在絕緣膜18上的隔壁部19劃 分。發(fā)光層26b按照覆蓋隔壁部19和發(fā)光層26ι 的方式利用蒸鍍法形成?？昭ㄗ⑷雽?5 和發(fā)光層26r使用涂敷法(液狀體噴出法)形成。如圖14所示，對第二膜形成區(qū)域7b而言，其截面大致平坦的設置有保持電容器13和電源線42的基底層的區(qū)域，被絕緣膜18和設置在絕緣膜18上的隔壁部19劃分。因此， 成膜面的平坦性與第一實施方式同樣得到確保。由此，可以使用涂敷法(液狀體噴出法)， 在第二膜形成區(qū)域7b形成膜厚(膜截面形狀)大致一定的空穴注入層25、發(fā)光層26g。有 機EL元件20R中的設置有空穴注入層25、發(fā)光層26r的第三膜形成區(qū)域7c也同樣。其中，有機E L裝置200的制造方法可以應用上述第一實施方式的有機EL裝置100 的制造方法。根據(jù)上述第二實施方式，除了第一實施方式的作用、效果之外，還起到以下的作 用、效果。1)有機EL裝置200在被隔壁部19劃分的第二膜形成區(qū)域7b及第三膜形成區(qū)域 7c的基底層，設置有驅動電路部中的保持電容器13。保持電容器13的平面面積與第二膜 形成區(qū)域7b及第三膜形成區(qū)域7c的平面面積大致相同。因此，與第一實施方式相比，可以 增大保持電容器13的電容。2)電源線42沿著掃描線31以跨過第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的方式 較寬地設置。因此，與第一實施方式相比，可以降低供給損失，更穩(wěn)定地向有機EL元件20B、 20G、20R供給驅動電流。而且，由于被設置成與在元件基板1上設有保持電容器13的區(qū)域重疊，所以可以 使第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c中的基底層的表面成為凹凸少的平坦狀態(tài)。(第三實施方式)接著，參照圖15，對本實施方式的電子設備進行說明。圖15是表示作為電子設備 的一例的移動電話機的簡要立體圖。如圖15所示，作為本實施方式的電子設備的移動電話機1000具備具有操作按鈕 1003的主體1002、和借助鉸鏈以折疊方式安裝在主體1002上的顯示部1001。顯示部1001上搭載有上述實施方式的有機EL裝置100、200的任意一個裝置。因此，因發(fā)光層26b、26g、26i 的膜厚不均引起的亮度不均降低，可以提供外觀良 好的可以進行全色顯示的移動電話機1000。另外，搭載有上述有機EL裝置100、200中的任意一個裝置的電子設備，并不限于 移動電話機1000。例如還可以舉出個人電腦、便攜型信息終端、導航裝置、取景器等具有顯 示部的電子設備。除了上述實施方式以外，還可以考慮各種變形例。以下，舉出變形例進行說明。(變形例1)在上述第一實施方式的有機EL裝置100中，使用蒸鍍法形成的藍色 發(fā)光層26b，并不限于按照覆蓋其他發(fā)光層26g、26r的方式形成。圖16是表示變形例的有 機EL裝置的結構的簡要剖面圖。詳細而言，與表示了有機EL裝置100的結構的圖6的簡 要剖面圖相當。例如如圖16所示，變形例的有機EL裝置300在形成發(fā)光層26b時，使用遮 蔽第一膜形成區(qū)域7a以外的蒸鍍掩模，僅在第一膜形成區(qū)域7a蒸鍍形成發(fā)光層26b。通過 這樣的構成及制造方法，雖然存在選擇性使發(fā)光層26b成膜的繁瑣問題，但由于沒有層疊 不同發(fā)光顏色的發(fā)光層，所以可以比較容易地分別得到具有目標峰值波長的發(fā)光。(變形例2)在上述第一實施方式的有機EL裝置100中，隔壁部19對第一膜形成 區(qū)域7a、第二膜形成區(qū)域7b、第三膜形成區(qū)域7c的劃分方法，不限定于與可得到不同的發(fā) 光顏色的功能層24b、24g、24i 分別對應的方法。圖17是表示變形例的膜形成區(qū)域的劃分方法的簡要俯視圖。如圖17所示，例如按照不包含設置有驅動電路部的至少一部分的基底層 的區(qū)域6a的方式，由作為第一隔壁部的絕緣膜18，對形成功能層24g中的空穴注入層25、 發(fā)光層26g的膜形成區(qū)域7d(實質的發(fā)光區(qū)域)進行劃分。第二膜形成區(qū)域7b按照不含 多個(圖17中為3個)膜形成區(qū)域7d的方式，由作為第二隔壁部的隔壁部19劃分。第三 膜形成區(qū)域7c也同樣。S卩，通過絕緣膜18，對形成有功能層24r中的空穴注入層25、發(fā)光 層26r的膜形成區(qū)域7e (實質的發(fā)光區(qū)域)進行劃分。第三膜形成區(qū)域7c按照不含多個 (圖17中為3個)膜形成區(qū)域7e的方式，由隔壁部19劃分。

如此，與第一實施方式相比，由于可以遍布更廣的范圍涂敷含有空穴注入層形成 材料的液狀體60、含有發(fā)光層形成材料的液狀體70G、70R，所以可以得到干燥后膜厚偏差 被進一步抑制的空穴注入層25、發(fā)光層26g、26r。這樣的變形例適合用于使用涂敷法來形成功能層24g、24r的至少一部分的第二 膜形成區(qū)域7b及第三膜形成區(qū)域7c，但也可以用于第二膜形成區(qū)域7b和第三膜形成區(qū)域 7c的任意一方。另外，當然不限定于包含3個膜形成區(qū)域7d、7e，也可以全部包含形成相同 顏色發(fā)光層的膜形成區(qū)域7d或膜形成區(qū)域7e。并且，也可以用于使用涂敷法來形成功能層24b的至少一部分(空穴注入層25) 的第一膜形成區(qū)域7a。(變形例3)上述第一實施方式的有機EL裝置100以及上述第二實施方式的有機 EL裝置200中的密封基板的構成，并不限于此。例如，可以在與各有機EL元件20B、20G、20R 對置的密封基板上，設置與發(fā)光顏色對應的濾色器。由此，可以提供色再現(xiàn)性出色的頂部發(fā) 射型全色顯示裝置。(變形例4)在上述第一實施方式的有機EL裝置100的制造方法中，當在第二膜形 成區(qū)域7b和第三膜形成區(qū)域7c中平面面積不同時，在發(fā)光層形成工序中，平面面積越小， 涂敷后的干燥越容易進行，有可能因干燥速度的差異而導致成膜后的膜形狀不穩(wěn)定。因此， 優(yōu)選按照平面面積從大到小的順序涂敷液狀體70G、70R。由此，可以抑制第二膜形成區(qū)域 7b與第三膜形成區(qū)域7c之間的干燥速度之差，能夠形成膜形狀穩(wěn)定的發(fā)光層26g、26r。(變形例5)上述第一實施方式的有機EL裝置100的制造方法中，在發(fā)光層形成 工序中，如果對第二膜形成區(qū)域7b和第三膜形成區(qū)域7c分別涂敷不同種類的液狀體70G、 70R，則后來涂敷的液狀體相對于膜形成區(qū)域的潤濕性降低。因此，優(yōu)選按照不同種類的液 狀體70G、70R中相對膜形成區(qū)域的潤濕性從低到高的順序進行涂敷。如此，可以穩(wěn)定地確 保液狀體70G、70R相對于各膜形成區(qū)域的潤濕性，從而均勻地涂敷。(變形例6)在上述第一實施方式的有機EL裝置100的制造方法中，優(yōu)選含有不同 發(fā)光層形成材料的液狀體70G、70R中、例如含有因暴露于水分、氧氣或受熱等而容易失活 的發(fā)光層形成材料的液狀體，被最后涂敷。由此可以提高成品率。
權利要求
1.一種有機EL裝置，其特征在于，具備在包含基板的基底層上相互鄰接配置的可得到 不同發(fā)光顏色的第一有機EL元件、第二有機EL元件以及第三有機EL元件，上述基底層包含驅動上述第一有機EL元件的第一驅動電路部、驅動上述第二有機EL 元件的第二驅動電路部、和驅動上述第三有機EL元件的第三驅動電路部，在上述基底層上具有隔壁部，所述隔壁部對設置有上述第一有機EL元件的第一發(fā)光 層的第一膜形成區(qū)域、設置有上述第二有機EL元件的第二發(fā)光層的第二膜形成區(qū)域、和設 置有上述第三有機EL元件的第三發(fā)光層的第三膜形成區(qū)域進行劃分，上述隔壁部以在平面上包含上述第一驅動電路部的方式劃分上述第一膜形成區(qū)域，以 不含上述第二驅動電路部的至少一部分的方式劃分上述第二膜形成區(qū)域，以不含上述第三 驅動電路部的至少一部分的方式劃分上述第三膜形成區(qū)域，相對于上述第一發(fā)光層，上述第二發(fā)光層及上述第三發(fā)光層利用不同的成膜方法形成。
2.如權利要求1所述的有機EL裝置，其特征在于，使用液狀體噴出法形成可得到綠色發(fā)光的上述第二發(fā)光層、以及可得到紅色發(fā)光的上 述第三發(fā)光層，按照覆蓋上述第二發(fā)光層及上述第三發(fā)光層的方式，使用蒸鍍法形成可得到藍色發(fā)光 的上述第一發(fā)光層。
3.如權利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于， 上述第一發(fā)光層具有空穴輸送性。
4.如權利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于， 上述第一發(fā)光層具有空穴輸送性和電子輸送性。
5.如權利要求1 4中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在于，上述隔壁部按照與上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域相比，平面面積大的方 式，對上述第一膜形成區(qū)域進行劃分。
6.如權利要求5所述的有機EL裝置，其特征在于，上述隔壁部具有由無機材料構成的第一隔壁部、和由有機材料構成的第二隔壁部， 上述第一膜形成區(qū)域僅由上述第二隔壁部劃分，上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域分別由設置在上述第一隔壁部上的上述 第二隔壁部劃分。
7.如權利要求5所述的有機EL裝置，其特征在于，上述隔壁部具有由無機材料構成的第一隔壁部、和由有機材料構成的第二隔壁部， 上述第一膜形成區(qū)域僅由上述第二隔壁部劃分，上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域中至少一個的實際發(fā)光區(qū)域被上述第一 隔壁部劃分，上述第二隔壁部按照包含多個上述發(fā)光區(qū)域進行劃分的方式，被設置在上述第一隔壁部上。
8.如權利要求1 7中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在于，上述第一驅動電路部、上述第二驅動電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含 薄膜晶體管、保持電容器和將它們連接的布線，上述隔壁部按照至少不含上述薄膜晶體管的方式，分別劃分了上述第二膜形成區(qū)域和上述第三膜形成區(qū)域。
9.如權利要求1 7中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在于，上述第一驅動電路部、上述第二驅動電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含 薄膜晶體管、保持電容器和將它們連接的布線，上述隔壁部按照至少不含上述薄膜晶體管和上述保持電容器的方式，分別劃分了上述 第二膜形成區(qū)域和上述第三膜形成區(qū)域。
10.一種有機EL裝置的制造方法，其特征在于，是具備在包含基板的基底層上相互鄰 接配置的可得到不同發(fā)光顏色的第一有機EL元件、第二有機EL元件以及第三有機EL元件 的有機EL裝置的制造方法，包含驅動電路部形成工序，在上述基板上形成驅動上述第一有機EL元件的第一驅動電路 部、驅動上述第二有機EL元件的第二驅動電路部、和驅動上述第三有機EL元件的第三驅動 電路部；隔壁部形成工序，在上述基板上形成對包含上述第一驅動電路部的第一膜形成區(qū)域、 不包含上述第二驅動電路部的至少一部分的第二膜形成區(qū)域、和不包含上述第三驅動電路 部的至少一部分的第三膜形成區(qū)域進行劃分的隔壁部；和發(fā)光層形成工序，在上述第一膜形成區(qū)域形成上述第一有機EL元件的第一發(fā)光層的 同時，在上述第二膜形成區(qū)域形成上述第二有機EL元件的第二發(fā)光層、在上述第三膜形成 區(qū)域形成上述第三有機EL元件的第三發(fā)光層；相對于上述第一發(fā)光層，上述第二發(fā)光層及上述第三發(fā)光層使用不同的成膜方法形成。
11.如權利要求10所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，上述發(fā)光層形成工序使用液狀體噴出法，形成可得到綠色發(fā)光的上述第二發(fā)光層及可 得到紅色發(fā)光的上述第三發(fā)光層，并以覆蓋上述第二發(fā)光層及上述第三發(fā)光層的方式，使 用蒸鍍法形成可得到藍色發(fā)光的上述第一發(fā)光層。
12.如權利要求11所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，上述發(fā)光層形成工序使用蒸鍍法形成具有空穴輸送性和電子輸送性的上述第一發(fā)光層。
13.如權利要求10 12中任意一項所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 上述隔壁部形成工序按照已被劃分的上述第一膜形成區(qū)域的平面面積大于上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域的方式，形成上述隔壁部。
14.如權利要求13所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，上述隔壁部具有由無機材料構成的第一隔壁部、和由有機材料構成的第二隔壁部， 上述隔壁部形成工序按照分別劃分上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域的方 式形成上述第一隔壁部，同時在上述第一隔壁部上形成上述第二隔壁部， 按照劃分上述第一膜形成區(qū)域的方式形成上述第二隔壁部。
15.如權利要求13所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，上述隔壁部具有由無機材料構成的第一隔壁部、和有機材料構成的第二隔壁部， 上述隔壁部形成工序按照劃分上述第一膜形成區(qū)域的方式形成上述第二隔壁部，按照 劃分上述第二膜形成區(qū)域及上述第三膜形成區(qū)域中至少一個的實際發(fā)光區(qū)域的方式形成上述第一隔壁部，按照包含多個上述發(fā)光區(qū)域進行劃分的方式，在上述第一隔壁部上形成上述第二隔壁部。
16.如權利要求10 15中任意一項所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 上述第一驅動電路部、上述第二驅動電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含薄膜晶體管、保持電容器和將它們連接的布線，上述隔壁部形成工序形成按照至少不含上述薄膜晶體管的方式分別劃分上述第二膜 形成區(qū)域和上述第三膜形成區(qū)域的上述隔壁部。
17.如權利要求10 15中任意一項所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 上述第一驅動電路部、上述第二驅動電路部以及上述第三驅動電路部，分別至少包含薄膜晶體管、保持電容器和將它們連接的布線，上述隔壁部形成工序形成按照不含上述薄膜晶體管和上述保持電容器的方式分別劃 分上述第二膜形成區(qū)域和上述第三膜形成區(qū)域的上述隔壁部。
18.一種電子設備，其特征在于，具備權利要求1 9中任意一項所述的有機EL裝置、或者利用權利要求10 17中任 意一項所述的有機EL裝置的制造方法而制造的有機EL裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機EL裝置及其制造方法和電子設備，用于在得到不同發(fā)光顏色的發(fā)光的同時，得到亮度不均等少的穩(wěn)定的發(fā)光特性。本應用例的有機EL裝置(100)在基底層上具有對設置有有機EL元件(20B)的發(fā)光層(26b)的第一膜形成區(qū)域、設置有有機EL元件(20G)的發(fā)光層(26g)的第二膜形成區(qū)域、和設置有有機EL元件(20R)的發(fā)光層(26r)的第三膜形成區(qū)域進行劃分的隔壁部(19)，隔壁部按照在平面上含有驅動電路部的方式劃分第一膜形成區(qū)域，按照不含驅動電路部的至少一部分的方式劃分第二膜形成區(qū)域和第三膜形成區(qū)域，相對于發(fā)光層(26b)，發(fā)光層(26g)及發(fā)光層(26r)通過不同的成膜方法形成。
文檔編號H01L51/56GK102130146SQ201010534349
公開日2011年7月20日 申請日期2010年11月1日 優(yōu)先權日2009年11月4日
發(fā)明者內(nèi)田昌宏 申請人:精工愛普生株式會社